JPH11288874A - Exposure apparatus and exposure method - Google Patents
Exposure apparatus and exposure methodInfo
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- JPH11288874A JPH11288874A JP10103435A JP10343598A JPH11288874A JP H11288874 A JPH11288874 A JP H11288874A JP 10103435 A JP10103435 A JP 10103435A JP 10343598 A JP10343598 A JP 10343598A JP H11288874 A JPH11288874 A JP H11288874A
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いように構成された露光装置。
【解決手段】 照明領域規定手段(9)は、複数のブラ
インド部材(21、22)の各々を所定方向に沿って移
動させるための駆動系(23、24)とを有する。各ブ
ラインド部材は、透光領域と、遮光領域と、減光領域と
を有する。部分的に重なり合う重複露光領域とそれ以外
の露光領域とで露光光量をほぼ一致させるために、各ブ
ラインド部材の減光領域は所定の透過率分布を有する。
(57) [Problem] To be configured so that a pattern formed of a minute light-shielding portion formed in a dimming region of a mask blind and a foreign matter adhering to the mask blind are unlikely to cause transfer to a photosensitive substrate and uneven exposure light amount. Exposure equipment. SOLUTION: An illumination area defining means (9) has a drive system (23, 24) for moving each of a plurality of blind members (21, 22) along a predetermined direction. Each blind member has a light-transmitting region, a light-blocking region, and a light-reducing region. In order to make the amount of exposure light substantially the same between the overlapping exposure area that partially overlaps and the other exposure area, the darkened area of each blind member has a predetermined transmittance distribution.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置および露光
方法に関し、特に半導体素子や液晶表示素子等の製造に
用いられる露光装置であって、感光性基板上において単
位マスクパターンを部分的に重ね合わせることによって
大面積のパターンを形成する露光装置、いわゆる画面合
成を行う露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method, and more particularly to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, etc., in which a unit mask pattern is partially overlapped on a photosensitive substrate. The present invention relates to an exposure apparatus that forms a large-area pattern, that is, an exposure apparatus that performs so-called screen synthesis.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の露光装置では、露光対象
となる感光性基板の大型化に対処するために、感光性基
板の露光領域を複数の単位露光領域に分割し、各単位露
光領域に対する露光を複数回に亘って繰り返し、最終的
に所望の大面積を有するパターンを合成する手法、すな
わち画面合成の手法が用いられている。画面合成を行う
場合、パターン投影用のマスクの描画誤差、投影光学系
のディストーション、感光性基板を位置決めするステー
ジの位置決め誤差等に起因して、各単位露光領域の境界
位置においてパターンの切れ目が発生し易い。そこで、
パターンの切れ目の発生を防止するために、各単位露光
領域の境界を微少量だけ重ね合わせることによって、換
言すると各単位露光領域を部分的に重ね合わせることに
よって、画面合成のための露光を行っている。2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of exposure apparatus, in order to cope with an increase in the size of a photosensitive substrate to be exposed, an exposure region of the photosensitive substrate is divided into a plurality of unit exposure regions, and each unit exposure region is divided into a plurality of unit exposure regions. Is repeated a plurality of times to finally synthesize a pattern having a desired large area, that is, a screen synthesis method. When synthesizing screens, pattern breaks occur at the boundary position of each unit exposure area due to drawing errors of the mask for pattern projection, distortion of the projection optical system, positioning errors of the stage for positioning the photosensitive substrate, etc. Easy to do. Therefore,
In order to prevent the occurrence of pattern breaks, exposure for screen synthesis is performed by overlapping the boundaries of each unit exposure area by a very small amount, in other words, by partially overlapping each unit exposure area. I have.
【0003】しかしながら、各単位露光領域を部分的に
重ね合わせると、重ね合わせた露光領域(以下、「重複
露光領域」という)の露光光量が重複露光領域以外の露
光領域の2倍(4重複露光領域では4倍)になり、感光
剤の特性およびパターン性状によってはパターンの継ぎ
目部分の線幅が大きく変化することになる。また、画面
合成を行うと、隣接する2つの単位露光領域の間の相対
位置ずれによってパターンの継ぎ目部分に段差が発生し
て、製造デバイスの特性が損なわれることがある。さら
に、画面合成された単層のパターンを多層に重ね合わせ
る工程において各層のパターン形成を異なる露光装置に
分担させた場合、各露光装置のレンズディストーション
やステージの位置決め誤差の相違によって、各層におけ
る単位露光領域の重ね合わせ誤差がパターンの継ぎ目部
分で不連続に変化することになる。この場合、特にアク
ティブマトリックス液晶デバイスでは、パターン継ぎ目
部分でコントラストが不連続に変化して、デバイスの品
質が低下することになる。However, when the unit exposure areas are partially overlapped, the exposure light quantity of the overlapped exposure area (hereinafter referred to as "overlapping exposure area") is twice as large as the exposure area other than the overlapping exposure area (four overlapping exposure areas). (4 times in the area), and the line width at the joint of the pattern greatly changes depending on the characteristics of the photosensitive agent and the pattern properties. Further, when screen synthesis is performed, a step may occur at a joint portion of a pattern due to a relative positional shift between two adjacent unit exposure areas, and characteristics of a manufacturing device may be impaired. Furthermore, when the pattern formation of each layer is assigned to a different exposure apparatus in the process of superimposing the single-layer pattern synthesized on the screen into a plurality of layers, the unit exposure in each layer depends on the lens distortion of each exposure apparatus and the difference in the positioning error of the stage. The superimposition error of the area changes discontinuously at the joint of the pattern. In this case, especially in an active matrix liquid crystal device, the contrast is discontinuously changed at a pattern joint portion, and the quality of the device is degraded.
【0004】特開平6−244077号公報および特開
平7−235466号公報には、以上のような画面合成
上の不都合を解決する露光装置が開示されている。これ
らの公報に記載された露光装置では、マスクとほぼ共役
な位置に配置されてマスクの照明領域を規定するための
マスクブラインドに透過率が100%から0%まで線形
的に変化する減光領域を数mmの幅に亘って形成してい
る。そして、この減光領域の作用により、重複露光領域
とそれ以外の露光領域とで露光光量がほぼ等しくなるよ
うに構成している。特に上述の特開平7−235466
号公報に開示された露光装置では、露光装置の限界解像
力以下の大きさのドット状の微小遮光部を所定の密度分
布にしたがって形成することによって減光領域を形成し
ている。すなわち、減光領域における微小遮光部の密度
分布は、透光領域側から遮光領域側へ向かって線形的に
増大するように設定されている。Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 6-244077 and Hei 7-235466 disclose an exposure apparatus which solves the above-described inconvenience in screen composition. In the exposure apparatuses described in these publications, a masking blind which is arranged at a position substantially conjugate with the mask and defines an illumination area of the mask has a light-shielding region in which the transmittance linearly changes from 100% to 0%. Is formed over a width of several mm. Then, by the effect of the light-reducing region, the exposure light amount is made substantially equal between the overlapping exposure region and the other exposure region. In particular, JP-A-7-235466 described above
In the exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-157, a dimming region is formed by forming a dot-shaped minute light-shielding portion having a size equal to or smaller than the limit resolution of the exposure device according to a predetermined density distribution. That is, the density distribution of the minute light-shielding portions in the darkening region is set to increase linearly from the light-transmitting region side to the light-shielding region side.
【0005】上述の2つの公報に記載された露光装置で
は、マスクブラインドをマスクと共役な位置またはその
近傍に配置する必要がある。このため、マスクブライン
ドに所定の大きさ以上の微小異物が付着すると、この微
小異物が感光性基板上に転写されて製造デバイスの欠陥
になるという恐れがある。そこで、特開平7−1351
66号公報では、マスクとほぼ共役な位置に配置された
マスクブラインドに対して光束を照射し、マスクブライ
ンドからの反射光束を検出する異物検査機構を付設した
露光装置を提案している。この露光装置では、簡単な構
成を有する異物検査機構により、マスクブラインドから
の光情報に基づいて異物の検査を定期的に行うことがで
きるので、感光性基板に対する異物の転写を未然に防止
することができる。In the exposure apparatuses described in the above two publications, it is necessary to dispose the mask blind at a position conjugate with the mask or in the vicinity thereof. For this reason, when a minute foreign matter having a predetermined size or more adheres to the mask blind, there is a possibility that the minute foreign matter is transferred onto the photosensitive substrate and causes a defect in a manufacturing device. Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent Publication No. 66 proposes an exposure apparatus provided with a foreign matter inspection mechanism for irradiating a light beam to a mask blind disposed at a position substantially conjugate with a mask and detecting a reflected light beam from the mask blind. In this exposure apparatus, a foreign substance inspection mechanism having a simple configuration can periodically inspect foreign substances based on optical information from a mask blind, so that the transfer of foreign substances to a photosensitive substrate can be prevented beforehand. Can be.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
7−235466号公報に開示されているように、マス
クブラインドに形成される減光領域の幅は数mmであ
り、この数mm幅の狭い領域において所定の密度分布に
したがってドット状の微小遮光部を形成することにより
透過率を0%から100%まで線形的に変化させること
は困難である。また、マスク(ひいては感光性基板)と
ほぼ共役に配置されたマスクブラインドを移動させるこ
となく露光を行うので、減光領域に形成されたドット状
の微小遮光部からなるパターン自体が感光性基板に写り
込んでしまう可能性がある。上述の公報では露光装置の
限界解像力以下の大きさのドット状の微小遮光部を所定
の密度分布にしたがって形成することが提案されている
が、密度の高い領域では互いに近接した微小遮光部から
なるパターン自体の写り込みが起こる可能性があり、ひ
いては照度ムラの原因になる可能性がある。すなわち、
マスクブラインドに形成されたドット状の微小遮光部か
らなるパターンの影響を受け、重複露光領域とそれ以外
の露光領域とで露光光量が実質的に異なってしまうだけ
でなく、部分的に露光光量ムラが起こる可能性がある。However, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235466, the width of the dimming region formed in the mask blind is several millimeters, and the width of this dimming region is as narrow as several millimeters. It is difficult to linearly change the transmittance from 0% to 100% by forming a dot-shaped minute light-shielding portion according to a predetermined density distribution. In addition, since the exposure is performed without moving the mask blind, which is disposed almost conjugate with the mask (and, consequently, the photosensitive substrate), the pattern itself consisting of the dot-shaped minute light-shielding portions formed in the dimming region is transferred to the photosensitive substrate. There is a possibility that it will be reflected. In the above-mentioned publication, it is proposed to form a dot-shaped minute light-shielding portion having a size equal to or smaller than the limit resolution of the exposure apparatus according to a predetermined density distribution. There is a possibility that the reflection of the pattern itself may occur, which may lead to uneven illuminance. That is,
Due to the effect of the pattern of minute light-shielding portions in the form of dots formed on the mask blind, not only does the exposure light amount differ substantially between the overlapping exposure area and the other exposure areas, but also the exposure light quantity unevenness partially Can happen.
【0007】さらに、露光装置の限界解像力以下の大き
さのドット状の微小遮光部を所定の密度分布にしたがっ
て形成したとしても、密度の高い領域と密度の低い領域
とでは微小遮光部のピッチの差が大きく、この微小遮光
部のピッチに依存して照明光学系にて取り込める回折光
と取り込めない回析光との差が生じる。その結果、透過
率が0%から100%まで線形的に変化するようにドッ
ト状の微小遮光部を所定の密度分布にしたがって形成し
た場合であっても、この減光領域を介してマスク(ひい
ては感光性基板)上に形成される照度分布は直線的な分
布から外れてしまう。つまり、露光装置の限界解像力以
下の大きさのドット状の微小遮光部を所定の密度分布に
したがって形成しても、マスクブラインドを移動させる
ことなく露光を行えば、感光性基板の露光領域において
局所的な露光光量ムラが発生することになる。Further, even if a dot-shaped minute light-shielding portion having a size equal to or less than the limit resolution of the exposure apparatus is formed in accordance with a predetermined density distribution, the pitch of the minute light-shielding portion is different between a high-density region and a low-density region. The difference is large, and the difference between the diffracted light that can be captured by the illumination optical system and the diffracted light that cannot be captured occurs depending on the pitch of the minute light shielding portion. As a result, even if the dot-shaped minute light-shielding portion is formed according to a predetermined density distribution so that the transmittance changes linearly from 0% to 100%, the mask (hence, the light-shielding portion) The illuminance distribution formed on the photosensitive substrate) deviates from a linear distribution. In other words, even if a dot-shaped minute light-shielding portion having a size equal to or less than the limit resolution of the exposure device is formed according to a predetermined density distribution, if exposure is performed without moving the mask blind, a local region is exposed in the exposure region of the photosensitive substrate. The exposure light quantity unevenness occurs.
【0008】また、特開平7−135166号公報に開
示されているように、簡単な構成を有する異物検査機構
によりマスクブラインドに付着した異物の検査を定期的
に行うとしても、マスクブラインドがマスクとほぼ共役
な位置に配置される以上、マスクブラインドに所定の大
きさ以上の微小異物が付着すると、この微小異物が感光
性基板上に転写されて製造デバイスの欠陥の原因になっ
てしまうということ自体に変わりは無い。発塵に対して
一般的な考慮をしても感光性基板上に転写され得るよう
な有害な大きさの異物が付着する可能性はある程度高
く、さらに気密性を高めるか吸引等の処置を施したとし
ても有害な大きさの異物の付着を回避することは不可能
である。したがって、上述の特開平7−135166号
公報に開示された露光装置では、定期的な異物検査にお
いて有害な大きさの異物がある程度頻繁に検出されるこ
とが考えられる。有害な大きさの異物が検出された場合
には、その都度マスクブラインドの清掃を行う必要があ
るため、露光装置の稼働率が低下してしまう。Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-135166, even if the foreign matter adhering to the mask blind is periodically inspected by a foreign matter inspection mechanism having a simple structure, the mask blind is not connected to the mask. If a minute foreign matter of a predetermined size or more adheres to the mask blind because it is located at a substantially conjugate position, the minute foreign matter is transferred onto the photosensitive substrate and causes a defect in a manufacturing device. Has not changed. Even if general consideration is given to dust generation, there is a high possibility that foreign substances of a harmful size that can be transferred onto the photosensitive substrate will adhere to some extent. Even so, it is impossible to avoid the attachment of foreign substances of harmful size. Therefore, in the exposure apparatus disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-135166, it is conceivable that a foreign substance having a harmful size is detected to some extent frequently in a periodic foreign substance inspection. When a foreign substance having a harmful size is detected, it is necessary to clean the mask blind each time, so that the operation rate of the exposure apparatus decreases.
【0009】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いように構成された露光装置および露光方
法を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-mentioned problem, in which a pattern formed of minute light-shielding portions formed in a dimming region of a mask blind and foreign matter adhering to the mask blind are transferred to a photosensitive substrate. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method configured so as not to cause exposure light amount unevenness.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1発明では、転写用のパターンが形成さ
れたマスクを所定の照明光で照明するための照明光学系
と、該照明光学系の光路中において前記マスクとほぼ共
役な位置に配置されて前記マスクの照明領域を規定する
ための照明領域規定手段とを備え、感光性基板上におい
て部分的に重なり合う複数の単位露光領域に前記マスク
のパターンの像を順次露光する露光装置において、前記
照明領域規定手段は、複数のブラインド部材と、前記複
数の単位露光領域の各々への露光に際して前記複数のブ
ラインド部材の各々を前記照明光学系の光軸を横切る所
定方向に沿って常に移動させるための駆動系とを有し、
各ブラインド部材は、前記照明光を透過させるための透
光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
前記透光領域と前記遮光領域との間に形成された減光領
域とを有し、前記複数の単位露光領域において部分的に
重なり合う重複露光領域と該重複露光領域以外の露光領
域とで露光光量をほぼ一致させるために、各ブラインド
部材の減光領域は前記照明光に対して所定の透過率分布
を有することを特徴とする露光装置を提供する。According to a first aspect of the present invention, there is provided an illumination optical system for illuminating a mask on which a pattern for transfer is formed with predetermined illumination light. Illumination area defining means for defining an illumination area of the mask disposed at a position substantially conjugate with the mask in the optical path of the illumination optical system, and a plurality of unit exposure areas partially overlapping on the photosensitive substrate. An exposure apparatus for sequentially exposing an image of the pattern of the mask, wherein the illumination area defining means illuminates each of the plurality of blind members with each of the plurality of blind members when exposing each of the plurality of unit exposure areas. A drive system for constantly moving along a predetermined direction across the optical axis of the optical system,
Each blind member, a light-transmitting region for transmitting the illumination light, a light-shielding region for blocking the transmission of the illumination light,
A light-reducing region formed between the light-transmitting region and the light-shielding region, and an exposure light amount between an overlapping exposure region partially overlapping the plurality of unit exposure regions and an exposure region other than the overlapping exposure region. Is provided so that the light-reducing area of each blind member has a predetermined transmittance distribution with respect to the illumination light.
【0011】第1発明の好ましい態様によれば、前記照
明領域規定手段は、前記マスクと共役な位置を挟むよう
に前記照明光学系の光軸に沿って所定の間隔を隔てて配
置された2つのブラインド部材を有し、前記駆動系は、
前記感光性基板上における前記重複露光領域の幅に対応
する所定距離だけ前記照明光学系の光軸と直交する第1
方向に沿って各ブラインド部材を駆動し、各ブラインド
部材において、前記減光領域は前記第1方向に沿って矩
形状に延び、前記透光領域と前記遮光領域との境界線は
前記照明光学系の光軸と直交する平面内において前記第
1方向と直交する第2方向に沿って延びている。According to a preferred aspect of the first invention, the illumination area defining means is arranged at a predetermined interval along an optical axis of the illumination optical system so as to sandwich a position conjugate with the mask. Having two blind members, wherein the driving system includes:
A first orthogonal to the optical axis of the illumination optical system by a predetermined distance corresponding to the width of the overlapping exposure area on the photosensitive substrate;
Each of the blind members is driven along a direction, in each of the blind members, the dimming region extends in a rectangular shape along the first direction, and a boundary between the light transmitting region and the light shielding region is formed by the illumination optical system. And extends along a second direction orthogonal to the first direction in a plane orthogonal to the optical axis of the first direction.
【0012】また、本発明の第2発明では、転写用のパ
ターンが形成されたマスクを所定の照明光で照明する際
に前記マスクとほぼ共役な位置に配置された複数のブラ
インド部材によって前記マスクの照明領域を規定し、前
記マスクの前記照明領域に形成されたパターンの像を感
光性基板上において部分的に重なり合う複数の単位露光
領域に順次露光する露光方法において、前記複数のブラ
インド部材の各々は、前記照明光を透過させるための透
光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
前記透光領域と前記遮光領域との間に形成されて前記照
明光に対して所定の透過率分布を有する減光領域とを有
し、前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合
う重複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露
光光量をほぼ一致させるために、前記複数のブラインド
部材の各々を基準光軸を横切る所定方向に沿って移動さ
せることを特徴とすることを露光方法を提供する。According to a second aspect of the present invention, when illuminating a mask on which a pattern for transfer is formed with predetermined illumination light, the mask is formed by a plurality of blind members arranged at positions substantially conjugate with the mask. An exposure method that defines an illumination area, and sequentially exposes an image of a pattern formed in the illumination area of the mask to a plurality of unit exposure areas that partially overlap on a photosensitive substrate, wherein each of the plurality of blind members is A light-transmitting region for transmitting the illumination light, and a light-blocking region for blocking the transmission of the illumination light,
An overlapping exposure area formed between the light-transmitting area and the light-shielding area, the light-irradiating area having a predetermined transmittance distribution with respect to the illumination light, and partially overlapping the plurality of unit exposure areas; And exposing each of the plurality of blind members along a predetermined direction crossing a reference optical axis so that the exposure light amounts substantially coincide with each other in an exposure region other than the overlapping exposure region. provide.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明では、マスクとほぼ共役な
位置に配置されてマスクの照明領域を規定するための照
明領域規定手段としてのマスクブラインドが、複数のブ
ラインド部材、たとえばマスクと共役な位置を挟むよう
に所定の間隔を隔てて配置された2つのブラインド部材
で構成されている。一対のブラインド部材の各々には、
露光光(照明光)を透過させるための透光領域と、露光
光の透過を遮るための遮光領域と、露光光に対して所定
の透過率分布を有する減光領域とが形成されている。そ
して、感光性基板上において部分的に重なり合う各単位
露光領域への露光に際して、各ブラインド部材を基準光
軸を横切る所定方向に沿って常に移動する。その結果、
感光性基板上の複数の単位露光領域において部分的に重
なり合う重複露光領域とそれ以外の露光領域とで露光光
量がほぼ一致した所望の露光光量分布を得ることができ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In the present invention, a mask blind as illumination area defining means for defining an illumination area of a mask, which is arranged at a position substantially conjugate with the mask, has a plurality of blind members, for example, conjugate with the mask. It is composed of two blind members arranged at a predetermined interval so as to sandwich the position. In each of the pair of blind members,
A light-transmitting region for transmitting the exposure light (illumination light), a light-blocking region for blocking the transmission of the exposure light, and a dimming region having a predetermined transmittance distribution for the exposure light are formed. Then, when exposing each unit exposure region that partially overlaps on the photosensitive substrate, each blind member is always moved along a predetermined direction crossing the reference optical axis. as a result,
In the plurality of unit exposure regions on the photosensitive substrate, a desired exposure light amount distribution can be obtained in which the exposure light amounts are substantially the same in the overlapping exposure region partially overlapping with the other exposure regions.
【0014】さらに具体的な形態によれば、減光領域は
各ブラインド部材の移動方向に沿って矩形状に延び、透
光領域と遮光領域との境界線からなるエッジパターンは
移動方向と直交する方向に沿って延びている。ここで、
各ブラインド部材の移動距離に対応する幅の任意の減光
領域において、移動方向に沿って積算された積算透過率
が移動方向と直交する方向に沿って透光領域側から遮光
領域側へほぼ線形的に減少している。各ブラインド部材
は、感光性基板上において重複露光領域の幅に対応する
所定距離だけ互いに異なる向きにほぼ一定の速度で移動
する。その結果、ブラインド部材の減光領域およびマス
クのパターン領域を通過した光により重複露光領域への
露光が行われ、この重複露光領域においてたとえば線形
的に変化する所望の露光光量分布が得られる。According to a more specific embodiment, the dimming region extends in a rectangular shape along the moving direction of each blind member, and an edge pattern formed by a boundary between the light transmitting region and the light shielding region is orthogonal to the moving direction. Extending along the direction. here,
In an arbitrary dimming region having a width corresponding to the moving distance of each blind member, the integrated transmittance integrated along the moving direction is substantially linear from the light transmitting region side to the light shielding region along a direction orthogonal to the moving direction. Is decreasing. Each of the blind members moves on the photosensitive substrate at a substantially constant speed in different directions from each other by a predetermined distance corresponding to the width of the overlapped exposure area. As a result, exposure to the overlapping exposure region is performed by light that has passed through the dimming region of the blind member and the pattern region of the mask, and a desired exposure light amount distribution that linearly changes, for example, is obtained in the overlapping exposure region.
【0015】ところで、従来技術では、マスクブライン
ドが露光中に移動しないため、減光領域に形成するドッ
ト状の微小遮光部が感光性基板上に転写されないよう
に、微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像力よりも
小さくする必要があった。これに対して、本発明では、
マスクブラインドが露光中に移動するので、減光領域に
おいて移動幅に対する積算透過率が所定の分布を示して
いれば良く、減光領域に形成すべきドット状の微小遮光
部の大きさを露光装置の限界解像力よりも小さくする必
要はない。換言すると、露光装置の諸条件に依存するこ
となく、描画し易い大きさで且つ各ブラインド部材の移
動幅に対して十分小さいサイズを有する微小遮光部を所
定の密度分布に沿って多数形成することによって、感光
性基板上に転写されることのないパターンを減光領域に
容易に形成することができる。By the way, in the prior art, since the mask blind does not move during the exposure, the size of the minute light-shielding portion is adjusted so that the dot-like minute light-shielding portion formed in the dimming area is not transferred onto the photosensitive substrate. It was necessary to make it smaller than the limit resolution of the device. In contrast, in the present invention,
Since the mask blind moves during the exposure, it is only necessary that the integrated transmittance with respect to the movement width in the dimming region shows a predetermined distribution, and the size of the dot-shaped minute light shielding portion to be formed in the dimming region is determined by the exposure device. It is not necessary to make the resolution smaller than. In other words, a large number of minute light-shielding portions having a size easy to draw and having a size sufficiently small with respect to the moving width of each blind member are formed along a predetermined density distribution without depending on various conditions of the exposure apparatus. Thereby, a pattern that is not transferred onto the photosensitive substrate can be easily formed in the darkened area.
【0016】また、従来技術では、マスクブラインドが
露光中に移動しないため、かなり小さな異物がブライン
ド部材に付着しても、感光性基板上での露光光量ムラが
大きく発生してしまう。これに対して、本発明では、マ
スクブラインドが露光中に移動するので、後述の実施例
において具体的に検証しているように、かなり大きな異
物がブラインド部材に付着しても、感光性基板上での露
光光量ムラを小さく抑えることができる。換言すると、
本発明の露光装置では、発塵に対する通常の配慮をすれ
ば、有害なサイズを有する異物のブラインド部材への付
着を十分回避することができ、その結果異物の影響によ
る感光性基板上での露光光量ムラを十分小さく抑えるこ
とができる。Further, in the prior art, since the mask blind does not move during the exposure, even if a considerably small foreign substance adheres to the blind member, a large amount of exposure light unevenness occurs on the photosensitive substrate. On the other hand, in the present invention, since the mask blind moves during the exposure, even if a considerably large foreign substance adheres to the blind member, as will be specifically verified in the examples described later, the photosensitive substrate is exposed on the photosensitive substrate. In this case, unevenness in the exposure light amount can be suppressed. In other words,
In the exposure apparatus of the present invention, if ordinary consideration is given to dust generation, it is possible to sufficiently prevent foreign substances having a harmful size from adhering to the blind member, and as a result, exposure on the photosensitive substrate due to the influence of the foreign substances is possible. Irregularity of light quantity can be suppressed sufficiently small.
【0017】以上のように、本発明の露光装置では、マ
スクブラインドの減光領域に形成された微小遮光部から
なるパターンおよびマスクブラインドに付着した異物が
感光性基板への転写および露光光量ムラの原因となり難
いような構成を実現することができる。その結果、本発
明では、感光性基板上で画面合成により形成された大面
積のパターンにおいてパターン継ぎ目に欠陥のない良好
なデバイスを製造することができる。As described above, in the exposure apparatus according to the present invention, the pattern formed by the minute light-shielding portion formed in the dark area of the mask blind and the foreign matter adhering to the mask blind are transferred to the photosensitive substrate and the unevenness of the exposure light amount is reduced. A configuration that is unlikely to cause a problem can be realized. As a result, according to the present invention, it is possible to manufacture a good device having no defect at a pattern seam in a large-area pattern formed by screen synthesis on a photosensitive substrate.
【0018】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構
成を概略的に示す図である。本実施例では、液晶表示素
子の製造に用いられる投影露光装置に本発明を適用して
いる。図1では、投影光学系14の光軸AXに平行にZ
軸が、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に平行
にX軸が、光軸AXに垂直な面内において図1の紙面に
垂直にY軸がそれぞれ設定されている。An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In the present embodiment, the present invention is applied to a projection exposure apparatus used for manufacturing a liquid crystal display element. In FIG. 1, Z is parallel to the optical axis AX of the projection optical system 14.
An X-axis is set in a plane perpendicular to the optical axis AX, and an X-axis is set in a plane perpendicular to the optical axis AX, and a Y-axis is set in a plane perpendicular to the optical axis AX, perpendicular to the plane of FIG.
【0019】図1に示す投影露光装置は、たとえば超高
圧水銀ランプからなる光源1を備えている。光源1は、
回転楕円面からなる反射面を有する楕円鏡2の第1焦点
位置に位置決めされている。したがって、光源1から射
出された照明光束は、ミラー3を介して、楕円鏡2の第
2焦点位置P1に光源像を形成する。楕円鏡2の第2焦
点位置P1に形成された光源像からの光束は、コレクタ
ーレンズ4によりほぼ平行な光束に変換された後、所望
の波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルター5
に入射する。波長選択フィルター5を介して選択された
露光波長の光(たとえばg線(436nm)またはi線
(365nm)など)は、フライアイインテグレーター
6に入射する。The projection exposure apparatus shown in FIG. 1 includes a light source 1 composed of, for example, an ultra-high pressure mercury lamp. Light source 1
It is positioned at the first focal position of the elliptical mirror 2 having a reflection surface composed of a spheroid. Therefore, the illumination light flux emitted from the light source 1 forms a light source image at the second focal position P1 of the elliptical mirror 2 via the mirror 3. A light beam from the light source image formed at the second focal position P1 of the elliptical mirror 2 is converted into a substantially parallel light beam by the collector lens 4, and then a wavelength selection filter 5 that transmits only a light beam in a desired wavelength range.
Incident on. Light (for example, g-line (436 nm) or i-line (365 nm)) having the exposure wavelength selected through the wavelength selection filter 5 enters the fly-eye integrator 6.
【0020】フライアイインテグレーター6は、多数の
正レンズエレメントをその中心軸線が光軸AXに沿って
延びるように縦横に配列することによって構成されてい
る。したがって、フライアイインテグレーター6に入射
した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割さ
れ、フライアイインテグレーター6の後側焦点面(すな
わち射出面の近傍)にレンズエレメントの数と同数の光
源像からなる二次光源を形成する。すなわち、フライア
イインテグレーター6の後側焦点面には、実質的な面光
源が形成される。The fly-eye integrator 6 is constituted by arranging a large number of positive lens elements vertically and horizontally such that the central axis thereof extends along the optical axis AX. Therefore, the luminous flux incident on the fly-eye integrator 6 is split into wavefronts by a large number of lens elements, and the rear focal plane of the fly-eye integrator 6 (that is, in the vicinity of the exit surface) is composed of the same number of light source images as the number of lens elements. The next light source is formed. That is, a substantial surface light source is formed on the rear focal plane of the fly-eye integrator 6.
【0021】二次光源からの光束は、フライアイインテ
グレーター6の後側焦点面の近傍に配置された開口絞り
7により制限された後、第1リレーレンズ8に入射す
る。なお、開口絞り7は、後述する投影光学系14の入
射瞳面と光学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄
与する二次光源の範囲を規定するための可変開口部を有
する。開口絞り7は、この可変開口部の開口径を変化さ
せることにより、照明条件を決定するσ値(投影光学系
の瞳面の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径の
比)を所望の値に設定する。A light beam from the secondary light source is restricted by an aperture stop 7 arranged near the rear focal plane of the fly-eye integrator 6 and then enters the first relay lens 8. The aperture stop 7 is disposed at a position optically substantially conjugate with an entrance pupil plane of the projection optical system 14 described later, and has a variable aperture for defining a range of a secondary light source contributing to illumination. The aperture stop 7 changes the aperture diameter of the variable aperture to change the σ value (the ratio of the aperture of the light source image on the pupil plane to the aperture diameter of the pupil plane of the projection optical system) that determines the illumination condition. Set to the desired value.
【0022】第1リレーレンズ8を介して集光された光
束は、後述するマスク13の照明領域を規定するために
マスク13と光学的にほぼ共役な位置に配置されたマス
クブラインド9に入射する。なお、照明領域規定手段と
してのマスクブラインド9の構成および作用については
後述する。マスクブラインド9を介した光束は、ブライ
ンドリレー系(10、11)およびブラインドリレー系
の光路中に配置された折り曲げミラー12を介して、所
定の転写パターンが形成されたマスク13を重畳的に照
明する。The light beam condensed via the first relay lens 8 is incident on a mask blind 9 disposed at a position optically substantially conjugate with the mask 13 in order to define an illumination area of the mask 13 described later. . The configuration and operation of the mask blind 9 as the illumination area defining means will be described later. The light beam passing through the mask blind 9 is superimposedly illuminating a mask 13 on which a predetermined transfer pattern is formed, via a blind relay system (10, 11) and a bending mirror 12 arranged in the optical path of the blind relay system. I do.
【0023】マスク13を透過した光束は、投影光学系
14を介して、感光性基板であるプレート15に達す
る。こうして、プレート15上の単位露光領域には、マ
スク13のパターン像が形成される。ここで、上述した
ように開口絞り7と投影光学系14の入射瞳面とがほぼ
共役に配置されているので、投影光学系14の入射瞳面
上に二次光源の像が形成され、マスク13およびプレー
ト15がいわゆるケーラー照明される。The light beam transmitted through the mask 13 reaches a plate 15 as a photosensitive substrate via a projection optical system 14. Thus, a pattern image of the mask 13 is formed in the unit exposure area on the plate 15. Here, since the aperture stop 7 and the entrance pupil plane of the projection optical system 14 are arranged almost conjugate as described above, an image of the secondary light source is formed on the entrance pupil plane of the projection optical system 14 and the mask 13 and the plate 15 are so-called Koehler-illuminated.
【0024】なお、プレート15は、投影光学系14の
光軸AXに対して垂直な平面(XY平面)内において二
次元的に移動可能なプレートステージ16上に支持され
ている。したがって、プレートステージ16をひいては
プレート15を二次元的に移動させながら順次露光を行
うことにより、プレート15の各単位露光領域にマスク
13のパターンを逐次転写することができる。The plate 15 is supported on a plate stage 16 which can move two-dimensionally in a plane (XY plane) perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system 14. Therefore, by sequentially performing exposure while moving the plate stage 16 and thus the plate 15 two-dimensionally, the pattern of the mask 13 can be sequentially transferred to each unit exposure area of the plate 15.
【0025】図2は、図1のマスクブラインド9の要部
構成を示す拡大斜視図であって、光軸AXに沿って光源
側からマスクブラインド9を構成する一対のブラインド
部材を見た図である。図2に示すように、マスクブライ
ンド9は、YZ平面に平行なプレート状に形成された透
明なガラス基板からなるブラインド部材21および22
を備えている。一対のブラインド部材21および22
は、マスク13のパターン面と共役な面と光軸AXとの
交点P2を中心として光軸AXに沿って等しい間隔を隔
てて配置されている。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a main part of the mask blind 9 shown in FIG. 1 and shows a pair of blind members constituting the mask blind 9 from the light source side along the optical axis AX. is there. As shown in FIG. 2, the mask blind 9 includes blind members 21 and 22 formed of a transparent glass substrate formed in a plate shape parallel to the YZ plane.
It has. A pair of blind members 21 and 22
Are arranged at equal intervals along the optical axis AX about the intersection P2 between the optical axis AX and a plane conjugate to the pattern surface of the mask 13.
【0026】また、ブラインド部材21および22の対
向する面には、遮光領域21aおよび22aと、減光領
域21bおよび22bとが形成されている。ここで、遮
光領域21aおよび22aは露光光の透過をほぼ100
%遮る領域であり、減光領域21bおよび22bは露光
光に対して後述するように所定の透過率分布を有する領
域である。したがって、ブラインド部材21および22
の対向する面において遮光領域も減光領域も形成されて
いない領域(図2中白抜きの部分)は、露光光をほぼ1
00%透過させる透光領域21cおよび22cを構成し
ている。Light blocking areas 21a and 22a and dimming areas 21b and 22b are formed on opposing surfaces of the blind members 21 and 22, respectively. Here, the light-shielding regions 21a and 22a allow the transmission of the exposure light to be almost 100%.
%, And the dimming regions 21b and 22b are regions having a predetermined transmittance distribution for the exposure light as described later. Therefore, the blind members 21 and 22
In the area where neither the light-shielding area nor the dimming area is formed (the white area in FIG. 2), the exposure light is almost 1%.
Light-transmitting regions 21c and 22c that transmit 00% of light are formed.
【0027】ブラインド部材21では、透光領域21c
がY方向およびZ方向に沿った矩形状に形成され、遮光
領域21aがZ方向に沿って延びた矩形状部分とY方向
に沿って延びた矩形状部分とからなり全体的にL字型に
形成されている。なお、遮光領域21aは、透光領域2
1cの−Z方向側および−Y方向側に形成されている。
そして、透光領域21cと遮光領域21aのY方向に沿
った矩形状部分との間には、Y方向に沿って延びた矩形
状の減光領域21bが形成されている。また、透光領域
21cと遮光領域21aのZ方向に沿った矩形状部分と
の境界線は、Z方向に沿ったエッジパターン21dを構
成している。一方、ブラインド部材22は、ブラインド
部材21と基本的に同じ構成を有するが、遮光領域22
aが透光領域22cの+Z方向側および+Y方向側に形
成されている点が相違している。In the blind member 21, the light transmitting area 21c
Are formed in a rectangular shape along the Y direction and the Z direction, and the light-shielding region 21a is composed of a rectangular portion extending along the Z direction and a rectangular portion extending along the Y direction, and has an overall L-shape. Is formed. Note that the light-shielding region 21a is
1c is formed on the −Z direction side and the −Y direction side.
A rectangular dimming region 21b extending along the Y direction is formed between the light transmitting region 21c and the rectangular portion of the light shielding region 21a along the Y direction. The boundary between the light-transmitting region 21c and the rectangular portion of the light-shielding region 21a along the Z direction forms an edge pattern 21d along the Z direction. On the other hand, the blind member 22 has basically the same configuration as the blind member 21,
a is formed on the + Z direction side and the + Y direction side of the light transmitting region 22c.
【0028】図3は、ブラインド部材の減光領域の構成
を示す図であって、光源側のブラインド部材21の減光
領域21bを光軸AXに沿ってマスク側から見た拡大図
である。図3に示すように、ブラインド部材21の減光
領域21bには、ドット状の微小遮光部が所定の密度分
布にしたがって形成されている。さらに詳細には、図3
において矩形状の範囲31で示す領域が1つの単位減光
領域を形成し、この単位減光領域31のパターンがY方
向に沿って同じピッチ(単位減光領域31の幅)で繰り
返されている。FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the light-reducing region of the blind member, and is an enlarged view of the light-reducing region 21b of the blind member 21 on the light source side as viewed from the mask side along the optical axis AX. As shown in FIG. 3, in the dimming area 21 b of the blind member 21, dot-shaped minute light-shielding portions are formed according to a predetermined density distribution. More specifically, FIG.
, A region indicated by a rectangular range 31 forms one unit dimming region, and the pattern of the unit dimming region 31 is repeated at the same pitch (width of the unit dimming region 31) along the Y direction. .
【0029】単位減光領域31では、透光領域21cか
ら遮光領域21aへ向かってすなわち−Z方向に沿って
ドット状の微小遮光部の形成密度が増大している。換言
すると、単位減光領域31において、露光光に対する透
過率は−Z方向に沿って減少している。さらに詳細に
は、単位減光領域31においてY方向に積算した積算透
過率が透光領域21cから遮光領域21aへ−Z方向に
沿って100%から0%まで線形的に減少している。こ
こで、各微小遮光部はたとえばクロムのような遮光性の
薄膜から構成され、その形状は矩形状(正方形状または
長方形状)であっても円形であってもよい。他方のブラ
インド部材22の減光領域22bも、ブラインド部材2
1の減光領域21bと同様に形成されている。In the unit dimming region 31, the formation density of the dot-shaped minute light shielding portions increases from the light transmitting region 21c toward the light shielding region 21a, that is, along the -Z direction. In other words, in the unit dimming region 31, the transmittance for the exposure light decreases along the -Z direction. More specifically, the integrated transmittance integrated in the Y direction in the unit dimming region 31 linearly decreases from 100% to 0% along the -Z direction from the light transmitting region 21c to the light shielding region 21a. Here, each minute light-shielding portion is formed of a light-shielding thin film such as chromium, and may be rectangular (square or rectangular) or circular. The dimming region 22b of the other blind member 22 is also the blind member 2
It is formed in the same manner as the first dimming region 21b.
【0030】ここで、図1を再び参照すると、マスクブ
ラインド9は、光源側のブラインド部材21をY方向に
沿って移動させるための駆動系23と、マスク側のブラ
インド部材22をY方向に沿って移動させるための駆動
系24とを備えている。このように、一対のブラインド
部材21および22をそれぞれ機械的に駆動するため
に、一対のブラインド部材21と22との間には数百μ
mの間隔が確保されている。Here, referring again to FIG. 1, the mask blind 9 includes a drive system 23 for moving the light source side blind member 21 in the Y direction, and a mask side blind member 22 in the Y direction. And a drive system 24 for moving it. As described above, in order to mechanically drive the pair of blind members 21 and 22, respectively, the distance between the pair of blind members 21 and 22 is several hundred μm.
m intervals are ensured.
【0031】図4は、4つのパターンを画面合成する場
合におけるプレート15上の4つの単位露光領域EA1
〜EA4の配置およびその重なり合わせを示す図であ
る。また、図5は、プレート15上の第1単位露光領域
EA1に露光する際のマスクブラインド9の動作を説明
する図であって、光軸AXに沿って光源側からマスクブ
ラインド9を見た図である。さらに、図6は、マスク1
3のパターン面の構成を示す平面図である。FIG. 4 shows four unit exposure areas EA1 on the plate 15 when four patterns are synthesized on a screen.
It is a figure which shows arrangement | positioning of -EA4, and the overlap. FIG. 5 is a view for explaining the operation of the mask blind 9 when exposing the first unit exposure area EA1 on the plate 15 and shows the mask blind 9 from the light source side along the optical axis AX. It is. Further, FIG.
It is a top view which shows the structure of 3 pattern surfaces.
【0032】図6に示すように、マスク13のパターン
面には、転写用のパターンが描かれた矩形状のパターン
領域61と、この矩形状のパターン領域61を包囲する
遮光帯62とが形成されている。遮光帯62には、露光
光の透過をほぼ100%遮るように、たとえばクロム膜
が蒸着されている。こうして、パターン領域61と遮光
帯62との間には、矩形状の遮光帯エッジ63が形成さ
れている。以下、図4〜図6を参照して、第1単位露光
領域EA1、第2単位露光領域EA2、第3単位露光領
域EA3、および第4単位露光領域EA4の順に行う各
露光動作について説明する。As shown in FIG. 6, on the pattern surface of the mask 13, a rectangular pattern area 61 on which a transfer pattern is drawn and a light-shielding band 62 surrounding the rectangular pattern area 61 are formed. Have been. For example, a chromium film is vapor-deposited on the light-shielding band 62 so as to block almost 100% of transmission of exposure light. Thus, a rectangular light-shielding band edge 63 is formed between the pattern region 61 and the light-shielding band 62. Hereinafter, each exposure operation performed in the order of the first unit exposure area EA1, the second unit exposure area EA2, the third unit exposure area EA3, and the fourth unit exposure area EA4 will be described with reference to FIGS.
【0033】まず、第1単位露光領域EA1への露光で
は、マスク13に対して一対のブラインド部材21およ
び22を図5に示すような位置関係にしたがって初期的
に位置決めする。すなわち、初期状態では、ブラインド
部材21の減光領域21bおよびエッジパターン21d
がマスク13のパターン領域61(図5では不図示)と
重なり、ブラインド部材22の減光領域22bおよびエ
ッジパターン22dがマスク13の遮光帯62(図5で
は不図示)と重なっている。第1単位露光領域EA1へ
の露光では、図5において実線で示す初期状態から、駆
動系23によりブラインド部材21を−Y方向に、駆動
系24によりブラインド部材22を+Y方向に一定の速
度で移動させる。なお、露光に伴うブラインド部材21
および22の移動距離は、ブラインド部材21(22)
の減光領域21b(21b)の単位減光領域31の幅
(Y方向の長さ)のN倍(Nは正の整数:図3ではN=
2と仮定している)となっている。こうして、感光性基
板であるプレート15上の第1単位露光領域EA1への
露光が行われる。First, in the exposure of the first unit exposure area EA1, the pair of blind members 21 and 22 are initially positioned with respect to the mask 13 according to the positional relationship shown in FIG. That is, in the initial state, the dimming area 21b and the edge pattern 21d of the blind member 21 are set.
Overlaps with the pattern region 61 (not shown in FIG. 5) of the mask 13, and the dimming region 22 b and the edge pattern 22 d of the blind member 22 overlap with the light-shielding band 62 (not shown in FIG. 5) of the mask 13. In the exposure to the first unit exposure area EA1, the blind member 21 is moved by the drive system 23 in the -Y direction and the blind member 22 is moved by the drive system 24 in the + Y direction at a constant speed from the initial state shown by the solid line in FIG. Let it. The blind member 21 associated with the exposure
And the moving distance of the blind member 21 (22)
N times the width (length in the Y direction) of the unit dimming region 31 of the dimming region 21b (21b) (where N is a positive integer: N = N in FIG. 3)
2). Thus, the first unit exposure area EA1 on the plate 15 which is a photosensitive substrate is exposed.
【0034】図7は、プレート15上の第1単位露光領
域EA1への露光状態を示す図である。図7に示す第1
単位露光領域EA1のうち、領域71はブラインド部材
21の減光領域21bを通過した光によって露光された
領域であり、領域72はブラインド部材21のエッジパ
ターン21dの露光中の通過領域によって規定される露
光領域であり、領域71および領域72以外の領域73
はブラインド部材21の透光領域21cを通過した光に
よって露光された領域である。ここで、領域73を画成
する4つの境界線のうち領域71および領域72に接し
ない境界線73aおよび73bは、マスク13の遮光帯
エッジ63によって規定されることはいうまでもない。FIG. 7 is a diagram showing an exposure state of the first unit exposure area EA1 on the plate 15. The first shown in FIG.
In the unit exposure area EA1, an area 71 is an area exposed by light having passed through the dimming area 21b of the blind member 21, and an area 72 is defined by a passing area of the edge pattern 21d of the blind member 21 during exposure. An exposure area, and an area 73 other than the area 71 and the area 72
Is an area exposed by light passing through the translucent area 21c of the blind member 21. Here, it goes without saying that, out of the four boundary lines defining the region 73, the boundary lines 73 a and 73 b not in contact with the region 71 and the region 72 are defined by the light-shielding band edge 63 of the mask 13.
【0035】したがって、図7において線74および7
5で示すように、露光領域73における露光光量は一定
である。また、露光領域72における露光光量は、エッ
ジパターン21dが一定の速度で移動するため、露光領
域73との境界から外縁に向かって線形的に減少する。
さらに、露光領域71における露光光量も、減光領域2
1bが単位減光領域31の幅の整数倍(この場合は2
倍)だけ移動するため、露光領域73との境界から外縁
に向かって線形的に減少する。これは、単位減光領域3
1における積算透過率が線形的に変化しているため、単
位減光領域31の幅の整数倍の移動中における露光領域
71の積算露光光量も線形的に変化するからである。Accordingly, lines 74 and 7 in FIG.
As shown by 5, the exposure light amount in the exposure area 73 is constant. Further, the amount of exposure light in the exposure region 72 linearly decreases from the boundary with the exposure region 73 toward the outer edge because the edge pattern 21d moves at a constant speed.
Further, the amount of exposure light in the exposure region 71 is also reduced.
1b is an integral multiple of the width of the unit dimming area 31 (in this case, 2
), And linearly decreases from the boundary with the exposure area 73 toward the outer edge. This is the unit dimming area 3
This is because since the integrated transmittance at 1 changes linearly, the integrated exposure light amount of the exposure area 71 during the movement of an integral multiple of the width of the unit dimming area 31 also changes linearly.
【0036】次いで、プレートステージ16を、ひいて
はプレート15を移動させた後、第2単位露光領域EA
2への露光を行う。第2単位露光領域EA2への露光の
初期状態では、ブラインド部材21の減光領域21bお
よびブラインド部材22のエッジパターン22dがマス
ク13のパターン領域61と重なり、ブラインド部材2
2の減光領域22bおよびブラインド部材21のエッジ
パターン21dがマスク13の遮光帯62と重なってい
る。そして、駆動系23によりブラインド部材21を−
Y方向に、駆動系24によりブラインド部材22を+Y
方向に一定の速度で移動させる。なお、露光に伴うブラ
インド部材21および22の移動距離は、第1単位露光
領域EA1への露光と同様である。Next, after moving the plate stage 16 and thus the plate 15, the second unit exposure area EA
Exposure to 2 is performed. In the initial state of the exposure to the second unit exposure area EA2, the dimming area 21b of the blind member 21 and the edge pattern 22d of the blind member 22 overlap the pattern area 61 of the mask 13, and the blind member 2
The second darkening region 22 b and the edge pattern 21 d of the blind member 21 overlap the light-shielding band 62 of the mask 13. Then, the blind member 21 is driven by the drive system 23 to −
In the Y direction, the blind member 22 is moved + Y by the drive system 24.
Move at a constant speed in the direction. The moving distance of the blind members 21 and 22 during the exposure is the same as the exposure of the first unit exposure area EA1.
【0037】さらに、プレート15を移動させた後、第
3単位露光領域EA3への露光を行う。第3単位露光領
域EA3への露光の初期状態では、ブラインド部材22
の減光領域22bおよびエッジパターン22dがマスク
13のパターン領域61と重なり、ブラインド部材21
の減光領域21bおよびエッジパターン21dがマスク
13の遮光帯62と重なっている。そして、駆動系23
によりブラインド部材21を−Y方向に、駆動系24に
よりブラインド部材22を+Y方向に一定の速度で移動
させる。なお、露光に伴うブラインド部材21および2
2の移動距離は、第1単位露光領域EA1および第2単
位露光領域EA2への露光と同様である。Further, after moving the plate 15, the third unit exposure area EA3 is exposed. In the initial state of exposure to the third unit exposure area EA3, the blind member 22
The darkening region 22b and the edge pattern 22d overlap with the pattern region 61 of the mask 13, and the blind member 21
The light-reducing region 21b and the edge pattern 21d overlap the light-shielding band 62 of the mask 13. And the drive system 23
To move the blind member 21 in the -Y direction and the drive system 24 to move the blind member 22 in the + Y direction at a constant speed. The blind members 21 and 2 associated with the exposure
The movement distance of No. 2 is the same as the exposure of the first unit exposure area EA1 and the second unit exposure area EA2.
【0038】最後に、プレート15をさらに移動させた
後、第4単位露光領域EA4への露光を行う。第4単位
露光領域EA4への露光の初期状態では、ブラインド部
材22の減光領域22bおよびブラインド部材21のエ
ッジパターン21dがマスク13のパターン領域61と
重なり、ブラインド部材21の減光領域21bおよびブ
ラインド部材22のエッジパターン22dがマスク13
の遮光帯62と重なっている。そして、駆動系23によ
りブラインド部材21を−Y方向に、駆動系24により
ブラインド部材22を+Y方向に一定の速度で移動させ
る。なお、露光に伴うブラインド部材21および22の
移動距離は、第1単位露光領域EA1〜第3単位露光領
域EA3への露光と同様である。Finally, after the plate 15 is further moved, the fourth unit exposure area EA4 is exposed. In the initial state of the exposure to the fourth unit exposure area EA4, the dimming area 22b of the blind member 22 and the edge pattern 21d of the blind member 21 overlap the pattern area 61 of the mask 13, and the dimming area 21b of the blind member 21 and the blind. The edge pattern 22d of the member 22 is
Overlap with the light-shielding band 62 of FIG. Then, the blind member 21 is moved at a constant speed in the −Y direction by the drive system 23 and the blind member 22 is moved in the + Y direction by the drive system 24. The moving distance of the blind members 21 and 22 during the exposure is the same as the exposure of the first unit exposure area EA1 to the third unit exposure area EA3.
【0039】こうして、プレート15を二次元的に移動
させながら順次露光を行うことにより、プレート15上
の4つの単位露光領域EA1〜EA4において、ほぼ一
定の露光光量を得ることができる。すなわち、重複露光
領域(図4中斜線で示す領域)41〜44とそれ以外の
露光領域(図4中白抜きで示す領域)とでほぼ一致した
露光光量を得ることができる。In this manner, by sequentially performing exposure while moving the plate 15 two-dimensionally, a substantially constant exposure light amount can be obtained in the four unit exposure areas EA1 to EA4 on the plate 15. That is, it is possible to obtain an exposure light amount that is substantially the same in the overlapping exposure regions (regions indicated by oblique lines in FIG. 4) 41 to 44 and the other exposure regions (regions indicated by white in FIG. 4).
【0040】上述の実施例では、図4の4つの重複露光
領域41〜44が重なり合う領域45において4回の露
光が行われる。以下、この4重複露光領域45の露光光
量分布について検討する。各ブラインド部材の減光領域
の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量の
1/2に設定している場合、第1回目の露光(すなわち
第1単位露光領域EA1への露光)により、4重複露光
領域45の図中右半分の領域では所望の露光光量分布を
得ることができるが、4重複露光領域45の図中左半分
の領域では露光光量分布に誤差が発生してしまう。In the above embodiment, four exposures are performed in the area 45 where the four overlapping exposure areas 41 to 44 in FIG. 4 overlap. Hereinafter, the exposure light amount distribution of the four overlapping exposure regions 45 will be discussed. When the width of the unit dimming area of the dimming area of each blind member is set to の of the exposure movement amount of each blind member, the first exposure (that is, exposure to the first unit exposure area EA1) Accordingly, a desired exposure light quantity distribution can be obtained in the right half area of the four overlapping exposure areas 45 in the figure, but an error occurs in the exposure light quantity distribution in the left half area of the four overlapping exposure areas 45 in the figure. .
【0041】同様に、第2回目の露光(すなわち第2単
位露光領域EA2への露光)では、4重複露光領域45
の図中左半分の領域では所望の露光光量分布を得ること
ができるが、4重複露光領域45の図中右半分の領域で
は露光光量分布に誤差が発生してしまう。また、第3回
目の露光(すなわち第3単位露光領域EA3への露光)
では、4重複露光領域45の図中左半分の領域では所望
の露光光量分布を得ることができるが、4重複露光領域
45の図中右半分の領域では露光光量分布に誤差が発生
してしまう。さらに、第4回目の露光(すなわち第4単
位露光領域EA4への露光)では、4重複露光領域45
の図中右半分の領域では所望の露光光量分布を得ること
ができるが、4重複露光領域45の図中左半分の領域で
は露光光量分布に誤差が発生してしまう。こうして、4
回に亘って露光を繰り返した結果、4重複露光領域45
では露光光量分布にある程度の誤差が発生する。Similarly, in the second exposure (ie, exposure to the second unit exposure area EA2), the four overlapping exposure areas 45
A desired exposure light amount distribution can be obtained in the left half region in the drawing, but an error occurs in the exposure light distribution in the right half region in the four overlapping exposure region 45 in the drawing. Also, the third exposure (that is, exposure to the third unit exposure area EA3)
Thus, a desired exposure light amount distribution can be obtained in the left half area of the four overlapping exposure area 45 in the figure, but an error occurs in the exposure light distribution in the right half area of the four overlapping exposure area 45 in the figure. . Further, in the fourth exposure (that is, exposure to the fourth unit exposure area EA4), the four overlapping exposure areas 45
A desired exposure light amount distribution can be obtained in the right half area in the drawing, but an error occurs in the exposure light distribution in the left half area in the four overlapping exposure area 45 in the drawing. Thus, 4
As a result of repeating the exposure over four times, four overlapping exposure areas 45
In this case, a certain error occurs in the exposure light amount distribution.
【0042】4重複露光領域45における露光光量分布
の誤差を小さくするには、各ブラインド部材の減光領域
の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量の
1/Nに設定するときの正の整数Nをできるだけ大きく
設定すればよい。たとえば、各ブラインド部材の減光領
域の単位減光領域の幅を各ブラインド部材の露光移動量
の1/10(N=10)に設定すれば、各露光により4
重複露光領域45の90%の領域において所望の露光光
量分布を得ることができ、誤差が発生する領域は4重複
露光領域45の10%となる。この10%の誤差領域に
おいて仮に10%程度の誤差が発生したとしても、全体
の4重複露光領域45の全体露光光量に対しては1%程
度の誤差にしかならず十分良好な露光光量分布を得るこ
とができる。In order to reduce the error of the exposure light quantity distribution in the four overlapping exposure areas 45, the width of the unit dimming area of the dimming area of each blind member is set to 1 / N of the exposure moving distance of each blind member. May be set as large as possible. For example, if the width of the unit dimming area of the dimming area of each blind member is set to 1/10 (N = 10) of the exposure movement amount of each blind member, 4 ×
A desired exposure light amount distribution can be obtained in an area of 90% of the overlapping exposure area 45, and an area where an error occurs is 10% of the four overlapping exposure area 45. Even if an error of about 10% occurs in the error area of 10%, an error of about 1% is obtained for the entire exposure light quantity of the entire 4-overlap exposure area 45, and a sufficiently good exposure light quantity distribution is obtained. Can be.
【0043】ところで、従来の技術では、マスクブライ
ンドが露光中に移動しないため、減光領域に形成するド
ット状の微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像力よ
りも小さくする必要があった。具体的には、投影光学系
の倍率を等倍とし、投影光学系のNAを0.1とし、ブ
ラインドリレー系の倍率を4倍とし、マスクを照明する
照明光学系のNAを0.05と設定すれば、マスクブラ
インド上における照明NAは0.2となる。つまり、露
光波長をg線(波長λ=436nm)とすれば、マスク
ブラインドの各ブラインド部材の減光領域上の微小遮光
部のプレート上に転写され得る臨界的な大きさRは、以
下の式(1)で表される。 R=λ/2NA=436×10-3/(2×0.2)≒1μm (1)In the prior art, since the mask blind does not move during the exposure, it is necessary to make the size of the dot-shaped minute light-shielding portion formed in the dimming area smaller than the limit resolution of the exposure apparatus. Specifically, the magnification of the projection optical system is set to 1: 1, the NA of the projection optical system is set to 0.1, the magnification of the blind relay system is set to 4 times, and the NA of the illumination optical system for illuminating the mask is set to 0.05. If set, the illumination NA on the mask blind is 0.2. That is, assuming that the exposure wavelength is g-line (wavelength λ = 436 nm), the critical size R that can be transferred onto the plate of the minute light-shielding portion on the dimming region of each blind member of the mask blind is expressed by the following equation. It is represented by (1). R = λ / 2NA = 436 × 10 −3 /(2×0.2)≒1 μm (1)
【0044】すなわち、各ブラインド部材の減光領域上
の微小遮光部がプレート上に転写されないように構成す
るには、1μmよりも小さいドット状の微小遮光部を所
定の密度分布に沿って多数形成する必要がある。換言す
ると、電子ビーム描画機のような特殊な装置を使用しな
ければ、このように小さいドット状の微小遮光部からな
る特殊な微細パターンを形成することはできなくなって
しまう。さらに、投影光学系が拡大光学系(倍率が1よ
りも大きい)であったり、露光波長がg線よりも短波長
のi線(365nm)であるような場合には、1μmよ
りもさらに小さいドット状の微小遮光部を所定の密度分
布に沿って多数形成しなければならなくなる。その結
果、描画精度が厳しくなり過ぎて、ドット状の微小遮光
部からなるパターンを減光領域に形成すること自体困難
になってしまう。That is, in order to prevent the minute light-shielding portions on the light-reducing region of each blind member from being transferred onto the plate, a large number of dot-like minute light-shielding portions smaller than 1 μm are formed along a predetermined density distribution. There is a need to. In other words, unless a special device such as an electron beam drawing machine is used, it is impossible to form a special fine pattern including such small dot-shaped minute light shielding portions. Further, when the projection optical system is a magnifying optical system (magnification is larger than 1) or the exposure wavelength is an i-line (365 nm) having a shorter wavelength than the g-line, a dot smaller than 1 μm is used. It is necessary to form a large number of minute light-shielding portions along a predetermined density distribution. As a result, the drawing accuracy becomes too strict, and it becomes difficult to form a pattern composed of dot-shaped minute light-shielding portions in the dimming region.
【0045】これに対して、本実施例では、マスクブラ
インド9の各ブラインド部材(21、22)が露光中に
移動するため、各ブラインド部材の減光領域に形成すべ
きドット状の微小遮光部の大きさを露光装置の限界解像
力よりも小さくする必要はない。すなわち、露光装置の
諸条件に依存することなく、描画し易い大きさで且つ各
ブラインド部材の移動幅に対して十分小さいサイズ(例
えば2μm〜5μm程度)を有するドット状の微小遮光
部を所定の密度分布に沿って多数形成することによっ
て、プレート上に転写されることのないパターンを減光
領域に容易に形成することができる。On the other hand, in the present embodiment, since each of the blind members (21, 22) of the mask blind 9 moves during the exposure, the dot-shaped minute light-shielding portion to be formed in the dimming region of each of the blind members is used. Does not need to be smaller than the limit resolution of the exposure apparatus. That is, a dot-shaped minute light-shielding portion having a size that allows easy drawing and a size that is sufficiently small (for example, about 2 μm to 5 μm) with respect to the movement width of each blind member without depending on various conditions of the exposure apparatus is provided. By forming a large number in accordance with the density distribution, a pattern that is not transferred onto the plate can be easily formed in the dimming region.
【0046】図8は、本実施例において各ブラインド部
材上に付着した異物とプレート上における露光光量ムラ
との関係を説明する図である。図8において、マスク1
3およびプレート15との共役面(図2において点P2
を通り光軸AXに垂直な面)81から光軸AXに沿って
距離dだけ間隔を隔ててブラインド部材の面(一対のブ
ラインド部材の対向面)82が配置されている。この場
合、円形または球形と仮定した異物83の半径rと露光
光量ムラの許容値Pp との間には、次の式(2)に示す
関係が近似的に成立する。 (π×r2 ×2×r)/(π×(d×NA)2 ×L)=Pp (2)FIG. 8 is a view for explaining the relationship between the foreign matter adhered on each blind member and the exposure light amount unevenness on the plate in this embodiment. In FIG. 8, mask 1
2 and the conjugate plane with the plate 15 (point P2 in FIG. 2)
And a surface of the blind member (a surface facing a pair of blind members) 82 is arranged at a distance d from the surface 81 perpendicular to the optical axis AX) along the optical axis AX. In this case, the relationship expressed by the following equation (2) approximately holds between the radius r of the foreign matter 83 assumed to be circular or spherical and the allowable value Pp of the exposure light amount unevenness. (Π × r 2 × 2 × r) / (π × (d × NA) 2 × L) = Pp (2)
【0047】ここで、NAはマスクブラインド9上での
照明NAであり、Lは露光中における各ブラインド部材
の移動量である。したがって、マスクブラインド9上で
の照明NAを0.2とし、共役面81とブラインド面8
2との間隔d=300μmとし、各ブラインド部材の移
動量L=1.5mmとし、露光光量ムラの許容値Pp =
0.03(すなわち3%)とすると、許容できる異物の
サイズ(直径)2rは約85μmとなる。換言すると、
約85μmよりも大きな異物がブラインド部材に付着し
ないようにすれば、プレート上での露光光量ムラを3%
よりも小さく抑えることができる。露光装置において発
塵に対して通常の配慮をすれば、約85μmよりも大き
なサイズの異物のブラインド部材への付着を十分回避す
ることができる。したがって、本実施例の露光装置で
は、ブラインド部材への異物の付着の影響による感光性
基板上での露光光量ムラを十分小さく抑えることができ
る。Here, NA is the illumination NA on the mask blind 9, and L is the amount of movement of each blind member during exposure. Therefore, the illumination NA on the mask blind 9 is set to 0.2, and the conjugate plane 81 and the blind plane 8 are set.
2, the distance d between each blind member is 300 μm, the moving amount L of each blind member is 1.5 mm, and the allowable value of the exposure light amount unevenness Pp =
If it is 0.03 (ie, 3%), the allowable size (diameter) 2r of the foreign matter is about 85 μm. In other words,
By preventing foreign matter larger than about 85 μm from adhering to the blind member, the exposure light amount unevenness on the plate can be reduced by 3%.
Can be suppressed. If ordinary consideration is given to dust generation in the exposure apparatus, it is possible to sufficiently prevent foreign matter having a size larger than about 85 μm from adhering to the blind member. Therefore, in the exposure apparatus of the present embodiment, it is possible to sufficiently suppress the exposure light amount unevenness on the photosensitive substrate due to the influence of the adhesion of the foreign matter to the blind member.
【0048】因みに、マスクブラインドが露光中に移動
しない従来技術では、異物の半径rと露光光量ムラの許
容値Pp との間に、次の式(3)に示す関係が近似的に
成立する。 (π×r2 )/(π×(d×NA)2 )=Pp (3) したがって、上述の数値例と同様に、マスクブラインド
上での照明NAを0.2とし、共役面とブラインド面と
の間隔d=300μmとし、露光光量ムラの許容値Pp
=0.03(すなわち3%)とすると、許容できる異物
のサイズ(直径)は約20μmとなる。換言すると、マ
スクブラインドが露光中に移動しない従来技術では、約
20μmよりも大きな異物がブラインド部材に付着する
と、プレート上での露光光量ムラが3%よりも大きくな
ってしまう。前述したように、気密性を高めるか吸引等
の処置を施したとしても、20μm程度のサイズの異物
がブラインド部材に付着するのを回避することは不可能
である。このように、従来の露光装置では、ブラインド
部材への異物の付着の影響により感光性基板上において
ある程度の露光光量ムラが発生していることがわかる。In the prior art in which the mask blind does not move during the exposure, the relationship shown in the following equation (3) is approximately established between the radius r of the foreign matter and the allowable value Pp of the exposure light amount unevenness. (Π × r 2 ) / (π × (d × NA) 2 ) = Pp (3) Therefore, similarly to the above numerical example, the illumination NA on the mask blind is set to 0.2, and the conjugate plane and the blind plane are set. And the tolerance d = 300 μm, and the allowable value Pp of the exposure light amount unevenness.
If 0.03 (that is, 3%), the allowable size (diameter) of the foreign matter is about 20 μm. In other words, in the related art in which the mask blind does not move during the exposure, if a foreign matter larger than about 20 μm adheres to the blind member, the exposure light amount unevenness on the plate becomes larger than 3%. As described above, it is impossible to prevent foreign matters having a size of about 20 μm from adhering to the blind member even if the airtightness is increased or a treatment such as suction is performed. Thus, it can be seen that in the conventional exposure apparatus, a certain amount of exposure light amount unevenness has occurred on the photosensitive substrate due to the effect of the adhesion of the foreign matter to the blind member.
【0049】以上のように、本実施例の露光装置では、
マスクブラインドの各ブラインド部材の減光領域に形成
された微小遮光部からなるパターンが感光性基板への転
写および露光光量ムラの原因となり難く、且つマスクブ
ラインドに付着した異物が感光性基板への転写および露
光光量ムラの原因となり難いような構成を実現すること
ができる。その結果、本実施例では、感光性基板上で画
面合成により形成された大面積のパターンにおいてパタ
ーン継ぎ目に欠陥のない良好なデバイスを製造すること
ができる。As described above, in the exposure apparatus of this embodiment,
The pattern consisting of the minute light-shielding portions formed in the darkened area of each blind member of the mask blind is unlikely to cause transfer to the photosensitive substrate and uneven exposure light amount, and foreign matter attached to the mask blind is transferred to the photosensitive substrate. In addition, it is possible to realize a configuration that hardly causes unevenness in the exposure light amount. As a result, in this embodiment, it is possible to manufacture a good device having no defect at the pattern seam in a large-area pattern formed by screen synthesis on a photosensitive substrate.
【0050】図9は、ブラインド部材の第1変形例とし
て減光領域に三角形状の微小遮光部を所定のピッチで形
成した様子を示す図である。図9では、遮光領域と減光
領域との境界線に沿って延びた底辺と、透光領域と減光
領域との境界線上の頂点とを有する三角形状の微小遮光
部(図中斜線で示す)がブラインド部材の移動方向に沿
って所定のピッチで形成されている。三角形状の微小遮
光部が形成されるピッチは、ブラインド部材の露光移動
量の1/N(Nは十分大きな正の整数)に設定されてい
る。例えば、ブラインドリレー系の倍率が4倍で投影光
学系の倍率が等倍であるような露光装置では、プレート
上の重複露光領域の幅を8mmとすれば、ブラインド部
材の露光移動量は2mmである。したがって、N=10
0と設定すれば、三角形状の微小遮光部の形成ピッチは
20μmとなる。FIG. 9 is a view showing a state in which triangular minute light-shielding portions are formed at a predetermined pitch in the light-reducing region as a first modification of the blind member. In FIG. 9, a triangular minute light-shielding portion having a base extending along the boundary between the light-shielding region and the light-reducing region and a vertex on the boundary between the light-transmitting region and the light-reducing region (shown by hatching in the figure) ) Are formed at a predetermined pitch along the moving direction of the blind member. The pitch at which the triangular minute light shielding portions are formed is set to 1 / N (N is a sufficiently large positive integer) of the exposure movement amount of the blind member. For example, in an exposure apparatus in which the magnification of the blind relay system is 4 × and the magnification of the projection optical system is 1 ×, if the width of the overlapping exposure area on the plate is 8 mm, the exposure movement amount of the blind member is 2 mm. is there. Therefore, N = 10
If it is set to 0, the formation pitch of the triangular minute light shielding portions is 20 μm.
【0051】このように、図9の第1変形例の場合、減
光領域の単位減光領域の幅が20μmで、この単位減光
領域において積算透過率は透光領域側から遮光領域側へ
向かって100%から0%まで線形的に減少している。
したがって、この減光領域を微小遮光部のピッチ方向に
2mm移動させた場合、この減光領域を介してプレート
上に形成される露光領域では所望の線形的な露光光量分
布を得ることができる。また、各ブラインド部材は露光
中に移動するので、移動方向に20μm程度の幅を有す
る微小遮光部がプレート上に転写されることはない。た
だし、図9の第1変形例では、各微小遮光部の底辺の長
さが20μmでその高さが2mm(2000μm)であ
るため、各微小遮光部の頂角が極端に角度の小さい鋭角
になってしまう。その結果、特に各微小遮光部の頂点部
分が剥がれ易く、たとえばエッチングによるパターニン
グが難しい。As described above, in the case of the first modified example of FIG. 9, the width of the unit dimming region of the dimming region is 20 μm, and the integrated transmittance in this unit dimming region is from the light-transmitting region side to the light-shielding region side. It decreases linearly from 100% to 0%.
Therefore, when the dimming region is moved by 2 mm in the pitch direction of the minute light shielding portion, a desired linear exposure light amount distribution can be obtained in the exposure region formed on the plate via the dimming region. In addition, since each of the blind members moves during the exposure, a minute light shielding portion having a width of about 20 μm in the moving direction is not transferred onto the plate. However, in the first modified example of FIG. 9, since the base length of each minute light-shielding portion is 20 μm and its height is 2 mm (2000 μm), the apex angle of each minute light-shielding portion becomes an extremely small acute angle. turn into. As a result, in particular, the apex portion of each minute light shielding portion is easily peeled off, and for example, patterning by etching is difficult.
【0052】図10は、減光領域のパターニングが容易
なブラインド部材の第2変形例として三角形状の微小遮
光部の一方の斜線部分を階段状に形成した様子を示す図
である。図10の第2変形例では、図9の第1変形例と
同様に、遮光領域と減光領域との境界線に沿って延びた
底辺と、透光領域と減光領域との境界線上またはその近
傍に位置する頂点とを有する三角形状の微小遮光部(図
中斜線で示す)がブラインド部材の移動方向に沿って所
定のピッチで形成されている。そして、三角形状の微小
遮光部の形成ピッチは、ブラインド部材の露光移動量の
1/100に設定されている。ただし、各微小遮光部の
図中左側の斜辺は図中鉛直方向に直線状に延びている
が、図中右側の斜辺部分が10段の階段状に形成されて
いる。FIG. 10 is a view showing a state in which one shaded portion of a triangular minute light-shielding portion is formed in a staircase as a second modification of the blind member in which the patterning of the dimming region is easy. In the second modified example of FIG. 10, similarly to the first modified example of FIG. 9, the base extending along the boundary between the light-shielding region and the dimming region, and on the boundary between the light-transmitting region and the dimming region or Triangle-shaped minute light-shielding portions (shown by oblique lines in the figure) having vertices located in the vicinity thereof are formed at a predetermined pitch along the moving direction of the blind member. The pitch at which the triangular minute light shielding portions are formed is set to 1/100 of the exposure movement amount of the blind member. However, the oblique side on the left side in the figure of each minute light-shielding portion extends linearly in the vertical direction in the figure, but the oblique side on the right side in the figure is formed in a 10-step shape.
【0053】すなわち、図9の第1変形例と同様の全体
設定に基づいて図10の最も左側の微小遮光部101の
全体形状に着目すると、底辺の長さが20μmであり、
高さが2000μmである。そして、図中最も上側の第
1段目の遮光部分の幅が2μmでその高さが200μm
となり、第2段目の遮光部分の幅が4μmでその高さが
200μmとなり、以下同様に第n段目の遮光部分の幅
が(2×n)μmでその高さが200μmとなってい
る。次に、図10の左側から2番目の微小遮光部102
に着目すると、この微小遮光部102は微小遮光部10
1を40μm(すなわち各段の遮光部分の高さ200μ
mの1/5)だけ図中鉛直方向に位置ずれさせた形状を
していることがわかる。同様に、図10の左側から3番
目の微小遮光部103は、微小遮光部101を80μm
(すなわち各段の遮光部分の高さ200μmの2/5)
だけ図中鉛直方向に位置ずれさせた形状をしている。ま
た、図10の左側から4番目の微小遮光部104は微小
遮光部101を120μm(すなわち各段の遮光部分の
高さ200μmの3/5)だけ図中鉛直方向に位置ずれ
させた形状を、図10の左側から5番目の微小遮光部1
05は微小遮光部101を160μm(すなわち各段の
遮光部分の高さ200μmの4/5)だけ図中鉛直方向
に位置ずれさせた形状をしている。That is, focusing on the overall shape of the leftmost minute light-shielding portion 101 in FIG. 10 based on the same overall settings as in the first modification of FIG. 9, the base has a length of 20 μm.
The height is 2000 μm. The width of the uppermost first-stage light-shielding portion in the drawing is 2 μm and its height is 200 μm.
The width of the second-stage light-shielding portion is 4 μm and its height is 200 μm. Similarly, the width of the n-th light-shielding portion is (2 × n) μm and its height is 200 μm. . Next, the second minute light shielding portion 102 from the left in FIG.
Paying attention to this, the minute light shielding portion 102 is
1 is 40 μm (that is, the height of the light shielding portion of each stage is 200 μm).
It can be seen that the shape is displaced in the vertical direction in the figure by 1 / of m). Similarly, the third minute light shielding portion 103 from the left in FIG.
(That is, 2/5 of the height of the light-shielding portion of each step is 200 μm)
Only the shape is shifted in the vertical direction in the figure. In addition, the fourth minute light-shielding portion 104 from the left side in FIG. 10 has a shape in which the minute light-shielding portion 101 is displaced in the vertical direction in the drawing by 120 μm (that is, / of the height of the light-shielding portion of each step is 200 μm). The fifth minute light shielding portion 1 from the left in FIG.
Reference numeral 05 denotes a shape in which the minute light-shielding portion 101 is displaced in the vertical direction in the figure by 160 μm (that is, 4/5 of the height of the light-shielding portion of each step is 200 μm).
【0054】こうして、たとえば微小遮光部101を含
む20μmの幅の減光領域だけの積算透過率を考えると
100%から0%まで10%ずつ段階的に変化している
が、微小遮光部101〜105を含む100μmの幅の
単位減光領域106の積算透過率を考えると2%ずつ段
階的に変化していることがわかる。すなわち、単位減光
領域106の積算透過率はほぼ線形的に変化しており、
このような単位減光領域が所定のピッチで繰り返し形成
された減光領域を介してプレート上に形成される露光領
域ではほぼ線形的な露光光量分布を得ることができる。
さらに、単位減光領域の積算透過率の線形性すなわち露
光光量分布の線形性を高めるには、図10において隣接
する微小遮光部を鉛直方向に沿って互いに20μm(す
なわち各段の遮光部分の高さ200μmの1/10)ず
つ位置ずれさせ、連続する10個の微小遮光部で単位減
光領域を形成し、このような単位減光領域を所定のピッ
チで繰り返しパターニングすればよい。また、図10で
は各微小遮光部を段階的(規則的)に位置ずれさせてい
るが、スキャン幅(すなわち単位減光領域)中において
各微小遮光部の位置ずれをランダムに配置してもよいこ
とは当然である。Thus, for example, considering the integrated transmittance of only the 20 μm-wide dimming region including the minute light-shielding portion 101, it changes stepwise in steps of 10% from 100% to 0%. Considering the integrated transmittance of the unit darkening region 106 having a width of 100 μm including 105, it can be seen that it changes stepwise by 2%. That is, the integrated transmittance of the unit dimming region 106 changes almost linearly,
In an exposure region formed on a plate via such a dimming region in which the unit dimming regions are repeatedly formed at a predetermined pitch, a substantially linear exposure light amount distribution can be obtained.
Further, in order to improve the linearity of the integrated transmittance in the unit dimming region, that is, the linearity of the exposure light amount distribution, the adjacent minute light-shielding portions in FIG. The unit light-extinguishing area may be formed by ten consecutive minute light-shielding portions, and the unit light-extinguishing area may be repeatedly patterned at a predetermined pitch. In FIG. 10, the positions of the minute light-shielding portions are shifted stepwise (regularly). However, the position shifts of the minute light-shielding portions may be randomly arranged in the scan width (that is, the unit dimming region). That is natural.
【0055】図11は、ブラインド部材の第3変形例と
して減光領域に様々な長さの棒状の微小遮光部を所定の
ピッチで形成することによって単位減光領域を棒グラフ
状に形成した様子を示す図である。図11の第3変形例
では、単位減光領域において長さの異なる棒状の微小遮
光部が所定のピッチで形成されている。さらに詳細に
は、実際に微小遮光部の形成されていない途中の部分を
長さが0の微小遮光部であると考えると、単位減光領域
には合計10本の微小遮光部が形成されている。そし
て、図中最も左側の微小遮光部は、減光領域の全体高さ
(減光領域の図中鉛直方向の長さ)の約11%の高さを
有する。以下、左側から2番目の微小遮光部は約44
%、3番目の微小遮光部は約77%、4番目の微小遮光
部は約22%、5番目の微小遮光部は100%、6番目
の微小遮光部は0%、7番目の微小遮光部は約66%、
8番目の微小遮光部は約88%、9番目の微小遮光部は
約55%、10番目の微小遮光部は約33%の高さを有
する。FIG. 11 shows a third modification of the blind member in which bar-shaped minute light-shielding portions of various lengths are formed at predetermined pitches in the light-reducing region to form the unit light-reducing region in a bar graph shape. FIG. In the third modified example of FIG. 11, bar-shaped minute light-shielding portions having different lengths are formed at a predetermined pitch in the unit dimming region. More specifically, assuming that an intermediate portion where no minute light-shielding portion is actually formed is a minute light-shielding portion having a length of 0, a total of ten minute light-shielding portions are formed in the unit dimming region. I have. The leftmost minute light-shielding portion in the drawing has a height of about 11% of the entire height of the dimming region (the length of the dimming region in the vertical direction in the drawing). Hereinafter, the second minute light shielding portion from the left is about 44
%, The third minute light shield is about 77%, the fourth minute light shield is about 22%, the fifth minute light shield is 100%, the sixth minute light shield is 0%, and the seventh minute light shield is Is about 66%,
The eighth minute light shield has a height of about 88%, the ninth minute light shield has a height of about 55%, and the tenth minute light shield has a height of about 33%.
【0056】こうして、単位減光領域の積算透過率を考
えると100%から0%まで約11%ずつ段階的に変化
していることがわかる。すなわち、図11の第3変形例
にかかる単位減光領域の積算透過率はほぼ線形的に変化
しており、このような単位減光領域が所定のピッチで繰
り返し形成された減光領域を介してプレート上に形成さ
れる露光領域ではほぼ線形的な露光光量分布を得ること
ができる。さらに、単位減光領域の積算透過率の線形性
すなわち露光光量分布の線形性を高めるには、図11に
おいて単位減光領域を構成する棒状の微小遮光部の数を
増大させればよい。Thus, considering the integrated transmittance in the unit dimming region, it can be seen that it changes stepwise from 100% to 0% in steps of about 11%. That is, the integrated transmittance of the unit dimming region according to the third modified example of FIG. 11 changes almost linearly, and the unit dimming region passes through the dimming region repeatedly formed at a predetermined pitch. In the exposure area formed on the plate, a substantially linear exposure light amount distribution can be obtained. Further, in order to improve the linearity of the integrated transmittance of the unit dimming region, that is, the linearity of the exposure light amount distribution, the number of rod-shaped minute light shielding portions constituting the unit dimming region in FIG. 11 may be increased.
【0057】なお、図3の実施例にかかるブラインド部
材では、ドット状の微小遮光部をランダムに形成するこ
とによって単位減光領域を構成しているが、ドット状の
微小遮光部を規則的に形成することによって単位減光領
域を構成することもできる。また、ドット状の微小遮光
部で単位減光領域を構成する場合、図12に示すよう
に、透光領域側から3段毎に形成する微小遮光部の数を
1つずつ増大させてもよい。さらに一般的には、透光領
域側からn(nは正の整数)段毎に形成する微小遮光部
の数をm(mは正の整数)個つずつ増大させてもよい。In the blind member according to the embodiment shown in FIG. 3, the unit light reduction area is formed by forming dot-shaped minute light-shielding portions at random, but the dot-shaped minute light-shielding portions are regularly arranged. By forming them, a unit dimming area can be formed. When the unit light-reducing region is formed by the dot-shaped minute light-shielding portions, as shown in FIG. 12, the number of minute light-shielding portions formed every three stages from the light-transmitting region side may be increased by one. . More generally, the number of minute light shielding portions formed every n (n is a positive integer) stages from the light transmitting region side may be increased by m (m is a positive integer).
【0058】また、上述の実施例および各変形例では、
単位減光領域の積算透過率を線形的に変化させている
が、一対のブラインド部材で単位減光領域の積算透過率
が相補的でさえあれば積算透過率を非線形的に変化させ
ることもできる。さらに、上述の実施例では、液晶表示
素子を製造する露光装置に本発明を適用しているが、半
導体素子を製造する露光装置に対して本発明を適用する
こともできる。また、上述の実施例では、投影光学系を
介して露光を行う投影露光装置に本発明を適用している
が、マスクと感光性基板とを近接させて露光を行う他の
露光装置や他の一般的な露光装置に対して本発明を適用
することもできる。In the above-described embodiment and each of the modifications,
Although the integrated transmittance of the unit dimming region is linearly changed, the integrated transmittance can be changed nonlinearly as long as the integrated transmittance of the unit dimming region is complementary with a pair of blind members. . Further, in the above embodiment, the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, but the present invention can also be applied to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element. Further, in the above-described embodiment, the present invention is applied to the projection exposure apparatus that performs exposure via the projection optical system. However, other exposure apparatuses and other exposure apparatuses that perform exposure by bringing the mask and the photosensitive substrate close to each other are used. The present invention can be applied to a general exposure apparatus.
【0059】[0059]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光装置
によれば、マスクブラインドの減光領域に形成された微
小遮光部からなるパターンおよびマスクブラインドに付
着した異物が感光性基板への転写および露光光量ムラの
原因となり難いような構成を実現することができる。そ
の結果、本発明では、感光性基板上で画面合成により形
成された大面積のパターンにおいてパターン継ぎ目に欠
陥のない良好なデバイスを製造することができる。As described above, according to the exposure apparatus of the present invention, the pattern formed of the minute light shielding portion formed in the darkened area of the mask blind and the foreign matter adhering to the mask blind are transferred to the photosensitive substrate. In addition, it is possible to realize a configuration that hardly causes unevenness in the exposure light amount. As a result, according to the present invention, it is possible to manufacture a good device having no defect at a pattern seam in a large-area pattern formed by screen synthesis on a photosensitive substrate.
【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略
的に示す図である。FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のマスクブラインド9の要部構成を示す拡
大斜視図であって、光軸AXに沿って光源側からマスク
ブラインド9を構成する一対のブラインド部材を見た図
である。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a configuration of a main part of the mask blind 9 of FIG. 1 and is a view of a pair of blind members constituting the mask blind 9 from a light source side along an optical axis AX.
【図3】ブラインド部材の減光領域の構成を示す図であ
って、光源側のブラインド部材21の減光領域21bを
光軸AXに沿ってマスク側から見た拡大図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a dimming region of the blind member, and is an enlarged view of a dimming region 21b of the blind member 21 on the light source side as viewed from the mask side along the optical axis AX.
【図4】4つのパターンを画面合成する場合におけるプ
レート15上の4つの単位露光領域EA1〜EA4の配
置およびその重なり合わせを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the arrangement of four unit exposure areas EA1 to EA4 on a plate 15 and the overlapping of the four unit exposure areas when combining four patterns on a screen.
【図5】プレート15上の第1単位露光領域EA1に露
光する際のマスクブラインド9の動作を説明する図であ
って、光軸AXに沿って光源側からマスクブラインド9
を見た図である。FIG. 5 is a view for explaining the operation of the mask blind 9 when exposing the first unit exposure area EA1 on the plate 15, and shows the mask blind 9 from the light source side along the optical axis AX.
FIG.
【図6】マスク13のパターン面の構成を示す平面図で
ある。FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a pattern surface of a mask 13;
【図7】プレート15上の第1単位露光領域EA1への
露光状態を示す図である。FIG. 7 is a view showing an exposure state of a first unit exposure area EA1 on a plate 15;
【図8】本実施例において各ブラインド部材上に付着し
た異物とプレート上における露光光量ムラとの関係を説
明する図である。FIG. 8 is a view for explaining the relationship between foreign matter adhering on each blind member and exposure light amount unevenness on a plate in this embodiment.
【図9】ブラインド部材の第1変形例として減光領域に
三角形状の微小遮光部を所定のピッチで形成した様子を
示す図である。FIG. 9 is a view showing a state in which triangular minute light-shielding portions are formed at a predetermined pitch in a dimming region as a first modification of the blind member.
【図10】減光領域のパターニングが容易なブラインド
部材の第2変形例として三角形状の微小遮光部の一方の
斜線部分を階段状に形成した様子を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a state in which one oblique line portion of a triangular minute light-shielding portion is formed in a stepped shape as a second modification of the blind member in which the patterning of the dimming region is easy.
【図11】ブラインド部材の第3変形例として減光領域
に様々な長さの棒状の微小遮光部を所定のピッチで形成
することによって単位減光領域を棒グラフ状に形成した
様子を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a state in which unit darkening regions are formed in a bar graph shape by forming bar-shaped minute light-shielding portions of various lengths at predetermined pitches in a darkening region as a third modification of the blind member. is there.
【図12】透光領域側から3段毎にドット状の微小遮光
部の形成数を1つずつ増大させて単位減光領域を構成す
る様子を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a state in which a unit dimming region is formed by increasing the number of dot-shaped minute light shielding portions by one for every three stages from the light transmitting region side.
1 光源 2 楕円反射鏡 3 第2焦点位置 4 コレクターレンズ 5 波長選択フィルター 6 フライアイインテグレーター 7 開口絞り 8 第1リレーレンズ 9 マスクブラインド 10、11 ブラインドリレー系 12 ミラー 13 マスク 14 投影光学系 15 プレート 16 プレートステージ 21、22 ブラインド部材 23、24 駆動系 Reference Signs List 1 light source 2 elliptical reflecting mirror 3 second focal point position 4 collector lens 5 wavelength selection filter 6 fly-eye integrator 7 aperture stop 8 first relay lens 9 mask blind 10, 11 blind relay system 12 mirror 13 mask 14 projection optical system 15 plate 16 Plate stage 21, 22 Blind member 23, 24 Drive system
Claims (8)
所定の照明光で照明するための照明光学系と、該照明光
学系の光路中において前記マスクとほぼ共役な位置に配
置されて前記マスクの照明領域を規定するための照明領
域規定手段とを備え、感光性基板上において部分的に重
なり合う複数の単位露光領域に前記マスクのパターンの
像を順次露光する露光装置において、 前記照明領域規定手段は、複数のブラインド部材と、前
記複数の単位露光領域の各々への露光に際して前記複数
のブラインド部材の各々を前記照明光学系の光軸を横切
る所定方向に沿って常に移動させるための駆動系とを有
し、 各ブラインド部材は、前記照明光を透過させるための透
光領域と、前記照明光の透過を遮るための遮光領域と、
前記透光領域と前記遮光領域との間に形成された減光領
域とを有し、 前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合う重
複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露光光
量をほぼ一致させるために、各ブラインド部材の減光領
域は前記照明光に対して所定の透過率分布を有すること
を特徴とする露光装置。An illumination optical system for illuminating a mask on which a transfer pattern is formed with predetermined illumination light, and the mask disposed at a position substantially conjugate with the mask in an optical path of the illumination optical system. An illumination area defining means for defining an illumination area, wherein the exposure area defining means sequentially exposes the image of the mask pattern to a plurality of unit exposure areas partially overlapping on a photosensitive substrate; A plurality of blind members, and a drive system for constantly moving each of the plurality of blind members along a predetermined direction across the optical axis of the illumination optical system upon exposure to each of the plurality of unit exposure regions. Having a light-transmitting region for transmitting the illumination light, and a light-shielding region for blocking the transmission of the illumination light.
A light-reducing region formed between the light-transmitting region and the light-shielding region; and an exposure light amount in an overlapping exposure region partially overlapping in the plurality of unit exposure regions and an exposure region other than the overlapping exposure region. An exposure apparatus characterized in that the darkened area of each blind member has a predetermined transmittance distribution with respect to the illumination light so as to approximately match.
共役な位置を挟むように前記照明光学系の光軸に沿って
所定の間隔を隔てて配置された2つのブラインド部材を
有し、 前記駆動系は、前記感光性基板上における前記重複露光
領域の幅に対応する所定距離だけ前記照明光学系の光軸
と直交する第1方向に沿って各ブラインド部材を駆動
し、 各ブラインド部材において、前記減光領域は前記第1方
向に沿って矩形状に延び、前記透光領域と前記遮光領域
との境界線は前記照明光学系の光軸と直交する平面内に
おいて前記第1方向と直交する第2方向に沿って延びて
いることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。2. The illumination area defining means includes two blind members arranged at a predetermined interval along an optical axis of the illumination optical system so as to sandwich a position conjugate with the mask. A drive system drives each blind member along a first direction orthogonal to an optical axis of the illumination optical system by a predetermined distance corresponding to a width of the overlapped exposure area on the photosensitive substrate. In each blind member, The dimming region extends in a rectangular shape along the first direction, and a boundary between the light transmitting region and the light shielding region is orthogonal to the first direction in a plane orthogonal to an optical axis of the illumination optical system. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus extends along a second direction.
ンド部材の移動距離に対応する幅を前記第1方向に沿っ
て有する任意の減光領域において、前記第1方向に沿っ
て積算された積算透過率が前記第2方向に沿って前記透
光領域側から前記遮光領域側へほぼ線形的に減少してい
ることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。3. In an arbitrary dimming area having a width corresponding to a moving distance of each blind member associated with exposure to each unit exposure area along the first direction, the integration is performed along the first direction. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the integrated transmittance decreases substantially linearly from the light-transmitting region side to the light-shielding region side along the second direction.
記第1方向に沿った積算透過率が前記第2方向に沿って
ほぼ線形的に減少する領域の単位幅は各ブラインド部材
の前記移動距離の1/N(Nは正の整数)に設定されて
いることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。4. The unit width of a region where the integrated transmittance along the first direction in the dimming region of each blind member decreases substantially linearly along the second direction is equal to the moving distance of each blind member. The exposure apparatus according to claim 3, wherein 1 / N (N is a positive integer) is set.
るドット状の微小遮光部が所定の密度分布にしたがって
形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいず
れか1項に記載の露光装置。5. A light-shielding region according to claim 1, wherein a small light-shielding portion in a dot shape having a predetermined size is formed according to a predetermined density distribution. 3. The exposure apparatus according to claim 1.
減光領域との境界線に沿って延びた底辺と前記透光領域
と前記減光領域との境界線上の頂点とを有する三角形状
の微小遮光部が前記第1方向に沿って所定のピッチで形
成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれ
か1項に記載の露光装置。6. A triangle having a base extending along a boundary between the light-shielding region and the light-reducing region and a vertex on a boundary between the light-transmitting region and the light-reducing region. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein minute light-shielding portions having a shape are formed at a predetermined pitch along the first direction.
一方の斜辺部分は階段状に形成されていることを特徴と
する請求項6に記載の露光装置。7. The exposure apparatus according to claim 6, wherein at least one oblique side portion of the triangular minute light shielding portion is formed in a step shape.
所定の照明光で照明する際に前記マスクとほぼ共役な位
置に配置された複数のブラインド部材によって前記マス
クの照明領域を規定し、前記マスクの前記照明領域に形
成されたパターンの像を感光性基板上において部分的に
重なり合う複数の単位露光領域に順次露光する露光方法
において、 前記複数のブラインド部材の各々は、前記照明光を透過
させるための透光領域と、前記照明光の透過を遮るため
の遮光領域と、前記透光領域と前記遮光領域との間に形
成されて前記照明光に対して所定の透過率分布を有する
減光領域とを有し、 前記複数の単位露光領域において部分的に重なり合う重
複露光領域と該重複露光領域以外の露光領域とで露光光
量をほぼ一致させるために、前記複数のブラインド部材
の各々を基準光軸を横切る所定方向に沿って移動させる
ことを特徴とすることを露光方法。8. When illuminating a mask on which a pattern for transfer is formed with predetermined illumination light, an illumination region of the mask is defined by a plurality of blind members arranged at positions substantially conjugate with the mask. In an exposure method for sequentially exposing an image of a pattern formed in the illumination area of a mask to a plurality of unit exposure areas partially overlapping on a photosensitive substrate, each of the plurality of blind members transmits the illumination light. A light-blocking region for blocking the transmission of the illumination light, and a dimming formed between the light-transmitting region and the light-blocking region and having a predetermined transmittance distribution for the illumination light. The plurality of unit exposure areas so that the exposure light amounts in the overlapping exposure areas that partially overlap in the plurality of unit exposure areas and the exposure areas other than the overlapping exposure areas are substantially the same. Exposure method to and moving along a predetermined direction transverse to the reference optical axis of each of the Indian member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10103435A JPH11288874A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10103435A JPH11288874A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Exposure apparatus and exposure method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288874A true JPH11288874A (en) | 1999-10-19 |
Family
ID=14353967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10103435A Pending JPH11288874A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Exposure apparatus and exposure method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288874A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278443A (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10103435A patent/JPH11288874A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278443A (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation |
| TWI416274B (en) * | 2009-05-29 | 2013-11-21 | Asml控股公司 | Method for lithography device and illumination uniformity correction and uniformity drift compensation |
| US8629973B2 (en) | 2009-05-29 | 2014-01-14 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation |
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