JPH11211432A - Semiconductor device and glass mask - Google Patents
Semiconductor device and glass maskInfo
- Publication number
- JPH11211432A JPH11211432A JP10016243A JP1624398A JPH11211432A JP H11211432 A JPH11211432 A JP H11211432A JP 10016243 A JP10016243 A JP 10016243A JP 1624398 A JP1624398 A JP 1624398A JP H11211432 A JPH11211432 A JP H11211432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing accuracy
- semiconductor device
- layout pattern
- data
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】半導体装置作製時に半導体装置の加工精度
の検証において、実際のレイアウトパターンに近い加工
精度検証用のレイアウトパターンにて寸法測定すること
によって、微細化プロセスによるコンタクトなどの開孔
データの加工精度を保証し、高品質保証が可能となる。
【効果】実際のレイアウトパターンに近い加工精度検証
用レイアウトパターンにより、コンタクトなどの開孔デ
ータを単体と密集している場合で加工精度を検証するこ
とができる。また、半導体装置の製造に制限されるもの
ではなく、ガラスマスク作製における寸法管理に広く適
応できる技術である。更に、アルミ配線やPOLYデー
タの寸法検証とコンタクトなど孔データの寸法検証を区
別する事により半導体装置の加工精度の寸法保証が可能
となる。
(57) Abstract: In verifying the processing accuracy of a semiconductor device at the time of manufacturing the semiconductor device, a dimension is measured with a layout pattern for verifying the processing accuracy close to an actual layout pattern, so that a contact by a miniaturization process or the like is performed. The processing accuracy of the hole data is guaranteed, and high quality can be guaranteed. [Effect] By using a layout pattern for verifying the processing accuracy close to the actual layout pattern, the processing accuracy can be verified in a case where hole data of contacts and the like are densely collected with a single unit. Further, the technology is not limited to the manufacture of semiconductor devices, but can be widely applied to dimensional control in manufacturing a glass mask. Further, by distinguishing the dimension verification of aluminum wiring and POLY data from the dimension verification of hole data such as contacts, it is possible to guarantee the dimension of the processing accuracy of the semiconductor device.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の加工
精度の検証手段に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to means for verifying the processing accuracy of a semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2に、従来の半導体装置の加工精度検
証用パターン200の一例を示す。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows an example of a pattern 200 for verifying the processing accuracy of a conventional semiconductor device.
【0003】従来このレイアウトパターンは実際にロジ
ックを形成している領域とは別の領域(例えばチップコ
ーナー部)に配置され、半導体製造工程のフォト工程、
あるいはエッチング工程において、このレイアウトパタ
ーンの寸法を測定することで加工精度の検証を行い、実
際のレイアウトパターンの品質保証を行っていた。この
事により、例えば客先によってレイアウトパターンが異
なるようなゲートアレイといった製品においても、あら
かじめ固定配置されたこのレイアウトパターンの寸法を
測定することで加工精度を確認することができ、客先に
よってはその都度測定個所を指定する必要性が無かっ
た。Conventionally, this layout pattern is arranged in a region (for example, a chip corner portion) different from a region in which logic is actually formed, and a photo process in a semiconductor manufacturing process is performed.
Alternatively, in the etching step, the processing accuracy is verified by measuring the dimensions of the layout pattern, and the quality of the actual layout pattern is assured. For this reason, for example, even in a product such as a gate array in which the layout pattern differs depending on the customer, the processing accuracy can be confirmed by measuring the dimensions of the layout pattern fixed and arranged in advance, and depending on the customer, the processing accuracy can be confirmed. There was no need to specify the measurement location each time.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図2のレイアウトパタ
ーンでは、アルミ配線やPOLYデータの形状などには
実際のレイアウトパターンに近い形状をしているため、
200と実際のレイアウトパターンとの加工精度の検証
に相関が取れる。しかし、微細プロセス化が進んでいる
現状では、コンタクトなどの開孔データが小さくなって
きており、200と実際のレイアウトパターンとの加工
精度の検証では相関が取れなくなってきた。例えば、
0.5um□の開孔データを200によって寸法の管理
をした場合、200を用いた測定結果が0.5um□で
あっても実際のレイアウトパターンの寸法は0.3〜
0.4um□になってしまう危険性がある。このように
200の寸法と実際のレイアウトパターンの寸法ではレ
イアウトパターンの違いにより加工精度の寸法測定結果
に違いが生じてしまい、200を用いて十分な加工精度
を保証することが難しくなってきた。In the layout pattern shown in FIG. 2, the shape of aluminum wiring and POLY data has a shape close to the actual layout pattern.
A correlation can be obtained between the verification of the processing accuracy of the actual layout pattern 200 and the actual layout pattern. However, in the current situation where the fine processing is progressing, the opening data of contacts and the like has become smaller, and it has become impossible to correlate the verification of the processing accuracy between the 200 and the actual layout pattern. For example,
When the hole data of 0.5 μm is controlled by 200, even if the measurement result using 200 is 0.5 μm, the actual size of the layout pattern is 0.3 to 0.3 μm.
There is a risk of becoming 0.4um □. As described above, the difference in layout pattern between the dimension 200 and the actual layout pattern causes a difference in the measurement result of the processing accuracy, and it has become difficult to guarantee sufficient processing accuracy using the 200.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的は少なくとも、
加工精度検証用のマークを備えた半導体装置において、
前記加工精度検証用のマークが論理領域内に存在するレ
イアウトデータの1つと、同一形状の第1のマークある
いは、第1のマークが少なくとも2つ以上の複数個密集
して配置された第2のマークで構成されることで達成さ
れる。Means for Solving the Problems At least the above objects are attained.
In a semiconductor device provided with a mark for processing accuracy verification,
A first mark of the same shape or a second mark in which at least two or more first marks are densely arranged with one of the layout data in which the mark for processing accuracy verification exists in the logical area. This is achieved by being composed of marks.
【0006】[0006]
【作用】本発明の構成によれば、実際に使用されている
ロジック領域とは別の領域に客先のレイアウトパターン
に影響されることなく、より正確な半導体装置の加工精
度検証用のレイアウトパターンを実現できる。According to the structure of the present invention, a layout pattern for verifying the processing accuracy of a semiconductor device more accurately without being affected by a layout pattern of a customer in an area different from a logic area actually used. Can be realized.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】図1に本発明の半導体装置の加工
精度検証用のレイアウトパターンを示す。図中100は
コンタクトなどの開孔データが単体で配置されたレイア
ウトパターン、101はコンタクトなど9個の開孔デー
タが密集して配置されたレイアウトパターンである。本
実施例では、100と101の2つの半導体装置の加工
精度検証用レイアウトパターンを備えている。FIG. 1 shows a layout pattern for verifying the processing accuracy of a semiconductor device according to the present invention. In the figure, reference numeral 100 denotes a layout pattern in which hole data of contacts and the like are arranged alone, and 101 denotes a layout pattern in which nine holes data such as contacts are densely arranged. In this embodiment, a layout pattern for processing accuracy verification of two semiconductor devices 100 and 101 is provided.
【0008】実際のレイアウトパターンではレイアウト
データの疎密の分布が均一では無いためコンタクトなど
の開孔データが単体で孤立して存在する場合や、箇所に
よっては数個が密集して存在する場合がある。一般的に
はこの場合、単体のコンタクトなどの開孔データは密集
したコンタクトなどの開孔データよりも開口部が小さな
値になってしまうことがある。従って高精度、高信頼性
の半導体装置を実現するには、この両方の寸法管理を行
っていく必要性がある。In an actual layout pattern, since the density distribution of the layout data is not uniform, hole data such as contacts may exist in isolation by itself, or depending on locations, several hole data may exist densely. . Generally, in this case, the opening data of a single contact or the like may have a smaller value for the opening than the opening data of a dense contact or the like. Therefore, in order to realize a highly accurate and highly reliable semiconductor device, it is necessary to control both dimensions.
【0009】本発明の図1では、前記コンタクトなどの
開孔データが単体の寸法測定を100で測定することが
でき、101で密集したコンタクトなどの開孔データの
寸法測定が可能である。更に、このレイアウトパターン
を実際ロジックを形成しているレイアウト領域とは全く
別の領域(例えばチップコーナー部)に配置すれば、客
先によりレイアウト領域のデータが変化しても常に前
記、加工精度検証用レイアウトパターンを測定すること
で、半導体装置の加工精度を保証することが可能とな
り、加工精度の検証に要する時間が飛躍的に短縮するこ
とが可能となる。また、実際のレイアウトパターンと同
一形状の開孔データを用いて寸法測定を実施する為、従
来技術では問題となる加工精度検証用のレイアウトパタ
ーンと実際のレイアウトパターンの形状の違いによる半
導体装置の加工精度の寸法測定値の誤差を排除すること
ができる。In FIG. 1 of the present invention, the hole data of the contact and the like can be measured by the dimension measurement of a single body by 100, and the hole data of the contact and the like densely measured by 101 can be measured. Furthermore, if this layout pattern is arranged in a completely different area (for example, a chip corner portion) from the layout area forming the actual logic, even if the data of the layout area is changed by the customer, the processing accuracy verification is always performed. By measuring the layout pattern for use, the processing accuracy of the semiconductor device can be guaranteed, and the time required for verifying the processing accuracy can be drastically reduced. In addition, since the dimension measurement is performed using the opening data having the same shape as the actual layout pattern, the processing of the semiconductor device due to the difference between the actual layout pattern and the layout pattern for processing accuracy verification, which is a problem in the related art, is performed. Accuracy dimensional measurement errors can be eliminated.
【0010】尚、今までの説明においては、101は9
個の開孔データで説明を行ってきたが、これらは9個に
制限されるものではなく、これ以上の個数を配置しても
同様の効果が得られるのはいうでもない。In the above description, 101 is 9
Although the description has been made with the individual hole data, these are not limited to nine, and it goes without saying that the same effect can be obtained by arranging more than nine.
【0011】また、これらの発明は今回の様に半導体装
置の製造に制限されるものではなく、例えばガラスマス
ク作製におけるCrパターンの作製といった一般的な微
細パターンの寸法管理に広く応用ができる技術であるこ
とは明らかである。Further, these inventions are not limited to the manufacture of semiconductor devices as in the present invention, but are techniques which can be widely applied to general fine pattern dimensional control such as the production of a Cr pattern in the production of a glass mask. Clearly there is.
【0012】更に、本説明ではコンタクトなどの開孔デ
ータに対して説明を行ってきたが、これらの考えは、図
2に示した配線データにたいしても適用することがで
き、単体の配線レイアウトパターンと配線レイアウトパ
ターンが複数個密集した加工精度検証用レイアウトパタ
ーンを作製すれば同様の効果が得られるのも明らかであ
る。Further, in the present description, the description has been made with respect to the opening data of contacts and the like, but these ideas can be applied to the wiring data shown in FIG. It is apparent that the same effect can be obtained by manufacturing a processing accuracy verification layout pattern in which a plurality of wiring layout patterns are densely arranged.
【0013】[0013]
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明の構成に
よれば、半導体装置作製時の加工精度の検証において、
実際のレイアウトパターンに近い検証用のレイアウトパ
ターンを使用することにより、実レイアウトパターンの
寸法と加工精度検証用のレイアウトパターンの寸法の誤
差を少なくし、高精度な寸法保証が可能となる。また、
単体のレイアウトデータと密集したレイアウトデータの
双方を配置することにより、データの疎密による加工精
度の寸法のばらつきを管理することが可能となる。As described above, according to the configuration of the present invention, in the verification of the processing accuracy at the time of manufacturing a semiconductor device,
By using a layout pattern for verification close to the actual layout pattern, an error between the dimension of the actual layout pattern and the dimension of the layout pattern for processing accuracy verification can be reduced, and highly accurate dimension assurance can be achieved. Also,
By arranging both the single layout data and the dense layout data, it is possible to manage the dimensional variation of the processing accuracy due to the density of the data.
【図1】本発明の実施例を示すレイアウト図。FIG. 1 is a layout diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】従来使用していた実施例を示すレイアウト図。FIG. 2 is a layout diagram showing an embodiment used conventionally.
100・・・コンタクトなどの孔データが単体のレイア
ウトパターン 101・・・コンタクトなどの孔データが密集している
場合のレイアウトパターン 200・・・従来の半導体装置の加工精度の検証用のレ
イアウトパターン100: A layout pattern in which hole data such as contacts is a single unit 101: A layout pattern in which hole data such as contacts are dense 200: A layout pattern for verifying processing accuracy of a conventional semiconductor device
Claims (5)
置において、前記加工精度検証用のマークが、論理領域
内に存在するレイアウトデータの1つと、同一形状の第
1のマークで構成されていることを特徴とする半導体装
置。1. A semiconductor device provided with a mark for processing accuracy verification, wherein the mark for processing accuracy verification is constituted by a first mark having the same shape as one of layout data existing in a logical area. A semiconductor device.
第1のマークが少なくとも2つ以上の複数個密集して配
置された第2のマークで構成されていることを特徴とす
る半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first mark comprises at least two or more second marks arranged closely.
おいて、前記第1のマークと第2のマークの双方が組み
合わさった第3のマークが配置されていることを特徴と
する半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a third mark in which both the first mark and the second mark are combined is arranged. .
おいて、前記第1、第2、第3のマークが論理領域とは
また別の第1の領域に配置されていることを特徴とする
半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first, second, and third marks are arranged in a first area different from a logic area. Semiconductor device.
の少なくともいずれか1つのマークが配置されたことを
特徴とするガラスマスク。5. The first to third aspects according to claim 1 to claim 4.
A glass mask, wherein at least one mark is arranged.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10016243A JPH11211432A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Semiconductor device and glass mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10016243A JPH11211432A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Semiconductor device and glass mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211432A true JPH11211432A (en) | 1999-08-06 |
Family
ID=11911125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10016243A Pending JPH11211432A (en) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | Semiconductor device and glass mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11211432A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001209167A (en) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask, photomask pair, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US6562525B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photo mask to be used for photolithography, method of inspecting pattern defect, and method of manufacturing semiconductor device through use of the mask |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP10016243A patent/JPH11211432A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001209167A (en) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | Photomask, photomask pair, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US6562525B2 (en) | 2000-12-18 | 2003-05-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photo mask to be used for photolithography, method of inspecting pattern defect, and method of manufacturing semiconductor device through use of the mask |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5898478A (en) | Method of using a test reticle to optimize alignment of integrated circuit process layers | |
| US6936931B2 (en) | Overlay key, method of manufacturing the same and method of measuring an overlay degree using the same | |
| US6498401B2 (en) | Alignment mark set and method of measuring alignment accuracy | |
| JPH1050785A (en) | Monitor pattern | |
| JPH11211432A (en) | Semiconductor device and glass mask | |
| US7136520B2 (en) | Method of checking alignment accuracy of patterns on stacked semiconductor layers | |
| US6713883B1 (en) | Mask set for compensating a misalignment between patterns | |
| JPH0620909A (en) | Exposure method and thin-film multilayer substrate | |
| JP2587614B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH0432216A (en) | Evaluation of overlay accuracy and dimension accuracy | |
| US20080190891A1 (en) | Method For Manufacturing Probe Structure Of Probe Card | |
| JPH03209711A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP3007771B2 (en) | Lead frame | |
| KR100339414B1 (en) | Forming method of pad using semiconductor power line analsis | |
| KR20010046321A (en) | Test pattern for semiconductor device fabrication | |
| KR100591132B1 (en) | Pattern for checking semiconductor process margin | |
| KR20020022232A (en) | Wafer forming plural monitor pattern in a scribe line | |
| JP2001176782A (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
| KR100734079B1 (en) | Overlay measurement method in lithography process | |
| KR20000026310A (en) | Semiconductor apparatus | |
| KR0145772B1 (en) | ALIGNMENT-KEY ARRANGING METHOD OF HIGH INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICEá | |
| KR20030000481A (en) | Method for measuring an etch rate of multichip | |
| JPS60136326A (en) | Semiconductor device | |
| JP2003133418A (en) | Semiconductor device | |
| KR0175019B1 (en) | Semiconductor chip |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050208 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060524 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070403 |