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JPH11274600A - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents

磁気抵抗素子の製造方法

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Publication number
JPH11274600A
JPH11274600A JP10071844A JP7184498A JPH11274600A JP H11274600 A JPH11274600 A JP H11274600A JP 10071844 A JP10071844 A JP 10071844A JP 7184498 A JP7184498 A JP 7184498A JP H11274600 A JPH11274600 A JP H11274600A
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JP
Japan
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film
magnetic film
magnetic
magnetoresistive element
insulating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP10071844A
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English (en)
Inventor
Masaaki Mikami
政明 三上
Takashi Ito
隆司 伊藤
Takamitsu Orimoto
隆充 織本
Mitsumasa Okada
光正 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Priority to US09/193,425 priority patent/US6258283B1/en
Publication of JPH11274600A publication Critical patent/JPH11274600A/ja
Priority to US09/769,239 priority patent/US6475649B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗特性の優れた信頼性の高い磁気抵抗
素子を歩留りよく得る。 【解決手段】 絶縁膜１０上に第１の磁性膜１２と非磁
性膜１４と第２の磁性膜１６とをこの順に成膜し、前記
第２の磁性膜１６上に素子本体部を形成する遮蔽用のレ
ジスト２０を設け、前記第２の磁性膜１６側からイオン
ミリングすることにより、前記絶縁膜１０上で前記第１
の磁性膜１２と非磁性膜１４と第２の磁性膜１６の側面
を傾斜面にエッチングし、前記絶縁膜１０上から前記傾
斜面にかけて端子１８を被着形成し、前記レジスト２０
を除去することにより磁気抵抗素子を得る磁気抵抗素子
の製造方法において、前記第１の磁性膜１２と非磁性膜
１４と第２の磁性膜１６をイオンミリングする際に、前
記傾斜面の外側領域の前記絶縁膜１０上で前記第１の磁
性膜１２を残膜させてエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置等
の磁気ヘッドに用いられる磁気抵抗素子の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗素子は磁気抵抗効果を利用して
磁場を検知するものであり、磁気ディスク装置で高密度
に記録された磁気情報を読み出す磁気ヘッドに利用され
ている。磁気ディスク装置は小型化、大容量化が進むと
ともに、高出力が得られる磁気ヘッドが求められてお
り、強磁性膜による磁区制御を行った磁気抵抗素子はこ
れらの磁気ヘッド用として注目されている。
【０００３】図６は強磁性膜による磁区制御が施された
磁気抵抗素子の構成を示す。１０はアルミナ、酸化ケイ
素等の電気的絶縁体によって形成された絶縁膜である。
絶縁膜１０の上には第１の磁性膜１２、非磁性膜１４、
第２の磁性膜１６がこの順に積層される。第１の磁性膜
１２と第２の磁性膜１６は一方が磁気抵抗膜（ＭＲ膜）
であり、他方がバイアス膜（ＳＡＬ膜）である。ＳＡＬ
膜はＭＲ膜にバイアス磁界を印加するためのもので、こ
れによって高感度で磁気情報を検知できるように作用す
る。非磁性膜１４は第１の磁性膜１２と第２の磁性膜１
６の磁気分離層として設けられる。ＭＲ膜としてはＮｉ
−Ｆｅ膜、ＳＡＬ膜としてはＮｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｒｈ、
Ｃｏ等の２種以上の合金からなる膜、非磁性膜としては
Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ膜等が使用される。
【０００４】第１の磁性膜１２、非磁性膜１４、第２の
磁性膜１６は平面形状が矩形で側面が端子１８を接続す
る傾斜面に形成された素子本体部を構成する。１８は素
子本体部の傾斜面に被着形成した電極である。端子１８
を接続する面を傾斜面に形成するのは、端子１８と第１
の磁性膜１２および第２の磁性膜１６との接触面積を大
きくとり、素子の抵抗を小さくするためである。
【０００５】図７は磁気抵抗素子の従来の製造方法を示
す。図７(a) はセラミック等の支持基体上に絶縁膜１
０、第１の磁性膜１２、非磁性膜１４、第２の磁性膜１
６を成膜した状態である。これらの各層はスパッタリン
グ法により、順次積層して成膜することができる。図６
に示すように、磁気ヘッド等に用いる磁気抵抗素子では
端子１８を被着形成する側面を傾斜面に形成する。その
ため、図７(a) に示すように、最上層の第２の磁性膜１
６の表面にレジスト膜２０を所定パターンに形成し、レ
ジスト膜２０をマスクとして成膜層をイオンミリングし
ている。
【０００６】図７(b) は第１の磁性膜１２、非磁性膜１
４、第２の磁性膜１６をイオンミリングすることによっ
て、端子１８を接続する面を傾斜面に形成した状態を示
す。レジスト膜２０はひさし部２０ａをひさし部２０ａ
よりも細幅の台部２０ｂによって支持した断面形状がア
ンダーカット状になるように形成している。これは、イ
オンミリングでイオンを斜入射させた際にひさし部２０
ａでイオンを遮蔽することにより端子１８を接続する面
を傾斜面に形成できるようにするためと、傾斜面の各々
に端子１８を被着して形成できるようにするためであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】第１の磁性膜１２、非
磁性膜１４、第２の磁性膜１６で端子１８を形成する面
をイオンミリングによって傾斜面に形成する場合は、第
２の磁性膜１６から下層に向けて徐々にエッチングして
いく。端子１８を形成する傾斜面の外側領域では絶縁膜
１０が露出するようにするから、通常は、イオンミリン
グによるエッチングによって絶縁膜１０の表面を若干オ
ーバーエッチングして、磁性膜等が絶縁膜１０上に残留
しないようにする。図７(b) でＬは絶縁膜１０がオーバ
ーエッチングされた深さを示す。
【０００８】イオンミリングによって第１の磁性膜１
２、非磁性膜１４、第２の磁性膜１６をエッチングする
従来の制御方法は、目視によってエッチングの停止時を
制御するか、第１の磁性膜１２を完全に除去するに必要
なエッチング時間をあらかじめ測定しておき、時間管理
によってエッチングする方法である。したがって、絶縁
膜１０の表面から第１の磁性膜１２を確実に除去するた
めに絶縁膜１０が若干オーバーエッチングされることが
避け得なかった。
【０００９】ところが、第１の磁性膜１２、非磁性膜１
４、第２の磁性膜１６が所定の傾斜面にエッチングされ
た後に絶縁膜１０がオーバーエッチングされると、絶縁
膜１０を形成する絶縁材が端子１８を形成する傾斜面の
表面に飛散して付着するという問題が生じる。図７(c)
は絶縁膜１０からの絶縁材１０ａが傾斜面に付着した状
態で端子１８が被着形成された状態を示す。このよう
に、絶縁材１０ａが付着した状態で端子１８が被着形成
されると、端子１８と素子部分との接触抵抗が不安定に
なり、磁気抵抗素子の抵抗が大きくなるという問題が生
じる。
【００１０】また、磁気抵抗素子の製造方法における他
の問題点として、絶縁膜１０の上に形成された第１の磁
性膜１２等は成膜工程で加熱されるが、この加熱によっ
て第１の磁性膜１２の原子が絶縁膜１０中に拡散し、磁
気抵抗素子の磁気特性が劣化するという問題がある。こ
れは、第１の磁性膜１２がＳＡＬ膜である場合に、第１
の磁性膜１２から絶縁膜１０に拡散が生じると第１の磁
性膜１２の特性が変化し、所要のバイアス磁界を作用さ
せることができなくなるためである。
【００１１】本発明は、上記のような従来の磁気抵抗素
子の製造についての問題点を解消すべくなされたもので
あり、絶縁膜の上にＭＲ膜、バイアス膜、非磁性膜を形
成して成る磁気抵抗素子として、安定した特性を有し、
信頼性の高い磁気抵抗素子として提供することができる
磁気抵抗素子の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁膜上に第１
の磁性膜と非磁性膜と第２の磁性膜とをこの順に成膜
し、前記第２の磁性膜上に素子本体部を形成する遮蔽用
のレジストを設け、前記第２の磁性膜側からイオンミリ
ングすることにより、前記絶縁膜上で前記第１の磁性膜
と非磁性膜と第２の磁性膜の側面を傾斜面にエッチング
し、前記絶縁膜上から前記傾斜面にかけて端子を被着形
成し、前記レジストを除去することにより磁気抵抗素子
を得る磁気抵抗素子の製造方法において、前記第１の磁
性膜と非磁性膜と第２の磁性膜をイオンミリングする際
に、前記傾斜面の外側領域の前記絶縁膜上で前記第１の
磁性膜を残膜させてエッチングすることを特徴とする。
これにより、イオンミリング工程で前記傾斜面上に前記
絶縁膜から絶縁材が飛散して付着することを防止し、信
頼性の高い磁気抵抗素子として提供することができる。
【００１３】また、前記イオンミリングにより前記第１
の磁性膜、非磁性膜、第２の磁性膜をエッチングする際
に、前記第１の磁性膜の膜厚を終点検知センサにより検
知することにより前記絶縁膜上に残留させる前記第１の
磁性膜の膜厚を制御することを特徴とする。これによ
り、前記絶縁膜上の前記第１の磁性膜の膜厚を精度よく
制御することができる。また、前記終点検知センサとし
て、前記第１の磁性膜を構成する金属による発光量を検
知し、前記第１の磁性膜からの発光量がピークとなる時
点から一定時間後に前記イオンミリングを停止させるよ
う制御するものが好適に用いられる。また、前記第１の
磁性膜の残膜の膜厚を約３０オングストロームに制御す
ることが好適である。
【００１４】また、絶縁膜上に第１の磁性膜と非磁性膜
と第２の磁性膜とをこの順に成膜し、前記第２の磁性膜
上に素子本体部を形成する遮蔽用のレジストを設け、前
記第２の磁性膜側からイオンミリングすることにより、
前記絶縁膜上で前記第１の磁性膜と非磁性膜と第２の磁
性膜の側面を傾斜面にエッチングし、前記絶縁膜上から
前記傾斜面にかけて端子を被着形成し、前記レジストを
除去することにより磁気抵抗素子を得る磁気抵抗素子の
製造方法において、前記絶縁膜上で前記絶縁膜と前記第
１の磁性膜との間に、前記第１の磁性膜および前記第２
の磁性膜よりも比抵抗の大きな下地膜を設け、前記イオ
ンミリングにより前記素子本体部を形成する際に、前記
素子本体部の外側領域の前記絶縁膜上で前記下地膜を残
膜させてエッチングすることを特徴とする。また、前記
下地膜が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ等の非磁性体材料によって
形成されているものが好適に使用できる。また、前記第
１の磁性膜と前記第２の磁性膜の一方がＭＲ膜であり、
他方がＳＡＬ膜であることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗素子
の製造方法について、添付図面とともに詳細に説明す
る。図１は本発明に係る磁気抵抗素子の製造方法の第１
の実施形態を示す説明図である。本実施形態の磁気抵抗
素子の製造方法も、上述した従来例と同様に絶縁膜上に
ＭＲ膜、バイアス膜、非磁性膜を成膜し、これらの成膜
層をイオンミリングすることによって製造するものであ
る。
【００１６】図１(a) は絶縁膜１０の上に第１の磁性膜
１２としてＳＡＬ膜を形成し、その上に非磁性膜１４、
さらにその上に第２の磁性膜１６としてＭＲ膜を形成し
た状態である。実施形態では第１の磁性膜１２としてＳ
ＡＬ膜を厚さ０．０１μm 、非磁性膜１４としてＴａを
厚さ０．０１μm 、第２の磁性膜１６としてＮｉ−Ｆｅ
を厚さ０．０１μm で各々スパッタリングにより成膜し
た。２０は各層をイオンミリングして端子１８を被着さ
せる面を傾斜面にエッチングして素子本体部を形成する
ためのレジストである。ひさし部２０ａはレジストのか
わりにアルミナによって形成する場合もある。
【００１７】本実施形態の磁気抵抗素子の製造方法で特
徴とする点は、イオンミリングにより各層をエッチング
していく際に、終点検知センサを利用して、下地の絶縁
膜１０があらわれる直前にイオンミリングを停止させる
ように制御する点にある。図１(b) はイオンミリングに
より最上層の第２の磁性膜１６から第１の磁性膜１２の
層までエッチングが進んだ状態を示す。
【００１８】図１(c) は第１の磁性膜１２のエッチング
を進めて、終点を検知する状態を示す。第１の磁性膜１
２は絶縁膜１０の表面に残留しないことが望ましい。し
かしながら、絶縁膜１０についてもイオンミリングして
しまうと、従来と同様に第１の磁性膜１２および第２の
磁性膜１６をエッチングして形成した傾斜面に絶縁材が
付着してしまうから、本実施形態では絶縁膜１０の表面
上に第１の磁性膜１２が厚さ３０オングストローム程度
残ったところでイオンミリングを停止させるように制御
する。
【００１９】絶縁膜１０の表面に残留する第１の磁性膜
１２の厚さが３０オングストローム程度であれば、絶縁
膜１０の上に端子１８を被着形成しても磁気抵抗素子の
抵抗に悪影響を与えることはない。従来のイオンミリン
グによっても絶縁膜１０の表面に第１の磁性膜１２が薄
く残留するように制御することも可能である。しかし、
目視による場合や時間管理による場合では残留膜厚の管
理を精度よく行うことができないから、膜厚のばらつき
が大きくなり、絶縁膜１０上の残膜の厚さも厚くなり磁
気抵抗素子の特性に影響を与える。
【００２０】本実施形態で絶縁膜１０の表面に残す第１
の磁性膜１２の厚さを高精度に制御できるのは、前述し
たように、終点検知センサを用いて膜厚を精度よく制御
するからである。本実施形態の終点検知センサはイオン
ミリングの際に磁性膜を構成する金属の発光量を分析す
ることによるものである。具体的には、第２の磁性膜１
６および第１の磁性膜１２ともニッケルを含んでいるか
ら、イオンミリングを行いつつニッケルの発光を分析し
て膜厚を検知した。
【００２１】図２〜４は、本実施形態での発光量の分析
結果を示す。図２〜４の各グラフは横軸がイオンミリン
グを行っている時間、縦軸が発光量である。図２に示す
グラフはイオンミリングを開始して第２の磁性膜１６か
ら非磁性膜１４、第１の磁性膜１２にかけてエッチング
を進めていった際に発光量が変化した様子を示す。Ａ部
分は第２の磁性膜１６からの発光による部分、Ｂ部分は
第２の磁性膜１６の厚さが徐々に減り、非磁性膜１４が
エッチングされ、第１の磁性膜１２からの発光量がピー
クになった辺りまでを示す。非磁性膜１４にはニッケル
が含まれていないから、中間の非磁性膜１４をエッチン
グしている辺りで発光量が極小になっている。
【００２２】図２からもわかるように、センサで検知す
る発光量は磁性膜の厚さによって変わるから、第１の磁
性膜１２にまでエッチングが進んだところでの発光量の
変動をモニターすることによって、絶縁膜１０の表面に
残す第１の磁性膜１２の膜厚を制御することができる。
具体的には、図３、４に示すように第１の磁性膜１２を
エッチングしている際の発光量のピーク位置Ｐを検知
し、このピーク位置Ｐから一定時間経過したところでイ
オンミリングを停止させるようにする。
【００２３】図３、４でＴ点はイオンミリングによって
第１の磁性膜１２がすべて絶縁膜１０上から除去された
時点、Ｓ点は絶縁膜１０上で第１の磁性膜１２を３０オ
ングストローム程度残すためにイオンミリングを停止さ
せる時点を示す。このように第１の磁性膜１２がエッチ
ングされる終点がわかれば、この終点（Ｔ点）よりも適
当な時間だけ前にイオンミリングを停止させることによ
って絶縁膜１０上に適宜の膜厚で第１の磁性膜１２を残
すように制御することができる。
【００２４】本実施形態では第１の磁性膜１２からの発
光量のピーク位置（Ｐ点）を検知し、このＰ点から一定
時間経過したときにイオンミリングを停止させるように
制御した。膜厚とイオンミリングによるエッチング速度
はあらかじめ知ることができるから、製品に合わせてイ
オンミリングを停止させる時点（Ｓ点）を選択すること
によって、絶縁膜１０の表面に残す膜厚を高精度に制御
することができる。図４に示すグラフは、膜厚が異なる
他のサンプルについての試験例である。このように、対
象物によってイオンミリングを停止させる時点（Ｓ点）
を選択することにより、製品に合わせて膜厚を制御する
ことができる。
【００２５】図１(d) は第１の磁性膜１２までエッチン
グした後、端子１８を被着した状態を示す。絶縁膜１０
上に残る第１の磁性膜１２の厚さは薄いから図では省略
している。端子１８を被着して形成した後、レジスト２
０を溶解して除去することにより、ＭＲ膜とＳＡＬ膜が
非磁性膜によって分離された磁気抵抗素子が得られる。
【００２６】上述したように、イオンミリングの際に磁
性膜を構成する金属による発光を分析して磁性膜の膜厚
を制御する方法は、従来の目視による場合や、エッチン
グ時間としてあらかじめ一定時間を設定してエッチング
する場合にくらべて、はるかに高精度に膜厚を制御する
ことが可能である。本方法の場合でも、絶縁膜１０の上
に残る第１の磁性膜１２の膜厚にはある程度のばらつき
は生じるが、従来の制御方法にくらべると膜厚のばらつ
きを少なくとも１／３程度まで減少させることができ
る。
【００２７】このように、絶縁膜１０の表面に第１の磁
性膜１２を残すことによって絶縁膜１０がイオンミリン
グされて第１の磁性膜１２や第２の磁性膜１６の表面に
絶縁材が付着することを防止することができ、磁気抵抗
素子の抵抗を小さくすることができる。また、絶縁膜１
０の表面に残留する磁気膜の膜厚のばらつきもきわめて
小さくなるから、特性のばらつきのない、信頼性の高い
磁気抵抗素子として提供することが可能となる。
【００２８】なお、上記実施形態では第１の磁性膜１２
と第２の磁性膜１６がともにニッケルを含有しているこ
とから、ニッケルの発光を検知して膜厚の制御を行っ
た。磁性膜には種々の材料が使用されるものであり、膜
厚を制御する場合には使用する磁性膜の材質に合わせて
検知する波長等を選択して発光量を検知すればよい。ま
た、上記実施形態では第１の磁性膜１２としてＳＡＬ膜
を、第２の磁性膜１６としてＭＲ膜を設けたが、これと
は逆に、第１の磁性膜１２としてＭＲ膜を形成し、第２
の磁性膜１６としてＳＡＬ膜を形成した場合もまったく
同様に膜厚を制御することができる。
【００２９】図５は絶縁膜１０をエッチングしないよう
にして磁気抵抗素子を製造する他の実施形態を示す。こ
の実施形態では絶縁膜１０と第１の磁性膜１２との間
に、イオンミリングする際に絶縁膜１０がオーバーエッ
チングされることを防止する下地膜２２を設けることを
特徴とする。図５(a) は絶縁膜１０の上に下地膜２２を
設け、下地膜２２の上に第１の磁性膜１２、非磁性膜１
４、第２の磁性膜１６を設けた状態を示す。
【００３０】下地膜２２はイオンミリングする際に絶縁
膜１０がエッチングされないように保護するものである
から、イオンミリングの際に絶縁膜１０に向かってイオ
ンが放出される範囲を保護するように被着範囲を決める
必要がある。図５(b) は第１の磁性膜１２、非磁性膜１
４、第２の磁性膜１６をイオンミリングによってエッチ
ングした状態を示す。第１の磁性膜１２、非磁性膜１
４、第２の磁性膜１６をエッチングすることによって下
地膜２２が露出するが、絶縁膜１０に対しては下地膜２
２を設けたことによって下地膜２２がエッチングされて
除去されるまでイオンミリングにさらされることはな
い。
【００３１】すなわち、第１の磁性膜１２までエッチン
グして下地膜２２が露出したところでイオンミリングを
停止させることによって、絶縁膜１０がエッチングされ
ることを防止することができる。第１の磁性膜１２まで
エッチングされて下地膜２２が露出したところでイオン
ミリングを停止させる方法としては、上述した実施形態
と同様に終点検知センサにより第１の磁性膜１２の終点
を検知して停止させる方法も可能であるが、下地膜２２
をある程度の膜厚に形成しておけば、イオンミリングを
作用させる時間を管理することで制御することも可能で
ある。時間制御によって下地膜２２が若干オーバーエッ
チングされるように設定しても、絶縁膜１０までオーバ
ーエッチングされることはないからである。下地膜２２
の厚さとしては２０〜１００オングストローム程度でよ
い。
【００３２】ただし、下地膜２２を使用する場合は、下
地膜２２として比抵抗の大きな材料を使用する必要があ
る。これは、図５(c) に示すように、下地膜２２が残っ
ている状態で第１の磁性膜１２と第２の磁性膜１６に端
子１８を被着して形成するから、下地膜２２を介して電
極間１８で電流が流れないようにする必要があるからで
ある。すなわち、下地膜２２としては第１の磁性膜１
２、第２の磁性膜１６よりも比抵抗の大きな材料によっ
て形成する必要がある。下地膜２２を形成する材料とし
ては比抵抗の大きい（ＭＲ膜の２倍以上）Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｒ等が使用できる。
【００３３】なお、下地層２２は第１の磁性膜１２、非
磁性膜１４、第２の磁性膜１６等を積層して成膜する工
程で加熱されることによって、第１の磁性膜１２の原子
が絶縁膜１０へ拡散することを防止する作用もある。た
とえばアルミナ、酸化ケイ素等によって絶縁膜１０を成
膜した表面上に下地膜２２を成膜しておけば、その上に
第１の磁性膜１２等を成膜して加熱等しても、第１の磁
性膜１２から絶縁膜１０に原子が拡散することはない。
これによって、製造工程中での加熱等で第１の磁性膜１
２等の特性が変わることを防止することができる。第１
の磁性膜１２等の特性が製造工程中で変動しないように
することは、安定した信頼性の高い磁気抵抗素子を得る
上で重要である。
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗素子の製造方法に
よれば、上述したように、イオンミリングによって磁性
膜等をエッチングする際に、絶縁膜上で磁性膜を残すよ
うにしてエッチングするから、端子を形成する傾斜面上
に絶縁膜からの絶縁材を付着させずに素子本体部を形成
することができ、特性のすぐれた、信頼性の高い磁気抵
抗素子を確実に得ることができる。また、絶縁膜と第１
の磁性膜との間に磁性膜を成膜することによって、すぐ
れた特性の磁気抵抗素子を得ることができる等の著効を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気抵抗素子の製造方法を示す説
明図である。
【図２】イオンミリングにより磁性膜等をエッチングす
る工程で発光量が変化する様子を示すグラフである。
【図３】イオンミリングにより磁性膜等をエッチングす
る工程で発光量が変化する様子を示すグラフである。
【図４】イオンミリングにより磁性膜等をエッチングす
る工程で発光量が変化する様子を示すグラフである。
【図５】本発明に係る磁気抵抗素子の他の製造方法を示
す説明図である。
【図６】磁気抵抗素子の構成を示す断面図である。
【図７】磁気抵抗素子の従来の製造方法を示す説明図で
ある。
【符号の説明】
１０ 絶縁膜 １２ 第１の磁性膜 １４ 非磁性膜 １６ 第２の磁性膜 １８ 電極 ２０ レジスト ２０ａ ひさし部 ２０ｂ 台部 ２２ 下地膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 織本 隆充 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岡田 光正 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁膜上に第１の磁性膜と非磁性膜と第
    ２の磁性膜とをこの順に成膜し、 前記第２の磁性膜上に素子本体部を形成する遮蔽用のレ
    ジストを設け、 前記第２の磁性膜側からイオンミリングすることによ
    り、前記絶縁膜上で前記第１の磁性膜と非磁性膜と第２
    の磁性膜の側面を傾斜面にエッチングし、 前記絶縁膜上から前記傾斜面にかけて端子を被着形成
    し、 前記レジストを除去することにより磁気抵抗素子を得る
    磁気抵抗素子の製造方法において、 前記第１の磁性膜と非磁性膜と第２の磁性膜をイオンミ
    リングする際に、前記傾斜面の外側領域の前記絶縁膜上
    で前記第１の磁性膜を残膜させてエッチングすることを
    特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 イオンミリングにより前記第１の磁性
    膜、非磁性膜、第２の磁性膜をエッチングする際に、前
    記第１の磁性膜の膜厚を終点検知センサにより検知する
    ことにより前記絶縁膜上に残留させる前記第１の磁性膜
    の膜厚を制御することを特徴とする請求項１記載の磁気
    抵抗素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記終点検知センサは、前記第１の磁性
    膜を構成する金属による発光量を検知し、前記第１の磁
    性膜からの発光量がピークとなる時点から一定時間後に
    前記イオンミリングを停止させるよう制御するものであ
    ることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗素子の製造
    方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の磁性膜の残膜の膜厚を約３０
    オングストロームに制御することを特徴とする請求項１
    記載の磁気抵抗素子の製造方法。
  5. 【請求項５】 絶縁膜上に第１の磁性膜と非磁性膜と第
    ２の磁性膜とをこの順に成膜し、 前記第２の磁性膜上に素子本体部を形成する遮蔽用のレ
    ジストを設け、 前記第２の磁性膜側からイオンミリングすることによ
    り、前記絶縁膜上で前記第１の磁性膜と非磁性膜と第２
    の磁性膜の側面を傾斜面にエッチングし、 前記絶縁膜上から前記傾斜面にかけて端子を被着形成
    し、 前記レジストを除去することにより磁気抵抗素子を得る
    磁気抵抗素子の製造方法において、 前記絶縁膜上で前記絶縁膜と前記第１の磁性膜との間
    に、前記第１の磁性膜および前記第２の磁性膜よりも比
    抵抗の大きな下地膜を設け、 前記イオンミリングにより前記素子本体部を形成する際
    に、前記素子本体部の外側領域の前記絶縁膜上で前記下
    地膜を残膜させてエッチングすることを特徴とする磁気
    抵抗素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記下地膜が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ等の非
    磁性体材料によって形成されていることを特徴とする請
    求項５記載の磁気抵抗素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁性膜と前記第２の磁性膜の
    一方がＭＲ膜であり、他方がＳＡＬ膜であることを特徴
    とする請求項１または５記載の磁気抵抗素子の製造方
    法。
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