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JPH11161346A - 位相制御装置 - Google Patents

位相制御装置

Info

Publication number
JPH11161346A
JPH11161346A JP9328324A JP32832497A JPH11161346A JP H11161346 A JPH11161346 A JP H11161346A JP 9328324 A JP9328324 A JP 9328324A JP 32832497 A JP32832497 A JP 32832497A JP H11161346 A JPH11161346 A JP H11161346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase control
power supply
load
phase
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9328324A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Tatezawa
一郎 立澤
Koji Soshin
耕児 宗進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP9328324A priority Critical patent/JPH11161346A/ja
Publication of JPH11161346A publication Critical patent/JPH11161346A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Ac-Ac Conversion (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 位相制御装置と交流電源と負荷とを2線で
結線できトライアックを用いた位相制御装置との置き換
えを配線の変更をせずに行うことができ、電力制御を行
う素子に単方向MOSFET等を用いて通常の位相制御
だけでなく逆位相制御動作も実現可能とする。 【解決手段】 単相交流電源Eに対して直列で逆方向に
接続した2つの単方向スイッチ素子Q1,Q2を用いて
位相制御することで負荷Lに印加される電力を制御し、
通常の位相制御動作と逆位相制御動作とを行う位相制御
装置1でり、一方の単方向スイッチ素子を交流波形の正
方向用に、他方を負方向用に使用し、単方向スイッチ素
子のゲート電圧を制御して導通モードと非導通モードと
に制御する制御部2と、単方向スイッチ素子にゲート電
圧を供給するゲート電源部Gとを有し、ゲート電源部は
交流電源に接続された電源トランスT1によって作成す
ることで、位相制御装置と電源と負荷との結線を2線で
行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、単相交流電源を位
相制御して負荷に供給する電力を制御する位相制御装置
に関するものであり、例えば照明負荷に供給する電力を
制御して調光を行う位相制御装置として使用する。
【0002】
【従来の技術】従来、単相交流電源を位相制御して照明
負荷に供給する電力を制御して調光を行う位相制御調光
器には制御用スイッチ素子としてサイリスタ、特にトラ
イアックを用いたものが一般的であったが、電磁ノイズ
低減に効果のある逆位相制御方式を採用する場合は任意
にオフできないトライアックは使用できなかった。
【0003】前記の逆位相制御を行う場合は、電流の立
ち上がりは必ずゼロクロスとなるので通常の位相制御回
路と比較して電流サージが低減されるので、位相制御装
置が発生する電磁ノイズを低減する効果がある。
【0004】故に、図10に示すように、双方向素子で
ないMOSFETQ1,Q2等を、電力制御を行うスイ
ッチ素子として用いて、直列でかつ逆方向に接続し一方
を交流波形の正方向側領域の通電用に用い、また他方を
負方向側領域の通電用に用い、スイッチ素子を駆動する
ためのゲート電源G1を使用して、スイッチ素子のゲー
ト電圧を制御して導通モード及び非導通モードの制御を
行う位相制御装置1が検討されている。
【0005】特にMOSFETQ1,Q2は素子のオン
損失が少ないものの開発が進んでおり、正負用にこの素
子を2個用いた場合でもトライアックより損失が少ない
ので、スイッチ素子に使用すると逆位相制御を行え、か
つ消費電力の低減、素子の発熱低減に関してもメリット
がある。
【0006】また図10に示すように、スイッチ素子駆
動用のゲート電源部G1 は交流電源Eを半波もしくは全
波整流して作成されるため、回路の構成上、位相制御さ
れた電力を負荷Lに供給するためには、図9に示すよう
に、,,で示す3線以上の配線数が必要となり交
流電源Eと負荷Lの接続位置も特定されてしまうことに
なる。尚、図9では1線は共通となり3線配線となって
いる。
【0007】一方従来のトライアックを用いた位相制御
装置の場合は、図1と同様、位相制御装置1と交流電源
Eと負荷Lとの接続を2線で行うことができ交流電源E
と負荷Lの接続位置が特定されることはない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来例の、M
OSFETQ1,Q2等の単方向スイッチ素子を用いた
位相制御装置1においては、位相制御装置1と交流電源
Eと負荷Lとを接続する場合には、3線以上の結線を必
要とする構成となっている。そのためトライアックを用
いた位相制御装置を、前記単方向スイッチ素子を用いた
位相制御装置1に置き換えるには、配線を変更しなけれ
ばならなかった。また、交流電源Eと負荷Lの接続場所
も特定されており、所定の場所に接続しないと正常な制
御動作を行うことができないという不都合があった。
【0009】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、位相制御
装置と交流電源と負荷とを2線で結線できトライアック
を用いた位相制御装置との置き換えを配線の変更をせず
に行うことができ、かつ電力制御を行う素子に単方向M
OSFET等を用いて通常の位相制御だけでなく逆位相
制御動作も実現可能な位相制御装置を提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項1記載の発明では、単相交流電源に対して
直列で逆方向に接続した2つの単方向スイッチ素子を用
いて位相制御することにより負荷に印加される電力を制
御し、通常の位相制御動作と逆位相制御動作とを行う位
相制御装置であって、一方の単方向スイッチ素子を交流
波形の正方向用に、他方の単方向スイッチ素子を交流波
形の負方向用に使用し、当該単方向スイッチ素子のゲー
ト電圧を制御して導通モードと非導通モードとに制御す
る制御部と、前記単方向スイッチ素子にゲート電圧を供
給するゲート電源部とを有し、ゲート電源部は交流電源
に接続された電源トランスによって作成することによ
り、当該位相制御装置と電源と負荷との結線を2線で行
う。
【0011】請求項2記載の発明では、単方向スイッチ
素子はノーマリーオンの素子とし、かつゲート電源部
は、交流電源のライン上に接続したカレントトランスを
用いる。
【0012】請求項3記載の発明では、単相交流電源に
対して並列で逆方向に接続した2つの単方向スイッチ素
子を用いて位相制御することにより負荷に印加される電
力を制御し、通常の位相制御動作と逆位相制御動作とを
行う位相制御装置であって、単方向スイッチ素子を駆動
する電源を複数個装備してそれぞれの単方向スイッチ素
子に各電源よりゲート電源を供給することにより、位相
制御装置と電源と負荷との結線を2線で行う。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1乃至
図6に基づいて詳細に説明する。尚、従来例と実質的に
同じ機能を有する部材には同じ符号を付してある。
【0014】図1は位相制御装置と交流電源と負荷とを
結線したときの配線図、図2は位相制御装置の詳細回路
図、図3は制御部の回路図、図4は位相制御装置で負荷
に供給する電力を逆位相制御したときのタイミングチャ
ート、図5は他の制御部の回路図、図6は位相制御装置
で負荷に供給する電力を通常位相制御したときのタイミ
ングチャートである。
【0015】図2に示す位相制御装置1は、ドレイン−
ソース間に逆流防止ダイオードD1,D2を内蔵してい
るMOSFETQ1,Q2と、MOSFETQ1,Q2
の駆動電源を交流電源Eに接続された電源トランスT1
の2次側出力から作成するゲート電源部Gと、ゲート電
圧を制御する制御部2とを主要構成部材としている。
【0016】ゲート電源部Gは、交流電源Eに接続され
た電源トランスT1に2次側より得られる交流電圧をダ
イオードブリッジDBとコンデンサC1により整流平滑
してMOSFETQ1,Q2駆動用の直流電源を作成す
る。
【0017】MOSFETQ1,Q2は位相制御装置1
に内蔵され、互いに直列で逆方向に接続されており、ゲ
ート電源部Gと接続されてゲート電圧が供給されている
場合には、交流電源Eからの正方向の電流は、MOSF
ETQ1のドレイン−ソースとMOSFETQ2の逆流
防止ダイオードD2を通じて導通させ負荷に電力を供給
する。また、負方向の電流はMOSFETQ1の逆流防
止ダイオードD1とMOSFETQ2のドレイン−ソー
スを通じて導通させ負荷に電力を供給する。
【0018】ゲート電源部GとMOSFETQ1,Q2
のゲート−ソースとの接続がされていない場合にはMO
SFETQ1,Q2はオフで非導通モードとなり負荷L
に電力は供給されない。この導通モードと非導通モード
を制御して負荷に供給する電力を制御する。もちろん、
スイッチ素子にMOSFETQ1,Q2ではなく、IG
BTやバイポーラトランジスタを用いてもよい。
【0019】図3に示される制御部2は、主な構成部材
として抵抗器R、コンデンサC、ダイアックDI、双方
向フォトカプラCA、トランジスタTrで構成されてお
り、交流電源Eに同期させた周期でトランジスタTrを
オン、オフさせてMOSFET駆動用のゲート電圧を制
御する機能を有しており、このことにより交流電源Eか
ら負荷Lへ供給する電力を制御することが可能となり、
この回路では逆位相制御動作となる。
【0020】(動作)具体的にこの制御部2が図2の位
相制御回路1に組み込まれた場合の逆位相制御動作を説
明すると、ダイアックDIがオフの時はMOSFETQ
1,Q2はゲート電圧が印加されてオンとなり電力は負
荷Lに供給されるが、コンデンサCの両端電圧Vcがダ
イアックDIのオーバーブレイク電圧を越えるとダイア
ックDIがオンとなり双方向フォトカプラCAもオンに
なる。するとトランジスタTrが導通してMOSFET
Q1,Q2のゲート電圧がゼロとなりMOSFETQ
1,Q2がオフとなり電力は負荷に供給されない。
【0021】図3に示す制御回路2において、交流電源
Eから負荷Lへ供給する電力を制御したときのタイミン
グチャートを図4に示す。
【0022】図5に示される制御部2’は自身の動作は
図3の回路と同様であるが、交流電源Eに同期させた周
期でトランジスタTrをオン、オフさせて、MOSFE
TQ1,Q2駆動用のゲート電源部Gの導通、非導通を
制御し、交流電源Eより負荷Lに電力を供給する動作は
通常の位相制御動作となる。
【0023】もちろん、この制御部2’の回路を図2の
位相制御装置1に用いた場合の交流電源Eと負荷Lと位
相制御装置1の結線は図1のように2線となる。
【0024】図6は、図5の制御部2’の回路で交流電
源Eから負荷Lへ供給する電力を制御したときのタイミ
ングチャートである。
【0025】次に、本発明の第2の実施の形態を図7に
基づいて説明する。図7は位相制御装置の回路図で、こ
の位相制御装置5と交流電源Eと負荷Lとを結線したと
きの配線図は図1に示される。
【0026】図7に示される位相制御装置5はドレイン
−ソース間に逆流防止ダイオードD1,D2を内蔵して
いるノーマリーオンのMOSFETQ1,Q2と、MO
SFETQ1,Q2の駆動電源を交流電源Eに直列に接
続されるカレントトランスCTの2次側出力から作成す
るゲート電源部G1と、ゲート電圧を制御する制御部
2,又は2’を主要構成部材としている。
【0027】ゲート電源部G1はカレントトランスCT
の2次側より得られる交流電圧をダイオードブリッジD
BとコンデンサC1により整流平滑してMOSFETQ
1,Q2駆動用の直流電源を作成する。
【0028】負荷Lに電力を供給する動作は第1の実施
形態と同じなので省略する。この直流電源をMOSFE
TQ1,Q2のゲート電源として図3又は図5の制御部
2,2’の回路を用いてMOSFETQ1,Q2の制御
を行う。本実施の形態の位相制御装置5のスイッチ素子
はノーマリーオンのものなので第1の実施形態とは逆に
図5の制御部2’の回路を用いると逆位相制御、図3の
制御部2の回路を用いると通常の位相制御なるが、交流
電源Eと負荷Lとの接続は第1の実施形態と同じで、図
1に示されるように2線となり交流電源Eと負荷Lの位
置を入れ替えても問題がない。
【0029】次に、本発明の第3の実施の形態を図8に
基づいて説明する。図8は位相制御装置10の配線図
で、この位相制御装置10と交流電源Eと負荷Lとを結
線したときの配線図は第1の実施の形態と同じで図1に
示される。
【0030】図8に示される位相制御装置10はMOS
FETQ1,Q2を逆方向に並列に接続されていて、そ
れぞれ独立したゲート電源を持っている。
【0031】ゲート電源部と接続されてゲート電圧が供
給されている場合には、交流電源Eよりの正方向の電流
はQ1のドレイン−ソースを通じて、負方向の電流はQ
2のドレイン−ソースを通じて導通させ負荷に電力を供
給する。
【0032】この導通モードと非導通モードを制御して
負荷に供給する電力を制御する。もちろん、スイッチ素
子にMOSFETQ1,Q2ではなく、IGBTやバイ
ポーラトランジスタを用いてもよい。
【0033】この実施の形態では、スイッチ素子にドレ
イン−ソース間に逆流防止ダイオードを内蔵しているM
OSFETを使用しているので、オフ時に逆流防止ダイ
オードを通電させないためのダイオードD3,D4をそ
れぞれドレインに接続しているが、内蔵していない素子
の場合はダイオードD3,D4は必要がない。
【0034】ゲート電流部は交流電源Eよりダイオード
ブリッジDBとコンデンサC1により整流平滑してMO
SFETQ1,Q2駆動用の直流電源を作成している。
もちろん、整流方式は半波整流でもよく、第1の実施の
形態、第2の実施の形態のように電源トランスやカレン
トトランスを用いてもよいが、必ずMOSFETQ1用
とMOSFETQ2用の2個必要とする。
【0035】このゲート電源を図3の制御部2の回路で
制御すると負荷Lに供給する電力の逆位相制御、図5の
制御部2’の回路で制御すると逆位相制御でき、交流電
源Eと負荷Lとの接続は第1の実施の形態と同じで図1
に示されるように、2線となり交流電源Eと負荷Lの位
置を入れ替えても問題ない。
【0036】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、電磁ノイ
ズを低減するための逆位相制御を行い、かつ消費電源や
素子発熱を低減するためのMOSFET等単方向スイッ
チ素子を用いた位相制御装置を用いる場合、従来は3線
以上必要であった交流電源及び負荷との接続を2線で行
え、配線の変更無しにトライアックによる位相制御装置
との置き換えも可能になるという効果を奏する。
【0037】請求項2記載の発明によれば、請求項1記
載の効果に加えて、単方向スイッチ素子を駆動する電源
の作成にカレントトランスを用いることにより位相制御
装置と電源を位相制御装置との結線を2線で行うことが
できるという効果を奏する。
【0038】請求項3記載の発明によれば、電磁ノイズ
の低減するための逆位相制御を行いかつ、消費電源や素
子発熱を低減するためのMOSFET等単方向スイッチ
素子を用いた位相制御装置を用いる場合、従来は3線以
上必要であった交流電源及び負荷との接続を2線で行
え、配線の変更無しにトライアックによる位相制御装置
との置き換えも可能になる。また上記の実現に単方向ス
イッチ素子を駆動する電源を複数個装備することによっ
ても可能とすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の位相制御装置を交
流電源と負荷とに結線したときの配線図である。
【図2】同上の位相制御装置の詳細回路図である。
【図3】本発明の制御部の回路図であり、第1,第3の
実施の形態では、逆位相制御動作用として、第2の実施
の形態では、通常位相制御動作用としての回路図とな
る。
【図4】本発明の位相制御装置で、負荷に供給する電力
を逆位相制御したときのタイミングチャートである。
【図5】本発明の制御部の詳細回路図であり、第1,第
3の実施の形態では、通常位相制御動作用として、第2
の実施の形態では、逆位相制御動作用としての回路図と
なる。。
【図6】同上の位相制御装置において負荷に供給する電
力を通常位相制御したときのタイミングチャートであ
る。
【図7】本発明の第2の実施の形態の位相制御装置の詳
細回路図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態の位相制御装置の詳
細回路図である。
【図9】従来のMOSFET等をスイッチ素子に用いた
逆位相制御動作が可能な位相制御装置と交流電源と負荷
との配線図である。
【図10】従来のMOSFET等をスイッチ素子に用い
た逆位相制御動作が可能な位相制御装置の詳細回路図で
ある。
【符号の説明】
1 位相制御装置 2 制御部 2’ 制御部 5 位相制御装置 10 位相制御装置 E 単相交流電源 Q1 単方向スイッチ Q2 単方向スイッチ L 負荷 T1 電源トランス G 電源 G1 電源 CA カレントトランス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単相交流電源に対して直列で逆方向に接
    続した2つの単方向スイッチ素子を用いて位相制御する
    ことにより負荷に印加される電力を制御し、通常の位相
    制御動作と逆位相制御動作とを行う位相制御装置であっ
    て、一方の単方向スイッチ素子を交流波形の正方向用
    に、他方の単方向スイッチ素子を交流波形の負方向用に
    使用し、当該単方向スイッチ素子のゲート電圧を制御し
    て導通モードと非導通モードとに制御する制御部と、前
    記単方向スイッチ素子にゲート電圧を供給するゲート電
    源部とを有し、ゲート電源部は交流電源に接続された電
    源トランスによって作成することにより、当該位相制御
    装置と電源と負荷との結線を2線で行うことを特徴とす
    る位相制御装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の位相制御装置において、
    単方向スイッチ素子はノーマリーオンの素子とし、かつ
    ゲート電源部は、交流電源のライン上に接続したカレン
    トトランスを用いたことを特徴とする位相制御装置。
  3. 【請求項3】 単相交流電源に対して並列で逆方向に接
    続した2つの単方向スイッチ素子を用いて位相制御する
    ことにより負荷に印加される電力を制御し、通常の位相
    制御動作と逆位相制御動作とを行う位相制御装置であっ
    て、単方向スイッチ素子を駆動する電源を複数個装備し
    てそれぞれの単方向スイッチ素子に各電源よりゲート電
    源を供給することにより、位相制御装置と電源と負荷と
    の結線を2線で行うことを特徴とする位相制御装置。
JP9328324A 1997-11-28 1997-11-28 位相制御装置 Pending JPH11161346A (ja)

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