JPH11201988A - Contact probe - Google Patents
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- JPH11201988A JPH11201988A JP611598A JP611598A JPH11201988A JP H11201988 A JPH11201988 A JP H11201988A JP 611598 A JP611598 A JP 611598A JP 611598 A JP611598 A JP 611598A JP H11201988 A JPH11201988 A JP H11201988A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンタクトプローブの剛性を低下させて可撓
性を高め、プローブ装置に装着した状態でコンタクトピ
ンの微少移動調整を正確に行えるようにした。
【解決手段】 Cuからなるグラウンド2の窓部6と一
体に第二窓部34を形成する。窓部6と第二窓部34か
らなる拡大窓部32はグラウンド2とポリイミド樹脂等
からなるフィルム層3を除去して形成する。第二窓部3
4は狭幅部1cに延在してその両側に細枠部36a,3
6aを設ける。プローブ装置8に装着した状態で、微調
整機構20でベースクランプ12を微少移動させると、
細枠部36aで応力を吸収してコンタクトピン5aが平
行移動する。
(57) [Problem] To reduce the rigidity of a contact probe to increase flexibility, and to enable fine adjustment of the fine movement of a contact pin while mounted on a probe device. A second window is formed integrally with a window of a ground made of Cu. The enlarged window 32 composed of the window 6 and the second window 34 is formed by removing the ground 2 and the film layer 3 made of polyimide resin or the like. Second window 3
Numeral 4 extends to the narrow portion 1c and has narrow frame portions 36a, 3 on both sides thereof.
6a is provided. When the base clamp 12 is slightly moved by the fine adjustment mechanism 20 in a state where the base clamp 12 is attached to the probe device 8,
The contact pin 5a moves in parallel by absorbing the stress in the thin frame portion 36a.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プローブ装置に装
着して、半導体ICチップやLSIチップ等の被検査部
材の各端子に接触させて電気的なテストを行うためのコ
ンタクトプローブに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe which is mounted on a probe device and is used to make an electrical test by contacting each terminal of a member to be inspected such as a semiconductor IC chip or an LSI chip.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、プローブ装置では、ICチップ
やLSIチップ等の半導体チップ、またはLCD(液晶
表示体)等の各端子に接触させて電気的なテストを行う
ために、コンタクトピンが備えられたコンタクトプロー
ブが用いられる。例えば、先行技術として図14、図1
5及び図16に示すコンタクトプローブ1では、例えば
Ni基合金等からなるパターン配線5が配列され、その
上に接着剤層4を介してポリイミド樹脂等からなるフィ
ルム層3とCu等の金属層であるグラウンド2とが積層
されている。このパターン配線5の先端部は狭ピッチで
略平行に配列されてグラウンド2及びフィルム層3の先
端から突出しており、それぞれコンタクトピン5aを構
成する。コンタクトプローブ1は、図14に示す平面視
で略ホームベース形状とされ、コンタクトピン5aが突
出する先端部1aと、先端部1aの反対側端部の最大幅
で形成される基部1bと、先端部1aと基部1b間をつ
ないで基部1bから先端部1aに向けて漸次幅が狭くな
る狭幅部1cとで形成されている。基部1bにはパター
ン配線5に直交する方向に延びる略長方形状の窓部6が
形成されている。この窓部6でパターン配線5の各端部
5bが後述のプリント基板の端子と接続される。2. Description of the Related Art In general, a probe device is provided with contact pins for making an electrical test by contacting a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip, or a terminal such as an LCD (liquid crystal display). A contact probe is used. For example, FIG. 14 and FIG.
In the contact probe 1 shown in FIGS. 5 and 16, for example, a pattern wiring 5 made of a Ni-based alloy or the like is arranged, and a film layer 3 made of a polyimide resin or the like and a metal layer made of Cu or the like are provided thereon via an adhesive layer 4. A certain ground 2 is stacked. The tips of the pattern wirings 5 are arranged in a substantially parallel manner at a narrow pitch and protrude from the tips of the ground 2 and the film layer 3 to form contact pins 5a, respectively. The contact probe 1 has a substantially home base shape in plan view as shown in FIG. 14, and has a tip 1a from which a contact pin 5a protrudes, a base 1b formed with a maximum width opposite to the tip 1a, and a tip 1b. The portion 1a is connected to the base 1b, and is formed of a narrow portion 1c whose width gradually decreases from the base 1b toward the tip 1a. A substantially rectangular window 6 extending in a direction perpendicular to the pattern wiring 5 is formed in the base 1b. Each end 5b of the pattern wiring 5 is connected to a terminal of a printed circuit board, which will be described later, at the window 6.
【0003】このようなコンタクトプローブ1は図17
及び図18に示すようにメカニカルピースに組み込まれ
てプローブ装置8とされ、コンタクトピン5aに半導体
ICチップやLCD等の端子が接触させられることにな
る。即ち、図17及び図18に示すプローブ装置8にお
いて、円板形状をなし中央窓部10aを有するプリント
基板10の上に、例えばトップクランプ11を取り付
け、次にコンタクトプローブ1をその下面に両面テープ
等で取り付けたベースクランプ12を、トップクランプ
11にボルト13等で固定する。そして略額縁形状のボ
トムクランプ14でコンタクトプローブ1の基部1bを
押さえつけることにより、コンタクトプローブ1の先端
部1a及び幅狭部1cを傾斜状態に保持し、基部1bは
ボトムクランプ14の押さえゴム15でプリント基板1
0の下面に押しつけられる。これによって、コンタクト
プローブ1のパターン配線5の端部5bが窓部6を通し
てプリント基板10の下面の端子に押しつけられて接触
状態に保持されることになる。このような状態で、半導
体ICチップ18等の被検査部材の端子18aがコンタ
クトピン5aに接触させられて電気的なテストが行われ
ることになる。Such a contact probe 1 is shown in FIG.
As shown in FIG. 18, the probe device 8 is incorporated in a mechanical piece, and a terminal such as a semiconductor IC chip or an LCD is brought into contact with the contact pin 5a. That is, in the probe device 8 shown in FIGS. 17 and 18, for example, a top clamp 11 is mounted on a printed circuit board 10 having a disk shape and having a central window 10a, and then the contact probe 1 is double-sided taped on its lower surface. The base clamp 12 attached by, for example, is fixed to the top clamp 11 with bolts 13 or the like. By pressing down the base 1b of the contact probe 1 with the bottom clamp 14 having a substantially frame shape, the distal end 1a and the narrow portion 1c of the contact probe 1 are held in an inclined state, and the base 1b is pressed by the pressing rubber 15 of the bottom clamp 14. Printed circuit board 1
0 is pressed against the lower surface. As a result, the end 5b of the pattern wiring 5 of the contact probe 1 is pressed through the window 6 to the terminal on the lower surface of the printed circuit board 10 and is kept in contact. In such a state, the terminals 18a of the member to be inspected such as the semiconductor IC chip 18 are brought into contact with the contact pins 5a to perform an electrical test.
【0004】ところで、このようなプローブ装置8にお
いては、電気的テストの際、コンタクトピン5aを例え
ば半導体ICチップ18の端子18aに接触させる場
合、コンタクトピン5aとICチップ18の端子18a
とにずれが生じることがある。そのような場合、一部で
コンタクトピン5aと端子18aとで位置ずれを起こし
接触不良を起こすことがある。そのため、プローブ装置
8には図19及び図20に示すようなコンタクトピン5
aの微調整機構20が設けられている。即ち、図19に
おいて、トップクランプ11の側面のねじ穴11aを貫
通してベースクランプ12の両側面を挟み込むX軸調整
ボルト21がコンタクトピン5aと交差する方向に取り
付けられ、X軸調整ボルト21を正逆回転させることで
ベースクランプ12をX軸方向に微少移動調整できる。
また、トップクランプ11の隣接する側面の貫通孔11
bを貫通してベースクランプ12のねじ穴12bに螺合
するY軸調整ボルト22がコンタクトピン5aと略平行
な方向に取り付けられ、Y軸調整ボルト22を正逆回転
させることでベースクランプ12をY軸方向に微少移動
調整できる。In such a probe device 8, when the contact pins 5a are brought into contact with, for example, the terminals 18a of the semiconductor IC chip 18 during the electrical test, the contact pins 5a and the terminals 18a of the IC chip 18 are used.
May be shifted. In such a case, the contact pin 5a and the terminal 18a may be partially displaced to cause a contact failure. Therefore, the contact pins 5 as shown in FIGS.
a fine adjustment mechanism 20 is provided. That is, in FIG. 19, the X-axis adjustment bolts 21 that penetrate the screw holes 11a on the side surfaces of the top clamp 11 and sandwich the both side surfaces of the base clamp 12 are attached in a direction intersecting the contact pins 5a. By rotating the base clamp 12 forward and backward, the base clamp 12 can be finely moved and adjusted in the X-axis direction.
Also, the through-hole 11 on the adjacent side surface of the top clamp 11
b, a Y-axis adjustment bolt 22 that is screwed into the screw hole 12b of the base clamp 12 is attached in a direction substantially parallel to the contact pin 5a. Fine movement adjustment can be performed in the Y-axis direction.
【0005】更に図20において、トップクランプ11
の上面の貫通孔11cを貫通してベースクランプ12の
ねじ穴12cに螺合するZ軸調整ボルト23がコンタク
トプローブ1と略交差する方向に取り付けられ、Z軸調
整ボルト23を正逆回転させることでベースクランプ1
2をZ軸方向に微少移動調整できる。そのため、微調整
機構20によって、X,Y,Z軸調整ボルト21、2
2,23をそれぞれ正逆回転操作させることで、ベース
クランプ12をX,Y,Z軸方向にそれぞれ微少移動さ
せて微調整できる。これによって、ベースクランプ12
に固定されているコンタクトプローブ1の先端部1a及
び狭幅部1cをX,Y,Z軸方向に微調整することで、
各コンタクトピン5aを端子18aにそれぞれ接触する
よう位置合わせすべく微少移動できるようになってい
る。[0005] Further, in FIG.
The Z-axis adjustment bolt 23 that passes through the through hole 11c on the upper surface of the base probe 12 and is screwed into the screw hole 12c of the base clamp 12 is attached in a direction substantially intersecting with the contact probe 1, and rotates the Z-axis adjustment bolt 23 forward and backward. With base clamp 1
2 can be finely moved and adjusted in the Z-axis direction. Therefore, the X, Y, and Z axis adjustment bolts 21 and 2 are adjusted by the fine adjustment mechanism 20.
By rotating the base clamps 12 and 23 in the forward and reverse directions, the base clamp 12 can be finely adjusted by slightly moving each in the X, Y and Z axis directions. Thereby, the base clamp 12
By finely adjusting the distal end portion 1a and the narrow width portion 1c of the contact probe 1 fixed to the X, Y, and Z axis directions,
Each contact pin 5a can be slightly moved so as to be positioned so as to be in contact with the terminal 18a.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、コンタクト
プローブ1は、基部1bがプリント基板10に押圧され
た状態でボトムクランプ14等で固定されている上に、
グラウンド2はCu等の金属層でできていて強度と剛性
が高いために、微調整機構20の作動によってもコンタ
クトピン5aが移動しない場合があったり、変形して波
打ち等のたわみが生じてコンタクトピン5aの平面度が
狂うことがある。また、コンタクトピン5aを微少移動
させても応力によって元に戻ろうとしてコンタクトピン
5aの位置が狂うことがあるという問題がある。However, the contact probe 1 is fixed by a bottom clamp 14 or the like in a state where the base 1b is pressed against the printed circuit board 10, and furthermore,
Since the ground 2 is made of a metal layer such as Cu and has high strength and rigidity, the contact pin 5a may not move even when the fine adjustment mechanism 20 is actuated, or may deform due to bending such as waving. The flatness of the pin 5a may be out of order. In addition, even if the contact pin 5a is slightly moved, there is a problem that the position of the contact pin 5a may be deviated in an attempt to return to the original position due to stress.
【0007】本発明は、このような実情に鑑みて、コン
タクトプローブの可撓性を大きくして基部が固定されて
いても容易に位置だし調整ができるようにしたコンタク
トプローブを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a contact probe in which the flexibility of the contact probe is increased so that the position can be easily adjusted even if the base is fixed. And
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係るコンタクト
プローブは、複数のパターン配線の上にフィルム層と金
属層であるグラウンドとが積層され、パターン配線の各
先端がフィルム層から突出してコンタクトピンとされて
いると共に、パターン配線の基端部にグラウンド及びフ
ィルム層を切除した窓部が形成されてなるコンタクトプ
ローブにおいて、窓部と一体又は別個にグラウンドを切
除した第二窓部が形成されていることを特徴とするもの
である。従って、コンタクトプローブをプローブ装置に
装着してその基部が固定された状態で、コンタクトピン
の位置調整を行うべくベースクランプ等のメカニカルパ
ーツを移動させて基部以外の部分を微少移動させた場
合、コンタクトプローブのグラウンドは窓部及び第二窓
部によって切除されているから剛性が低下して可撓性が
高く、コンタクトプローブ全体の可撓性が大きく設定さ
れていて、固定された基部以外の部分が波打つことなく
スムーズに微少量平行移動してコンタクトピンの位置ず
れを調整でき、調整後に応力のためにコンタクトピンが
戻ることもなく被検査部材の端子に接続した状態を確実
に維持できることになる。In the contact probe according to the present invention, a film layer and a ground, which is a metal layer, are laminated on a plurality of pattern wirings, and each tip of the pattern wiring protrudes from the film layer to form a contact pin. In the contact probe in which the ground and the film layer are cut off at the base end of the pattern wiring, a second window is formed integrally with or separately from the window. It is characterized by the following. Therefore, when the contact probe is attached to the probe device and its base is fixed, and a mechanical part such as a base clamp is moved to adjust the position of the contact pin and a portion other than the base is slightly moved, the contact Since the ground of the probe is cut off by the window and the second window, the rigidity is reduced and the flexibility is high, the flexibility of the entire contact probe is set to be large, and parts other than the fixed base are fixed. The displacement of the contact pin can be adjusted by smooth and slight parallel movement without waving, and the contact pin does not return due to stress after the adjustment, and the state of being connected to the terminal of the member to be inspected can be reliably maintained.
【0009】尚、第二窓部は、フィルム層も切除して形
成されていてもよい。また、第二窓部は、コンタクトプ
ローブの狭幅部に設けられていてもよい。第二窓部が狭
幅部に設けられたことで、微少移動時に第二窓部の両側
の細枠部で応力を吸収できてコンタクトプローブの波打
ち等を抑制できて調整後にコンタクトピンが戻ることを
防止できる。The second window may be formed by cutting off the film layer. Further, the second window may be provided in a narrow portion of the contact probe. Since the second window portion is provided in the narrow portion, the stress can be absorbed by the narrow frame portions on both sides of the second window portion at the time of minute movement, the waving of the contact probe can be suppressed, and the contact pin returns after adjustment. Can be prevented.
【0010】本発明に係るコンタクトプローブは、複数
のパターン配線の上にフィルム層と金属層であるグラウ
ンドとが積層され、パターン配線の各先端がフィルム層
から突出してコンタクトピンとされているコンタクトプ
ローブにおいて、グラウンドの少なくとも一部がメッシ
ュに形成されていることを特徴とするものである。コン
タクトプローブはグラウンドがメッシュを含むことで剛
性が低下して可撓性が高く、プローブ装置に装着してコ
ンタクトピンの位置調整を行う際に応力をメッシュの部
分で吸収できてスムーズに移動調整でき、応力によるコ
ンタクトピンの調整後の位置ずれを防止できる。また、
メッシュはフィルム層にも形成されていてもよい。ま
た、メッシュの領域には、フィルム層上にAu層が設け
られていてもよい。グラウンドにメッシュが形成されて
いても、その部分にAu層がめっき等で形成されている
ために、コンタクトプローブの可撓性を高めた上で、プ
ローブ装置による電気テストの際に高周波特性を劣化さ
せることなく維持できる。また、メッシュの領域には、
接着剤が充填されていてもよい。グラウンドのメッシュ
の領域に接着剤を充填することで、コンタクトプローブ
の可撓性を高めた上でメカニカルピースへの取り付け固
定を確実に行うことができる。A contact probe according to the present invention is a contact probe in which a film layer and a ground which is a metal layer are laminated on a plurality of pattern wirings, and each end of the pattern wiring protrudes from the film layer to be a contact pin. , At least a part of the ground is formed in a mesh. The contact probe has a high rigidity and a high flexibility due to the ground containing the mesh, and when the probe is mounted on the probe device and the position of the contact pin is adjusted, the stress can be absorbed by the mesh and the movement can be adjusted smoothly. In addition, it is possible to prevent the displacement of the contact pin after the adjustment due to the stress. Also,
The mesh may also be formed on the film layer. In the mesh region, an Au layer may be provided on the film layer. Even if a mesh is formed on the ground, since the Au layer is formed by plating or the like on the ground, the flexibility of the contact probe is increased, and the high-frequency characteristics are degraded during the electrical test using the probe device. Can be maintained without letting them go. In the mesh area,
An adhesive may be filled. By filling the area of the ground mesh with the adhesive, it is possible to increase the flexibility of the contact probe and securely mount and fix the contact probe to the mechanical piece.
【0011】また、本発明に係るコンタクトプローブ
は、複数のパターン配線の上にフィルム層と金属層であ
るグラウンドとが積層され、パターン配線の各先端がフ
ィルム層から突出してコンタクトピンとされているコン
タクトプローブにおいて、グラウンドに複数の孔が形成
されていることを特徴とするものである。グラウンドに
複数の孔を形成することで、コンタクトプローブの剛性
を低下させて可撓性を高めることができ、コンタクトピ
ンのスムーズな移動調整を行える。また、孔は、フィル
ム層にも形成されていてもよい。また、孔には、フィル
ム層上にAu層が設けられていてもよい。フィルム層に
孔を設けても、めっきでAu層を形成することで高周波
特性を維持することができる。また、孔には、接着剤が
充填されていてもよい。コンタクトプローブの可撓性を
高めた上でメカニカルピースへの取り付けを確実に行う
ことができる。Further, in the contact probe according to the present invention, a film layer and a ground which is a metal layer are laminated on a plurality of pattern wirings, and each end of the pattern wiring protrudes from the film layer to be a contact pin. In the probe, a plurality of holes are formed in the ground. By forming a plurality of holes in the ground, the rigidity of the contact probe can be reduced, the flexibility can be increased, and the smooth movement adjustment of the contact pin can be performed. Also, the holes may be formed in the film layer. The holes may be provided with an Au layer on the film layer. Even if holes are provided in the film layer, high frequency characteristics can be maintained by forming the Au layer by plating. Further, the holes may be filled with an adhesive. The contact probe can be reliably attached to the mechanical piece after the flexibility of the contact probe is increased.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明するが、上述の先行技術と同一の部分に
は同一の符号を用いてその説明を省略する。図1は第一
の実施の形態によるコンタクトプローブの平面図、図2
は図1のB−B線断面図である。図1及び図2に示すコ
ンタクトプローブ30において、基部1bを中心にグラ
ウンド2及びフィルム層3及び接着剤層4を切除した拡
大窓部32が形成されている。この拡大窓部32は先行
技術における図14に示す窓部6(図1で一点鎖線で図
示)とパターン配線5の基端部5bに直交する方向の幅
が同一(例えば20mm)で、パターン配線5の延在す
る方向の長さは窓部6の領域(例えば3mm)を超え
て、コンタクトプローブ30の幅狭部1c内の領域まで
延在する(例えば8mm)略長方形状とされている。換
言すれば、この拡大窓部32は、従来の窓部6に重ねて
略長方形状の第二窓部34を追加して一体形成した構成
とされる。拡大窓部32はコンタクトプローブ30の基
部1bから漸次幅が狭くなる狭幅部1cの領域まで延び
て形成されているから、狭幅部1cでの拡大窓部32の
角部両側に位置する細枠部36a、36aに応力が生じ
易く、細枠部36a、36aが変形されやすくなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view of a contact probe according to a first embodiment, and FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1. In the contact probe 30 shown in FIGS. 1 and 2, an enlarged window 32 is formed by cutting off the ground 2, the film layer 3, and the adhesive layer 4 around the base 1b. The enlarged window 32 has the same width (for example, 20 mm) in the direction orthogonal to the base end 5b of the pattern wiring 5 as the window 6 (shown by a dashed line in FIG. 1) shown in FIG. The length of the extending direction of the contact probe 5 is substantially rectangular beyond the region of the window portion 6 (for example, 3 mm) and extending to the region within the narrow portion 1c of the contact probe 30 (for example, 8 mm). In other words, the enlarged window portion 32 has a configuration in which a substantially rectangular second window portion 34 is added to the conventional window portion 6 to be integrally formed. Since the enlarged window 32 extends from the base 1b of the contact probe 30 to the area of the narrow portion 1c where the width gradually decreases, the narrow windows located on both sides of the corner of the enlarged window 32 in the narrow portion 1c. Stress is easily generated in the frame portions 36a, 36a, and the thin frame portions 36a, 36a are easily deformed.
【0013】本実施の形態は上述のように構成されてい
るから、このようなコンタクトプローブ30を図17及
び図18に示すプローブ装置8に装着して、拡大窓部3
2のうち、窓部6の部分でボトムクランプ14の押さえ
ゴム15によってパターン配線5の基端部5bを押圧し
てプリント基板10の図示しない端子に接触させる。同
時にコンタクトプローブ30の狭幅部1cをベースクラ
ンプ12の下面に両面テープ等で貼着して固定する。こ
の状態で、コンタクトピン5aの一部が例えば半導体I
Cチップ18の端子18aに対して位置ずれを起こして
接触不良となる場合には、図19及び図20に示す微調
整機構20を用いてコンタクトピン5aのX軸、Y軸、
Z軸方向の微調整を行う。即ち、X軸調整ボルト21、
Y軸調整ボルト22、Z軸調整ボルト23の少なくとも
いずれかを正逆回転操作し、各コンタクトピン5aをX
軸、Y軸、Z軸方向に微少量移動調整して、例えば半導
体ICチップ18の各端子18aにそれぞれ確実に接触
させることができる。Since the present embodiment is configured as described above, such a contact probe 30 is mounted on the probe device 8 shown in FIGS.
2, the base end 5 b of the pattern wiring 5 is pressed by the pressing rubber 15 of the bottom clamp 14 at the portion of the window portion 6 to make contact with a terminal (not shown) of the printed circuit board 10. At the same time, the narrow portion 1c of the contact probe 30 is adhered and fixed to the lower surface of the base clamp 12 with a double-sided tape or the like. In this state, a part of the contact pin 5a is
In the case where a position shift occurs with respect to the terminal 18a of the C chip 18 and a contact failure occurs, the X-axis, the Y-axis of the contact pin 5a, and the fine adjustment mechanism 20 shown in FIGS.
Perform fine adjustment in the Z-axis direction. That is, the X-axis adjustment bolt 21,
By rotating at least one of the Y-axis adjustment bolt 22 and the Z-axis adjustment bolt 23 in the forward and reverse directions,
By moving and adjusting a small amount in the directions of the axis, the Y axis, and the Z axis, for example, the terminals 18a of the semiconductor IC chip 18 can be reliably brought into contact with the respective terminals 18a.
【0014】このとき、コンタクトプローブ30は拡大
窓部32が、従来の窓部6と比較して面積が大きく広げ
られているから、その強度と剛性が小さい。そのため、
コンタクトプローブ30の基部1bがプローブ装置8の
ボトムクランプ14とプリント基板10との間に押さえ
つけられて固定されていても、基部1bと狭幅部1cを
つなぐ細枠部36a,36aの変形によって応力が吸収
され、容易に狭幅部1cが移動する。そのため、先端部
1a及び狭幅部1cは平面度が狂うことなく無理なく平
行移動して、コンタクトピン5aの位置出し調整を確実
に行うことができる。しかも位置調整後にコンタクトピ
ン5aが応力で移動することもない。特に本実施の形態
では、拡大窓部32がコンタクトプローブ30の狭幅部
1cの領域まで延びて形成されているから、狭幅部1c
での拡大窓部32の両側に位置する細枠部36a、36
aが変形して、微調整時の応力を吸収することができ
る。At this time, in the contact probe 30, the area of the enlarged window portion 32 is larger than that of the conventional window portion 6, so that its strength and rigidity are small. for that reason,
Even if the base 1b of the contact probe 30 is pressed and fixed between the bottom clamp 14 of the probe device 8 and the printed circuit board 10, the stress caused by the deformation of the thin frame portions 36a, 36a connecting the base 1b and the narrow portion 1c. Is absorbed, and the narrow portion 1c easily moves. Therefore, the distal end portion 1a and the narrow width portion 1c can be moved in parallel without causing any deviation in the flatness, and the positioning of the contact pin 5a can be surely adjusted. Moreover, the contact pins 5a do not move due to stress after the position adjustment. Particularly, in the present embodiment, since the enlarged window portion 32 is formed to extend to the area of the narrow portion 1c of the contact probe 30, the narrow portion 1c is formed.
Frame portions 36a, 36 located on both sides of the enlarged window portion 32 in FIG.
a is deformed and the stress at the time of fine adjustment can be absorbed.
【0015】上述のように本実施の形態によれば、従来
の窓部6に第二窓部34を追加して拡大窓部32を形成
したから、コンタクトピン5aの位置出し調整をしても
コンタクトプローブ30の先端部1aが変形したり波打
つことなくスムーズに微少移動して、コンタクトピン5
aをX,Y,Z軸方向に正確に位置出し調整することが
できる。その後に応力でコンタクトピン5aが移動する
こともない。As described above, according to this embodiment, since the enlarged window 32 is formed by adding the second window 34 to the conventional window 6, even if the position of the contact pin 5a is adjusted. The tip 1a of the contact probe 30 moves smoothly and minutely without being deformed or wavy, and
a can be accurately positioned and adjusted in the X, Y, and Z axis directions. Thereafter, the contact pin 5a does not move due to stress.
【0016】尚、第一の実施の形態では、第二窓部34
を窓部6と一体に形成したが、図3に示すように別個に
分離して、グラウンド2及びフィルム層3を切除して形
成してもよい。In the first embodiment, the second window 34
Is formed integrally with the window portion 6, but may be formed separately by separating the ground 2 and the film layer 3 as shown in FIG.
【0017】次に本発明の別の実施の形態を説明する
が、上述の実施の形態と同一又は同様の部分には同一の
符号を用いてその説明を省略する。第二の実施の形態を
図4及び図5により説明する。図4は第二の実施の形態
のコンタクトプローブの平面図であり、中心線Lを境に
左側が第二の実施の形態のコンタクトプローブを示し、
右側はその変形例を示すものである。図5は図4に示す
コンタクトプローブのC−C線断面図である。図4の左
半分に示すコンタクトプローブ38において、Cu等の
金属層からなるグラウンド40は、全体が網目状をなす
メッシュに形成されている。そのため、メッシュのグラ
ウンド40にポリイミド樹脂等からなるフィルム層3が
積層され、接着剤層4を介してパターン配線5が配列さ
れている。また、コンタクトプローブ38の基部1bに
は、メッシュのグラウンド40及びフィルム層3を切除
して窓部6が形成されている。Next, another embodiment of the present invention will be described. The same reference numerals are used for the same or similar parts as those in the above-described embodiment, and the description is omitted. A second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view of the contact probe according to the second embodiment, and the left side of the center line L indicates the contact probe according to the second embodiment.
The right side shows a modified example. FIG. 5 is a sectional view taken along line CC of the contact probe shown in FIG. In the contact probe 38 shown in the left half of FIG. 4, the ground 40 made of a metal layer such as Cu is formed as a mesh having a mesh shape as a whole. Therefore, the film layer 3 made of a polyimide resin or the like is laminated on the ground 40 of the mesh, and the pattern wirings 5 are arranged via the adhesive layer 4. A window 6 is formed in the base 1b of the contact probe 38 by cutting off the mesh ground 40 and the film layer 3.
【0018】上述のように本実施の形態によれば、グラ
ウンド40が網目状に形成されているから、コンタクト
プローブ38をプローブ装置8に装着して、微調整機構
20の作動によってベースクランプ12を微少移動させ
ても、グラウンド40は剛性が小さくて可撓性が高く、
平面形状で変形し易いためにコンタクトプローブ38の
先端部1a及び狭幅部1c全体に応力が生じ、平面形状
を維持して、変形して波打ち等のたわみが生じることな
く、コンタクトピン5aの位置出し調整を正確に行え
る。その後に応力でコンタクトピン5aが戻ることもな
い。As described above, according to the present embodiment, since the ground 40 is formed in a mesh, the contact probe 38 is mounted on the probe device 8 and the base clamp 12 is actuated by the fine adjustment mechanism 20. Even if it is moved slightly, the ground 40 has low rigidity and high flexibility,
Since the contact probe 38 is easily deformed in a planar shape, stress is applied to the entire tip portion 1a and the narrow portion 1c of the contact probe 38, the planar shape is maintained, and the position of the contact pin 5a is maintained without being deformed and deforming such as waving. It is possible to adjust the feeding accurately. Thereafter, the contact pin 5a does not return due to stress.
【0019】尚、全体が網目状に形成されたグラウンド
40に代えて、図4で右半分に示すようにグラウンド4
2の一部に、例えばパターン配線5に交差する方向に延
在する所定幅のメッシュ部44を形成し、その他の部分
は金属箔の構成を保持してもよい。この場合のグラウン
ド42は、図4の左半分に示すグラウンド40と比較す
ると剛性は比較的高いが従来のものよりは小さく、可撓
性が高い。そのため、メッシュ部44によって、コンタ
クトピン5aの微調整時におけるコンタクトプローブ3
8のフレキシビリティは確保され、コンタクトピン5a
の位置調整を正確且つスムーズに行える。尚、コンタク
トプローブ38のグラウンド40(42)だけでなくフ
ィルム層3も同様にメッシュ形状に構成しても良い。It should be noted that, instead of the ground 40 entirely formed in a mesh shape, the ground 4 as shown in the right half of FIG.
For example, a mesh part 44 having a predetermined width extending in a direction intersecting the pattern wiring 5 may be formed in a part of the second part 2, and the other part may retain the configuration of the metal foil. In this case, the ground 42 has a relatively high rigidity as compared with the ground 40 shown in the left half of FIG. 4, but is smaller than the conventional ground and has a high flexibility. Therefore, the mesh portion 44 allows the contact probe 3 at the time of fine adjustment of the contact pin 5a.
8 is secured and the contact pins 5a
Position can be adjusted accurately and smoothly. In addition, not only the ground 40 (42) of the contact probe 38 but also the film layer 3 may be similarly formed in a mesh shape.
【0020】第二の実施の形態のようにコンタクトプロ
ーブ38のグラウンド40(42)の全体または一部を
網目状に形成することで、テスト通電時の高周波特性が
劣化する場合がある。このような場合には、図6に示す
ように、網目状のグラウンド40(42)の各網目で構
成される各凹部40a内の底面をなすフィルム層3上
に、金属層として、例えばAuめっきからなるAu層4
6を無電解めっき等で形成すればよい。この場合、Au
層46の厚みは網目状のグラウンド40の厚みと同等か
より薄くするものとする。これを第二の実施の形態の第
二変形例とする。例えば、グラウンド40(42)の厚
みを20μmとした場合、めっきによるAu層46の厚
みは1μm程度にすればよい。このような構成とすれ
ば、コンタクトプローブ38のグラウンド40(42)
の全体または一部をメッシュとしても高周波特性を劣化
させることなく維持できる。When the whole or a part of the ground 40 (42) of the contact probe 38 is formed in a mesh shape as in the second embodiment, the high-frequency characteristics during test energization may be deteriorated. In such a case, as shown in FIG. 6, a metal layer such as Au plating is formed on the film layer 3 serving as a bottom surface in each concave portion 40a formed by each mesh of the mesh ground 40 (42). Au layer 4 consisting of
6 may be formed by electroless plating or the like. In this case, Au
It is assumed that the thickness of the layer 46 is equal to or smaller than the thickness of the mesh ground 40. This is a second modification of the second embodiment. For example, when the thickness of the ground 40 (42) is 20 μm, the thickness of the Au layer 46 by plating may be about 1 μm. With such a configuration, the ground 40 (42) of the contact probe 38
Can be maintained without deteriorating the high-frequency characteristics even if the whole or a part thereof is formed as a mesh.
【0021】また、第二の実施の形態のようにコンタク
トプローブ38のグラウンド40(42)の全体または
一部を網目状に形成することで、その部分のベースクラ
ンプ12の底面との接着力が小さくなる場合がある。こ
のような場合には、図7に示すように、網目状のグラウ
ンド40(44)の各網目を構成する、フィルム層3を
底面とする各凹部40a内に、接着剤48を充填すれば
よい。接着剤48の厚みは網目状のグラウンド40の厚
みと同等とすればよい。これを第二の実施の形態の第三
変形例とする。このような構成を採用すれば、コンタク
トプローブ38のグラウンド40(44)の全体または
一部をメッシュとしてもベースクランプ12との確実な
接着を確保できる。尚、第二の実施の形態の第四変形例
として、図8に示すように全体(または一部)にメッシ
ュを形成したグラウンド40(44)の各凹部40aの
底面をなすフィルム層3上にAu層46を無電解めっき
等で形成し、その上に接着剤48を充填しても良い。こ
のような構成を採用すれば、高周波特性の維持とベース
クランプ12への接着力の強化とを同時に達成できる。Further, as in the second embodiment, the whole or a part of the ground 40 (42) of the contact probe 38 is formed in a mesh shape, so that the adhesive force of the part with the bottom surface of the base clamp 12 is improved. May be smaller. In such a case, as shown in FIG. 7, the adhesive 48 may be filled in each of the concave portions 40a having the film layer 3 as the bottom surface and constituting each mesh of the mesh ground 40 (44). . The thickness of the adhesive 48 may be equal to the thickness of the mesh ground 40. This is a third modification of the second embodiment. With such a configuration, even if the whole or a part of the ground 40 (44) of the contact probe 38 is formed as a mesh, it is possible to secure reliable adhesion to the base clamp 12. As a fourth modification of the second embodiment, as shown in FIG. 8, the ground (44) having the mesh formed entirely (or partly) is formed on the film layer 3 which forms the bottom surface of each concave portion 40a of the ground 40 (44). The Au layer 46 may be formed by electroless plating or the like, and an adhesive 48 may be filled thereon. By adopting such a configuration, it is possible to simultaneously maintain the high frequency characteristics and enhance the adhesive force to the base clamp 12.
【0022】次に本発明の第三の実施の形態を図9及び
図10により説明する。図9はコンタクトプローブの平
面図、図10は図9に示すコンタクトプローブのD−D
線断面図である。図9及び図10に示すコンタクトプロ
ーブ50において、Cu等の金属層からなるグラウンド
2及びポリイミド樹脂等からなるフィルム層3を切除し
た孔52が1または複数設けられている。図9に示す例
では、パターン配線5,5の間やパターン配線5の外側
にそれぞれ複数個の孔52が設けられている。これらの
孔52として平面視で例えば円形の孔52aや多角形の
孔52b等が設けられている。このような構成を採用し
てもグラウンド2の剛性を低下させてコンタクトプロー
ブ50の可撓性を増大させることができる。また、図1
1に示す変形例では、コンタクトプローブ54には、グ
ラウンド2及びフィルム層3を切除して複数の長孔56
(孔)が設けられている。これらの長孔56についても
パターン配線5,5の間やパターン配線5の外側に、し
かもパターン配線5に沿って、複数個設けられている。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a plan view of the contact probe, and FIG. 10 is a DD of the contact probe shown in FIG.
It is a line sectional view. In the contact probe 50 shown in FIGS. 9 and 10, one or a plurality of holes 52 are formed by cutting the ground 2 made of a metal layer such as Cu and the film layer 3 made of a polyimide resin or the like. In the example shown in FIG. 9, a plurality of holes 52 are provided between the pattern wirings 5 and 5 and outside the pattern wiring 5, respectively. As these holes 52, for example, circular holes 52a and polygonal holes 52b in a plan view are provided. Even if such a configuration is adopted, the rigidity of the ground 2 can be reduced and the flexibility of the contact probe 50 can be increased. FIG.
In the modification shown in FIG. 1, the contact probe 54 has a plurality of long holes 56 by cutting the ground 2 and the film layer 3.
(Holes) are provided. A plurality of the long holes 56 are provided between the pattern wirings 5 and 5, outside the pattern wiring 5, and along the pattern wiring 5.
【0023】尚、上述のコンタクトプローブ50(5
4)において、グラウンド2に設けられた複数の孔52
(長孔56)によって高周波特性が劣化するおそれのあ
る場合には、上述の第二の実施の形態で提示したよう
に、金属めっき等によるAu層46を形成してもよい。
例えば、図12に示すように、孔52をグラウンド2に
のみ形成して、ポリイミド樹脂等によるフィルム層3を
切除することなく全体に残し、孔52の底面であるフィ
ルム層3上に例えば1μm厚のAu層46を無電解めっ
きによって形成してもよい。The above-mentioned contact probe 50 (5
In 4), a plurality of holes 52 provided in the ground 2
If there is a possibility that the (long holes 56) deteriorate the high-frequency characteristics, the Au layer 46 may be formed by metal plating or the like as presented in the above-described second embodiment.
For example, as shown in FIG. 12, a hole 52 is formed only in the ground 2 and the film layer 3 made of a polyimide resin or the like is entirely left without being cut off. May be formed by electroless plating.
【0024】また、コンタクトプローブ50(54)の
グラウンド2に複数の孔52(長孔56)等を設けたた
めに、ベースクランプ12にコンタクトプローブ50
(54)を接着する際に接着力が不足することになる場
合には、図13に示すようにポリイミド樹脂等によるフ
ィルム層3を切除することなく残し、孔52(長孔5
6)の底面であるフィルム層3上に例えば接着剤48を
充填してもよい。この場合、接着剤48はグラウンド2
の面と面一程度に充填する事が好ましい。尚、その際、
孔52(長孔56)の底面であるフィルム層3上にAu
46層を高周波特性維持のために形成し、その上に接着
剤48を充填してもよい。Since a plurality of holes 52 (elongated holes 56) and the like are provided in the ground 2 of the contact probe 50 (54), the contact probe 50
In the case where the bonding strength becomes insufficient when bonding (54), as shown in FIG. 13, the film layer 3 made of polyimide resin or the like is left without being cut off, and the hole 52 (the long hole 5) is left.
For example, the adhesive 48 may be filled on the film layer 3 which is the bottom surface of 6). In this case, the adhesive 48 is ground 2
It is preferable to fill the surface with the same level. At that time,
Au is placed on the film layer 3 which is the bottom surface of the hole 52 (the long hole 56).
Forty-six layers may be formed for maintaining high frequency characteristics, and an adhesive 48 may be filled thereon.
【0025】[0025]
【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
プローブでは、窓部と一体又は別個にグラウンドを切除
した第二窓部が形成されているから、コンタクトプロー
ブをプローブ装置に装着してその基部が固定された状態
で、コンタクトピンの位置調整を行うべく基部以外の部
分を微少移動させたとしても、コンタクトプローブのグ
ラウンドは窓部及び第二窓部によって部分的に切除され
ているから剛性が小さくて可撓性が高く、コンタクトプ
ローブは固定された基部以外の部分が波打つことなく容
易且つスムーズに微少量移動し、コンタクトピンの位置
ずれを確実に調整できて被検査部材の端子に接続できる
ことになる。調整後にコンタクトピンが応力で戻ること
もない。また、第二窓部は、コンタクトプローブの狭幅
部に設けられているから、微少移動時に第二窓部の両側
の細枠部で応力を吸収できてコンタクトプローブの平面
度を保ちつつ微少移動調整できる。As described above, in the contact probe according to the present invention, since the second window portion whose ground is cut off is formed integrally with or separately from the window portion, the contact probe is mounted on the probe device, and Even if the portion other than the base is slightly moved to adjust the position of the contact pin while the base is fixed, the ground of the contact probe is partially cut off by the window and the second window so that the rigidity is maintained. The contact probe is small and highly flexible, and the contact probe can be easily and smoothly moved by a small amount without ripples, and the position of the contact pin can be adjusted reliably and connected to the terminal of the member to be inspected. You can do it. The contact pin does not return due to stress after the adjustment. In addition, since the second window is provided in the narrow portion of the contact probe, the small frame on both sides of the second window can absorb the stress at the time of the minute movement, and the minute movement while maintaining the flatness of the contact probe. Can be adjusted.
【0026】本発明に係るコンタクトプローブは、グラ
ウンドの少なくとも一部がメッシュに形成されているか
ら、グラウンドがメッシュを含むことで剛性が低下して
可撓性が高く、プローブ装置に装着してコンタクトピン
の位置調整を行う際に応力をメッシュの部分で吸収でき
て平行移動し、波打ち等によるコンタクトピンの位置ず
れや戻りを防止できる。また、メッシュの領域にはフィ
ルム層上にAu層が設けられているから、コンタクトプ
ローブの可撓性を高めた上で、プローブ装置による電気
テストの際に高周波特性を劣化させることなく維持でき
る。また、メッシュの領域には、接着剤が充填されてい
るから、コンタクトプローブの可撓性を高めた上で、メ
カニカルピースへの取り付け固定を確実に行うことがで
きる。In the contact probe according to the present invention, since at least a part of the ground is formed in the mesh, the rigidity is reduced and the flexibility is high because the ground includes the mesh. When the position of the pin is adjusted, the stress can be absorbed by the mesh portion and moved in parallel, thereby preventing the contact pin from shifting or returning due to waving or the like. In addition, since the Au layer is provided on the film layer in the mesh region, the flexibility of the contact probe can be increased, and the contact probe can be maintained without deteriorating high-frequency characteristics during an electrical test using the probe device. Further, since the mesh area is filled with the adhesive, the flexibility of the contact probe can be enhanced, and the attachment and fixing to the mechanical piece can be reliably performed.
【0027】また、本発明に係るコンタクトプローブ
は、グラウンドに複数の孔が形成されているから、コン
タクトプローブの剛性を低下させて可撓性を高めること
ができる。また、孔にはフィルム層上にAu層が設けら
れているから、高周波特性を維持することができる。ま
た、孔には、接着剤が充填されているから、コンタクト
プローブの可撓性を高めた上でメカニカルピースへの取
り付けを確実に行うことができる。In the contact probe according to the present invention, since a plurality of holes are formed in the ground, the rigidity of the contact probe can be reduced and the flexibility can be increased. In addition, since the hole is provided with the Au layer on the film layer, high-frequency characteristics can be maintained. Further, since the hole is filled with the adhesive, the flexibility of the contact probe can be increased and the attachment to the mechanical piece can be reliably performed.
【図1】 本発明の第一の実施の形態によるコンタクト
プローブの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a contact probe according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 図1に示すコンタクトプローブのB−B線断
面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of the contact probe shown in FIG.
【図3】 第一の実施の形態によるコンタクトプローブ
の変形例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a modification of the contact probe according to the first embodiment.
【図4】 本発明の第二の実施の形態によるコンタクト
プローブの平面図であり、中心線Lを境に左側と右側と
で異なる例を示すものである。FIG. 4 is a plan view of a contact probe according to a second embodiment of the present invention, showing a different example between the left side and the right side with respect to a center line L.
【図5】 図4に示すコンタクトプローブのC−C線断
面図である。5 is a cross-sectional view of the contact probe shown in FIG. 4, taken along line CC.
【図6】 第二の実施の形態によるコンタクトプローブ
の第二変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a second modification of the contact probe according to the second embodiment.
【図7】 第二の実施の形態によるコンタクトプローブ
の第三変形例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a third modification of the contact probe according to the second embodiment.
【図8】 第二の実施の形態によるコンタクトプローブ
の第四変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a fourth modification of the contact probe according to the second embodiment.
【図9】 本発明の第三の実施の形態によるコンタクト
プローブの平面図である。FIG. 9 is a plan view of a contact probe according to a third embodiment of the present invention.
【図10】 図9に示すコンタクトプローブのD−D線
縦断面図である。FIG. 10 is a vertical sectional view taken along line DD of the contact probe shown in FIG. 9;
【図11】 図9に示すコンタクトプローブの変形例を
示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a modification of the contact probe shown in FIG.
【図12】 本発明の第三の実施の形態によるコンタク
トプローブの第二変形例を示す縦断面図である。FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing a second modification of the contact probe according to the third embodiment of the present invention.
【図13】 本発明の第三の実施の形態によるコンタク
トプローブの第三変形例を示す縦断面図である。FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing a third modification of the contact probe according to the third embodiment of the present invention.
【図14】 先行技術によるコンタクトプローブの平面
図である。FIG. 14 is a plan view of a contact probe according to the prior art.
【図15】 図14に示すコンタクトプローブのA−A
線断面図である。FIG. 15 AA of the contact probe shown in FIG.
It is a line sectional view.
【図16】 図14に示すコンタクトプローブのB−B
線断面図である。FIG. 16 is a BB diagram of the contact probe shown in FIG. 14;
It is a line sectional view.
【図17】 図14に示すコンタクトプローブを装着す
るプローブ装置の分解斜視図である。FIG. 17 is an exploded perspective view of a probe device to which the contact probe shown in FIG. 14 is attached.
【図18】 図17に示すプローブ装置の縦断面図であ
る。18 is a longitudinal sectional view of the probe device shown in FIG.
【図19】 図17に示すプローブ装置のコンタクトピ
ンの微調整機構を示す要部平面図である。19 is a plan view of relevant parts showing a fine adjustment mechanism of a contact pin of the probe device shown in FIG. 17;
【図20】 図19に示す微調整装置の縦断面図であ
る。20 is a longitudinal sectional view of the fine adjustment device shown in FIG.
1,30,38,50,54 コンタクトプローブ 2,40,42 グラウンド 1c 狭幅部 5 配線パターン 5a コンタクトピン 6 窓部 32 拡大窓部 34 第二窓部 44 メッシュ部 46 Au層 48 接着剤 1, 30, 38, 50, 54 Contact probe 2, 40, 42 Ground 1c Narrow width part 5 Wiring pattern 5a Contact pin 6 Window part 32 Enlarged window part 34 Second window part 44 Mesh part 46 Au layer 48 Adhesive
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Toshinobu Ishii 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Inside the Mita Plant of Mitsubishi Materials Corporation (72) Inventor Hideaki Yoshida 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture 6. Mitsubishi Materials Corporation Mita Plant
Claims (11)
金属層からなるグラウンドとが積層され、前記パターン
配線の各先端が前記フィルム層から突出してコンタクト
ピンとされていると共に、前記パターン配線の基端部に
前記グラウンド及びフィルム層を切除した窓部が形成さ
れてなるコンタクトプローブにおいて、前記窓部と一体
又は別個にグラウンドを切除した第二窓部が形成されて
いることを特徴とするコンタクトプローブ。A film layer and a ground made of a metal layer are laminated on the plurality of pattern wirings, each tip of the pattern wiring protrudes from the film layer to form a contact pin, and a base of the pattern wiring is formed. A contact probe in which a window portion in which the ground and the film layer are cut off is formed at an end, wherein a second window portion in which the ground is cut off integrally with or separately from the window portion is formed. .
形成されていることを特徴とする請求項1記載のコンタ
クトプローブ。2. The contact probe according to claim 1, wherein the second window is formed by cutting off a film layer.
狭幅部に設けられていることを特徴とする請求項1また
は2記載のコンタクトプローブ。3. The contact probe according to claim 1, wherein the second window is provided in a narrow portion of the contact probe.
金属層からなるグラウンドとが積層され、前記パターン
配線の各先端が前記フィルム層から突出してコンタクト
ピンとされているコンタクトプローブにおいて、前記グ
ラウンドの少なくとも一部がメッシュに形成されている
ことを特徴とするコンタクトプローブ。4. A contact probe in which a film layer and a ground made of a metal layer are laminated on a plurality of pattern wirings, and each tip of the pattern wiring protrudes from the film layer to be a contact pin. A contact probe at least partially formed in a mesh.
ていることを特徴とする請求項4記載のコンタクトプロ
ーブ。5. The contact probe according to claim 4, wherein said mesh is also formed on a film layer.
層上にAu層が設けられていることを特徴とする請求項
4記載のコンタクトプローブ。6. The contact probe according to claim 4, wherein an Au layer is provided on the film layer in the mesh area.
されていることを特徴とする請求項4または6記載のコ
ンタクトプローブ。7. The contact probe according to claim 4, wherein an area of the mesh is filled with an adhesive.
金属層からなるグラウンドとが積層され、前記パターン
配線の各先端が前記フィルムから突出してコンタクトピ
ンとされているコンタクトプローブにおいて、前記グラ
ウンドに複数の孔が形成されていることを特徴とするコ
ンタクトプローブ。8. A contact probe in which a film layer and a ground made of a metal layer are laminated on a plurality of pattern wirings, and each tip of the pattern wiring protrudes from the film to serve as a contact pin. A contact probe characterized by having a hole formed therein.
ることを特徴とする請求項8記載のコンタクトプロー
ブ。9. The contact probe according to claim 8, wherein said holes are also formed in a film layer.
層が設けられていることを特徴とする請求項8記載のコ
ンタクトプローブ。10. The hole is provided with Au on the film layer.
9. The contact probe according to claim 8, wherein a layer is provided.
ことを特徴とする請求項8または10記載のコンタクト
プローブ。11. The contact probe according to claim 8, wherein the hole is filled with an adhesive.
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|---|---|---|---|
| JP00611598A JP3451915B2 (en) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | Contact probe |
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1998
- 1998-01-14 JP JP00611598A patent/JP3451915B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2010082593A1 (en) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | 株式会社フジクラ | Connector and cable assembly |
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| JPWO2010082593A1 (en) * | 2009-01-16 | 2012-07-05 | 株式会社フジクラ | Connector and cable assembly |
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