JPH11289132A

JPH11289132A - 面発光レ―ザ装置

Info

Publication number: JPH11289132A
Application number: JP2545099A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Okubo; 敦大久保
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1998-02-04
Filing date: 1999-02-02
Publication date: 1999-10-19
Anticipated expiration: 2019-02-02
Also published as: JP3761130B2

Abstract

(57)【要約】【課題】熱飽和や端面劣化を可及的に抑制し、高い光
出力が得られる面発光レーザ装置を提供する。【解決手段】面発光レーザ装置は、ＧａＡｓ基板６５
の上に順次、Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓクラッド層６４、Ｇ
ａＡｓ光導波層６３、Ａｌ_0.30Ｇａ_0.70Ａｓキャリアブ
ロック層６２、ＧａＡｓサイドバリア層６１、ＩｎＧａ
Ａｓ活性層６０、ＧａＡｓサイドバリア層５９、Ａｌ
_0.30Ｇａ_0.70Ａｓキャリアブロック層５８、ＧａＡｓ光
導波層５７、Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓクラッド層５６、エ
ッチングストップ層５５、コンタクト層６７が形成され
る。水平な共振器端面５２ａと垂直な共振器端面５２ｂ
との間の共振器光軸に介在するように、反射ミラーとし
て機能する傾斜端面５３が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、通信や計測などで
好適に用いられ、特に多チャンネル光通信システムに好
適な面発光レーザ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】画像情報などの大量の情報を高速に伝
送、処理する技術として、二次元集積光デバイスを用い
た並列情報処理システムが盛んに研究されている。こう
したシステムにおいて、二次元配列が可能な面発光レー
ザ装置が特に重要である。

【０００３】図３は、従来の面発光レーザ装置の一例を
示す構成図である。この面発光レーザ装置は、論文(IEE
E PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol.7 No.12, DECEM
BER1995 p1391 )に記載されており、ＧａＡｓから成る
基板１１の上に順次、クラッド層１０、光導波層９、Ｉ
ｎＧａＡｓから成る量子井戸層で構成された活性層８、
光導波層７、クラッド層６、エッチングストップ層５、
コンタクト層１３が形成される。活性層８、光導波層
７、９およびクラッド層６、１０はグレーデッドインデ
ックス型の分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ:seperate
confinementheterostrucure）を構成している。コンタ
クト層１３の上面および基板１１の下面には、キャリア
注入用の電極４、１２が形成される。

【０００４】クラッド層６とコンタクト層１３との間に
形成されたエッチングストップ層５は、コンタクト層１
３をエッチングして水平な共振器端面２ａを形成する工
程において、クラッド層６以下の層のエッチングを防止
する機能を果たす。残りの共振器端面２ｂは各層に対し
て垂直となるようにへき開等によって形成される。

【０００５】さらに水平な共振器端面２ａと垂直な共振
器端面２ｂとの間の共振器光軸に介在するように、傾斜
端面３が形成される。傾斜端面３は水平光軸に対してた
とえば４５度で傾斜しており、光軸を曲げる反射ミラー
として機能する。

【０００６】こうした構成によって共振器端面２ａ、２
ｂの間で共振したレーザ光は、共振器端面２ａから外部
に出力され、外部からは基板１１の法線方向に発光ビー
ム１が得られる面発光レーザ装置として機能する。レー
ザ特性に関して、動作電流２０ｍＡにおいて、端面２ｂ
でエッジ出力８ｍＷ、端面２ａで面出力５ｍＷが得られ
ており、閾値電流は６ｍＡである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】通信用の光源では、高
速動作だけでなく高出力動作も重要になる。レーザの出
力を制限する要因として、熱飽和と端面劣化の問題があ
る。熱飽和とは、レーザ発振に伴って発生するジュール
熱やその他の損失に起因して、素子温度が上昇し、これ
によって活性層の利得が低下して発振が維持できなくな
る現象である。一方、端面劣化とは、レーザ光が出射す
る端面に不純物や結晶欠陥に起因する表面準位が生ずる
と、光吸収が起きてしまい、局所加熱による端面破壊が
発生する非可逆現象である。

【０００８】図３に示したような断面三角形状の傾斜端
面３を持つ面発光レーザ装置では、傾斜端面３から熱容
量が大きい基板１１への熱伝導が他の端面２ｂより困難
となるため、傾斜端面３付近での熱飽和や端面劣化が生
じ易い傾向がある。さらに、傾斜端面３は他の端面２
ａ、２ｂと比べて加工時のダメージが生じ易く、端面劣
化が起こり易い状況となっている。

【０００９】ここで加工時のダメージについて詳述す
る。斜端面を用いた面発光レーザにおいて、傾斜端面は
鏡面状で、ミクロンオーダの平坦さが要求される。実際
の傾斜端面には、活性層、導波層、クラッド層などレー
ザを構成する種々の層が存在しており、これらの層を一
様に加工して鏡面を形成する必要がある。傾斜端面の加
工方法として、イオンビームエッチングなどのドライエ
ッチングが一般に使用されるが、傾斜端面に加工ダメー
ジが生ずると、レーザ発振時に傾斜端面においてレーザ
光の再吸収が起こり、いわゆるＣＯＤ(catastrophic op
tical damage)等の端面劣化の原因となる。

【００１０】この対策として、加工損傷を防止しつつ鏡
面仕上げを目的としてウエットエッチング処理を採用す
ることが考えられる。しかし、傾斜端面を構成する各層
のエッチング特性は一般に異なるため、エッチング速度
が大きい層と小さい層との間で段差が生じてしまい、良
好な鏡面を得ることが困難になる。特に従来の面発光レ
ーザでは、キャリア閉じ込めを維持するためにクラッド
層のＡｌ組成をあまり低く設定できないという事情があ
る。そのため高Ａｌ組成層はウエットエッチングによっ
て酸化劣化を起こし易く、レーザの高出力化に対して大
きな障害となっていた。さらにウエットエッチング工程
では、高Ａｌ組成層と低Ａｌ組成層のエッチング特性の
違いによって表面に凹凸が生じ易く、また鏡面の方位も
定まらないため、良好な鏡面を形成するのが困難であっ
た。

【００１１】またレーザ動作中において傾斜端面での熱
飽和と端面劣化を回避するには、素子の電気抵抗および
熱抵抗の低減化、光密度の抑制等が重要になる。

【００１２】図４（ａ）はＳＣＨ構造の典型例を示す構
成図であり、図４（ｂ）はその光強度分布を示すグラフ
である。横軸は層厚方向の位置であり、図４（ａ）の縦
軸はＡｌ組成およびＩｎ組成、図４（ｂ）の縦軸は光強
度を示す。ＳＣＨレーザは、１対のクラッド層Ｃが導波
層Ｇを挟む層構成を有し、導波層Ｇは図３の活性層８お
よび光導波層７、９に対応し、クラッド層Ｃが図３のク
ラッド層６、１０にそれぞれ対応する。

【００１３】図４（ａ）に示すように、クラッド層Ｃが
たとえばＡｌ_0.60Ｇａ_0.40Ａｓで形成され、導波層Ｇで
は活性層中心に向けてＡｌ組成が連続的に減少し、活性
層中心ではＩｎＧａＡｓから成る量子井戸層が存在す
る。ＡｌＧａＡｓ系材料はＡｌ組成が増加するにつれて
禁制帯幅も増加する傾向があるため、禁制帯幅の分布も
図４（ａ）のグラフにほぼ一致する。

【００１４】クラッド層Ｃは、主に光閉じ込めを担当す
るが、実際には禁制帯幅の高さによって量子井戸層から
あふれるキャリアを閉じ込る機能も兼ねる。温度特性を
良好に維持するには、活性層に存在するキャリアがクラ
ッド層Ｃのポテンシャル障壁を充分に高いものと感じさ
せる必要がある。

【００１５】図５（ａ）（ｂ）は、ＡｌＧａＡｓ系材料
の電気抵抗と熱抵抗を示すグラフである。横軸はＡｌ組
成を示す。図５（ａ）を見ると、Ａｌ組成が増加するほ
ど電気抵抗も増加し、特に全体としてｎ型よりｐ型の方
が高抵抗であるが、ｎ型はＡｌ組成が約０．３より大き
くなると増加率が急峻であることが判る。なお、電気抵
抗が大きいほど発熱量が増加する。また、図５（ｂ）を
見ると、熱抵抗はＡｌ組成の２次関数で表現でき、Ａｌ
組成が約０．５付近で極大となる上に凸の放物線形状で
あることが判る。

【００１６】したがって、ＳＣＨ構造でキャリア閉じ込
め機能を増強するために、高Ａｌ組成のクラッド層Ｃを
採用することが考えられるが、Ａｌ組成の増加によって
素子の電気抵抗や熱抵抗が大きくなり、素子の熱特性が
かなり犠牲にならざるを得ない。

【００１７】さらに光強度に関して、図４（ｂ）に示す
ように、クラッド層ＣのＡｌ組成が大きくなるほど、導
波層Ｇとの屈折率差が大きくなるため、狭い導波層Ｇに
光分布が集中するようになる。その結果、光強度分布は
ピーク強度の高い指数関数型になり、ピーク付近での端
面劣化が起こり易くなる。

【００１８】本発明の目的は、熱飽和や端面劣化を可及
的に抑制し、高い光出力が得られる面発光レーザ装置を
提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、活性層と、活
性層の両面側に設けられ、該活性層の禁制帯幅以上の禁
制帯幅を有する一対の光導波層と、活性層および光導波
層を挟むように設けられ、該光導波層の禁制帯幅以上の
禁制帯幅を有する一対のクラッド層と、活性層と少なく
とも一方の光導波層との間に設けられ、該活性層および
該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリ
アブロック層と、活性層に沿った光軸に対して斜めに交
差するように形成され、活性層で発生した光を層厚方向
に反射させるための傾斜端面とを備えることを特徴とす
る面発光レーザ装置である。

【００２０】本発明に従えば、活性層と光導波層との間
に位置するキャリアブロック層が活性層へのキャリア閉
じ込め機能を果たすようになる。そのため、クラッド層
によるキャリア閉じ込め機能をあまり考慮せずに、クラ
ッド層の組成や寸法を設計することが可能となる。した
がって、素子の電気抵抗や熱抵抗を優先したクラッド層
を採用でき、熱特性に優れ、光ピーク強度を抑えた高出
力、高信頼性の面発光レーザを実現できる。

【００２１】また、基板側のクラッド層の熱抵抗を低減
化することによって、傾斜端面付近で発生した熱が基板
側に円滑に伝達されるため、傾斜端面での熱飽和や端面
劣化を抑制できる。

【００２２】さらに、キャリアブロック層を設けること
によりクラッド層の設計自由度が増すので、キャリアブ
ロック層がない場合に比べてクラッド層と光導波層の組
成比の差を小さくできる。クラッド層と光導波層が傾斜
端面の多くを占めるが、両者の組成比の差が小さい分だ
けエッチングで形成される傾斜端面の傾斜が揃い、良好
な反射特性が得られ、よってさらに出力の増大と発振効
率の増大をもたらす。とくにこれらの層がＡｌＧａＡｓ
系の材料で構成される場合、クラッド層と光導波層のＡ
１の量自体を低減できるのでその効果は大きい。

【００２３】また本発明は、キャリアブロック層が活性
層と両方の光導波層との間にそれぞれ設けられることを
特徴とする。

【００２４】本発明に従えば、キャリアブロック層を活
性層と両方の光導波層との間にそれぞれ設けることによ
って、活性層へのキャリア閉じ込め機能をより効率的に
発揮することができる。

【００２５】また本発明は、光導波層がＧａＡｓで形成
されていることを特徴とする。本発明に従えば、ＡｌＧ
ａＡｓ系材料ではＡｌ組成が増加するほど電気抵抗や熱
抵抗も増加するため、光導波層のＡｌ組成は低いほど好
ましく、ＧａＡｓで形成するのがより好ましい。

【００２６】また本発明は、活性層がＩｎＧａＡｓで形
成されていることを特徴とする。本発明に従えば、活性
層の禁制帯幅を小さくできるため、活性層に存在するキ
ャリアに対するポテンシャル障壁を充分に高く設定で
き、活性層へのキャリア閉じ込め効果を高めることがで
きる。

【００２７】また本発明は、キャリアブロック層の層厚
が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする。

【００２８】本発明に従えば、活性層に存在するキャリ
アがトンネル効果によって漏出しないように、キャリア
ブロック層はある程度厚みが必要になるが、あまり厚く
するとキャリア注入効率や光の浸み出し効率が低下する
ため、５０ｎｍ以下の層厚が好ましい。逆に、薄くし過
ぎると、キャリアブロック層のバンドピークが緩和され
るバンドベンディング現象やトンネル効果によるキャリ
ア漏出が生じて、キャリアブロック機能が低下するた
め、５ｎｍ以上の層厚が好ましい。

【００２９】また本発明は、クラッド層がＡｌ組成ｘ≦
０．３のＡｌ_xＧａ_1-xＡｓで形成されていることを特徴
とする。

【００３０】本発明に従えば、ＡｌＧａＡｓ系材料では
Ａｌ組成が増加するほど電気抵抗や熱抵抗も増加するた
め、クラッド層のＡｌ組成は低いほど好ましい。クラッ
ド層をＡｌ組成０．３以下のＡｌＧａＡｓで形成するの
がより好ましい。

【００３１】次に本発明の原理について説明する。図１
（ａ）は本発明に係るレーザ装置の典型例を示す構成図
であり、図１（ｂ）はその光強度分布を示すグラフであ
る。横軸は層厚方向の位置であり、図１（ａ）の縦軸は
Ａｌ組成およびＩｎ組成、図１（ｂ）の縦軸は光強度を
示す。このレーザ装置は、１対のクラッド層Ｃが導波層
Ｇを挟む層構成を有し、導波層Ｇは中央の活性層Ｑ、そ
の両外側に隣接するキャリアブロック層Ｂおよびさらに
両外側の光導波層を含む。

【００３２】電子およびホールから成るキャリアはクラ
ッド層Ｃの外部から注入され、活性層Ｑで再結合して発
光し、光共振器によってレーザ発振が起こる。キャリア
が活性層Ｑにいったん入ると、キャリアブロック層Ｂの
ポテンシャル障壁によって活性層Ｑ内に閉じ込められ
る。そのため、クラッド層Ｃはキャリア閉じ込めを担う
必要が無く、キャリア導入や光分布制御、熱伝導制御な
どに専念できる。その結果、たとえばＡｌＧａＡｓ系で
のＡｌ組成を低く設定することによって、素子の電気抵
抗や熱抵抗の低減化、光ピーク強度の抑制が図られる。

【００３３】一方、全体のＡｌ組成が低減されているの
で、酸化劣化が抑制され、かつ平面性の良い鏡面が容易
に得られる。特に、光導波層をＧａＡｓで形成すること
が好ましく、これによって結晶方位を反映した原子レベ
ルの鏡面が容易に得られる。

【００３４】ＧａＡｓは、ある種のエッチャントを使用
した場合、結晶方位を反映した一定角度を有する良好な
斜鏡面が形成可能である。一方、各層をたとえばＡｌＧ
ａＡｓで形成した場合、Ａｌ含有量の多い層はエッチン
グ速度が異なるため、結晶方位に対応した異方性が層ご
とに変化してエッチング面の方位が均一でなくなる。こ
の結果、ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るレーザ素子にウエ
ットエッチングを施すことによって面発光レーザを製造
する場合は、傾斜端面は各層ごとに凹凸が生じてしま
い、さらに面方位も各層ごとにばらつく傾向がある。こ
うした傾向はＡｌＧａＡｓ系材料に限らず、３元以上の
材料系において常に生じる可能性がある。

【００３５】また、キャリアブロック層Ｂはキャリア閉
じ込めに必要な厚さで足りるため、光分布への影響を極
力少なくできる。図１（ｂ）に示すように、光強度分布
の全体形状は一義的には導波層Ｇとクラッド層Ｃにのみ
に規定され、導波層Ｇを厚く設定することによって、光
分布形状を従来の鋭いピークを持つ指数関数型から、な
だらかなガウス型に近づけることが可能になり、全光量
に対するピーク強度を格段に小さくできる。その結果、
端面劣化の度合を大幅に改善できる。

【００３６】またキャリアブロック層のＡ１量は多いの
でエッチングにより傾斜端面がその部分で傾斜が変わっ
たり凹凸ができたりするが、厚さが薄いので光反射への
影響は小さい。

【００３７】

【発明の実施の形態】図２は、本発明の実施の一形態を
示す構成図である。面発光レーザ装置は、ＧａＡｓから
成る基板６５の上に順次、Ａｌ_0.16Ｇａ_0.84Ａｓから成
るクラッド層６４（厚さ２０００ｎｍ）、ＧａＡｓから
成る光導波層６３（厚さ７００ｎｍ）、Ａｌ_0.30Ｇａ
_0.70Ａｓから成るキャリアブロック層６２（厚さ３０ｎ
ｍ）、ＧａＡｓから成るサイドバリア層６１（厚さ５０
ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓから成る量子井戸層で構成された
活性層６０（厚さ８ｎｍ）、ＧａＡｓから成るサイドバ
リア層５９（厚さ５０ｎｍ）、Ａｌ_0.30Ｇａ_0.70Ａｓか
ら成るキャリアブロック層５８（厚さ３０ｎｍ）、Ｇａ
Ａｓから成る光導波層５７（厚さ７００ｎｍ）、Ａｌ
_0.16Ｇａ_0.84Ａｓから成るクラッド層５６（厚さ２００
０ｎｍ）、ＡｌＡｓから成るエッチングストップ層５
５、ＧａＡｓから成るコンタクト層６７（厚さ１０００
ｎｍ）がＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）などを
用いて形成される。活性層６０から基板６５までの各層
をｎ型にすると、活性層６０からコンタクト層６７まで
の各層をｐ型とし、逆に前者をｐ型にすると後者はｎ型
とする。コンタクト層６７の上面および基板６５の下面
には、キャリア注入用の電極５４、６６が形成される。

【００３８】ＡｌＧａＡｓ系材料はＡｌ組成が増加する
につれて禁制帯幅も増加する傾向がある。本実施形態で
は、活性層６０の禁制帯幅よりも光導波層５７、６３や
サイドバリア層５９、６１の禁制帯幅の方が大きく、さ
らに光導波層５７、６３やサイドバリア層５９、６１よ
りもクラッド層５６、６４の各禁制帯幅の方が大きく、
また光導波層５７、６３やサイドバリア層５９、６１よ
りもキャリアブロック層５８、６２の禁制帯幅の方が大
きくなる。

【００３９】活性層６０、サイドバリア層５９、６１、
光導波層５７、６３およびクラッド層５６、６４は導波
路を構成している。

【００４０】クラッド層５６とコンタクト層６７との間
に形成されたエッチングストップ層５５は、コンタクト
層６７をウエットエッチングを用いて水平な共振器端面
５２ａを形成する工程において、クラッド層５６以下の
層のエッチングを防止する機能を果たす。残りの共振器
端面５２ｂは各層に対して垂直となるようにへき開等に
よって形成される。

【００４１】さらに水平な共振器端面５２ａと垂直な共
振器端面５２ｂとの間の共振器光軸に介在するように、
傾斜端面５３が異方性エッチングを用いて形成される。
傾斜端面５３は水平光軸に対してたとえば４５度で傾斜
しており、光軸を曲げる反射ミラーとして機能する。

【００４２】また、サイドバリア層５９、６１および光
導波層５７、６３がＧａＡｓで形成されているため、ウ
エットエッチングを用いることよって平面性に優れた傾
斜端面５３を容易に形成できる。レーザ光の出射端面と
なる共振器端面５２ａには反射率が１０％の反射膜が、
またもう一つの共振器端面５２ｂには反射率が９５％の
反射膜が、そして傾斜端面には反射率が９５％の反射膜
が形成されている。

【００４３】次に動作を説明する。電極５４と電極６６
の間にバイアス電圧を印加すると、電子やホールがキャ
リアとして活性層６０に注入され、キャリア再結合によ
って光を輻射する。さらに、注入電流量を増加させてい
くと誘導放射が始まり、やがて光共振器を構成する端面
５２ａ、５２ｂの間でレーザ発振が始まる。レーザ光
は、活性層６０の両側にある光導波層５７、６３やクラ
ッド層５６、６４に浸み出して導波されるが、光導波層
を厚くできるので導波モードは光の閉じ込めを担うクラ
ッド層にむけて広げることができる。そのため全光量に
対するピーク強度を格段に小さくでき端面劣化の度合い
を大幅に改善できる。一方、活性層６０内のキャリア
は、キャリアブロック層５８、６２の存在によって活性
層６０内に閉じ込められるため、再結合効率が向上す
る。

【００４４】共振器端面５２ａ、５２ｂの間で共振した
レーザ光は、共振器端面５２ａから外部に出力され、外
部からは基板６５の法線方向に発光ビーム５１が得られ
る面発光レーザ装置として機能する。

【００４５】本実施形態では、キャリアブロック層５
８、６２を設けたことによってクラッド層５６、６４の
Ａｌ組成を０．１６と大幅に低くできるため、全体の電
気抵抗および熱抵抗が格段に小さくなる。また、キャリ
アブロック層５８、６２は光の分布にはほとんど影響を
与えない程充分薄いので、光強度分布が広がって、図１
（ｂ）に示すようにピークの発生を解消でき、端面劣化
を大幅に抑制できる。

【００４６】以上の説明では、ＡｌＧａＡｓ系半導体材
料を使用した例を示したが、禁制帯幅と電気抵抗および
熱抵抗との関係が同様であるＰ（リン）系、ＧａＮ系等
の半導体材料も使用可能である。

【００４７】また、活性領域に関しても、ＩｎＧａＡｓ
量子井戸層に限らず、他の材料、たとえばＩｎＧａＡｓ
Ｐ，ＧａＮを用いた量子井戸層や、量子井戸でない通常
のダブルヘテロ構造でも本発明は適用可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、活
性層と光導波層との間に位置するキャリアブロック層が
活性層へのキャリア閉じ込め機能を果たすため、素子の
電気抵抗や熱抵抗を優先したクラッド層を採用でき、熱
特性に優れ、光ピーク強度を抑えた高出力、高信頼性の
面発光レーザを実現できる。また、基板側のクラッド層
の熱抵抗を低減化することによって、傾斜端面付近で発
生した熱が基板側に円滑に伝達されるため、傾斜端面で
の熱飽和や端面劣化を抑制できる。

【００４９】さらに、キャリアブロック層を設けること
によりクラッド層の設計自由度が増すので、キャリアブ
ロック層がない場合に比べてクラッド層と光導波層の組
成比の差を小さくできる。クラッド層と光導波層が傾斜
端面の多くを占めるが、両者の組成比の差が小さい分だ
けエッチングで形成される傾斜端面の傾斜が揃い、良好
な反射特性が得られ、よってさらに出力の増大と発振効
率の増大を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明に係るレーザ装置の典型例
を示す構成図であり、図１（ｂ）はその光強度分布を示
すグラフである。

【図２】本発明の実施の一形態を示す構成図である。

【図３】従来の面発光レーザ装置の一例を示す構成図で
ある。

【図４】図４（ａ）はＳＣＨ構造の典型例を示す構成図
であり、図４（ｂ）はその光強度分布を示すグラフであ
る。

【図５】ＡｌＧａＡｓ系材料の電気抵抗と熱抵抗を示す
グラフである。

【符号の説明】

５１発光ビーム５２ａ、５２ｂ共振器端面５３傾斜端面５５エッチングストップ層５６、６４クラッド層５７、６３光導波層５９、６１サイドバリア層５８、６２キャリアブロック層６０活性層６５基板６７コンタクト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】活性層と、活性層の両面側に設けられ、該活性層の禁制帯幅以上の
禁制帯幅を有する一対の光導波層と、活性層および光導波層を挟むように設けられ、該光導波
層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層
と、活性層と少なくとも一方の光導波層との間に設けられ、
該活性層および該光導波層の各禁制帯幅以上の禁制帯幅
を有するキャリアブロック層と、活性層に沿った光軸に対して斜めに交差するように形成
され、活性層で発生した光を層厚方向に反射させるため
の傾斜端面とを備えることを特徴とする面発光レーザ装
置。
【請求項２】キャリアブロック層が活性層と両方の光
導波層との間にそれぞれ設けられることを特徴とする請
求項１記載の面発光レーザ装置。
【請求項３】光導波層がＧａＡｓで形成されているこ
とを特徴とする請求項１または２記載の面発光レーザ装
置。
【請求項４】活性層がＩｎＧａＡｓで形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の面発
光レーザ装置。
【請求項５】キャリアブロック層の層厚が５ｎｍ〜５
０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２
記載の面発光レーザ装置。
【請求項６】クラッド層が、Ａｌ組成ｘ≦０．３のＡ
ｌ_xＧａ_1-xＡｓで形成されていることを特徴とする請求
項１または２記載の面発光レーザ装置。