JPH11243119A - Wire bonding method and apparatus - Google Patents
Wire bonding method and apparatusInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ペレットの特性劣化や破損を防止しつ
つ高い精度でボンディング不良を検出する。
【解決手段】 半導体ペレットＳのパッドとリードフレ
ームＦのリードＬの間は、ボンディングツールであるキ
ャピラリ１７を移動させることによりワイヤＷを介して
電気的に接続される。パッドにワイヤＷを接合した後お
よびリードＬにワイヤＷを接続した後にそれぞれ、アー
スされたリードフレームＦとワイヤＷとの間に自然に発
生する交流の微少誘導電圧を検出し、その電位を判別す
ることにより、ワイヤＷが切れたのか、ワイヤＷがパッ
ドやリードＬに不着であったのか、そして半導体ペレッ
トＳがワイヤＷとともに剥がれてボンディング不良が発
生したか否かを、半導体ペレットＳに強制的に電流を流
すことなく判断できる。
(57) Abstract: A bonding defect is detected with high accuracy while preventing characteristic deterioration and breakage of a semiconductor pellet. SOLUTION: A pad of a semiconductor pellet S and a lead L of a lead frame F are electrically connected via a wire W by moving a capillary 17 as a bonding tool. After bonding the wire W to the pad and connecting the wire W to the lead L, a small induced voltage of alternating current naturally generated between the grounded lead frame F and the wire W is detected, and the potential is determined. As a result, the semiconductor pellet S is forced to determine whether the wire W has been cut, whether the wire W has not adhered to the pad or the lead L, and whether the semiconductor pellet S has peeled off with the wire W and a bonding failure has occurred. It can be determined without a current flowing.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を製造す
るためのワイヤボンディング工程におけるワイヤ切れな
どのボンティング異常を検出するようにしたワイヤボン
ディング技術に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wire bonding technique for detecting a bonding error such as a broken wire in a wire bonding step for manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体チップ上の接続電極とパッケージ
の外部引き出し用端子と電気的に接続するためにワイヤ
ボンディングが行われている。図１はリードフレームＦ
に固定された半導体チップつまり半導体ペレット（以
下、単にペレットと言う）Ｓの接続電極つまりパッドＰ
と、リードＬとをＡｕ、ＣｕあるいはＡｌなどの金属か
らなるワイヤＷにより電気的に接続するワイヤボンディ
ング工程を示す。2. Description of the Related Art Wire bonding is performed to electrically connect a connection electrode on a semiconductor chip to an external lead terminal of a package. FIG. 1 shows a lead frame F
Electrode or pad P of a semiconductor chip or semiconductor pellet (hereinafter simply referred to as a pellet) S fixed to
And a wire bonding step of electrically connecting the leads L with wires W made of a metal such as Au, Cu or Al.
【０００３】図２はワイヤボンディング装置の一例を示
す概略図であり、架台１１にはペレットＳが固定された
リードフレームＦを支持するためのステージ１２が取り
付けられ、ＸＹ二軸方向に移動するＸＹテーブル１３に
は揺動自在にボンディングヘッド１４が取り付けられて
いる。ボンディングヘッド１４の一端部にはボンディン
グアーム１５が取り付けられ、このボンディングアーム
１５を上下方向に駆動するために、ボンディングヘッド
１４の他端部には駆動部材１６が取り付けられている。
ボンディングアーム１５には、ワイヤＷを案内するキャ
ピラリ１７と、ワイヤＷの供給や切断に際してワイヤＷ
を掴むためのワイヤクランパ１８とが取り付けられ、ス
プール１９に巻き付けられたワイヤＷはワイヤクランパ
１８を経てスプール１９の先端から突出される。ワイヤ
先端にボールＢを形成するために、電気トーチとも言わ
れる放電電極２１がキャピラリ１７の近傍に配置されて
おり、ワイヤＷと放電電極２１は放電電源回路２２に接
続されている。この放電電源回路２２、ＸＹテーブル１
３および駆動部材１６の作動は、装置制御部２３からの
制御信号により制御されるようになっている。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a wire bonding apparatus. A stage 12 for supporting a lead frame F on which a pellet S is fixed is attached to a gantry 11, and an XY moving in XY biaxial directions. A bonding head 14 is swingably attached to the table 13. A bonding arm 15 is attached to one end of the bonding head 14, and a driving member 16 is attached to the other end of the bonding head 14 to drive the bonding arm 15 in the vertical direction.
The bonding arm 15 has a capillary 17 for guiding the wire W, and a wire W for supplying and cutting the wire W.
And a wire W wound around the spool 19 is projected from the tip of the spool 19 through the wire clamper 18. In order to form a ball B at the tip of the wire, a discharge electrode 21 also called an electric torch is arranged near the capillary 17, and the wire W and the discharge electrode 21 are connected to a discharge power circuit 22. The discharge power supply circuit 22, the XY table 1
The operation of the driving member 3 and the driving member 16 is controlled by a control signal from the device control section 23.
【０００４】ワイヤボンディング方式には、ステージ１
２にリードフレームＦを加熱するヒートブロックを設け
て温度とボンディング荷重とによりワイヤを接合するよ
うにした熱圧着ボンディング、ボンディングアーム１５
に取り付けられた超音波発振器によりキャピラリ１７に
超音波振動を加えて、荷重と熱と超音波振動によりワイ
ヤ接合を行う超音波併用熱圧着ボンディング、そして、
リードフレームＦを加熱することなく、超音波振動と荷
重とによりワイヤ接合を行う超音波ボンディングなどが
ある。超音波ボンディングは、通常、キャピラリ１７に
代えてウェッジツールが用いられており、ウエッジボン
ディングとも言われ、ワイヤ先端にはボールを形成しな
い。In the wire bonding method, a stage 1 is used.
Thermocompression bonding and bonding arms 15 provided with a heat block for heating the lead frame F and bonding the wires by the temperature and the bonding load.
Ultrasonic combined thermo-compression bonding to apply ultrasonic vibration to the capillary 17 by the ultrasonic oscillator attached to the wire and to perform wire bonding by load, heat and ultrasonic vibration, and
There is ultrasonic bonding and the like in which wire bonding is performed by ultrasonic vibration and load without heating the lead frame F. Ultrasonic bonding generally uses a wedge tool instead of the capillary 17 and is also called wedge bonding, and does not form a ball at the tip of the wire.
【０００５】図３（Ａ）はワイヤ先端に形成されたボー
ルＢをキャピラリ１７によりパッドＰに押し付けて熱圧
着している状態を示し、ワイヤＷの先端を被ボンディン
グ部に最初に接続することから第１ボンディングと言わ
れる。この第１ボンディングが終了した後に、キャピラ
リ１７をリードＬに向けて移動させて同様にしてワイヤ
ＷをリードＬに押し付けて熱圧着した状態が図３（Ｂ）
に示されており、第２ボンディングとも言われる。第２
ボンディング終了後には、キャピラリ１７を上昇させ、
クランパ１８によりワイヤＷを掴むことにより、ワイヤ
ＷはリードＬの付け根の部分で切断される。このような
ワイヤボンディング操作を所定数のパッドＰとリードＬ
との間について行うことにより、１つのペレットＳのワ
イヤボンディング工程が終了する。FIG. 3A shows a state in which a ball B formed at the end of a wire is pressed against a pad P by a capillary 17 and thermocompression-bonded. Since the end of the wire W is first connected to a portion to be bonded. This is called first bonding. After the first bonding is completed, the capillary 17 is moved toward the lead L, and the wire W is similarly pressed against the lead L and thermocompression-bonded, as shown in FIG.
And also referred to as second bonding. Second
After the bonding is completed, the capillary 17 is raised,
By gripping the wire W with the clamper 18, the wire W is cut at the base of the lead L. Such a wire bonding operation is performed by a predetermined number of pads P and leads L.
The wire bonding step for one pellet S is completed.
【０００６】通常はペレットＳのパッドＰに第１ボンデ
ィングを行うのに対して、第１ボンディングをリードＬ
に行い、第２ボンディングをパッドＰに対して行うワイ
ヤボンディングは逆ボンディングと言われている。Usually, the first bonding is performed on the pad P of the pellet S, while the first bonding is performed on the lead L.
The wire bonding in which the second bonding is performed on the pad P is called reverse bonding.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ボールＢが
形成されてもパッドＰの表面の押し付け力や熱圧着が不
十分のためにボールＢが圧着されなかったり、キャピラ
リ１７を第１ボンディングの位置から第２ボンディング
の位置に移動している時にワイヤＷが切れたり、ペレッ
トＳそのものがリードフレームＦから剥がれたり、ある
いはリードＬの表面への押し付け力や熱圧着が不十分の
ためワイヤＷがリードに圧着されない場合には、正常な
ボンディングができなくなり、そのままの状態で樹脂封
止などの工程を経て半導体装置の製造が行われると、歩
留りを低下させることになる。By the way, even if the ball B is formed, the ball B is not press-bonded due to insufficient pressing force or thermocompression on the surface of the pad P, or the capillary 17 is moved to the position of the first bonding. When the wire W is moved from the position to the second bonding position, the wire W is cut off, the pellet S itself is peeled off from the lead frame F, or the wire W is not connected to the lead L due to insufficient pressing force or thermocompression bonding to the surface of the lead L. If the semiconductor device is not pressure-bonded, normal bonding cannot be performed, and if a semiconductor device is manufactured through a process such as resin sealing as it is, the yield will be reduced.
【０００８】そこで、ワイヤボンディングを行っている
ときに、ワイヤ切れが発生した場合に、これの検出を行
うようにしており、従来では、ワイヤ切れ検出を行うた
めに、図３（Ａ）に示すように、クランパ１８とリード
フレームＦの間に抵抗Ｒを介して電圧Ｅを加えるように
している。リードフレームＦは、ステージ１２に置かれ
てアース電位となっている。第１ボンディング開始とと
もにリレーＲＬ1 を開放してリレーＲＬ2 を閉じると、
正常に接合されていれば、Ｅ／（Ｒ＋Ｚ）の電流Ｉ1 が
流れる。なお、ＺはペレットＳとリードフレームＬの間
に存在する抵抗である。ワイヤ先端のボールＢが接合さ
れなかったり、第１ボンディングから第２ボンディング
の位置にボンディングヘッドを移動しているときにワイ
ヤＷが切れたり、ペレットＳそのものがリードＬから剥
がれて不着が発生した場合には、電流Ｉ1 は流れない。Therefore, when wire breakage occurs during wire bonding, the wire breakage is detected. Conventionally, in order to detect wire breakage, FIG. Thus, the voltage E is applied between the clamper 18 and the lead frame F via the resistor R. The lead frame F is placed on the stage 12 and is at the ground potential. Closing relay RL 2 opens the relay RL 1 together with the first bonding start,
If it is successfully joined, current flows I 1 of E / (R + Z). Here, Z is a resistance existing between the pellet S and the lead frame L. When the ball B at the tip of the wire is not bonded, when the bonding head is moved from the first bonding to the second bonding position, the wire W is cut, or the pellet S itself is peeled off from the lead L and non-bonding occurs. , the current I 1 does not flow.
【０００９】したがって、第２ボンディングの直前に電
流Ｉ1 が流れているかどうかを検出することにより、第
１ボンディングにおけるワイヤ切れの検出を行ってい
る。なお、半導体装置は極性を有するため、実際には、
電圧Ｅの極性を変化させていずれかの極性において、電
流Ｉ1 が流れたことを種々の方法で検出し、正常にボン
ディングされたと判定している。どちらの極性において
も、電流Ｉ1 が検出されない場合を不着またはワイヤ切
れと判定している。Accordingly, by detecting whether the current I 1 flows immediately before the second bonding is performed wire breakage detection in first bonding. In addition, since the semiconductor device has polarity, in practice,
In either polarity by changing the polarity of the voltage E, it is determined by detecting that the current I 1 flows in a variety of ways, were successfully bonded. In either polarity, which determines if the current I 1 is not detected as non-bonding or wire breakage.
【００１０】第２ボンディングのワイヤ切れ検出も同様
にして行っており、キャピラリ１７を上昇させ、クラン
パー１８によりワイヤＷを掴んでワイヤＷがリードＬの
付け根のところで切断されるまでに、図３（Ｂ）に示す
ように、電圧Ｅを加えると、ワイヤＷが正常に接合され
た場合には、Ｅ／Ｒの電流Ｉ2 が流れる。接合されない
場合には、Ｅ／（Ｒ＋Ｚ）の電流Ｉ1 が、図３（Ａ）の
場合と同様にして流れることになるので、Ｉ1 ＞Ｉ2 で
あることを利用して第２ボンディングのワイヤ切れ検出
を行っている。このようなワイヤ切れ検出の技術につい
ては、たとえば、特公昭57-35578号公報に記載されてい
る。The detection of wire breakage in the second bonding is performed in the same manner. The capillary 17 is raised, the wire W is gripped by the clamper 18 and the wire W is cut at the base of the lead L (FIG. as shown in B), when a voltage is applied E, when the wire W is bonded properly, current flows I 2 of E / R. When not joined, the current I 1 of E / (R + Z) is, so will flow in the same manner as in the case of FIG. 3 (A), the second bonding by utilizing the fact is I 1> I 2 Wire break detection is being performed. Such a technique for detecting a broken wire is described, for example, in Japanese Patent Publication No. 57-35578.
【００１１】このように、従来では、半導体のペレット
Ｓに強制的に電流を流してワイヤ切れの判定を行ってい
る。ワイヤ切れ検出のために、ペレットＳに強制的に電
流を流すことは、ペレットＳの特性劣化や破損の原因と
なることがある。また、検出精度は、アース間に存在す
る抵抗Ｚに大きく依存するために、第１および第２ボン
ディングともに安定した検出は望めない。しかも、ワイ
ヤ切れ検出時には、リレーＲＬ1 を開放するために、ワ
イヤＷはアース電位から浮いて強制的に流した電流が交
流の誘導電圧の影響を受け、安定した検出ができない場
合がある。As described above, in the related art, the current is forced to flow through the pellet S of the semiconductor to determine the breakage of the wire. Forcibly flowing an electric current through the pellet S for detecting a broken wire may cause deterioration of characteristics or breakage of the pellet S. Further, since the detection accuracy greatly depends on the resistance Z existing between the grounds, stable detection cannot be expected in both the first and second bondings. Moreover, at the time of wire breakage detection, in order to open the relay RL 1, the wire W is current is flowed forcibly floated from the earth potential affected by AC induced voltage, it may not be stable detection.
【００１２】本発明の目的は、ペレットの特性劣化や破
損を防止しつつ高い精度でワイヤ切れなどのボンディン
グ不良を検出し得るようにすることにある。An object of the present invention is to make it possible to detect a bonding defect such as a broken wire with high accuracy while preventing the characteristic deterioration and breakage of a pellet.
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【００１５】すなわち、本発明のワイヤボンディング方
法は、半導体ペレットの被ボンディング部と前記半導体
ペレットを支持する支持部材の被ボンディング部とをワ
イヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法で
あって、前記ワイヤを前記それぞれの被ボンディング部
に接続した後に、基準電位に設定された前記外部引き出
し用端子と前記ワイヤとの間に浮遊容量や漏れ電流など
によって自然に発生する交流の微少誘導電圧を基準値と
比較して前記ワイヤのボンディング不良を検出するよう
にしたことを特徴とする。That is, the wire bonding method of the present invention is a wire bonding method for electrically connecting a portion to be bonded of a semiconductor pellet and a portion to be bonded of a support member supporting the semiconductor pellet by a wire. After connecting to each of the bonded parts, a small induction voltage of alternating current naturally generated by a stray capacitance or a leakage current between the external lead-out terminal and the wire set to a reference potential and a reference value. The method is characterized in that the bonding failure of the wire is detected in comparison.
【００１６】本発明のワイヤボンディング装置は、半導
体ペレットの被ボンディング部と前記半導体ペレットを
支持する支持部材の被ボンディング部とをワイヤにより
電気的に接続するワイヤボンディング装置であって、前
記ワイヤの先端部を一方の前記被ボンディング部に接合
し、他方の前記被ボンディング部に前記ワイヤを前記先
端部から離れた位置で接合するボンディングツールと、
基準電位に設定された前記外部引き出し用端子と前記ワ
イヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発
生する交流の微少誘導電圧を検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段により検出された微少誘導電圧を比較
値と比較する比較手段と、前記微少誘導電圧が前記比較
値よりも高くなったときに、ボンディング不良信号を出
力する不良出力手段とを有し、前記ワイヤのボンディン
グ不良を検出するようにしたことを特徴とする。A wire bonding apparatus according to the present invention is a wire bonding apparatus for electrically connecting a portion to be bonded of a semiconductor pellet and a portion to be bonded of a support member supporting the semiconductor pellet by a wire, wherein the tip of the wire is A bonding tool for bonding a portion to one of the bonded portions and bonding the wire to the other bonded portion at a position away from the distal end portion;
Voltage detection means for detecting an AC micro-induction voltage naturally generated by stray capacitance or leakage current between the external lead-out terminal and the wire set at a reference potential,
Comparing means for comparing the small induced voltage detected by the voltage detecting means with a comparison value, and failure output means for outputting a bonding failure signal when the small induced voltage is higher than the comparison value. And detecting a wire bonding defect.
【００１７】本発明にあっては、半導体ペレットに強制
的に電流を流すことなく、半導体ペレットとワイヤとの
間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発生する微
少誘導電圧を検出することによって、その電圧値に応じ
てボンディング不良を検出するようにしたので、半導体
ペレットの特性劣化や破損などを発生させることなく、
安定的にボンディング不良を検出することができる。検
出し得るボンディング不良としては、ワイヤがパッドに
接合されなかったワイヤの不着、ワイヤの切れ、そして
ペレットがワイヤとともに支持部材から外れる剥がれが
ある。According to the present invention, by detecting a small induced voltage generated naturally due to a stray capacitance or a leakage current between the semiconductor pellet and the wire without forcibly flowing a current through the semiconductor pellet, Since the bonding failure is detected in accordance with the voltage value, the characteristics of the semiconductor pellet are not degraded or damaged, and the like.
Bonding failure can be stably detected. Detectable bonding failures include non-attachment of the wire where the wire was not bonded to the pad, breakage of the wire, and peeling of the pellet with the wire from the support member.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１９】図４は本発明の一実施の形態であるワイヤ
ボンディング装置を示す図であり、この図にあっては、
図２に示したワイヤボンディング装置と共通する部材に
は同一の符号が付されている。図示するワイヤボンディ
ング装置は、図１に示すようなリードフレームＦに固定
されたペレットＳのパッド（接続電極）Ｐと、外部引き
出し用端子としてのリードＬとをワイヤＷにより電気的
に接続するようにしており、被ボンディング部であるパ
ッドＰが第１ボンディング部となっており、被ボンディ
ング部であるリードＬが第２ボンディング部となってい
る。リードフレームＦは、ステージ１２のワイヤボンダ
シャシ２４に載置されてアースされている。したがっ
て、図示する場合には、リードフレームＦは基準電位と
してアース電位に設定されている。FIG. 4 is a diagram showing a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
Members common to those of the wire bonding apparatus shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. The illustrated wire bonding apparatus electrically connects a pad (connection electrode) P of a pellet S fixed to a lead frame F as shown in FIG. 1 and a lead L as an external lead terminal by a wire W. The pad P, which is the part to be bonded, is the first bonding part, and the lead L, which is the part to be bonded, is the second bonding part. The lead frame F is mounted on a wire bonder chassis 24 of the stage 12 and grounded. Therefore, in the case shown, the lead frame F is set to the ground potential as the reference potential.
【００２０】図４に示すように、スプール１９に巻き付
けられたワイヤＷの終端ＷｂはリレーＲＬを介して放電
電源回路２２に接続されており、リレーＲＬは電源側の
接点２５ａと、ワイヤ側の接点２５ｂとを有し、電源側
の接点２５ａはアースされている。ボンディングヘッド
１４を作動させてボンディング操作を行い、リレーＲＬ
を開放すると、アースとワイヤ間に浮遊容量や漏れ電流
などによって自然に交流の微少誘導電圧（以下、自然に
発生する交流の微少電圧と言う）Ｖが発生することにな
り、その微少誘導電圧Ｖは、ワイヤＷがパッドＰに接続
されたときと、リードＬに接続されたときと、いずれに
も接続されていないときとでは、相違することになる。
したがって、その微少誘導電圧Ｖを検出することによ
り、ワイヤＷの接合状況、つまりボンディング状況を判
別することができる。その微少誘導電圧Ｖを検出するた
めに、ワイヤ側の接点２５ｂとワイヤＷの終端Ｗｂとの
間には、電圧検出線２６が電圧検出手段として接続され
ている。As shown in FIG. 4, the terminal Wb of the wire W wound around the spool 19 is connected to a discharge power supply circuit 22 via a relay RL. The relay RL is connected to a power supply side contact 25a and a wire side. The power supply side contact 25a is grounded. The bonding operation is performed by operating the bonding head 14 and the relay RL is operated.
, A small AC induced voltage (hereinafter referred to as a naturally generated small AC voltage) V is naturally generated due to stray capacitance or leakage current between the ground and the wire, and the small induced voltage V Is different between when the wire W is connected to the pad P, when it is connected to the lead L, and when it is not connected to any of them.
Therefore, by detecting the small induced voltage V, the bonding state of the wire W, that is, the bonding state can be determined. In order to detect the small induced voltage V, a voltage detection line 26 is connected as a voltage detection means between the wire side contact 25b and the terminal Wb of the wire W.
【００２１】なお、図示する場合には、リレーＲＬのワ
イヤ側の接点２５ｂをワイヤＷの終端Ｗｂに接続するよ
うにしているが、クランパ１８に接続するようにしても
良いく、電圧検出線２６をクランパ１８あるいはワイヤ
Ｗにブラシなどを摺動自在に接触させ、そのブラシに電
圧検出線２６を接続するようにしても良い。In the illustrated case, the wire-side contact 25b of the relay RL is connected to the terminal Wb of the wire W. However, the contact 25b may be connected to the clamper 18, and the voltage detection line 26 may be connected. May be slidably contacted with the clamper 18 or the wire W, and the voltage detection line 26 may be connected to the brush.
【００２２】電圧検出線２６は電圧増幅器２７を介して
波形整形器２８に接続されており、電圧検出線２６に入
力した入力電圧Ｖは、電圧増幅器２７により増幅され、
波形整形器２８により全波整流される。波形整形器２８
は比較器２９に接続されており、直流電圧ＶDCは比較電
源３０からの比較電圧Ｅと比較される。比較器２９から
の出力信号は、不良出力回路３１に送られて、ここから
ワイヤボンディング装置の作動を制御する装置制御部２
３に出力信号が送られるようになっている。この装置制
御部２３からはリレーＲＬに対して作動制御信号が送ら
れるようになっている。The voltage detection line 26 is connected to a waveform shaper 28 via a voltage amplifier 27. The input voltage V input to the voltage detection line 26 is amplified by the voltage amplifier 27.
Full-wave rectification is performed by the waveform shaper 28. Waveform shaper 28
Is connected to a comparator 29, and the DC voltage VDC is compared with a comparison voltage E from a comparison power supply 30. The output signal from the comparator 29 is sent to the faulty output circuit 31, from which the device controller 2 controls the operation of the wire bonding device.
3, an output signal is sent. The device control section 23 sends an operation control signal to the relay RL.
【００２３】図５（Ａ）は、ワイヤ先端Ｗａがペレット
ＳのパッドＰに接合されなかったり、第１ボンディング
の後にワイヤＷが切断したり、ペレットＳがリードフレ
ームＦから剥がれた場合のように、ワイヤＷがアースか
ら完全に浮いている状態を示し、このときにおける入力
電圧ＶをＶOPENとする。FIG. 5A shows a case where the tip end Wa of the wire is not bonded to the pad P of the pellet S, the wire W is cut after the first bonding, or the pellet S is separated from the lead frame F. , The wire W is completely floating from the ground, and the input voltage V at this time is V OPEN .
【００２４】図５（Ｂ）は、パッドＰにワイヤ先端Ｗａ
が正常に圧着された状態を示し、このときには、ワイヤ
ＷはペレットＳに存在する抵抗Ｚを通してアースに接続
される。このときの入力電圧ＶをＶPAD とする。なお、
ＶPAD において、ペレットＳに存在する抵抗Ｚが無限大
のときに発生する電圧がＶOPENである。FIG. 5B shows a state in which the pad P has a wire tip Wa.
Shows a state in which the wire W is normally crimped. At this time, the wire W is connected to the ground through the resistor Z existing in the pellet S. The input voltage V at this time is defined as V PAD . In addition,
In V PAD , the voltage generated when the resistance Z existing in the pellet S is infinite is V OPEN .
【００２５】図５（Ｃ）は、リードフレームＦのリード
Ｌに正常にワイヤＷが圧着された状態を示し、このとき
には、ワイヤＷはリードフレームＦを通してアースに接
続される。このときの入力電圧ＶをＶLEADとする。この
ＶLEADは、リードフレームＦがアースに接続されるため
に、アース電位つまり０ボルトである。そして、上記３
種類の電圧は、ＶOPEN＞ＶPAD ＞ＶLEADの関係となる。FIG. 5C shows a state in which the wire W is normally crimped to the lead L of the lead frame F. At this time, the wire W is connected to the ground through the lead frame F. The input voltage V at this time is defined as V LEAD . This V LEAD is the ground potential, that is, 0 volt, because the lead frame F is connected to the ground. And the above 3
The types of voltages have a relationship of V OPEN > V PAD > V LEAD .
【００２６】したがって、この電圧の差を第１ボンディ
ング後、および第２ボンディング後に比較検出すること
により、ペレットＳに強制的に電流を流すことなく、安
定かつ容易にワイヤ切れなどのボンディング不良を検出
することができる。Therefore, by comparing and detecting the voltage difference after the first bonding and after the second bonding, a bonding defect such as a broken wire can be detected stably and easily without forcibly flowing a current through the pellet S. can do.
【００２７】アースとワイヤ間に自然に発生する交流の
微少誘導電圧ＶPAD やＶOPENが電圧検出線２６に入力す
ると、その電圧は電圧増幅器２７により増幅され、波形
整形器２８から出力される直流電圧ＶDCは、ＶPAD やＶ
OPENに比例することになる。微少誘導電圧ＶPAD が入力
した場合の直流電圧ＶDCをＶ1 とし、誘導電圧Ｖ
ＯＰＥＮが入力した場合の直流電圧ＶＤＣをＶ2 とし、
比較電圧をＥとし、Ｖ1 ＜Ｅ＜Ｖ2と設定しておくと、
比較器２９は次のように動作する。When a small AC induced voltage V PAD or V OPEN that naturally occurs between the ground and the wire is input to the voltage detection line 26, the voltage is amplified by the voltage amplifier 27 and the DC output from the waveform shaper 28 is output. The voltage VDC is V PAD or V
It will be proportional to OPEN . The DC voltage V DC when small induced voltage V PAD is inputted as V 1, the induced voltage V
The DC voltage V DC when OPEN is input is V 2 ,
When the comparison voltage is E and V 1 <E <V 2 is set,
The comparator 29 operates as follows.
【００２８】まず、正常にワイヤＷの先端がペレットＳ
のパッドＰに圧着されたときには、電圧増幅器２７の入
力電圧ＶはＶPAD となるので、直流電圧ＶDCはＶ1 とな
り、Ｖ1 ＜Ｅのため比較器２９は動作しない。これに対
して、ワイヤＷが切れたり、ペレットＳがリードフレー
ムＦから剥がれた場合には、電圧増幅器２７の入力電圧
ＶはＶOPENとなるので、直流電圧ＶDCはＶ2 となり、Ｅ
＜Ｖ2 のため比較器２９は出力電圧を発生させる。この
電圧を検出して、不良出力回路３１からはボンディング
不良信号が出力される。First, the tip of the wire W is normally placed in the pellet S
When it is pressed against the pad P, since the input voltage V of the voltage amplifier 27 becomes V PAD, the DC voltage V DC comparators 29 for V 1 becomes, V 1 <E does not operate. On the other hand, if the wire W breaks or the pellet S comes off from the lead frame F, the input voltage V of the voltage amplifier 27 becomes V OPEN , so that the DC voltage VDC becomes V 2 and E
<Comparator 29 for V 2 generates an output voltage. Detecting this voltage, the defective output circuit 31 outputs a bonding defective signal.
【００２９】一方、正常にワイヤＷがリードＬに圧着さ
れたときには、リードＬがステージ１２を介してアース
されているので、電圧増幅器２７への入力電圧Ｖは０ボ
ルトとなり、第２ボンディング後に０ボルト以外の電圧
が発生した場合には、ボンディング不良であることを検
出することができる。On the other hand, when the wire W is normally crimped to the lead L, the input voltage V to the voltage amplifier 27 becomes 0 volt after the second bonding because the lead L is grounded via the stage 12. When a voltage other than volts is generated, it is possible to detect a bonding failure.
【００３０】すなわち、正常にリードＬにワイヤＷが圧
着されている場合には、電圧増幅器２７への入力電圧Ｖ
も０ボルトとなるので、波形整形器２８により整形され
た直流電圧ＶDCは０ボルトとなり、Ｅ＝ＶDCとなって比
較器２９は作動しない。これに対して、ワイヤの不着や
ワイヤ切れが発生している場合には、電圧増幅器２７へ
の入力電圧ＶはＶPAD またはＶOPENとなり、波形整形器
２８により整形された直流電圧ＶDCは、０ボルト以外の
電圧ＶDCX となり、Ｅ（０ボルト）＜ＶDCX となり、比
較器２９が動作して出力電圧を発生させる。この電圧を
不良出力回路３１により検出して、装置制御部２３には
ボンディング不良信号が送られる。That is, when the wire W is normally crimped to the lead L, the input voltage V to the voltage amplifier 27 is
Is also 0 volts, the DC voltage VDC shaped by the waveform shaper 28 is 0 volts, E = V DC, and the comparator 29 does not operate. On the other hand, when the wire is not attached or the wire is broken, the input voltage V to the voltage amplifier 27 becomes VPAD or VOPEN , and the DC voltage VDC shaped by the waveform shaper 28 is The voltage V DCX becomes a voltage other than 0 volts, and E (0 volts) <V DCX , and the comparator 29 operates to generate an output voltage. This voltage is detected by the failure output circuit 31, and a bonding failure signal is sent to the device control unit 23.
【００３１】図６はワイヤボンディング装置が正常に作
動した場合における作動状態を示すタイムチャートであ
り、これを参照しながらワイヤボンディングの手順を説
明する。FIG. 6 is a time chart showing an operation state when the wire bonding apparatus operates normally, and the procedure of wire bonding will be described with reference to FIG.
【００３２】図４に示すリレーＲＬを閉じた状態のもと
で、放電電源回路２２によりワイヤＷの先端Ｗａと電極
２１との間に放電を発生させ、放電による熱エネルギを
ワイヤＷの先端Ｗａに加えてボールＢを形成する。この
期間はリレーＲＬの接点２５ｂはアースされているため
に、電圧増幅器２７の入力電圧Ｖはアース電位つまり０
ボルトである。ボールＢが形成された後に、キャピラリ
１７を作動させてペレットＳのパッドＰに対してワイヤ
先端Ｗａを押し付けて熱圧着して第１ボンディングを行
う。この第１ボンディングが行われる期間はＴA に設定
されている。In a state where the relay RL shown in FIG. 4 is closed, a discharge is generated between the tip Wa of the wire W and the electrode 21 by the discharge power supply circuit 22, and the heat energy by the discharge is transferred to the tip Wa of the wire W. In addition, a ball B is formed. During this period, since the contact 25b of the relay RL is grounded, the input voltage V of the voltage amplifier 27 is set to the ground potential, that is, 0 V.
It is a bolt. After the ball B is formed, the capillary 17 is operated to press the wire tip Wa against the pad P of the pellet S, and perform the first bonding by thermocompression bonding. The period during which the first bonding is performed is set to T A.
【００３３】パッドＰの表面にワイヤ先端Ｗａが押し付
けられた時点でリレーＲＬを開放すると、ワイヤＷはペ
レットＳの内部抵抗Ｚを通してリードフレームＦに電気
的に接続された状態となる。そして、リードフレームＦ
はステージ１２のシャシ２４を介してアースされている
ためワイヤＷとアース間に微少な交流電圧が発生し、微
少な交流電流がワイヤＷとリードＬとの間に流れる。こ
の電流がペレットＳに流れる内部抵抗Ｚに電圧ＶPAD を
発生させる。この電圧ＶPAD はペレットＳの内部抵抗に
依存する。When the relay RL is opened when the wire tip Wa is pressed against the surface of the pad P, the wire W is electrically connected to the lead frame F through the internal resistance Z of the pellet S. And lead frame F
Is grounded via the chassis 24 of the stage 12, a small AC voltage is generated between the wire W and the ground, and a small AC current flows between the wire W and the lead L. This current generates a voltage VPAD in the internal resistance Z flowing through the pellet S. This voltage V PAD depends on the internal resistance of the pellet S.
【００３４】次いで、キャピラリ１７をリードＬの位置
に移動させワイヤＷをリードＬに押し付けて熱圧着して
第２ボンディングを行う。この第２ボンディングが行わ
れる期間はＴB に設定されており、第１ボンディングが
終了してから、期間Ｔ1 が経過してから、第２ボンディ
ングが行われる。第１ボンディングが終了してから第２
ボンディングが開始するまでの期間Ｔ1 に、第１ボンデ
ィング時にワイヤ先端の不着が発生したり、ワイヤ切れ
が発生してボンディング不良が発生した場合には、波形
整形器２８からの直流電圧ＶDCが比較電圧Ｅよりも高く
なるので、ボンディング不良が検出される。つまり、比
較電源３０からの比較電圧Ｅは、パッドＰに正常にワイ
ヤ先端Ｗａが接合されたときにおける微少誘導電圧Ｖ
PAD に対応した波形整形器２８からの直流電圧Ｖ1 より
も高い電圧に設定されており、第１ボンディングが正常
に行われた場合には、時間Ｔ1 の間は比較器２９から出
力信号が出力されない。Next, the capillary 17 is moved to the position of the lead L, and the wire W is pressed against the lead L and thermocompression-bonded to perform the second bonding. The period in which the second bonding is performed is set to T B , and the second bonding is performed after a lapse of the period T 1 from the end of the first bonding. After the first bonding is completed, the second
The period T 1 of the until the bonding is started, or non-delivery of the wire tip upon the first bonding occurs, if the bonding failure occurs wire breakage occurred, the DC voltage V DC from the waveform shaper 28 Since the voltage becomes higher than the comparison voltage E, a bonding failure is detected. That is, the comparison voltage E from the comparison power supply 30 is equal to the minute induction voltage V when the wire tip Wa is normally bonded to the pad P.
PAD is set to a voltage higher than the DC voltages V 1 from the waveform shaper 28 which corresponds to, when the first bonding is successful, during the time T 1 is the output signal from the comparator 29 No output.
【００３５】第２ボンディングが終了するとキャピラリ
１７が上昇し、ワイヤクランパ１８がワイヤＷを掴んで
ワイヤＷはリードＬの根元の部分で切断される。ワイヤ
クランパ１８はタイミングＴC のときに作動開始し、ワ
イヤクランパ１８の作動によってワイヤＷは、タイミン
グＴD のときに切断される。When the second bonding is completed, the capillary 17 moves up, the wire clamper 18 grasps the wire W, and the wire W is cut at the root of the lead L. The wire clamper 18 starts operating at the timing T C , and the operation of the wire clamper 18 causes the wire W to be disconnected at the timing T D.
【００３６】第２ボンディングが終了してからクランパ
１８が作動開始するまでの期間Ｔ2に第２ボンディング
の不良が検出される。さらに、クランパ１８が作動して
から所定の期間Ｔ3 内にワイヤＷが切断されなかった場
合には、ボンディング不良が検出される。つまり、第２
ボンディングが正常に行われた場合には、リードＬにワ
イヤＷが接合されるので、ＶLEADは０ボルトであり、波
形整形器２８からの直流電圧ＶDCも０ボルトとなり、比
較器２９からは出力信号は出力されない。ワイヤＷがワ
イヤクランパ１８の作動によってタイミングＴD のとき
に切断されると、ボンディング不良検出期間Ｔ3 内に、
波形整形器２８からの直流電圧ＶDCは、微少誘導電圧Ｖ
OPENに対応した電圧Ｖ2 となって比較器２９から出力信
号が出力されるが、このときには、装置制御部２３から
の信号によって不良出力回路３１からは出力信号が発生
しないようになっている。The second bonding failure is detected in the period T 2 of the from the second bonding is completed until the clamper 18 begins operation. Further, the clamper 18 when the wire W is not cut within the predetermined time period T 3 from operating, bonding failure is detected. That is, the second
When the bonding is performed normally, since the wire W is bonded to the lead L, V LEAD is 0 volt, the DC voltage VDC from the waveform shaper 28 is also 0 volt, and the comparator 29 No output signal is output. When the wire W is cut at the timing T D by the operation of the wire clamper 18, the bonding failure in the detection period T 3,
The DC voltage VDC from the waveform shaper 28 is a small induction voltage V
An output signal is output from the comparator 29 as a voltage V 2 corresponding to OPEN . At this time, an output signal is not generated from the defective output circuit 31 by a signal from the device control unit 23.
【００３７】ワイヤクランパ１８がＴC のときに作動開
始し、ワイヤＷがＴD のときに切断されるまでの時間を
ｔとすると、ワイヤクランパ１８が作動した時点から新
たに、不良検出時間Ｔ3 を、Ｔ3 ＞ｔに設定すると、第
２ボンディングが正常に行われた場合には、Ｔ3 期間内
にワイヤＷが切断され、電圧増幅器２７への入力電圧Ｖ
はＶOPENとなる。また、Ｔ3 期間内にワイヤＷが切断さ
れない場合には、電圧増幅器２７への入力電圧ＶはＶ
PAD となる。期間Ｔ3 の設定が長すぎると、ワイヤＷが
リードＬから剥がれてからさらに切断されることもある
ので、正常に切断された場合との区別ができずに、誤動
作の原因ともなる。このため、不良検出期間Ｔ3 の値
は、ｔ＋数ミリ秒以内に設定されている。Assuming that the time from when the wire clamper 18 starts to operate at T C to the time when the wire W is cut at T D is t, a new defect detection time T 3 is set to T 3 > t, when the second bonding is performed normally, the wire W is cut off within the T 3 period, and the input voltage V to the voltage amplifier 27 is
Becomes V OPEN . Further, when in the period T 3 wire W is not disconnected, the input voltage V to the voltage amplifier 27 V
PAD . When the setting of the period T 3 is too long, the wire W is also be further cut from peeling off from the lead L, unable to distinguish from when it is normally disconnected, even cause a malfunction. Therefore, the value of the defect detection period T 3 is set within t + a few milliseconds.
【００３８】図６に示すボンディング操作を所定数のパ
ッドＰとリードＬとの間について行ってこれらの間をワ
イヤＷにより電気的に接続することにより、ボンディン
グ工程が終了する。The bonding operation shown in FIG. 6 is performed between a predetermined number of pads P and leads L, and these are electrically connected by wires W, thereby completing the bonding step.
【００３９】図７（Ａ）は第１ボンディング終了後のボ
ンディング不良検出期間Ｔ1 内にワイヤ切れが発生した
場合におけるタイムチャートを示し、ワイヤ切れ、ワイ
ヤ先端のペレットＳからの剥がれ、そしてペレットＳの
リードフレームからの剥がれなどのボンディング不良が
発生すると、波形整形器２９からの直流電圧ＶDCは、一
点鎖線で示すように、比較電圧Ｅよりも高い電圧Ｖ2 と
なり、不良出力回路３１からはボンディング不良信号が
出力される。FIG. 7A shows a time chart in the case where a wire break occurs during the bonding failure detection period T 1 after the end of the first bonding, in which the wire breaks, the tip of the wire is separated from the pellet S, and the pellet S is removed. When a bonding failure such as peeling from the lead frame occurs, the DC voltage VDC from the waveform shaper 29 becomes a voltage V 2 higher than the comparison voltage E as indicated by a dashed line, and the defective output circuit 31 A bonding failure signal is output.
【００４０】図７（Ｂ）は第２ボンディング終了後のボ
ンディング不良検出期間Ｔ2 内に、ボンディング不良が
発生した場合におけるタイムチャートを示す。この期間
Ｔ2内にボンディング不良が発生すると、出力電圧ＶDC
は比較電圧Ｅよりも高い電圧Ｖ2 となり、不良出力回路
３１からはボンディング不良信号が出力される。[0040] in FIG. 7 (B) the bonding failure detection period T 2 of the post-second bonding ends, a time chart in a case where the bonding defect occurs. When bonding defect occurs within this period T 2, the output voltage V DC
The bonding failure signal is output from the high voltage V 2, and the defective output circuit 31 than the comparative voltage E.
【００４１】たとえば、図５（Ｄ）に示すように、第２
ボンディングが終了した後にキャピラリ１７が上昇し、
ワイヤクランパ１８によりワイヤＷを掴むまでの期間Ｔ
2 にワイヤＷがリードＬから剥がれた場合や、図５
（Ｅ）に示すように、ワイヤＷがリードＬから剥がれた
後にワイヤＷが切れた場合、そして、図５（Ｆ）に示す
ように、ワイヤＷがリードＬから剥がれるとともにペレ
ットＳもリードフレームＦから剥がれた場合には、波形
整形器２８からの出力電圧ＶDCは比較電圧Ｅよりも高い
電圧ＶPAD やＶOPENとなるので、それを検出することが
できる。図５（Ｆ）において二点鎖線で示すように、ペ
レットＳが一部リードフレームＦに接触した状態でリー
ドフレームＦから剥がれた場合にも、同様にしてボンデ
ィング不良として検出することができる。For example, as shown in FIG.
After bonding is completed, the capillary 17 rises,
Period T until wire W is gripped by wire clamper 18
And if 2 to the wire W is peeled from the lead L, 5
As shown in FIG. 5E, when the wire W breaks after the wire W has peeled off from the lead L, and as shown in FIG. In the case where the output voltage V DC is separated from the reference voltage E, the output voltage V DC from the waveform shaper 28 becomes a voltage V PAD or V OPEN higher than the comparison voltage E, so that it can be detected. As shown by a two-dot chain line in FIG. 5 (F), even when the pellet S comes off the lead frame F in a state where the pellet S is partially in contact with the lead frame F, it can be similarly detected as a bonding failure.
【００４２】図７（Ｃ）はワイヤクランパ１８が作動開
始してからワイヤＷが切断されるまでのボンディング不
良検出期間Ｔ3 内に、ボンディング不良が発生した場合
におけるタイムチャートを示す。この期間Ｔ3 内に波形
整形器２８からの直流電圧ＶDCが比較電圧Ｅよりも高く
ならない場合には、ワイヤＷが適正に切断されていない
などのボンディング不良であり、この期間Ｔ3 が経過し
た後に不良出力回路３１からはボンディング不良信号が
出力される。このように、Ｔ3 期間内でのボンディング
不良の判定は、直流電圧ＶDCが比較電圧Ｅよりも高くな
ったときに正常であると判断されるので、不良検出期間
Ｔ1 やＴ2 における判定とは、判定論理が逆となってい
る。[0042] in FIG. 7 (C) wire clamper 18 in bonding failure detection period T 3 from the start of operation until the wire W is cut, a time chart in a case where the bonding defect occurs. If the DC voltage V DC from the waveform shaper 28 does not become higher than the comparison voltage E is in this period T 3, the wire W is bonding failure such as not properly cut, after this time period T 3 After that, a bonding failure signal is output from the failure output circuit 31. Thus, bonding the determination of failure in the period T 3, since it is determined to be normal when the DC voltage V DC is higher than the comparison voltage E, the judgment in the defect detection period T 1 and T 2 And the decision logic is reversed.
【００４３】前述したボンディング期間ＴA 、ＴB や不
良検出期間Ｔ1 〜Ｔ3 、そしてクランパ作動タイミング
ＴC などは、装置制御部２３からの制御信号により任意
に設定することができ、さらに、基準電圧Ｅの値も同様
にして任意に設定することができる。The above-described bonding periods T A and T B , the defect detection periods T 1 to T 3 , and the clamper operation timing T C can be arbitrarily set by a control signal from the device control unit 23. The value of the reference voltage E can be arbitrarily set in the same manner.
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記の
形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the above-described embodiment and can be variously modified without departing from the gist of the invention. Needless to say, there is.
【００４５】たとえば、本発明のワイヤボンディングは
熱圧着ボンディング以外に、超音波併用熱圧着ボンディ
ングおよび超音波ボンディングにも適用することがで
き、ボンディングツールとしてキャピラリを使用するこ
となく、ウェッジツールを用いるようにしたウェッジボ
ンディングにも本発明を適用することができる。また、
第１ボンディングをリードに行った後に第２ボンディン
グをペレットのパッドに行うようにした逆ボンディング
にも本発明を適用することができる。さらに、図示する
場合にはペレットを支持部材としてのリードフレームに
搭載するようにしているが、導体性のリードが形成され
た樹脂などからなるフィルム状のテープを支持部材して
これにペレットを搭載するようにして半導体装置を製造
する場合にも本発明を適用することができる。その場合
には、導体性のリードをステージのシャシに電気的に接
続してアースする。For example, the wire bonding of the present invention can be applied not only to thermocompression bonding but also to thermocompression bonding with ultrasonic waves and ultrasonic bonding, and it is possible to use a wedge tool without using a capillary as a bonding tool. The present invention can be applied to the wedge bonding described above. Also,
The present invention can also be applied to reverse bonding in which the first bonding is performed on the lead and then the second bonding is performed on the pad of the pellet. Furthermore, in the case shown in the drawing, the pellet is mounted on a lead frame as a support member, but a film-shaped tape made of resin or the like on which conductive leads are formed is mounted on the support member and the pellet is mounted thereon. The present invention can be applied to a case where a semiconductor device is manufactured as described above. In that case, the conductive leads are electrically connected to the chassis of the stage and grounded.
【００４６】[0046]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.
【００４７】(1).半導体ペレットに強制的に電流を流す
ことなく、ボンディング不良を検出することができるの
で、半導体ペレットの特性劣化や破損を防止して、半導
体装置の製造歩留りを向上させることができる。(1) Since a bonding failure can be detected without forcibly flowing an electric current through the semiconductor pellet, the characteristic deterioration and breakage of the semiconductor pellet can be prevented, and the production yield of the semiconductor device can be improved. Can be.
【００４８】(2).ワイヤボンディング工程においてボン
ディング不良が発生した場合における不良検出を高精度
で行うことができる。(2) A defect can be detected with high accuracy when a bonding defect occurs in the wire bonding step.
【図１】リードフレームに固定された半導体ペレットの
パッドとリードとをワイヤにより電気的に接続するワイ
ヤボンディング工程を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a wire bonding step of electrically connecting pads and leads of a semiconductor pellet fixed to a lead frame by wires.
【図２】ワイヤボンディング装置の概略構造を示す正面
図である。FIG. 2 is a front view showing a schematic structure of a wire bonding apparatus.
【図３】従来のワイヤ切れ検出装置を示す概略図であ
る。FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional wire breakage detection device.
【図４】本発明の一実施の形態であるワイヤボンディン
グ装置を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic view showing a wire bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれボンディング状況と
微少誘導電圧との関係を示す概略図である。5A to 5F are schematic diagrams each showing a relationship between a bonding state and a small induced voltage.
【図６】正常なワイヤボンディング工程を示すタイムシ
ャートである。FIG. 6 is a time chart showing a normal wire bonding step.
【図７】（Ａ）はペレットのパッドに対してワイヤを接
合したときボンディング不良が発生した場合におけるタ
イムチャートであり、（Ｂ）はリードに対してワイヤを
接合したときにボンディング不良が発生した場合におけ
るタイムチャートであり、（Ｃ）はワイヤの切断工程に
おけるボンディング不良が発生した場合におけるタイム
チャートである。FIG. 7A is a time chart when a bonding failure occurs when a wire is bonded to a pellet pad, and FIG. 7B is a time chart when a bonding failure occurs when a wire is bonded to a lead. (C) is a time chart when a bonding failure occurs in the wire cutting step.
１１ 架台 １２ ステージ １３ ＸＹテーブル １４ ボンディングヘッド １５ ボンディングアーム １６ 駆動部材 １７ キャピラリ １８ ワイヤクランパ １９ スプール ２１ 放電電極 ２２ 放電電源回路 ２３ 装置制御部 ２６ 電圧検出線 ２７ 電圧増幅器 ２８ 波形整形器 ２９ 比較器 ３０ 比較電源 ３１ 不良出力回路 Ｆ リードフレーム Ｌ リード Ｐ パッド（接続電極） Ｓ 半導体ペレット ＲＬ リレー Ｗ ワイヤ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Mount 12 Stage 13 XY table 14 Bonding head 15 Bonding arm 16 Drive member 17 Capillary 18 Wire clamper 19 Spool 21 Discharge electrode 22 Discharge power supply circuit 23 Device control part 26 Voltage detection line 27 Voltage amplifier 28 Waveform shaper 29 Comparator 30 Comparison Power supply 31 defective output circuit F lead frame L lead P pad (connection electrode) S semiconductor pellet RL relay W wire
Claims (4)
記半導体ペレットを支持する支持部材の被ボンディング
部とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディン
グ方法であって、 前記ワイヤを前記それぞれの被ボンディング部に接続し
た後に、基準電位に設定された外部引き出し用端子と前
記ワイヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然
に発生する交流の微少誘導電圧を基準値と比較して前記
ワイヤのボンディング不良を検出するようにしたことを
特徴とするワイヤボンディング方法。1. A wire bonding method for electrically connecting a portion to be bonded of a semiconductor pellet and a portion to be bonded of a support member that supports the semiconductor pellet by a wire, wherein the wire is connected to each of the portions to be bonded. After connection, a small induction voltage of alternating current naturally generated due to stray capacitance or leakage current between the external lead-out terminal set to the reference potential and the wire is compared with a reference value to reduce bonding failure of the wire. A wire bonding method characterized by detecting.
記半導体ペレットを支持する支持部材の被ボンディング
部とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディン
グ装置であって、 前記ワイヤの先端部を一方の前記被ボンディング部に接
合し、他方の前記被ボンディング部に前記ワイヤを前記
先端部から離れた位置で接合するボンディングツール
と、 基準電位に設定された前記外部引き出し用端子と前記ワ
イヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発
生する交流の微少誘導電圧を検出する電圧検出手段と、 前記電圧検出手段により検出された微少誘導電圧を比較
値と比較する比較手段と、 前記微少誘導電圧が前記比較値よりも高くなったとき
に、ボンディング不良信号を出力する不良出力手段とを
有し、 前記ワイヤのボンディング不良を検出するようにしたこ
とを特徴とするワイヤボンディング装置。2. A wire bonding apparatus for electrically connecting a portion to be bonded of a semiconductor pellet and a portion to be bonded of a support member supporting the semiconductor pellet by a wire, wherein a tip of the wire is connected to one of the portions to be bonded. A bonding tool for bonding to the bonding portion and bonding the wire to the other bonded portion at a position away from the tip portion; and a stray capacitance between the external lead-out terminal set to a reference potential and the wire. Voltage detecting means for detecting a small induced voltage of an alternating current which is naturally generated due to a current or a leakage current; comparing means for comparing a small induced voltage detected by the voltage detecting means with a comparison value; A failure output means for outputting a bonding failure signal when the value is higher than the value. Wire bonding apparatus being characterized in that to detect the ring failure.
ペレットを支持する支持部材の外部引き出し用端子とを
ワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング方法
であって、 前記接続電極に前記ワイヤを接合する接合工程後に、基
準電位に設定された前記外部引き出し用端子と前記ワイ
ヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発生
する交流の微少誘導電圧が所定値以上となったときにボ
ンディング不良を出力し、 前記外部引き出し用端子に前記ワイヤを接合する接合工
程後に、前記微少誘導電圧が所定値以上となったときに
ボンディング不良を出力し、 前記ワイヤを前記接続電極と前記外部引き出し用端子と
の間に接合した後に、前記微少誘導電圧が所定値以下と
なったときにボンディング不良を出力し、 前記ワイヤのボンディング不良を検出するようにしたこ
とを特徴とするワイヤボンディング方法。3. A wire bonding method for electrically connecting a connection electrode of a semiconductor pellet and an external lead-out terminal of a support member supporting the semiconductor pellet by a wire, wherein the wire is bonded to the connection electrode. After the process, a bonding failure is output when a small induction voltage of alternating current naturally generated due to stray capacitance or leakage current between the external lead-out terminal set to the reference potential and the wire becomes a predetermined value or more. After the bonding step of bonding the wire to the external lead-out terminal, a bonding failure is output when the minute induction voltage is equal to or more than a predetermined value, and the wire is connected to the connection electrode and the external lead-out terminal. When the small induced voltage becomes equal to or less than a predetermined value after bonding between the wires, a bonding failure is output, and the bonding of the wire is performed. Wire bonding method being characterized in that to detect the Ingu failure.
ペレットを支持する支持部材の外部引き出し用端子とを
ワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング装置
であって、 前記ワイヤを前記接続電極と前記外部引き出し用端子と
の間に接合するボンディングツールと、 基準電位に設定された前記外部引き出し用端子と前記ワ
イヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発
生する交流の微少誘導電圧を検出する電圧検出手段と、 前記電圧検出手段により検出された微少誘導電圧を比較
値と比較する比較手段と、 前記接続電極に前記ワイヤを接合する接合工程後に、基
準電位に設定された前記外部引き出し用端子と前記ワイ
ヤとの間に浮遊容量や漏れ電流などによって自然に発生
する交流の微少誘導電圧が所定値以上となったときにボ
ンディング不良を出力し、前記外部引き出し用端子に前
記ワイヤを接合する接合工程後に、前記微少誘導電圧が
所定値以上となったときにボンディング不良を出力し、
さらに前記ワイヤを前記接続電極と前記外部引き出し用
端子との間に接合した後に、前記微少誘導電圧が所定値
以下となったときにボンディング不良を出力する不良出
力手段とを有し、 前記ワイヤのボンディング不良を検出するようにしたこ
とを特徴とするワイヤボンディング装置。4. A wire bonding apparatus for electrically connecting a connection electrode of a semiconductor pellet and an external lead terminal of a support member supporting the semiconductor pellet by a wire, wherein the wire is connected to the connection electrode and the external lead. A bonding tool to be bonded to the external terminal, and a voltage for detecting a small induced voltage of alternating current naturally generated by a stray capacitance or a leakage current between the external lead terminal and the wire set at a reference potential. Detecting means, comparing means for comparing a small induction voltage detected by the voltage detecting means with a comparison value, and after the joining step of joining the wire to the connection electrode, the external lead-out terminal set to a reference potential; When the minute induced voltage of alternating current naturally generated due to stray capacitance or leakage current between the wire and the wire has become equal to or higher than a predetermined value. Bonding failure outputs, after the bonding step of bonding the wire to the external lead-out terminal, and outputs the bonding failure when the micro induced voltage exceeds a predetermined value, the
Further, after the wire is joined between the connection electrode and the external lead-out terminal, a failure output unit that outputs a bonding failure when the minute induced voltage becomes equal to or less than a predetermined value, A wire bonding apparatus characterized by detecting a bonding defect.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044990A JPH11243119A (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Wire bonding method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10044990A JPH11243119A (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Wire bonding method and apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11243119A true JPH11243119A (en) | 1999-09-07 |
Family
ID=12706894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10044990A Pending JPH11243119A (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Wire bonding method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11243119A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN116984708A (en) * | 2023-09-27 | 2023-11-03 | 深圳市大族封测科技股份有限公司 | Welding wire detection device and method |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP10044990A patent/JPH11243119A/en active Pending
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