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JPH11271456A - Flat detector - Google Patents

Flat detector

Info

Publication number
JPH11271456A
JPH11271456A JP10073875A JP7387598A JPH11271456A JP H11271456 A JPH11271456 A JP H11271456A JP 10073875 A JP10073875 A JP 10073875A JP 7387598 A JP7387598 A JP 7387598A JP H11271456 A JPH11271456 A JP H11271456A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
flat panel
detector
panel detector
temperature control
Prior art date
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Granted
Application number
JP10073875A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4131883B2 (en
Inventor
Shinichi Yamada
真一 山田
Takayuki Tomizaki
隆之 富崎
Takuya Sakaguchi
卓弥 坂口
Akira Tsukamoto
明 塚本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP07387598A priority Critical patent/JP4131883B2/en
Publication of JPH11271456A publication Critical patent/JPH11271456A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4131883B2 publication Critical patent/JP4131883B2/en
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  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】X線平面検出器の温度を適切に制御でき、より
具体的には動作温度及び保管温度内に維持することがで
き、このためX線平面検出器のフォトコンダクタ等が変
質するといった不具合が生じることがなく、均一な画像
を得ることができるX線平面検出器を提供すること。 【解決手段】X線平面検出器の温度を調整する手段とし
て、ガラス支持体60の熱発生領域61に取付けられる
冷却機構6を備える。冷却機構6はペルチェ素子63、
放熱フィン65、及び強制空冷ファン66から構成され
る。また、ペルチェ素子63とガラス支持体60との
間、および放熱フィン66とペルチェ素子63との間に
は熱伝導体であるシリコンゴム62、64が設けられ
る。ペルチェ素子63及び強制空冷ファン66は独立し
て駆動制御される。このため各々を同時に作動させ、又
は個別に作動させることが可能である。
[PROBLEMS] To properly control the temperature of an X-ray flat panel detector, and more specifically, to maintain the temperature within an operating temperature and a storage temperature. Provided is an X-ray flat panel detector capable of obtaining a uniform image without causing a problem such as deterioration of the X-ray plane. As a means for adjusting the temperature of an X-ray flat panel detector, a cooling mechanism (6) attached to a heat generation area (61) of a glass support (60) is provided. The cooling mechanism 6 includes a Peltier element 63,
It is composed of a radiation fin 65 and a forced air cooling fan 66. Silicon rubbers 62 and 64 as heat conductors are provided between the Peltier element 63 and the glass support 60 and between the radiation fin 66 and the Peltier element 63. The drive of the Peltier element 63 and the forced air cooling fan 66 is independently controlled. It is thus possible to operate each simultaneously or individually.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばX線診断装
置に用いられる平面検出器に関する。
The present invention relates to a flat panel detector used for an X-ray diagnostic apparatus, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線診断装置に用いられる平面検出器の
従来例として、直接変換方式、又は間接変換方式を採用
したX線固体平面検出器が幾つか提案されている。前者
は、例えば米国特許第5,319,206号明細書に記
載されており、後者は、例えば米国特許第4,689,
487号明細書に記載されている。
2. Description of the Related Art As a conventional example of a flat panel detector used in an X-ray diagnostic apparatus, several X-ray solid flat panel detectors employing a direct conversion system or an indirect conversion system have been proposed. The former is described, for example, in U.S. Pat. No. 5,319,206, and the latter is described, for example, in U.S. Pat. No. 4,689,206.
487.

【0003】図1は直接変換方式のX線固体平面検出器
の概略構成を示す図、図2は間接変換方式のX線固体平
面検出器の概略構成を示す図である。これら平面検出器
は、電磁波(X線)を電荷に変換する手段を具備してお
り、例えば図1の直接変換方式では、高電界下のSe
(セレニウム:フォトコンダクタ)へのX線入射が電荷
生成に寄与し、画素の容量に蓄積される。また、図2に
示す間接変換方式の平面検出器では、増感紙やCSI結
晶などの化学物質(図2に示すシンチレーション層)を
介してX線を一旦光に変換し、フォトダイオードの作用
によって光強度を電荷として画素の容量に蓄積するもの
となっている。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a direct conversion type X-ray solid flat panel detector, and FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an indirect conversion type X-ray solid flat panel detector. These flat detectors are provided with means for converting electromagnetic waves (X-rays) into electric charges. For example, in the direct conversion method shown in FIG.
X-rays incident on (selenium: photoconductor) contribute to charge generation and are accumulated in the capacitance of the pixel. Further, in the indirect conversion type flat detector shown in FIG. 2, X-rays are once converted into light through a chemical substance (a scintillation layer shown in FIG. 2) such as an intensifying screen or a CSI crystal. The light intensity is accumulated as a charge in the capacitance of the pixel.

【0004】また、従来の平面検出器は電荷量を電圧に
変換する手段を具備しており、画素に蓄積された電荷を
例えば薄膜トランジスタのスイッチング機能によって選
択し、この選択された電荷をチャージ(読み出し)アン
プに転送することでアンプの電圧出力を得ている。ま
た、アナログとして得られるチャージアンプからの電圧
出力をディジタル値に変換する手段(例えばアナログ値
をディジタル値に変換するADC(A/Dコンバー
タ))を具備している。図3に、このような平面検出器
における信号(電荷)読み出しのための構成を示す。平
面検出器は、入射した電磁波に応じた電荷を発生する変
換層と、この変換層で発生した電荷を収集する2次元マ
トリクス状に配列された画素電極と、画素電極で収集さ
れた電荷を蓄積するように各画素電極にそれぞれ接続さ
れた電荷蓄積素子と、電荷蓄積素子に蓄積された電荷情
報を読み出す読出し手段とを備えている。また、読出し
手段は、電荷蓄積素子にそれぞれ接続された電荷情報を
読み出すことができるように電荷蓄積素子にそれぞれ接
続されたスイッチング素子(例えば、薄膜トランジス
タ)と、同一行のTFTゲートを電気的に接続する制御
用信号線と、この制御用信号線に制御電圧を供給するこ
とによりスイッチング素子のOn、Offを行単位で制
御するスイッチング素子制御手段と、同一列のTFTの
出力を電気的に接続する出力用信号線と、各出力用信号
線の出力を選択して出力する選択手段とを備えている。
なお、上述したような平面検出器は特にX線に限らず光
の平面検出器として考えることもできる。
Further, the conventional flat panel detector has means for converting the amount of charge into a voltage, selects the charge stored in the pixel by, for example, a switching function of a thin film transistor, and charges (reads) the selected charge. ) The voltage output of the amplifier is obtained by transferring it to the amplifier. In addition, there is provided means for converting a voltage output from the charge amplifier obtained as an analog into a digital value (for example, an ADC (A / D converter) for converting an analog value into a digital value). FIG. 3 shows a configuration for reading out a signal (charge) in such a flat panel detector. The plane detector has a conversion layer that generates charges according to the incident electromagnetic wave, pixel electrodes arranged in a two-dimensional matrix that collects the charges generated by the conversion layer, and stores the charges collected by the pixel electrodes. A charge storage element connected to each pixel electrode, and readout means for reading charge information stored in the charge storage element. The reading means electrically connects the switching elements (eg, thin film transistors) respectively connected to the charge storage elements and the TFT gates in the same row so that the charge information respectively connected to the charge storage elements can be read. A control signal line to be controlled, a switching element control means for controlling the switching elements On and Off in units of rows by supplying a control voltage to the control signal line, and an output of a TFT in the same column is electrically connected. An output signal line and a selection means for selecting and outputting the output of each output signal line are provided.
The above-described flat detector is not limited to X-rays, but can be considered as a flat detector for light.

【0005】上述したような平面検出器の動作時及び保
管時における許容温度範囲はそれほど大きくはない。具
体的には、Se(フォトコンダクタ)の融解、変質、及
びフリージング(低温時)等を回避すべく例えば10℃
〜50℃とすることが一般的である。
[0005] The allowable temperature range of the above-described flat detector during operation and storage is not so large. Specifically, for example, 10 ° C. to avoid melting, alteration, and freezing (at low temperature) of Se (photoconductor).
Generally, it is set to 〜50 ° C.

【0006】そして、検出器自体が発熱したり、外気温
の変化によっては、このような狭い温度範囲に検出器の
温度状態を維持できないという問題がある。ところで、
各々の読み出し手段のスイッチング素子に高電圧が印加
される可能性がある場合においては、当該スイッチング
素子(具体的には薄膜トランジスタなど)を保護するた
めの機構が設けられる。検出器の中で電流が抵抗部分を
流れると熱が発生しSe(フォトコンダクタ)および付
加膜等が変質し均一な画像が得られなくなるという問題
がある。
[0006] Then, there is a problem that the temperature of the detector cannot be maintained in such a narrow temperature range depending on the heat generation of the detector itself or a change in the outside air temperature. by the way,
When a high voltage may be applied to the switching element of each reading unit, a mechanism for protecting the switching element (specifically, a thin film transistor or the like) is provided. When a current flows through the resistance portion in the detector, heat is generated, and there is a problem that Se (photoconductor), an additional film and the like are deteriorated and a uniform image cannot be obtained.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたものであり、その目的はX線平面検
出器の温度を適切に制御でき、より具体的には検出器の
動作温度及び保管温度内に維持することができ、これに
よりX線平面検出器のフォトコンダクタ等が変質すると
いった不具合が生じることがなく、均一な画像を得るこ
とができるX線平面検出器を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and has as its object to appropriately control the temperature of an X-ray flat panel detector, and more specifically, to operate the detector. Provided is an X-ray flat panel detector capable of maintaining a temperature within the storage temperature and without causing a problem such as deterioration of a photoconductor or the like of the X-ray flat panel detector and capable of obtaining a uniform image. That is.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために本発明の平面検出器は次のように構成さ
れている。本発明の平面検出器は、検出面に配列された
複数の画素に対応して設けられ、入射したX線を電荷に
変換する電荷変換手段と、前記電荷変換手段に対応して
設けられ、前記電荷変換手段により変換された電荷を蓄
積する蓄積手段と、前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷
を読み出す電荷読み出し手段とを含む検出手段を備えた
平面検出器において、前記電荷変換手段近傍の所定の熱
発生領域に設けられ、当該領域の温度を制御する温度制
御手段を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, a flat panel detector according to the present invention is configured as follows. The flat detector of the present invention is provided corresponding to a plurality of pixels arranged on the detection surface, a charge conversion means for converting incident X-rays into charges, and provided corresponding to the charge conversion means, In a flat detector provided with a detection unit including a storage unit that stores the charge converted by the charge conversion unit and a charge readout unit that reads out the charge stored in the charge storage unit, a predetermined amount near the charge conversion unit is provided. A temperature control means is provided in the heat generation area and controls the temperature of the area.

【0009】この構成によれば電荷変換手段近傍の所定
の熱発生領域の温度を制御でき、これにより平面検出器
の温度が動作時及び保管時における許容温度範囲を超過
することを防止できる。
According to this configuration, the temperature of the predetermined heat generating region near the charge conversion means can be controlled, and thereby the temperature of the flat detector can be prevented from exceeding the allowable temperature range during operation and storage.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。 (第1実施形態)図4は本発明の第1実施形態に係るX
線平面検出器に設けられた冷却機構の構成を斜視図であ
る。同図において60はX線平面検出器のガラス支持体
であって、このガラス支持体60はX線の検出面とは反
対側に設けられる。本実施形態はX線平面検出器の温度
を調整する手段として、ガラス支持体60の熱発生領域
61に取付けられる冷却機構6を備えている。なお、X
線平面検出器の構成については上述した従来のものと同
様であるので、ここでは具体的な説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 4 is a view showing X according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration of a cooling mechanism provided in the linear flat panel detector. In the figure, reference numeral 60 denotes a glass support of the X-ray flat panel detector, and the glass support 60 is provided on the side opposite to the X-ray detection surface. The present embodiment includes a cooling mechanism 6 attached to the heat generation region 61 of the glass support 60 as a means for adjusting the temperature of the X-ray flat panel detector. Note that X
Since the configuration of the line plane detector is the same as that of the above-described conventional one, a specific description is omitted here.

【0011】冷却機構6は、ここではペルチェ素子6
3、放熱フィン65、及び強制空冷ファン66から構成
される。また、ペルチェ素子63とガラス支持体60と
の間、および放熱フィン66とペルチェ素子63との間
には熱伝導体であるシリコンゴム62、64が設けられ
ている。
The cooling mechanism 6 is a Peltier element 6 here.
3. It is composed of a radiation fin 65 and a forced air cooling fan 66. Silicon rubbers 62 and 64 as heat conductors are provided between the Peltier element 63 and the glass support 60 and between the radiation fin 66 and the Peltier element 63.

【0012】ペルチェ素子63及び強制空冷ファン66
は独立して駆動制御される。このため各々を同時に作動
させ、又は個別に作動させることが可能となっている。
以上のように構成された本実施形態の動作を説明する。
Peltier element 63 and forced air cooling fan 66
Are independently driven and controlled. For this reason, each can be operated simultaneously or individually.
The operation of the present embodiment configured as described above will be described.

【0013】先ず、検出器本体の動作開始後にペルチェ
素子63の駆動が開始される。この時の駆動電圧は特定
の値に限定されない。また、ペルチェ素子の駆動と共に
強制空冷ファン66も駆動されて作動する。
First, after the operation of the detector main body is started, the driving of the Peltier element 63 is started. The drive voltage at this time is not limited to a specific value. In addition, the forced air cooling fan 66 is driven and operated together with the driving of the Peltier element.

【0014】ペルチェ素子63が作動することにより、
熱発生領域61からの熱はシリコンゴム62及び64を
介して放熱フィン65側に伝導する。このシリコンゴム
62及び64は熱伝導体から成るので、熱発生領域61
とペルチェ素子63との間、及びペルチェ素子63と放
熱フィン65との間の熱伝導は良好なものとなる。ま
た、放熱フィン65によればシリコンゴム64から伝わ
った熱が放射される。一方、強制空冷ファン66が作動
することにより、熱発生領域60乃至放熱フィン65間
が強制的に冷却される。
By operating the Peltier element 63,
The heat from the heat generating region 61 is conducted to the radiation fin 65 via the silicone rubbers 62 and 64. Since the silicon rubbers 62 and 64 are made of a heat conductor, the heat generation region 61
The heat conduction between the Peltier device 63 and the Peltier device 63 and between the Peltier device 63 and the radiation fins 65 are good. Further, according to the radiation fins 65, heat transmitted from the silicon rubber 64 is radiated. On the other hand, when the forced air cooling fan 66 operates, the space between the heat generation region 60 and the radiation fins 65 is forcibly cooled.

【0015】ペルチェ素子63及び強制空冷ファン66
の駆動の終了は、X線平面検出器の動作が終了した後に
行われる。尚、過冷却を防ぎ、又は蓄熱によってペルチ
ェ素子63自体が高温になる現象を防ぐためにペルチェ
素子63或は強制空冷ファン66の駆動を制御すること
が望ましい。
Peltier element 63 and forced air cooling fan 66
Is completed after the operation of the X-ray flat panel detector is completed. Note that it is desirable to control the driving of the Peltier element 63 or the forced air cooling fan 66 in order to prevent overcooling or prevent a phenomenon in which the Peltier element 63 itself becomes high temperature due to heat storage.

【0016】以上説明した本実施形態によれば、X線平
面検出器の温度が動作時及び保管時における許容温度範
囲を超過することがなくなる。したがってX線平面検出
器のフォトコンダクタが熱により変質するといった不具
合が生じることがなく、これにより均一な画像を得るこ
とができるようになる。
According to this embodiment described above, the temperature of the X-ray flat panel detector does not exceed the allowable temperature range during operation and storage. Therefore, the problem that the photoconductor of the X-ray flat panel detector is deteriorated by heat does not occur, and a uniform image can be obtained.

【0017】(第2実施形態)本発明の第2実施形態
は、熱発生領域の温度を計測し、これが動作時又は保管
時の許容温度範囲外となった場合に強制的に冷却又は暖
房を行う温度制御手段を備えたX線平面検出器に関す
る。図5はこの温度調整手段の概略構成を示す回路図で
ある。
(Second Embodiment) In a second embodiment of the present invention, the temperature of the heat generation area is measured, and when the temperature falls outside the allowable temperature range during operation or storage, cooling or heating is forcibly performed. The present invention relates to an X-ray flat panel detector having a temperature control unit for performing the same. FIG. 5 is a circuit diagram showing a schematic configuration of the temperature adjusting means.

【0018】同図に示すように例えば熱電対等から成る
温度計測センサ70を備えており、これによりX線平面
検出器の温度を電気信号として取り出す構成となってい
る。例えばこの温度計測センサはX線平面検出器内部の
高電圧面を除く部分に接触させるように設けられる。X
線平面検出器の構成については上述した従来のものと同
様である。
As shown in FIG. 1, a temperature measuring sensor 70 composed of, for example, a thermocouple is provided to take out the temperature of the X-ray flat panel detector as an electric signal. For example, the temperature measurement sensor is provided so as to be in contact with a portion of the X-ray flat panel detector other than the high voltage surface. X
The configuration of the line plane detector is the same as the above-described conventional one.

【0019】また、温度計測センサから得られた電気信
号に基づき、X線平面検出器の現在の温度が動作時及び
保管時における許容温度範囲外にあるか否かを判定する
ためのコンパレータ71,72を備える。
A comparator 71 for determining whether or not the current temperature of the X-ray flat panel detector is outside the allowable temperature range during operation and storage based on the electric signal obtained from the temperature measurement sensor. 72.

【0020】さらに、コンパレータ71,72の判定結
果に従って、X線平面検出器の温度を制御するためのヒ
ータ73及び冷却器74を備える。冷却器74は、ここ
では上記第1実施形態において説明したペルチェ等の半
導体素子とするが、これのみに限定されず、他の手段が
用いられても良い。具体的には、放熱板、強制空冷手
段、水冷手段、油冷手段、ヒートパイプのいずれか又は
これらの組み合わせが用いられていても良い。
Further, a heater 73 and a cooler 74 for controlling the temperature of the X-ray flat panel detector in accordance with the judgment results of the comparators 71 and 72 are provided. Here, the cooler 74 is a semiconductor element such as the Peltier described in the first embodiment, but is not limited thereto, and other means may be used. Specifically, any one of a heat sink, a forced air cooling unit, a water cooling unit, an oil cooling unit, a heat pipe, or a combination thereof may be used.

【0021】尚、制御を行い易くするために温度を表す
電気信号をアナログ信号からディジタル信号に変換する
A/D変換器等を備えていても良い。以上のように構成
された本実施形態の動作を説明する。
An A / D converter for converting an electric signal representing a temperature from an analog signal to a digital signal may be provided for facilitating the control. The operation of the present embodiment configured as described above will be described.

【0022】先ず温度検出センサ70により温度計測が
行われる。同センサ70の測定結果である温度を示す電
気信号はコンパレータ71,72にそれぞれ供給され
る。コンパレータ71は検出された温度が動作時又は保
管時における許容温度範囲よりも小さい場合は真の値を
出力し、これによりヒータ73が駆動されて検出器を暖
房する。
First, the temperature is measured by the temperature detecting sensor 70. An electric signal indicating the temperature as a measurement result of the sensor 70 is supplied to comparators 71 and 72, respectively. The comparator 71 outputs a true value when the detected temperature is lower than the allowable temperature range during operation or storage, and thereby the heater 73 is driven to heat the detector.

【0023】これにより、フォトコンダクタ(Se)の
膨張率とガラス支持体の膨張率との間に差によりガラス
支持体からフォトコンダクタが剥離するといった検出器
の低温時における問題を回避できる。
Thus, it is possible to avoid a problem at a low temperature of the detector that the photoconductor is separated from the glass support due to a difference between the expansion coefficient of the photoconductor (Se) and the expansion coefficient of the glass support.

【0024】一方、コンパレータ72は検出された温度
が動作時又は保管時における許容(保証)温度範囲より
も大きい場合は真の値を出力し、これにより冷却器74
が駆動されて検出器を強制冷却する。なお、動作時又は
保管時における許容温度範囲は、具体的には、10℃乃
至40℃である。なお、検出器の暖房時において、ペル
チェ素子を駆動する電流の極性を反転させることにより
暖房効果を高めるようにしても良い。
On the other hand, if the detected temperature is higher than the allowable (guaranteed) temperature range during operation or storage, the comparator 72 outputs a true value, whereby the cooler 74 is output.
Is driven to forcibly cool the detector. The allowable temperature range during operation or storage is, specifically, 10 ° C. to 40 ° C. When the detector is heated, the heating effect may be enhanced by reversing the polarity of the current for driving the Peltier element.

【0025】このような本実施形態によれば、第1実施
形態よりも高精度に、X線平面検出器の温度を動作温度
及び保管温度内に維持することができる。このためX線
平面検出器のフォトコンダクタが変質するといった不具
合が生じることがなく、これにより均一な画像を得るこ
とができるようになる。
According to this embodiment, the temperature of the X-ray flat panel detector can be maintained within the operating temperature and the storage temperature with higher accuracy than in the first embodiment. For this reason, the defect that the photoconductor of the X-ray flat panel detector is deteriorated does not occur, so that a uniform image can be obtained.

【0026】ここで、第2実施形態の変形例を説明す
る。 (変形例1)変形例1は、第2実施形態のX線平面検出
器を備えたX線診断装置に関する。この装置において
は、X線平面検出器の温度が異常となった場合に、X線
管からのX線曝射を停止させるとともに検出器の駆動を
停止させる手段を備える。
Here, a modification of the second embodiment will be described. (Modification 1) Modification 1 relates to an X-ray diagnostic apparatus including the X-ray flat panel detector according to the second embodiment. This apparatus includes means for stopping the X-ray irradiation from the X-ray tube and stopping the driving of the detector when the temperature of the X-ray flat panel detector becomes abnormal.

【0027】図6は変形例1の構成を説明するためのブ
ロック図である。検出器動作中に異常な温度上昇(又は
低下)が発生し、当該検出器の温度が動作時又は保管時
における許容温度範囲外の状態となった場合、図5に示
したコンパレータ71、72からOFF信号が発せら
れ、この信号がX線の発生を制御するコントローラ8
0、及び平面検出器の駆動動作を司る制御部82に供給
される。
FIG. 6 is a block diagram for explaining the structure of the first modification. When an abnormal temperature rise (or drop) occurs during the operation of the detector and the temperature of the detector falls outside the allowable temperature range during operation or storage, the comparator 71, 72 shown in FIG. An OFF signal is issued, and the controller 8 controls the generation of X-rays.
0, and is supplied to the control unit 82 which controls the driving operation of the flat panel detector.

【0028】これによりコントローラ80はX線の発生
を停止するようにX線管81を制御する。また、制御部
82は検出器の駆動を停止するような制御動作を行う。
X線の発生停止及び検出器の駆動停止時においては、上
述した冷暖房機構による温度調整が行われる。
Thus, the controller 80 controls the X-ray tube 81 so as to stop the generation of X-rays. Further, the control unit 82 performs a control operation to stop driving of the detector.
When the generation of X-rays is stopped and the driving of the detector is stopped, the above-described temperature adjustment by the cooling and heating mechanism is performed.

【0029】このような変形例1によれば、異常温度時
において検出器が動作し続けることによる不具合を回避
可能となる。 (変形例2)変形例2は上述した温度調節機構がペルチ
ェ素子等の半導体素子から成る場合のより具体的な構成
例に関する。
According to the first modification, it is possible to avoid a problem caused by the detector continuing to operate at an abnormal temperature. (Modification 2) Modification 2 relates to a more specific configuration example in the case where the above-described temperature control mechanism is formed of a semiconductor element such as a Peltier element.

【0030】図7は本実施形態の変形例2に係るX線平
面検出器の断面図である。同図に示すように、ゲート
G、ドレインD、ソースSを含む信号読み出し用の薄膜
トランジスタのゲートG側にはガラス面90が形成され
ており、このガラス面90の検出器とは反対側の面にペ
ルチェ素子91を形成する。ペルチェ素子91はn型半
導体、p型半導体、及びメタル92を有して成り、当該
素子の駆動用DC電源94が接続される。このペルチェ
素子91のさらに外側には、放熱効果(冷却駆動時)を
高めるためのヒートシンク95が設けられる。
FIG. 7 is a sectional view of an X-ray flat panel detector according to a second modification of the present embodiment. As shown in the figure, a glass surface 90 is formed on the gate G side of a thin film transistor for signal readout including a gate G, a drain D, and a source S, and a surface of the glass surface 90 opposite to the detector. The Peltier device 91 is formed. The Peltier element 91 includes an n-type semiconductor, a p-type semiconductor, and a metal 92, and is connected to a DC power supply 94 for driving the element. Further outside the Peltier element 91, a heat sink 95 for improving the heat radiation effect (during cooling driving) is provided.

【0031】このような変形例2によれば、温度調整機
構が一体化されたX線平面検出器を提供できる。以下、
第1実施形態のより具体的な効果を説明する。
According to the second modification, it is possible to provide an X-ray flat panel detector in which a temperature adjusting mechanism is integrated. Less than,
A more specific effect of the first embodiment will be described.

【0032】図8は第1実施形態のX線平面検出器にお
ける冷却時の温度変化を示すグラフである。同グラフに
おいて横軸は時間を表し、縦軸は温度を表す。区間Aは
X線平面検出器と冷却機構との密着度を低くし、ペルチ
ェ素子63及び強制空冷ファン66を作動させた場合の
温度変化であり、区間BはX線平面検出器と冷却機構と
の密着度を低くしたままペルチェ素子63をOFFし、
強制空冷ファン66を作動させた場合であり、区間Cは
X線平面検出器と冷却機構との密着度を高くしてペルチ
ェ素子63及び強制空冷ファン66を作動させた場合で
あり、区間DはX線平面検出器と冷却機構との密着度を
高くしたままペルチェ素子63をOFFし、強制空冷フ
ァン66のみを作動させた場合である。
FIG. 8 is a graph showing a temperature change during cooling in the X-ray flat panel detector according to the first embodiment. In the graph, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents temperature. Section A is a temperature change when the degree of adhesion between the X-ray flat panel detector and the cooling mechanism is reduced and the Peltier element 63 and the forced air cooling fan 66 are operated. Section B is a section between the X-ray flat panel detector and the cooling mechanism. The Peltier element 63 is turned off while keeping the adhesion of
Section C is a case where the forced air cooling fan 66 is operated, and section C is a case where the Peltier element 63 and the forced air cooling fan 66 are operated by increasing the degree of close contact between the X-ray flat panel detector and the cooling mechanism. This is a case where the Peltier element 63 is turned off and only the forced air cooling fan 66 is operated while keeping the degree of adhesion between the X-ray flat panel detector and the cooling mechanism high.

【0033】同グラフにより、X線平面検出器と冷却機
構との密着度を高くしてペルチェ素子63及び強制空冷
ファン66を作動させることにより高い冷却効果が得ら
れることがわかる。
As can be seen from the graph, a high cooling effect can be obtained by increasing the degree of close contact between the X-ray flat panel detector and the cooling mechanism and operating the Peltier element 63 and the forced air cooling fan 66.

【0034】以上述べたように、本発明によればX線平
面検出器の温度を動作温度及び保管温度内に維持するこ
とができ、このためX線平面検出器のフォトコンダクタ
が変質するといった不具合が生じることがなく、均一な
画像を得ることができる。なお、本発明は上述した実施
形態に限定されず種々変形して実施可能である。
As described above, according to the present invention, the temperature of the X-ray flat panel detector can be maintained within the operating temperature and the storage temperature. Does not occur, and a uniform image can be obtained. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with various modifications.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればX
線平面検出器の温度を適切に制御でき、より具体的には
動作温度及び保管温度内に維持することができ、このた
めX線平面検出器のフォトコンダクタ等が変質するとい
った不具合が生じることがなく、均一な画像を得ること
ができるX線平面検出器を提供できる。提供できる。
As described above, according to the present invention, X
The temperature of the X-ray flat panel detector can be appropriately controlled, and more specifically, can be maintained within the operating temperature and the storage temperature. As a result, a defect such as deterioration of the photoconductor of the X-ray flat panel detector may occur. And an X-ray flat panel detector capable of obtaining a uniform image can be provided. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来例に係る直接変換方式のX線固体平面検出
器の概略構成を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a direct conversion type solid-state flat panel detector according to a conventional example.

【図2】従来例に係る間接変換方式のX線固体平面検出
器の概略構成を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of an indirect conversion type X-ray solid state detector according to a conventional example.

【図3】従来例に係る平面検出器における信号(電荷)
読み出しのための構成を示す図。
FIG. 3 shows a signal (charge) in a flat detector according to a conventional example.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration for reading.

【図4】本発明の第1実施形態に係るX線平面検出器に
設けられた冷却機構の構成を斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a cooling mechanism provided in the X-ray flat panel detector according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施形態に係るX線平面検出器に
設けられた温度調整手段の概略構成を示す回路図。
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a schematic configuration of a temperature adjusting unit provided in an X-ray flat panel detector according to a second embodiment of the present invention.

【図6】上記第2実施形態の変形例1の構成を説明する
ためのブロック図。
FIG. 6 is a block diagram for explaining a configuration of a first modification of the second embodiment.

【図7】上記第2実施形態の変形例2に係るX線平面検
出器の断面図。
FIG. 7 is a sectional view of an X-ray flat panel detector according to Modification 2 of the second embodiment.

【図8】上記第1実施形態の具体的な効果を表すグラ
フ。
FIG. 8 is a graph showing a specific effect of the first embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

60…ガラス支持体 61…熱発生領域 62、64…シリコンゴム 65…放熱フィン 66…強制空冷ファン 70…熱電対 71、72…コンパレータ 73…ヒータ 74…冷却器 80…コントローラ 81…X線管 82…制御部 90…ガラス支持体 91…ペルチェ素子 92…メタル 93…半導体(n型、p型) 94…ペルチェ素子駆動用DC電源 95…ヒートシンク Reference Signs List 60: Glass support 61: Heat generation area 62, 64: Silicon rubber 65: Radiation fin 66: Forced air cooling fan 70: Thermocouple 71, 72 ... Comparator 73: Heater 74: Cooler 80: Controller 81: X-ray tube 82 ... Control unit 90 ... Glass support 91 ... Peltier element 92 ... Metal 93 ... Semiconductor (n-type, p-type) 94 ... DC power supply for driving Peltier element 95 ... Heat sink

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 明 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Akira Tsukamoto 1385-1 Shimoishigami, Otawara-shi, Tochigi Pref.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 検出面に配列された複数の画素に対応し
て設けられ、入射したX線を電荷に変換する電荷変換手
段と、前記電荷変換手段に対応して設けられ、前記電荷
変換手段により変換された電荷を蓄積する蓄積手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を読み出す電荷読み
出し手段とを含む検出手段を備えた平面検出器におい
て、 前記電荷変換手段近傍の所定の熱発生領域に設けられ、
当該領域の温度を制御する温度制御手段を備えたことを
特徴とする平面検出器。
1. A charge conversion means provided corresponding to a plurality of pixels arranged on a detection surface and converting incident X-rays into charges; and a charge conversion means provided corresponding to the charge conversion means. Accumulating means for accumulating the charges converted by
A flat detector provided with a detection unit including a charge reading unit that reads out the charge stored in the charge storage unit; provided in a predetermined heat generation region near the charge conversion unit;
A flat panel detector comprising temperature control means for controlling the temperature of the area.
【請求項2】 温度を計測する計測手段をさらに具備
し、 前記温度制御手段は、前記計測手段の計測結果に基づい
て前記熱発生領域を冷却し、又は暖房することを特徴と
する請求項1に記載の平面検出器。
2. The apparatus according to claim 1, further comprising a measuring unit for measuring a temperature, wherein the temperature control unit cools or heats the heat generation area based on a measurement result of the measuring unit. A flat panel detector according to claim 1.
【請求項3】 前記温度制御手段は、放熱板、強制空冷
手段、水冷手段、油冷手段、ペルチェ素子等の半導体素
子、ヒートパイプ、ヒータのいずれか又はその組み合わ
せから成ることを特徴とする請求項1又は2に記載の平
面検出器。
3. The temperature control means comprises a heat sink, forced air cooling means, water cooling means, oil cooling means, a semiconductor element such as a Peltier element, a heat pipe, a heater, or a combination thereof. Item 3. The flat panel detector according to item 1 or 2.
【請求項4】 前記温度制御手段は、前記検出手段と別
体で構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいず
れかに記載の平面検出器。
4. A flat detector according to claim 1, wherein said temperature control means is formed separately from said detection means.
【請求項5】 前記温度制御手段は、前記検出手段と一
体で構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいず
れかに記載の平面検出器。
5. A flat detector according to claim 1, wherein said temperature control means is integrally formed with said detection means.
【請求項6】 前記温度制御手段は、前記検出手段を構
成する半導体物質を用いて構成されることを特徴とする
請求項5に記載の平面検出器。
6. The flat panel detector according to claim 5, wherein said temperature control means is constituted by using a semiconductor substance constituting said detection means.
【請求項7】 前記温度制御手段は、前記検出器手段が
備える支持部材に形成されることを特徴とする請求項5
又は6に記載の平面検出器。
7. The apparatus according to claim 5, wherein said temperature control means is formed on a support member provided in said detector means.
Or the flat panel detector according to 6.
【請求項8】 前記温度制御手段は、前記検出手段の温
度が動作時又は保管時の許容温度範囲内となるように温
度制御を行うことを特徴とする請求項1乃至7のいずれ
かに記載の平面検出器。
8. The temperature control unit according to claim 1, wherein the temperature control unit controls the temperature so that the temperature of the detection unit is within an allowable temperature range during operation or storage. Plane detector.
【請求項9】 被検体に向けてX線を曝射するためのX
線管と、当該X線管から曝射されたX線を検出する平面
検出器とを備えたX線診断装置において、 前記平面検出器の温度を計測する計測手段と、 前記計測手段の計測結果に基づいて前記X線管からのX
線の曝射を停止させると共に前記平面検出器の駆動を停
止させる手段とを備えたことを特徴とするX線診断装
置。
9. X-rays for irradiating X-rays to a subject
An X-ray diagnostic apparatus comprising: a X-ray tube; and a flat detector for detecting X-rays emitted from the X-ray tube; a measuring unit for measuring a temperature of the flat detector; and a measurement result of the measuring unit. X from the X-ray tube based on
An X-ray diagnostic apparatus, comprising: means for stopping irradiation of the X-ray and stopping driving of the flat panel detector.
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