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JPH11186438A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH11186438A
JPH11186438A JP9351223A JP35122397A JPH11186438A JP H11186438 A JPH11186438 A JP H11186438A JP 9351223 A JP9351223 A JP 9351223A JP 35122397 A JP35122397 A JP 35122397A JP H11186438 A JPH11186438 A JP H11186438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stiffener
tab
tab tape
semiconductor device
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP9351223A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Kanazawa
澤 剛 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9351223A priority Critical patent/JPH11186438A/en
Publication of JPH11186438A publication Critical patent/JPH11186438A/en
Abandoned legal-status Critical Current

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    • H10W72/701

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストでTAB基板の反りを低減できる半
導体装置を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、TABテープ1
に貼り付けられるシート状金属からなるスティフナ2
と、スティフナ2に貼り付けられるカバープレート3
と、TABテープ1のスティフナ接合面に対向する面に
形成される配線パターンおよびパッド4と、パッド4の
周囲を覆うソルダーレジスト5とを備える。TABテー
プ1の中央部に形成される開口部にはLSIチップ6が
実装され、LSIチップ6上のパッドは、Cu等からな
るインナーリード7によりTABテープ1上の配線パタ
ーンと接続される。スティフナ2にスリット11を形成
することにより、スリット11周囲のスティフナ2の剛
性が弱められ、TABテープ1、スティフナ2およびカ
バープレート3からなるTAB基板の反りが従来に比べ
て小さくなる。
[PROBLEMS] To provide a semiconductor device capable of reducing warpage of a TAB substrate at low cost. A semiconductor device according to the present invention includes a TAB tape (1).
Stiffener 2 made of sheet metal to be attached to
And a cover plate 3 to be attached to the stiffener 2
And a wiring pattern and pads 4 formed on the surface of the TAB tape 1 facing the stiffener bonding surface, and a solder resist 5 covering the periphery of the pads 4. An LSI chip 6 is mounted in an opening formed at the center of the TAB tape 1, and pads on the LSI chip 6 are connected to wiring patterns on the TAB tape 1 by inner leads 7 made of Cu or the like. By forming the slit 11 in the stiffener 2, the rigidity of the stiffener 2 around the slit 11 is weakened, and the warpage of the TAB substrate including the TAB tape 1, the stiffener 2 and the cover plate 3 is reduced as compared with the related art.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIチップ等が
実装されるTABテープにスティフナを貼り付けた構造
の半導体装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor device having a structure in which a stiffener is attached to a TAB tape on which an LSI chip or the like is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSIチップの実装方式の一つに、TA
B(Tape Automated Bonding)方式と呼ばれるものがあ
る。TAB方式には、以下の特徴がある。長尺状のT
ABテープ上に各種の部品を実装するため、一度に大量
の半導体装置を製造できる。テープの形態のままで、
実装された各チップの電気特性を検査できるため、検査
工程の処理を簡易化できる。TABテープは可撓性に
優れるため、部品実装時の位置決めが容易になる。T
ABテープ上に配線パターンを形成することで、部品の
実装密度を向上でき、かつ、プリント基板を使用する場
合に比べて、部品コストを大幅に低減できる。
2. Description of the Related Art One of the mounting methods of LSI chips is TA.
There is a so-called B (Tape Automated Bonding) method. The TAB method has the following features. Long T
Since various components are mounted on the AB tape, a large number of semiconductor devices can be manufactured at one time. In the form of a tape,
Since the electrical characteristics of each mounted chip can be inspected, the inspection process can be simplified. Since the TAB tape has excellent flexibility, positioning at the time of component mounting becomes easy. T
By forming the wiring pattern on the AB tape, the component mounting density can be improved, and the component cost can be significantly reduced as compared with the case where a printed circuit board is used.

【0003】このような特徴により、コンピュータ機器
を初めとする種々の製品で、TAB方式による実装が行
われている。
[0003] Due to such characteristics, various products including computer equipment are mounted by the TAB method.

【0004】ところで、TAB方式は、剛性の弱いTA
Bテープを実装基板として利用するため、剛性を高める
ために、TABテープにシート状金属からなるスティフ
ナを貼り付けるのが一般的である。
[0004] The TAB method uses a TA having low rigidity.
In order to use the B tape as a mounting substrate, a stiffener made of a sheet metal is generally attached to the TAB tape in order to increase rigidity.

【0005】図4はTAB方式により製造された従来の
半導体装置の断面図である。TABテープ1には、図5
のようなシート状金属からなるスティフナ2′が貼り付
けられ、スティフナ2′にはさらに金属製のカバープレ
ート3が貼り付けられている。これらスティフナ1′と
カバープレート3により、TABテープ1の剛性が強化
される。また、TABテープ1には配線パターンおよび
パッド4が形成され、その上面には保護用のソルダーレ
ジスト5が形成される。
FIG. 4 is a sectional view of a conventional semiconductor device manufactured by the TAB method. FIG. 5 shows TAB tape 1.
A stiffener 2 'made of a sheet metal as described above is attached, and a metal cover plate 3 is further attached to the stiffener 2'. The stiffener 1 'and the cover plate 3 enhance the rigidity of the TAB tape 1. A wiring pattern and a pad 4 are formed on the TAB tape 1, and a protective solder resist 5 is formed on the upper surface thereof.

【0006】また、TABテープ1の中央付近には開口
部が形成され、この開口部にLSIチップ6が実装され
る。LSIチップ6のパッドはCu等のインナーリード
7によりTABテープ1上の配線パターンと導通が図ら
れる。また、TABテープ1のパッド4には、不図示の
メイン基板と導通を取るためのの半田ボール9が取り付
けられる。以下では、TABテープ1、スティフナ2′
およびカバープレート3を合わせたものをTAB基板と
呼び、LSIチップ以外の構成部品を総称してパッケー
ジと呼ぶ。
Further, an opening is formed near the center of the TAB tape 1, and an LSI chip 6 is mounted in this opening. The pads of the LSI chip 6 are electrically connected to the wiring pattern on the TAB tape 1 by the inner leads 7 of Cu or the like. The pads 4 of the TAB tape 1 are provided with solder balls 9 for establishing conduction with a main board (not shown). Below, TAB tape 1, stiffener 2 '
The combination of the cover plate 3 and the cover plate 3 is called a TAB substrate, and components other than the LSI chip are collectively called a package.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スティ
フナ2′と他のパッケージ構成部品との線膨張率は一般
に異なるため、製造時の熱工程により、TAB基板1が
反るという問題があった。基板の反った半導体装置をメ
イン基板に実装すると、一部の半田ボール7がメイン基
板に接触しなくなり、接触不良が起きてしまう。
However, since the linear expansion coefficients of the stiffener 2 'and other package components are generally different from each other, there has been a problem that the TAB substrate 1 is warped due to a heat process during manufacturing. When the warped semiconductor device is mounted on the main substrate, some of the solder balls 7 do not come into contact with the main substrate, resulting in poor contact.

【0008】また、スティフナ2′と他のパッケージ構
成部品やメイン基板との線膨張率に差異があると、ステ
ィフナ2′とTABテープ1との接合部、あるいはステ
ィフナ2′とカバープレート3との接合部、あるいは半
田ボール7とメイン基板との接合部がストレスを受けや
すくなり、製造後の温度変化により、TAB基板の一
部、あるいは半田ボール7とメイン基板との接合部が剥
がれるおそれがある。
If there is a difference in the linear expansion coefficient between the stiffener 2 ′ and other package components or the main board, the joint between the stiffener 2 ′ and the TAB tape 1 or the stiffener 2 ′ and the cover plate 3 cannot be connected. The joint, or the joint between the solder ball 7 and the main board, is likely to be stressed, and a temperature change after manufacturing may cause a part of the TAB substrate or the joint between the solder ball 7 and the main board to peel off. .

【0009】このように、図4の構造の半導体装置で
は、TAB基板の反りを小さくことができず、信頼性の
高い半導体装置を製造できなかった。このため、従来
は、スティフナの材質や厚さ、あるいはスティフナとT
ABテープとを接着する接着剤の材質や厚さを特定のも
のに制限してTAB基板の反りの低減を図っており、部
品コストが上昇する要因になっていた。
As described above, in the semiconductor device having the structure shown in FIG. 4, the warpage of the TAB substrate cannot be reduced, and a highly reliable semiconductor device cannot be manufactured. Therefore, conventionally, the material and thickness of the stiffener or the stiffener and T
The material and thickness of the adhesive for adhering to the AB tape are limited to specific ones to reduce the warpage of the TAB substrate, which has been a factor of increasing the component cost.

【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、低コストでTAB基板の反り
を低減できる半導体装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of reducing warpage of a TAB substrate at low cost.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、TABテープに貼り付けられるステ
ィフナと、前記TABテープの前記スティフナ接合面に
対向する面に形成される配線パターンおよびパッドと、
前記TABテープ上に実装され、前記TABテープ上の
配線パターンと導通されるチップと、を備え、前記パッ
ドに取り付けられた半田ボールを介して、前記TABテ
ープおよび前記スティフナからなるTAB基板を他の基
板に実装可能とした半導体装置において、前記スティフ
ナの所定箇所に所定形状のスリットを形成して前記TA
B基板の反りを低減したことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a stiffener to be attached to a TAB tape, a wiring pattern formed on a surface of the TAB tape opposed to the stiffener bonding surface, and Pads and
A chip mounted on the TAB tape and being electrically connected to a wiring pattern on the TAB tape, and connecting the TAB substrate formed of the TAB tape and the stiffener to another via a solder ball attached to the pad. In a semiconductor device which can be mounted on a substrate, a slit having a predetermined shape is formed at a predetermined position of the stiffener to form the TA.
It is characterized in that the warpage of the B substrate is reduced.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置に
ついて、図面を参照しながら具体的に説明する。図1は
本発明に係る半導体装置の一実施形態の断面図である。
図1の半導体装置は、TABテープ1に貼り付けられる
シート状金属からなるスティフナ2と、スティフナ2に
貼り付けられるカバープレート3と、TABテープ1の
スティフナ接合面に対向する面に形成される配線パター
ンおよびパッド4と、配線パターンやパッド4の周囲を
覆うソルダーレジスト5とを備える。TABテープ1の
中央付近に形成される開口部にはLSIチップ6が実装
され、LSIチップ6上のパッドは、Cu等からなるイ
ンナーリード7によりTABテープ1上の配線パターン
と導通が図られている。図1のTABテープ1、スティ
フナ2およびカバープレート3がTAB基板を構成す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor device according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
The semiconductor device shown in FIG. 1 includes a stiffener 2 made of a sheet-like metal adhered to a TAB tape 1, a cover plate 3 adhered to the stiffener 2, and wiring formed on a surface of the TAB tape 1 opposed to a stiffener joint surface. The semiconductor device includes a pattern and a pad, and a solder resist covering the wiring pattern and the periphery of the pad. An LSI chip 6 is mounted in an opening formed near the center of the TAB tape 1, and pads on the LSI chip 6 are electrically connected to wiring patterns on the TAB tape 1 by inner leads 7 made of Cu or the like. I have. The TAB tape 1, the stiffener 2, and the cover plate 3 of FIG. 1 constitute a TAB substrate.

【0013】図2はスティフナ2の形状を示す上面図で
ある。図示のように、スティフナ2の周縁側の角部に沿
ってスリット11が形成されている。スリット11を形
成することにより、スリット11周囲のスティフナ2の
剛性が弱められ、スティフナ2とTABテープ1の線膨
張率の差異を吸収できる。すなわち、スリット11の形
成箇所付近では、スティフナ2とTABテープ1との接
合面、およびスティフナ2とカバープレート3との接合
面でのストレスが緩和され、TAB基板の反りが従来よ
りも小さくなる。
FIG. 2 is a top view showing the shape of the stiffener 2. As shown, a slit 11 is formed along a corner on the peripheral edge side of the stiffener 2. By forming the slit 11, the rigidity of the stiffener 2 around the slit 11 is reduced, and the difference in the linear expansion coefficient between the stiffener 2 and the TAB tape 1 can be absorbed. That is, in the vicinity of the location where the slit 11 is formed, stress at the joint surface between the stiffener 2 and the TAB tape 1 and at the joint surface between the stiffener 2 and the cover plate 3 are reduced, and the warpage of the TAB substrate becomes smaller than before.

【0014】なお、スリット11の形状やサイズ、およ
びスリット11の形成箇所は特に限定されないが、一般
に、TAB基板の周縁側の角部や端部の方が中央部より
も反りが大きいので、これら角部や端部にスリット11
を形成するのが望ましい。すなわち、TAB基板の反り
の大きい部分にスリット11を形成するのが望ましい。
The shape and size of the slits 11 and the locations where the slits 11 are formed are not particularly limited. However, in general, the corners and edges on the peripheral side of the TAB substrate are larger in warpage than the central portion. Slits 11 at corners and edges
It is desirable to form That is, it is desirable to form the slit 11 in a portion of the TAB substrate where the warpage is large.

【0015】次に、図1の半導体装置の製造工程を簡単
に説明する。まず、TABテープ1上にCu等の金属層
を形成し、リソグラフィなどにより、配線パターンおよ
びパッド4を形成する。このとき、インナーリード7も
形成する。次に、配線パターンおよびパッド4の周囲を
ソルダーレジスト5で覆う。
Next, a brief description will be given of a manufacturing process of the semiconductor device of FIG. First, a metal layer such as Cu is formed on the TAB tape 1, and a wiring pattern and pads 4 are formed by lithography or the like. At this time, the inner leads 7 are also formed. Next, the periphery of the wiring pattern and the pad 4 is covered with a solder resist 5.

【0016】次に、TABテープ1の開口部にLSIチ
ップ6を実装し、インナーリード7の先端部をバンプ等
を介してLSIチップ6のパッドに接続する。次に、L
SIチップ6の上面をポッティング樹脂8により覆う。
Next, the LSI chip 6 is mounted on the opening of the TAB tape 1, and the tip of the inner lead 7 is connected to the pad of the LSI chip 6 via a bump or the like. Next, L
The upper surface of the SI chip 6 is covered with the potting resin 8.

【0017】次に、図2のようなスリット11が形成さ
れたスティフナ2を、TABテープ1のパターン形成面
に対向する面に貼り付けた後、スティフナ2にカバープ
レート3を貼り付ける。次に、TABテープ1上のパッ
ド4に半田ボール9を取り付け、これら半田ボール9を
介して、図1の半導体装置を不図示のメイン基板上に実
装する。
Next, after the stiffener 2 having the slit 11 as shown in FIG. 2 is attached to the surface of the TAB tape 1 facing the pattern forming surface, the cover plate 3 is attached to the stiffener 2. Next, solder balls 9 are attached to the pads 4 on the TAB tape 1, and the semiconductor device of FIG. 1 is mounted on a main board (not shown) via the solder balls 9.

【0018】ところで、従来は、スティフナ2とカバー
プレート3を全面接合していたのに対し、本実施形態で
は、カバープレート3に凸部10を形成して、凸部10
でのみカバープレート3をスティフナ2と接合してい
る。このような接合をする理由は、接合面積が狭いほ
ど、スティフナ2とカバープレート3との線膨張率の差
異によるストレスを緩和できるためであり、TAB基板
の反りをより小さくすることができる。
By the way, in the present embodiment, the stiffener 2 and the cover plate 3 are bonded to each other, but in the present embodiment, the convex portion 10 is formed on the cover plate 3 and the convex portion 10 is formed.
The cover plate 3 is joined to the stiffener 2 only at. The reason for performing such bonding is that the smaller the bonding area is, the more the stress due to the difference in linear expansion coefficient between the stiffener 2 and the cover plate 3 can be reduced, and the warpage of the TAB substrate can be further reduced.

【0019】このように、本実施形態では、TABテー
プ1に貼り付けられるスティフナ2にスリット11を形
成するため、スリット11の形成箇所付近でスティフナ
2の剛性を弱めることができ、結果的に、TAB基板を
構成するTABテープ1、スティフナ2およびカバープ
レート3の線膨張率の差異を吸収でき、TAB基板製造
時の熱処理工程において、TAB基板が反らなくなる。
As described above, in this embodiment, since the slit 11 is formed in the stiffener 2 attached to the TAB tape 1, the rigidity of the stiffener 2 can be reduced in the vicinity of the location where the slit 11 is formed. The difference in the coefficient of linear expansion between the TAB tape 1, the stiffener 2 and the cover plate 3 constituting the TAB substrate can be absorbed, and the TAB substrate does not warp in the heat treatment step when manufacturing the TAB substrate.

【0020】また、カバープレート3に凸部10を形成
して、凸部10でのみカバープレート3とスティフナ2
とを接合するため、カバープレート3とスティフナ2と
の線膨張率の差異によるストレスを緩和することがで
き、より一層、TAB基板の反りを小さくできる。
Further, the convex portion 10 is formed on the cover plate 3, and the cover plate 3 and the stiffener 2 are formed only at the convex portion 10.
Therefore, stress due to a difference in linear expansion coefficient between the cover plate 3 and the stiffener 2 can be reduced, and the warpage of the TAB substrate can be further reduced.

【0021】さらに、図1,2のような構造にすること
により、TAB基板製造後に温度変化が生じても、TA
B基板を構成する各部材の接合部やメイン基板との接合
部がストレスを受けにくくなり、剥がれや反りが生じな
くなる結果、半導体装置の耐久性および信頼性が向上す
る。また、図1,2のような構造にすれば、スティフナ
2の材質や厚さ、およびスティフナ2とTABテープ1
等を接合する接着剤の材質や厚さをあまり厳格に選定し
なくてもTAB基板の反りを低減できるため、スティフ
ナ2や接着剤の選択の幅が広がり、部品コストを低減で
きる。
Further, by adopting the structure shown in FIGS. 1 and 2, even if a temperature change occurs
The joint of each member constituting the B substrate and the joint with the main substrate are less likely to be stressed, and peeling and warping do not occur, thereby improving the durability and reliability of the semiconductor device. 1 and 2, the material and thickness of the stiffener 2 and the stiffener 2 and the TAB tape 1
Since the warpage of the TAB substrate can be reduced without strictly selecting the material and thickness of the adhesive for joining, etc., the selection range of the stiffener 2 and the adhesive can be increased, and the cost of parts can be reduced.

【0022】なお、図1では、カバープレート3に凸部
10を形成して、この凸部10でスティフナ2と接合す
る例を示したが、図3に示すように、カバープレート3
の全面でスティフナ2と接合してもよい。この場合で
も、スティフナ2に図2のようなスリット11を形成す
ることにより、従来よりもTAB基板の反りを低減でき
る。
FIG. 1 shows an example in which the convex portion 10 is formed on the cover plate 3 and the convex portion 10 is joined to the stiffener 2. However, as shown in FIG.
May be joined to the stiffener 2 over the entire surface of the stiffener 2. Even in this case, by forming the slit 11 in the stiffener 2 as shown in FIG. 2, the warpage of the TAB substrate can be reduced as compared with the related art.

【0023】また、カバープレート3とスティフナ2を
一体構造にして、この一体構造にした剛性部材にスリッ
ト11を形成してもよい。
Further, the cover plate 3 and the stiffener 2 may be formed in an integral structure, and the slit 11 may be formed in the rigid member having the integrated structure.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、TABテープに貼り付けられるスティフナにスリ
ットを形成するため、スリットの形成箇所付近でスティ
フナの剛性を弱めることができ、仮にスティフナとTA
Bテープの線膨張率が著しく異なっていても、TAB基
板の反りを低減することができる。特に、TAB基板の
反りが大きい箇所にスリットを形成すれば、反り低減の
効果が大きい。また、このようなスリットを形成するこ
とにより、スティフナの材質や厚さ、およびスティフナ
とTABテープを接着する接着剤の材質や厚さを厳格に
定めなくて済むようになり、スティフナや接着剤の選択
の幅が広がるとともに、部品コストの低減が図れる。
As described above in detail, according to the present invention, since the slit is formed in the stiffener to be attached to the TAB tape, the rigidity of the stiffener can be reduced in the vicinity of the slit forming portion. And TA
Even if the linear expansion coefficients of the B tapes are significantly different, the warpage of the TAB substrate can be reduced. In particular, if a slit is formed in a portion of the TAB substrate where the warp is large, the effect of reducing the warp is great. Further, by forming such a slit, the material and thickness of the stiffener and the material and thickness of the adhesive for bonding the stiffener and the TAB tape do not have to be strictly determined. The range of options can be expanded, and the cost of parts can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体装置の一実施形態の断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor device according to the present invention.

【図2】スティフナ2の形状を示す上面図。FIG. 2 is a top view showing the shape of a stiffener 2;

【図3】カバープレートの全面でスティフナと接合した
変形例を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modified example in which the entire surface of a cover plate is joined to a stiffener.

【図4】TAB方式により製造された従来の半導体装置
の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device manufactured by a TAB method.

【図5】従来のスティフナの形状を示す上面図。FIG. 5 is a top view showing the shape of a conventional stiffener.

【符号の説明】 1 TABテープ 2,2′ スティフナ 3 カバープレート 4 パッド 5 ソルダーレジスト 6 LSIチップ 7 インナーリード 8 ポッティング樹脂 9 半田ボール 10 凸部 11 スリット[Description of Signs] 1 TAB tape 2, 2 'stiffener 3 Cover plate 4 Pad 5 Solder resist 6 LSI chip 7 Inner lead 8 Potting resin 9 Solder ball 10 Convex part 11 Slit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】TABテープに貼り付けられるスティフナ
と、 前記TABテープの前記スティフナ接合面に対向する面
に形成される配線パターンおよびパッドと、 前記TABテープ上に実装され、前記TABテープ上の
配線パターンと導通されるチップと、を備え、 前記パッドに取り付けられた半田ボールを介して、前記
TABテープおよび前記スティフナからなるTAB基板
を他の基板に実装可能とした半導体装置において、 前記スティフナの所定箇所に所定形状のスリットを形成
したことを特徴とする半導体装置。
A stiffener attached to a TAB tape; a wiring pattern and a pad formed on a surface of the TAB tape facing the stiffener bonding surface; and a wiring mounted on the TAB tape and mounted on the TAB tape. A chip electrically connected to a pattern, wherein the TAB substrate including the TAB tape and the stiffener can be mounted on another substrate via a solder ball attached to the pad; A semiconductor device wherein a slit having a predetermined shape is formed at a location.
【請求項2】前記スティフナの前記TABテープ接合面
に対向する面に貼り付けられるカバープレートを備え、 前記スティフナの所定箇所に所定形状のスリットを形成
したことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
2. The stiffener according to claim 1, further comprising a cover plate attached to a surface of the stiffener opposite to the TAB tape joining surface, wherein a slit having a predetermined shape is formed at a predetermined position of the stiffener. Semiconductor device.
【請求項3】前記TAB基板中の反りが大きい部分に前
記スリットを形成したことを特徴とする請求項1〜2の
いずれかに記載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein said slit is formed in a portion of said TAB substrate where warpage is large.
JP9351223A 1997-12-19 1997-12-19 Semiconductor device Abandoned JPH11186438A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9351223A JPH11186438A (en) 1997-12-19 1997-12-19 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

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JP9351223A JPH11186438A (en) 1997-12-19 1997-12-19 Semiconductor device

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JPH11186438A true JPH11186438A (en) 1999-07-09

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JP (1) JPH11186438A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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