JPH11167124A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
- Publication number
- JPH11167124A JPH11167124A JP33397897A JP33397897A JPH11167124A JP H11167124 A JPH11167124 A JP H11167124A JP 33397897 A JP33397897 A JP 33397897A JP 33397897 A JP33397897 A JP 33397897A JP H11167124 A JPH11167124 A JP H11167124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- line
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 28
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 18
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 18
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、欠陥修復のために
レーザリペアが適用される液晶表示装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device to which laser repair is applied for repairing defects.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶表示パネルと、該
液晶表示パネルを教示する2枚の偏光板と、液晶表示パ
ネルに光を放射するバックライトと、液晶表示パネルに
駆動用の電気信号を供給する駆動回路とからなる。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device comprises a liquid crystal display panel, two polarizing plates for teaching the liquid crystal display panel, a backlight for emitting light to the liquid crystal display panel, and an electric signal for driving the liquid crystal display panel. And a driving circuit for supplying
【0003】前記液晶表示パネルは、アクティブマトリ
クス基板と、対向基板と、アクティブマトリクス基板お
よび対向基板間に挟持される液晶層とからなる。[0003] The liquid crystal display panel includes an active matrix substrate, a counter substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate.
【0004】前記アクティブマトリクス基板は、第1の
透明基板と、該第1の透明基板表面に設けられる複数の
ゲートラインと、該ゲートラインと絶縁膜を介して交差
する複数のソースラインと、1つのゲートラインおよび
1つのソースラインに電気的に接続されるスイッチング
素子と、該スイッチング素子に電気的に接続され、各画
素に設けられる画素電極と、該画素電極とのあいだに保
持容量を形成するためにコモン信号が入力される複数の
Csラインとを含んでなる。該Csラインは、ゲートラ
インに平行に設けられ、ソースラインと絶縁膜を介して
交差する。The active matrix substrate includes a first transparent substrate, a plurality of gate lines provided on the surface of the first transparent substrate, a plurality of source lines intersecting the gate lines via an insulating film, A switching element electrically connected to one gate line and one source line; a pixel electrode provided in each pixel electrically connected to the switching element; and a storage capacitor formed between the pixel electrode and the pixel electrode. And a plurality of Cs lines to which a common signal is input. The Cs line is provided in parallel with the gate line and crosses the source line via an insulating film.
【0005】前記スイッチング素子としては、たとえば
薄膜トランジスタ(以下、「TFT」という)が用いら
れる。TFTは、ゲート電極と、絶縁膜と、半導体層
と、ソース電極と、ドレイン電極を含んでなる。ゲート
電極に所定の大きさの電圧を有するゲート信号が入力さ
れたとき、TFTはオフ状態からオン状態に変わる。オ
ン状態のとき、ソース電極に入力されたソース信号が半
導体層を介してドレイン電極に印加される。通常、前記
ゲートラインのうち半導体層に接触する箇所がゲート電
極として機能し、前記ソースラインのうち半導体層に接
触する箇所がソース電極として機能する。As the switching element, for example, a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) is used. A TFT includes a gate electrode, an insulating film, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. When a gate signal having a predetermined voltage is input to the gate electrode, the TFT changes from the off state to the on state. In the on state, a source signal input to the source electrode is applied to the drain electrode through the semiconductor layer. Usually, a portion of the gate line that contacts the semiconductor layer functions as a gate electrode, and a portion of the source line that contacts the semiconductor layer functions as a source electrode.
【0006】また、前記対向基板は、第2の透明基板
と、該第2の透明基板表面に設けられるカラーフィルタ
ーと、対向電極とを含んでなる。前記画素電極および対
向電極間には、対向電極と画素電極との電位差に応じて
電界が発生する。該電界によって液晶層中の液晶分子の
配列が変化し光の偏向状態が変化する。この変化と偏光
板との組合せで、各画素の光の透過率が変化し、所望の
表示が実現される。[0006] The counter substrate includes a second transparent substrate, a color filter provided on the surface of the second transparent substrate, and a counter electrode. An electric field is generated between the pixel electrode and the counter electrode according to a potential difference between the counter electrode and the pixel electrode. The electric field changes the arrangement of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer, and changes the state of light deflection. By the combination of this change and the polarizing plate, the light transmittance of each pixel changes, and a desired display is realized.
【0007】液晶表示装置は、大画面であり、かつ、微
細構造を有するために、全く欠陥を含まない製品を作る
ことは困難である。欠陥の一例としては、ゲートライン
とソースラインとの交差部でゲートラインとソースライ
ンとが短絡することがあげられる。そのため、レーザを
用いて欠陥を修復する技術がしばしは適用される。レー
ザを用いて欠陥を修復するためには、レーザを照射する
ためのスペースを、液晶表示装置の設計段階からソース
ラインに設けておく必要がある。レーザ照射のためのス
ペースに関する領域にはつぎの3種類がある。 領域A:レーザが照射され除去される領域 領域B:レーザが照射されたときに、レーザによるダメ
ージが隣接する構成要素におよばないようにするための
領域 領域C:レーザが照射されたあとに、信号伝達のために
残される領域Since the liquid crystal display has a large screen and a fine structure, it is difficult to produce a product having no defect. One example of the defect is that the gate line and the source line are short-circuited at the intersection of the gate line and the source line. Therefore, a technique of repairing a defect using a laser is often applied. In order to repair a defect by using a laser, it is necessary to provide a space for irradiating a laser in a source line from a design stage of a liquid crystal display device. There are the following three types of areas relating to the space for laser irradiation. Area A: Area irradiated with laser and removed Area B: Area for preventing laser damage from affecting adjacent components when irradiated with laser Area C: After laser irradiation, Area left for signal transmission
【0008】図4は、従来の液晶表示装置のアクティブ
マトリクス基板の一例を示す説明図である。図4には、
アクティブマトリクス基板のうち1つのTFTおよびそ
の周辺部が示されている。図4において、1はゲートラ
イン、2はソースライン、4はCsライン、5はドレイ
ン電極、10は画素電極、11は半導体層、13はソー
ス電極、16は欠陥修復のためにレーザが照射され除去
される第1の領域、17は欠陥修復のためにレーザが照
射され除去される第2の領域、18は欠陥修復のために
レーザが照射され除去される第3の領域、19は欠陥修
復のためにレーザが照射され除去される第4の領域を示
す。なお、第1の透明基板は図示されていない。FIG. 4 is an explanatory view showing an example of an active matrix substrate of a conventional liquid crystal display device. In FIG.
One TFT of the active matrix substrate and its peripheral portion are shown. In FIG. 4, 1 is a gate line, 2 is a source line, 4 is a Cs line, 5 is a drain electrode, 10 is a pixel electrode, 11 is a semiconductor layer, 13 is a source electrode, and 16 is laser irradiated for defect repair. A first area to be removed, 17 is a second area which is irradiated with laser for defect repair and is removed, 18 is a third area which is irradiated with laser for defect repair and is removed, and 19 is defect repair. 4 shows a fourth region that is irradiated and removed for laser light. The first transparent substrate is not shown.
【0009】第1の領域16、第2の領域17、第3の
領域18および第4の領域19のうちどの領域にレーザ
が照射されるのかは、欠陥の発生の仕方によって異な
る。たとえば、ゲートライン1とソースライン2との交
差部でゲートライン1とソースライン2とが短絡してい
るばあいは、ゲート信号とソース信号との混合をなくす
ため、ゲートライン1を挟むようにして、第1の領域1
6および第2の領域17にレーザが照射される。Which of the first region 16, the second region 17, the third region 18, and the fourth region 19 is irradiated with the laser depends on the manner of occurrence of the defect. For example, when the gate line 1 and the source line 2 are short-circuited at the intersection of the gate line 1 and the source line 2, the gate line 1 is sandwiched between the gate lines 1 and 2 in order to eliminate the mixing of the gate signal and the source signal. First area 1
6 and the second area 17 are irradiated with a laser.
【0010】図5は、図4のアクティブマトリクス基板
の第1の領域および第2の領域にレーザが照射された状
態を示す説明図である。図5において、図4と同一の箇
所は同じ符号を用いて示す。さらに、6は、ソースライ
ン2の第1の領域にレーザが照射されて除去された部分
(以下、「第1の除去部」という)、7は、ソースライ
ン2の第2の領域にレーザが照射されて除去された部分
(以下、「第2の除去部」という)を示す。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state where the first and second regions of the active matrix substrate of FIG. 4 are irradiated with a laser. 5, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. Further, 6 is a portion where the first region of the source line 2 is irradiated with the laser and removed (hereinafter, referred to as a “first removed portion”), and 7 is a portion where the laser is irradiated on the second region of the source line 2. A portion that has been irradiated and removed (hereinafter, referred to as a “second removed portion”) is shown.
【0011】このとき、ソース信号は、図5の下方向か
らソースライン2およびソース電極13を介して画素電
極10に供給されるため、画素電極10を含む画素は欠
陥画素にはならない。At this time, since the source signal is supplied to the pixel electrode 10 from below in FIG. 5 via the source line 2 and the source electrode 13, the pixel including the pixel electrode 10 does not become a defective pixel.
【0012】さらに、他の例として、Csライン4とソ
ースライン2との交差部で、Csライン4とソースライ
ン2とが短絡しているばあいがある。このばあい、コモ
ン信号とソース信号との混合をなくすため、Csライン
4を挟むようにして、第3の領域18および第4の領域
19にレーザが照射される。Further, as another example, there is a case where the Cs line 4 and the source line 2 are short-circuited at the intersection of the Cs line 4 and the source line 2. In this case, in order to eliminate the mixing of the common signal and the source signal, the third region 18 and the fourth region 19 are irradiated with the laser with the Cs line 4 interposed therebetween.
【0013】図6は、図4のアクティブマトリクス基板
の第3の領域および第4の領域にレーザが照射された状
態を示す説明図である。図6において、図4と同一の箇
所は同じ符号を用いて示す。さらに、8は、ソースライ
ン2の第3の領域にレーザが照射されて除去された部分
(以下、「第3の除去部」という)、9は、ソースライ
ン2の第4の領域にレーザが照射されて除去された部分
(以下、「第4の除去部」という)を示す。FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which the third and fourth regions of the active matrix substrate of FIG. 4 are irradiated with a laser. 6, the same parts as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. Further, 8 is a portion of the source line 2 where the third region is irradiated with the laser and removed (hereinafter, referred to as a “third removed portion”). 9 is a region where the laser is irradiated to the fourth region of the source line 2. A portion removed by irradiation (hereinafter, referred to as a “fourth removed portion”) is shown.
【0014】このとき、ソース信号は、図6の上方向か
らソースライン2およびソース電極13を介して画素電
極10に供給されるため、画素電極10を含む画素は欠
陥画素にはならない。At this time, since the source signal is supplied from above in FIG. 6 to the pixel electrode 10 via the source line 2 and the source electrode 13, the pixel including the pixel electrode 10 does not become a defective pixel.
【0015】図5および図6に示されるような除去を実
現するために設けられた、従来技術における欠陥修復用
のスペースについて図7を参照しつつ説明する。Referring to FIG. 7, a description will be given of a space for repairing a defect in the prior art provided for realizing the removal as shown in FIGS.
【0016】図7は、従来技術における欠陥修復用のス
ペースを示す説明図である。図7において、図5と同一
の箇所は同じ符号を用いて示す。さらに、αは、レーザ
によって除去可能な最小のスリット幅、βは、レーザに
よるダメージが隣接する構成要素(図7では、ゲートラ
イン1およびCsライン4)におよぶことにより該構成
要素にキズがつくことがないように設けられるスペー
ス、γは、ソース信号をソース電極13に供給するため
に必要な線幅を示す。図7から分かるように、欠陥修復
に必要なスペースの幅は、β+α+γ+α+β=2α+
2β+γとなる。FIG. 7 is an explanatory view showing a space for repairing a defect in the prior art. 7, the same parts as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. Further, α is the minimum slit width that can be removed by the laser, and β is a scratch on the adjacent component (in FIG. 7, the gate line 1 and the Cs line 4) due to damage to the adjacent component. A space γ provided so as not to cause a line width indicates a line width necessary for supplying a source signal to the source electrode 13. As can be seen from FIG. 7, the width of the space required for defect repair is β + α + γ + α + β = 2α +
2β + γ.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】前述のように、欠陥修
復のためには欠陥修復用のスペースを設計段階から設け
ておく必要がある。しかし、欠陥修復用のスペースを設
けたばあい、開口率が低くくなる。開口率が低くなる
と、液晶表示装置の輝度が低下するなどの問題が生じ
る。したがって、開口率は可能な限り大きくすることが
望ましい。As described above, in order to repair a defect, it is necessary to provide a space for repairing the defect from the design stage. However, if a space for repairing a defect is provided, the aperture ratio becomes low. When the aperture ratio decreases, problems such as a decrease in the brightness of the liquid crystal display device occur. Therefore, it is desirable that the aperture ratio be as large as possible.
【0018】本発明はかかる問題を解決し、欠陥修復に
必要な技術を変更することなく、開口率が従来の液晶表
示装置よりも高い液晶表示装置を提供することを目的と
する。An object of the present invention is to solve such a problem and to provide a liquid crystal display device having an aperture ratio higher than that of a conventional liquid crystal display device without changing the technique required for defect repair.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第1の透明基板と、該第1の透明基板表面に設けら
れる複数のゲートラインと、該ゲートラインと絶縁膜を
介して交差する複数のソースラインと、1つのゲートラ
インおよび1つのソースラインに電気的に接続されるス
イッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続
される画素電極とを含んでなるアクティブマトリクス基
板、第2の透明基板を含んでなり、前記アクティブマト
リクス基板に対向する対向基板、および前記アクティブ
マトリクス基板と対向基板とのあいだに挟持される液晶
層を含んでなり、前記複数のソースラインが、欠陥修復
のためにレーザが照射され除去される領域と信号伝達の
ために残される領域とを含んでなる液晶表示装置であっ
て、前記除去される領域が前記残される領域と一体形成
され、修復される欠陥の種類に応じて、前記除去される
領域と前記残される領域とが選択されるものである。According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a first transparent substrate; a plurality of gate lines provided on the surface of the first transparent substrate; An active matrix substrate including a plurality of source lines, a switching element electrically connected to one gate line and one source line, and a pixel electrode electrically connected to the switching element; A transparent substrate, comprising a counter substrate facing the active matrix substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, wherein the plurality of source lines are used for defect repair. A liquid crystal display device including a region irradiated with a laser for removal and a region left for signal transmission. Pass is formed integrally with a region that is left above, according to the type of defect to be repaired, a region that is left above said removed the area is intended to be selected.
【0020】また、前記ゲートラインに、スイッチング
素子をオン状態またはオフ状態にするゲート信号が入力
されるものである。Further, a gate signal for turning the switching element on or off is input to the gate line.
【0021】また、前記ソースラインに、オン状態のス
イッチング素子を介して画素電極に印加されるソース信
号が入力されるものである。Further, a source signal applied to a pixel electrode via a switching element in an ON state is input to the source line.
【0022】また、前記アクティブマトリクス基板が、
前記ゲートラインに平行に設けられたCsラインをさら
に含んでなるものである。Further, the active matrix substrate may include:
And a Cs line provided in parallel with the gate line.
【0023】さらに、前記Csラインに、補助容量を形
成するためのコモン信号が入力されるものである。Further, a common signal for forming an auxiliary capacitance is input to the Cs line.
【0024】また、前記ゲートラインの材料が、クロ
ム、アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化イ
ンジウムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、
タンタル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少
なくとも2つを組み合わせたものである。The gate line may be made of one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or chromium, aluminum,
It is a combination of at least two of tantalum, molybdenum and indium oxide.
【0025】また、前記ソースラインの材料が、クロ
ム、アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化イ
ンジウムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、
タンタル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少
なくとも2つを組み合わせたものである。The source line may be made of one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or chromium, aluminum,
It is a combination of at least two of tantalum, molybdenum and indium oxide.
【0026】さらに、前記Csラインの材料が、クロ
ム、アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化イ
ンジウムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、
タンタル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少
なくとも2つを組み合わせたものである。Further, the material of the Cs line is one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or chromium, aluminum,
It is a combination of at least two of tantalum, molybdenum and indium oxide.
【0027】また、前記レーザが、基本波、第二高調波
および第三高調波のうちの1つを用いるYAGレーザ、
基本波、第二高調波および第三高調波のうちの少なくと
も2つを混合して用いるYAGレーザ、またはAr2、
Kr2、Xe2、ArF、KrFおよびXeClのうちの
1つを用いるエキシマレーザである。A YAG laser, wherein the laser uses one of a fundamental wave, a second harmonic and a third harmonic;
A YAG laser using a mixture of at least two of a fundamental wave, a second harmonic and a third harmonic, or Ar 2 ,
An excimer laser using one of Kr 2 , Xe 2 , ArF, KrF and XeCl.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の液晶表示装置の実施の形態について説明する。Next, an embodiment of a liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0029】図1は、本発明の液晶表示装置の一実施の
形態におけるアクティブマトリクス基板の一例を示す説
明図である。図1には、アクティブマトリクス基板のう
ち1つのTFTおよびその周辺部が示されている。図1
において、図7と同一の箇所は同じ符号を用いて示す。
さらに、3はソース電極を示す。FIG. 1 is an explanatory view showing an example of an active matrix substrate in one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 1 shows one TFT of the active matrix substrate and its peripheral portion. FIG.
7, the same parts as those in FIG. 7 are indicated by the same reference numerals.
Further, 3 indicates a source electrode.
【0030】本発明の液晶表示装置は、欠陥修復のため
にレーザが照射され除去される領域が、信号伝達のため
に残される領域と一体形成される。すなわち、図1に示
されるように、ソース電極取出し部の幅がα+γになる
ように、ソースライン2が形成される。In the liquid crystal display device of the present invention, a region irradiated with a laser for repairing a defect and removed is integrally formed with a region left for signal transmission. That is, as shown in FIG. 1, the source line 2 is formed such that the width of the source electrode extraction portion becomes α + γ.
【0031】本発明の液晶表示装置における欠陥修復の
方法はつぎに示す通りである。まず、ゲートライン1と
ソースライン2との交差部で、ゲートライン1とソース
ライン2とが短絡しているばあいの欠陥修復方法につい
て説明する。このばあい、ゲートライン1からβだけ離
れたソースライン2の2箇所を、ゲートライン1を挟む
ようにレーザにより幅αだけ除去する。The method for repairing defects in the liquid crystal display device of the present invention is as follows. First, a method of repairing a defect when the gate line 1 and the source line 2 are short-circuited at the intersection of the gate line 1 and the source line 2 will be described. In this case, two portions of the source line 2 separated by β from the gate line 1 are removed by a width α with a laser so as to sandwich the gate line 1.
【0032】図2は、図1のアクティブマトリクス基板
の欠陥修復が行われた状態の一例を示す説明図である。
図2において、図1および図5と同一の箇所は同じ符号
を用いて示す。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a state in which the active matrix substrate of FIG. 1 has been repaired for defects.
2, the same parts as those in FIGS. 1 and 5 are denoted by the same reference numerals.
【0033】第2の除去部7が設けられても、第2の除
去部7の下側(紙面において)には、幅γ(図1参照)
をもつソースラインが残る。したがって、ソース信号
は、図2の下方向からソースライン2およびソース電極
3を介して画素電極10に供給されるため、画素電極1
0を含む画素は欠陥画素にはならない。Even if the second removing portion 7 is provided, a width γ (see FIG. 1) is provided below the second removing portion 7 (on the paper surface).
Are left. Therefore, the source signal is supplied to the pixel electrode 10 through the source line 2 and the source electrode 3 from below in FIG.
Pixels containing 0 do not become defective pixels.
【0034】つぎに、他の例として、Csライン4とソ
ースライン2との交差部で、Csライン4とソースライ
ン2とが短絡しているばあいの欠陥修復方法について説
明する。このばあい、Csライン4からβだけ離れたソ
ースライン2の2箇所を、Csライン4を挟むようにレ
ーザにより幅αだけ除去する。Next, as another example, a method of repairing a defect when the Cs line 4 and the source line 2 are short-circuited at the intersection of the Cs line 4 and the source line 2 will be described. In this case, two portions of the source line 2 separated by β from the Cs line 4 are removed by the laser by the width α so as to sandwich the Cs line 4.
【0035】図3は、図1のアクティブマトリクス基板
の欠陥修復が行われた状態の他の例を示す説明図であ
る。図3において、図1および図6と同一の箇所は同じ
符号を用いて示す。FIG. 3 is an explanatory view showing another example of a state where the defect repair of the active matrix substrate of FIG. 1 has been performed. 3, the same parts as those in FIGS. 1 and 6 are denoted by the same reference numerals.
【0036】第3の除去部8が設けられても、第3の除
去部8の上側(紙面において)には、幅γ(図1参照)
をもつソースラインが残る。したがって、ソース信号
は、図1の上方向からソースライン2およびソース電極
3を介して画素電極10に供給されるため、画素電極1
0を含む画素は欠陥画素にはならない。Even if the third removing portion 8 is provided, a width γ (see FIG. 1) is provided above the third removing portion 8 (on the paper surface).
Are left. Therefore, the source signal is supplied to the pixel electrode 10 from above in FIG. 1 via the source line 2 and the source electrode 3, so that the pixel electrode 1
Pixels containing 0 do not become defective pixels.
【0037】前述のように、本発明の液晶表示装置は、
欠陥修復に必要な技術を変更することなく、従来の技術
を用いて欠陥修復が可能である。また、図1から明らか
なように、本発明の液晶表示装置における欠陥修復用ス
ペースの幅は、β+α+γ+β=α+2β+γとなる。
したがって、従来の液晶表示装置よりもα分小さくでき
る。As described above, the liquid crystal display device of the present invention
The defect can be repaired by using the conventional technology without changing the technology required for the defect repair. As is clear from FIG. 1, the width of the defect repair space in the liquid crystal display device of the present invention is β + α + γ + β = α + 2β + γ.
Therefore, it can be smaller by α than the conventional liquid crystal display device.
【0038】本発明の液晶表示装置において、前記ゲー
トラインの材料が、クロム、アルミニウム、タンタル、
モリブデンおよび酸化インジウムのうちの1つ、または
クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸
化インジウムのうちの少なくとも2つを組み合わせたも
のであることが、ゲートラインの導電性がよくなるため
好ましい。また、前記ソースラインの材料が、クロム、
アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化インジ
ウムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、タン
タル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少なく
とも2つを組み合わせたものであることが、ソースライ
ンの導電性がよくなるため好ましい。さらに、前記Cs
ラインの材料が、クロム、アルミニウム、タンタル、モ
リブデンおよび酸化インジウムのうちの1つ、またはク
ロム、アルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化
インジウムのうちの少なくとも2つを組み合わせたもの
であることが、Csラインの導電性がよくなるため好ま
しい。In the liquid crystal display device of the present invention, the material of the gate line is chromium, aluminum, tantalum,
It is preferable to use one of molybdenum and indium oxide or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum, and indium oxide because the conductivity of the gate line is improved. Further, the material of the source line is chromium,
It is preferable to use one of aluminum, tantalum, molybdenum, and indium oxide, or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum, and indium oxide, because the conductivity of the source line is improved. Further, the Cs
The line material may be one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, according to the Cs line. It is preferable because conductivity is improved.
【0039】また、本発明の液晶表示装置において、前
記レーザが、基本波(波長1.06μm)、第二高調波
(波長532nm)および第三高調波(波長355n
m)のうちのいずれか1つを用いるYAGレーザ、基本
波(波長1.06μm)、第二高調波(波長532n
m)および第三高調波(波長355nm)のうちの少な
くとも2つを混合して用いるYAGレーザ、またはAr
2(波長126nm)、Kr2(波長146nm)、Xe
2(波長172nm)、ArF(波長192nm)、K
rF(波長248nm)およびXeCl(波長308n
m)のうちの1つを用いるエキシマレーザであることが
好ましい。Further, in the liquid crystal display device of the present invention, the laser includes a fundamental wave (wavelength 1.06 μm), a second harmonic (wavelength 532 nm), and a third harmonic (wavelength 355 nm).
m), a fundamental wave (wavelength 1.06 μm), a second harmonic wave (wavelength 532n)
m) and a YAG laser using a mixture of at least two of the third harmonic (wavelength: 355 nm), or Ar
2 (wavelength 126 nm), Kr 2 (wavelength 146 nm), Xe
2 (wavelength 172 nm), ArF (wavelength 192 nm), K
rF (wavelength 248 nm) and XeCl (wavelength 308 n)
m) is preferably an excimer laser using one of them.
【0040】[0040]
【発明の効果】本発明によれば、欠陥修復用スペースの
幅がα+2β+γとなり、従来の2α+2β+γよりも
小さくなる。そのため、開口率を従来の液晶表示装置よ
りも高くすることできるため、液晶表示装置の性能を上
げることができる。According to the present invention, the width of the defect repair space is α + 2β + γ, which is smaller than the conventional 2α + 2β + γ. Therefore, the aperture ratio can be made higher than that of the conventional liquid crystal display device, so that the performance of the liquid crystal display device can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の液晶表示装置の一実施の形態における
アクティブマトリクス基板の一例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating an example of an active matrix substrate in one embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.
【図2】図1のアクティブマトリクス基板の欠陥修復が
行われた状態の一例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a state where a defect has been repaired in the active matrix substrate of FIG. 1;
【図3】図1のアクティブマトリクス基板の欠陥修復が
行われた状態の他の例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing another example of a state in which the active matrix substrate of FIG. 1 has been repaired for defects.
【図4】従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基
板の一例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of an active matrix substrate of a conventional liquid crystal display device.
【図5】図4のアクティブマトリクス基板の第1の領域
および第2の領域にレーザが照射された状態を示す説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a state in which a first region and a second region of the active matrix substrate of FIG. 4 are irradiated with a laser.
【図6】図4のアクティブマトリクス基板の第3の領域
および第4の領域にレーザが照射された状態を示す説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which a third region and a fourth region of the active matrix substrate of FIG. 4 are irradiated with a laser.
【図7】従来技術における欠陥修復用のスペースを示す
説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a space for repairing a defect in the conventional technique.
1 ゲートライン 2 ソースライン 3 ソース電極 4 Csライン 5 ドレイン電極 6 第1の除去部 7 第2の除去部 8 第3の除去部 9 第4の除去部 10 画素電極 11 半導体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate line 2 Source line 3 Source electrode 4 Cs line 5 Drain electrode 6 1st removal part 7 2nd removal part 8 3rd removal part 9 4th removal part 10 Pixel electrode 11 Semiconductor layer
Claims (9)
面に設けられる複数のゲートラインと、該ゲートライン
と絶縁膜を介して交差する複数のソースラインと、1つ
のゲートラインおよび1つのソースラインに電気的に接
続されるスイッチング素子と、該スイッチング素子に電
気的に接続される画素電極とを含んでなるアクティブマ
トリクス基板、第2の透明基板を含んでなり、前記アク
ティブマトリクス基板に対向する対向基板、および前記
アクティブマトリクス基板と対向基板とのあいだに挟持
される液晶層を含んでなり、前記複数のソースライン
が、欠陥修復のためにレーザが照射され除去される領域
と信号伝達のために残される領域とを含んでなる液晶表
示装置であって、前記除去される領域が前記残される領
域と一体形成され、修復される欠陥の種類に応じて、前
記除去される領域と前記残される領域とが選択される液
晶表示装置。1. A first transparent substrate, a plurality of gate lines provided on a surface of the first transparent substrate, a plurality of source lines intersecting the gate lines via an insulating film, one gate line, An active matrix substrate including a switching element electrically connected to one source line, and a pixel electrode electrically connected to the switching element; and a second transparent substrate, wherein the active matrix substrate And a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate, wherein the plurality of source lines are irradiated with a laser beam for repairing a defect, and a region and a signal are removed. A liquid crystal display device comprising a region left for transmission, wherein said region to be removed is integrally formed with said remaining region, and A liquid crystal display device in which the area to be removed and the area to be left are selected according to the type of defect to be restored.
をオン状態またはオフ状態にするゲート信号が入力され
る請求項1記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a gate signal for turning a switching element on or off is input to the gate line.
チング素子を介して画素電極に印加されるソース信号が
入力される請求項1記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a source signal applied to a pixel electrode via a switching element in an on state is input to the source line.
ゲートラインに平行に設けられたCsラインをさらに含
んでなる請求項1記載の液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the active matrix substrate further includes a Cs line provided in parallel with the gate line.
ためのコモン信号が入力される請求項4記載の液晶表示
装置。5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein a common signal for forming an auxiliary capacitance is input to said Cs line.
ルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化インジウ
ムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、タンタ
ル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少なくと
も2つを組み合わせたものである請求項1記載の液晶表
示装置。6. The gate line material is one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide. The liquid crystal display device according to claim 1.
ルミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化インジウ
ムのうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、タンタ
ル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少なくと
も2つを組み合わせたものである請求項1記載の液晶表
示装置。7. The source line material is one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide. The liquid crystal display device according to claim 1.
ミニウム、タンタル、モリブデンおよび酸化インジウム
のうちの1つ、またはクロム、アルミニウム、タンタ
ル、モリブデンおよび酸化インジウムのうちの少なくと
も2つを組み合わせたものである請求項4記載の液晶表
示装置。8. The Cs line material is one of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide, or a combination of at least two of chromium, aluminum, tantalum, molybdenum and indium oxide. The liquid crystal display device according to claim 4.
び第三高調波のうちの1つを用いるYAGレーザ、基本
波、第二高調波および第三高調波のうちの少なくとも2
つを混合して用いるYAGレーザ、またはAr2、K
r2、Xe2、ArF、KrFおよびXeClのうちの1
つを用いるエキシマレーザである請求項1記載の液晶表
示装置。9. The laser of claim 1, wherein the laser is a YAG laser using one of a fundamental wave, a second harmonic and a third harmonic, and at least two of a fundamental wave, a second harmonic and a third harmonic.
YAG laser using a mixture of two, or Ar 2 , K
one of r 2 , Xe 2 , ArF, KrF and XeCl
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is an excimer laser using one.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33397897A JPH11167124A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33397897A JPH11167124A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167124A true JPH11167124A (en) | 1999-06-22 |
Family
ID=18272130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33397897A Pending JPH11167124A (en) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167124A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8576346B2 (en) | 2001-05-16 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33397897A patent/JPH11167124A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8576346B2 (en) | 2001-05-16 | 2013-11-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display |
| US8736780B2 (en) | 2001-05-16 | 2014-05-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate for liquid crystal display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3418653B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display | |
| US7502094B2 (en) | Repairing device and repairing method for display device | |
| US20120252152A1 (en) | Display panel, array substrate and manufacturing method thereof | |
| CN100520867C (en) | Substrate of display device, repairing method thereof, repairing method of display device and liquid crystal display device | |
| JPH10123563A (en) | Liquid crystal display device and defect repair method thereof | |
| US20040141098A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| JP2619011B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP4381691B2 (en) | Substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display device including the same, and manufacturing method thereof | |
| JPH03242625A (en) | Active matrix type liquid crystal display device | |
| KR100490925B1 (en) | Display device and defect repairing method of the same | |
| JP4571727B2 (en) | LCD panel | |
| JP3102819B2 (en) | Liquid crystal display device and driving method thereof | |
| JPH11167124A (en) | Liquid crystal display device | |
| JP3310600B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and its defect repair method | |
| KR20010011850A (en) | LCD having high aperture ratio and high transmittance | |
| JP3125757B2 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof | |
| KR100288775B1 (en) | LCD Display | |
| JPH03100626A (en) | Active matrix type liquid crystal display element | |
| JP2938521B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP3071352B2 (en) | Active matrix panel | |
| KR100719916B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display with means for line open and interlayer short repair | |
| JPH0750278B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP2968252B2 (en) | Liquid crystal display | |
| JP2968269B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
| KR100234374B1 (en) | Lcd device having a multi-repairable data line and method for data repairing thereof |