JPH11260706A - Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatus - Google Patents
Illuminance meter, illuminance measuring method and exposure apparatusInfo
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- JPH11260706A JPH11260706A JP10074861A JP7486198A JPH11260706A JP H11260706 A JPH11260706 A JP H11260706A JP 10074861 A JP10074861 A JP 10074861A JP 7486198 A JP7486198 A JP 7486198A JP H11260706 A JPH11260706 A JP H11260706A
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置の照明光の照度の計測作業を簡略
し、照度計測に要する時間を短縮することである。
【解決手段】 露光対象としてのウエハと同様に搬送可
能なように薄板状に形成されたダミーウエハ51に一体
的に光センサ52を設けてなるウエハ型照度計50を用
い、複数の露光装置間でこの照度計50をウエハと同様
にウエハステージ上に順次搬入及び搬出しつつ、各露光
装置の投影光学系の結像面近傍における照明光の照度を
計測する。
An object of the present invention is to simplify the work of measuring the illuminance of illumination light of an exposure apparatus and reduce the time required for illuminance measurement. SOLUTION: A wafer-type illuminometer 50 in which an optical sensor 52 is integrally provided on a dummy wafer 51 formed in a thin plate so as to be able to be conveyed similarly to a wafer to be exposed is used between a plurality of exposure apparatuses. The illuminometer 50 is sequentially loaded and unloaded onto and from the wafer stage similarly to the wafer, and the illuminance of the illumination light in the vicinity of the image plane of the projection optical system of each exposure apparatus is measured.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、照度計、照度計測
方法及び露光装置に関し、さらに詳しくは、複数の露光
装置間でそれぞれの相対的な照度を計測するために使用
される照度計、照度計測方法及び露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an illuminometer, an illuminance measuring method, and an exposure apparatus, and more particularly, to an illuminometer and an illuminance used for measuring relative illuminance among a plurality of exposure apparatuses. The present invention relates to a measurement method and an exposure apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置等の製造に際
して、マスク又はレチクル(以下、総称して「マスク」
ともいう)等の原版に描かれたパターンを、レジストが
塗布された半導体ウエハや透明基板等の感光基板上に転
写するために、投影露光装置が用いられる。半導体装置
や液晶表示装置等の製造ラインでは、単一の投影露光装
置のみが使用されるわけではなく、一般に、複数の投影
露光装置が併用して使用される。2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, a mask or a reticle (hereinafter referred to as a "mask") is used.
For example, a projection exposure apparatus is used to transfer a pattern drawn on an original such as a semiconductor wafer or a transparent substrate coated with a resist. In a production line for a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like, not only a single projection exposure apparatus is used, but generally, a plurality of projection exposure apparatuses are used in combination.
【0003】このような場合において、各露光装置で製
造される製品のばらつき等を低減するために、各露光装
置間の露光量をマッチングさせる必要がある。そのため
に、露光装置内には内部光センサが常設してあり、間接
的に像面上の照度を計測し、その計測結果に基づき、各
露光装置間の露光量をマッチングさせている。しかしな
がら、各露光装置毎に設けられた内部光センサが、常に
正確な照度を検出しているとは限らず、経時変化等によ
り誤差が生じることがあり、該内部光センサの較正を行
う必用がある。In such a case, it is necessary to match the exposure amount between the respective exposure apparatuses in order to reduce variations in products manufactured by the respective exposure apparatuses. For this purpose, an internal optical sensor is permanently provided in the exposure apparatus, and the illuminance on the image plane is indirectly measured, and the exposure amount between the respective exposure apparatuses is matched based on the measurement result. However, the internal light sensor provided for each exposure apparatus does not always detect an accurate illuminance, and an error may occur due to aging or the like, and it is necessary to calibrate the internal light sensor. is there.
【0004】また、各露光装置による処理のスループッ
トを整合させる等のために、それぞれの相対照度を集中
的に管理する必用もある。There is also a need to centrally manage the relative illuminances in order to match the throughput of processing by each exposure apparatus.
【0005】そこで、各露光装置間での相対照度を計測
するための号機間照度計が用いられる。この照度計は、
ウエハステージ上のウエハホルダの近傍に設けられた専
用の装着部(アダプタ部)に対して着脱自在に構成され
ており、作業者は手作業により照度計を装着部に装着し
(差し込み)、像面上の照度を直接計測する。作業者
は、照度計測の終了後に照度計を装着部から取り外し、
他の露光装置について順次同様に作業することにより、
各露光装置の照度の計測を行う。Therefore, an inter-unit illuminometer for measuring the relative illuminance between the respective exposure apparatuses is used. This illuminometer
It is configured to be detachable from a dedicated mounting section (adapter section) provided near the wafer holder on the wafer stage, and the operator manually mounts (inserts) the illuminometer on the mounting section and inserts the image plane. Measure the above illuminance directly. The worker removes the illuminometer from the mounting part after the illuminance measurement ends,
By working in the same way for the other exposure equipment,
The illuminance of each exposure device is measured.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハステ
ージの近傍には投影光学系その他の部材が存在するた
め、照度計の着脱作業は非常に限られたスペースに手を
入れて行わなければならず、また、露光装置の構成上、
作業者の位置からウエハステージの位置まではある程度
の距離があるため、その作業は容易でなく、着脱作業に
長時間を要するとともに、ウエハステージ上あるいはそ
の近傍に存在する精密部材等に接触して傷つけたり、ゴ
ミを落下させて障害を発生させることがある等の問題が
あった。By the way, since the projection optical system and other members exist near the wafer stage, the work of attaching and detaching the illuminometer must be performed by putting a hand in a very limited space. In addition, due to the configuration of the exposure apparatus,
Since there is a certain distance from the position of the operator to the position of the wafer stage, the work is not easy, and it takes a long time to attach and detach the work, and it comes in contact with precision members etc. on or near the wafer stage. There have been problems such as damage or damage caused by dropping dust.
【0007】また、照度計による照度の計測は、一連の
露光処理の途中で該露光処理を中断して実施される場合
があるが、照度計の着脱作業に伴う装置本体が収容され
たチャンバの扉等の開閉により、チャンバ内の温度が乱
れ、作業終了後にチャンバ内の温度が安定するまでに長
時間を要し、その間露光処理の再開ができないという問
題もあった。In some cases, the illuminance measurement by the illuminometer is performed by interrupting the exposure process during a series of exposure processes. The opening and closing of the door and the like disturbs the temperature in the chamber, and it takes a long time until the temperature in the chamber is stabilized after the operation is completed, during which the exposure process cannot be restarted.
【0008】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、露光装置の投影光学系の結像面における照明光の照
度計測に伴う作業を簡略し、照度計測に要する時間を短
縮することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to simplify the work involved in measuring the illuminance of illumination light on the image forming plane of a projection optical system of an exposure apparatus, and to reduce the time required for illuminance measurement. And
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に
対応つけて説明するが、本発明の各構成要件は、これら
部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものでは
ない。In the following description, the present invention will be described with reference to the member codes shown in the drawings showing the embodiments. However, the present invention is not limited to the members shown in the drawings attached with.
【0010】請求項1 本発明の請求項1に係る照度計は、照明光学系により照
明されたマスク(11)からのパターンの像を、基板ス
テージ(28)上に保持される感光基板(14)上に投
影光学系(13)により投射するようにした露光装置の
該投影光学系の結像面近傍における照明光の照度を計測
する照度計(50)において、前記感光基板と同様に搬
送可能なように薄板状に形成されたダミー基板(51)
に一体的に照度検知部(52)を設けてなることを特徴
とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an illuminometer, wherein a pattern image from a mask (11) illuminated by an illumination optical system is transferred to a photosensitive substrate (14) held on a substrate stage (28). In an illuminometer (50) for measuring the illuminance of illumination light in the vicinity of the image forming plane of the projection optical system of an exposure apparatus configured to project the light onto the projection optical system (13), the exposure apparatus can convey the same as the photosensitive substrate. Dummy substrate (51) formed in a thin plate shape
And an illuminance detection unit (52) is provided integrally therewith.
【0011】本発明に係る照度計は、感光基板と同様に
搬送可能なように薄板状に形成されているから、この照
度計を感光基板の搬送系(103)により搬送して、基
板ステージ上に搬入・保持させ、この状態で照度の計測
を行い、照度の計測後、基板ステージから搬出すること
ができる。The illuminometer according to the present invention is formed in a thin plate shape so that it can be transported in the same manner as the photosensitive substrate. The illuminance is measured in this state, and after the illuminance is measured, the illuminance can be carried out of the substrate stage.
【0012】従って、従来のように照度計を基板ステー
ジに対して着脱する作業が不要であり、照度計測に伴う
作業が極めて簡略となる。また、照度の計測に伴いチャ
ンバの扉等の開閉の必用が無いから、チャンバ内の空調
等との関係で露光処理の再開までに長時間を要すること
が無いばかりか、極めて短時間で照度の計測を行うこと
ができるので、照度計測に伴う露光処理の中断時間を短
縮することができ、極めて高効率的に照度の計測を行う
ことができる。Therefore, the work of attaching and detaching the illuminance meter to and from the substrate stage as in the related art is unnecessary, and the work involved in the illuminance measurement is extremely simplified. In addition, since there is no need to open and close the chamber door and the like in connection with the measurement of the illuminance, not only does it take a long time to resume the exposure processing due to the air conditioning in the chamber, etc. Since the measurement can be performed, the interruption time of the exposure processing accompanying the illuminance measurement can be reduced, and the illuminance can be measured extremely efficiently.
【0013】請求項2 本発明の請求項2に係る照度計測方法は、露光対象とし
ての感光基板(14)と同様に搬送可能なように薄板状
に形成されたダミー基板(51)に一体的に照度検知部
(52)を設けてなる照度計(50)を用い、複数の露
光装置(30a,30b,30c,30d)間で該照度
計を前記感光基板と同様に基板ステージ(28)上に順
次搬入及び搬出しつつ、各露光装置の投影光学系(1
3)の結像面近傍における照明光の照度を計測するよう
にしたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the illuminance measuring method, a dummy substrate (51) formed in a thin plate shape so as to be conveyable similarly to the photosensitive substrate (14) to be exposed is integrated. An illuminometer (50) provided with an illuminance detector (52) is provided between the plurality of exposure devices (30a, 30b, 30c, 30d) on the substrate stage (28) similarly to the photosensitive substrate. The projection optical system (1
3) The illuminance of the illumination light in the vicinity of the image plane is measured.
【0014】本発明に係る照度計測方法によると、感光
基板と同様に搬送可能なように薄板状に形成された照度
計を用い、この照度計を感光基板と同様に基板ステージ
上に搬入及び搬出しつつ各露光装置の照度を計測するよ
うにしたから、従来のように照度計を基板ステージに対
して着脱する作業が不要となり、照度計測に伴う作業が
極めて簡略となる。According to the illuminance measuring method according to the present invention, an illuminometer formed in a thin plate so as to be transportable like a photosensitive substrate is used, and the illuminometer is loaded and unloaded onto a substrate stage in the same manner as the photosensitive substrate. In addition, since the illuminance of each exposure apparatus is measured, the work of attaching and detaching the illuminometer to and from the substrate stage as in the related art is not required, and the work involved in the illuminance measurement is extremely simplified.
【0015】また、照度の計測に伴いチャンバの扉等の
開閉の必用が無いから、チャンバ内の空調等との関係で
露光処理の再開までに長時間を要することが無いばかり
か、極めて短時間で照度の計測を行うことができるの
で、複数の露光装置等を備えたリソグラフィ・システム
(半導体装置等の製造ライン)における各露光装置にお
いて、非常に短時間で照度計測を行うことができ、露光
処理の中断時間を短くすることができ、各露光装置の照
度の管理も容易になる。Further, since there is no necessity to open and close the doors of the chamber, etc. in connection with the measurement of the illuminance, not only does it take a long time to restart the exposure processing due to the air conditioning in the chamber, but also an extremely short time. Illuminance can be measured in each exposure apparatus in a lithography system (manufacturing line such as a semiconductor device) having a plurality of exposure apparatuses and the like. The processing interruption time can be shortened, and the illuminance of each exposure apparatus can be easily managed.
【0016】請求項3 本発明の請求項3に係る露光装置は、照明光学系により
照明されたマスク(11)からのパターンの像を、基板
ステージ(28)上に載置された基板ホルダ(151)
に保持される感光基板(14)上に投影光学系(13)
により投射するようにした露光装置において、前記基板
ホルダは、前記基板ステージに対して着脱自在に構成さ
れ、かつ前記感光基板に対する保持面に一体的に照度検
知部(52)を有することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in an exposure apparatus, an image of a pattern from a mask (11) illuminated by an illumination optical system is transferred to a substrate holder (28) mounted on a substrate stage (28). 151)
Optical system (13) on a photosensitive substrate (14) held by
The substrate holder is configured to be detachable from the substrate stage, and has an illuminance detector (52) integrally on a holding surface for the photosensitive substrate. I do.
【0017】本発明に係る露光装置は、基板ステージに
対して着脱自在に構成され、かつ照度検知部を有する基
板ホルダを備えているから、例えば、基板ホルダを搬送
系(103)により搬送して、基板ステージ上に搬入・
載置し、この状態で照度の計測を行い、照度の計測後、
基板ステージから搬出することが可能である。従って、
従来のように照度計を基板ステージに対して着脱する作
業が不要であり、照度計測に伴う作業が極めて簡略とな
る。また、照度の計測に伴いチャンバの扉等の開閉の必
用も無くすことができるから、チャンバ内の空調等との
関係で露光処理の再開までに長時間を要することが無い
ばかりか、極めて短時間で照度計測を行うことができる
ので、露光処理の中断時間を短くすることができ、高効
率的に照度の計測を行うことができる。The exposure apparatus according to the present invention is provided with a substrate holder which is detachably attached to the substrate stage and has an illuminance detecting section. Therefore, for example, the substrate holder is transported by the transport system (103). , Loaded on the substrate stage
Place, measure the illuminance in this state, after measuring the illuminance,
It is possible to carry it out of the substrate stage. Therefore,
The work of attaching and detaching the illuminance meter to and from the substrate stage as in the related art is unnecessary, and the work involved in the illuminance measurement is extremely simplified. In addition, since the need to open and close the chamber door and the like can be eliminated along with the measurement of the illuminance, not only does it take a long time to resume the exposure processing due to air conditioning in the chamber, but also an extremely short time. , The interruption time of the exposure processing can be shortened, and the illuminance can be measured efficiently.
【0018】請求項4 本発明の請求項4に係る照度計測方法は、基板ステージ
(28)に対して着脱自在に構成され、かつ一体的に照
度検知部(52)を有する基板ホルダ(151)を、複
数の露光装置(30a,30b,30c,30d)の基
板ステージ上に順次載置しつつ、各露光装置の投影光学
系の結像面近傍における照度を計測するようにしたこと
を特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an illuminance measuring method, wherein the substrate holder is configured to be detachable from the substrate stage and has an integrated illuminance detection section. Are sequentially mounted on the substrate stages of a plurality of exposure apparatuses (30a, 30b, 30c, 30d), and the illuminance in the vicinity of the imaging plane of the projection optical system of each exposure apparatus is measured. I do.
【0019】本発明に係る照度計測方法によると、基板
ステージに対して着脱自在に構成され、かつ照度検知部
を有する基板ホルダを用い、この基板ホルダを基板ステ
ージ上に搬入及び搬出しつつ各露光装置の照度を計測す
るようにしたから、従来のように照度計を基板ステージ
に対して着脱する作業が不要であり、照度計測に伴う作
業が極めて簡略となる。According to the illuminance measuring method of the present invention, each exposure is performed while loading and unloading the substrate holder onto and from the substrate stage using a substrate holder which is detachably mounted on the substrate stage and has an illuminance detecting section. Since the illuminance of the apparatus is measured, the work of attaching and detaching the illuminometer to and from the substrate stage as in the related art is unnecessary, and the work involved in the illuminance measurement is extremely simplified.
【0020】また、照度の計測に伴いチャンバの扉等の
開閉の必用が無いから、チャンバ内の空調等との関係で
露光処理の再開までに長時間を要することが無いばかり
か、極めて短時間で照度の計測を行うことができるの
で、複数の露光装置等を備えたリソグラフィ・システム
(半導体装置等の製造ライン)における各露光装置にお
いて、非常に短時間で照度計測を行うことができ、露光
処理の中断時間を短くすることができ、各露光装置の照
度の管理も容易になる。Further, since there is no necessity to open and close the chamber door and the like in connection with the measurement of the illuminance, not only does it take a long time to resume the exposure processing due to the air conditioning in the chamber, but also very short time. Illuminance can be measured in each exposure apparatus in a lithography system (manufacturing line such as a semiconductor device) having a plurality of exposure apparatuses and the like. The processing interruption time can be shortened, and the illuminance of each exposure apparatus can be easily managed.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。一実施形態 図1は本発明の一実施形態に係る照度計の回路構成の概
略を示すブロック図、図2は図1に示す照度計における
主要回路の特性を示す概略図、図3はリソグラフィ・シ
ステムを示す概略図、図4は露光装置の一例を示す概略
図、図5はウエハステージの概略斜視図、図6は照度計
の較正方法の一例を示す概略図、図7は露光装置のウエ
ハの搬送系等の構成を示す平面断面図、図8はウエハス
テージ及びウエハホルダの要部構成を示す断面図、図9
はダミーウエハに一体的に光センサを設けてなるウエハ
型照度計の外観構成を示す斜視図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on embodiments shown in the drawings. An embodiment Figure 1 is a block diagram showing an outline of the circuit configuration of the illuminance meter according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing the characteristics of the main circuit in a luminometer shown in FIG. 1, FIG. 3 is a lithographic FIG. 4 is a schematic view showing an example of an exposure apparatus, FIG. 5 is a schematic perspective view of a wafer stage, FIG. 6 is a schematic view showing an example of a method of calibrating an illuminometer, and FIG. 7 is a wafer of the exposure apparatus. FIG. 8 is a cross-sectional plan view showing a configuration of a transfer system and the like of FIG.
FIG. 3 is a perspective view showing an external configuration of a wafer-type illuminometer in which an optical sensor is provided integrally with a dummy wafer.
【0022】(1)リソグラフィ・システム 本発明が適用されるリソグラフィ・システムは、マイク
ロデバイスとしての半導体装置を製造するシステムであ
り、図3に示すように、KrFエキシマレーザを露光用
照明光源とする露光装置30aと、ArFエキシマレー
ザを露光用照明光源とする露光装置30b〜30dとが
混在されて構成されている。これら二種類の露光装置3
0a〜30dは、同一のホストコンピュータ76に接続
されており、それぞれの稼働状況等がモニターされ、生
産管理されている。これらの各露光装置30a〜30d
の照度は、号機間照度計としてのウエハ型照度計50に
より計測され、露光装置間の露光量をマッチング等させ
るために使用される。なお、この一実施形態では、光源
が異なる二種類の露光装置が混在したシステムについて
説明するが、単一種類の複数の露光装置から構成される
システムでも、あるいはさらに複数種類の露光装置から
構成されるシステムでもよい。(1) Lithography System A lithography system to which the present invention is applied is a system for manufacturing a semiconductor device as a micro device. As shown in FIG. 3, a KrF excimer laser is used as an illumination light source for exposure. An exposure apparatus 30a and exposure apparatuses 30b to 30d using an ArF excimer laser as an illumination light source for exposure are mixed. These two types of exposure apparatus 3
Reference numerals 0a to 30d are connected to the same host computer 76, and their operation status and the like are monitored and production management is performed. Each of these exposure apparatuses 30a to 30d
Is measured by the wafer-type illuminometer 50 as an inter-unit illuminometer, and is used for matching the exposure amount between the exposure apparatuses. In this embodiment, a system in which two types of exposure apparatuses having different light sources are mixed will be described. However, a system including a plurality of exposure apparatuses of a single type, or a system including a plurality of types of exposure apparatuses. System.
【0023】(2)露光装置の光学系 まず、図4に基づき、一つの露光装置30aの主として
光学系について説明する。図3に示す他の露光装置30
b〜30dについての説明は省略するが、基本的な構成
は、図4に示すものと同様であり、露光用照明光のため
の光源の種類が異なるのみである。(2) Optical System of Exposure Apparatus First, the optical system of one exposure apparatus 30a will be mainly described with reference to FIG. Another exposure apparatus 30 shown in FIG.
Although the description of b to 30d is omitted, the basic configuration is the same as that shown in FIG. 4 except for the type of the light source for the exposure illumination light.
【0024】図4に示すように、本実施形態に係る露光
装置30aは、いわゆるステップ・アンド・スキャン方
式の露光装置であり、マスクとしてのレチクル11上の
パターンの一部を投影光学系13を介して基板としての
レジストが塗布されたウエハ14上に縮小投影露光した
状態で、レチクル11とウエハ14とを、投影光学系1
3に対して同期移動させることにより、レチクル11上
のパターンの縮小像を逐次ウエハ14の各ショット領域
に転写し、ウエハ14の上に半導体装置を製造するよう
になっている。As shown in FIG. 4, the exposure apparatus 30a according to the present embodiment is a so-called step-and-scan type exposure apparatus, which projects a part of a pattern on a reticle 11 as a mask by using a projection optical system 13. The reticle 11 and the wafer 14 are exposed to the projection optical system 1 in a state where the wafer is coated with a resist as a substrate through a reduced projection exposure.
By performing synchronous movement with respect to 3, the reduced image of the pattern on the reticle 11 is sequentially transferred to each shot area of the wafer 14, and a semiconductor device is manufactured on the wafer 14.
【0025】本実施形態の露光装置30aは、露光用光
源1としてKrFエキシマレーザ(発振波長248n
m)を有する。露光用光源1からパルス発光されたレー
ザビームLBは、ビーム整形・変調光学系2へ入射する
ようになっている。本実施形態では、ビーム整形・変調
光学系2は、ビーム整形光学系2aと、エネルギー変調
器2bとから成る。ビーム整形光学系2aは、シリンダ
レンズやビームエキスパンダ等で構成してあり、これら
により、後続のフライアイレンズ5に効率よく入射する
ようにビームの断面形状が整形される。The exposure apparatus 30a of this embodiment uses a KrF excimer laser (oscillation wavelength 248n) as the exposure light source 1.
m). The laser beam LB pulse-emitted from the exposure light source 1 enters the beam shaping / modulating optical system 2. In the present embodiment, the beam shaping / modulating optical system 2 includes a beam shaping optical system 2a and an energy modulator 2b. The beam shaping optical system 2a includes a cylinder lens, a beam expander, and the like, and the cross-sectional shape of the beam is shaped so as to efficiently enter the subsequent fly-eye lens 5.
【0026】図4に示すエネルギー変調器2bは、エネ
ルギー粗調器及びエネルギー微調器等で構成してあり、
エネルギー粗調器は、回転自在なレボルバ上に透過率
(=(1−減光率)×100(%))の異なる複数個の
NDフィルタを配置したものであり、そのレボルバを回
転することにより、入射するレーザビームLBに対する
透過率を100%から複数段階で切り換えることができ
るようになっている。なお、そのレボルバと同様のレボ
ルバを2段配置し、2組のNDフィルタの組み合わせに
よってより細かく透過率を調整できるようにしてもよ
い。一方、エネルギー微調器は、ダブル・グレーティン
グ方式、又は傾斜角可変の2枚の平行平板ガラスを組み
合わせた方式等で、所定範囲内でレーザビームLBに対
する透過率を連続的に微調整するものである。ただし、
このエネルギー微調器を使用する代わりに、エキシマレ
ーザ光源1の出力変調によってレーザビームLBのエネ
ルギーを微調整してもよい。The energy modulator 2b shown in FIG. 4 comprises an energy coarse adjuster, an energy fine adjuster and the like.
The energy rough adjuster has a plurality of ND filters having different transmittances (= (1−dimming rate) × 100 (%)) arranged on a rotatable revolver, and the revolver is rotated by rotating the revolver. The transmittance for the incident laser beam LB can be switched from 100% in a plurality of steps. Note that a revolver similar to the revolver may be arranged in two stages so that the transmittance can be more finely adjusted by a combination of two sets of ND filters. On the other hand, the energy fine adjuster continuously fine-tunes the transmittance for the laser beam LB within a predetermined range by a double grating method or a method combining two parallel flat glass plates with variable tilt angles. . However,
Instead of using this energy fine adjuster, the energy of the laser beam LB may be finely adjusted by the output modulation of the excimer laser light source 1.
【0027】図4において、ビーム整形・変調光学系2
から射出されたレーザビームLBは、光路折り曲げ用の
ミラーMを介してフライアイレンズ5に入射する。In FIG. 4, the beam shaping / modulating optical system 2
The laser beam LB emitted from the lens enters the fly-eye lens 5 via a mirror M for bending the optical path.
【0028】フライアイレンズ5は、後続のレチクル1
1を均一な照度分布で照明するために多数の2次光源を
形成する。図4に示すように、フライアイレンズ5の射
出面には照明系の開口絞り(いわゆるσ絞り)6が配置
してあり、その開口絞り6内の2次光源から射出される
レーザビーム(以下、「パルス照明光IL」と呼ぶ)
は、反射率が小さく透過率の大きなビームスプリッタ7
に入射し、ビームスプリッタ7を透過した露光用照明光
としてのパルス照明光ILは、リレーレンズ8を介して
コンデンサレンズ10へ入射するようになっている。The fly-eye lens 5 is connected to the subsequent reticle 1
A number of secondary light sources are formed to illuminate 1 with a uniform illumination distribution. As shown in FIG. 4, an aperture stop (so-called σ stop) 6 of an illumination system is arranged on an emission surface of the fly-eye lens 5, and a laser beam (hereinafter, referred to as a beam) emitted from a secondary light source in the aperture stop 6 is provided. , "Pulse illumination light IL")
Is a beam splitter 7 having a small reflectance and a large transmittance.
, And the pulse illumination light IL as the illumination light for exposure transmitted through the beam splitter 7 is incident on the condenser lens 10 via the relay lens 8.
【0029】リレーレンズ8は、第1リレーレンズ8A
と、第2リレーレンズ8Bと、これらレンズ8A,8B
間に配置される固定照明視野絞り(固定レチクルブライ
ンド)9A及び可動照明視野絞り9Bとを有する。固定
照明視野絞り9Aは、矩形の開口部を有し、ビームスプ
リッタ7を透過したパルス照明光ILは、第1リレーレ
ンズ8Aを経て固定照明視野絞り9Aの矩形の開口部を
通過するようになっている。また、この固定照明視野絞
り9Aは、レチクルのパターン面に対する共役面の近傍
に配置してある。可動照明視野絞り9Bは、走査方向の
位置及び幅が可変の開口部を有し、固定照明視野絞り9
Aの近くに配置してあり、走査露光の開始時及び終了時
にその可動照明視野絞り9Bを介して照明視野フィール
ドをさらに制限することによって、不要な部分(レクチ
ルパターンが転写されるウエハ上のショット領域以外)
の露光が防止されるようになっている。The relay lens 8 includes a first relay lens 8A
, A second relay lens 8B, and these lenses 8A, 8B
It has a fixed illumination field stop (fixed reticle blind) 9A and a movable illumination field stop 9B interposed therebetween. The fixed illumination field stop 9A has a rectangular opening, and the pulsed illumination light IL transmitted through the beam splitter 7 passes through the rectangular opening of the fixed illumination field stop 9A via the first relay lens 8A. ing. The fixed illumination field stop 9A is arranged near a conjugate plane with respect to the pattern surface of the reticle. The movable illumination field stop 9B has an opening whose position and width in the scanning direction are variable.
A, and further limiting the illumination field via its movable illumination field stop 9B at the beginning and end of the scanning exposure to reduce unwanted portions (shots on the wafer where the reticle pattern is transferred). Out of area)
Exposure is prevented.
【0030】図4に示すように、固定照明視野絞り9A
及び可動照明視野絞り9Bを通過したパルス照明光IL
は、第2リレーレンズ8B及びコンデンサレンズ10を
経て、レチクルステージ15上に保持されたレチクル1
1上の矩形の照明領域12Rを均一な照度分布で照明す
る。レチクル11上の照明領域12R内のパターンを投
影光学系13を介して投影倍率α(αは例えば1/4,
1/5等)で縮小した像が、フォトレジストが塗布され
たウエハ(感光基板)14上の照明視野フィールド12
Wに投影露光される。以下、投影光学系13の光軸AX
に平行にZ軸を取り、その光軸AXに垂直な平面内で照
明領域12Rに対するレチクル11の走査方向(即ち、
図4の紙面に平行な方向)をY方向、その走査方向に垂
直な非走査方向をX方向として説明する。As shown in FIG. 4, the fixed illumination field stop 9A
Illumination light IL that has passed through the movable illumination field stop 9B
Is a reticle 1 held on a reticle stage 15 via a second relay lens 8B and a condenser lens 10.
1 is illuminated with a uniform illumination distribution on the rectangular illumination region 12R. The pattern in the illumination area 12R on the reticle 11 is projected through the projection optical system 13 through a projection magnification α (α is, for example, 4 ,,
An image reduced by 5) is applied to an illumination field field 12 on a photoresist-coated wafer (photosensitive substrate) 14.
W is projected and exposed. Hereinafter, the optical axis AX of the projection optical system 13
And the scanning direction of the reticle 11 with respect to the illumination area 12R in a plane perpendicular to the optical axis AX (ie,
The direction parallel to the plane of FIG. 4) will be described as the Y direction, and the non-scanning direction perpendicular to the scanning direction as the X direction.
【0031】このとき、レチクルステージ15はレチク
ルステージ駆動部18によりY方向に走査される。外部
のレーザ干渉計16により計測されるレチクルステージ
15のY座標がステージコントローラ17に供給され、
ステージコントローラ17は供給された座標に基づいて
レチクルステージ駆動部18を介して、レチクルステー
ジ15の位置及び速度を制御する。At this time, the reticle stage 15 is scanned by the reticle stage driving section 18 in the Y direction. The Y coordinate of the reticle stage 15 measured by the external laser interferometer 16 is supplied to the stage controller 17,
The stage controller 17 controls the position and speed of the reticle stage 15 via the reticle stage driving unit 18 based on the supplied coordinates.
【0032】一方、ウエハ14は、後述するウエハホル
ダWHを介してウエハステージ28上に載置される。ウ
エハステージ28は、Zチルトステージ19と、Zチル
トステージ19が載置されるXYステージ20とを有す
る。XYステージ20は、X方向及びY方向にウエハ1
4の位置決めを行うと共に、Y方向にウエハ14を走査
する。また、Zチルトステージ19は、ウエハ14のZ
方向の位置(フォーカス位置)を調整すると共に、XY
平面に対するウエハ14の傾斜角を調整する機能を有す
る。Zチルトステージ19上に固定された移動鏡、及び
外部のレーザ干渉計22により計測されるXYステージ
20(ウエハ14)のX座標、及びY座標がステージコ
ントローラ17に供給され、ステージコントローラ17
は、供給された座標に基づいてウエハステージ駆動部2
3を介してXYステージ20の位置及び速度を制御す
る。On the other hand, the wafer 14 is mounted on a wafer stage 28 via a wafer holder WH described later. The wafer stage 28 has a Z tilt stage 19 and an XY stage 20 on which the Z tilt stage 19 is mounted. The XY stage 20 moves the wafer 1 in the X direction and the Y direction.
4 and the wafer 14 is scanned in the Y direction. Further, the Z tilt stage 19 holds the Z
Direction position (focus position) and XY
It has a function of adjusting the inclination angle of the wafer 14 with respect to the plane. The X coordinate and the Y coordinate of the XY stage 20 (wafer 14) measured by the movable mirror fixed on the Z tilt stage 19 and the external laser interferometer 22 are supplied to the stage controller 17, and the stage controller 17
Is based on the supplied coordinates.
The position and the speed of the XY stage 20 are controlled via 3.
【0033】また、ステージコントローラ17の動作
は、不図示の装置全体を統轄制御する主制御系によって
制御されている。そして、走査露光時には、レチクル1
1がレチクルステージ15を介して+Y方向(又は−Y
方向)に速度VR で走査されるのに同期して、XYステ
ージ20を介してウエハ14は照明視野フィールド12
Wに対して−Y方向(又は+Y方向)に速度α・V
R (αはレチクル11からウエハ14に対する投影倍
率)で走査される。The operation of the stage controller 17 is controlled by a main control system (not shown) which controls the entire apparatus. At the time of scanning exposure, the reticle 1
1 is in the + Y direction (or −Y) via the reticle stage 15.
Synchronization to be scanned at a speed V R in a direction), the wafer 14 via the XY stage 20 is illuminated field field 12
Speed α · V in the −Y direction (or + Y direction) with respect to W
The scanning is performed at R (α is a projection magnification from the reticle 11 to the wafer 14).
【0034】また、Zチルトステージ19上のウエハ1
4の近傍に光変換素子からなる照度むらセンサ21が常
設され、照度むらセンサ21の受光面はウエハ14の表
面と同じ高さに設定されている。照度むらセンサ21と
しては、遠紫外で感度があり、且つパルス照明光を検出
するために高い応答周波数を有するPIN型のフォトダ
イオード等が使用できる。照度むらセンサ21の検出信
号が不図示のピークホールド回路、及びアナログ/デジ
タル(A/D)変換器を介して露光コントローラ26に
供給されている。The wafer 1 on the Z tilt stage 19
An uneven illuminance sensor 21 composed of a light conversion element is permanently provided in the vicinity of 4, and the light receiving surface of the uneven illuminance sensor 21 is set at the same height as the surface of the wafer 14. As the uneven illuminance sensor 21, a PIN-type photodiode or the like having sensitivity in far ultraviolet and having a high response frequency for detecting pulsed illumination light can be used. A detection signal of the uneven illuminance sensor 21 is supplied to an exposure controller 26 via a peak hold circuit (not shown) and an analog / digital (A / D) converter.
【0035】なお、図4に示すビームスプリッタ7で反
射されたパルス照明光ILは、集光レンズ24を介して
光変換素子よりなるインテグレータセンサ25で受光さ
れ、インテグレータセンサ25の光電変換信号が、不図
示のピークホールド回路及びA/D変換器を介して出力
DSとして露光コントローラ26に供給される。インテ
グレータセンサ25の出力DSと、ウエハ14の表面上
でのパルス照明光ILの照度(露光量)との相関係数は
予め照度計を用いて求められて露光コントローラ26内
に記憶されている。露光コントローラ26は、制御情報
TSを露光用光源1に供給することによって、露光用光
源1の発光タイミング、及び発光パワー等を制御する。
露光コントローラ26は、さらにエネルギー変調器2b
での減光率を制御し、ステージコントローラ17はステ
ージ系の動作情報に同期して可動照明視野絞り9Bの開
閉動作を制御する。The pulse illumination light IL reflected by the beam splitter 7 shown in FIG. 4 is received by an integrator sensor 25 composed of a light conversion element via a condenser lens 24, and the photoelectric conversion signal of the integrator sensor 25 is The output DS is supplied to the exposure controller 26 via a peak hold circuit (not shown) and an A / D converter. The correlation coefficient between the output DS of the integrator sensor 25 and the illuminance (exposure amount) of the pulse illumination light IL on the surface of the wafer 14 is obtained in advance using an illuminometer and stored in the exposure controller 26. The exposure controller 26 controls the light emission timing and light emission power of the exposure light source 1 by supplying the control information TS to the exposure light source 1.
The exposure controller 26 further includes an energy modulator 2b
The stage controller 17 controls the opening and closing operation of the movable illumination field stop 9B in synchronization with the operation information of the stage system.
【0036】(3)ウエハの搬送系 次に、この露光装置のウエハの搬送系について説明す
る。この露光装置はウエハの自動搬送装置を備えてい
る。このウエハの自動搬送装置としては、例えば、特開
平7−240366号公報に開示されているようなもの
を採用することができる。この自動搬送装置を、図7を
参照して説明する。(3) Wafer Transport System Next, the wafer transport system of this exposure apparatus will be described. This exposure apparatus includes an automatic wafer transfer device. As the automatic wafer transfer device, for example, a device as disclosed in JP-A-7-240366 can be employed. This automatic transporter will be described with reference to FIG.
【0037】図4に示したような露光装置の光学系10
0は、空調された第1の独立チャンバ101内に収納・
設置されている。ウエハステージ28(Zチルトステー
ジ19)上にはウエハホルダWHが真空吸着により保持
されており、露光対象としてのウエハ14はウエハホル
ダWH上に真空吸着により保持される。The optical system 10 of the exposure apparatus as shown in FIG.
0 is stored in the air-conditioned first independent chamber 101.
is set up. A wafer holder WH is held on the wafer stage 28 (Z tilt stage 19) by vacuum suction, and the wafer 14 to be exposed is held on the wafer holder WH by vacuum suction.
【0038】ウエハ14の円形の外周の一部にオリエン
テーションフラット(又はノッチ)と呼ばれる切欠き部
が形成してあり、この切欠き部が所定の方向を向くよう
に、且つウエハ14の中心がウエハホルダWHに対して
所定の位置関係になるように、ウエハホルダWH上にウ
エハ14をロードする。本実施形態では、そのウエハホ
ルダWH上への搬入(ロード)、及びそのウエハホルダ
WHからのウエハの搬出(アンロード)を行うためのウ
エハ自動搬送装置(搬送系)103を、第1の独立チャ
ンバ101に隣接する第2の独立チャンバ102内に設
置している。A notch called an orientation flat (or notch) is formed in a part of the circular outer periphery of the wafer 14, and the notch is oriented in a predetermined direction, and the center of the wafer 14 is set in the wafer holder. The wafer 14 is loaded on the wafer holder WH so as to have a predetermined positional relationship with respect to WH. In the present embodiment, an automatic wafer transfer apparatus (transfer system) 103 for loading (unloading) the wafer onto the wafer holder WH and unloading (unloading) the wafer from the wafer holder WH includes a first independent chamber 101. Is installed in the second independent chamber 102 adjacent to the second independent chamber 102.
【0039】ウエハ自動搬送装置103のガイド部を、
X方向に延びた横スライダ本体104、及びY方向に延
びた縦スライダ本体105より構成し、横スライダ本体
104上にX方向に摺動自在にスカラー型ロボットハン
ド106を配置する。スカラー型ロボットハンド106
は、ウエハ14を真空吸着する吸着部を有するハンド部
107を備えた多関節ロボットであり、横スライダ本体
104に沿ってX方向に移動されるとともに、ハンド部
107をθ及びR方向に自在に移動できる。The guide portion of the automatic wafer transfer device 103 is
A scalar type robot hand 106 is composed of a horizontal slider main body 104 extending in the X direction and a vertical slider main body 105 extending in the Y direction. Scalar robot hand 106
Is an articulated robot provided with a hand unit 107 having a suction unit for vacuum-sucking the wafer 14, and is moved in the X direction along the horizontal slider main body 104, and freely moves the hand unit 107 in the θ and R directions. You can move.
【0040】横スライダ本体104の近傍には、ウエハ
14を保管するための保管棚108,109が固定され
ている。また、ウエハ14を一次的に載置するための仮
置き台110,111が設置されている。仮置き台11
0,111上には、ウエハ載置用の複数個(4個)のピ
ンが装着されている。保管棚108,109の近傍、並
びに仮置き台110,111の近傍の独立チャンバ10
2の側面には、それぞれ外部から保管棚108,109
等を交換するための開口112,113が設けられてい
る。これら開口112,113には、図示省略してある
開閉扉が装着された扉枠ユニットが装着される。In the vicinity of the horizontal slider body 104, storage shelves 108 and 109 for storing the wafers 14 are fixed. Further, temporary placing tables 110 and 111 for temporarily placing the wafer 14 thereon are provided. Temporary table 11
A plurality of (four) pins for mounting a wafer are mounted on 0 and 111. Independent chambers 10 near storage shelves 108 and 109 and temporary storage tables 110 and 111
2, storage shelves 108 and 109 are provided from outside.
Openings 112 and 113 for exchanging the components are provided. A door frame unit having an open / close door (not shown) is installed in these openings 112 and 113.
【0041】スカラー型ロボットハンド106のハンド
部107を独立チャンバ102の左側面の開口114か
ら突き出すことにより、外部装置(外部のフォトレジス
トのコータ、又は現像装置等)に対するウエハ14の受
け渡しを行うことができ、別の位置Q1でもウエハ14
の受け渡しを行うことができる。さらに、スカラー型ロ
ボットハンド106を位置Q7に移動させて、独立チャ
ンバ102の右側面の開口115からハンド部107を
突き出すことにより、外部装置とウエハ14の受け渡し
を行うことができ、別の位置Q8でもウエハ14の受け
渡しを行うことができる。同様に、スカラー型ロボット
ハンド106を位置Q3、Q5又はQ6に移動させるこ
とにより、それぞれの保管棚108、仮置き台110又
は仮置き台111に対するウエハ14の受け渡しを行う
ことができる。The hand portion 107 of the scalar type robot hand 106 is protruded from the opening 114 on the left side of the independent chamber 102 to transfer the wafer 14 to an external device (such as an external photoresist coater or a developing device). And the wafer 14 can be moved to another position Q1.
Can be delivered. Further, by moving the scalar type robot hand 106 to the position Q7 and protruding the hand unit 107 from the opening 115 on the right side of the independent chamber 102, the wafer 14 can be transferred to and from an external device. However, the transfer of the wafer 14 can be performed. Similarly, by moving the scalar type robot hand 106 to the position Q3, Q5 or Q6, it is possible to transfer the wafers 14 to the respective storage shelves 108, the temporary storage table 110 or the temporary storage table 111.
【0042】また、縦スライダ本体105は、独立チャ
ンバ101の側面の開口及び独立チャンバ102の側面
の開口を通して独立チャンバ101内に突き出してお
り、縦スライダ本体105の側面に長手方向に摺動自在
に、ウエハ14の接触部がコの字型の2個のスライダ
(搬送アーム)116,117が取り付けられている。
これらの2個のスライダ116,117は、それぞれの
真空吸着部によりウエハ14を保持した状態で、独立チ
ャンバ101内と独立チャンバ102内との間を独立に
移動する。そして、スカラー型ロボットハンド106
は、例えば、保管棚108からウエハ14を取り出した
後、位置Q4において、上下動可能なターンテーブル1
18を介してスライダ116又は117にウエハ14を
渡す。その後、スライダ116又は117から露光後の
ウエハ14を同様にターンテーブル118の上下動を介
して受け取ったスカラー型ロボットハンド106は、そ
のウエハ14を例えば保管棚108に戻す。The vertical slider body 105 protrudes into the independent chamber 101 through an opening on the side surface of the independent chamber 101 and an opening on the side surface of the independent chamber 102, and is slidable in the longitudinal direction on the side surface of the vertical slider body 105. Two sliders (transfer arms) 116 and 117 having a U-shaped contact portion of the wafer 14 are attached.
These two sliders 116 and 117 move independently between the inside of the independent chamber 101 and the inside of the independent chamber 102 while holding the wafer 14 by the respective vacuum suction parts. Then, the scalar robot hand 106
For example, after removing the wafer 14 from the storage shelf 108, the turntable 1
The wafer 14 is transferred to the slider 116 or 117 via 18. Thereafter, the scalar robot hand 106 that has received the exposed wafer 14 from the slider 116 or 117 via the vertical movement of the turntable 118 similarly returns the wafer 14 to, for example, a storage shelf 108.
【0043】また、スカラー型ロボットハンド106の
ハンド部107、スライダ116、スライダ117のよ
うにウエハ14と接触する部分は、表面が緻密な導電性
セラミック等で形成する。ただし、そのウエハ14との
接触部の表面に緻密な導電性セラミックをコーティング
等により被着してもよい。Also, the portion of the scalar robot hand 106 that comes into contact with the wafer 14, such as the hand portion 107, the slider 116, and the slider 117, is formed of a conductive ceramic having a dense surface. However, a dense conductive ceramic may be applied to the surface of the contact portion with the wafer 14 by coating or the like.
【0044】横スライダ本体104と縦スライダ本体1
05とが交差する領域付近、即ち位置Q4の近傍には、
ターンテーブル118及びウエハ14の中心位置や姿勢
を検出するセンサ等を有するプリアライメント装置11
9等が設置されている。Horizontal slider body 104 and vertical slider body 1
In the vicinity of the area where the line 05 intersects, that is, in the vicinity of the position Q4,
The pre-alignment apparatus 11 having a sensor for detecting the center position and posture of the turntable 118 and the wafer 14 and the like.
9 and so on.
【0045】スカラー型ロボットハンド106は、ウエ
ハ14の中心位置がターンテーブル118の回転中心に
合致するように、ターンテーブル118上にウエハ14
を載置する。この際にウエハ14の裏面にスライダ11
6を移動させておく。ターンテーブル118上でウエハ
14は真空吸着される。The scalar type robot hand 106 places the wafer 14 on the turntable 118 so that the center position of the wafer 14 coincides with the rotation center of the turntable 118.
Is placed. At this time, the slider 11
6 is moved. The wafer 14 is vacuum-sucked on the turntable 118.
【0046】その状態でターンテーブル118を回転さ
せ、ウエハ14の切欠き部をセンサにより検出し、この
検出結果に応じて、ウエハ14の切欠き部が、例えば横
スライダ本体104に対向する位置でターンテーブル1
18の回転を停止させる。その後、ターンテーブル11
8によるウエハ14の吸着を解除し、ターンテーブル1
18が下降し、スライダ116の上面にウエハ14を真
空吸着する。次いで、そのスライダ116を縦スライダ
本体105に沿って独立チャンバ101側に移動させ、
後述する複数の上下動可能なピン等から構成されるウエ
ハ上下動機構(受渡し手段)によりそのスライダ116
からウエハホルダWH上にウエハ14を移す。この際
に、ウエハ14の中心及び切欠き部の位置が正確に所定
の状態になってウエハ14がウエハホルダWHの上に載
置される。In this state, the turntable 118 is rotated, and the notch of the wafer 14 is detected by a sensor. According to the detection result, the notch of the wafer 14 is located at a position facing the horizontal slider body 104, for example. Turntable 1
Stop rotation of 18. Then turntable 11
8, the suction of the wafer 14 is released, and the turntable 1
18 descends to vacuum-suck the wafer 14 on the upper surface of the slider 116. Next, the slider 116 is moved to the independent chamber 101 side along the vertical slider main body 105,
The slider 116 is moved by a wafer vertical movement mechanism (transfer means) composed of a plurality of vertically movable pins and the like described later.
The wafer 14 onto the wafer holder WH. At this time, the center of the wafer 14 and the position of the notch are exactly in a predetermined state, and the wafer 14 is placed on the wafer holder WH.
【0047】次に、ウエハステージ及びウエハホルダの
要部構成を、図5及び図8を参照してさらに詳細に説明
する。ウエハホルダWHは、ウエハステージ28(Zチ
ルトステージ19)上に吸着保持される。ウエハステー
ジ28には、ウエハホルダWHの底部小径部121が嵌
合可能な丸穴122が形成されており、この丸穴122
の内底面の中央部に円形のガイド穴123が上下方向に
穿設されている。このガイド穴123の内部には、この
ガイド穴123に沿って上下動可能なホルダ支持部材1
24が挿入されており、このホルダ支持部材124は、
図示しない駆動機構によって上下動されるようになって
いる。即ち、ガイド穴123、ホルダ支持部材124及
び図示しない駆動機構によってホルダの着脱機構が構成
されている。Next, the essential parts of the wafer stage and the wafer holder will be described in more detail with reference to FIGS. Wafer holder WH is held by suction on wafer stage 28 (Z tilt stage 19). The wafer stage 28 has a round hole 122 into which the bottom small diameter portion 121 of the wafer holder WH can be fitted.
A circular guide hole 123 is formed in the center of the inner bottom surface in the vertical direction. Inside the guide hole 123, a holder supporting member 1 that can move up and down along the guide hole 123 is provided.
24, and the holder support member 124 is
It is moved up and down by a drive mechanism (not shown). That is, the guide hole 123, the holder support member 124, and a driving mechanism (not shown) constitute a holder attaching / detaching mechanism.
【0048】ホルダ支持部材124の上端には断面略U
字状の切欠き125が形成されており、これにより、ウ
エハホルダWHの交換時にこの切り欠き125を介し
て、後述するホルダ自動搬送装置のホルダ搬送アームの
先端が挿入できるようにされている。さらに、丸穴12
2の内底面上には、ウエハ交換時にウエハを3点で支持
するとともに、上下動させるウエハ上下動機構を構成す
る3つの上下動ピン126が上下方向に設けられてい
る。これらの上下動ピン126は、ウエハホルダWHが
ウエハステージ28に吸着固定された状態では、それぞ
れの先端部がこれらの上下動ピン126に対応して設け
られた図示しない丸孔を介してウエハホルダWHを貫通
状態で上下動するようになっている。なお、ウエハホル
ダWH上には一般に同心円状の凸部127があり、これ
らの同心円状の凸部上にウエハ14が載置される。The upper end of the holder support member 124 has a substantially U-shaped section.
A notch 125 having a character shape is formed, so that the tip of a holder transfer arm of a holder automatic transfer device described later can be inserted through the cutout 125 when the wafer holder WH is replaced. In addition, round holes 12
On the inner bottom surface of the wafer 2, three vertically moving pins 126 constituting a wafer vertically moving mechanism for supporting the wafer at three points when the wafer is replaced and for vertically moving the wafer are provided in the vertical direction. When the wafer holder WH is suction-fixed to the wafer stage 28, each of the vertically moving pins 126 is connected to the wafer holder WH via a circular hole (not shown) provided corresponding to the vertically moving pin 126. It moves up and down in the penetrating state. Note that there are generally concentric convex portions 127 on the wafer holder WH, and the wafer 14 is mounted on these concentric convex portions.
【0049】(4)ウエハホルダの搬送系 この実施形態における露光装置は、図示は省略するが、
上述のウエハ14の自動搬送装置に加えて、ウエハホル
ダWHを自動搬送する搬送装置を備えている。ホルダ自
動搬送装置としては、例えば、特開平8−250409
号公報に開示されているようなものを採用することがで
きる。(4) Wafer Holder Transfer System Although the illustration of the exposure apparatus in this embodiment is omitted,
In addition to the above-described automatic transfer device for the wafer 14, a transfer device for automatically transferring the wafer holder WH is provided. As the holder automatic transfer device, for example, JP-A-8-250409
Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H10-260, can be adopted.
【0050】このホルダ自動搬送装置は、ウエハホルダ
WHを吸着保持するハンド部を有する多関節ロボットや
搬送アーム等を備え、ウエハテーブル28上に吸着保持
されているウエハホルダWHを取り外して搬送し、ウエ
ハホルダ用の保管棚に収納するとともに、ウエハホルダ
用の保管棚から清浄なウエハホルダWHを取り出し、ウ
エハステージ28の近傍まで搬送して、ウエハステージ
28に吸着保持させる装置である。その構成等について
は、上述のウエハ14の自動搬送装置とほぼ同様である
ので、その詳細な説明は省略することにする。The holder automatic transfer device includes an articulated robot and a transfer arm having a hand unit for suction-holding the wafer holder WH, and detaches and transfers the wafer holder WH held on the wafer table 28 for wafer holder WH. This is a device that removes a clean wafer holder WH from a storage shelf for a wafer holder, transports the wafer holder WH to a position near the wafer stage 28, and suction-holds the wafer holder 28 on the wafer stage 28. The configuration and the like are almost the same as those of the above-described automatic transfer device for the wafer 14, and therefore the detailed description thereof will be omitted.
【0051】(5)ウエハ型照度計 本実施形態では、上述したようなKrFエキシマレーザ
を露光用照明光として用いたステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置30aと、ArFエキシマレーザ
を露光用照明光として用いたステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置30b〜30dとが混在するリソ
グラフィ・システムを用いた半導体装置の製造方法にお
いて、各露光装置30a〜30dの照度を検出し、露光
装置間の露光量をマッチング等させるために、図1にそ
の回路構成を、図9にその外観構成を示す号機間照度計
としてのウエハ型照度計50が使用される。(5) Wafer-type illuminometer In this embodiment, a step-and-scan projection exposure apparatus 30a using the above-described KrF excimer laser as exposure illumination light, and an ArF excimer laser for exposure illumination In a method of manufacturing a semiconductor device using a lithography system in which step-and-scan type projection exposure apparatuses 30b to 30d using light are mixed, the illuminance of each of the exposure apparatuses 30a to 30d is detected, and To match the exposure amount, a wafer type illuminometer 50 is used as an inter-unit illuminometer whose circuit configuration is shown in FIG. 1 and whose external configuration is shown in FIG.
【0052】この照度計50は、光センサ(照度検知
部)52と、照度計回路部54とを有する。光センサ5
2は、図9に示すように、露光対象としてのウエハ(感
光基板)14と略同一形状に形成されたダミーウエハ5
1の概略中央部に設けられている。なお、ここではダミ
ーウエハ51の外形は円形板状のものを示しているが、
このような形状に限定されるものではなく、例えば、液
晶表示素子を製造する露光装置にあっては、その露光対
象としてのガラス基板と略同一形状、即ち、矩形板状に
形成されたものであってもよい。The illuminometer 50 has an optical sensor (illuminance detecting section) 52 and an illuminometer circuit section 54. Optical sensor 5
2, a dummy wafer 5 formed in substantially the same shape as a wafer (photosensitive substrate) 14 to be exposed, as shown in FIG.
1 is provided at a substantially central portion. Here, the outer shape of the dummy wafer 51 is shown as a circular plate,
It is not limited to such a shape. For example, in an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element, the exposure apparatus is formed in substantially the same shape as a glass substrate to be exposed, that is, in a rectangular plate shape. There may be.
【0053】光センサ52には、光変換素子が内蔵して
あり、光センサ52に照射された露光用照明光の入射エ
ネルギーに応じて、電気信号を出力するようになってい
る。本実施形態において用いることができる光変換素子
としては、特に限定されず、光起電力効果、ショットキ
ー効果、光電磁効果、光導電効果、光電子放出効果、焦
電効果等を利用した光変換素子が例示されるが、本実施
形態では、所定の波長帯域にそれぞれ発振スペクトルを
有する複数の露光用照明光を検出可能な広帯域光センサ
素子が好ましい。KrFとArFとの双方の波長の光を
検出するためである。このような観点からは、焦電効果
を利用した光変換素子である焦電センサ素子が好まし
い。The light sensor 52 has a built-in light conversion element, and outputs an electric signal according to the incident energy of the illumination light for exposure applied to the light sensor 52. The light conversion element that can be used in the present embodiment is not particularly limited, and a light conversion element using a photovoltaic effect, a Schottky effect, a photoelectromagnetic effect, a photoconductive effect, a photoelectron emission effect, a pyroelectric effect, or the like. However, in the present embodiment, a broadband optical sensor element capable of detecting a plurality of exposure illumination lights each having an oscillation spectrum in a predetermined wavelength band is preferable. This is for detecting light of both KrF and ArF wavelengths. From such a viewpoint, a pyroelectric sensor element that is a light conversion element utilizing the pyroelectric effect is preferable.
【0054】照度計回路部54は、特に限定されない
が、この実施形態では光センサ52と同様にダミーウエ
ハ51に一体的に設けられている。照度計回路部54
は、図1に示すように、配線(パターン)53を介して
光センサ52からの出力信号(照度信号)が入力する増
幅回路(アンプ)56を有する。増幅回路56は、増幅
率記憶装置64に接続してあり、増幅率記憶装置64に
記憶してある増幅率で、光センサ52からの照度信号を
増幅するようになっている。Although the illuminometer circuit section 54 is not particularly limited, in this embodiment, it is provided integrally with the dummy wafer 51 like the optical sensor 52. Illuminance meter circuit 54
Has an amplifier circuit (amplifier) 56 to which an output signal (illuminance signal) from the optical sensor 52 is input via a wiring (pattern) 53, as shown in FIG. The amplification circuit 56 is connected to the amplification factor storage device 64, and amplifies the illuminance signal from the optical sensor 52 at the amplification factor stored in the amplification factor storage device 64.
【0055】増幅率記憶装置64には、露光用照明光の
種類に応じて予め設定された増幅率が記憶してあり、本
実施形態では、KrF露光用照明光のためのKrF用増
幅率と、ArF露光用照明光のためのArF用増幅率と
が記憶してある。これら増幅率の設定の仕方については
後述する。The amplification factor storage device 64 stores an amplification factor set in advance according to the type of the illumination light for exposure. In this embodiment, the amplification factor for KrF for the illumination light for KrF exposure and the amplification factor for KrF are stored. , And the amplification factor for ArF for the illumination light for ArF exposure. How to set these amplification factors will be described later.
【0056】増幅回路56には、ピークホールド(P/
H)回路58が接続してあり、増幅回路56で増幅され
た照度信号のピーク値をホールドするようになってい
る。このピークホールド回路58は、アナログ・デジタ
ル変換(A/D)回路60に接続してあり、ピークホー
ルド回路58でホールドされた照度信号のピーク値(ア
ナログ信号)は、デジタル信号に変換される。The amplifier circuit 56 has a peak hold (P /
H) A circuit 58 is connected to hold the peak value of the illuminance signal amplified by the amplifier circuit 56. This peak hold circuit 58 is connected to an analog / digital conversion (A / D) circuit 60, and the peak value (analog signal) of the illuminance signal held by the peak hold circuit 58 is converted into a digital signal.
【0057】アナログ・デジタル変換回路60は、較正
回路62に接続してあり、アナログ・デジタル変換回路
60により変換されたデジタル信号(照度信号)は、較
正回路62により較正される。この較正回路62による
較正は、較正回路62に接続してある較正値記憶装置6
6に記憶してある較正値に基づき行われる。較正値記憶
装置66には、露光用照明光の種類に応じて予め設定さ
れた較正値が記憶してあり、本実施形態では、KrF露
光用照明光のためのKrF用較正値と、ArF露光用照
明光のためのArF用較正値とが記憶してある。これら
較正値の設定の仕方については後述する。The analog / digital conversion circuit 60 is connected to the calibration circuit 62, and the digital signal (illuminance signal) converted by the analog / digital conversion circuit 60 is calibrated by the calibration circuit 62. The calibration by the calibration circuit 62 is performed by the calibration value storage device 6 connected to the calibration circuit 62.
6 is performed based on the calibration value stored. The calibration value storage device 66 stores a calibration value preset according to the type of the illumination light for exposure. In the present embodiment, a calibration value for KrF for illumination light for KrF exposure and an ArF exposure And an ArF calibration value for the illumination light. How to set these calibration values will be described later.
【0058】較正回路62による較正が必要な理由を次
に示す。即ち、較正回路62へ入力される前のデジタル
信号は、光センサ52へ入射された光の照度に対応した
量のデジタル信号ではあるが、そのデジタル信号から照
度を計算するためには、増幅回路56での増幅率や、光
センサ52で用いたセンサ素子の波長依存性等を考慮し
て補正を行う必要があるからである。このような較正を
行わない場合には、正確な照度を算出して表示すること
はできない。なお、本実施形態では、光センサ52に
は、KrFとArFとの二種類の露光用照明光が照射さ
れるので、較正回路62で行う較正値としては、KrF
露光用照明光のためのKrF用較正値と、ArF露光用
照明光のためのArF用較正値との二種類の較正値が必
要となる。The reason why the calibration by the calibration circuit 62 is necessary will be described below. That is, the digital signal before being input to the calibration circuit 62 is a digital signal of an amount corresponding to the illuminance of the light incident on the optical sensor 52, but in order to calculate the illuminance from the digital signal, an amplification circuit This is because it is necessary to perform the correction in consideration of the amplification factor at 56 and the wavelength dependency of the sensor element used in the optical sensor 52. Without such calibration, accurate illuminance cannot be calculated and displayed. In the present embodiment, since the optical sensor 52 is irradiated with two types of exposure illumination light, KrF and ArF, the calibration value performed by the calibration circuit 62 is KrF
Two kinds of calibration values are required: a KrF calibration value for the exposure illumination light and an ArF calibration value for the ArF exposure illumination light.
【0059】較正回路62の出力端には、結果データを
記憶保持するための記憶装置74が接続してあり、較正
回路62により較正されて照度(入射エネルギー)に換
算されたデータが、結果データ記憶装置74に記憶保持
されるようになっている。結果データ記憶装置74に記
憶保持された結果データ(較正回路62により較正され
て照度に換算されたデータ)は、データ読出装置(図示
せず)やホストコンピュータ76等を入出力端子72に
必用に応じて接続することにより読み出すことができる
ようになっている。なお、照度計回路部54に無線通信
装置を具備させて、結果データを無線通信により読み出
すようにすることができる。The output terminal of the calibration circuit 62 is connected to a storage device 74 for storing and holding the result data, and the data calibrated by the calibration circuit 62 and converted into illuminance (incident energy) is output to the result data. The data is stored in the storage device 74. The result data (data calibrated by the calibration circuit 62 and converted into illuminance) stored and held in the result data storage device 74 is provided to the input / output terminal 72 by using a data reading device (not shown), a host computer 76, or the like. It can be read out by connecting accordingly. The illuminometer circuit unit 54 may be provided with a wireless communication device so that the result data is read out by wireless communication.
【0060】また、この例では、光センサ52と照度計
回路部54をそれぞれ一体的にダミーウエハ51に設け
ているが、ダミーウエハ51上には光センサ52のみを
設け、照度計回路部54をダミーウエハ51とは独立に
構成して、これらの間を柔軟性を有する接続ケーブル5
3で接続するようにしてもよい。また、ダミーウエハ5
1上に光センサ52と無線通信装置を設け、照度計回路
部54をダミーウエハ51とは独立に構成して、光セン
サ52による検出値を無線通信により照度計回路部54
に転送するようにしてもよい。なお、これらの場合にお
いては、結果データ記憶部74に記憶された結果データ
を表示装置に表示させるようにするとよい。Further, in this example, the optical sensor 52 and the illuminance meter circuit section 54 are integrally provided on the dummy wafer 51. However, only the optical sensor 52 is provided on the dummy wafer 51, and the illuminance meter circuit section 54 is connected to the dummy wafer. 51 and a flexible connecting cable 5 between them.
3 may be used. In addition, the dummy wafer 5
1, an optical sensor 52 and a wireless communication device are provided, an illuminometer circuit unit 54 is formed independently of the dummy wafer 51, and a detection value of the optical sensor 52 is transmitted by wireless communication to the illuminometer circuit unit 54.
May be transferred to Note that, in these cases, the result data stored in the result data storage unit 74 may be displayed on a display device.
【0061】この照度計50は、ダミーウエハ51とし
て本物のウエハ14を用い、光センサ52及び照度計回
路部54を該ウエハ上にリソグラフィ技術によって直接
的に形成することにより構成することができ、あるいは
ダミーウエハ51としてプリント配線板若しくはプリン
ト配線板を有する薄板部材(例えば、セラミックス板)
を用い、該プリント配線板上に光センサ52及び照度計
回路部54を形成する等して構成することができる。The illuminometer 50 can be constituted by using the real wafer 14 as the dummy wafer 51 and forming the optical sensor 52 and the illuminometer circuit section 54 directly on the wafer by lithography. A printed wiring board or a thin plate member having a printed wiring board (for example, a ceramic board) as the dummy wafer 51
And forming the optical sensor 52 and the illuminometer circuit portion 54 on the printed wiring board.
【0062】増幅率記憶装置64及び較正値記憶装置6
6には、必要に応じて切換回路68が接続してある。切
換回路68は、増幅回路56で用いられる増幅率と、較
正回路62で用いられる較正値とを、光センサ52へ入
力される露光用照明光の種類に応じて切り替えるよう
に、記憶装置64,66及び/又は増幅回路56及び較
正回路62へ切換信号を出力する。Amplification rate storage device 64 and calibration value storage device 6
A switching circuit 68 is connected to 6 as required. The switching circuit 68 switches between the amplification factor used in the amplification circuit 56 and the calibration value used in the calibration circuit 62 according to the type of the illumination light for exposure input to the optical sensor 52. 66 and / or outputs a switching signal to the amplification circuit 56 and the calibration circuit 62.
【0063】切換回路68からの切換信号は、入力装置
70からマニュアルで入力された選択信号に基づき発生
させても良いし、入出力端子72から入力された選択信
号に基づき発生させても良い。また、無線通信装置によ
って遠隔操作するようにしても良い。入力装置70とし
ては、特に限定されないが、ディップスイッチ等を例示
することができる。作業者は、このような入力装置70
からマニュアル式に、照度が測定されるべき露光用照明
光の種類(本実施形態では、KrF又はArF)を選択
する。入力装置70を用いて、露光用照明光の種類(本
実施形態では、KrF又はArF)を選択することで、
切換回路68から切換信号が出力し、増幅回路56で用
いる増幅率と、較正回路62で用いる較正値が決定し、
各記憶装置64及び66から読み出される。The switching signal from switching circuit 68 may be generated based on a selection signal manually input from input device 70, or may be generated based on a selection signal input from input / output terminal 72. Alternatively, remote control may be performed by a wireless communication device. The input device 70 is not particularly limited, but may be a dip switch or the like. The operator operates such an input device 70
, The type of exposure light (KrF or ArF in the present embodiment) whose illuminance is to be measured is manually selected. By using the input device 70 to select the type of exposure illumination light (in this embodiment, KrF or ArF),
A switching signal is output from the switching circuit 68, and the amplification factor used in the amplification circuit 56 and the calibration value used in the calibration circuit 62 are determined.
It is read from each of the storage devices 64 and 66.
【0064】図1に示す入出力端子72には、例えば、
光センサ52が設置されるべき露光装置30a〜30d
の各制御装置や図3に示すホストコンピュータ76等を
接続することができ、このような機器に接続すること
で、これらの機器から、照度の計測を行うべき露光装置
30a〜30dで用いる露光用照明光の種類(本実施形
態では、KrF又はArF)を示す選択信号を入力する
こともできるようになっている。The input / output terminal 72 shown in FIG.
Exposure devices 30a to 30d where optical sensor 52 is to be installed
3 and the host computer 76 shown in FIG. 3 can be connected. By connecting to such devices, the exposure devices used in the exposure devices 30a to 30d to measure the illuminance can be obtained from these devices. It is also possible to input a selection signal indicating the type of illumination light (KrF or ArF in the present embodiment).
【0065】次に、図1に示す増幅率記憶装置64へ記
憶すべき増幅率と、較正値記憶装置66に記憶すべき較
正値とを設定する方法について説明する。ArFエキシ
マレーザ露光装置では、使用するレジストが、KrFエ
キシマレーザ露光装置に用いるレジストに比較して、一
般に高感度である。また、KrFエキシマレーザよりエ
ネルギー安定性の良くないArFエキシマレーザでは、
積算露光量制御の精度を向上させるために、積算パルス
数が多くなる。そのために、1パルスあたりのエネルギ
ーが、KrFエキシマレーザ露光装置の場合に比較して
小さくなる。典型的には、照度計の入射エネルギーレベ
ルで数倍〜10倍程度の差異がある。Next, a method for setting an amplification factor to be stored in the amplification factor storage device 64 and a calibration value to be stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 will be described. In an ArF excimer laser exposure apparatus, a resist used is generally higher in sensitivity than a resist used in a KrF excimer laser exposure apparatus. In an ArF excimer laser having less energy stability than a KrF excimer laser,
In order to improve the accuracy of the integrated exposure amount control, the number of integrated pulses is increased. Therefore, the energy per pulse is smaller than that of the KrF excimer laser exposure apparatus. Typically, there is a difference of several times to about 10 times in the incident energy level of the illuminometer.
【0066】したがって、従来では、KrFエキシマレ
ーザ露光装置で最適化した照度計を用いて、ArFエキ
シマレーザ露光装置の照度を計測しようとしても、セン
サの出力信号が低下し、直線性を持つ十分に広い計測レ
ンジが得られない可能性が高い。Therefore, conventionally, even if it is attempted to measure the illuminance of an ArF excimer laser exposure apparatus using an illuminometer optimized by a KrF excimer laser exposure apparatus, the output signal of the sensor is reduced, and sufficient linearity is obtained. There is a high possibility that a wide measurement range cannot be obtained.
【0067】また、使用波長が異なると、センサの感度
が多少変化するため、KrFエキシマレーザの場合と同
様な較正値では、正確な照度の絶対値の計測が困難であ
る。If the wavelength used is different, the sensitivity of the sensor slightly changes. Therefore, it is difficult to accurately measure the absolute value of the illuminance with the same calibration value as that of the KrF excimer laser.
【0068】そこで、本実施形態では、図1に示す増幅
率記憶装置64には、KrF用増幅率とArF用増幅率
との二種類の増幅率を記憶し、露光波長に応じて切り換
えて使用している。また、較正値記憶装置66には、K
rF用較正値とArF用較正値との二種類の増幅率を記
憶し、露光波長に応じて切り換えて使用している。Therefore, in this embodiment, two types of amplification factors, KrF amplification factor and ArF amplification factor, are stored in the amplification factor storage device 64 shown in FIG. doing. The calibration value storage device 66 stores K
Two kinds of amplification factors, i.e., a calibration value for rF and a calibration value for ArF, are stored, and are used by switching according to the exposure wavelength.
【0069】まず、増幅率記憶装置64に記憶すべきK
rF用増幅率とArF用増幅率との設定について説明す
る。図2に示すように、ピークホールド回路58では、
その入力信号(入力電圧)と出力信号(出力電圧)との
関係において、その入力電圧V0がV1よりも大きくV
2よりも小さい場合に、良好な直線関係(比例関係)を
持つ領域が存在する。別の言い方をすれば、照度計50
による測定の直線性は、ピークホールド回路58の追随
性に依存する。そのため、正確な照度を算出するために
は、増幅回路56において、その出力電圧V0(ピーク
ホールド回路58への入力電圧)が、V1<V0<V2
の関係となるように、増幅率を設定する必要がある。First, K to be stored in the amplification factor storage device 64
The setting of the amplification factor for rF and the amplification factor for ArF will be described. As shown in FIG. 2, in the peak hold circuit 58,
In the relationship between the input signal (input voltage) and the output signal (output voltage), the input voltage V0 is larger than V1 and V
If it is smaller than 2, there is a region having a good linear relationship (proportional relationship). In other words, illuminometer 50
Is dependent on the followability of the peak hold circuit 58. Therefore, in order to calculate an accurate illuminance, the output voltage V0 (input voltage to the peak hold circuit 58) of the amplifier circuit 56 is V1 <V0 <V2.
It is necessary to set the amplification factor so that
【0070】その際に、KrFの場合の1パルスあたり
の照射エネルギーと、ArFの場合の1パルスあたりの
照射エネルギーとは、異なることから、それぞれについ
て、出力電圧がV0程度になるように、KrF用増幅率
gKrF とArF用増幅率gArF とを決定する。これらの
KrF用増幅率gKrF とArF用増幅率gArF とが、図
1に示す増幅率記憶装置64に記憶される。記憶させる
ための操作は、図1に示す入力装置70をマニュアルで
操作することにより行っても良いし、入出力端子72か
らデータを送信することにより記憶させても良い。At this time, since the irradiation energy per pulse in the case of KrF is different from the irradiation energy per pulse in the case of ArF, the KrF is set so that the output voltage is about V0 for each. The amplification factor for use gKrF and the amplification factor for ArF gArF are determined. These KrF amplification factors gKrF and ArF amplification factors gArF are stored in the amplification factor storage device 64 shown in FIG. The operation for storing may be performed by manually operating the input device 70 shown in FIG. 1, or may be stored by transmitting data from the input / output terminal 72.
【0071】なお、KrFの場合の1パルスあたりの照
射エネルギーと、ArFの場合の1パルスあたりの照射
エネルギーとは、コンピュータの解析プログラムによる
シュミレーションにより求めても良いし、実測により求
めても良い。The irradiation energy per pulse in the case of KrF and the irradiation energy per pulse in the case of ArF may be obtained by simulation using a computer analysis program or by actual measurement.
【0072】次に、図1に示す較正値記憶装置66に記
憶すべきKrF用較正値とArF用較正値との設定につ
いて説明する。これらの較正値を求めるための一方法と
しては、例えば、図6に示すように、まず、KrFレー
ザ装置78を用い、同じレーザ装置78から出射される
光を、同時に、反射率、及び透過率が既知のビームスプ
リッタ80を介してKrF用基準照度計50aの光セン
サ52aと、較正すべき照度計50の光センサ52とに
照射する。その際には、較正すべき照度計50の増幅回
路56で用いる増幅率は、KrF用増幅率となるように
切換回路68を用いて設定しておく。次に、較正すべき
照度計50による検出値が、KrF用基準照度計50a
による検出値と同じ値となるように、ビームスプリッタ
80の反射率、及び透過率も用いてKrF用較正値を決
定し、その決定されたKrF用較正値を、照度計50中
の図1に示す較正値記憶装置66に記憶させる。KrF
用較正値の決定及び記憶は、マニュアルで行っても良い
が、基準照度計50aと較正すべき照度計50とを直接
又は他の機器を介して間接的に接続し、自動的に行うよ
うにしても良い。Next, the setting of the KrF calibration value and the ArF calibration value to be stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. 1 will be described. As a method for obtaining these calibration values, for example, as shown in FIG. 6, first, using a KrF laser device 78, light emitted from the same laser device 78 is simultaneously reflected and transmitted. Illuminates the optical sensor 52a of the KrF reference illuminometer 50a and the optical sensor 52 of the illuminometer 50 to be calibrated via the known beam splitter 80. At that time, the amplification factor used in the amplification circuit 56 of the illuminometer 50 to be calibrated is set using the switching circuit 68 so as to be the KrF amplification factor. Next, the value detected by the illuminometer 50 to be calibrated is the KrF reference illuminometer 50a.
The KrF calibration value is also determined by using the reflectance and the transmittance of the beam splitter 80 so that the KrF calibration value becomes the same value as the detection value obtained by the above-described method, and the determined KrF calibration value is shown in FIG. The stored calibration value is stored in the calibration value storage device 66 shown in FIG. KrF
The determination and storage of the calibration value for calibration may be performed manually, but the reference illuminometer 50a and the illuminometer 50 to be calibrated are connected directly or indirectly via another device, and are automatically performed. May be.
【0073】ArF用較正値の決定及び記憶は、図6に
示すレーザ装置78をArF用のものとすると共に、基
準照度計50aもArF用のものと交換し、さらに、較
正すべき照度計50の増幅回路56で用いる増幅率を、
ArF用増幅率となるように切換回路68を用いて設定
しておき、前記と同様な操作を行えば良い。In determining and storing the calibration value for ArF, the laser device 78 shown in FIG. 6 is used for ArF, the reference illuminometer 50a is also replaced with the one for ArF, and the illuminometer 50 to be calibrated is further replaced. The amplification factor used in the amplification circuit 56 of
The same operation as described above may be performed by setting using the switching circuit 68 so that the amplification factor for ArF is obtained.
【0074】(6)照度計測方法 本実施形態において、照度の測定に際しては、ダミーウ
エハ51を照度計測すべき露光装置のウエハ保管棚10
8,109又は仮置き台110,111にウエハ14と
同様に収容又は載置しておき、ウエハ自動搬送装置(搬
送系)103により、通常のウエハ14と同様に搬送し
て、ウエハホルダWH上に真空吸着させる。次いで、ウ
エハステージ28を、X及びY方向に駆動制御し、図4
に示す投影光学系13を通過した露光用照明光を、ダミ
ーウエハ51上の光センサ52の光変換素子へ入射さ
せ、投影光学系13の結像面(又はその近傍)における
照明光の照度を計測する。(6) Illuminance Measurement Method In the present embodiment, when measuring the illuminance, the wafer storage shelf 10 of the exposure apparatus in which the illuminance of the dummy wafer 51 is to be measured.
8 or 109 or the temporary placing tables 110 and 111 are accommodated or placed in the same manner as the wafer 14, and are transferred by the automatic wafer transfer device (transfer system) 103 in the same manner as the normal wafer 14 and placed on the wafer holder WH. Vacuum adsorb. Next, the drive of the wafer stage 28 is controlled in the X and Y directions, and FIG.
The illumination light for exposure that has passed through the projection optical system 13 shown in FIG. 4 is made incident on the light conversion element of the optical sensor 52 on the dummy wafer 51, and the illuminance of the illumination light on the image forming plane of the projection optical system 13 (or in the vicinity) is measured I do.
【0075】なお、ダミーウエハ51に一体的に設けら
れた光センサ52の受光面は、アパーチャ板の直下に近
接して設けられており、照度測定時にはそのアパーチャ
板の下面、即ち光センサ52の受光面が投影光学系13
の結像面とほぼ一致するようにダミーウエハ51の位置
がZチルトステージ19により調整される。The light receiving surface of the optical sensor 52 provided integrally with the dummy wafer 51 is provided immediately below the aperture plate, and is provided at the lower surface of the aperture plate, that is, the light receiving surface of the optical sensor 52 during illuminance measurement. The surface is the projection optical system 13
The position of the dummy wafer 51 is adjusted by the Z tilt stage 19 so as to substantially coincide with the image forming plane.
【0076】照度の計測が終了したならば、ウエハ自動
搬送装置103は、ダミーウエハ51をウエハホルダW
Hから受け取り、通常のウエハ14と同様に搬送して、
ウエハ保管棚108,109に戻し、又は仮置き台11
0,111上に載置させる。次いで、作業者はダミーウ
エハ51をチャンバ102内から取り出し、ホストコン
ピュータ76等に接続して、結果データ記憶装置74に
記憶保持された結果データを読み出す。なお、結果デー
タの読み出しは、1台の露光装置の照度計測が終了した
時点で行ってもよいが、複数台の露光装置の照度計測が
終了した後に行ってもよい。また、前後の露光装置間で
ダミーウエハ51を自動的に受け渡すようにして、複数
台の露光装置の照度計測を全自動で行うようにすること
もできる。When the measurement of the illuminance is completed, the automatic wafer transfer apparatus 103 moves the dummy wafer 51 to the wafer holder W.
H, and transported in the same manner as a normal wafer 14,
Return to the wafer storage shelves 108 and 109 or temporarily place the table 11
0,111. Next, the operator takes out the dummy wafer 51 from the chamber 102, connects to the host computer 76 or the like, and reads out the result data stored and held in the result data storage device 74. The reading of the result data may be performed when the illuminance measurement of one exposure apparatus is completed, or may be performed after the illuminance measurement of a plurality of exposure apparatuses is completed. Alternatively, the dummy wafer 51 may be automatically transferred between the front and rear exposure apparatuses, and the illuminance measurement of a plurality of exposure apparatuses may be performed automatically.
【0077】なお、本実施形態では、単一の照度計50
を用い、照度計測すべき露光装置が採用している光源に
応じて、増幅回路56で用いる増幅率と、較正回路62
で用いる較正値とを、KrF用とArF用とに切り換え
て照度を計測するようにしたから、単一の照度計50を
用いて、KrF露光装置とArF露光装置との双方の照
度を計測することができる。In this embodiment, a single illuminometer 50 is used.
And an amplification factor used in the amplification circuit 56 and a calibration circuit 62 in accordance with the light source employed by the exposure apparatus to be measured for illuminance.
Since the illuminance is measured by switching the calibration value used in the above for KrF and for ArF, the illuminance of both the KrF exposure apparatus and the ArF exposure apparatus is measured using a single illuminometer 50. be able to.
【0078】照度計50を用いて計測された照度出力信
号は、露光装置に装着してあるインテグレータセンサ2
5や照度むらセンサ21等の光センサの較正に用いた
り、各露光装置30a〜30d間の露光量をマッチング
させたりすることに用いられる。The illuminance output signal measured using the illuminometer 50 is transmitted to the integrator sensor 2 mounted on the exposure apparatus.
5 and used to calibrate an optical sensor such as the uneven illuminance sensor 21 or to match the exposure amount among the exposure devices 30a to 30d.
【0079】他の実施形態 次に、本発明の他の実施形態について説明する。図10
はダミーホルダに一体的に光センサを設けてなるホルダ
型照度計又は光センサを一体的に有するウエハホルダの
外観斜視図である。上述した一実施形態と実質的に同一
の構成部分については、同一の番号を付し、その説明は
省略することにする。Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG.
FIG. 3 is an external perspective view of a holder-type illuminometer in which an optical sensor is provided integrally with a dummy holder or a wafer holder in which an optical sensor is integrally provided. Components that are substantially the same as those in the above-described embodiment will be assigned the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
【0080】即ち、この実施形態のホルダ型照度計15
0は、図10に示すように、光センサ52をウエハホル
ダWHと略同一形状に形成されたダミーホルダ(ウエハ
ホルダとしての機能の有無は問わない)151の概略中
央部に設けて構成した以外は、前記一実施形態のウエハ
型照度計50とほぼ同様である。ダミーホルダ151の
外形は、図8に示したウエハホルダWHと同一形状のも
のを採用している。That is, the holder type illuminometer 15 of this embodiment
0 is the same as that shown in FIG. 10 except that the optical sensor 52 is provided at a substantially central portion of a dummy holder (regardless of the function as a wafer holder) 151 formed in substantially the same shape as the wafer holder WH, as shown in FIG. It is almost the same as the wafer type illuminometer 50 of one embodiment. The dummy holder 151 has the same outer shape as the wafer holder WH shown in FIG.
【0081】本実施形態において、照度の測定に際して
は、ダミーホルダ151を照度計測すべき露光装置のホ
ルダ保管棚又は仮置き台にウエハホルダWHと同様に収
容又は載置しておき、上述したウエハホルダWHの自動
搬送装置(ウエハの自動搬送装置103とほぼ同様の構
成)により、通常のウエハホルダWHと同様に搬送し
て、ウエハステージ28上に真空吸着により保持させ
る。次いで、ウエハステージ28を、X及びY方向に駆
動制御し、図4に示す投影光学系13を通過した露光用
照明光を、ダミーホルダ151上の光センサ52の光変
換素子へ入射させ、投影光学系13の結像面(又はその
近傍)の照度を計測する。In this embodiment, when measuring the illuminance, the dummy holder 151 is housed or placed in a holder storage shelf or a temporary mounting table of the exposure apparatus to be measured for the illuminance in the same manner as the wafer holder WH. The wafer is transferred by an automatic transfer device (substantially the same configuration as the automatic transfer device 103 for wafers) in the same manner as a normal wafer holder WH, and is held on the wafer stage 28 by vacuum suction. Next, the wafer stage 28 is driven and controlled in the X and Y directions, and the exposure illumination light having passed through the projection optical system 13 shown in FIG. The illuminance of the imaging plane of the system 13 (or its vicinity) is measured.
【0082】なお、ダミーホルダ151に一体的に設け
られた光センサ52の受光面は、アパーチャ板の直下に
近接して設けられており、照度測定時にはそのアパーチ
ャ板の下面、即ち光センサ52の受光面が投影光学系1
3の像面とほぼ一致するようにダミーホルダ151の位
置がZチルトステージ19により調整される。The light receiving surface of the optical sensor 52 provided integrally with the dummy holder 151 is provided immediately below the aperture plate, and is provided at the lower surface of the aperture plate during illuminance measurement, that is, the light receiving surface of the optical sensor 52. Surface is projection optical system 1
The position of the dummy holder 151 is adjusted by the Z tilt stage 19 so as to substantially coincide with the image plane No. 3.
【0083】照度の計測が終了したならば、ホルダ自動
搬送装置はダミーホルダ151をウエハステージ28か
ら受け取り、通常のウエハホルダWHと同様に搬送し
て、ホルダ保管棚に戻し、又は仮置き台上に載置させ
る。次いで、ダミーホルダ151をチャンバ102内か
ら取り出し、ホストコンピュータ76等に接続して、結
果データ記憶装置74に記憶保持された結果データを読
み出す。なお、結果データの読み出しは、1台の露光装
置の照度計測が終了した時点で行ってもよいが、複数台
の露光装置の照度計測が終了した後に行ってもよい。ま
た、前後の露光装置間でダミーホルダ151を自動的に
受け渡すようにして、複数台の露光装置の照度計測を全
自動で行うようにすることもできる。When the measurement of the illuminance is completed, the holder automatic transfer device receives the dummy holder 151 from the wafer stage 28, transfers it in the same manner as a normal wafer holder WH, returns it to the holder storage shelf, or places it on the temporary table. Place. Next, the dummy holder 151 is taken out of the chamber 102, connected to the host computer 76 or the like, and the result data stored and held in the result data storage device 74 is read. The reading of the result data may be performed when the illuminance measurement of one exposure apparatus is completed, or may be performed after the illuminance measurement of a plurality of exposure apparatuses is completed. Alternatively, the dummy holder 151 may be automatically transferred between the front and rear exposure apparatuses, and the illuminance measurement of a plurality of exposure apparatuses may be performed automatically.
【0084】なお、この実施形態では、ウエハホルダW
Hと略同一の形状に形成されたダミーホルダ(ウエハホ
ルダとしての機能の有無は問わない)に光センサ52を
一体的に設けてなるホルダ型照度計を用いて、照度計測
を行うようにしているが、このようなダミーホルダ15
1ではなく、ウエハホルダWH自体に光センサ52を一
体的に付加したウエハホルダ(光センサ付きウエハホル
ダ)153により、各露光装置30a〜30dの照度計
測を行うようにしてもよい。照度計測を行わない場合に
は、通常のウエハホルダとして使用することができ、よ
り効率的である。In this embodiment, the wafer holder W
Illuminance measurement is performed using a holder-type illuminometer in which an optical sensor 52 is integrally provided on a dummy holder (having or not having a function as a wafer holder) formed in substantially the same shape as H. , Such a dummy holder 15
Instead of 1, the illuminance of each of the exposure apparatuses 30a to 30d may be measured by a wafer holder (a wafer holder with an optical sensor) 153 in which the optical sensor 52 is integrally added to the wafer holder WH itself. When illuminance measurement is not performed, it can be used as a normal wafer holder, which is more efficient.
【0085】なお、以上説明した実施形態は、本発明の
理解を容易にするために記載されたものであって、本発
明を限定するために記載されたものではない。従って、
上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的
範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨であ
る。The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore,
Each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
【0086】例えば、上述した実施形態では、ウエハ型
照度計50,ホルダ型照度計150又は光センサ付き基
板ホルダとして、KrF用とArF用の二種類について
切り換えて照度を計測できるものを説明しているが、本
発明はこれに限定されるものではなく、切り換えできな
いタイプでも勿論良い。また、二種類の波長の組み合わ
せも上述のものに限定されることはなく、その他の波長
の組み合わせに対しても用いることができる。さらに、
異なる波長の組み合わせは、二つのみでなく、三つ以上
であっても良い。さらにまた、波長が同じでも、異なる
入射エネルギー範囲を持つ露光用照明光の照度を高精度
で検出するために、入射エネルギー範囲で切り換えて用
いることもできる。For example, in the above-described embodiment, the wafer-type illuminometer 50, the holder-type illuminometer 150, or the substrate holder with an optical sensor capable of switching between two types, KrF and ArF, and measuring the illuminance will be described. However, the present invention is not limited to this, and may be of course a type that cannot be switched. Further, the combination of the two types of wavelengths is not limited to the above, and can be used for other combinations of wavelengths. further,
The combination of different wavelengths is not limited to two, but may be three or more. Furthermore, even if the wavelength is the same, it is also possible to switch between the incident energy ranges in order to detect the illuminance of the exposure illumination light having a different incident energy range with high accuracy.
【0087】また、図1に示した照度計回路部54を構
成する各回路又は装置は、その機能を実現するための電
気回路(ハード)のみで構成しても良いが、その一部又
は全部をマイクロコンピュータ及びソフトウェア・プロ
グラムによって実現しても良い。Each circuit or device constituting the illuminometer circuit section 54 shown in FIG. 1 may be constituted only by an electric circuit (hardware) for realizing its function, but a part or all thereof May be realized by a microcomputer and a software program.
【0088】さらにまた、上述した実施形態ではステッ
プ・アンド・スキャン方式の縮小投影型走査露光装置
(スキャニング・ステッパー)について説明したが、例
えばレチクル11とウエハ14とを静止させた状態でレ
チクルパターンの全面に露光用照明光を照射して、その
レチクルパターンが転写されるべきウエハ14上の1つ
の区画領域(ショット領域)を一括露光するステップ・
アップ・リピート方式の縮小投影型露光装置(ステッパ
ー)、さらにはミラープロジェクション方式やプロキシ
ミティ方式等の露光装置にも同様に適用することができ
る。Further, in the above-described embodiment, the step-and-scan type reduced projection type scanning exposure apparatus (scanning stepper) has been described. For example, the reticle pattern is formed while the reticle 11 and the wafer 14 are stationary. Irradiating the entire surface with illumination light for exposure to collectively expose one defined area (shot area) on the wafer 14 to which the reticle pattern is to be transferred;
The present invention can be similarly applied to a reduction projection type exposure apparatus (stepper) of an up-repeat type, and further to an exposure apparatus of a mirror projection type or a proximity type.
【0089】なお、図4に示した投影光学系13はその
全ての光学素子が屈折素子(レンズ)であるものとした
が、反射素子(ミラー等)のみからなる光学系であって
もよいし、あるいは屈折素子と反射素子(凹面鏡、ミラ
ー等)とからなるカタディオプトリック光学系であって
もよい。また、投影光学系13は縮小光学系に限られる
ものではなく、等倍光学系や拡大光学系であってもよ
い。Although all the optical elements of the projection optical system 13 shown in FIG. 4 are refraction elements (lenses), they may be optical systems consisting only of reflection elements (mirrors and the like). Alternatively, a catadioptric optical system including a refraction element and a reflection element (concave mirror, mirror, etc.) may be used. Further, the projection optical system 13 is not limited to the reduction optical system, but may be an equal-magnification optical system or an enlargement optical system.
【0090】さらに、本発明は、光源として軟X線領域
に発振スペクトルを有するEUV(Extreme U
ltra Violet)を発生するSOR、又はレー
ザプラズマ光源等を用いた縮小投影型走査露光装置、又
はプロキシミティー方式のX線走査露光装置にも適用可
能である。Further, the present invention provides an EUV (Extreme U) having an oscillation spectrum in a soft X-ray region as a light source.
The present invention is also applicable to a reduced projection scanning exposure apparatus using a SOR that generates an intra violet, a laser plasma light source, or the like, or a proximity type X-ray scanning exposure apparatus.
【0091】[0091]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
と、照明光の照度を計測する照度計(又は照度計の一部
若しくは全部の機能を有する基板ホルダ)を露光装置が
備える感光基板の搬送系(又は基板ホルダの搬送系)に
より基板ステージ上に搬入し又は搬出できるようにした
から、照度計等を該基板ステージ上に取り付ける等の作
業が不要となり、照度の計測作業が非常に簡略化される
とともに、基板ステージ上あるいはその近傍に存在する
精密部材等を傷つけたり、ゴミの落下等による障害の発
生を防止することができる。また、照度の計測を短時間
で高効率的に行うことができるようになる。As described above, according to the present invention, according to the present invention, the exposure apparatus is provided with an illuminometer for measuring the illuminance of the illumination light (or a substrate holder having a part or all of the functions of the illuminometer). The transfer system (or the transfer system of the substrate holder) allows loading and unloading onto and from the substrate stage, eliminating the need to mount an illuminometer or the like on the substrate stage, greatly simplifying illuminance measurement. In addition to this, it is possible to prevent a precision member or the like existing on or near the substrate stage from being damaged, and to prevent the occurrence of obstacles such as dropping of dust. Further, the illuminance can be measured efficiently in a short time.
【図1】 本発明の一実施形態に係る照度計の回路構成
を示す概略ブロック図である。FIG. 1 is a schematic block diagram illustrating a circuit configuration of an illuminometer according to an embodiment of the present invention.
【図2】 図1に示す照度計における主要回路の特性を
示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing characteristics of main circuits in the illuminometer shown in FIG.
【図3】 本発明の一実施形態のリソグラフィ・システ
ムの構成を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a lithography system according to an embodiment of the present invention.
【図4】 本発明の一実施形態の露光装置の一例を示す
概略図である。FIG. 4 is a schematic view illustrating an example of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の一実施形態の露光装置のウエハステ
ージの概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view of a wafer stage of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図6】 本発明の一実施形態の照度計の較正方法の一
例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a method for calibrating an illuminometer according to an embodiment of the present invention.
【図7】 本発明の一実施形態の露光装置の要部を示す
平面断面図である。FIG. 7 is a plan cross-sectional view illustrating a main part of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図8】 本発明の一実施形態の露光装置のウエハステ
ージ及びウエハホルダの要部を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a main part of a wafer stage and a wafer holder of the exposure apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図9】 本発明の一実施形態の照度計の外観斜視図で
ある。FIG. 9 is an external perspective view of an illuminometer according to an embodiment of the present invention.
【図10】 本発明の他の実施形態の照度計又は基板ホ
ルダの外観斜視図である。FIG. 10 is an external perspective view of an illuminometer or a substrate holder according to another embodiment of the present invention.
1… 露光用光源 11… レチクル(マスク) 13… 投影光学系 14… ウエハ(感光基板) 17… ステージコントローラ 19… Zチルトステージ 28… ウエハステージ 30a〜30d… 露光装置 50… ウエハ型照度計 51… ダミーウエハ 52… 光センサ 54… 照度計回路部 56… 増幅回路 58… ピークホールド回路 60… アナログ・デジタル変換回路 62… 較正回路 64… 増幅率記憶装置 66… 較正値記憶装置 68… 切換回路 70… 入力装置 72… 入出力端子 74… 結果データ記憶装置 101,102… 独立チャンバ 103… ウエハ自動搬送装置(ホルダ自動搬送装置) 106… スカラー型ロボットハンド 108,109… 保管棚 150… ホルダ型照度計 151… ダミーホルダ 153… 光センサ付きウエハホルダ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Exposure light source 11 ... Reticle (mask) 13 ... Projection optical system 14 ... Wafer (photosensitive substrate) 17 ... Stage controller 19 ... Z tilt stage 28 ... Wafer stage 30a-30d ... Exposure apparatus 50 ... Wafer illuminometer 51 ... Dummy wafer 52 Optical sensor 54 Illuminance meter circuit 56 Amplifying circuit 58 Peak hold circuit 60 Analog-to-digital conversion circuit 62 Calibration circuit 64 Amplification factor storage device 66 Calibration value storage device 68 Switching circuit 70 Input Device 72 Input / output terminal 74 Result data storage device 101, 102 Independent chamber 103 Automatic wafer transfer device (holder automatic transfer device) 106 Scalar robot hand 108, 109 Storage shelf 150 Holder illuminometer 151 Dummy holder 153 ... Wafer with optical sensor Holder
Claims (4)
のパターンの像を、基板ステージ上に保持される感光基
板上に投影光学系により投射するようにした露光装置の
該投影光学系の結像面近傍における照明光の照度を計測
する照度計において、 前記感光基板と同様に搬送可能なように薄板状に形成さ
れたダミー基板に一体的に照度検知部を設けてなること
を特徴とする照度計。1. An image forming apparatus, wherein an image of a pattern from a mask illuminated by an illumination optical system is projected onto a photosensitive substrate held on a substrate stage by a projection optical system. An illuminometer for measuring illuminance of illumination light in the vicinity of a surface, wherein an illuminance detection unit is provided integrally with a dummy substrate formed in a thin plate so as to be conveyable similarly to the photosensitive substrate. Total.
可能なように薄板状に形成されたダミー基板に一体的に
照度検知部を設けてなる照度計を用い、複数の露光装置
間で該照度計を前記感光基板と同様に基板ステージ上に
順次搬入及び搬出しつつ、各露光装置の投影光学系の結
像面近傍における照明光の照度を計測するようにしたこ
とを特徴とする照度計測方法。2. An illuminometer having an illuminance detector integrally provided on a dummy substrate formed in a thin plate so as to be able to be conveyed in the same manner as a photosensitive substrate to be exposed, and the illuminometer is used between a plurality of exposure apparatuses. Illuminance measurement, wherein the illuminometer is sequentially loaded and unloaded onto the substrate stage in the same manner as the photosensitive substrate, and the illuminance of the illumination light is measured in the vicinity of the imaging plane of the projection optical system of each exposure apparatus. Method.
のパターンの像を、基板ステージ上に載置された基板ホ
ルダに保持される感光基板上に投影光学系により投射す
るようにした露光装置において、 前記基板ホルダは、前記基板ステージに対して着脱自在
に構成され、かつ前記感光基板に対する保持面に一体的
に照度検知部を有することを特徴とする露光装置。3. An exposure apparatus configured to project an image of a pattern from a mask illuminated by an illumination optical system onto a photosensitive substrate held by a substrate holder mounted on a substrate stage by a projection optical system. An exposure apparatus, wherein the substrate holder is configured to be detachable from the substrate stage, and has an illuminance detection unit integrally on a holding surface for the photosensitive substrate.
れ、かつ一体的に照度検知部を有する基板ホルダを、複
数の露光装置の基板ステージ上に順次載置しつつ、各露
光装置の投影光学系の結像面近傍における照度を計測す
るようにしたことを特徴とする照度計測方法。4. A projection optical system for each exposure apparatus, while sequentially mounting a substrate holder detachably mounted on the substrate stage and integrally having an illuminance detector on the substrate stages of the plurality of exposure apparatuses. An illuminance measurement method, wherein the illuminance in the vicinity of an imaging plane of a system is measured.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07486198A JP3968862B2 (en) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | Illuminance meter, illuminance measurement method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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JPH11260706A true JPH11260706A (en) | 1999-09-24 |
JPH11260706A5 JPH11260706A5 (en) | 2005-10-20 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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