JPH11219935A - Electrode for plasma processor and the plasma processor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの加
工に利用されるプラズマエッチング等のプラズマ処理装
置及びその電極に関する。より詳細には、処理ガスをシ
ャワー状に分散させるためのガス吹き出し穴を有する上
部電極と、該上部電極に対向してシリコンウエハが載置
される下部電極とを有する平行平板型プラズマ処理装置
及びその上部電極に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus such as a plasma etching apparatus used for processing a semiconductor wafer and an electrode thereof. More specifically, a parallel plate type plasma processing apparatus having an upper electrode having a gas blowing hole for dispersing a processing gas in a shower shape, and a lower electrode on which a silicon wafer is placed opposite to the upper electrode, and Regarding the upper electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウエハに素子を形成するために、
各種のプラズマ処理、例えばエッチングが行われてい
る。このエッチングを行う装置として、プラズマエッチ
ング装置が用いられている。従来のプラズマエッチング
装置は、図３に示されるように、真空容器１内に一対の
上部電極２および下部電極３が間隔をおいて設けられて
おり、下部電極３の上に被処理材としてシリコンウエハ
４を載置している。上部電極２はバックプレート５と電
極本体６とで構成されており、それぞれにエッチングガ
スを流すためのガス吹き出し穴７が設けられている。2. Description of the Related Art In order to form devices on a semiconductor wafer,
Various types of plasma processing, for example, etching are performed. As an apparatus for performing this etching, a plasma etching apparatus is used. In a conventional plasma etching apparatus, as shown in FIG. 3, a pair of an upper electrode 2 and a lower electrode 3 are provided in a vacuum vessel 1 at an interval. The wafer 4 is placed. The upper electrode 2 is composed of a back plate 5 and an electrode body 6, each of which is provided with a gas blowing hole 7 for flowing an etching gas.
【０００３】ガス吹き出し穴７を通してエッチングガス
をシリコンウエハ４に向かって流しながら、高周波電源
８により、上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を
印加してプラズマ１１を形成する。このプラズマによっ
てシリコンウエハ４をエッチングし、所定のパターンの
素子を形成するものである。シールドリング９は、アル
ミナあるいは石英のような絶縁物からなり、電極本体６
の取付用ビス１０をプラズマ１１から保護するため、電
極本体６の外周部を覆うように設置される。A high-frequency power is applied between the upper electrode 2 and the lower electrode 3 by the high-frequency power supply 8 while flowing the etching gas toward the silicon wafer 4 through the gas blowing hole 7 to form the plasma 11. The silicon wafer 4 is etched by this plasma to form a device having a predetermined pattern. The shield ring 9 is made of an insulating material such as alumina or quartz.
In order to protect the mounting screw 10 from the plasma 11, it is installed so as to cover the outer peripheral portion of the electrode body 6.
【０００４】電極本体６は、使用するに従いプラスマが
発生している部分つまり対向しているシリコンウエハ４
とほぼ同じ面積の部分が、プラズマによってエッチング
され消耗する。そこで、ある程度電極本体６が消耗し、
エッチング特性（エッチングの間にシリコンウエハ４上
に付着した異物粒子等）が規格を外れると電極本体６の
使用を中止し、新たな電極本体と交換する。The electrode body 6 has a portion where a plasma is generated as the electrode body 6 is used, that is, the silicon wafer 4 facing the portion.
A portion having substantially the same area as that described above is consumed by being etched by the plasma. Then, the electrode body 6 is consumed to some extent,
When the etching characteristics (for example, foreign particles attached to the silicon wafer 4 during the etching) deviate from the standard, the use of the electrode body 6 is stopped and replaced with a new electrode body.
【０００５】最近の半導体集積回路の高集積化に伴い、
シリコンウエハのエッチング後の形状がより高精度に制
御されるようになってきた。このため半導体集積回路の
歩留りに影響を及ぼす異物粒子がより少なくすることが
要求されている。With the recent high integration of semiconductor integrated circuits,
The shape of a silicon wafer after etching has been controlled with higher precision. For this reason, it is required that the number of foreign particles affecting the yield of semiconductor integrated circuits be reduced.
【０００６】従来、電極本体の材料としてアモルファス
カーボンが使用されていたが、特開平４−７３９３６号
公報に示されるように異物粒子の発生が低減できる単結
晶シリコンに主流が移ってきている。この単結晶シリコ
ン製電極本体を用いることによりアモルファスカーボン
製電極本体に比較して異物粒子の発生は少なくなった
が、まだ皆無になった訳ではなく、半導体集積回路の品
質に影響を与えず生産歩留を大幅に改善するまでには至
っていない。Conventionally, amorphous carbon has been used as the material of the electrode body. However, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-73936, the mainstream has shifted to single crystal silicon which can reduce the generation of foreign particles. The use of this single-crystal silicon electrode body reduced the generation of foreign particles compared to the amorphous carbon electrode body, but it did not mean that it was not eliminated yet, and did not affect the quality of semiconductor integrated circuits. The yield has not been significantly improved.
【０００７】この生産歩留の改善が充分ではないのは、
シールドリングの表面に堆積したプラズマ重合物（エッ
チングガスがプラズマ中で高分子化して固形物となった
もの）が剥離して異物粒子としてシリコンウエハ上に落
下することを防止できないためである。通常、シールド
リングは石英やアルミナなどの絶縁物で作られている
が、その表面にもプラズマが発生する。そのため、シー
ルドリング表面にプラズマ重合物が堆積するようにな
る。[0007] The reason that the improvement of the production yield is not enough is that
This is because it is impossible to prevent the plasma polymer (the etching gas is polymerized in the plasma into a solid) deposited on the surface of the shield ring from peeling off and dropping as foreign particles on the silicon wafer. Usually, the shield ring is made of an insulating material such as quartz or alumina, but plasma is also generated on its surface. Therefore, a plasma polymer is deposited on the surface of the shield ring.
【０００８】これを解決する方法として、シールドリン
グの厚さを厚くすることが考えられるが、この場合シー
ルドリングの部分で電極間隔が狭くなりガス流に対する
圧損が増加する。このためプラズマの圧力が高くなって
精度良くエッチングすることができなくなるという問題
が発生する。As a method for solving this problem, it is conceivable to increase the thickness of the shield ring. In this case, however, the interval between the electrodes is reduced at the shield ring, and the pressure loss with respect to the gas flow increases. For this reason, there arises a problem that the plasma pressure becomes high and etching cannot be performed accurately.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラ
ズマ処理中の異物粒子の発生を抑え、シリコンウエハの
プラズマエッチング等の処理不良を防止できるプラズマ
処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electrode for a plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus which can suppress generation of foreign particles during plasma processing and prevent processing defects such as plasma etching of a silicon wafer. It is in.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、平行平板型プ
ラズマ処理装置の上部電極であって、ガス吹き出し穴が
設けられている円板状の電極本体と、該電極本体を支持
する絶縁性のシールドリングを有してなり、該電極本体
は単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなり、該電
極本体の外径寸法は被エッチング材であるシリコンウエ
ハの外径以上で２０mmを超えない範囲であり、前記シー
ルドリングは前記電極本体を嵌合支持できるよう内周部
に段形状を設けた構造であり、該シールドリングはその
プラズマ発生側が該電極本体より３mmを超えて突出しな
いものとしたことを特徴とするプラズマ処理装置用電極
に関する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an upper electrode of a parallel plate type plasma processing apparatus, comprising a disk-shaped electrode body provided with a gas blowing hole, and an insulating electrode for supporting the electrode body. The electrode body is made of single-crystal silicon or polycrystalline silicon, and the outer diameter of the electrode body is not less than 20 mm, not less than the outer diameter of the silicon wafer to be etched. The shield ring has a structure in which a stepped shape is provided on an inner peripheral portion so that the electrode body can be fitted and supported, and the shield ring has a plasma generation side that does not project more than 3 mm from the electrode body. The present invention relates to a characteristic electrode for a plasma processing apparatus.
【００１１】また、本発明は、真空容器内に設けられた
上部電極と下部電極を備えた平行平板型プラズマ処理装
置において、前記上部電極を、ガス吹き出し穴が設けら
れた円板状の単結晶シリコン製又は多結晶シリコン製の
電極本体と、内周部に段形状を有し該電極本体を嵌合支
持する絶縁性のシールドリングから構成し、前記電極本
体の外径寸法を被エッチング材のシリコンウエハの外径
以上で２０mmを超えない範囲とし、前記シールドリング
はそのプラズマ発生側が該電極本体より３mmを超えて突
出しないものとしたことを特徴とする平行平板型プラズ
マ処理装置に関する。The present invention also relates to a parallel plate type plasma processing apparatus provided with an upper electrode and a lower electrode provided in a vacuum vessel, wherein the upper electrode is a disk-shaped single crystal provided with a gas blowing hole. An electrode body made of silicon or polycrystalline silicon, and an insulating shield ring having a stepped inner peripheral portion for fitting and supporting the electrode body, and having an outer diameter of the electrode body of the material to be etched. The present invention relates to a parallel plate type plasma processing apparatus, wherein the outer diameter of the silicon ring is not more than 20 mm and the shield ring does not protrude more than 3 mm from the electrode body.
【００１２】本発明によれば、被エッチング材のシリコ
ンウエハに対応する範囲のみすなわち電極本体のみ単結
晶シリコンまたは多結晶シリコンとし、この電極本体を
絶縁性のシールドリングで保持するようにしたため、被
エッチング材のシリコンウエハに対応する範囲以外にプ
ラズマを発生させない。従って、プラズマ処理中の異物
粒子の発生を抑え、シリコンウエハのプラズマエッチン
グ等の処理不良を防止できる。According to the present invention, only the region corresponding to the silicon wafer to be etched, that is, only the electrode body is made of single-crystal silicon or polycrystalline silicon, and this electrode body is held by an insulating shield ring. Plasma is not generated outside the range corresponding to the silicon wafer of the etching material. Therefore, generation of foreign particles during the plasma processing can be suppressed, and processing defects such as plasma etching of the silicon wafer can be prevented.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１に示す
例で説明する。上部電極２に取り付けられる単結晶シリ
コンまたは多結晶シリコン製電極本体６の形状は、エッ
チングされるシリコンウエハ４のエッチング量の均一性
が必要とされることから円板形状とする。その外形寸法
は、シリコンウエハ４の外径以上でかつ外径を２０mm以
上超えない範囲、望ましくは外径以上でかつ外径を１０
mm以上超えない範囲、さらに望ましくは外径以上でかつ
外径を５mm以上超えない範囲である。シリコンウエハは
通常、６〜１２インチの大きさであるので、これに対応
した外径となる。電極本体６の外径寸法が、シリコンウ
エハ４のそれより２０mmを超えると、プラズマ重合物が
析出する面積が過大となり異物粒子の発生を促進させ
る。逆にシリコンウエハの外径より小さくなるとエッチ
ングの均一性が悪化する。電極本体６の厚さは、２mm以
上１０mm以下、望ましくは３mm以上６mm以下とする。電
極本体６の厚さが２mm未満では、消耗代が少ないため電
極本体６の寿命が短くなってしまう。逆に１０mmを超え
ると、エッチングガスをシャワー状に吹き出させるガス
吹き出し穴７の加工が困難となる。なお電極本体６に設
けるガス吹き出し穴７は、穴径がφ０.３〜φ１.０（m
m）、穴数が２００〜１８００個の範囲であることが好
ましいが、これらはエッチング条件（真空度、エッチン
グガス流量等）によって規定されるものであり、本発明
の効果に何等の影響を与えるものではない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to an example shown in FIG. The shape of the single crystal silicon or polycrystal silicon electrode body 6 attached to the upper electrode 2 is a disk shape because uniformity of the etching amount of the silicon wafer 4 to be etched is required. Its outer dimensions are in the range of not less than the outer diameter of the silicon wafer 4 and not more than 20 mm, preferably not less than 10 mm.
The range is not more than mm, more preferably not less than the outer diameter and not more than 5 mm. Since silicon wafers are usually 6 to 12 inches in size, they have a corresponding outer diameter. If the outer diameter of the electrode body 6 exceeds 20 mm than that of the silicon wafer 4, the area where the plasma polymer is deposited becomes excessively large, and the generation of foreign particles is promoted. Conversely, when the diameter is smaller than the outer diameter of the silicon wafer, the uniformity of the etching is deteriorated. The thickness of the electrode body 6 is 2 mm or more and 10 mm or less, preferably 3 mm or more and 6 mm or less. When the thickness of the electrode main body 6 is less than 2 mm, the life of the electrode main body 6 is shortened because the consumption allowance is small. Conversely, if it exceeds 10 mm, it becomes difficult to process the gas blowout holes 7 for blowing out the etching gas in a shower shape. The gas blowout hole 7 provided in the electrode body 6 has a hole diameter of φ0.3 to φ1.0 (m
m), the number of holes is preferably in the range of 200 to 1800, but these are determined by the etching conditions (vacuum degree, etching gas flow rate, etc.) and have any effect on the effects of the present invention. Not something.
【００１４】図２に本発明におけるシールドリング９の
具体的な形状の一例を示す。シールドリングは、石英、
アルミナ等の絶縁性の材料で構成される。シールドリン
グ９のプラズマ発生側開口部の径ｄは、電極本体６を嵌
合、支持するためその外径Ｄ以下であることが必要であ
るが、電極本体６の外径Ｄより１０mmを超えて小さくな
いものとすることが望ましい。さらに望ましくは電極本
体６の外径Ｄ以下で、かつ、電極本体６の外径Ｄより５
mmを超えて小さくないものとすることが望ましい。開口
部の径ｄが、電極本体の外径Ｄより１０mmを超えて小さ
くなると、エッチングの均一性が悪化する傾向がある。FIG. 2 shows an example of a specific shape of the shield ring 9 in the present invention. The shield ring is quartz,
It is made of an insulating material such as alumina. The diameter d of the opening on the plasma generation side of the shield ring 9 needs to be smaller than the outer diameter D of the electrode body 6 for fitting and supporting the same. It is desirable not to be small. More preferably, the outer diameter D of the electrode body 6 is equal to or smaller than the outer diameter D of the electrode body 6 and 5 mm or less.
It is desirable not to be smaller than mm. When the diameter d of the opening is smaller than the outer diameter D of the electrode body by more than 10 mm, the uniformity of etching tends to deteriorate.
【００１５】シールドリング９のプラズマ発生側の突出
（厚さ）ｔ2は、０以上で電極本体より３mm以上厚くな
らない必要がある。電極本体６がシールドリングより突
出する場合、プラズマがその部分に集中しエッチングの
均一性が悪化する。また電極本体６よりシールドリング
９が３mm以上突出すると、シールドリングの部分で電極
２、３の間隔が狭くなりガス流に対する圧損が増加す
る。このためプラズマの圧力が高くなって精度良くエッ
チングすることができなくなる。The projection (thickness) t2 of the shield ring 9 on the plasma generation side must be 0 or more and not more than 3 mm thicker than the electrode body. When the electrode body 6 protrudes from the shield ring, the plasma is concentrated on that portion, and the uniformity of the etching deteriorates. When the shield ring 9 protrudes from the electrode body 6 by 3 mm or more, the gap between the electrodes 2 and 3 becomes narrower at the shield ring, and the pressure loss with respect to the gas flow increases. For this reason, the pressure of the plasma is increased, and etching cannot be performed accurately.
【００１６】シールドリングの側面の高さおよび厚さ並
びに必要な加工代は、プラズマ処理装置の上部電極全体
の構造およびそれへの取付方法によって決まるが、どの
ような形状寸法であっても本発明の効果を阻害するもの
ではない。The height and thickness of the side surface of the shield ring and the required machining allowance are determined by the structure of the entire upper electrode of the plasma processing apparatus and the method of attaching it to the upper electrode. It does not impair the effect of
【００１７】シールドリングの材質は、絶縁性であるこ
とが必要であるが、アルミナ、石英等のような絶縁材
で、使用するプラズマに対して耐食性があればどのよう
な材質であってもよい。The material of the shield ring needs to be insulative, but any material may be used as long as it is an insulating material such as alumina or quartz and has corrosion resistance to the plasma used. .
【００１８】[0018]
【実施例】以下に本発明の実施例及び比較例を説明す
る。電極本体６として、直径２００〜２３０mm、厚さ３
mmの単結晶シリコン円板にダイヤモンドコーティングさ
れたドリルで回転数５０００rpm 、送り速度２０mm／分
の加工条件で直径１９０mm（シャワー径）の範囲内に
０．５mmΦのガス吹き出し穴６３３個を７mmの等間隔
（ピッチ）で開けた。EXAMPLES Examples and comparative examples of the present invention will be described below. The electrode body 6 has a diameter of 200 to 230 mm and a thickness of 3
With a drill coated with diamond on a single-crystal silicon disk of mm, the number of rotations is 5,000 rpm, the feed rate is 20 mm / min. Opened at intervals (pitch).
【００１９】またシールドリング９は、図３に示す構造
とし材質はアルミナとした。寸法は、直径３００mm、高
さ７０mm、プラズマ側開口部の直径１９７〜２１７mm、
厚さｔ1＝３〜７mm、開口部段部厚さｔ2＝１〜３mmとし
た。シールドリングは、側面に設けられた直径3.8 mmの
貫通穴を通してＭ３のビス１２で上部電極部２に固定し
た。The shield ring 9 has the structure shown in FIG. 3 and is made of alumina. Dimensions are 300mm in diameter, 70mm in height, 197-217mm in diameter of plasma side opening,
The thickness t1 was 3 to 7 mm, and the thickness t2 of the opening step was 1 to 3 mm. The shield ring was fixed to the upper electrode unit 2 with M3 screws 12 through through holes of 3.8 mm in diameter provided on the side surface.
【００２０】上記構成の電極およびシールドリングをプ
ラズマエッチング装置に取り付け、反応ガス：トリフロ
ロメタン（ＣＨＦ3）４０cc／分、テトラフロロカーボ
ン(ＣＦ4)６０cc／分、アルゴン（Ａｒ）３００cc／
分、反応チャンバー内のガス圧力：０.５Torr 、電源周
波数：４００ＫＨｚ、印加電圧：６００Ｗの条件で８イ
ンチシリコンウエハ（外径２００mm）のシリコン酸化膜
のエッチング加工を行い、使用時間による放電異物の発
生状況を調べた。その結果を表１に示す。The electrode and the shield ring having the above-mentioned configuration were attached to a plasma etching apparatus, and the reaction gas was trifluoromethane (CHF 3 ) 40 cc / min, tetrafluorocarbon (CF 4 ) 60 cc / min, and argon (Ar) 300 cc / min.
The etching process of the silicon oxide film of an 8-inch silicon wafer (outer diameter 200 mm) was performed under the conditions of gas pressure in the reaction chamber: 0.5 Torr, power supply frequency: 400 KHz, and applied voltage: 600 W. The occurrence situation was examined. Table 1 shows the results.
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】シリコンウエハのエッチング時に発生する
放電異物数の許容範囲（規格）は、通常ウエハあたり
０.３μｍ 以上の粒径で３０個以下、エッチングレート
のバラツキが５％以下であるが、表１に示されるよう
に、本発明のプラズマ処理装置用電極を用いることによ
って、長期間にわたって少ない放電異物数及び安定した
エッチングレートに保つことができ、ひいては半導体素
子の歩留を向上させることができる。The allowable range (standard) of the number of discharge foreign particles generated at the time of etching a silicon wafer is usually 30 or less with a particle diameter of 0.3 μm or more per wafer, and the variation of the etching rate is 5% or less. As shown in the above, by using the electrode for a plasma processing apparatus of the present invention, it is possible to maintain a small number of discharged foreign substances and a stable etching rate over a long period of time, and to improve the yield of semiconductor elements.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置用電極は、被
エッチング材のシリコンウエハに対応する範囲のみすな
わち電極本体のみを単結晶シリコン又は多結晶シリコン
とし、この電極本体を絶縁性のシールドリングで保持す
るようにしたため、被エッチング材のシリコンウエハに
対応する範囲以外にプラズマを発生させない。従って、
長期間にわたって少ない放電異物数及び安定したエッチ
ングレートに保つことができ、ひいては半導体素子の歩
留を向上させることができる。According to the electrode for a plasma processing apparatus of the present invention, only the area corresponding to the silicon wafer to be etched, that is, only the electrode body is made of single-crystal silicon or polycrystalline silicon, and this electrode body is made of an insulating shield ring. Since it is held, plasma is not generated outside the range corresponding to the silicon wafer to be etched. Therefore,
It is possible to maintain a small number of discharge foreign substances and a stable etching rate over a long period of time, and thus improve the yield of semiconductor elements.
【図１】本発明の一実施例になる平行平板型プラズマエ
ッチング装置の縦断面図。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a parallel plate type plasma etching apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図２】本発明のシールドリングの具体的な形状の一例
を示す図。FIG. 2 is a diagram showing an example of a specific shape of the shield ring of the present invention.
【図３】従来の平行平板型プラズマエッチング装置の縦
断面図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a conventional parallel plate type plasma etching apparatus.
１…真空容器、２…上部電極、３…下部電極、４…シリ
コンウエハ、５…バックプレート、６…電極本体、７…
ガス吹き出し穴、８…高周波電源、９…シールドリン
グ、１１…プラズマDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Upper electrode, 3 ... Lower electrode, 4 ... Silicon wafer, 5 ... Back plate, 6 ... Electrode main body, 7 ...
Gas blowing hole, 8: High frequency power supply, 9: Shield ring, 11: Plasma
Claims (2)
あって、ガス吹き出し穴が設けられている円板状の電極
本体と、該電極本体を支持する絶縁性のシールドリング
を有してなり、該電極本体は単結晶シリコンまたは多結
晶シリコンからなり、該電極本体の外径寸法は被エッチ
ング材であるシリコンウエハの外径以上で２０mmを超え
ない範囲であり、前記シールドリングは前記電極本体を
嵌合支持できるよう内周部に段形状を設けた構造であ
り、該シールドリングはそのプラズマ発生側が該電極本
体より３mmを超えて突出しないものとしたことを特徴と
するプラズマ処理装置用電極。An upper electrode of a parallel plate type plasma processing apparatus, comprising: a disk-shaped electrode body provided with a gas blowing hole; and an insulating shield ring for supporting the electrode body. The electrode body is made of single-crystal silicon or polycrystalline silicon, the outer diameter of the electrode body is not less than the outer diameter of the silicon wafer to be etched and not more than 20 mm, and the shield ring is formed of the electrode body. Characterized in that the shield ring has a stepped shape on the inner peripheral portion so as to be able to fit and support the electrode, and the plasma generation side of the shield ring does not project more than 3 mm from the electrode body. .
極を備えた平行平板型プラズマ処理装置において、前記
上部電極を、ガス吹き出し穴が設けられた円板状の単結
晶シリコン製又は多結晶シリコン製の電極本体と、内周
部に段形状を有し該電極本体を嵌合支持する絶縁性のシ
ールドリングから構成し、前記電極本体の外径寸法を被
エッチング材のシリコンウエハの外径以上で２０mmを超
えない範囲とし、前記シールドリングはそのプラズマ発
生側が該電極本体より３mmを超えて突出しないものとし
たことを特徴とする平行平板型プラズマ処理装置。2. A parallel plate type plasma processing apparatus having an upper electrode and a lower electrode provided in a vacuum vessel, wherein the upper electrode is made of a disk-shaped single-crystal silicon or a multi-layer having a gas blowing hole. An electrode body made of crystalline silicon, and an insulating shield ring having a stepped inner peripheral portion for fitting and supporting the electrode body, the outer diameter of the electrode body being outside the silicon wafer to be etched. A parallel plate type plasma processing apparatus characterized in that the diameter is not less than 20 mm and not more than 20 mm, and the shield ring does not protrude beyond the electrode body by more than 3 mm from the electrode body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019189A JPH11219935A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Electrode for plasma processor and the plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019189A JPH11219935A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Electrode for plasma processor and the plasma processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219935A true JPH11219935A (en) | 1999-08-10 |
Family
ID=11992403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10019189A Pending JPH11219935A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Electrode for plasma processor and the plasma processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219935A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1013954C2 (en) * | 1999-12-24 | 2001-06-29 | Xycarb Ceramics B V | A method of manufacturing an electrode for a plasma reactor and such an electrode. |
| WO2002023610A1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma machining device, and electrode plate, electrode supporter, and shield ring of the device |
| JP2002252213A (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching method |
| JP2005045067A (en) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus |
| JP2010507228A (en) * | 2006-10-16 | 2010-03-04 | ラム リサーチ コーポレーション | Quartz guard ring centering mechanism |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10019189A patent/JPH11219935A/en active Pending
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| NL1013954C2 (en) * | 1999-12-24 | 2001-06-29 | Xycarb Ceramics B V | A method of manufacturing an electrode for a plasma reactor and such an electrode. |
| WO2001048791A1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Xycarb Ceramics B.V. | Method of manufacturing an electrode for a plasma reactor and such an electrode |
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