JPH11168043A

JPH11168043A - 露光装置及び露光方法

Info

Publication number: JPH11168043A
Application number: JP9332578A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Yanagihara; 政光柳原
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1997-12-03
Publication date: 1999-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】投影光学系同士の位置合わせを容易に行うこ
とのできる露光装置及び露光方法を提供する。【解決手段】露光装置製造段階での投影光学系１０，
３０の位置合わせ公差を予め見込み、それを補う投影光
学系、照明フィールド、マスク可動手段及びマスクブラ
インドのストロークの拡大を実施し、投影光学系の位置
誤差をマスク２４，４４及びマスクブラインド２０，４
０の位置シフトによって補正する。マスク２４，４４の
位置検出は、基板ステージ５０に設けた基準マークＦＭ
１，ＦＭ２をマスクアライメント系２７，２８；４７，
４８で検出することで行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示パネル等の製造の際に用いられるステップ・アンド
・リピート方式の露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子や液晶表示パネル等の製造工
程において、フォトレジスト等の感光剤を塗布したウェ
ハやガラスプレート等の感光基板（以下、単に基板とい
う）に投影光学系を介してフォトマスクやレチクル（以
下、マスクという）のパターンを露光することが行われ
る。近年、液晶表示パネル等の露光において、露光対象
である基板は益々大型化し、それに伴って露光装置の処
理能力の向上は必要不可欠なものになっている。この要
求に応える手法の一つに、投影光学系を複数配置した露
光装置の使用がある。露光装置に２つの投影光学系を配
置し、各投影光学系で別々のマスクのパターンを同時に
基板に露光する。この露光装置によると、基板を搭載し
た可動ステージのストロークは基板の半分の面積をカバ
ーできるものでよく、装置設置面積の低減に寄与でき
る。また、処理能力も１つの投影光学系及びマスクにて
露光する場合に比べ、ステップ及び露光の総時間を半分
にできる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、投影光
学系を複数配置した露光装置の場合、投影光学系同士の
位置合わせが問題となる。例えば、２つの投影光学系を
有する露光装置でショットａとショットｂを同時に露光
することを（ａ，ｂ）のように表わすとき、図２（ａ）
に示すように、ステップ・アンド・リピート方式で基板
５１に（ａ１，ｂ１），（ａ２，ｂ２），‥‥，（ａ１
２，ｂ１２）のように１組ずつショットを露光して画面
継ぎを実施して１つのデバイスＣを形成するケースにお
いては、基板５１上の領域Ａを露光する投影光学系と領
域Ｂを露光する投影光学系の位置を継ぎ性能に支障のな
い精度に合わせておく必要がある。

【０００４】また、図２（ｂ）に示すように、基板５１
にステップ・アンド・リピート方式で（ｄ１，ｈ１），
（ｄ２，ｈ２），（ｅ１，ｉ１），（ｅ２，ｉ２），‥
‥のように１組ずつショットを露光してデバイスＤ，
Ｅ，Ｆ，Ｇ，‥‥を多面取りするケースで、２つの投影
光学系での画面継ぎを実施しない場合においても、１つ
のデバイスの複数の層を複数の投影光学系を有する異な
る露光装置で露光するためには、各露光装置の２つの投
影光学系の間隔を一致させる必要が生じる。また、マス
クの製造誤差やマスクの位置決め誤差に起因する露光誤
差を考慮する必要がある。本発明は、露光装置における
このような問題点に鑑みてなされたもので、複数のマス
クを用いて精度よく露光できる露光装置及び露光方法を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明では、露光装置製
造段階での投影光学系の位置合わせ公差やマスクの製造
誤差を予め見込み、それを補う投影光学系、照明フィー
ルド、マスク可動手段及びマスクブラインドのストロー
クの拡大を実施し、露光誤差をマスク及びブラインドの
位置シフトによって補正することにより前記目的を達成
する。すなわち、請求項１記載の露光装置は、少なくと
も２つのマスク（２４，４４）のパターンを基板（５
１）上に露光する露光装置において、第１のマスク（２
４）の位置を検出する第１検出装置（２７，２８）と、
第２のマスク（４４）の位置を検出する第２検出装置
（４７，４８）と、第１検出装置と第２検出装置との検
出結果に基づいて、第１のマスクと第２のマスクとの少
なくとも一方の位置を調整する位置調整装置（２６，４
６，５５）と、第１のマスクと第２のマスクとをほぼ同
時に照明する照明光学系（１１，２３，３１，４３）と
を備えたことを特徴とする。

【０００６】第１のマスクによる基板露光照度と第２の
マスクによる基板露光照度とは必ずしも一致しない。こ
のため、請求項２記載の露光装置は、第１のマスクの照
明光学系による照明時間を制御する第１のシャッター
（１３，１４）と、第２のマスクの照明光学系による照
明時間を制御する第２のシャッター（３３，３４）と、
第１のシャッターと第２のシャッターとを独立に制御す
る制御装置（５５）とを備えている。請求項３記載の露
光装置は、第１のマスクの位置基準となる第１基準装置
（ＦＭ１）と、第２のマスクの位置基準となる第２基準
装置（ＦＭ２）とを、基板を載置する基板ステージに配
設している。このように２つの基準装置を設けることに
より、第１のマスクの位置と第２のマスクの位置を検出
する際の基板ステージのストロークを短くすることがで
きる。

【０００７】請求項４記載の露光装置は、第１のマスク
を照明する光源と第２のマスクを照明する光源とを共通
の光源としている。このため、光源に起因した光量差が
なくなり、露光量制御を容易にすることができる。請求
項５記載の露光装置は、照明光学系に、第１のマスクの
照明領域を規定する第１のブラインド（２０）と、第２
のマスクの照明領域を規定する第２のブラインド（４
０）とを備え、第１のマスクと第２のマスクとの少なく
とも一方の位置調整に応じて、第１のブラインドと第２
のブライドとの少なくとも一方の位置を調整するブライ
ド位置調整機構（２１，４１，５５）を備えている。

【０００８】また、請求項６記載の露光方法は、複数の
マスク（２４，４４）のパターンを基板（５１）上で露
光する露光方法において、複数のマスクの相対位置を調
整するステップと、複数のマスクをほぼ同時に照射する
ステップとを含むことを特徴とする。請求項７記載の露
光方法は、基板（５１）の形状の変化に応じて複数のマ
スクのうちの少なくとも１つのマスクの位置を調整する
ステップを含んでいる。本発明によると、投影光学系の
位置合わせはラフなままで、複数投影光学系の間隔を合
わせることが可能になる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明による露光
装置の一例を示す概略図である。この露光装置は２個の
投影光学系１０，３０を備える。各投影光学系１０，３
０は、それぞれ独立した照明光学系、マスクを保持する
マスクステージ２５，４５を備え、１つの基板５１に対
して同時に２つの投影光学系１０，３０によってパター
ン露光を行う。なお、不図示ではあるが、複数のマスク
を保持するマスクチェンジャーにより所望のマスクが順
次マスクステージ２５，４５に搬入され、処理済みのマ
スクが搬出されている。

【００１０】まず、投影光学系１０による露光について
説明する。露光光源１１としての超高圧水銀ランプ又は
レーザ光源からの照明光は楕円鏡１２で集光され、シャ
ッター駆動装置１４によって開閉制御されるシャッター
１３、反射鏡１５を介して波長選択フィルタ１６に入射
する。波長選択フィルタ１６は露光に必要な波長のみを
透過させるもので、波長選択フィルタ１６を透過した照
明光はフライアイインテグレータ１７にて、均一な照度
分布の光束にされてマスクブラインド２０に到達する。
マスクブライド２０は、マスクブラインド駆動装置２１
によって開口の大きさを変化させて、照明光によるマス
ク上の照明範囲を調整する機能を有する。また、フライ
アイインテグレータ１７から出射した光束の一部はハー
フミラー１８で反射されて積算露光量計１９に入射す
る。

【００１１】マスクブラインド２０の開口を透過した照
明光は反射鏡２２で反射されてレンズ系２３に入射し、
このレンズ系２３によってマスクブラインド２０の開口
の像がマスク２４上で結像し、マスク２４の所望範囲が
照明される。マスク２４の照明範囲に存在するパターン
の像は投影光学系１０により、ウェハや角形のガラスプ
レート等の基板５１上に結像し、基板５１上の特定領域
にマスク２４のパターンの像が露光される。なお、マス
ク２４には、半導体の回路パターン又は液晶素子パター
ンが形成されている。

【００１２】投影光学系３０によるパターン露光も、投
影光学系１０によるパターン露光と同様に行われる。す
なわち、露光光源としての超高圧水銀ランプ３１又はレ
ーザ光源からの照明光は楕円鏡３２で集光され、シャッ
ター駆動装置３４によって開閉制御されるシャッター３
３、反射鏡３５を介して波長選択フィルタ３６に入射す
る。波長選択フィルタ３６は露光に必要な波長のみを透
過させるもので、波長選択フィルタ３６を透過した照明
光はフライアイインテグレータ３７にて、均一な照度分
布の光束にされてマスクブラインド４０に到達する。マ
スクブライド４０は、マスクブラインド駆動装置４１に
よって開口の大きさを変化させて、開口の大きさを変化
させて照明光によるマスク上の照明範囲を調整する機能
を有する。また、フライアイインテグレータ３７から出
射した光束の一部はハーフミラー３８で反射されて積算
露光量計３９に入射する。

【００１３】マスクブラインド４０の開口を透過した照
明光は反射鏡４２で反射されてレンズ系４３に入射し、
このレンズ系４３によってマスクブラインド４０の開口
の像がマスク４４上で結像し、マスク４４の所望範囲が
照明される。マスク４４の照明範囲に存在するパターン
の像は投影光学系３０により、ウェハやガラスプレート
等の基板５１上に結像し、基板５１上の特定領域にマス
ク４４のパターンの像が露光される。

【００１４】基板５１は、基板ステージ５０上に固定さ
れている。基板ステージ５０は、互いに直交する方向へ
移動可能な一対のブロックを重ね合わせた周知の構造の
ものであり、基板ステージ駆動装置５４によって駆動さ
れる。基板ステージ５０には移動鏡５２が固定されてお
り、基板ステージ５０の位置はレーザ干渉計５３によっ
て移動鏡５２との間の距離を検出することによってモニ
ターされる。

【００１５】積算露光量計１９，３９の出力やレーザ干
渉計５３の出力は主制御系５５に入力され、またシャッ
ター駆動装置１４，３４、マスクブラインド駆動装置２
１，４１、基板ステージ駆動装置５４は、主制御系５５
からの駆動信号を受けてシャッター１３、マスクブライ
ンド２０，４０、基板ステージ５０等を駆動する。主制
御系５５は、積算露光量計１９からの情報に基づいてシ
ャッター駆動装置１４を制御し、シャッター１３の開閉
時間を制御することで投影光学系１０による露光量を制
御する。

【００１６】また、マスク２４の位置はマスクアライメ
ント系２７，２８によって検出可能であり、投影光学系
１０に対するマスク２４の位置はマスクステージ駆動装
置２６を駆動することで調整することができる。同様
に、マスク４４の位置はマスクアライメント系４７，４
８によって検出可能であり、投影光学系３０に対するマ
スク４４の位置はマスクステージ駆動装置４６を駆動す
ることで調整することができる。マスクステージ駆動装
置２６，４６は主制御系５５の制御指定を受けて、マス
クステージ２５，４５を駆動する。

【００１７】また、基板ステージ５０には、投影光学系
１０，３０の位置合わせを行うための基準マーク部材Ｆ
Ｍ１，ＦＭ２が設けられている。図１に示した露光装置
は２個の基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２を備えている
が、基準マーク部材は１個であっても構わない。ただ
し、基準マーク部材が１個しかないと、位置合わせの際
の基板ステージのストロークを、２個の基準部材を用い
る場合より大きくする必要がある。投影光学系１０，３
０の位置合わせについては後述する。

【００１８】ここで、図１の露光装置により、図２
（ａ）に示すように複数のマスクのパターン像をつなぎ
合わせて所望のパターンを形成する画面合成を行って１
つのデバイスパターンＣを露光する場合の露光手順を説
明する。まず、マスクステージ２５にマスク２４１を位
置決めして保持し、マスクステージ４５にマスク４４１
を位置決めして保持する。そして、投影光学系１０によ
り基板５１にショットａ１を露光し、同時に投影光学系
３０によりショットｂ１を露光する。この時、主制御系
５５は、積算露光量計１９の出力に基づいてショットａ
１の露光時間制御を行い、それとは独立に積算露光量計
３９の出力に基づいてショットｂ１の露光時間制御を行
う。

【００１９】次に、マスクを各々２４２と４４２に交換
し、基板ステージ５０をＸ方向にステップ移動した後、
投影光学系１０により基板５１にショットａ２を露光
し、同時に投影光学系３０によりショットｂ２を露光す
る。以下、同様にして、マスク２４，４４を交換すると
ともに基板ステージ５０をステップ移動し、露光済みの
領域に隣接してショット（ａ３，ｂ３），‥‥，（ａ１
２，ｂ１２）を順次露光する。こうして画面合成によっ
てパターンＣが露光される。

【００２０】このとき、投影光学系１０によるショット
ａ９と投影光学系３０によるショットｂ１、同様にショ
ットａ１０とショットｂ２、ショットａ１１とショット
ｂ３、ショットａ１２とショットｂ４が高精度に画面継
ぎされないと所望の精度のパターンが得られない。その
ためには、投影光学系１０と投影光学系３０とが正確に
位置合わせされている必要がある。

【００２１】また、図２（ｂ）に示すように、基板５１
にステップ・アンド・リピート方式で（ｄ１，ｈ１），
（ｄ２，ｈ２），（ｅ１，ｉ１），（ｅ２，ｉ２），‥
‥のように１組ずつショットを露光してデバイスＤ，
Ｅ，Ｆ，Ｇ，‥‥を多面取りするケースの露光手順も、
図２（ａ）の場合と同様である。デバイスＤ，Ｅ，Ｆ，
Ｇ，‥‥のパターン露光は投影光学系１０が受け持ち、
デバイスＨ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，‥‥のパターン露光は投影光
学系３０が受け持つ。

【００２２】この場合、投影光学系１０によるショット
と投影光学系３０によるショットとを画面継ぎする必要
はない。しかし、各デバイスＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，‥‥の複
数層を異なる露光装置によって、同様に複数の投影光学
系で露光する場合には、各露光装置はデバイスＤのパタ
ーンとデバイスＨのパターン、デバイスＥとデバイスＩ
のパターン、‥‥を同時にアライメントして露光しなけ
ればならないため、露光装置の投影光学系１０と投影光
学系３０のが同様に正確に位置合わせされている必要が
ある。

【００２３】次に、投影光学系１０と投影光学系３０を
位置合わせする方法について説明する。露光装置の構成
上、マスクに形成されたアライメントマークを検出する
マスクアライメント系２７，２８；４７，４８は投影光
学系１０，３０を保持する部材の上に形成されるのが一
般的である。従って、装置製造段階に生じる投影光学系
の位置誤差はそのままマスクアライメント系２７，２
８；４７，４８の位置誤差となる。本発明では、投影光
学系１０，３０の位置誤差を、マスク位置合わせにて補
正する。

【００２４】ここでは、基板ステージ５０に設けられた
基準部材ＦＭ１，ＦＭ２の発光スリットとマスク２４，
４４上に形成されたアライメントマークをマスクアライ
メント系２７，２８，４７，４８で検出して得られるイ
メージスリットセンサー信号を、基板ステージ５０のレ
ーザ干渉計５３の出力（基板ステージ位置信号）に同期
して取り込むことにより、マスク２４，４４のアライメ
ントマーク位置をステージ干渉計基準で求める。主制御
系５５は、マスク２４，４４が規定の位置関係となるよ
うにマスクステージ駆動装置２６，４６に指令してマス
クステージ２５，４５を駆動することで、実効的に投影
光学系１０，３０の位置合わせを行う。

【００２５】図３は、基準マーク部材ＦＭ１，ＦＭ２の
一例を説明する基板ステージ５０の拡大断面図である。
この基準マーク部材は、下方から照明されて基板５１の
表面に相当する高さ位置に発光スリット像を形成する。
この発光スリット像は、投影光学系１０を介してマスク
アライメント系２７，２８によって検出される。

【００２６】基板ステージ５０には、ステージの表面か
ら垂直方向に穴６０が設けられ、その中に、基準マーク
が形成された基準板６１及びリレーレンズ系６２ととも
に、スリットが設けられた基準板６１を下方から照明す
る照明系が配設されている。リレーレンズ系６２は、内
部に絞り６３を有する。照明系で使用する照明用光源
は、露光光と同じ波長の照明光を発生する光源６５でも
よいし、露光光と異なる波長の照明光を発生する光源６
６でもよい。また、図のように両方の光源６５，６６を
備え、光源切換装置６７によっていずれかの光源を選択
して使用できるようにしてもよい。照明用光源からの照
明光は、例えば光ファイバー束６８によって基準板６１
の下方に導かれ、照明光学系６９を介して基準板６１を
均一に照明する。

【００２７】基準板６１に形成された基準マーク（スリ
ット）を透過した光は、リレーレンズ系６２によって基
板ステージ５０上に載置される基板５１の表面に略一致
する位置６４に空間像として結像される。マスクアライ
メント系２７，２８は、投影光学系１０を介してこの基
準マークの空間像を検出する。リレーレンズ系６２は、
露光光とアライメント光との間で色消しされている。ま
た、照明用光源として露光光と異なる波長の光を用いる
場合には、マスクアライメント系の光路中に補正光学系
を配置する必要がある。

【００２８】基準マーク部材は、このように空間像を形
成するタイプ以外にも、表面に下方から照明される発光
スリットが形成された部材を基板ステージ５０の表面に
対して昇降可能に設けたものとすることもできる。この
場合、基準マーク部材の使用時に、その発光スリットが
基板の表面位置に相当する高さ位置にくるように基準マ
ーク部材を上昇させ、基板露光時には基板載置の障害と
ならないように基準マーク部材を基板ステージの内部に
下降させて収納するようにする。

【００２９】図４は、２つの投影光学系１０，３０の露
光視野１０Ｆ，３０Ｆ、マスクアライメント系２７，２
８，４７，４８の観察視野２７Ｆ，２８Ｆ，４７Ｆ，４
８Ｆ、及び基板ステージ５０に設けられた２つの基準部
材ＦＭ１，ＦＭ２の位置関係の一例を模式的に示す図で
ある。この例では、図示するように、マスクアライメン
ト系２７が投影光学系１０を介して基準マークＦＭ１を
観察しているとき、マスクアライメント系４８が投影光
学系３０を介して他方の基準マークＦＭ２を観察できる
ように、２つの基準マークＦＭ１，ＦＭ２が配置されて
いる。基準マークＦＭ１は投影光学系１０のマスクアラ
イメント系２７，２８を受け持ち、基準マークＦＭ２は
投影光学系３０のマスクアライメント系４７，４８を受
け持つ。

【００３０】例えば、図４に示した状態において、マス
クアライメント系２７によって基準マークＦＭ１を検出
すると同時に、マスクアライメント系４８によって基準
マークＦＭ２を検出する。次に、基板ステージ５０を−
Ｘ方向に距離Ｌ１だけ移動してマスクアライメント系２
８によって基準マークＦＭ１を検出する。続いて、図４
の状態から基板ステージ５０を＋Ｘ方向に距離Ｌ２だけ
移動して、マスクアライメント系４８によって基準マー
クＦＭ１を検出する。いま、Ｌ１＜Ｌ２であるとするな
らば、その途中でマスクアライメント系４７によって基
準マークＦＭ２を検出することができる。

【００３１】この方法にて得られる２つのマスク位置
は、１つの基板ステージ干渉計座標を基準としているた
め、両者の相対位置がわかる。この結果に伴い、少なく
とも一方のマスクアライメント系２７，２８；４７，４
８に補正を加え、かつマスクブラインド２０，４０の目
標位置に補正を加えることで、２つの投影光学系１０，
３０の位置合わせが完了する。マスクアライメント系２
７，２８；４７，４８補正手段としては、マスクアライ
メント系に可動ハービンググラスを用いる手法や、別途
干渉系などマスクステージ２５，４５の位置を計測する
手段を用いて、マスク位置検出後、マスクステージ駆動
装置２６，４６により補正量駆動するなどの方法をとれ
ばよい。

【００３２】この操作に必要な基板ステージ５０のスト
ロークは−Ｘ方向に距離Ｌ１、＋Ｘ方向に距離Ｌ２であ
る。これに対して、基板ステージ５０に設けた基準マー
クが例えばＦＭ１のみである場合には、２つのマスク２
４，４４に形成されたアライメントマークの位置を１つ
の基板ステージ干渉計座標に写像するために必要な基板
ステージ５０のストロークは、図４の状態から−Ｘ方向
に距離Ｌ１、＋Ｘ方向に距離Ｌ１＋Ｌ２となる。

【００３３】マスク２４，４４には、パターン形成領域
の外側に所定の幅で遮光帯が設けられている。マスクブ
ラインド２０，４０は、マスク上に結像されたマスクブ
ラインド２０，４０の開口部エッジ像がこの遮光帯の中
にあれば、その機能を果たしているため、マスクブライ
ンドの制御はラフに行ってもよい。マスク２４，４４の
移動量が少ない時には、マスク位置を補正駆動した後、
マスクブラインド２０，４０の駆動を行わないですます
ことができる場合もある。図１に示した例では、２つの
投影光学系１０，３０に対して個別に露光光源１１，３
１を設けた。しかし、例えば光ファイバー束によって光
束を分割する構成を採用することによって光源部を共通
化することも可能である。この場合には、光源部の光量
差がなくなるので露光量制御を容易に行うことができ
る。

【００３４】また、２層目以降のパターン層を露光する
際、露光後のプロセス処理によって基板が伸縮すること
がある。この場合には、２つの投影光学系１０，３０の
倍率を基板の伸縮に合わせて調整すると共に、基準マー
クＦＭ１，ＦＭ２に代えて基板５１上に設けられたアラ
イメントマークをマスクアライメント系２７，２８，４
７，４８によって検出して２つのマスク２４，４４の位
置（間隔）を調整することで、高精度な重ね合わせを実
現してパターン露光を行うことができる。

【００３５】なお、本実施例の露光装置として、マスク
２４，４４と基板５１とを静止した状態でマスクのパタ
ーンを露光し、基板５１を順次ステップ移動させるステ
ップ・アンド・リピート型の露光装置を例に説明してき
たが、マスクと基板とを同期移動してマスクのパターン
を露光する走査型の露光装置にも適用することができ
る。

【００３６】また、光源６５，６６もｇ線（４３６ｎ
ｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２
４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ
₂レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線など
の荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を
用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタン
ヘキサボライト（ＬａＢ₆）、タンタル（Ｔａ）を用い
ることができる。

【００３７】投影光学系１０，３０の倍率は、縮小系の
みならず等倍及び拡大系のいずれでもよい。また、投影
光学系１０，３０としては、エキシマレーザを用いる場
合は硝材として石英や蛍石を用い、Ｘ線を用いる場合は
反射屈折系の光学系にし（マスクも、反射型タイプのも
のを用いる）、また電子線を用いる場合には光学系とし
て電子レンズ及び偏向器からなる電子光学系を用いれば
よい。なお、電子線が通過する光路は真空状態にするこ
とはいうまでもない。また、本発明は、投影光学系１
０，３０を用いることなくマスク２４，４４と基板５１
とを密接させてマスク２４，４４のパターンを露光する
プロキシミティ露光装置にも適用することができる。

【００３８】

【発明の効果】本発明によると、複数のマスクを用いた
露光を高精度に達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による露光装置の一例を示す概略図。

【図２】２つの投影光学系を有する露光装置を用いた露
光方法の説明図。

【図３】基準マーク部材の一例を説明する基板ステージ
の拡大断面図。

【図４】投影光学系の露光視野、マスクアライメント系
の観察視野、及び基準部材の位置関係を模式的に示す
図。

【符号の説明】

１０．３０…投影光学系、１１，３１…露光光源、１
２，３２…楕円鏡、１３，３３…シャッター、１４，３
４…シャッター駆動装置、１５，３５…反射鏡、１６，
３６…波長選択フィルタ、１７，３８…フライアイイン
テグレータ、１８，３８…ハーフミラー、１９，３９…
積算露光量計、２０，４０…マスクブラインド、２１，
４１…マスクブラインド駆動装置、２２，４２…反射
鏡、２３，４３…レンズ系、２４，４４…マスク、２
５，４５…マスクステージ、２６，４６…マスクステー
ジ駆動装置、２７，２８，４７，４８…マスクアライメ
ント系、５０…基板ステージ、５１…基板、５２…移動
鏡、５３…レーザ干渉計、５４…基板ステージ駆動装
置、６０…穴、６１…基準板、６２…リレーレンズ系、
６３…絞り、６５，６６…光源、６７…光源切り替え装
置、６８…光ファイバー束

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２つのマスクのパターンを基
板上に露光する露光装置において、第１のマスクの位置を検出する第１検出装置と、第２のマスクの位置を検出する第２検出装置と、前記第１検出装置と前記第２検出装置との検出結果に基
づいて、前記第１のマスクと前記第２のマスクとの少な
くとも一方の位置を調整する位置調整装置と、前記第１のマスクと前記第２のマスクとをほぼ同時に照
明する照明光学系とを備えたことを特徴とする露光装
置。
【請求項２】請求項１記載の露光装置において、前記第１のマスクの前記照明光学系による照明時間を制
御する第１のシャッターと、前記第２のマスクの前記照明光学系による照明時間を制
御する第２のシャッターと、前記第１のシャッターと前記第２のシャッターとを独立
に制御する制御装置とを備えたことを特徴とする露光装
置。
【請求項３】請求項１記載の露光装置において、前記基板は基板ステージに載置されており、前記第１のマスクの位置基準となる第１基準装置と、前
記第２のマスクの位置基準となる第２基準装置とを前記
基板ステージに配設したことを特徴とする露光装置。
【請求項４】請求項１記載の露光装置において、前記第１のマスクを照明する光源と前記第２のマスクを
照明する光源とは共通の光源であることを特徴とする露
光装置。
【請求項５】請求項１記載の露光装置において、前記照明光学系は、前記第１のマスクの照明領域を規定
する第１のブラインドと、前記第２のマスクの照明領域
を規定する第２のブラインドとを有しており、前記第１のマスクと前記第２のマスクとの少なくとも一
方の位置調整に応じて、前記第１のブラインドと前記第
２のブライドとの少なくとも一方の位置を調整するブラ
イド位置調整機構を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項６】複数のマスクのパターンを基板上に露光
する露光方法において、前記複数のマスクの相対位置を調整するステップと、前記複数のマスクをほぼ同時に照射するステップとを含
むことを特徴とする露光方法。
【請求項７】請求項６記載の露光方法において、前記基板の形状の変化に応じて前記複数のマスクのうち
の少なくとも１つのマスクの位置を調整するステップを
含むことを特徴とする露光方法。