JPH11167752A - Optical disc manufacturing method - Google Patents
Optical disc manufacturing methodInfo
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- JPH11167752A JPH11167752A JP9333829A JP33382997A JPH11167752A JP H11167752 A JPH11167752 A JP H11167752A JP 9333829 A JP9333829 A JP 9333829A JP 33382997 A JP33382997 A JP 33382997A JP H11167752 A JPH11167752 A JP H11167752A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングにより形成される保護層の厚
さに関して、ランド部とグルーブ部でその差を小さく
し、その結果、ランド部とグルーブ部に記録、消去、及
び再生を行う際のビーム強度の差が小さい光ディスクの
製造方法を提供する。
【解決手段】 ランド部とグルーブ部の両方に情報を記
録する光ディスクの製造方法であって、ランド部とグル
ーブ部が形成された基板の表面に、情報記録のための記
録層を保護するための保護層を形成する際、焼結誘電体
ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより前
記保護層を形成する。
(57) Abstract: The difference in thickness of a protective layer formed by sputtering between a land portion and a groove portion is reduced, and as a result, recording, erasing, and reproduction are performed on the land portion and the groove portion. Provided is a method for manufacturing an optical disc having a small difference in beam intensity at the time. A method of manufacturing an optical disc for recording information on both a land portion and a groove portion, the method comprising protecting a recording layer for recording information on a surface of a substrate on which the land portion and the groove portion are formed. When forming the protective layer, the protective layer is formed by performing sputtering using a sintered dielectric target.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの製造
方法に関するものであり、特に、光ディスクの構成要素
である薄膜のスパッタリングによる形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical disk, and more particularly to a method for forming a thin film as a component of an optical disk by sputtering.
【0002】[0002]
【従来の技術】高密度に情報を記録することが可能で、
かつ、高速に再生することが可能な光ディスクは、オー
ディオや画像の用途、更にコンピュータ用の記録媒体と
して注目されている。再生専用のCDはオーディオ用や
コンピュータ用として広く普及している。また、1回の
み情報の記録が可能なライトワンスタイプや、一旦記録
した情報を何度も書換えることが可能な書き換え可能タ
イプ(re-writableタイプ)も普及してきている。特
に、書き換え可能タイプの1種である光磁気ディスク
は、100万回以上の情報の書き換えが可能であり、主と
してコンピュータ用の記録媒体として普及が進んでい
る。2. Description of the Related Art Information can be recorded at high density.
In addition, optical discs capable of high-speed reproduction have attracted attention as applications for audio and images, and as recording media for computers. Read-only CDs are widely used for audio and computers. Also, a write-once type in which information can be recorded only once and a rewritable type (re-writable type) in which information once recorded can be rewritten many times have become widespread. In particular, a magneto-optical disk, which is one type of rewritable type, is capable of rewriting information more than one million times, and is becoming popular mainly as a recording medium for computers.
【0003】光ディスクには、その記録原理により、情
報を磁化の向きの形で記録する光磁気タイプや、情報を
結晶、非結晶の形で記録する相変化タイプ等に分類され
る。光ディスクには、記録再生装置の光ピックアップか
ら出射されるレーザービームを情報列に沿って導くため
の、即ち、トラッキングのためのガイドが凹または凸の
形でスパイラル状に形成されている。この凹または凸状
のガイドのことをガイド溝と呼ぶ。ISO規格において
は、ピックアップから見て凹部、即ち遠い側をランドと
呼び、逆にピックアップから見て凸部、即ち近い側をグ
ルーブと呼ぶ。従来、情報はランドまたはグルーブのい
ずれか一方に記録されており、ランドに記録する場合を
ランド記録方式、グルーブに記録する場合をグルーブ記
録方式と呼んでいる。そして、ランドの中心から隣りの
ランドの中心までの距離、またはグルーブの中心から隣
りのグルーブの中心までの距離をトラックピッチと呼ん
でいる。[0003] Optical discs are classified according to their recording principle into a magneto-optical type in which information is recorded in the form of magnetization and a phase change type in which information is recorded in a crystalline or non-crystalline form. A guide for guiding a laser beam emitted from an optical pickup of a recording / reproducing apparatus along an information sequence, that is, for tracking, is formed in the optical disk in a spiral shape in a concave or convex shape. This concave or convex guide is called a guide groove. In the ISO standard, a concave portion, that is, a far side when viewed from the pickup is called a land, and a convex portion, that is, a near side when viewed from the pickup is called a groove. Conventionally, information is recorded on either a land or a groove. Recording on a land is called a land recording method, and recording on a groove is called a groove recording method. The distance from the center of the land to the center of the adjacent land or the distance from the center of the groove to the center of the adjacent groove is called a track pitch.
【0004】近年、画像ファイルを光ディスクに記録す
る機会が増加し、そのために、光ディスクの記録容量を
大きくするという要求が高まってきている。即ち、光デ
ィスクの記録密度を上げる要求が高まっている。光ディ
スクの記録密度を上げるには、トラックピッチを詰める
のが効果的である。勿論、そのためには記録マーク幅を
小さくする必要がある。従来トラックピッチは1.6μm
が標準であったが、最近では、1.4μmや1.2μm、更に
1.0μmの狭いトラックピッチが提案されている。In recent years, the number of opportunities for recording image files on an optical disk has increased, and accordingly, there has been an increasing demand for increasing the recording capacity of the optical disk. That is, there is an increasing demand for increasing the recording density of optical disks. To increase the recording density of the optical disk, it is effective to reduce the track pitch. Of course, for this purpose, it is necessary to reduce the recording mark width. Conventional track pitch is 1.6μm
Was a standard, but recently, 1.4 μm and 1.2 μm,
A narrow track pitch of 1.0 μm has been proposed.
【0005】しかし、トラックピッチを狭くすると、隣
接したトラックに書き込まれた情報を同時に読み出して
しまう現象(光クロストークと呼んでいる)が起こる。
また、トラッキングに必要なトラッキング誤差信号がか
なり小さくなるので正確なトラッキングが困難になるこ
と等の問題が生じる。そこで、高密度に情報を記録する
ための別のアプローチとして、ランドグルーブ記録方式
が提案された。これは、これまでランドまたはグルーブ
のいずれか一方にしか情報を記録していなかったのに対
して、ランドとグルーブの両方に情報の記録を行うこと
で、トラックピッチを半分にして記録密度を高めるとい
うものである。例えば、ランド(またはグルーブ)の中
心から隣りのランド(またはグルーブ)の中心までの距
離が1.4μmの場合、ランドとグルーブの両方に記録を
行うことで、トラックピッチは0.7μmとなり記録密度
を実質的に2倍に高めることができる。[0005] However, when the track pitch is reduced, a phenomenon (referred to as optical crosstalk) occurs in which information written in adjacent tracks is simultaneously read.
In addition, since a tracking error signal required for tracking becomes considerably small, there arises a problem that accurate tracking becomes difficult. Therefore, a land-groove recording method has been proposed as another approach for recording information at high density. This is because information has been recorded only on either the land or the groove, but by recording information on both the land and the groove, the track pitch is reduced by half and the recording density is increased. That is. For example, when the distance from the center of a land (or groove) to the center of an adjacent land (or groove) is 1.4 μm, by performing recording on both the land and the groove, the track pitch becomes 0.7 μm and the recording density is substantially reduced. Can be doubled.
【0006】この方式においては、グルーブ深さを適当
な値にとれば、ランド(グルーブ)トラックを再生中
に、隣接するグルーブ(ランド)トラックの情報を同時
に読み出してしまうことを避けることができる。即ち、
光クロストークが起こるのを防止できるのである。ま
た、ランド(またはグルーブ)の中心間距離が小さい訳
ではないので、トラッキング誤差信号は十分な大きさを
確保することができる。In this method, if the groove depth is set to an appropriate value, it is possible to prevent information on adjacent groove (land) tracks from being simultaneously read during reproduction of a land (groove) track. That is,
Optical crosstalk can be prevented from occurring. In addition, since the distance between the centers of the lands (or grooves) is not small, the tracking error signal can secure a sufficient magnitude.
【0007】上記のように、光クロストークの防止とト
ラッキング誤差信号の維持については、一応の解決はで
きる。しかし、光記録では、光磁気タイプにしても相変
化タイプにしても、レーザービームの熱によりトラック
に情報の記録や消去が行われる。従って、トラックピッ
チが小さくなるに従って、あるトラックへの記録や消去
を行う際に発生する熱が隣接するトラックの温度を上昇
させる度合いが大きくなる。そして、ついには、隣接す
るトラックの情報を消去してしまう(クロスイレーズあ
るいは熱クロストークという)という問題が発生する。
トラックピッチをどこまで狭くできるかは、このクロス
イレーズによって決まる。ランド部とグルーブ部の段差
が40〜80nm程度の従来の光ディスクでは、光磁気タイプ
や相変化タイプで0.8μm程度、また、光変調オーバー
ライト光磁気タイプで0.9〜1.0μm程度までが限界であ
り、これ以上の狭いトラックは困難であると考えられて
いた。As described above, the prevention of optical crosstalk and the maintenance of the tracking error signal can be temporarily solved. However, in the optical recording, the information is recorded or erased on the track by the heat of the laser beam regardless of the magneto-optical type or the phase change type. Therefore, as the track pitch becomes smaller, the degree of heat generated when recording or erasing data on a certain track increases the temperature of an adjacent track increases. Eventually, there occurs a problem that information on an adjacent track is erased (referred to as cross erase or thermal crosstalk).
This cross erase determines how narrow the track pitch can be. Conventional optical discs with a step between land and groove of about 40 to 80 nm have a limit of about 0.8 μm for magneto-optical type and phase change type, and about 0.9 to 1.0 μm for optical modulation overwrite magneto-optical type. A narrower track than this was considered difficult.
【0008】この問題を解決したのが、ディープグルー
ブ(deep groove)である。即ち、ランドとグルーブの段
差を大きくすることで熱の移動距離を長くし、それによ
り、隣接するトラックへの熱の移動量を小さくしようと
するものである。非常に小さなマークを再生しようとす
ると、従来の再生ビームサイズでは、一度の複数のマー
クを再生してしまう(クロストーク)が起こる。従っ
て、必要な再生信号が得られない。そこで、メモリー層
とは別に再生層と呼ばれる磁性層を設けて、メモリー層
に記録された情報をマスクしておき、再生ビーム照射に
よって発生する温度分布のうちの一部の温度領域での
み、メモリー層の磁化を再生層に転写して再生するとい
う技術が提案されている。これを磁気超解像再生(MS
R)という。A solution to this problem is a deep groove. That is, the distance of heat transfer is increased by increasing the step between the land and the groove, thereby reducing the amount of heat transfer to an adjacent track. When trying to reproduce a very small mark, with the conventional reproduction beam size, a plurality of marks are reproduced at once (crosstalk). Therefore, a necessary reproduction signal cannot be obtained. Therefore, a magnetic layer called a reproduction layer is provided separately from the memory layer to mask the information recorded in the memory layer, and the memory is stored only in a part of the temperature range of the temperature distribution generated by the irradiation of the reproduction beam. A technique has been proposed in which the magnetization of a layer is transferred to a reproducing layer for reproduction. This is referred to as magnetic super-resolution reproduction (MS
R).
【0009】光ディスクは一般に、予めランドとグルー
ブに相当する凹凸が形成された透明な基板の上に、1層
または複数層の情報の記録のために機能する層(以下、
記録層という)と、この層を保護するための誘電体層が
積層されて形成され、更に、その上に樹脂による保護層
が形成されている。これらの記録層や保護層は、スパッ
タリングにより形成される。スパッタリングは、真空チ
ャンバー内に設置されたターゲットの表面をアルゴンイ
オンにより微細な粒子として叩き出し、その粒子を基板
上に付着させることで薄膜を形成する方法である。アル
ゴンイオンにより叩き出された粒子は放射状に飛散す
る。従って、基板上には、種々の角度から飛んできた粒
子が付着することになる。In general, an optical disk has a layer (hereinafter, referred to as a layer) that functions for recording one or more layers of information on a transparent substrate on which projections and depressions corresponding to lands and grooves are formed in advance.
A recording layer) and a dielectric layer for protecting this layer are laminated, and a protective layer of resin is further formed thereon. These recording layers and protective layers are formed by sputtering. Sputtering is a method in which the surface of a target placed in a vacuum chamber is struck out as fine particles with argon ions, and the particles are attached to a substrate to form a thin film. The particles hit by the argon ions scatter radially. Therefore, particles flying from various angles adhere to the substrate.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、既に説明し
たように、光ディスク基板の表面には、ランド部とグル
ーブ部の段差が形成されている。従って、スパッタリン
グの際、ターゲットから叩き出された粒子がランド部に
遮られるために、グルーブ部には付着しにくいという現
象が起こる。ランド部とグルーブ部の段差が、従来の光
ディスクのように小さい場合には、この現象は顕著では
ないので、特に大きな問題にはならない。しかし、ラン
ド部とグルーブ部の段差が大きくなるにしたがって、こ
の現象は顕著になる。即ち、ディープグルーブの光ディ
スクでは、ランド部に形成される薄膜の厚さに比べて、
グルーブ部に形成される薄膜がかなり薄くなる。この様
子を図3に示す。As described above, a step between a land portion and a groove portion is formed on the surface of an optical disk substrate. Therefore, at the time of sputtering, a phenomenon occurs in that particles struck out of the target are blocked by the lands, so that the particles hardly adhere to the grooves. When the step between the land portion and the groove portion is small as in a conventional optical disk, this phenomenon is not remarkable, so that it does not cause a serious problem. However, this phenomenon becomes more remarkable as the step between the land and the groove increases. That is, in the optical disk of the deep groove, compared with the thickness of the thin film formed on the land portion,
The thin film formed in the groove portion becomes considerably thin. This is shown in FIG.
【0011】このような光ディスクではランド部とグル
ーブ部で熱容量が大きく異なるため、同じ強度のビーム
を照射しても、照射部分の到達温度はランド部とグルー
ブ部で大きく異なる。従って、同じビーム強度でランド
部とグルーブ部に記録を行うと、記録マークの太さや長
さに違いが出てしまう。即ち、ランド部とグルーブ部
で、記録マークが形成される温度(記録感度)が異なる
のである。そこで、ランド部とグルーブ部において、共
に同じ状態の記録を行うには、それぞれに対して異なっ
たビーム強度を設定する必要がある。この問題は記録に
限らず消去においても同様であり、ランド部とグルーブ
部の段差が大きな光ディスクでは、消去ビーム強度をラ
ンド部とグルーブ部で変えなければならないという問題
がある。In such an optical disk, since the heat capacity of the land portion and the groove portion is largely different, even if a beam of the same intensity is irradiated, the temperature reached at the irradiated portion is largely different between the land portion and the groove portion. Therefore, if recording is performed on the land portion and the groove portion with the same beam intensity, the thickness and length of the recording mark will differ. That is, the temperature (recording sensitivity) at which a recording mark is formed differs between the land portion and the groove portion. Therefore, in order to record the same state in both the land portion and the groove portion, it is necessary to set different beam intensities for each. This problem applies not only to recording but also to erasure. In an optical disc having a large step between the land and the groove, there is a problem that the erasing beam intensity must be changed between the land and the groove.
【0012】既に説明したように、グルーブ部に比べて
ランド部の熱容量は大きいため、ランド部に記録や消去
を行う際には、グルーブ部に記録や消去を行う場合に比
べて相対的に大きな強度のビームを照射する必要があ
る。従って、ランド部では大量の熱が発生し、これがグ
ルーブ部へ流れる。グルーブ部の熱容量は小さいのでラ
ンド部から流れてくるわずかの熱によっても大きく温度
上昇する。この結果、グルーブに記録されていた情報が
消去されてしまうという問題が発生する。As described above, the heat capacity of the land is larger than that of the groove, so that recording or erasing on the land is relatively larger than when recording or erasing on the groove. It is necessary to irradiate an intense beam. Therefore, a large amount of heat is generated in the land portion and flows to the groove portion. Since the heat capacity of the groove portion is small, the temperature rises significantly even by a small amount of heat flowing from the land portion. As a result, there is a problem that information recorded in the groove is erased.
【0013】MSR再生を行う場合には、再生ビームに
よる温度分布を利用するため、ランド部とグルーブ部で
熱容量が大きく異なると、ランド部とグルーブ部で再生
ビーム強度を大きく変えなければならないという問題が
発生する。従って、ランド部とグルーブ部において、記
録、消去、及び再生の条件を同じにするには、記録層及
び保護層の厚さを同じにする必要がある。When performing MSR reproduction, the temperature distribution due to the reproduction beam is used. Therefore, if the heat capacity of the land and the groove is largely different, the intensity of the reproduction beam must be largely changed between the land and the groove. Occurs. Therefore, in order to make the recording, erasing, and reproducing conditions the same in the land portion and the groove portion, it is necessary to make the thicknesses of the recording layer and the protective layer the same.
【0014】本発明は上記問題点を解決し、スパッタリ
ングにより保護層を形成する際、ランド部とグルーブ部
で厚さの差を小さくし、その結果、ランド部とグルーブ
部に記録、消去、及び再生を行う際のビーム強度の差が
小さい光ディスクの製造方法を提供することを目的とす
る。The present invention solves the above problems, and when forming a protective layer by sputtering, reduces the difference in thickness between a land portion and a groove portion. As a result, recording, erasing, and recording on the land portion and the groove portion are performed. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an optical disk having a small difference in beam intensity when performing reproduction.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、ランド部とグルーブ部の両方に情報を記録する光デ
ィスクの製造方法であって、ランド部とグルーブ部が形
成された基板の表面に、情報記録のための記録層を保護
するための保護層を形成する際、焼結誘電体ターゲット
を用いてスパッタリングを行うことにより前記保護層を
形成することを特徴とする。このような構成により、保
護層の成膜の際、ターゲットからスパッタされた粒子は
基板に対して平行な方向の成分が小さくなり、その結
果、ランド部とグルーブ部における保護層の厚さの差を
小さくすることができる。即ち、反応性スパッタリング
のようにターゲットから飛び出した粒子が反応性ガスに
よって散乱されることがないのである。An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical disk for recording information on both a land portion and a groove portion, wherein the surface of the substrate on which the land portion and the groove portion are formed is provided. Furthermore, when forming a protective layer for protecting a recording layer for information recording, the protective layer is formed by performing sputtering using a sintered dielectric target. With this configuration, when the protective layer is formed, particles sputtered from the target have a small component in a direction parallel to the substrate, and as a result, the difference in the thickness of the protective layer between the land and the groove is reduced. Can be reduced. That is, unlike the reactive sputtering, the particles that jump out of the target are not scattered by the reactive gas.
【0016】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の光ディスクの製造方法において、ランド部とグルーブ
部の段差は80〜600 nmであることを特徴とする。このよ
うな構成により、ランド部とグルーブ部の段差の大きな
基板に対しても、ランド部とグルーブ部でそれぞれ形成
される保護層の厚さの差を小さくすることができる。請
求項3に記載の発明は、請求項1及び2に記載の光ディ
スクの製造方法において、焼結誘電体ターゲットは窒化
シリコンターゲット(Si3N4)であることを特徴とす
る。このような構成により、保護層の成膜の際、ターゲ
ットからスパッタされた粒子は基板に対して平行な方向
の成分が小さくなり、その結果、ランド部とグルーブ部
における保護層の厚さの差を小さくすることができる。According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical disk according to the first aspect, the step between the land and the groove is 80 to 600 nm. With this configuration, the difference in the thickness of the protective layer formed between the land and the groove can be reduced even for a substrate having a large step between the land and the groove. According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical disk according to the first or second aspect, the sintered dielectric target is a silicon nitride target (Si3N4). With this configuration, when the protective layer is formed, particles sputtered from the target have a small component in a direction parallel to the substrate, and as a result, the difference in the thickness of the protective layer between the land and the groove is reduced. Can be reduced.
【0017】請求項4に記載の発明は、請求項1、2及
び3に記載の光ディスクの製造方法において、スパッタ
リングを行うことにより前記保護層を形成する際、基板
または基板ホルダーにバイアス電圧を印加することを特
徴とする。このような構成により、ターゲットからスパ
ッタされた粒子は基板に対して垂直方向に加速されるの
で、斜め方向の速度成分の影響が小さくなる。この結
果、グルーブ部にも保護層が形成されやすくなり、ラン
ド部とグルーブ部でそれぞれ形成される保護層の厚さの
差を小さくすることができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical disk according to the first, second and third aspects, a bias voltage is applied to the substrate or the substrate holder when the protective layer is formed by performing sputtering. It is characterized by doing. With such a configuration, the particles sputtered from the target are accelerated in a direction perpendicular to the substrate, so that the influence of the velocity component in the oblique direction is reduced. As a result, the protective layer is easily formed also in the groove portion, and the difference in the thickness of the protective layer formed in each of the land portion and the groove portion can be reduced.
【0018】請求項5に記載の発明は、請求項1、2、
3及び4に記載の光ディスクの製造方法において、スパ
ッタリングを行うことにより前記保護層を形成する際
に、基板は静止状態であることを特徴とする。このよう
な構成により、ターゲットからスパッタされた粒子が基
板に対して直角な方向に運動する関係が保たれるので、
ランド部とグルーブ部でそれぞれ形成される保護層の厚
さの差をより小さくすることができる。[0018] The invention according to claim 5 is the invention according to claims 1, 2,
The method for manufacturing an optical disk according to any one of Items 3 and 4, wherein the substrate is stationary when the protective layer is formed by performing sputtering. With such a configuration, the relationship that particles sputtered from the target move in a direction perpendicular to the substrate is maintained,
The difference in the thickness of the protective layer formed between the land and the groove can be further reduced.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける実施の形態を説明する。図1は、本発明に係る光デ
ィスクの製造方法に用いるスパッタリング装置の概念図
である。図1のスパッタリング装置は、真空チャンバー
1、真空ポンプ2、スパッタリングガス導入部3、カソ
ード4、基板ホルダー5、放電用RF電源6、バイアス
用直流電源7、及びガス圧計8からなる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram of a sputtering apparatus used in the method for manufacturing an optical disk according to the present invention. 1 includes a vacuum chamber 1, a vacuum pump 2, a sputtering gas inlet 3, a cathode 4, a substrate holder 5, an RF power source 6 for discharge, a DC power source 7 for bias, and a gas pressure gauge 8.
【0020】真空チャンバー1の内部には、カソード4
と基板ホルダー5が装備されており、カソード4にはタ
ーゲットTが、また、基板ホルダー5には基板Sがそれ
ぞれ取付け可能となっている。真空ポンプ2は真空チャ
ンバー1内の空気を排気して圧力を下げる。また、真空
チャンバー1には、1個ないし複数個のスパッタリング
ガス導入部3が取付けられており、これらにより真空チ
ャンバー1内にスパッタリングガスあるいは反応性ガス
を供給できるようになっている。放電用RF電源6は、
カソードを通じターゲットにRF電圧を印加する。バイ
アス用直流電源7は、基板ホルダー5に直流電圧を印加
する。ガス圧計8は真空チャンバー内の圧力を指示す
る。Inside the vacuum chamber 1, a cathode 4 is provided.
And a substrate holder 5. A target T can be mounted on the cathode 4, and a substrate S can be mounted on the substrate holder 5. The vacuum pump 2 exhausts the air in the vacuum chamber 1 to lower the pressure. The vacuum chamber 1 is provided with one or more sputtering gas inlets 3 so that a sputtering gas or a reactive gas can be supplied into the vacuum chamber 1. The discharge RF power source 6
An RF voltage is applied to the target through the cathode. The bias DC power supply 7 applies a DC voltage to the substrate holder 5. Gas pressure gauge 8 indicates the pressure in the vacuum chamber.
【0021】放電用RF電源6によりカソードを通じタ
ーゲットにRF電圧を印加すると、プラズマ状態となっ
たスパッタリングガス(例えばアルゴンガス)が、ター
ゲット表面に衝突しターゲット材料の粒子を叩き出す。
本発明の光ディスク製造方法では、スパッタリングを行
う際、バイアス用直流電源7により基板ホルダーに直流
電圧(バイアス電圧)を印加する。When an RF voltage is applied to the target from the discharge RF power supply 6 through the cathode, the plasma-generated sputtering gas (eg, argon gas) collides with the target surface and strikes out particles of the target material.
In the optical disk manufacturing method of the present invention, a DC voltage (bias voltage) is applied to the substrate holder by the bias DC power supply 7 when performing sputtering.
【0022】図2は、図1に示したスパッタリング装置
を用いて本発明の光ディスクの製造方法により作製した
光ディスクの構造を示す垂直断面図である。図2に示す
ように、従来の製造方法により作製した光ディスク(図
3に示す)に比べて、ランド部とグルーブ部での形成さ
れる薄膜の厚さの差が小さい。FIG. 2 is a vertical sectional view showing the structure of an optical disk manufactured by the method of manufacturing an optical disk according to the present invention using the sputtering apparatus shown in FIG. As shown in FIG. 2, the difference in the thickness of the thin film formed between the land portion and the groove portion is smaller than that of the optical disk manufactured by the conventional manufacturing method (shown in FIG. 3).
【0023】[0023]
【実施例1】(光磁気ディスクの作製)スパッタリング
装置を用意する。このスパッタリング装置は、図1に示
すスパッタリング装置が複数連続し、1つの真空チャン
バーから他の真空チャンバーに真空状態を保ったまま移
動できる構成となっている。真空チャンバー1内のカソ
ード4には、焼結窒化シリコンターゲットが装着されて
おり、また別の真空チャンバー1の一つの内部のカソー
ド4には、磁性材料としての、2種類のGdFeCoターゲッ
ト、GdFeターゲット、及びTbFeCoターゲットが装着され
ている。カソード4には放電用RF電源6によりRF電
圧を印加することができる。また、別のDC(図示せ
ず)電源によりDC電圧を印加することもできる。Embodiment 1 (Production of a magneto-optical disk) A sputtering apparatus is prepared. This sputtering apparatus has a configuration in which a plurality of the sputtering apparatuses shown in FIG. 1 are continuous and can be moved from one vacuum chamber to another vacuum chamber while maintaining a vacuum state. A sintered silicon nitride target is mounted on the cathode 4 in the vacuum chamber 1, and two types of GdFeCo target and GdFe target as magnetic materials are mounted on the cathode 4 inside one vacuum chamber 1. , And a TbFeCo target. An RF voltage can be applied to the cathode 4 by a discharge RF power supply 6. Alternatively, a DC voltage can be applied by another DC (not shown) power supply.
【0024】次に、表面にランド部とグルーブ部の段差
が50 nmから800 nmの範囲の種々の大きさを有する複数
の種類の光ディスク用基板を用意する。これらの基板の
ランド及びグルーブのピッチは1.4μmであり、スパイ
ラル状に形成されている。次に、真空チャンバー1内に
装備されている基板ホルダー5に、上記基板をセット
し、真空チャンバー1内を真空ポンプ2により、1×ex
p(−6)Pa以下の真空度まで排気する。次に、アルゴ
ンガスをチャンバー内に導入し、真空チャンバー1内の
圧力を3×exp(−3)Paとし、この状態で焼結窒化シ
リコンターゲットによりスパッタリングを行い、窒化シ
リコンによる保護層を厚さ75 nm形成する。この際、放
電用RF電源6への投入電力を600Wとし、バイアス電
圧は印加しない。窒化シリコンは絶縁体であるため、R
F電源によってのみ放電が起こり、それによりスパッタ
リングを行うことが可能だからである。即ち、DC電源
ではスパッタリングを行うことができない。Next, a plurality of types of optical disc substrates having various sizes having a step between the land portion and the groove portion on the surface in the range of 50 nm to 800 nm are prepared. The land and groove pitches of these substrates are 1.4 μm, and are formed in a spiral shape. Next, the above substrate is set on a substrate holder 5 provided in the vacuum chamber 1, and the inside of the vacuum chamber 1 is subjected to 1 × ex by a vacuum pump 2.
Evacuate to a vacuum of p (-6) Pa or less. Next, an argon gas is introduced into the chamber, the pressure in the vacuum chamber 1 is set to 3 × exp (−3) Pa, and sputtering is performed in this state using a sintered silicon nitride target to form a silicon nitride protective layer having a thickness of 3 nm. Form 75 nm. At this time, the power supplied to the discharge RF power supply 6 is set to 600 W, and no bias voltage is applied. Since silicon nitride is an insulator, R
This is because discharge occurs only by the F power source, and sputtering can be performed by that. That is, sputtering cannot be performed with a DC power supply.
【0025】次に、基板キャリアを別の真空チャンバー
に移動し、再びアルゴンガスを導入してチャンバー内の
圧力を5×exp(−3)Paとする。この状態でGdFeCoの
合金ターゲットによりスパッタリングを行い、Gd25Fe60
Co15(原子%で、Gd25%、Fe60%、Co15%、以下同じ)
による再生層を窒化シリコン層の上に厚さ30 nm形成す
る。この際、放電用RF電源6への投入電力を400Wと
し、また、バイアス用直流電源7により20Vの直流電圧
を基板ホルダー5に印加する。Next, the substrate carrier is moved to another vacuum chamber, and argon gas is introduced again to make the pressure in the chamber 5 × exp (−3) Pa. In this state, sputtering is performed with a GdFeCo alloy target, and Gd25Fe60
Co15 (atomic%, Gd25%, Fe60%, Co15%, and so on)
A 30 nm thick reproducing layer is formed on the silicon nitride layer. At this time, the power supplied to the discharge RF power supply 6 is set to 400 W, and a DC voltage of 20 V is applied to the substrate holder 5 by the bias DC power supply 7.
【0026】次に、アルゴンガスを導入してチャンバー
内の圧力を5×exp(−3)Paとした状態で、GdFeの合
金ターゲットによりスパッタリングを行い、Gd29Fe71に
よる中間層を再生層の上に厚さ50 nm形成する。この
際、放電用RF電源6への投入電力を400Wとし、ま
た、バイアス用直流電源7により20Vの直流電圧を基板
ホルダー5に印加する。Next, sputtering is performed with a GdFe alloy target in a state in which an argon gas is introduced and the pressure in the chamber is set to 5 × exp (−3) Pa, so that an intermediate layer of Gd29Fe71 is formed on the reproducing layer. Form 50 nm thick. At this time, the power supplied to the discharge RF power supply 6 is set to 400 W, and a DC voltage of 20 V is applied to the substrate holder 5 by the bias DC power supply 7.
【0027】次に、アルゴンガスを導入してチャンバー
内の圧力を5×exp(−3)Paとした状態で、TbFeCoの
合金ターゲットによりスパッタリングを行い、Tb21Fe63
Co16によるメモリー層を中間層の上に厚さ50 nm形成す
る。この際、放電用RF電源6への投入電力を400Wと
し、また、バイアス用直流電源7により20Vの直流電圧
を基板ホルダー5に印加する。Next, sputtering is performed with a TbFeCo alloy target in a state in which an argon gas is introduced and the pressure in the chamber is set to 5 × exp (−3) Pa, to obtain Tb21Fe63.
A memory layer of Co16 is formed to a thickness of 50 nm on the intermediate layer. At this time, the power supplied to the discharge RF power supply 6 is set to 400 W, and a DC voltage of 20 V is applied to the substrate holder 5 by the bias DC power supply 7.
【0028】次に、最初の窒化シリコンによる保護層の
成膜と同様の手順により、窒化シリコンによる保護層を
メモリー層の上に厚さ70nm成膜する。即ち、バイアス電
圧は印加しない。以上の手順でスパッタリングによる成
膜を行った後、更に樹脂保護膜を塗布して、磁気超解像
再生(MSR)可能な光磁気ディスクを作製する。 (記録)次に、光磁気記録再生装置を用意する。この装
置は、波長680nmの半導体レーザ光源と開口数(N.A.)
=0.55の光学系を持つ光ピックアップを装備している。
また、ディスクを回転させるためのスピンドルモータ
ー、磁界印加部、及び信号処理回路も装備している。Next, a protective layer made of silicon nitride is formed to a thickness of 70 nm on the memory layer in the same procedure as the first formation of the protective layer made of silicon nitride. That is, no bias voltage is applied. After the film is formed by sputtering according to the above procedure, a resin protective film is further applied to manufacture a magneto-optical disk capable of magnetic super-resolution reproduction (MSR). (Recording) Next, a magneto-optical recording / reproducing apparatus is prepared. This device uses a 680 nm wavelength semiconductor laser light source and a numerical aperture (NA).
An optical pickup with an optical system of 0.55 is equipped.
It also has a spindle motor for rotating the disk, a magnetic field application unit, and a signal processing circuit.
【0029】種々のランド部とグルーブ部の段差を有す
る作製した光磁気ディスクを光磁気記録再生装置にセッ
トして、9.0m/sの線速度で回転させる。ランド部にトラ
ッキングしながら9.0mWの強度のレーザービームを光ピ
ックアップの光学系により集光して光磁気ディスクに照
射する。同時に、消去方向に300 Oeの強さの磁界を印加
して、ランド部のメモリー層の磁化方向を消去方向に一
方向に揃えて初期化を行う。A magneto-optical disk having various land and groove steps is set in a magneto-optical recording / reproducing apparatus and rotated at a linear velocity of 9.0 m / s. While tracking the land, a laser beam of 9.0 mW intensity is condensed by the optical system of the optical pickup and irradiated to the magneto-optical disk. At the same time, a magnetic field having a strength of 300 Oe is applied in the erasing direction, and the magnetization direction of the memory layer in the land is aligned in one direction in the erasing direction, thereby performing initialization.
【0030】次に、グルーブ部にトラッキングをかけな
がら同様の動作を行い、グルーブ部のメモリー層の磁化
方向を消去方向に一方向に揃えて初期化を行う。次に、
ランド部にトラッキングしながら、レーザービームをラ
ンドにおける最適記録レベルと1.0mWの間で15 MHzデュ
ーティー比50%でパルス変調しながら光磁気ディスクに
照射し、長さ0.3μmの単一周期のマークを記録する。Next, the same operation is performed while tracking the groove portion, and the magnetization direction of the memory layer in the groove portion is aligned with the erasing direction in one direction for initialization. next,
While tracking the land, the laser beam is irradiated to the magneto-optical disk while pulse-modulating it at a 15 MHz duty ratio of 50% between the optimum recording level on the land and 1.0 mW to form a single-period mark of 0.3 μm length Record.
【0031】次に、グルーブ部にトラッキングしなが
ら、レーザービームをグルーブにおける最適記録レベル
と1.0mWの間で15 MHzデューティー比50%でパルス変調
しながら光磁気ディスクに照射し、長さ0.3μmの単一
周期のマークを記録する。 (再生による評価)マークを記録したランド部にトラッ
キングしながら、レーザービームを光磁気ディスクに照
射して再生を行い、再生信号のC/N(キャリアレベル
/ノイズレベル)値を測定する。この際、再生レーザー
ビーム強度を1.5mWから0.1mWおきに4.0mWまで増加させ
て、各強度におけるC/N値を評価する。Next, while tracking the groove portion, the laser beam is irradiated on the magneto-optical disk while pulse-modulating the laser beam between the optimum recording level in the groove and 1.0 mW at a duty ratio of 50% at a 15 MHz duty cycle. Record a single cycle mark. (Evaluation by reproduction) A laser beam is irradiated to the magneto-optical disk while tracking the land where the mark is recorded, reproduction is performed, and the C / N (carrier level / noise level) value of the reproduction signal is measured. At this time, the reproducing laser beam intensity is increased from 1.5 mW to 4.0 mW at intervals of 0.1 mW, and the C / N value at each intensity is evaluated.
【0032】次に、マークを記録したグルーブ部にトラ
ッキングしながら、レーザービームを光磁気ディスクに
照射して再生を行い、再生信号のC/N(キャリアレベ
ル/ノイズレベル)値を測定する。この際、再生レーザ
ービーム強度を2.0mWから0.1mWおきに4.0mWまで増加さ
せて、各強度におけるC/N値を評価する。これらの結
果を図4に示す。図4は、ランド部とグルーブ部の段差
が60〜600 nmのサンプルの再生信号C/Nを示してい
る。図4において、再生ビーム強度が低い場合にC/N
値が低いのは、MSR再生が行われないために、再生層
にメモリー層の磁化が転写されないためと考えられる。
また、再生ビーム強度が高い場合にC/N値が低いの
は、再生ビームスポット内の全域で高温になってしまう
ためにMSR再生が行われなくなるためと考えられる。Next, a laser beam is applied to the magneto-optical disk to perform reproduction while tracking the groove portion where the mark is recorded, and the C / N (carrier level / noise level) value of the reproduced signal is measured. At this time, the reproducing laser beam intensity is increased from 2.0 mW to 4.0 mW every 0.1 mW, and the C / N value at each intensity is evaluated. These results are shown in FIG. FIG. 4 shows the reproduction signal C / N of a sample in which the step between the land and the groove is 60 to 600 nm. In FIG. 4, when the reproduction beam intensity is low, C / N
It is considered that the value is low because the magnetization of the memory layer is not transferred to the reproduction layer because the MSR reproduction is not performed.
Also, the reason why the C / N value is low when the reproducing beam intensity is high is considered to be that MSR reproduction is not performed because the temperature in the entire area of the reproducing beam spot becomes high.
【0033】図4より、本発明の光ディスクの製造方法
により作製した光ディスクでは、ランドにおける最適再
生ビーム強度とグルーブにおける最適再生ビーム強度は
共に約3.0mWであり、両者の差は極めて小さい。これ
は、ランド部とグルーブ部での熱容量の違いが小さい、
即ち、両者における薄膜の厚さの差が小さいことを示し
ている。勿論、最適記録ビーム強度及び最適消去ビーム
強度も、ランド部とグルーブ部での差は極めて小さい。FIG. 4 shows that in the optical disk manufactured by the optical disk manufacturing method of the present invention, the optimum reproduction beam intensity at the land and the optimum reproduction beam intensity at the groove are both about 3.0 mW, and the difference between the two is extremely small. This is because the difference in heat capacity between land and groove is small.
That is, the difference between the thicknesses of the thin films is small. Of course, the difference between the optimum recording beam intensity and the optimum erasing beam intensity between the land portion and the groove portion is extremely small.
【0034】なお、ランド部とグルーブ部の段差が600
nmを超えたサンプルでは、ランド部及びグルーブ部にお
ける再生ビーム強度の際適値の隔たりが大きくなる。こ
れは、ランド部とグルーブ部の段差が600 nmを超える範
囲では、グルーブ部に保護層が形成されにくくなり、ラ
ンド部とグルーブ部における熱容量が大きく異なるため
と考えられる。Note that the step between the land and the groove is 600
In the case of the sample exceeding nm, the gap between the appropriate values of the reproduction beam intensity in the land portion and the groove portion becomes large. This is presumably because when the step between the land and the groove exceeds 600 nm, a protective layer is hardly formed on the groove and the heat capacity of the land and the groove greatly differs.
【0035】[0035]
【実施例2】(光磁気ディスクの作製)実施例と同じ図
1に示すスパッタリング装置を用い、また、実施例と同
じ光ディスク用基板を用いて光磁気ディスクを作製す
る。次に、保護層を形成するが、このとき実施例1と比
較して次の内容のみを変更する。即ち、バイアス用直流
電源7により30Vの直流電圧を基板ホルダー5に印加す
る。Embodiment 2 (Preparation of a magneto-optical disk) A magneto-optical disk is manufactured by using the same sputtering apparatus shown in FIG. 1 as in the embodiment, and using the same optical disk substrate as in the embodiment. Next, a protective layer is formed. At this time, only the following contents are changed as compared with the first embodiment. That is, a DC voltage of 30 V is applied to the substrate holder 5 by the DC power supply 7 for bias.
【0036】次に、基板キャリアを別の真空チャンバー
に移動し、実施例1と同じ条件で、再生層、中間層、及
びメモリー層を形成する。次に、最初の窒化シリコン層
の成膜と同様の手順により、窒化シリコン層をメモリー
層の上に厚さ70nm成膜する。即ち、バイアス用直流電源
7により30Vの直流電圧を基板ホルダー5に印加する。Next, the substrate carrier is moved to another vacuum chamber, and a reproducing layer, an intermediate layer, and a memory layer are formed under the same conditions as in the first embodiment. Next, a silicon nitride layer is formed to a thickness of 70 nm on the memory layer by the same procedure as that for forming the first silicon nitride layer. That is, a DC voltage of 30 V is applied to the substrate holder 5 by the DC power supply 7 for bias.
【0037】以上の手順でスパッタリングによる成膜を
行った後、更に樹脂保護膜を塗布して、磁気超解像再生
(MSR)可能な光磁気ディスクを作製する。 (記録及び再生による評価)上記の光磁気ディスクを、
実施例1と全く同様にして、記録を行い、それを再生し
てC/N値を評価する。After forming a film by sputtering according to the above procedure, a resin protective film is further applied to manufacture a magneto-optical disk capable of magnetic super resolution reproduction (MSR). (Evaluation by recording and reproduction)
Recording is performed in exactly the same manner as in Example 1, and is reproduced to evaluate the C / N value.
【0038】これらの結果を図5に示す。図5は、ラン
ド部とグルーブ部の段差が60〜600nmのサンプルの再生
信号C/Nを示している。図5において、再生ビーム強
度が低い場合にC/N値が低いのは、MSR再生が行わ
れないために、再生層にメモリー層の磁化が転写されな
いためと考えられる。また、再生ビーム強度が高い場合
にC/N値が低いのは、再生ビームスポット内の全域で
高温になってしまうためにMSR再生が行われなくなる
ためと考えられる。これらは図4についての説明と同様
である。FIG. 5 shows the results. FIG. 5 shows the reproduction signal C / N of a sample in which the step between the land and the groove is 60 to 600 nm. In FIG. 5, the reason why the C / N value is low when the reproduction beam intensity is low is considered that the magnetization of the memory layer is not transferred to the reproduction layer because the MSR reproduction is not performed. Also, the reason why the C / N value is low when the reproducing beam intensity is high is considered to be that MSR reproduction is not performed because the temperature in the entire area of the reproducing beam spot becomes high. These are the same as those described with reference to FIG.
【0039】図5より、本発明の光ディスクの製造方法
により作製した光ディスクでは、ランドにおける最適再
生ビーム強度とグルーブにおける最適再生ビーム強度は
共に約3.0mWであり、両者の差は図4に比較して更に小さ
い。これは、ランド部とグルーブ部での熱容量の違いが
更に小さい、即ち、両者における保護層の厚さの差が更
に小さいことによるものと考えられる。勿論、最適記録
ビーム強度及び最適消去ビーム強度も、ランド部とグル
ーブ部での差は更に小さくなっている。FIG. 5 shows that in the optical disk manufactured by the optical disk manufacturing method of the present invention, the optimum reproduction beam intensity in the land and the optimum reproduction beam intensity in the groove are both about 3.0 mW, and the difference between the two is compared with FIG. And even smaller. This is probably because the difference in heat capacity between the land portion and the groove portion is smaller, that is, the difference in the thickness of the protective layer between the land portion and the groove portion is smaller. Of course, the difference between the optimum recording beam intensity and the optimum erasing beam intensity between the land portion and the groove portion is further reduced.
【0040】[0040]
【比較例】(光磁気ディスクの作製)実施例と同じ図1
に示すスパッタリング装置を用い、また、実施例と同じ
光ディスク用基板を用いて光磁気ディスクを作製する。
保護層を形成する際、焼結ではない通常の窒化シリコン
ターゲットを用いること以外は、実施例と同様にして光
磁気ディスクを作製する。Comparative Example (Production of Magneto-Optical Disk) FIG. 1 Same as Example
A magneto-optical disk is manufactured by using the sputtering apparatus shown in FIG.
When forming the protective layer, a magneto-optical disk is manufactured in the same manner as in the example except that a normal silicon nitride target that is not sintered is used.
【0041】次に、最初の窒化シリコン層の成膜と同様
にスパッタリングを行い、窒化シリコン層をメモリー層
の上に厚さ70nm成膜する。即ち、焼結ではない通常の窒
化シリコンターゲットを用いる。以上の手順でスパッタ
リングによる成膜を行った後、更に樹脂保護膜を塗布し
て、磁気超解像再生(MSR)可能な光磁気ディスクを
作製する。 (記録及び再生による評価)上記の光磁気ディスクを、
実施例1と全く同様にして、記録を行い、それを再生し
てC/N値を評価する。Next, sputtering is performed in the same manner as the first formation of the silicon nitride layer, and a silicon nitride layer is formed to a thickness of 70 nm on the memory layer. That is, a normal non-sintered silicon nitride target is used. After the film is formed by sputtering according to the above procedure, a resin protective film is further applied to manufacture a magneto-optical disk capable of magnetic super-resolution reproduction (MSR). (Evaluation by recording and reproduction)
Recording is performed in exactly the same manner as in Example 1, and is reproduced to evaluate the C / N value.
【0042】その結果を図6に示す。図6は、ランド部
とグルーブ部の段差が60〜600 nmのサンプルの再生信号
C/Nを示している。図6より、比較例の光ディスクで
は、ランドにおける最適再生ビーム強度は3.0mWである
のに対して、グルーブにおける最適再生ビーム強度は2.
7mWとなり、両者に大きな違いが生じることがわかる。
これは、ランド部の熱容量に比べてグルーブ部での熱容
量が小さい、即ち、ランド部の薄膜に比べてグルーブ部
の保護層の厚さが小さいことを示している。勿論、最適
記録ビーム強度及び最適消去ビーム強度も、ランド部に
比べてグルーブ部ではかなり小さくなっている。FIG. 6 shows the result. FIG. 6 shows a reproduction signal C / N of a sample in which the step between the land portion and the groove portion is 60 to 600 nm. As shown in FIG. 6, in the optical disk of the comparative example, the optimum reproduction beam intensity in the land was 3.0 mW, while the optimum reproduction beam intensity in the groove was 2.
It is 7 mW, and it can be seen that there is a great difference between the two.
This indicates that the heat capacity of the groove portion is smaller than the heat capacity of the land portion, that is, the thickness of the protective layer of the groove portion is smaller than the thin film of the land portion. Of course, the optimum recording beam intensity and the optimum erasing beam intensity are considerably smaller in the groove portion than in the land portion.
【0043】なお、ランド部とグルーブ部の段差が60 n
mより小さいサンプルでは、ランド部及びグルーブ部に
おける再生ビーム強度の際適値の隔たりが小さくなる。
これは、ランド部とグルーブ部の段差が60 nmより小さ
いサンプルでは、そもそもグルーブ部に薄膜が形成され
やすいので、ランド部とグルーブ部における熱容量が小
さいためと考えられる。ランド部とグルーブ部の段差が
600 nmを超えたサンプルでは、ランド部及びグルーブ部
における再生ビーム強度の際適値の隔たりが更に大きく
なることは言うまでもない。Note that the step between the land and the groove is 60 n.
For samples smaller than m, the gap between the appropriate values of the reproduction beam intensity at the lands and grooves is small.
This is presumably because in the sample in which the step between the land portion and the groove portion is smaller than 60 nm, a thin film is easily formed in the groove portion in the first place, so that the heat capacity in the land portion and the groove portion is small. The step between the land and groove is
Needless to say, in the case of a sample exceeding 600 nm, the gap between the appropriate values of the reproduction beam intensity in the land portion and the groove portion is further increased.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明では、ランド部とグルーブ部が形成された基板の表
面に、情報記録のための記録層を保護するための保護層
を形成する際、焼結誘電体ターゲットを用いてスパッタ
リングを行う。それにより、ターゲットからスパッタさ
れた粒子は基板に対して平行な方向の成分が小さくでき
る。その結果、ランド部とグルーブ部で保護層の厚さの
差の小さい光ディスクを提供することが可能となる。As described above, according to the first aspect of the present invention, a protective layer for protecting a recording layer for information recording is formed on the surface of a substrate on which lands and grooves are formed. At this time, sputtering is performed using a sintered dielectric target. Thereby, the components of the particles sputtered from the target in the direction parallel to the substrate can be reduced. As a result, it is possible to provide an optical disc having a small difference in the thickness of the protective layer between the land and the groove.
【0045】請求項2に記載の発明では、ランド部とグ
ルーブ部の段差は80〜600 nmである。それにより、ラン
ド部とグルーブ部の段差の大きい光ディスクであって
も、ランド部とグルーブ部で保護層の厚さの差の小さい
光ディスクを提供することが可能となる。請求項3に記
載の発明では、保護層を形成するために用いるターゲッ
トは焼結窒化シリコンによるものである。それにより、
保護層の成膜の際、ターゲットからスパッタされた粒子
は基板に対して平行な方向の成分が小さくなる。その結
果、ランド部とグルーブ部で薄膜の厚さの差の小さい光
ディスクを提供することが可能となる。According to the second aspect of the invention, the step between the land and the groove is 80 to 600 nm. This makes it possible to provide an optical disc having a small difference in the thickness of the protective layer between the land and the groove, even if the optical disc has a large step between the land and the groove. According to the third aspect of the present invention, the target used for forming the protective layer is made of sintered silicon nitride. Thereby,
During the formation of the protective layer, particles sputtered from the target have a small component in a direction parallel to the substrate. As a result, it is possible to provide an optical disk having a small difference in the thickness of the thin film between the land and the groove.
【0046】請求項4に記載の発明では、スパッタリン
グにより保護層を形成する際、基板または基板ホルダー
にバイアス電圧を印加する。それにより、ターゲットか
らスパッタされた粒子は基板に対して垂直方向に加速さ
れるので、斜め方向の速度成分の影響が小さくなる。そ
の結果、グルーブ部にも保護層が形成されやすくなり、
ランド部とグルーブ部でそれぞれ形成される保護層の厚
さの差を小さくすることができる。According to the fourth aspect of the present invention, when forming the protective layer by sputtering, a bias voltage is applied to the substrate or the substrate holder. Thereby, the particles sputtered from the target are accelerated in a direction perpendicular to the substrate, so that the influence of the oblique velocity component is reduced. As a result, a protective layer is easily formed also in the groove portion,
The difference in the thickness of the protective layer formed between the land and the groove can be reduced.
【0047】請求項5に記載の発明では、情報記録のた
めの記録層や保護層をスパッタリングにより形成する
際、基板は静止状態である。それにより、ターゲットか
らスパッタされた粒子が基板に対して直角な方向に運動
する関係が保たれる。その結果、ランド部とグルーブ部
で保護層の厚さの差の小さい光ディスクを提供すること
が可能となる。According to the fifth aspect of the present invention, when forming a recording layer or a protective layer for information recording by sputtering, the substrate is in a stationary state. Thereby, the relation that the particles sputtered from the target move in the direction perpendicular to the substrate is maintained. As a result, it is possible to provide an optical disc having a small difference in the thickness of the protective layer between the land and the groove.
【図1】 本発明に係る光ディスクの製造方法に用いる
スパッタリング装置の基本的な構成を示す概念図であ
る。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a basic configuration of a sputtering apparatus used for a method of manufacturing an optical disc according to the present invention.
【図2】 本発明の光ディスクの製造方法により作製し
た光ディスクの構造を説明する垂直断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view illustrating the structure of an optical disk manufactured by the method for manufacturing an optical disk of the present invention.
【図3】 従来技術の光ディスクの製造方法により作製
した光ディスクの構造を説明する垂直断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view illustrating a structure of an optical disk manufactured by a conventional optical disk manufacturing method.
【図4】 本発明の光ディスクの製造方法により作製し
た光ディスクのランド及びグルーブにおける再生ビーム
強度とC/N値の関係を説明するグラフである。FIG. 4 is a graph illustrating a relationship between a reproduction beam intensity and a C / N value in lands and grooves of an optical disk manufactured by the method for manufacturing an optical disk of the present invention.
【図5】 本発明の光ディスクの製造方法により作製し
た光ディスクのランド及びグルーブにおける再生ビーム
強度とC/N値の関係を説明するグラフである。FIG. 5 is a graph illustrating a relationship between a reproduction beam intensity and a C / N value in lands and grooves of an optical disk manufactured by the method for manufacturing an optical disk of the present invention.
【図6】 従来技術の光ディスクの製造方法により作製
した光ディスクのランド及びグルーブにおける再生ビー
ム強度とC/N値の関係を説明するグラフである。FIG. 6 is a graph illustrating a relationship between a reproduction beam intensity and a C / N value in lands and grooves of an optical disk manufactured by a conventional optical disk manufacturing method.
1…真空チャンバー 2…真空ポンプ 3…スパッタリングガス導入部 4…カソード 5…基板ホルダー 6…放電用RF電源 7…バイアス用直流電源 8…ガス圧計 S…基板 T…ターゲット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber 2 ... Vacuum pump 3 ... Sputtering gas introduction part 4 ... Cathode 5 ... Substrate holder 6 ... RF power supply for discharge 7 ... DC power supply for bias 8 ... Gas pressure gauge S ... Substrate T ... Target
Claims (5)
録する光ディスクの製造方法であって、 ランド部とグルーブ部が形成された基板の表面に、情報
記録のための記録層を保護するための保護層を形成する
際、誘電体ターゲットを用いてスパッタリングを行うこ
とにより前記保護層を形成することを特徴とする光ディ
スクの製造方法。1. A method for manufacturing an optical disk for recording information on both a land portion and a groove portion, the method comprising protecting a recording layer for recording information on a surface of a substrate on which the land portion and the groove portion are formed. A method for manufacturing an optical disk, wherein the protective layer is formed by sputtering using a dielectric target when forming the protective layer.
において、 ランド部とグルーブ部の段差は80〜600 nmであることを
特徴とする光ディスクの製造方法。2. The method for manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein a step between the land and the groove is 80 to 600 nm.
造方法において、 誘電体ターゲットは窒化シリコンターゲットであること
を特徴とする光ディスクの製造方法。3. The method for manufacturing an optical disc according to claim 1, wherein the dielectric target is a silicon nitride target.
の製造方法において、 スパッタリングを行うことにより前記保護層を形成する
際、基板または基板ホルダーにバイアス電圧を印加する
ことを特徴とする光ディスクの製造方法。4. The method for manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein a bias voltage is applied to a substrate or a substrate holder when the protective layer is formed by performing sputtering. Manufacturing method.
スクの製造方法において、 スパッタリングを行うことにより前記保護層を形成する
際に、基板は静止状態であることを特徴とする光ディス
クの製造方法。5. The method for manufacturing an optical disk according to claim 1, wherein the substrate is stationary when the protective layer is formed by performing sputtering. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9333829A JPH11167752A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Optical disc manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9333829A JPH11167752A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Optical disc manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167752A true JPH11167752A (en) | 1999-06-22 |
Family
ID=18270416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9333829A Pending JPH11167752A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Optical disc manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167752A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7758982B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-07-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | SiN overcoat for perpendicular magnetic recording media |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP9333829A patent/JPH11167752A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7758982B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-07-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | SiN overcoat for perpendicular magnetic recording media |
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