JPH11186915A - Viterbi decoding device - Google Patents
Viterbi decoding deviceInfo
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- JPH11186915A JPH11186915A JP35340097A JP35340097A JPH11186915A JP H11186915 A JPH11186915 A JP H11186915A JP 35340097 A JP35340097 A JP 35340097A JP 35340097 A JP35340097 A JP 35340097A JP H11186915 A JPH11186915 A JP H11186915A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビタビ復号装置の回路規模を縮小する。
【解決手段】 例えばビット数=4でワード数=7のデ
ュアルポートのRAM10と、ビット数=8でワード数
=7のデュアルポートのRAM11とを備える。RAM
10は、コントロール回路101の制御に従って毎クロ
ック、パス選択情報を読み出し、読出パス選択情報s1
02をRAM11に出力すると共に、パス選択情報s1
01(4ビット)を記憶する。一方、RAM11は、コ
ントロール回路101の制御に従って毎クロック、2時
刻分のパス選択情報である1ワード分(8ビット)の情
報を読み出し、読出パス選択情報s103、s104を
出力する。さらに、RAM11は、読出パス選択情報s
102、s103を1ワードとして記憶する。コントロ
ール回路101では、最尤ステート信号s105、およ
び読出パス選択情報s102等に基づいて、トレース、
復号、およびトレース開始ステートの初期化を行う。
(57) [Summary] To reduce the circuit scale of a Viterbi decoding device. For example, a dual-port RAM 10 having 4 bits and 7 words and a dual-port RAM 11 having 8 bits and 7 words are provided. RAM
10 reads out the path selection information every clock and under the control of the control circuit 101 and reads out the read path selection information s1.
02 to the RAM 11 and the path selection information s1
01 (4 bits) is stored. On the other hand, under the control of the control circuit 101, the RAM 11 reads information of one word (8 bits), which is path selection information for two clocks and two times, and outputs read path selection information s103 and s104. Further, the RAM 11 stores the read path selection information s
102 and s103 are stored as one word. In the control circuit 101, based on the maximum likelihood state signal s105 and the read path selection information s102,
Performs decryption and initialization of the trace start state.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば衛星放送
等で使用される畳み込み符号の最尤復号法に使用される
ビタビ復号装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Viterbi decoding apparatus used for a maximum likelihood decoding method of a convolutional code used in, for example, satellite broadcasting.
【0002】[0002]
【従来の技術】畳み込み符号を復号する方式の一つとし
て、ビタビ復号方式が知られている。このビタビ復号方
式は、畳み込み符号に対する最尤復号方式であり、送信
側のエンコーダから生成され得る符号系列の中から、受
信された符号系列に最も近い系列(以下、このような系
列を最尤パスと表記する)を選ぶことにより、誤り訂正
を行う。すなわち、送信側のエンコーダによる符号化方
法に基づいて作成される、遷移ダイヤグラム(以下、ト
レリスと表記する)を前提とし、遷移ダイヤグラム上で
生じ得る遷移の内から、例えば受信された符号系列との
ハミング距離が最小となるものを最尤パスとして選択す
るようになされている。2. Description of the Related Art A Viterbi decoding method is known as one of methods for decoding a convolutional code. This Viterbi decoding method is a maximum likelihood decoding method for a convolutional code, and, from among code sequences that can be generated from a transmitting-side encoder, a sequence closest to a received code sequence (hereinafter, such a sequence is referred to as a maximum likelihood path). Error correction). That is, based on a transition diagram (hereinafter, referred to as a trellis) created based on an encoding method by a transmitting-side encoder, for example, a transition between a transition that can occur on the transition diagram and a received code sequence is performed. The path with the smallest Hamming distance is selected as the maximum likelihood path.
【0003】ビタビ復号方式を行うビタビ復号装置は、
ブランチメトリック、すなわちトレリス上の各状態に到
達するパスと受信された符号系列とのハミング距離をク
ロックに従って計算するブランチメトリック計算回路
と、ブランチメトリックに基づいてステートメトリック
を計算し、ステートメトリックの値を比較して最尤パス
を選択するACS回路、ステートメトリックの値を正規
化する正規化回路、ステートメトリックの値を記憶する
ステートメトリック記憶回路、ACSによる選択結果に
従って復号データを生成するパスメモリ回路を備える構
成とされている。[0003] A Viterbi decoding device that performs the Viterbi decoding method includes:
A branch metric, that is, a branch metric calculation circuit that calculates a Hamming distance between a path reaching each state on the trellis and a received code sequence according to a clock, and calculates a state metric based on the branch metric, and calculates a state metric value. An ACS circuit for comparing and selecting the maximum likelihood path, a normalizing circuit for normalizing the value of the state metric, a state metric storage circuit for storing the value of the state metric, and a path memory circuit for generating decoded data according to the result of the selection by the ACS. It is configured to be provided.
【0004】ここで、パスメモリ回路としては、レジス
タ列を用いてパス選択内容を遷移させるレジスタ遷移法
を行うものと、RAMを用いてパス選択内容を記憶さ
せ、記憶内容をトレースして復号する方法を行うものの
2種類がある。以下、これら2種類の方法について説明
する。[0006] Here, a path memory circuit performs a register transition method of transitioning path selection contents using a register row, and a path selection circuit is stored using a RAM, and the stored contents are traced and decoded. There are two types of methods that perform the method. Hereinafter, these two types of methods will be described.
【0005】従来のビタビ復号装置において一般的に使
用されてきたレジスタ遷移法においては、パスメモリ回
路内にセレクタとレジスタからなるメモリセルをトレリ
ス上に配置し、ACS回路から出力されるパス選択情報
に基づいてレジスタの内容を遷移させる。メモリセルの
構成の一例を図23に示した。また、拘束長=3の場合
のメモリセルの配置の一例を図24に示した(図24中
ではメモリセルをMSと表記した)。このような構成に
より、各メモリセルのレジスタ内には、各ステートから
の生き残りパスに対応する情報が保存されることにな
る。メモリセルには打ち切り長分の段数が配置され、最
終段の出力の内、最尤ステートの出力を選ぶことによっ
て最尤パスに対する情報を選択し、復号データを出力す
る。メモリセルは、打ち切り長分の段数が配置され、最
終段の出力の内、最尤ステートの出力を選ぶことによっ
て最尤パスに対応する情報を選択し、復号データを出力
する。In a register transition method generally used in a conventional Viterbi decoding device, a memory cell including a selector and a register is arranged on a trellis in a path memory circuit, and path selection information output from an ACS circuit is output. The content of the register is transited based on. FIG. 23 illustrates an example of a memory cell configuration. FIG. 24 shows an example of the arrangement of the memory cells when the constraint length = 3 (in FIG. 24, the memory cells are denoted by MS). With such a configuration, information corresponding to the surviving path from each state is stored in the register of each memory cell. The number of stages corresponding to the truncation length is arranged in the memory cell, and the information for the maximum likelihood path is selected by selecting the output of the maximum likelihood state from the outputs of the final stage, and the decoded data is output. In the memory cell, the number of stages corresponding to the truncation length is arranged, and the information corresponding to the maximum likelihood path is selected by selecting the output of the maximum likelihood state from the outputs of the final stage, and the decoded data is output.
【0006】このようなレジスタ遷移法は、高速動作が
可能であるという利点がある反面、打ち切り長が長くな
ると回路規模が膨大になるという欠点がある。特に、最
近は、打ち切り長が100を越えるような用途も出てき
たので、回路規模の大型化が深刻な問題となっている。[0006] Such a register transition method has an advantage that high-speed operation is possible, but has a disadvantage that the circuit scale becomes enormous when the truncation length is long. In particular, recently, applications in which the truncation length exceeds 100 have emerged, and the enlargement of the circuit scale has become a serious problem.
【0007】このような問題に鑑みて、近年では、RA
M(Random Access Memory)を用いてパス情報を記憶し、
記憶した情報をトレースすることで復号する方法が盛ん
に研究されている。以下、この方法をトレースバック法
と呼ぶ。In view of these problems, in recent years, RA
The path information is stored using M (Random Access Memory),
A method of decoding stored information by tracing the information has been actively studied. Hereinafter, this method is called a traceback method.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】トレースバック法を行
うパスメモリ回路によればレジスタ遷移法よりもはるか
に回路規模の小さいパスメモリ回路を構成できる。しか
しながら、RAMの総ワード数は打ち切り長の2倍以上
に達するため、依然として大きな回路規模が必要であ
る。According to the path memory circuit performing the trace-back method, a path memory circuit having a much smaller circuit scale than the register transition method can be constructed. However, since the total number of words in the RAM reaches twice or more the truncation length, a large circuit size is still required.
【0009】この発明はこのような事情に鑑みて提案さ
れたものであり、従って、この発明の目的は、回路規模
が縮小されたビタビ復号装置を提供することにある。The present invention has been proposed in view of such circumstances, and it is therefore an object of the present invention to provide a Viterbi decoding device with a reduced circuit scale.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、畳み
込み符号の各遷移状態でのパスの選択情報を、書き換え
可能なメモリを用いて記憶するパスメモリを備え、その
パスメモリが記憶した情報を打ち切り長分トレースする
ことによってビタビ復号を行うビタビ復号装置におい
て、ステート数の整数倍のビット数を記憶する書き換え
可能なメモリを使用して、書き換え可能なメモリの1ア
ドレスで複数時刻分のパス選択情報を記憶することを特
徴とするビタビ復号装置である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a path memory for storing path selection information in each transition state of a convolutional code using a rewritable memory, and the path memory stores the path selection information. In a Viterbi decoding device that performs Viterbi decoding by tracing information for a truncated length, a rewritable memory that stores an integer multiple of the number of states is used, and one address of the rewritable memory is used for a plurality of times. A Viterbi decoding device storing path selection information.
【0011】以上のような発明によれば、書き換え可能
なメモリ上の1アドレスで複数時刻分のパス選択情報を
記憶するようにすることができる。このため、RAMの
個数を削減することができる。According to the invention described above, it is possible to store path selection information for a plurality of times at one address on a rewritable memory. Therefore, the number of RAMs can be reduced.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の第1の実施形態について説明する。まず、図1を参照
してこの発明の第1の実施形態の全体構成について説明
する。この発明の第1の実施形態は、ブランチメトリッ
ク計算回路701、ACS回路702、正規化回路70
3、ステートメトリック記憶回路704、およびパスメ
モリ回路705を備える構成とされており、送信側から
伝送路を介して受信されたデータが入力された時、送信
側のエンコーダから生成され得る符号系列の中から最尤
パスを選択し、選択内容に基づいて復号データを生成す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the overall configuration of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment of the present invention, a branch metric calculation circuit 701, an ACS circuit 702, a normalization circuit 70
3, a configuration including a state metric storage circuit 704 and a path memory circuit 705. When data received from a transmission side via a transmission line is input, a code sequence that can be generated from an encoder on the transmission side. A maximum likelihood path is selected from among them, and decoded data is generated based on the selected content.
【0013】すなわち、送信側のエンコーダによる符号
化方法に基づいて作成される、例えば図2に示すような
遷移ダイヤグラム(以下、トレリスと表記する)を前提
とし、遷移ダイヤグラム上で生じ得る遷移の内から、例
えば受信された符号系列とのハミング距離が最小となる
ものを最尤パスとして選択するようになされている。That is, assuming, for example, a transition diagram (hereinafter, referred to as a trellis) as shown in FIG. 2, which is created based on an encoding method by an encoder on the transmission side, among transitions that can occur on the transition diagram, Therefore, for example, a path having the minimum Hamming distance from the received code sequence is selected as the maximum likelihood path.
【0014】ブランチメトリック計算回路701は、受
信データ信号s701が入力されたとき、この受信デー
タのブランチメトリックを計算して、計算結果をブラン
チメトリック信号s702として出力する。ACS回路
702は、ブランチメトリック信号s702と、ステー
トメトリック記憶回路704から供給されるステートメ
トリック信号s705とに基づいて、あるステートに合
流する2本のそれぞれのパスに対し、ブランチメトリッ
クとステートメトリックとを加算してそれら加算値を比
較し、比較結果に基づいて尤度の高いものを選択して、
新ステートメトリックとする。When the received data signal s701 is input, the branch metric calculation circuit 701 calculates a branch metric of the received data and outputs the calculation result as a branch metric signal s702. The ACS circuit 702 determines a branch metric and a state metric for each of two paths joining a certain state based on the branch metric signal s 702 and the state metric signal s 705 supplied from the state metric storage circuit 704. Add and compare the added values, select the one with the highest likelihood based on the comparison result,
Let it be a new state metric.
【0015】このような選択の内容をパス選択情報s7
06として出力し、最小のステートメトリックを持つス
テートの番号を最尤ステート信号s707として出力
し、新たに得られたステートメトリックを新ステートメ
トリック信号s703として出力する。The contents of such selection are stored in path selection information s7.
06, the state number having the smallest state metric is output as the maximum likelihood state signal s707, and the newly obtained state metric is output as a new state metric signal s703.
【0016】ここで、パスの選択方法について、拘束長
=3の場合を例として説明する。図2のトレリスは、4
個のステート00、01、10、11を有し、拘束長=
3の場合のトレリスの一例である。ここで矢印は各タイ
ムスロット毎に生じ得るパスを示しており、復号デー
タ'0' に対応するパスを点線で示し、復号データ'1' に
対応するパスを実線で示した。各タイムスロット毎にす
べてのステートには合流する2本のパスが存在する。そ
こで、あるステートに合流する2本のそれぞれのパスに
対し、受信信号とパスとのハミング距離(ブランチメト
リック)と、それまでのブランチメトリックの累積和
(ステートメトリック)とを加算して比較を行い、この
比較結果に基づいて尤度の高いものが選択される。Here, a method of selecting a path will be described by taking a case where the constraint length = 3 as an example. The trellis in FIG.
States 00, 01, 10, 11 and the constraint length =
3 is an example of a trellis in the case of No. 3; Here, arrows indicate paths that can occur in each time slot, a path corresponding to decoded data '0' is indicated by a dotted line, and a path corresponding to decoded data '1' is indicated by a solid line. There are two paths merging in every state for each time slot. Therefore, for each of the two paths joining a certain state, a comparison is made by adding the Hamming distance (branch metric) between the received signal and the path and the cumulative sum of the branch metrics up to that point (state metric). The one with the highest likelihood is selected based on the comparison result.
【0017】正規化回路703は、ACS回路702か
ら出力される新ステートメトリック信号s703から最
小のステートメトリックを減算する方法等を用いて正規
化し、予め設定されている範囲内の値にして、正規化ス
テートメトリック信号s704として出力する。ステー
トメトリック記憶回路704は、ステート数に等しい個
数の正規化回路703から出力される正規化ステートメ
トリック信号s704を記憶し、これをステートメトリ
ック信号s705としてACS回路702に戻す。The normalization circuit 703 normalizes using a method of subtracting the minimum state metric from the new state metric signal s703 output from the ACS circuit 702, and converts the new state metric signal s703 to a value within a preset range. And outputs the same as the normalized state metric signal s704. The state metric storage circuit 704 stores the number of normalized state metric signals s704 output from the number of normalization circuits 703 equal to the number of states, and returns this to the ACS circuit 702 as a state metric signal s705.
【0018】パスメモリ回路705の説明を行うに先立
って、理解を容易とするために、従来から使用されてい
る一般的なトレースバック法におけるトレースの動作を
拘束長=3の場合を例として説明する。図3において、
ステート01からトレースする場合を考える。ステート
01への遷移の可能性があるステートは、ステート00
とステート10である。ここでパスメモリには、ステー
ト00側のパスを選んであった時には0、ステート10
側のパスを選んであった時には1(すなわち前ステート
の最上位ビット)が記憶してある。Prior to describing the path memory circuit 705, in order to facilitate understanding, a trace operation in a general traceback method which has been conventionally used will be described by taking a case where a constraint length = 3 as an example. I do. In FIG.
Consider the case of tracing from state 01. The state that may transition to state 01 is state 00
And state 10. Here, the path memory is set to 0 when the path on the state 00 side is selected,
When the side path is selected, 1 (that is, the most significant bit of the previous state) is stored.
【0019】また、何れのステートから遷移する場合に
も入力は1であり、これはステート01の最下位ビット
で表現されている。以上により、トレースの動作は次の
ように行えば良い。図4に示すようにトレースを開始す
るトレース開始ステートの最下位ビットを復号ビットと
し、トレース開始ステートに後続してトレースする次ト
レースステートの番号は、トレース開始ステートの最上
位ビットから下位2ビット目までに、パスメモリ内のビ
ットを新たに最上位ビットとして付け加えることで生成
する。このような動作によって、最小ステートメトリッ
クをとるステートから、選択されたパスを遡ることがで
きる。The input is 1 when transitioning from any state, which is represented by the least significant bit of state 01. As described above, the trace operation may be performed as follows. As shown in FIG. 4, the least significant bit of the trace start state that starts tracing is a decoding bit, and the number of the next trace state to be traced following the trace start state is the second lower bit from the most significant bit of the trace start state. By the time, a bit in the path memory is newly added as the most significant bit. By such an operation, the selected path can be traced back from the state having the minimum state metric.
【0020】ビタビ復号装置を高速に動作させるために
は、RAMは毎クロック、一回しかアクセスできない。
各RAMに対して1回のアクセスで復号を行うためのパ
スメモリ回路をRimらの論文("MEMORY MANAGEMENT I
N HIGH-SPEED VITERBI DECODERS",IEEE VLSI signal pr
ocessing, 8 Oct.1995)に記載の方法を用いる場合を例
として説明する。このようなパスメモリ回路の一例を図
5に示す。かかるパスメモリ回路は、ビット数=4、ワ
ード数=4の1ライト−1リードのデュアルポートのR
AMを1つと、ビット数=4でワード数=7の1ライト
−1リードのデュアルポートのRAMを2つ備えてい
る。このパスメモリ回路は、拘束長=3の符号に対し、
打ち切り長=6の復号を行うことが可能なものである。In order to operate the Viterbi decoder at high speed, the RAM can be accessed only once every clock.
A paper by Rim et al. ("MEMORY MANAGEMENT I
N HIGH-SPEED VITERBI DECODERS ", IEEE VLSI signal pr
Ocessing, 8 Oct. 1995). FIG. 5 shows an example of such a path memory circuit. Such a path memory circuit has a 1-write-1 read dual-port R with a bit number = 4 and a word number = 4.
It has one AM and two 1-write-1 read dual-port RAMs with 4 bits and 7 words. This path memory circuit, for a code of constraint length = 3,
Decoding with a truncation length = 6 can be performed.
【0021】図5のパスメモリ回路において、RAM1
20は、コントロール回路1201で生成されるコント
ロール信号s1206に従って、毎クロック、パス選択
情報の読み出しを行って読出パス選択情報s1202を
出力する。また、RAM120は、ACS回路702か
ら入力されるパス選択信号s1201を記憶する。一
方、RAM121は、コントロール回路1201で生成
されるコントロール信号s1206に従って毎クロッ
ク、パス選択情報の読み出しを行って、読出パス選択情
報s1203を出力する。また、RAM121は、RA
M120から入力されるパス選択信号s1202を記憶
する。さらに、RAM122は、コントロール回路12
01で生成されるコントロール信号s1206に従っ
て、毎クロック、パス選択情報の読み出しを行って読出
パス選択情報s1204を出力する。また、RAM12
2は、RAM121から入力されるパス選択信号s12
03を記憶する。In the path memory circuit shown in FIG.
20 reads the path selection information every clock according to the control signal s1206 generated by the control circuit 1201, and outputs the read path selection information s1202. Further, the RAM 120 stores a path selection signal s1201 input from the ACS circuit 702. On the other hand, the RAM 121 reads the path selection information every clock according to the control signal s1206 generated by the control circuit 1201, and outputs the read path selection information s1203. The RAM 121 stores RA
The path selection signal s1202 input from M120 is stored. Further, the RAM 122 stores the control circuit 12
In accordance with the control signal s1206 generated in step 01, the path selection information is read every clock and the read path selection information s1204 is output. The RAM 12
2 is a path selection signal s12 input from the RAM 121
03 is stored.
【0022】なお、コントロール回路1201に基づく
メモリオペレーションのタイミングを図6に示す。読出
パス選択情報s1202、s1203、s1204はコ
ントロール回路1201に入力される。コントロール回
路1201は、(打ち切り長/2)クロック(この一例
については、6/2=3クロック)毎に最尤ステート信
号s1205をもとにトレース開始ステートの初期化を
行いながら、読出パス選択情報s1202、s120
3、s1204のトレースを行って次のクロックでのト
レースステートを決定する。コントロール回路1201
は、同時に、読出パス選択情報s1204に対するトレ
ースステートに基づいて復号ビットを求めて、復号ビッ
ト信号s1207として出力する。FIG. 6 shows the timing of the memory operation based on the control circuit 1201. The read path selection information s1202, s1203, s1204 is input to the control circuit 1201. The control circuit 1201 initializes the trace start state on the basis of the maximum likelihood state signal s1205 at every (discontinuation length / 2) clocks (in this example, 6/2 = 3 clocks) while reading the read path selection information. s1202, s120
3. Trace in s1204 is performed to determine the trace state at the next clock. Control circuit 1201
Simultaneously obtains a decoded bit based on the trace state for the read path selection information s1204 and outputs it as a decoded bit signal s1207.
【0023】復号ビット信号s1207は、出力バッフ
ァ1202に入力され、出力バッファ1202では、復
号ビット信号s1207を本来の時系列順に並べ替えた
後に復号出力信号s1208として出力する。以上のよ
うな構成を有するパスメモリ回路がトレースバック法に
よるビタビ復号を行うために一般的に用いられる。The decoded bit signal s1207 is input to an output buffer 1202. The output buffer 1202 rearranges the decoded bit signal s1207 in the original time series and outputs the result as a decoded output signal s1208. The path memory circuit having the above configuration is generally used for performing Viterbi decoding by the traceback method.
【0024】ここで、図6のメモリオペレーションにつ
いて、図7、図8および図9を参照してより具体的に説
明する。図7〜図9は連続する時刻における3個のデュ
アルポートのRAMに対する書き込み/読み出しについ
て図示したものである。記載スペースの都合により、図
7に時刻1〜時刻6までを図示し、図8に時刻7〜時刻
13までを図示した。さらに、図9に時刻14〜時刻2
0までを図示した。上述したように、この内の1個(す
なわちRAM120)がビット数=4、ワード数=4を
有するものであり、また、2個(RAM121,RAM
122)がビット数=4でワード数=7のを有するもの
である。ここで、各メモリのアドレスは何れも左から順
に0、1、2・・・とする。Here, the memory operation of FIG. 6 will be described more specifically with reference to FIGS. 7, 8 and 9. 7 to 9 illustrate writing / reading to / from three dual-port RAMs at successive times. FIG. 7 illustrates time 1 to time 6 and FIG. 8 illustrates time 7 to time 13 for convenience of the description space. Further, FIG.
0 is shown. As described above, one of them (that is, the RAM 120) has the number of bits = 4 and the number of words = 4, and two of them (the RAM 121 and the RAM 121).
122) has the number of bits = 4 and the number of words = 7. Here, the addresses of the respective memories are 0, 1, 2,... In order from the left.
【0025】時刻1、2、3においては、RAM120
のアドレス0、1、2に順次パス選択情報1、2、3が
書き込まれ、時刻4においては、RAM120のアドレ
ス3に後続のパス選択情報4が書き込まれると共に、R
AM120のアドレス2からRAM121のアドレス4
にパス選択情報3がコピーされる。次の時刻5において
は、RAM120のアドレス2に後続のパス選択情報5
が書き込まれると共に、RAM120のアドレス1から
RAM121のアドレス3にパス選択情報2がコピーさ
れる。以下、時刻9まで、RAM120を介してRAM
121にパス選択情報が書き込まれていく。時刻9にお
いては、RAM120の全アドレスおよびRAM121
のアドレス5以外のアドレスには全てパス選択情報が書
き込まれている。At times 1, 2, and 3, the RAM 120
, The path selection information 1, 2, and 3 are sequentially written at addresses 0, 1, and 2, and at time 4, the subsequent path selection information 4 is written at address 3 of the RAM 120, and
From address 2 of AM 120 to address 4 of RAM 121
Path selection information 3 is copied. At the next time 5, the subsequent path selection information 5
Is written, and the path selection information 2 is copied from the address 1 of the RAM 120 to the address 3 of the RAM 121. Hereinafter, until time 9, the RAM 120
The path selection information is written into 121. At time 9, all addresses of the RAM 120 and the RAM 121
The path selection information is written in all the addresses other than the address 5 in FIG.
【0026】そして、時刻10においては、RAM12
0のアドレス3に後続のパス選択情報10が書き込まれ
ると共に、RAM120のアドレス2からパス選択情報
9が読み出されてトレースされ、さらにこのパス選択情
報9がRAM121のアドレス5にコピーされる。ここ
で、読み出しの矢印に付した’t’はトレースを行うこ
とを示し、’d’はトレースして復号を行うことを示
す。これと同時に、RAM122のアドレス5にRAM
121のアドレス4からパス選択情報3がコピーされ
る。以下、時刻11、12、13においても同様に書き
込み、トレースおよびコピーが行われる。At time 10, the RAM 12
Subsequent path selection information 10 is written at address 3 of 0, path selection information 9 is read from address 2 of RAM 120 and traced, and this path selection information 9 is copied to address 5 of RAM 121. Here, 't' attached to the read arrow indicates that tracing is performed, and 'd' indicates that tracing is performed for decoding. At the same time, RAM 5
The path selection information 3 is copied from the address 4 of 121. Hereinafter, at times 11, 12, and 13, writing, tracing, and copying are similarly performed.
【0027】さらに時刻14においては、RAM120
のアドレス1に後続のパス選択情報14が書き込まれる
と共に、RAM120のアドレス1からパス選択情報1
2が読み出されてトレースされ、さらにこのパス選択情
報12がRAM121のアドレス2にコピーされる。こ
れと同時に、RAM121のアドレス1からパス選択情
報6が読み出されてトレースされ、さらにこのパス選択
情報6がRAM122のアドレス2にコピーされる。時
刻15においても同様に書き込み、トレースおよびコピ
ーが行われる。Further, at time 14, the RAM 120
The subsequent path selection information 14 is written in the address 1 of the RAM 120, and the path selection information 1
2 is read and traced, and the path selection information 12 is copied to the address 2 of the RAM 121. At the same time, the path selection information 6 is read from the address 1 of the RAM 121 and traced, and the path selection information 6 is copied to the address 2 of the RAM 122. At time 15, writing, tracing and copying are performed in the same manner.
【0028】図6には、時刻16以降のオペレーション
が示されている。時刻16に対応する図6の先頭のクロ
ックにおいては、RAM120のアドレス2からパス選
択情報15が読み出されてトレースされ、さらにこのパ
ス選択情報15がRAM121のアドレス6にコピーさ
れる。これと同時に、RAM121のアドレス5からパ
ス選択情報9が読み出されてトレースされ、さらにこの
パス選択情報9がRAM122のアドレス6にコピーさ
れる。さらにまた、RAM121のアドレス5からパス
選択情報3が読み出されてトレースされ、復号がなされ
る。そして、このクロックにおいてトレース開始ステー
トの初期化が行われる。FIG. 6 shows the operation after time 16. In the first clock of FIG. 6 corresponding to the time 16, the path selection information 15 is read out from the address 2 of the RAM 120 and traced, and the path selection information 15 is copied to the address 6 of the RAM 121. At the same time, the path selection information 9 is read from the address 5 of the RAM 121 and traced, and the path selection information 9 is copied to the address 6 of the RAM 122. Furthermore, the path selection information 3 is read from the address 5 of the RAM 121, traced, and decoded. Then, at this clock, the trace start state is initialized.
【0029】時刻11に対応する図6の2番目以降の各
クロックにおいても、書き込み、トレース、コピーおよ
び復号が行われる。そして、3クロックに一度ずつトレ
ース開始ステートの初期化が行われる。以上のようなメ
モリオペレーションにより、トレースバック法によるビ
タビ復号を行うことができる。Writing, tracing, copying, and decoding are also performed at the second and subsequent clocks in FIG. 6 corresponding to time 11. Then, the trace start state is initialized once every three clocks. The Viterbi decoding by the traceback method can be performed by the memory operation as described above.
【0030】一方、本願出願人は、トレースバック法に
よるビタビ復号を実現する他の方法として、図10に示
すような構成を用いた以下のような方法を提案してい
る。すなわち、ビット数=4、ワード数=4の1ライト
−1リードのデュアルポートのRAMを3個備え、1ク
ロックの間に3時刻分のトレースを行うものである。こ
のパスメモリ回路は、拘束長=3の符号に対し、打ち切
り長=6の復号を行うものである。On the other hand, the present applicant has proposed the following method using a configuration as shown in FIG. 10 as another method for realizing Viterbi decoding by the traceback method. In other words, three 1-write-1 read dual-port RAMs with the number of bits = 4 and the number of words = 4 are provided, and tracing for three times is performed during one clock. This path memory circuit decodes a code with a constraint length of 3 and a cutoff length of 6.
【0031】ACS回路から入力されるパス選択信号s
1402は、コントロール回路1401で生成される書
き込みコントロール信号s1403に従って、毎クロッ
ク、RAM142→RAM141→RAM140→RA
M142→RAM141・・・の順にRAMに記憶され
る。RAM140、RAM141、RAM142からは
コントロール回路1401で生成される読み出しコント
ロール信号s1404に従って、毎クロック、全てのR
AMからパス選択情報の読み出しを行って読出パス選択
情報s1405、s1406、s1407をトレース回
路1402に入力する。The path selection signal s input from the ACS circuit
1402, every clock, RAM142 → RAM141 → RAM140 → RA according to a write control signal s1403 generated by the control circuit 1401.
Are stored in the RAM in the order of M142 → RAM141. From the RAM 140, the RAM 141, and the RAM 142, every clock and all R
The path selection information is read from the AM, and the read path selection information s1405, s1406, and s1407 is input to the trace circuit 1402.
【0032】なお、コントロール回路1401に基づく
メモリオペレーションのタイミングを図11に示す。FIG. 11 shows the timing of the memory operation based on the control circuit 1401.
【0033】さらに、図10において、トレース回路1
402では、RAM140,RAM141,RAM14
2から出力される読出パス選択情報s1405、s14
06、s1407、およびコントロール回路1401で
生成されるトレース開始ステート情報s1408に従っ
て3時刻分のトレースを行い、その結果はトレース結果
信号s1409としてコントロール回路s1401に入
力される。コントロール回路s1401では、トレース
結果信号s1409と最尤ステート信号s1401に基
づいて、打ち切り長/2クロック毎にトレース開始ステ
ートの初期化を行いながら、次のクロックのトレース開
始ステートを求める。Further, in FIG.
At 402, the RAM 140, the RAM 141, and the RAM 14
2 read path selection information s1405, s14
06, s1407 and the trace start state information s1408 generated by the control circuit 1401 are traced for three times, and the result is input to the control circuit s1401 as a trace result signal s1409. The control circuit s1401 obtains the trace start state of the next clock based on the trace result signal s1409 and the maximum likelihood state signal s1401 while initializing the trace start state for every censoring length / 2 clocks.
【0034】一方、トレース開始ステート情報s140
8は出力バッファ1403にも入力され、出力バッファ
1403では打ち切り長以上トレースを行った後のトレ
ース開始ステート情報s1408の下位3ビットを復号
ビットとしてバッファし、本来の時系列順に並べ換えた
後に復号ビット信号s1410として出力する。以上の
ような構成を有するパスメモリ回路によっても、トレー
スバック法によるビタビ復号が可能となる。On the other hand, trace start state information s140
8 is also input to the output buffer 1403. The output buffer 1403 buffers the lower three bits of the trace start state information s1408 after tracing for the censoring length or more as decoded bits, rearranges them in the original time series, and then decodes the decoded bit signal. Output as s1410. The Viterbi decoding by the traceback method is also possible with the path memory circuit having the above configuration.
【0035】以上のような、これまでに知られているト
レースバック法においては、レジスタ遷移法よりもはる
かに回路規模の小さいパスメモリ回路を構成できる。し
かしながら、RAMの総ワード数は打ち切り長の2倍以
上に達するため、依然として大きな回路規模が必要であ
る。この発明の一実施形態は、パスメモリ回路の回路規
模のさらなる縮小を実現するものである。In the above-described traceback method, a path memory circuit having a much smaller circuit scale than the register transition method can be configured. However, since the total number of words in the RAM reaches twice or more the truncation length, a large circuit size is still required. One embodiment of the present invention realizes further reduction in the circuit scale of a path memory circuit.
【0036】図12を参照して、この発明の一実施形態
におけるパスメモリ回路705について説明する。パス
メモリ回路705は、拘束長=3の符号に対し、打ち切
り長=6の復号を行う場合に、ビット数=4(ステート
数と同一)でワード数=7(打ち切り長6を2で除して
1を加えた値)の1ライト−1リ−ドのデュアルポート
のRAMを1個(すなわちRAM10)と、ビット数=
8(ステート数の2倍)でワード数=7(打ち切り長6
を2で除して1を加えた値)の1ライトー1リ−ドのデ
ュアルポートのRAMを1個(すなわちRAM11)備
える構成により、図6を参照して上述したようなメモリ
オペレーションと同様なメモリオペレーションを行うこ
とを可能とするものである。Referring to FIG. 12, a description will be given of a path memory circuit 705 according to an embodiment of the present invention. When decoding the code with the constraint length = 3 and the code with the censoring length = 6, the path memory circuit 705 uses the number of bits = 4 (the same as the number of states) and the number of words = 7 (divides the censoring length 6 by 2). One 1-write-1 read dual-port RAM (ie, RAM 10) and the number of bits =
8 (double the number of states) and the number of words = 7 (discontinuation length 6
Is obtained by dividing one by two and adding one (one), and a single write-one-read dual-port RAM (that is, RAM 11), which is similar to the memory operation described above with reference to FIG. It is possible to perform a memory operation.
【0037】図12において、RAM10は、コントロ
ール回路101で生成されるコントロール信号s106
に従って、毎クロック、パス選択情報の読み出しを行っ
て読出パス選択情報s102を出力する。さらに、RA
M10は、ACS回路702から入力されるパス選択情
報s101を記憶する。RAM11は、コントロール回
路101で生成されるコントロール信号s106に従っ
て、毎クロック、2時刻分のパス選択情報である1ワー
ド分の情報の読み出しを行って、読出パス選択情報s1
03、s104を出力する。さらに、RAM11は、読
出パス選択情報s102、s103を1ワードとして記
憶する。In FIG. 12, the RAM 10 stores a control signal s106 generated by the control circuit 101.
, The path selection information is read every clock and the read path selection information s102 is output. Furthermore, RA
M10 stores the path selection information s101 input from the ACS circuit 702. The RAM 11 reads one word of information, which is path selection information for two clocks and two clocks, according to the control signal s106 generated by the control circuit 101, and reads out the read path selection information s1.
03, and outputs s104. Further, the RAM 11 stores the read path selection information s102 and s103 as one word.
【0038】RAM10,RAM11の読み出しと書き
込みの動作について、図13を参照して説明する。図1
3Aに示すように、RAM10からパス選択信号a(4
ビット)読み出し、また、RAM11からパス選択信号
b(4ビット)を読み出す。そして、パス選択信号aお
よびbを改めて1ワード(8ビット)としてRAM11
に書き込みを行う(図13B)。一方、読み出しパス選
択情報s102,s103,s104は、コントロール
回路101に入力される。The read and write operations of the RAM 10 and RAM 11 will be described with reference to FIG. FIG.
As shown in FIG. 3A, the path selection signal a (4
Bit) and the path selection signal b (4 bits) is read from the RAM 11. Then, the path selection signals a and b are set as one word (8 bits) again in the RAM 11.
(FIG. 13B). On the other hand, the read path selection information s102, s103, s104 is input to the control circuit 101.
【0039】コントロール回路101では、打ち切り長
/2クロック(ここでは6/2=3クロック)毎に、最
尤ステート信号s105に基づいてトレース開始ステー
トの初期化を行いながら、読出パス選択情報s102、
s103、s104のトレースを行って次のクロックで
のトレースステートを決定する。同時に、コントロール
回路101では、読出パス選択情報s104に対するト
レースステートに基づいて復号ビットを求めて、復号ビ
ット信号s107として出力する。The control circuit 101 initializes the trace start state on the basis of the maximum likelihood state signal s105 at every censoring length / 2 clocks (here, 6/2 = 3 clocks), and reads out the read path selection information s102,
The tracing of s103 and s104 is performed to determine the trace state at the next clock. At the same time, the control circuit 101 obtains a decoded bit based on the trace state for the read path selection information s104 and outputs it as a decoded bit signal s107.
【0040】このような動作を図14に示したタイミン
グのメモリオペレーションで行うことで、図11を参照
して上述したメモリオペレーションと同様なオペレーシ
ョンを行うことができる。復号ビット信号s107は出
力バッファ102に入力され、出力バッファ102では
復号ビット信号s107を本来の時系列順に並べ換えた
後に復号出力信号s110として出力する。By performing such an operation with the memory operation at the timing shown in FIG. 14, the same operation as the memory operation described above with reference to FIG. 11 can be performed. The decoded bit signal s107 is input to the output buffer 102, and the output buffer 102 rearranges the decoded bit signal s107 in the original time-series order and outputs it as a decoded output signal s110.
【0041】図13および図14に示すメモリオペレー
ションについて、図15、図16、図17、および図1
8を参照してより具体的に説明する。図15〜図18は
連続する時刻におけるRAM10およびRAM11に対
する書き込み/読み出しについて図示したものである。
記載スペースの都合により、図15に時刻1〜時刻4ま
でを図示し、図16に時刻5〜時刻9までを図示した。
さらに、図17に時刻10〜時刻14までを図示し,図
18に時刻15〜時刻19までを図示した。上述したよ
うに、RAM10はビット数=4、ワード数=7を有し
ており、また、RAM11はビット数=8でワード数=
7を有するものである。ここで、各メモリのアドレスは
何れも左から順に0、1、2・・・とする。Referring to the memory operation shown in FIGS. 13 and 14, FIG. 15, FIG. 17, FIG.
8 will be described more specifically. 15 to 18 illustrate writing / reading to / from the RAM 10 and the RAM 11 at successive times.
FIG. 15 illustrates time 1 to time 4 and FIG. 16 illustrates time 5 to time 9 for convenience of the description space.
FIG. 17 illustrates time 10 to time 14, and FIG. 18 illustrates time 15 to time 19. As described above, the RAM 10 has the number of bits = 4 and the number of words = 7, and the RAM 11 has the number of bits = 8 and the number of words = 7.
7 is provided. Here, the addresses of the respective memories are 0, 1, 2,... In order from the left.
【0042】時刻1、2、3においては、RAM10の
アドレス0、1、2に順次パス選択情報1、2、3が書
き込まれ、時刻4においては、RAM10のアドレス3
に後続のパス選択情報4が書き込まれると共に、RAM
10のアドレス2からRAM11のアドレス4にパス選
択情報3がコピーされる。RAM11のビット数は8ビ
ットなので、パス選択情報3(4ビット)が書き込まれ
た時に半分の領域に書き込みがなされたことになる。次
の時刻5においては、RAM10のアドレス2に後続の
パス選択情報5が書き込まれると共に、RAM10のア
ドレス1からRAM11のアドレス3にパス選択情報2
がコピーされる。以下、時刻9まで、RAM10および
RAM11に順次パス選択情報が書き込まれていく。時
刻9においては、RAM10の全アドレスおよびRAM
11のアドレス5以外のアドレスには全てパス選択情報
が書き込まれている。但し、RAM11の各アドレス
は、半分の領域のみに記録がなされている。At times 1, 2, and 3, path selection information 1, 2, and 3 are sequentially written to addresses 0, 1, and 2 of the RAM 10, and at time 4, the address 3 of the RAM 10 is written.
The subsequent path selection information 4 is written into the RAM and the RAM
The path selection information 3 is copied from the address 2 of 10 to the address 4 of the RAM 11. Since the number of bits of the RAM 11 is 8 bits, when the path selection information 3 (4 bits) is written, it means that writing has been performed in half the area. At the next time 5, the following path selection information 5 is written to the address 2 of the RAM 10, and the path selection information 2 is written from the address 1 of the RAM 10 to the address 3 of the RAM 11.
Is copied. Hereinafter, the path selection information is sequentially written to the RAM 10 and the RAM 11 until time 9. At time 9, all addresses of the RAM 10 and the RAM
The path selection information is written in all the addresses other than the address 5 of the address 11. However, each address of the RAM 11 is recorded only in a half area.
【0043】時刻10においては、RAM10のアドレ
ス3に後続のパス選択情報10が書き込まれると共に、
RAM10のアドレス2からパス選択情報9が読み出さ
れてトレースされる。一方、RAM11からは、パス選
択情報3が読み出される。そして、パス選択情報9とパ
ス選択情報3とが改めて1ワード(8ビット)としてR
AM11のアドレス5に書き込まれる。図15〜図18
において、読み出しの矢印に付した’t’はトレースを
行うことを示し、’td’はトレースして復号を行うこ
とを示す。以下、時刻11、12においても同様に書き
込み、読み出し、トレースおよび8ビット単位での書き
込みが行われる。At time 10, the succeeding path selection information 10 is written into the address 3 of the RAM 10, and
The path selection information 9 is read from the address 2 of the RAM 10 and traced. On the other hand, the path selection information 3 is read from the RAM 11. Then, the path selection information 9 and the path selection information 3 are rewritten as one word (8 bits) by R
It is written to address 5 of AM11. 15 to 18
In the above, 't' attached to the read arrow indicates tracing, and 'td' indicates tracing and decoding. Hereinafter, at times 11 and 12, writing, reading, tracing, and writing in units of 8 bits are similarly performed.
【0044】時刻13においては、RAM10のアドレ
ス1に後続のパス選択情報14が書き込まれると共に、
RAM10のアドレス1からパス選択情報12が読み出
されてトレースされる。一方、RAM11のアドレス1
からパス選択情報6が読み出されてトレースされる。そ
して、パス選択情報12とパス選択情報6とが改めて1
ワード(8ビット)としてRAM11のアドレス2に書
き込まれる。以下、時刻14、15においても同様に書
き込み、読み出し、トレースおよび8ビット単位での書
き込みが行われる。At time 13, subsequent path selection information 14 is written to address 1 of RAM 10, and
The path selection information 12 is read from the address 1 of the RAM 10 and traced. On the other hand, address 1 of RAM 11
Is read and traced. Then, the path selection information 12 and the path selection information 6 become 1 again.
The data is written to the address 2 of the RAM 11 as a word (8 bits). Hereinafter, at times 14 and 15, writing, reading, tracing, and writing in units of 8 bits are similarly performed.
【0045】図14には、時刻16以降のオペレーショ
ンが示されている。時刻16に対応する図14の先頭の
クロックにおいては、RAM10のアドレス3に後続の
パス選択情報16が書き込まれると共に、RAM10の
アドレス2からパス選択情報15が読み出されてトレー
スされる。一方、RAM11のアドレス5からパス選択
情報9および3が読み出されてトレースされ、パス選択
情報3に基づく復号が行われる。そして、パス選択情報
15とパス選択情報9とが改めて1ワード(8ビット)
としてRAM11のアドレス6に書き込まれる。また、
このクロックにおいてトレース開始ステートの初期化が
行われる。FIG. 14 shows the operation after time 16. In the first clock of FIG. 14 corresponding to the time 16, the subsequent path selection information 16 is written to the address 3 of the RAM 10, and the path selection information 15 is read from the address 2 of the RAM 10 and traced. On the other hand, the path selection information 9 and 3 are read from the address 5 of the RAM 11 and traced, and decoding based on the path selection information 3 is performed. Then, the path selection information 15 and the path selection information 9 are replaced by one word (8 bits).
At the address 6 of the RAM 11. Also,
At this clock, the trace start state is initialized.
【0046】時刻17に対応する図14の2番目クロッ
クでは、RAM10のアドレス2に後続のパス選択情報
17が書き込まれると共に、RAM10のアドレス1か
らパス選択情報14が読み出されてトレースされる。一
方、RAM11のアドレス8からパス選択情報8および
2が読み出されてトレースされ、パス選択情報2に基づ
く復号が行われる。そして、パス選択情報14とパス選
択情報8とが改めて1ワード(8ビット)としてRAM
11のアドレス5に書き込まれる。In the second clock of FIG. 14 corresponding to the time 17, the subsequent path selection information 17 is written to the address 2 of the RAM 10, and the path selection information 14 is read from the address 1 of the RAM 10 and traced. On the other hand, the path selection information 8 and 2 are read from the address 8 of the RAM 11 and traced, and decoding based on the path selection information 2 is performed. Then, the path selection information 14 and the path selection information 8 are stored as one word (8 bits) in the RAM again.
11 is written to address 5.
【0047】以後の各クロックにおいても、同様に書き
込み、読み出し、トレースおよび8ビット単位での書き
込みが行われる。書き込み、トレース、コピーおよび復
号が行われる。そして、3クロックに一度ずつトレース
開始ステートの初期化が行われる。In each of the subsequent clocks, writing, reading, tracing, and writing in units of 8 bits are similarly performed. Writing, tracing, copying and decoding are performed. Then, the trace start state is initialized once every three clocks.
【0048】以上のようなパスメモリ705の構成によ
れば、RAMの総記憶容量は従来と同様であるが、RA
Mの個数を3個(図5中のRAM120,RAM12
1,RAM122)から2個(図12中のRAM10,
RAM11)に減らすことができる。一般に同程度の記
憶容量であれば、RAMの個数が少ない方がRAMの占
有面積が小さくなる。従って、図12に示したような構
成を有するパスメモリにおいては、パスメモリ内のRA
Mの占有面積を小さくすることができる。このため、パ
スメモリの回路規模を減少させることができ、ビタビ復
号装置全体の回路規模の減少に寄与することができる。According to the configuration of the path memory 705 as described above, the total storage capacity of the RAM is the same as that of the related art,
The number of M is three (RAM 120, RAM 12 in FIG. 5).
1, RAM 122) and two (RAM 10,
RAM 11). In general, for the same storage capacity, the smaller the number of RAMs, the smaller the area occupied by the RAMs. Therefore, in the path memory having the configuration as shown in FIG.
The area occupied by M can be reduced. For this reason, the circuit scale of the path memory can be reduced, which can contribute to a reduction in the circuit scale of the entire Viterbi decoding device.
【0049】次に、この発明の一実施形態におけるパス
メモリ回路とは異なる構成を有するパスメモリ回路を用
いた、この発明の他の実施形態について説明する。図1
9に、この発明の他の実施形態におけるパスメモリ回路
の構成を図示した。かかるパスメモリ回路は、拘束長=
3の符号に対し、打ち切り長=6の復号を行う場合に、
ビット数=12(ステート数4の3倍)でワード数=4
(打ち切り長6の2/3倍)の1ライト−1リ−ドのデ
ュアルポートのRAMを1個備える構成により、1クロ
ックの間に3時刻分のトレースを行うものである。Next, another embodiment of the present invention using a path memory circuit having a different configuration from the path memory circuit in one embodiment of the present invention will be described. FIG.
FIG. 9 illustrates a configuration of a path memory circuit according to another embodiment of the present invention. Such a path memory circuit has a constraint length =
When decoding the code of 3 with the truncation length = 6,
Number of bits = 12 (3 times the number of states 4) and number of words = 4
A configuration in which one write-one-read dual-port RAM of (2/3 times the censoring length 6) is provided to trace three times during one clock.
【0050】ACS回路から入力されるパス選択信号s
402は、レジスタ402および403に記憶されて、
コントロール回路401で生成されるコントロール信号
s405に従って、3クロックに一度、3クロック分の
パス選択情報がRAM40に記憶される。RAM40か
らは、コントロール信号s405に従って、毎クロッ
ク、3クロック分のパス選択情報の読み出しを行って読
出パス選択情報s407をトレース回路405に入力す
る。The path selection signal s input from the ACS circuit
402 is stored in registers 402 and 403,
According to the control signal s405 generated by the control circuit 401, path selection information for three clocks is stored in the RAM 40 once every three clocks. In accordance with the control signal s405, the path selection information for each clock and three clocks is read from the RAM 40, and the read path selection information s407 is input to the trace circuit 405.
【0051】なお、コントロール回路401に基づくメ
モリオペレーションのタイミングを図20に示す。トレ
ース回路405では、RAM40から出力される読出パ
ス選択情報s407およびコントロール回路401で生
成されるトレース開始ステート情報s407、およびコ
ントロール回路401で生成されるトレース開始ステー
ト情報s406に従って3時刻分のトレースを行い、そ
の結果がトレース結果信号s408としてコントロール
回路401に入力される。FIG. 20 shows the timing of the memory operation based on the control circuit 401. The trace circuit 405 traces three times according to the read path selection information s407 output from the RAM 40, the trace start state information s407 generated by the control circuit 401, and the trace start state information s406 generated by the control circuit 401. The result is input to the control circuit 401 as a trace result signal s408.
【0052】コントロール回路401では、トレース結
果信号s408と最尤ステート信号s401とに基づい
て、打ち切り長/2クロック(ここでは6/2=3クロ
ック)毎に、トレース開始ステートの初期化を行いなが
ら、次のクロックのトレース開始ステートを求める。一
方、トレース開始ステート情報s406は、出力バッフ
ァ406にも入力される。出力バッファ406では、打
ち切り長以上のトレースを行った後のトレース開始ステ
ート情報s406の下位3ビットを復号ビットとしてバ
ッファし、本来の時系列順に並べ換えた後に復号ビット
信号s409として出力する。The control circuit 401 initializes the trace start state based on the trace result signal s408 and the maximum likelihood state signal s401 for each censor length / 2 clocks (here, 6/2 = 3 clocks). Then, the trace start state of the next clock is obtained. On the other hand, the trace start state information s406 is also input to the output buffer 406. The output buffer 406 buffers the lower three bits of the trace start state information s406 after tracing the length of the censoring length or more as decoded bits, rearranges them in the original chronological order, and outputs them as decoded bit signals s409.
【0053】図20に示すメモリオペレーションについ
て、図21および図22を参照してより具体的に説明す
る。図21および図22は連続する時刻におけるRAM
40に対する書き込み/読み出しについて図示したもの
である。記載スペースの都合により、図21に時刻1〜
時刻6までを図示し、図22に時刻7〜時刻12までを
図示した。上述したように、RAM40は、ビット数=
12でワード数=4のデュアルポートのRAMを有する
ものでる。ここで、RAM40におけるアドレスは何れ
も左から順に0、1、2・・・とする。The memory operation shown in FIG. 20 will be described more specifically with reference to FIGS. 21 and 22. FIGS. 21 and 22 show RAMs at successive times.
FIG. 4 illustrates writing / reading to / from the memory 40. Due to the space of the description space, FIG.
FIG. 22 shows time until time 6, and FIG. 22 shows time 7 to time 12. As described above, the RAM 40 stores the number of bits =
The dual port RAM has 12 words and 4 words. Here, the addresses in the RAM 40 are all 0, 1, 2,...
【0054】時刻1、2においては、レジスタ402、
403に順次パス選択情報1、2が記憶され、時刻3に
おいてパス選択情報1、2、3(全部で4×3=12ビ
ット)がRAM40のアドレス1に書き込まれる。その
後、時刻4、5においては、レジスタ402、403に
順次パス選択情報4、5が記憶され、時刻6においてパ
ス選択情報4、5、6がRAM40のアドレス2に書き
込まれる。同様にして時刻9において、RAM40のア
ドレス3にパス選択情報7、8、9が書き込まれる。At times 1 and 2, the register 402,
The path selection information 1 and 2 are sequentially stored in 403, and the path selection information 1, 2 and 3 (4 × 3 = 12 bits in total) are written to the address 1 of the RAM 40 at time 3. Thereafter, at times 4 and 5, the path selection information 4 and 5 are sequentially stored in the registers 402 and 403, and at time 6 the path selection information 4, 5 and 6 are written to the address 2 of the RAM 40. Similarly, at time 9, path selection information 7, 8, 9 is written to address 3 of RAM 40.
【0055】図20には、時刻10以降のオペレーショ
ンが示されている。時刻10に対応する図20の先頭の
クロックにおいては、RAM40のアドレス3からパス
選択情報7、8、9が読みだされる。上述したようにこ
れら3時刻分のパス選択情報に基づいて、トレース回路
405がトレースを行う。同様に、時刻11に対応する
図20の2番目のクロックにおいては、RAM40のア
ドレス2からパス選択情報4、5、6が読みだされ、ト
レースされる。ここで、図21および図22において
は、読み出しの矢印に付した’t’はトレースを行うこ
とを示し、’d’はトレースして復号を行うことを示
す。さらに、時刻12に対応する図20の3番目のクロ
ックにおいては、RAM40のアドレス1からパス選択
情報1、2、3が読みだされ、トレースおよび復号され
る。また、時刻12においてはRAM40のアドレス0
に後続のパス選択情報10、11、12が書き込まれ
る。FIG. 20 shows the operation after time 10. At the first clock in FIG. 20 corresponding to time 10, path selection information 7, 8, 9 is read from address 3 of RAM 40. As described above, the trace circuit 405 traces based on the path selection information for these three times. Similarly, at the second clock in FIG. 20 corresponding to the time 11, the path selection information 4, 5 and 6 is read from the address 2 of the RAM 40 and traced. Here, in FIGS. 21 and 22, "t" attached to the read arrow indicates that tracing is performed, and "d" indicates that tracing is performed for decoding. Further, at the third clock of FIG. 20 corresponding to time 12, path selection information 1, 2, and 3 are read from address 1 of RAM 40, and traced and decoded. At time 12, address 0 of RAM 40
The subsequent path selection information 10, 11, and 12 are written in.
【0056】そして、後続の時刻13に対応する図20
の4番目先頭のクロックにおいては、RAM40のアド
レス0からパス選択情報10、11、12が読み出さ
れ、トレースされる。また、この時刻13においてトレ
ース開始ステートの初期化が行われる。以後、3クロッ
クを動作の単位として、トレース/書き込みと復号/ト
レース開始ステートの初期化が順次行われる。FIG. 20 corresponding to the subsequent time 13
The path selection information 10, 11, and 12 are read from the address 0 of the RAM 40 and traced at the fourth leading clock. At time 13, the trace start state is initialized. Thereafter, the tracing / writing and the initialization of the decoding / tracing start state are sequentially performed using three clocks as a unit of operation.
【0057】以上のような構成を有するパスメモリ回路
において、RAMの総記憶容量は従来と同様であるが、
RAMの個数を減らすことができる。すなわち、従来パ
スメモリ回路内に3個のRAMが備えられていたのに対
し、RAMの個数を1個に減らすことができる。このた
め、パスメモリ内のRAMの占有面積を小さくすること
ができ、パスメモリの回路規模を減少させることがで
き、ビタビ復号装置全体の回路規模の減少に寄与するこ
とができる。In the path memory circuit having the above configuration, the total storage capacity of the RAM is the same as the conventional one,
The number of RAMs can be reduced. That is, the number of RAMs can be reduced to one while three RAMs are conventionally provided in the path memory circuit. Therefore, the area occupied by the RAM in the path memory can be reduced, the circuit size of the path memory can be reduced, and the circuit size of the entire Viterbi decoding device can be reduced.
【0058】上述したこの発明の一実施形態およびこの
発明の他の実施形態においては、拘束長=3、打ち切り
長=6の場合について説明したが、拘束長および打ち切
り長はこの値に限らず、任意の値をとすることができ
る。In the above embodiment of the present invention and another embodiment of the present invention, the case where the constraint length = 3 and the cutoff length = 6 has been described. However, the constraint length and the cutoff length are not limited to these values. It can be any value.
【0059】[0059]
【発明の効果】上述したように、この発明は、パスメモ
リ回路中のRAMの個数を減少させるように構成したも
のなので、回路に占めるRAMの面積を減少させること
ができる。従って、回路規模が小さいビタビ復号装置を
提供することができる。As described above, according to the present invention, since the number of RAMs in the path memory circuit is reduced, the area of the RAM occupying the circuit can be reduced. Therefore, it is possible to provide a Viterbi decoding device having a small circuit scale.
【図1】この発明の一実施形態の全体的な構成について
説明するためのブロック図である。FIG. 1 is a block diagram for explaining an overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】拘束長=3の場合の遷移ダイアグラムについて
説明するためのブロック図である。FIG. 2 is a block diagram for explaining a transition diagram when a constraint length = 3.
【図3】トレースバック法におけるトレースの原理につ
いて説明するための略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle of tracing in the traceback method.
【図4】トレースバック法におけるトレースの方法につ
いて説明するための略線図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a tracing method in a trace-back method.
【図5】従来から使用されている一般的なトレースバッ
ク法を行うパスメモリ回路の一例について説明するため
のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram for explaining an example of a path memory circuit that performs a general traceback method that has been conventionally used.
【図6】図5に示したパスメモリ回路におけるメモリオ
ペレーションについて説明するための略線図である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a memory operation in the path memory circuit shown in FIG. 5;
【図7】図5に示したパスメモリ回路におけるメモリオ
ペレーションについてより具体的に説明するための略線
図である。FIG. 7 is a schematic diagram for more specifically describing a memory operation in the path memory circuit shown in FIG. 5;
【図8】図5に示したパスメモリ回路におけるメモリオ
ペレーションについてより具体的に説明するための略線
図である。FIG. 8 is a schematic diagram for more specifically describing a memory operation in the path memory circuit shown in FIG. 5;
【図9】図5に示したパスメモリ回路におけるメモリオ
ペレーションについてより具体的に説明するための略線
図である。FIG. 9 is a schematic diagram for more specifically describing a memory operation in the path memory circuit shown in FIG. 5;
【図10】先に提案されたトレースバック法を行うパス
メモリ回路の一例について説明するためのブロック図で
ある。FIG. 10 is a block diagram illustrating an example of a path memory circuit that performs the previously proposed trace-back method.
【図11】図10に示したパスメモリ回路におけるメモ
リオペレーションについて説明するための略線図であ
る。FIG. 11 is a schematic diagram illustrating a memory operation in the path memory circuit shown in FIG. 10;
【図12】この発明の一実施形態におけるパスメモリ回
路について説明するためのブロック図である。FIG. 12 is a block diagram for describing a path memory circuit according to an embodiment of the present invention.
【図13】この発明の一実施形態におけるメモリの読み
出しと書き込みの動作について説明するための略線図で
ある。FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a read and write operation of the memory according to the embodiment of the present invention;
【図14】この発明の一実施形態におけるメモリオペレ
ーションについて説明するための略線図である。FIG. 14 is a schematic diagram illustrating a memory operation according to an embodiment of the present invention.
【図15】図12のパスメモリ回路におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 15 is a schematic diagram for more specifically explaining a memory operation in the path memory circuit of FIG. 12;
【図16】図12のパスメモリ回路におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 16 is a schematic diagram for more specifically explaining a memory operation in the path memory circuit of FIG. 12;
【図17】図12のパスメモリ回路におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 17 is a schematic diagram for more specifically explaining a memory operation in the path memory circuit of FIG. 12;
【図18】図12のパスメモリ回路におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 18 is a schematic diagram for more specifically explaining a memory operation in the path memory circuit of FIG. 12;
【図19】この発明の他の実施形態におけるパスメモリ
回路について説明するためのブロック図である。FIG. 19 is a block diagram for describing a path memory circuit according to another embodiment of the present invention.
【図20】この発明の他の実施形態におけるメモリオペ
レーションについて説明するためのブロック図である。FIG. 20 is a block diagram for describing a memory operation according to another embodiment of the present invention.
【図21】この発明の他の実施形態におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 21 is a schematic diagram for more specifically describing a memory operation according to another embodiment of the present invention.
【図22】この発明の他の実施形態におけるメモリオペ
レーションについてより具体的に説明するための略線図
である。FIG. 22 is a schematic diagram for more specifically describing a memory operation in another embodiment of the present invention.
【図23】レジスタ遷移法におけるパスメモリのメモリ
セルについて説明するための略線図である。FIG. 23 is a schematic diagram for describing memory cells of a path memory in the register transition method.
【図24】レジスタ遷移法におけるパスメモリ中のメモ
リセルの配置について説明するための略線図である。FIG. 24 is a schematic diagram for explaining an arrangement of memory cells in a path memory in a register transition method.
705・・・パスメモリ回路、101・・・コントロー
ル回路、402、403・・・レジスタ705: Path memory circuit, 101: Control circuit, 402, 403: Register
Claims (3)
択情報を、書き換え可能なメモリを用いて記憶するパス
メモリを備え、そのパスメモリが記憶した情報を打ち切
り長分トレースすることによってビタビ復号を行うビタ
ビ復号装置において、 ステート数の整数倍のビット数を記憶する書き換え可能
なメモリを使用して、上記書き換え可能なメモリの1ア
ドレスで複数時刻分のパス選択情報を記憶することを特
徴とするビタビ復号装置。1. A path memory for storing path selection information in each transition state of a convolutional code using a rewritable memory, and tracing information stored in the path memory by a truncation length to trace Viterbi decoding. A rewritable memory that stores an integer multiple of the number of states using a rewritable memory, and stores path selection information for a plurality of times at one address of the rewritable memory. Viterbi decoding device.
2+1である、1ライト−1リードのデュアルポートの
RAMを1個と,ビット数=ステート数×2であり、ワ
ード数=打ち切り長+1である、1ライト−1リードの
デュアルポートのRAMを1個有することを特徴とする
ビタビ復号装置。2. The method according to claim 1, wherein the number of bits = the number of states, and the number of words = the truncation length /
One 1-write-1 read dual-port RAM, 2 + 1, 1-write-1 read dual-port RAM, and the number of bits = the number of states × 2, and the number of words = cutoff length + 1, are 1 A Viterbi decoding device comprising:
長+1である、1ライト−1リードのデュアルポートの
RAMを1個有することを特徴とするビタビ復号装置。3. The Viterbi decoding device according to claim 1, further comprising one 1-write-1 read dual-port RAM in which the number of bits = the number of states × 2 and the number of words = the censoring length + 1. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35340097A JPH11186915A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Viterbi decoding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35340097A JPH11186915A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Viterbi decoding device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186915A true JPH11186915A (en) | 1999-07-09 |
Family
ID=18430590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35340097A Pending JPH11186915A (en) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | Viterbi decoding device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186915A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6654929B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Viterbi decoder and Viterbi decoding method |
| US7225393B2 (en) | 1999-10-01 | 2007-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Viterbi decoder and Viterbi decoding method |
| JP2010206570A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Sony Corp | Decoding apparatus and decoding method |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35340097A patent/JPH11186915A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6654929B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Viterbi decoder and Viterbi decoding method |
| US7225393B2 (en) | 1999-10-01 | 2007-05-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Viterbi decoder and Viterbi decoding method |
| JP2010206570A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Sony Corp | Decoding apparatus and decoding method |
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