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JPH1123236A - Apparatus for measuring substrate spacing and method for measuring substrate spacing - Google Patents

Apparatus for measuring substrate spacing and method for measuring substrate spacing

Info

Publication number
JPH1123236A
JPH1123236A JP9176101A JP17610197A JPH1123236A JP H1123236 A JPH1123236 A JP H1123236A JP 9176101 A JP9176101 A JP 9176101A JP 17610197 A JP17610197 A JP 17610197A JP H1123236 A JPH1123236 A JP H1123236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
distance
measuring
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9176101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuji Ono
克二 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP9176101A priority Critical patent/JPH1123236A/en
Publication of JPH1123236A publication Critical patent/JPH1123236A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はスペーサを介して接合した2枚の基板
の基板間隔を測定する基板間隔の測定装置及び基板間隔
の測定方法に関し、上下基板の大きさが異なる場合であ
っても確実に間隔測定を行なうことを課題とする。 【解決手段】金属柱16により微小な基板間隔18を隔
てて接合された二枚の基板12,14の間に基板間隔1
8の一方から平行光線かつ光強度分布が一様な入射光を
入射させる投光装置20Aと、基板間隔18の他方から
出射する出射光の光強度を検出する受光装置22Aと、
投光装置20Aを各基板12,14の面方向に対し垂直
な方向に移動させる移動装置30と、受光装置22Aが
検出する光強度と投光装置20Aの移動量に基づき基板
間隔18の距離を測定する間隔測定回路32とを設け
る。
(57) Abstract: The present invention relates to a substrate spacing measuring device and a substrate spacing measuring method for measuring a substrate spacing between two substrates joined via a spacer, and relates to a case where upper and lower substrates have different sizes. It is an object of the present invention to reliably perform interval measurement even if there is any. A substrate gap (1) is provided between two substrates (12, 14) joined by a metal pillar (16) with a small substrate gap (18).
8, a light projecting device 20 </ b> A that receives incident light having a parallel light beam and a uniform light intensity distribution from one of the light emitting devices 8, a light receiving device 22 </ b> A that detects light intensity of light emitted from the other of the substrate gaps 18,
A moving device 30 for moving the light projecting device 20A in a direction perpendicular to the surface direction of each of the substrates 12 and 14, and a distance between the substrate intervals 18 based on the light intensity detected by the light receiving device 22A and the moving amount of the light projecting device 20A. An interval measurement circuit 32 for measurement is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は基板間隔の測定装置
及び基板間隔の測定方法に係り、特にスペーサを介して
接合した2枚の基板の基板間隔を測定する基板間隔の測
定装置及び基板間隔の測定方法に関する。近年の半導体
技術の発達、特に化合物半導体の高周波特性の向上は目
ざましいものがあり、マイクロ波帯のみならず、ミリ波
帯への応用さえも現実の物となりつつある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for measuring a distance between substrates and a method for measuring a distance between substrates, and more particularly to an apparatus and a method for measuring the distance between two substrates joined via a spacer. Related to the measurement method. 2. Description of the Related Art In recent years, the development of semiconductor technology, particularly the improvement of high-frequency characteristics of compound semiconductors, has been remarkable, and the application to not only the microwave band but also the millimeter wave band is becoming a reality.

【0002】化合物半導体をミリ波帯の装置に使用する
と、装置の小型化が図れる等の利点は大きいが、普及を
促すためには装置の低価格化を図る必要がある。しかる
に、化合物半導体基板は高価なため、装置の低価格化の
ためには使用する化合物半導体基板の面積を小さくする
必要がある。そこで、必要がある部分(能動素子等)の
みを化合物半導体で作製し、それ以外の部分(整合回路
等)を安価なシリコン基板上に形成し、これら二つの基
板を金属バンプ等で貼り合わせる(フリップチップボン
ディング)ことで、化合物半導体の使用面積を最小限に
し装置コストの低減を図る方法が提案されている。
The use of a compound semiconductor for a device in the millimeter-wave band has a great advantage in that the device can be reduced in size, but it is necessary to reduce the price of the device in order to promote its spread. However, since the compound semiconductor substrate is expensive, it is necessary to reduce the area of the compound semiconductor substrate used in order to reduce the cost of the device. Therefore, only the necessary parts (active elements and the like) are made of a compound semiconductor, the other parts (matching circuits and the like) are formed on an inexpensive silicon substrate, and these two substrates are bonded with metal bumps and the like ( A method has been proposed in which the use area of a compound semiconductor is minimized by flip-chip bonding to reduce the apparatus cost.

【0003】[0003]

【従来の技術】ところで、フリップチップボンディング
して貼り合わせた基板同志は、非常に距離が接近した状
態(実際には数ミクロンから数十ミクロン程度)に位置
しているが、ミリ波帯の様な高い周波数の回路では、基
板上の伝送線路の特性インピーダンスが近接する接地面
等の影響で変化する。そのため基板上の伝送線路の特性
インピーダンスを所望の値にするためには、二つの基板
の間隔を設計通りの値にする必要があり、そのためには
基板の間隔を測定する方法が必要となる。
2. Description of the Related Art By the way, substrates bonded by flip-chip bonding are located very close to each other (actually, about several microns to several tens of microns). In a circuit with a very high frequency, the characteristic impedance of the transmission line on the substrate changes due to the influence of the nearby ground plane or the like. Therefore, in order to set the characteristic impedance of the transmission line on the substrate to a desired value, it is necessary to set the interval between the two substrates to a designed value, and for that purpose, a method of measuring the interval between the substrates is required.

【0004】図7は、従来行なわれていた基板間隔の測
定方法を示している。同図において、上側基板1は化合
物半導体基板であり、金属柱3を介してシリコン基板で
ある下側基板2上に配設されている。これにより、上側
基板1と下側基板2は所定の間隔4を有して対向した状
態となる。従来では、この間隔4の距離を測定する手段
として顕微鏡5を用いている。具体的には、顕微鏡5の
対物レンズにスケールを設けると共に、この顕微鏡5を
上側基板1と下側基板2とが形成する間隔4の側部に位
置させ、顕微鏡5で間隔4を観察しその距離をスケール
を用いて読み取る方法が用いられていた。
FIG. 7 shows a conventional method of measuring the distance between substrates. In the figure, an upper substrate 1 is a compound semiconductor substrate, and is disposed on a lower substrate 2 which is a silicon substrate via a metal pillar 3. As a result, the upper substrate 1 and the lower substrate 2 face each other with a predetermined interval 4 therebetween. Conventionally, a microscope 5 is used as a means for measuring the distance of the interval 4. Specifically, a scale is provided on the objective lens of the microscope 5, and the microscope 5 is located on the side of the interval 4 formed by the upper substrate 1 and the lower substrate 2, and the microscope 5 observes the interval 4 and A method of reading a distance using a scale has been used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、間隔4
を横方向から顕微鏡5により観察し測定する方法では、
図13に示すように、上側基板1の面積に対し下側基板
2の面積が大きい場合(実際この様な場合がほとんどで
ある)には、下側基板2が邪魔となり、顕微鏡5の接眼
レンズを焦点合わせが可能な位置まで間隔4に近づける
事が出来なくなる。このため、顕微鏡5を用いた間隔測
定方法では、事実上基板間隔の測定は不可能であるとい
う問題点があった。
However, the distance 4
In the method of observing and measuring with a microscope 5 from the lateral direction,
As shown in FIG. 13, when the area of the lower substrate 2 is larger than the area of the upper substrate 1 (actually, in most cases), the lower substrate 2 becomes an obstacle and the eyepiece of the microscope 5 Cannot be brought close to the interval 4 to a position where focusing can be performed. For this reason, the distance measurement method using the microscope 5 has a problem that it is practically impossible to measure the distance between the substrates.

【0006】本発明は上記の点に鑑みてななされたもの
であり、上下基板の大きさが異なる場合であっても確実
に間隔測定を行いうる基板間隔の測定装置及び基板間隔
の測定方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and provides a substrate spacing measuring apparatus and a substrate spacing measuring method capable of reliably performing a spacing measurement even when upper and lower substrates have different sizes. The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項1記載の発明に係る基板間隔の測定装置では、スペー
サにより微小な間隔を隔てて接合された二枚の基板の間
に、前記間隔の一方から平行光線かつ光強度分布が一様
な入射光を入射させる投光装置と、前記間隔の他方から
出射する出射光の光強度を検出する受光装置と、前記入
射光の前記間隔への入射状態を、前記基板の面方向に対
し垂直な方向に変化させる入射光変化手段と、前記受光
装置が検出する光強度と、前記入射光変化手段による入
射光の変化量とに基づき前記間隔の距離を測定する測定
手段とを具備することを特徴とするものである。
The above-mentioned object can be attained by taking the following means. In the apparatus for measuring a substrate interval according to the first aspect of the present invention, a parallel light beam and a uniform light intensity distribution are incident from one of the intervals between two substrates joined at a small interval by a spacer. A light projecting device for injecting light, a light receiving device for detecting light intensity of outgoing light emitted from the other of the intervals, and a state in which the incident light is incident on the interval, in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate. Incident light changing means for changing the light intensity, the light intensity detected by the light receiving device, and a measuring means for measuring the distance of the interval based on the amount of change of the incident light by the incident light changing means, Is what you do.

【0008】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載の基板間隔の測定装置において、前記入射光変
化手段は、前記投光装置を前記基板の面方向に対し垂直
な方向に移動させる移動機構であることを特徴とするも
のである。また、請求項3記載の発明では、前記請求項
1または2記載の基板間隔の測定装置において、前記投
光装置を、光軸が前記基板の面方向に対し垂直下方向と
なるよう構成された光源と、前記光源からの出射光を前
記間隔に向かうよう光路変換を行なう第1のプリズムと
により構成し、かつ、前記受光装置を、光軸が前記基板
の面方向に対し垂直下方向となるよう構成された受光素
子と、前記間隔の他方から出射する出射光を前記受光素
子に向かうよう光路変換を行なう第2のプリズムとによ
り構成したことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the apparatus for measuring a substrate interval according to the first aspect, the incident light changing means moves the light projecting device in a direction perpendicular to a surface direction of the substrate. It is a moving mechanism that causes the movement. According to a third aspect of the present invention, in the apparatus for measuring a substrate interval according to the first or second aspect, the light projecting device is configured such that an optical axis is directed downward in a direction perpendicular to a surface direction of the substrate. A light source, and a first prism that performs optical path conversion so that light emitted from the light source is directed toward the space, and the light receiving device is configured such that an optical axis thereof is directed downward perpendicular to a surface direction of the substrate. And a second prism that performs optical path conversion so that outgoing light emitted from the other side of the space is directed to the light receiving element.

【0009】また、請求項4記載の発明では、前記請求
項1乃至3のいずれかに記載の基板間隔の測定装置にお
いて、前記投光装置に加え、前記間隔内にバイアス光を
入射させるバイアス光投光装置を設けたことを特徴とす
るものである。また、請求項5記載の発明では、前記請
求項1記載の基板間隔の測定装置において、前記入射光
変化手段は、前記間隔に入射する入射光の光量を前記基
板の面方向に対し垂直方向に変化させるシャッターであ
ることを特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus for measuring a substrate interval according to any one of the first to third aspects, in addition to the light projecting device, a bias light for causing a bias light to enter the interval is provided. A light projection device is provided. According to a fifth aspect of the present invention, in the apparatus for measuring the distance between the substrates according to the first aspect, the incident light changing means changes the amount of incident light incident on the distance in a direction perpendicular to a surface direction of the substrate. It is characterized in that the shutter is changed.

【0010】更に、請求項6記載の発明に係る基板間隔
の測定方法では、スペーサにより微小な間隔を隔てて接
合された二枚の基板の間に、投光装置を用いて前記間隔
の一方から平行光線かつ光強度分布が一様な入射光を入
射させ、前記入射光の前記間隔への入射状態を前記基板
の面方向に対し垂直な方向に変化させつつ、前記間隔の
他方から出射する出射光の光強度を受光装置により検出
し、前記受光装置が検出する光強度と、前記入射光変化
手段による入射光の変化量とに基づき前記間隔の距離を
測定することを特徴とするものである。
Further, in the method for measuring the distance between the substrates according to the invention of claim 6, between the two substrates joined at a small distance by a spacer, the light is projected from one of the distances using a light projecting device. Parallel light rays and incident light having a uniform light intensity distribution are made incident, and while the incident state of the incident light to the space is changed in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate, the light emitted from the other of the spaces is emitted. The light intensity of the emitted light is detected by a light receiving device, and the distance of the interval is measured based on the light intensity detected by the light receiving device and the amount of change of the incident light by the incident light changing means. .

【0011】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項1及び請求項6記載の発明によれば、入射光変化
手段により、投光装置から出射される入射光の間隔への
入射状態を基板の面方向に対し垂直方向に変化させるこ
とにより、二枚の基板の間隔に入射する入射光の光強度
が変化する。
Each of the above means operates as follows.
According to the first and sixth aspects of the present invention, the incident light changing means changes the incident state of the incident light emitted from the light projecting device to the interval in a direction perpendicular to the plane direction of the substrate, The light intensity of the incident light that enters the space between the two substrates changes.

【0012】従って、受光装置で検出される光強度は光
源の移動量に相関することとなり、具体的には光強度の
変化が開始した投光装置の位置と、受光される光強度が
零となった時の投光装置の位置との距離が間隔の距離と
なる。測定手段では、この原理に基づき、受光装置が検
出する光強度と、前記入射光変化手段による入射光の変
化量とから間隔の距離を測定する。
Therefore, the light intensity detected by the light receiving device is correlated with the amount of movement of the light source. Specifically, the position of the light projecting device at which the light intensity starts to change and the light intensity received are zero. The distance from the position of the light emitting device at the time of becoming becomes the distance of the interval. Based on this principle, the measuring means measures the distance of the interval from the light intensity detected by the light receiving device and the amount of change of the incident light by the incident light changing means.

【0013】また、請求項2記載の発明によれば、投光
装置を基板の面方向に対し垂直な方向に移動させる移動
機構により入射光変化手段を構成したことにより、簡単
な移動動作により間隔に入射させる光強度を変化させる
ことができる。また、請求項3記載の発明によれば、第
1のプリズムを、基板の平面方向に対し垂直方向に移動
する事により、請求項1の場合と同様、間隔に入射する
光の量が変化するため、この間隙から出射される出射光
の光強度を受光装置により検出することにより、間隙の
距離を測定することができる。
According to the second aspect of the present invention, the incident light changing means is constituted by the moving mechanism for moving the light projecting device in a direction perpendicular to the plane direction of the substrate, so that the distance can be easily changed by the moving operation. The intensity of light to be incident on the light source can be changed. According to the third aspect of the invention, by moving the first prism in a direction perpendicular to the plane direction of the substrate, the amount of light incident at intervals changes as in the case of the first aspect. Therefore, the distance of the gap can be measured by detecting the light intensity of the light emitted from the gap by the light receiving device.

【0014】また、請求項4記載の発明によれば、投光
装置に加えて間隔内にバイアス光を入射させるバイアス
光投光装置を設けたことにより、受光装置の感度を向上
させることができる。即ち、通常フォトダイオード等の
受光素子は、入力光が零付近においてはその直線性が悪
化し、入力の変化に対する出力の変化が小さく、かつ感
度が悪くなるという特性を有している。しるかに、バイ
アス光投光装置を設け、バイアスをかける事により受光
素子の感度を上げる事が可能となり、測定精度の向上を
図ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the sensitivity of the light receiving device can be improved by providing the bias light projecting device for injecting the bias light within the interval in addition to the light projecting device. . That is, a light-receiving element such as a photodiode usually has such characteristics that the linearity is deteriorated when the input light is near zero, the output change with respect to the input change is small, and the sensitivity is deteriorated. Instead, by providing a bias light projecting device and applying a bias, the sensitivity of the light receiving element can be increased, and the measurement accuracy can be improved.

【0015】更に、請求項5記載の発明によれば、投光
装置自身を移動する代わりに、光源と間隔の間に配置し
たシャッターを動かす事により間隔に入射する光強度を
変化させることができる。よって、シャッターの移動量
と受光装置の検出結果に基づき、間隙の距離を測定する
ことができる。
Further, according to the fifth aspect of the invention, instead of moving the light projecting device itself, the intensity of light incident on the space can be changed by moving the shutter disposed between the light source and the space. . Therefore, the distance of the gap can be measured based on the amount of movement of the shutter and the detection result of the light receiving device.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図1は、本発明の第1実施例であ
る基板間隔の測定装置10A(以下、単に測定装置10
Aという)を示す要部構成図である。上側基板12は、
GaAs等の化合物半導体で作製されており、能動素子
等が形成されている。また、後述する下側基板14と対
向する所定位置には、メッキ法等で高さ20ミクロン、
直径40ミクロン程度のAuピラー(以下、金属柱16
という)が形成されている。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a measuring device 10A (hereinafter simply referred to as a measuring device 10) of a substrate interval according to a first embodiment of the present invention.
A). The upper substrate 12
It is made of a compound semiconductor such as GaAs, and has active elements and the like. A predetermined position facing the lower substrate 14 described later has a height of 20 microns by plating or the like.
Au pillars having a diameter of about 40 microns (hereinafter referred to as metal pillars 16)
Is formed.

【0017】下側基板14はアルミナ、シリコン等の材
質よりなる基板であり、この下側基板14には整合回路
等の必要な回路パターンが真空蒸着とフォトリソグラフ
ィー等の方法により形成されている。上記構成とされた
上側基板12と下側基板14は金属柱16を介してフリ
ップチップボンディングされ、これにより上側基板12
と下側基板14は一体化する。
The lower substrate 14 is a substrate made of a material such as alumina or silicon, and a required circuit pattern such as a matching circuit is formed on the lower substrate 14 by a method such as vacuum deposition and photolithography. The upper substrate 12 and the lower substrate 14 configured as described above are flip-chip bonded via the metal pillars 16, whereby the upper substrate 12
And the lower substrate 14 are integrated.

【0018】このように、能動素子等の必要部分のみを
化合物半導体で上側基板12に集約的に形成し、それ以
外の整合回路等を安価なシリコン等よりなる下側基板1
4に集約的に形成し、これら二つの基板12,14を金
属柱16でフリップチップボンディングすることで、化
合物半導体の使用面積(即ち、上側基板12の面積)を
最小限にしコストの低減を図ることが可能となる。尚、
金属柱16は、上側基板12と下側基板14とを電気的
に接続する機能も奏するものである。
As described above, only the necessary parts such as the active elements are collectively formed on the upper substrate 12 with the compound semiconductor, and the other matching circuits and the like are formed on the lower substrate 1 made of inexpensive silicon or the like.
4 and the two substrates 12 and 14 are flip-chip bonded with metal pillars 16 to minimize the use area of the compound semiconductor (that is, the area of the upper substrate 12) and reduce the cost. It becomes possible. still,
The metal pillar 16 also has a function of electrically connecting the upper substrate 12 and the lower substrate 14.

【0019】ところで、上記のように上側基板12と下
側基板14を接合することにより、図示されるように上
側基板12と下側基板14との間には、スペーサとして
機能する金属柱16により基板間隔18(寸法d)が形
成される。この接合された基板12,14は非常に接近
した状態となっており、具体的には基板間隔18は数ミ
クロンから数十ミクロン程度となる。
By joining the upper substrate 12 and the lower substrate 14 as described above, a metal column 16 functioning as a spacer is provided between the upper substrate 12 and the lower substrate 14 as shown in the figure. A substrate spacing 18 (dimension d) is formed. The bonded substrates 12 and 14 are very close to each other, and specifically, the substrate spacing 18 is about several microns to several tens of microns.

【0020】前記したように、ミリ波帯の様な高い周波
数の回路では、各基板12,14上の伝送線路の特性イ
ンピーダンスが近接する接地面等の影響で変化する。そ
のため基板12,14上の伝送線路の特性インピーダン
スを所望の値にするためには、二つの基板12,14の
間隔を設計通りの値にする必要があ。そこで、本実施例
では、上記のように金属柱16を介して接合された上側
基板12と下側基板14との間に形成される基板間隔1
8を測定する。
As described above, in a circuit having a high frequency such as a millimeter wave band, the characteristic impedance of the transmission line on each of the substrates 12 and 14 changes due to the influence of an adjacent ground plane or the like. Therefore, in order to set the characteristic impedance of the transmission lines on the substrates 12 and 14 to a desired value, it is necessary to set the interval between the two substrates 12 and 14 to a designed value. Therefore, in the present embodiment, the substrate spacing 1 formed between the upper substrate 12 and the lower substrate 14 joined via the metal pillars 16 as described above.
Measure 8.

【0021】前述の貼り合わせた基板12,14の間隔
両側に投光装置20Aと受光装置22Aを配設する。投
光装置20Aは光源24と第1のレンズ系26とにより
構成されている。また、受光装置22Aは、受光素子3
4と第2のレンズ系28とにより構成されている。本実
施例では、光源24としてフィラメント式電球を用いて
おり、この光源24が発射した光は第1のレンズ系26
を用いて平行光線とされる。尚、光源24としてレーザ
ーダイオードを用いることも可能であり、この場合には
第1のレンズ系26は不要となる。
A light projecting device 20A and a light receiving device 22A are provided on both sides of the space between the substrates 12 and 14 bonded together. The light projecting device 20A includes a light source 24 and a first lens system 26. Further, the light receiving device 22A includes the light receiving element 3
4 and a second lens system 28. In the present embodiment, a filament lamp is used as the light source 24, and the light emitted from the light source 24 is transmitted to the first lens system 26.
Are used as parallel rays. Incidentally, a laser diode can be used as the light source 24, and in this case, the first lens system 26 becomes unnecessary.

【0022】この投光装置20Aは移動装置30(入射
光変化手段)に接続されており、この移動装置30が駆
動することにより、投光装置20Aは基板12,14の
面方向に対し垂直な方向(図における上下方向)に移動
可能な構成とされている。この移動を行なう際、投光装
置20Aに設けられた光源24の移動位置は、各基板1
2,14から離間した位置とすることが望ましい。
The light projecting device 20A is connected to a moving device 30 (incident light changing means). When the moving device 30 is driven, the light projecting device 20A is perpendicular to the surface directions of the substrates 12 and 14. It is configured to be movable in the direction (vertical direction in the figure). When performing this movement, the movement position of the light source 24 provided in the light emitting device 20A is
It is desirable to set the position apart from 2,14.

【0023】即ち、光源24の移動位置を基板12,1
4に近接した位置に設定すると、光源24が最も下がっ
た位置まで移動した状態において、光源24と下側基板
14が接触することが考えられる。このように、光源2
4と下側基板14が接触すると、光源24から出力され
る入射光と下側基板14との間に隙間が形成されてしま
い、測定結果に誤差を与えてしまう(現実問題として、
光源24が下側基板14と接触する部分から平行光線を
出す事は困難である)。よって、図1に示す如く光源2
4は下側基板14の外側に配置する事が望ましい。
That is, the moving position of the light source 24 is
4, the light source 24 may come into contact with the lower substrate 14 in a state where the light source 24 has moved to the lowest position. Thus, the light source 2
When the lower substrate 14 and the lower substrate 14 come into contact with each other, a gap is formed between the incident light output from the light source 24 and the lower substrate 14, giving an error to the measurement result (as a practical problem,
It is difficult to emit a parallel light beam from a portion where the light source 24 contacts the lower substrate 14). Therefore, as shown in FIG.
4 is desirably arranged outside the lower substrate 14.

【0024】基板間隔18に入射する入射光は、図2に
示すように基本的に平行光線でかつ光強度は一定であ
る。よって、基板間隔18と光源24、または基板間隔
18と受光素子34との間隔が大きくても顕微鏡観察の
様に焦点を合わせなくても基板間隔18の測定は可能で
ある。これにより、上側基板12と下側基板14との間
に面積差を有していたとしても、確実に基板間隔18の
測定を行なうことができる。
As shown in FIG. 2, the incident light incident on the substrate space 18 is basically a parallel light beam and has a constant light intensity. Therefore, even if the distance between the substrate interval 18 and the light source 24 or the distance between the substrate interval 18 and the light receiving element 34 is large, the measurement of the substrate interval 18 is possible without focusing as in the case of microscopic observation. Thereby, even if there is an area difference between the upper substrate 12 and the lower substrate 14, the measurement of the substrate interval 18 can be performed reliably.

【0025】また、光源24は移動装置30(例えば、
マイクロメータ)を用いて1ミクロン以下の分解能で移
動を行うことが可能である。光源24を移動させた時
の、受光素子34の出力を記録した一例を図3に示す。
同図に示す如く、光源24は移動に伴い基板間隔18か
ら離間するため、受光素子34が検出する光の強度は低
下する。この光の強度の低下は、略リニアに低下する特
性となる。
The light source 24 is connected to a moving device 30 (for example,
It is possible to perform the movement with a resolution of 1 micron or less using a micrometer. FIG. 3 shows an example in which the output of the light receiving element 34 when the light source 24 is moved is recorded.
As shown in the figure, since the light source 24 moves away from the substrate interval 18 as it moves, the intensity of light detected by the light receiving element 34 decreases. This decrease in light intensity has a characteristic of decreasing substantially linearly.

【0026】よって、光強度が最高である場合における
光源24の位置(図3にAで示す)と、光強度が最低と
なった位置(図3にBで示す)との距離が基板間隔18
の距離dとなる。このように、受光素子34の出力の変
化を観察する事により基板の間隔を知る事ができる。こ
の受光素子34の出力及び移動装置30による光源24
の位置情報は、間隔測定回路32に送信される構成とさ
れている。よって、間隔測定回路32では、上記した原
理に基づき光強度が最高である光源24の位置A、及び
光強度が最低である光源24の位置Bを求め、この各位
置A,Bの離間距離を演算することにより基板間隔18
の距離dを求める。
Therefore, the distance between the position of the light source 24 when the light intensity is the highest (indicated by A in FIG. 3) and the position where the light intensity is the lowest (indicated by B in FIG. 3) is the distance 18 between the substrates.
Is the distance d. Thus, by observing the change in the output of the light receiving element 34, the distance between the substrates can be known. The output of the light receiving element 34 and the light source 24 by the moving device 30
Is transmitted to the interval measurement circuit 32. Therefore, the interval measuring circuit 32 obtains the position A of the light source 24 having the highest light intensity and the position B of the light source 24 having the lowest light intensity based on the above-described principle, and determines the distance between the positions A and B. By calculating, the board spacing 18
Is determined.

【0027】なお、前述の測定方法は、基本的に光源2
4のスポット径(光線の直径)が基板間隔18の距離d
よりも大きい事を想定しているが、基板間隔18の距離
dよりもスポット径が小さい場合でも、光源24を移動
させた時の受光素子34の出力を解析する事により、基
板間隔18の距離dを算出する事が可能である。この解
析方法を図10及び図11に示す。
The above-described measuring method basically uses the light source 2
The spot diameter (diameter of the light beam) of No. 4 is the distance d of the substrate interval 18.
However, even when the spot diameter is smaller than the distance d of the substrate interval 18, the output of the light receiving element 34 when the light source 24 is moved is analyzed to obtain the distance of the substrate interval 18. It is possible to calculate d. This analysis method is shown in FIGS.

【0028】ここに示す通り、光源50の直径eが基板
間隔18の距離dよりも小さい場合(e<d)、光源を
移動して行くと受光素子34の出力は図11に示す様な
プロファイルとなる。即ち、図11に示す位置Aと位置
Bとの間は光源50からの入射光が全て受光素子34で
受光されている範囲である。この範囲は、即ち基板間隔
18の距離dと等しいものであり、よって光源50の直
径eが基板間隔18の距離dよりも小さい場合であって
も、受光素子34の出力から基板間隔18の距離dを求
めることができる。
As shown here, when the diameter e of the light source 50 is smaller than the distance d of the substrate interval 18 (e <d), as the light source is moved, the output of the light receiving element 34 becomes a profile as shown in FIG. Becomes That is, the area between the position A and the position B shown in FIG. 11 is a range where all the incident light from the light source 50 is received by the light receiving element 34. This range is equal to the distance d of the substrate interval 18, and therefore, even when the diameter e of the light source 50 is smaller than the distance d of the substrate interval 18, the distance from the output of the light receiving element 34 to the distance of the substrate interval 18. d can be determined.

【0029】続いて、本発明の第2実施例である測定装
置10Bについて説明する。図4は、第2実施例である
測定装置10Bの要部構成図である。尚、図4におい
て、図1に示した第1実施例に係る測定装置10Aと同
一構成については、同一符号を付してその説明を省略す
る。本実施例に係る測定装置10Bでは、投光装置20
Bが、光軸が基板12,14の面方向に対し垂直下方向
となるよう構成された光源24と、この光源24からの
出射光を基板間隔18に向かうよう光路変換を行なう第
1のプリズム36とにより構成されている。
Next, a description will be given of a measuring apparatus 10B according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a main part configuration diagram of a measuring apparatus 10B according to the second embodiment. In FIG. 4, the same components as those of the measuring apparatus 10A according to the first embodiment shown in FIG. In the measuring device 10B according to the present embodiment, the light emitting device 20
B is a light source 24 configured so that the optical axis is perpendicular to the plane direction of the substrates 12 and 14, and a first prism that performs optical path conversion so that light emitted from the light source 24 is directed toward the substrate interval 18. 36.

【0030】また、受光装置22Bは、光軸が基板1
2,14の面方向に対し垂直下方向となるよう構成され
た受光素子34と、基板間隔18から出射する出射光を
受光素子34に向かうよう光路変換を行なう第2のプリ
ズム38とにより構成されている。各プリズム36,3
8において、光を反射する反射面40,42にはAl等
の金属を蒸着して鏡面にしておく。また、プリズム3
6,38の反射面40,42の角度θは45度とされて
いる。
The light receiving device 22B has an optical axis
The light receiving element 34 is configured to be vertically downward with respect to the plane directions of the light emitting elements 2 and 14, and a second prism 38 that performs optical path conversion so that light emitted from the substrate gap 18 is directed to the light receiving element 34. ing. Each prism 36, 3
In 8, a metal such as Al is vapor-deposited on the reflection surfaces 40 and 42 that reflect light to be mirror surfaces. In addition, prism 3
The angle θ between the reflection surfaces 40 and 42 of the 6, 38 is set to 45 degrees.

【0031】本実施例に係る測定装置10Bでは、第1
及び第2のプリズム36,38を設けることにより、光
源24の配設位置及び受光素子34の配設位置を基板1
2,14に対し離間した上方位置に配置することがで
き、光源24及び受光素子34の配置位置に自由度を持
たせることができる。また、光源24から発射された入
射光を直接基板間隔18に入射させる必要がないため、
実質的に基板間隔18に近い位置から入射光を入射させ
ることができるため、光の損失を抑制でき測定精度の向
上を図ることができる。
In the measuring apparatus 10B according to the present embodiment, the first
By providing the second prism 36 and the second prism 36, the arrangement position of the light source 24 and the arrangement position of the light
The light source 24 and the light receiving element 34 can be arranged at a position above and spaced apart from the light sources 2 and 14, so that the arrangement positions of the light source 24 and the light receiving element 34 can be given flexibility. In addition, since it is not necessary to make incident light emitted from the light source 24 directly enter the substrate gap 18,
Since the incident light can be made incident from a position substantially close to the substrate interval 18, light loss can be suppressed and measurement accuracy can be improved.

【0032】また、本実施例では光源24自体は固定さ
れており、第1のプリズム36を移動装置30により図
中左右方向に移動させることにより、基板間隔18に入
射する入射光の光強度を変化させる構成とされている。
よって、配線や第1のレンズ系26が設けられることに
より構造の複雑な光源24を移動させる必要がなくなる
ため、測定装置10Bの構造の簡単化及び移動装置30
の小型化を図ることができる。
In this embodiment, the light source 24 itself is fixed, and the light intensity of the incident light incident on the substrate interval 18 is reduced by moving the first prism 36 in the horizontal direction in FIG. It is configured to change.
Therefore, since it is not necessary to move the light source 24 having a complicated structure by providing the wiring and the first lens system 26, the structure of the measuring device 10B is simplified and the moving device 30 is provided.
Can be reduced in size.

【0033】尚、具体的な基板間隔18の距離dの求め
方は、先に第1実施例において図3を用いて説明した方
法と同一であるため、その説明は省略する。また、本実
施例においても、先に図10及び図11を用いて説明し
た測定方法を適用することができる。続いて、本発明の
第3実施例である測定装置10Cについて説明する。
Incidentally, the specific method of obtaining the distance d of the substrate interval 18 is the same as the method described above with reference to FIG. 3 in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted. Also in the present embodiment, the measurement method described with reference to FIGS. 10 and 11 can be applied. Next, a measuring apparatus 10C according to a third embodiment of the present invention will be described.

【0034】図5は、第3実施例である測定装置10C
の要部構成図である。尚、図5において、図4に示した
第2実施例に係る測定装置10Bと同一構成について
は、同一符号を付してその説明を省略する。本実施例に
係る測定装置10Cは、受光素子34に代えて顕微鏡4
4を設けたことを特徴とするものである。この顕微鏡4
4には、図示しないマイクロメータが設けられており、
観察された画像の距離を測定可能な構成とされている。
また、光源24は前記した各実施例と異なり固定された
構成とされている。
FIG. 5 shows a measuring apparatus 10C according to a third embodiment.
FIG. In FIG. 5, the same components as those of the measuring device 10B according to the second embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The measuring apparatus 10C according to the present embodiment includes a microscope 4 instead of the light receiving element 34.
4 is provided. This microscope 4
4, a not-shown micrometer is provided.
The configuration is such that the distance of the observed image can be measured.
Further, the light source 24 has a fixed configuration unlike the above-described embodiments.

【0035】本実施例では、顕微鏡44の対物レンズで
第2のプリズム38を通して基板間隔18を観察する事
により、顕微鏡44に設けたマイクロメータで基板間隔
18を直接測定する。このように、顕微鏡44を用いた
構成においても、プリズム38を用いることにより、従
来と異なり実質的に顕微鏡44の対物レンズを基板間隔
18に近接することが可能となり、上下基板12,14
の面積が異なる場合であっても基板間隔18の距離を測
定することができる。
In this embodiment, the substrate spacing 18 is directly measured by a micrometer provided in the microscope 44 by observing the substrate spacing 18 through the second prism 38 with the objective lens of the microscope 44. As described above, even in the configuration using the microscope 44, the use of the prism 38 makes it possible to make the objective lens of the microscope 44 substantially close to the substrate interval 18 unlike the related art, and the upper and lower substrates 12 and 14.
Can be measured even if the area of the substrate is different.

【0036】続いて、本発明の第4実施例である測定装
置10Dについて説明する。図6は、第4実施例である
測定装置10Cの要部構成図である。尚、図6において
も、図4に示した第2実施例に係る測定装置10Bと同
一構成については、同一符号を付してその説明を省略す
る。本実施例に係る測定装置10Dは、投光装置20B
に加え、基板間隔18内にバイアス光を入射させるバイ
アス用光源46(バイアス光投光装置)を設けたことを
特徴とするものである。これにより、受光装置20Bの
感度を向上させることができる。
Next, a description will be given of a measuring apparatus 10D according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 6 is a main part configuration diagram of a measuring apparatus 10C according to the fourth embodiment. In FIG. 6, the same components as those of the measuring apparatus 10B according to the second embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The measuring device 10D according to the present embodiment includes a light emitting device 20B.
In addition to the above, a bias light source 46 (bias light projecting device) for inputting bias light into the substrate interval 18 is provided. Thereby, the sensitivity of the light receiving device 20B can be improved.

【0037】即ち、受光素子34は、通常フォトダイオ
ード等の素子により構成されるが、このフォトダイオー
ド等の受光素子34は、入力光が零付近においてはその
直線性が悪化する特性を有している。このように、入力
光が零付近における直線性が悪化すると、入力の変化に
対する出力の変化が小さく、かつ感度が悪くなってしま
い、距離測定の精度が低下してしまう。
That is, the light receiving element 34 is usually constituted by an element such as a photodiode. The light receiving element 34 such as a photodiode has a characteristic that its linearity deteriorates when input light is near zero. I have. As described above, when the linearity of the input light near zero is deteriorated, the change of the output with respect to the change of the input is small, the sensitivity is deteriorated, and the accuracy of the distance measurement is reduced.

【0038】そこで、本実施例では投光装置20Bに加
えてバイアス用光源46を設けることにより、入射光に
いわゆるバイアスをかけ、これにより受光素子34の感
度を上げた構成としている。このように、受光素子34
の感度を上げることにより、基板間隔18の測定精度を
向上させることができる。続いて、本発明の第5実施例
である測定装置10Eについて説明する。
Therefore, in this embodiment, a so-called bias is applied to the incident light by providing a bias light source 46 in addition to the light projecting device 20B, thereby increasing the sensitivity of the light receiving element 34. Thus, the light receiving element 34
, The measurement accuracy of the substrate interval 18 can be improved. Next, a measuring apparatus 10E according to a fifth embodiment of the present invention will be described.

【0039】図7は、第5実施例である測定装置10E
の要部構成図である。尚、図7においても、図4に示し
た第2実施例に係る測定装置10Bと同一構成について
は、同一符号を付してその説明を省略する。本実施例に
係る測定装置10Eは、入射光変化手段としてシャッタ
ー48を用い、このシャッター48により基板間隔18
に入射する入射光の光量を基板12,14の面方向に対
し垂直方向に変化させる構成としたことを特徴とするも
のである。
FIG. 7 shows a measuring apparatus 10E according to a fifth embodiment.
FIG. In FIG. 7, the same components as those of the measuring apparatus 10B according to the second embodiment shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The measuring apparatus 10E according to the present embodiment uses a shutter 48 as incident light changing means,
The amount of incident light incident on the substrate is changed in a direction perpendicular to the surface direction of the substrates 12 and.

【0040】本実施例のように、入射光変化手段として
シャッター48を用いることにより、投光装置20C自
身を移動する代わりに、光源24と基板間隔18との間
に配置したシャッター48を動かす事により基板間隔1
8に入射する光強度を変化させることができる。よっ
て、間隔測定回路32は、シャッター48の移動量と受
光装置22Bの検出結果に基づき、基板間隙18の距離
dを測定することができる。尚、図8は第5実施例の変
形例である測定装置を示しており、前記した図1に示す
測定装置10Aに第5実施例の構成を適用したものであ
る。この用に、プリズム36,38を用いない構成にお
いても、本実施例を適用することは可能である。
As in this embodiment, by using the shutter 48 as the incident light changing means, the shutter 48 disposed between the light source 24 and the substrate interval 18 can be moved instead of moving the light projecting device 20C itself. The substrate spacing 1
8 can be changed. Therefore, the interval measurement circuit 32 can measure the distance d of the substrate gap 18 based on the amount of movement of the shutter 48 and the detection result of the light receiving device 22B. FIG. 8 shows a measuring apparatus which is a modification of the fifth embodiment, in which the configuration of the fifth embodiment is applied to the measuring apparatus 10A shown in FIG. For this purpose, the present embodiment can be applied to a configuration in which the prisms 36 and 38 are not used.

【0041】図9は、第5実施例に係る測定装置10E
において、シャッター48を移動させた時の、受光素子
34の出力を記録した一例を示している。同図では、シ
ャッター48により光源24からの入射光を完全に遮っ
た状態より、徐々にシャッター48を開けて基板間隔1
8に入射光を入射した例を示している。図中、位置Aは
シャッター48が閉まった状態である。このため、受光
素子34の出力は零となっている。この位置Aより、シ
ャッター48を徐々に開くことにより、光源24からの
入射光は基板間隔18に入射され、これに伴い受光素子
34の出力の漸次増大する。
FIG. 9 shows a measuring apparatus 10E according to the fifth embodiment.
5 shows an example in which the output of the light receiving element 34 when the shutter 48 is moved is recorded. In the figure, the shutter 48 is gradually opened from the state where the incident light from the light source 24 is completely blocked by the shutter
8 shows an example in which incident light is incident. In the figure, a position A is a state where the shutter 48 is closed. Therefore, the output of the light receiving element 34 is zero. By gradually opening the shutter 48 from the position A, the incident light from the light source 24 is incident on the substrate interval 18 and the output of the light receiving element 34 gradually increases accordingly.

【0042】そして、シャッター48が基板間隔18の
距離dまで移動された後は(即ち、位置Bまで移動した
後は)、光源24からの入射光は基板間隔18全面に入
射されるため、受光素子34の出力は一定となる。よっ
て、光強度が最低である場合におけるシャッター48の
位置(図9にAで示す)と、光強度が最高となった位置
(図9にBで示す)との距離が基板間隔18の距離dと
なる。このように、受光素子34の出力の変化を観察す
る事により基板の間隔を知る事ができる。
After the shutter 48 is moved to the distance d of the substrate interval 18 (that is, after the shutter 48 is moved to the position B), the incident light from the light source 24 is incident on the entire surface of the substrate interval 18 so that the light is received. The output of element 34 is constant. Therefore, the distance between the position of the shutter 48 when the light intensity is the lowest (shown by A in FIG. 9) and the position where the light intensity becomes the highest (shown by B in FIG. 9) is the distance d of the substrate interval 18. Becomes Thus, by observing the change in the output of the light receiving element 34, the distance between the substrates can be known.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、非常
に接近した位置にある二枚の基板の間隔を高い精度で測
定する事が可能となる。そのため、接近した位置に接地
面がある事を想定して設計したミリ波帯の電子回路にお
いては、製造後(または製造中)に基板間隔を確認する
事により、設計した通りの高周波特性を再現する事が可
能となる(二枚の基板の間隔が高周波特性に大きく影響
を与えるため)。
As described above, according to the present invention, it is possible to measure the distance between two substrates located very close to each other with high accuracy. Therefore, in an electronic circuit in the millimeter-wave band designed on the assumption that there is a ground plane at a close position, the high-frequency characteristics as designed are reproduced by confirming the board spacing after (or during) manufacturing. (Because the distance between the two substrates greatly affects the high-frequency characteristics).

【0044】これにより、本発明は高周波半導体装置の
性能向上(再現性の向上)に寄与する所が大きい。
As a result, the present invention greatly contributes to improving the performance (improving the reproducibility) of the high-frequency semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例である基板間隔の測定装置
及び基板間隔の測定方法を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a substrate spacing measuring device and a substrate spacing measuring method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】光源の移動量と受光素子の出力の関係を説明す
る図である(その1)。
FIG. 2 is a diagram illustrating a relationship between a movement amount of a light source and an output of a light receiving element (part 1).

【図3】光源の移動量と受光素子の出力の関係を説明す
る図である(その2)。
FIG. 3 is a diagram illustrating the relationship between the movement amount of a light source and the output of a light receiving element (part 2).

【図4】本発明の第2実施例である基板間隔の測定装置
を説明するための図である。
FIG. 4 is a view for explaining a substrate spacing measuring apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施例である基板間隔の測定装置
を説明するための図である。
FIG. 5 is a view for explaining an apparatus for measuring a distance between substrates according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4実施例である基板間隔の測定装置
を説明するための図である。
FIG. 6 is a view for explaining a substrate spacing measuring apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第5実施例である基板間隔の測定装置
を説明するための図である(その1)。
FIG. 7 is a view for explaining an apparatus for measuring a distance between substrates according to a fifth embodiment of the present invention (part 1).

【図8】本発明の第5実施例の変形例である基板間隔の
測定装置を説明するための図である。
FIG. 8 is a view for explaining an apparatus for measuring a distance between substrates which is a modification of the fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第5実施例における受光素子の出力と
シャッターの移動量との関係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating a relationship between an output of a light receiving element and a movement amount of a shutter according to a fifth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第6実施例である基板間隔の測定装
置を説明するための図である。
FIG. 10 is a view for explaining a substrate spacing measuring apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第6実施例における受光素子の出力
と光源の移動量との関係を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a relationship between an output of a light receiving element and a moving amount of a light source according to a sixth embodiment of the present invention.

【図12】従来の一例である基板間隔の測定装置及び基
板間隔の測定方法を説明するための図である(その
1)。
FIG. 12 is a view for explaining a substrate spacing measuring device and a substrate spacing measuring method, which are examples of the related art (part 1).

【図13】従来の一例である基板間隔の測定装置及び基
板間隔の測定方法を説明するための図である(その
2)。
FIG. 13 is a view for explaining a substrate spacing measuring apparatus and a substrate spacing measuring method as an example of the related art (part 2).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A〜10F 測定装置 12 上側基板 14 下側基板 16 金属柱 18 基板間隔 20A〜20C 投光装置 22,22B 受光装置 24,50 光源 26 第1のレンズ系 28 第2のレンズ系 30 移動装置 32 間隔測定回路 34 受光素子 36 第1のプリズム 38 第2のプリズム 40,42 反射面 44 顕微鏡 46 バイアス用光源 47 シャッター 10A to 10F Measuring device 12 Upper substrate 14 Lower substrate 16 Metal column 18 Substrate spacing 20A to 20C Light emitting device 22, 22B Light receiving device 24, 50 Light source 26 First lens system 28 Second lens system 30 Moving device 32 Interval Measuring circuit 34 Light receiving element 36 First prism 38 Second prism 40, 42 Reflecting surface 44 Microscope 46 Light source for bias 47 Shutter

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スペーサにより微小な間隔を隔てて接合
された二枚の基板の間に、前記間隔の一方から平行光線
かつ光強度分布が一様な入射光を入射させる投光装置
と、 前記間隔の他方から出射する出射光の光強度を検出する
受光装置と、 前記入射光の前記間隔への入射状態を、前記基板の面方
向に対し垂直な方向に変化させる入射光変化手段と、 前記受光装置が検出する光強度と、前記入射光変化手段
による入射光の変化量とに基づき前記間隔の距離を測定
する測定手段とを具備することを特徴とする基板間隔の
測定装置。
1. A light projecting device that, between two substrates joined at a small interval by a spacer, enters parallel light and incident light having a uniform light intensity distribution from one of the intervals, A light-receiving device that detects the light intensity of outgoing light emitted from the other of the intervals; an incident light changing unit that changes an incident state of the incident light into the interval in a direction perpendicular to a surface direction of the substrate; An apparatus for measuring a distance between substrates, comprising: a measuring means for measuring a distance of the distance based on a light intensity detected by a light receiving device and a change amount of incident light by the incident light changing means.
【請求項2】 請求項1記載の基板間隔の測定装置にお
いて、 前記入射光変化手段は、前記投光装置を前記基板の面方
向に対し垂直な方向に移動させる移動機構であることを
特徴とする基板間隔の測定装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein said incident light changing means is a moving mechanism for moving said light projecting device in a direction perpendicular to a surface direction of said substrate. Measuring device for substrate spacing.
【請求項3】 請求項1または2記載の基板間隔の測定
装置において、 前記投光装置を、光軸が前記基板の面方向に対し垂直下
方向となるよう構成された光源と、前記光源からの出射
光を前記間隔に向かうよう光路変換を行なう第1のプリ
ズムとにより構成し、 かつ、前記受光装置を、光軸が前記基板の面方向に対し
垂直下方向となるよう構成された受光素子と、前記間隔
の他方から出射する出射光を前記受光素子に向かうよう
光路変換を行なう第2のプリズムとにより構成したこと
を特徴とする基板間隔の測定装置。
3. The apparatus for measuring the distance between substrates according to claim 1, wherein the light projecting device comprises: a light source configured so that an optical axis thereof is perpendicular to a surface direction of the substrate; A first prism that performs optical path conversion so that the emitted light of the substrate goes toward the distance, and the light receiving device is configured such that the optical axis is directed downward and perpendicular to the surface direction of the substrate. And a second prism for performing optical path conversion so that light emitted from the other of the intervals goes toward the light receiving element.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の基板
間隔の測定装置において、 前記投光装置に加え、前記間隔内にバイアス光を入射さ
せるバイアス光投光装置を設けたことを特徴とする基板
間隔の測定装置。
4. The apparatus for measuring a distance between substrates according to claim 1, further comprising a bias light projecting device for causing a bias light to enter the space in addition to the light projecting device. Measuring device for substrate spacing.
【請求項5】 請求項1記載の基板間隔の測定装置にお
いて、 前記入射光変化手段は、前記間隔に入射する入射光の光
量を前記基板の面方向に対し垂直方向に変化させるシャ
ッターであることを特徴とする基板間隔の測定装置。
5. The apparatus for measuring a distance between substrates according to claim 1, wherein the incident light changing means is a shutter for changing the amount of incident light incident on the distance in a direction perpendicular to a surface direction of the substrate. An apparatus for measuring the distance between substrates.
【請求項6】 スペーサにより微小な間隔を隔てて接合
された二枚の基板の間に、投光装置を用いて前記間隔の
一方から平行光線かつ光強度分布が一様な入射光を入射
させ、 前記入射光の前記間隔への入射状態を前記基板の面方向
に対し垂直な方向に変化させつつ、前記間隔の他方から
出射する出射光の光強度を受光装置により検出し、 前記受光装置が検出する光強度と、前記入射光変化手段
による入射光の変化量とに基づき前記間隔の距離を測定
することを特徴とする基板間隔の測定方法。
6. A parallel light beam and a uniform light intensity distribution are made incident from one of said spaces by using a light projecting device between two substrates joined by a spacer at a minute space. While changing the state of incidence of the incident light on the space in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate, the light intensity of outgoing light emitted from the other of the spaces is detected by a light receiving device, and the light receiving device is A method for measuring a distance between substrates, wherein the distance between the substrates is measured based on a light intensity to be detected and a change amount of incident light by the incident light changing means.
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