JPH11166840A

JPH11166840A - 回転センサ

Info

Publication number: JPH11166840A
Application number: JP33437897A
Authority: JP
Inventors: Yasuharu Terada; 康晴寺田
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1997-12-04
Filing date: 1997-12-04
Publication date: 1999-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】使用上の信頼性の向上が図れる回転センサを
提供すること。【解決手段】内部空間２１を有するハウジング２と、
内部空間２１内に配設され表面に配線パターン３６を形
成してなる基板３と、基板３に取り付けられ回転体に向
けて磁界を形成する磁石４と、基板３に取り付けられ回
転体の回転に基づく磁界の変化を検知する磁気検出素子
５と、基板３に取り付けられ磁気検出素子５の駆動制御
又は出力信号処理を行うＩＣ６１とを備えて構成され、
基板３の表面であってＩＣ６１が取り付けられる位置に
放熱パターン３７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、車軸などの回転体
の回転状態を検知する回転センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の回転センサとして、特開平７−１
９８７３６号公報に記載されるように、磁性回転体の回
転速度を検出するものが知られている。この回転センサ
は、磁性回転体の回転により生ずる磁束変化に基づきス
イッチング動作する磁電変換手段と、この磁電変換手段
の出力信号を取り出すためのコネクタと、このコネクタ
と磁電変換手段とを電気的に接続するターミナルとを備
えて構成されている。そして、この回転センサは、磁電
変換手段を磁性回転体の回転により生ずる磁束変化に基
づいてスイッチング動作させることにより、磁性回転体
の回転速度に依存することなく磁電変換手段から信号を
出力させ、磁性回転体の低速回転時でも確実に回転検出
を行おうとするものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の回
転センサにあっては、磁電変換手段としてホール素子や
磁気抵抗素子などの磁電変換素子が用いられ、その磁電
変換素子の出力信号を処理するためのＩＣ、ＦＥＴなど
が設置される。これらのＩＣ、ＦＥＴなどは、一般に温
度特性を有しており使用環境の温度により動作状態が変
化し得るものである。ところが、これらのＩＣ、ＦＥＴ
などの中には動作時に自ら熱を発するものがあり、Ｉ
Ｃ、ＦＥＴなどの動作の信頼性を高めるためには、発熱
する電子部品の放熱効率を高める必要がある。このた
め、回転センサに内蔵される電子部品の放熱技術の開発
が望まれている。

【０００４】そこで本発明は、以上のような問題点を解
決するためになされたものであって、使用上の信頼性の
向上が図れる回転センサを提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る回転センサは、内部空間を有す
るハウジングと、ハウジングの内部空間内に配設される
基板と、基板に取り付けられ回転体に向けて磁界を形成
する磁石と、基板に取り付けられ回転体の回転に基づく
磁界の変化を検知する検知手段と、基板に取り付けられ
検知手段の駆動制御又は出力信号処理を行う電子部品と
を備えて構成され、基板の表面であって電子部品が取り
付けられる位置に電子部品が発する熱を伝導させる放熱
用パターンが形成されていることを特徴とするものであ
る。

【０００６】この発明によれば、動作時に電子部品が発
熱する場合、電子部品から放熱用パターンに熱が伝導す
る。このため、電子部品から発せられる熱が分散され電
子部品が高温状態となることを防止できる。従って、回
転センサの動作信頼性が高いものとなる。特に、高温環
境で用いられる場合に有効である。

【０００７】また本発明に係る回転センサは、前述の基
板が内部空間の内壁に接触して設けられ、放熱用パター
ンが内部空間の内壁と接触していることを特徴とする。

【０００８】この発明によれば、電子部品の熱が放熱用
パターンを通じてハウジングへ伝導する。このため、電
子部品の放熱効率の向上が図れる。従って、回転センサ
の動作信頼性の向上が図れる。

【０００９】また本発明に係る回転センサは、内部空間
を有するハウジングと、ハウジングの内部空間内に配設
され樹脂成形部を有しその樹脂成形部の表面に金属めっ
きして配線パターンを形成してなる基板と、基板に取り
付けられ回転体に向けて磁界を形成する磁石と、基板に
表面実装され回転体の回転に基づき磁石の磁界変化を検
知する検知手段と、基板に表面実装され検知手段の駆動
制御又は出力信号処理を行う電子部品とを備えて構成さ
れている。

【００１０】この発明によれば、基板の表面、裏面又は
端面などに自由に配線パターンを形成することが可能で
ある。このため、基板の先端面に検知素子を実装し、基
板のその他の面にＩＣやコンデンサなどの電子部品を実
装することにより、センサ全体を細形化、小型化するこ
とが可能となる。特に、センサ先端部に検出手段を配置
する回転センサにおいて有効である。

【００１１】また本発明に係る回転センサは、基板の表
面であって電子部品が取り付けられる位置に電子部品が
発する熱を伝導させる放熱用パターンが形成されている
ことを特徴とする。また本発明に係る回転センサは、基
板が内部空間の内壁に接触して設けられ、放熱用パター
ンが内部空間の内壁と接触していることを特徴とする。

【００１２】これらの発明によれば、動作時に電子部品
が発熱する場合、電子部品から放熱用パターンに熱が伝
導する。このため、電子部品から発せられる熱が分散さ
れ電子部品が高温状態となることを防止できる。従っ
て、回転センサの動作信頼性が高いものとなる。特に、
高温環境で用いられる回転センサに有効である。また、
基板を樹脂成形により所望の形状とすることが可能であ
るため、基板をハウジングに接触する構造とすることが
容易である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係る種々の実施形態について説明する。尚、各図にお
いて同一要素には同一符号を付して説明を省略する。ま
た、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致してい
ない。

【００１４】（第一実施形態）図１は、本実施形態に係
る回転センサの説明図である。図１に示すように、回転
センサ１は、内部空間２１を有するハウジング２を備え
ている。ハウジング２は各種の部品を収容するためのも
のであり、例えば、一方の端部２２が閉塞され他方の端
部２３が開放した筒状体が用いられる。この場合、内部
の中空な空間が内部空間２１となる。また、ハウジング
２は、非磁性である金属又は樹脂などにより形成されて
いる。

【００１５】ハウジング２の閉塞側の端部２２と開放側
の端部２３との間に形成される胴部２４には、鍔部２５
が形成されている。鍔部２５は、胴部２４の外面から外
側へ向けて突出している。この鍔部２５には、ボルト又
はねじなどを挿通するための取付孔２５ａが設けられて
いる。ハウジング２の端部２２の端面には、突起部２１
ａが形成されている。突起部２１ａは、ハウジング２の
内部の磁気検出素子５の配置スペースを確保するために
形成されるものである。

【００１６】図１に示すように、ハウジング２の内部空
間２１には基板３が配設されている。基板３は、電子部
品を取り付ける配線基板として機能すると共に、その他
磁石４などの部品を取り付けるためのホルダとして機能
するものである。基板３は、平板部３１、検知部３２及
び入出力部３３を形成した構造となっており、それら平
板部３１、検知部３２及び入出力部３３は樹脂成形によ
り一体化されている。平板部３１にはＩＣ６１やコンデ
ンサ６２などの電子部品が取り付けられている。ＩＣ６
１、コンデンサ６２の取り付けはボンド付けなどを用い
て表面実装により行われ、基板３との電気的な接続はワ
イヤボンディングなどにより行われる。ＩＣ６１は、モ
ールド（パッケージ化）されたものでよいが、センサ全
体の小型化を図る上ではベアチップのものをそのまま使
用するのが望ましい。

【００１７】検知部３２は、平板部３１の端部に形成さ
れ、ブロック状を呈しており、内部空間２１の形状に合
せた外形となっている。すなわち、検知部３２は、内部
空間２１の端部２２側の奥部分に配され、その奥部分の
内部形状に合せた外形とされ、その外形表面の少なくと
も一部が内部空間２１の壁面に接触している。また、検
知部３２の端部には突部３２ａが形成されており、ハウ
ジング２の突起部２１ａの内側部分にはめ込まれてい
る。更に、検知部３２には、磁石４が取り付けられてい
る。磁石４の取り付けは、例えば、検知部３２に磁石４
の外形に合せた穴を形成しその穴に磁石４をはめ込むこ
とにより行われる。また、磁石４の取り付けは、基板３
の成形時にインサートとして基板３内に埋め込んでもよ
い。

【００１８】検知部３２の突部３２ａの端面には、磁気
検出素子５が取り付けられている。磁気検出素子５は、
磁石４が形成する磁界の変化を検知する検知手段であ
り、例えば、磁気抵抗素子が用いられる（図４参照）。
また、磁気検出素子５の取り付けはボンド付けなどを用
いて表面実装により行われ、基板３との電気的な接続は
ワイヤボンディングなどにより行われる。

【００１９】図１に示すように、入出力部３３は、検知
部３２と逆側の平板部３１の端部に形成されており、例
えば、円板状を呈する形状とされる（図２参照）。この
入出力部３３は、平板部３１と直交する向きに形成さ
れ、その表裏を貫通する孔３３ａが設けられている。孔
３３ａは、ＩＣ６１に接続される配線数に応じて形成さ
れ、例えば二つ設けられる。孔３３ａにはターミナル７
１が挿通されている。孔３３ａに挿通したターミナル７
１の先端は、基板３上の配線パターン３６への半田付け
などにより接続されている。一方、ターミナル７１の後
端は、ワイヤハーネス７２に接続されている。また、タ
ーミナル７１は樹脂成形部材７３内に設けられている
が、この樹脂成形部材７３は基板３と一体化されず単に
当接する状態となっている。このため、ワイヤハーネス
７２に加わえられる外力が樹脂成形部材７３を介して基
板３のＩＣ６１、コンデンサ６２などの電子部品に伝達
され難い。このような構造を採ることにより、回転セン
サ１の電気的動作の信頼性の向上が図れる。

【００２０】ターミナル７１、ワイヤハーネス７２及び
樹脂成形部材７３は、基端部７４により一体成形されて
いる。基端部７４は、ハウジング２の端部２３にはめ込
まれており、その端部２３をかしめることによりハウジ
ング２に固定されている。ハウジング２内へ挿入された
基端部７４の外面とハウジング２の内面との間にはＯリ
ング７５が配設されており、ハウジング２の内部空間２
１への水などの浸入が防止されている。

【００２１】図１に示すように、基板３は、樹脂成形に
よりなる一次成形部３４及び二次成形部３５により構成
されている。一次成形部３４は、射出成形などにより形
成される樹脂部材であり、その樹脂としては表面への無
電解めっきが施せる触媒入り樹脂が用いられる。例え
ば、主材であるＬＣＰ（液晶ポリマ）やＰＥＳ（ポリエ
ーテルスルフォン）に触媒を混在させたものが用いられ
る。二次成形部３５は、一次成形部３４をインサートと
してインサート成形することにより形成されている。二
次成形部３５としては、一次成形部３４より融点の高い
樹脂が用いられ、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサル
ファイド）やＬＣＰが用いられる。この二次成形部３５
を成形する際に、前述した平板部３１、検知部３２及び
入出力部３３が一体的に形成される。

【００２２】図２に基板３の斜視図を示す。図２に示す
ように、基板３の表面には、配線パターン３６が形成さ
れている。配線パターン３６は、ターミナル７１とＩＣ
６１との間、ＩＣ６１とコンデンサ６２及び磁気検出素
子５との間などの電気的接続を行うものであり、二次成
形部３５の表面に一次成形部３４が露出する部分に金属
めっきを施すことにより形成される。

【００２３】また、基板３の表面には、放熱パターン３
７が形成されている。放熱パターン３７は、発熱部品で
あるＩＣ６１が発する熱を分散させるためのものであ
り、配線パターン３６と同様に、一次成形部３４が二次
成形部３５の表面に露出する部分に金属めっきを施すこ
とにより形成される。放熱パターン３７は、少なくとも
ＩＣ６１の下方に形成され、熱を伝導すべくＩＣ６１の
下方部分から外側へ延びている。ＩＣ６１は熱伝導効率
を高めるために放熱パターン３７に直接接触して設置さ
れることが望ましいが、ＩＣ６１と放熱パターン３７と
の間に熱伝導性の高い熱伝導剤を介在させてもよい。ま
た、放熱パターン３７は、平板部３１から検知部３２へ
延び、検知部３２がハウジング２の内壁と接触する部分
まで延びている。

【００２４】なお、図２において、放熱パターン３７は
電子回路を構成しないものであるが、ＩＣ６１などの発
熱部品の熱が放熱パターン３７へ伝導可能な構造となっ
ていれば、配線パターン３６の一部を放熱パターン３７
として利用してもよい。この場合、ターミナル７１と接
続される配線パターン３６を放熱パターン３７として利
用すれば、ターミナル７１及びワイヤハーネス７２を介
して熱を回転センサ１の外部へ伝導させることができ
る。

【００２５】次に、基板３の製造方法について詳説す
る。

【００２６】図３に基板３の製造工程の一例を示す。図
３に示すように、基板３の製造は、まず、一次成形部３
４の成形が行われる。一次成形部３４の成形は樹脂射出
成形などにより行えばよい。次いで、二次成形部３５の
成形（二次成形）が行われる。二次成形部３５の成形
は、一次成形部３４をインサートとしたインサート成形
により行われる。この二次成形により、一次成形部３４
が二次成形部３５内に埋め込まれ、一次成形部３４の一
部が二次成形部３５の表面から露出した状態となる。そ
して、粗化工程が行われる。粗化工程は、めっきの付着
性を確保するために行う工程であり、露出する一次成形
部３４の表面を粗くするものである。粗化工程は、例え
ば、二次成形したものをエッチング剤の中へ浸漬するこ
とにより行われる。

【００２７】そして、無電解めっき工程が行われる。無
電解めっき工程は、粗化したものをめっき液の中へ浸漬
することにより行われる。めっき液としては硫酸銅など
の金属塩、還元剤、ｐＨ調整剤などからなるものが用い
られる。このめっき液に一次成形部３４を埋め込んでな
る二次成形部３５を浸漬させると、還元剤により金属イ
オン（例えば、銅イオン）が金属に還元され、触媒が混
在している一次成形部３４の表面にのみ金属が析出す
る。このため、一次成形部３４の露出部分のみが無電解
めっきされることになる。そして、無電解めっきした部
分に更に保護めっきを施すことにより、配線パターン３
６及び放熱パターン３７を有する基板３の製造が完了す
る。

【００２８】このような基板３の製造方法によれば、基
板３の外形を樹脂成形により形成するため、ハウジング
２の内部空間２１に合せた形状のものを容易に形成する
ことができる。また、一次成形部３４の露出部分が金属
めっきされて配線パターン３６及び放熱パターン３７と
なるため、三次元的なパターンを形成することができ
る。このため、表面及び裏面しか電子部品を実装できな
い板状の基板とは異なり、基板３のいずれの面にも磁気
検出素子５やＩＣ６１などの表面実装が可能となる。従
って、端面に磁気検出素子５を実装しその他の面にＩＣ
６１などを実装することができ、回転センサ１の細形
化、小型化を図ることができる。また、一つの基板３に
より、磁気検出素子５及びＩＣ６１などその他の電子部
品を実装することができるため、低コスト化が図れると
共に、組立工程を容易なものとすることができ製造コス
トの低減も図れる。

【００２９】次に、磁気検出素子５について詳説する。

【００３０】図４に磁気検出素子５の概略図を示す。図
４に示すように、磁気検出素子５は、磁界内に配置さ
れ、その磁界の変化に対応して検出信号を出力する磁気
検出手段であり、例えば、人工格子膜を備えた磁気抵抗
素子が用いられる。磁気検出素子５には、二つの電極５
１、５１が設けられ、その電極５１、５１間に検知領域
５２が形成されている。検知領域５２は、シリコン基板
上に絶縁層となる酸化膜（ＳｉＯ₂膜）が形成され、こ
の酸化膜上に磁性体からなるバッファ層が形成され、更
にバッファ層上に人工格子膜が形成された構造となって
いる。また、人工格子膜は、強磁性体と非磁性体を交互
に積層してなる多層構造体により構成されている。

【００３１】このような磁気検出素子の具体的な製造方
法の一例を挙げると、まず、シリコン基板上に鉄ニッケ
ル（ＮｉＦｅ）からなる数ｎｍ（例えば、５ｎｍ）の厚
さのバッファ層を蒸着させた後、そのバッファ層上に強
磁性体としてコバルト（Ｃｏ）、非磁性体として銅（Ｃ
ｕ）を各１〜２ｎｍの厚さで交互に各１６層蒸着して人
工格子膜を形成する。そして、所望の線状パターンのレ
ジストパターン層を用い、このレジストパターン層部分
以外のバッファ層、人工格子膜（強磁性体、非磁性体）
の各層を除去して、所望の形状に人工格子膜を線状パタ
ーン化し検知領域５２を形成する。その後、バッファ層
及び人工格子膜をシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）などか
らなる保護膜により覆い、人工格子膜の両端に電極５
１、５１を形成して、磁気検出素子５の製造が完了す
る。

【００３２】ここで、図４において、人工格子膜の積層
方向に対し垂直な方向（図４を図示した紙面を貫通する
方向）を磁気検出素子５の「垂直方向」とし、人工格子
膜の積層方向に対して平行な方向（図４を図示した紙面
と平行する方向）を磁気検出素子５の「水平方向」とす
ると、磁気検出素子５は、その垂直方向及び水平方向の
両方向における磁界の強さの変化に対応し抵抗値（電気
抵抗値）が変化する素子である。特に、水平方向の磁界
変化に対して、大きく抵抗値が変化することが知られて
いる。

【００３３】また、磁気検出素子５の水平方向における
磁界の強さが０エルステッドのとき、人工格子膜の抵抗
値が最大となる。そして、水平方向の磁界の強さが大き
くなるに連れて抵抗値が減少し、その強さが±５００エ
ルステッド程度となると人工格子膜の抵抗値が最小とな
って飽和し、それ以上に磁界の強さが変化しても抵抗値
は変わらない。ここで、抵抗変化率を（最大抵抗値−最
小抵抗値）／（最大抵抗値）とすると、前述のように磁
界の強さが変化したときの磁気検出素子５の抵抗変化率
は、約２０％である。この磁気検出素子５の抵抗値変化
に応じて検出信号を出力させるには、例えば、磁気検出
素子５の人工格子膜、即ち検知領域５２に一定電流を供
給すればよい。この場合、その周囲の磁界の強さの変化
に応じて変動する検出信号が得られることになる。ま
た、磁気検出素子５に固定抵抗値の抵抗を接続し、それ
らの両端に一定電圧を供給した状態とした場合でも、磁
気検出素子５の周囲の磁界の強さの変化に応じて変動す
る検出信号が得られることになる。

【００３４】このように、磁気検出素子５は、その周囲
の磁界の強さの変化に対応して人工格子膜の抵抗値が大
きく変化するものである。このため、この磁気検出素子
５を磁界方向の検出手段として用いる場合、磁界を生じ
させる回転体に極度に接近させて配置しなくても検出信
号の検出が可能となる。従って、回転体及び磁気検出素
子５について精密な寸法精度が要求されず、それらの部
品コストが低減できる。また、それらの設置も容易なも
のとなる。

【００３５】なお、磁気検出素子５としては、検出感度
の高い人工格子膜を有する磁気抵抗素子を用いるのが望
ましいが、強磁性体を用いたＭＲ素子、半導体を用いた
ＭＲ素子、スピンバルブを用いたＧＭＲ素子などを用い
る場合もある。

【００３６】次に、回転センサ１の電気的構成について
説明する。

【００３７】図５に回転センサ１の電気的構成及び外部
との電気的な接続を示す。図５に示すように、ワイヤハ
ーネス７２、７２は、回転センサ１のターミナル７１に
それぞれ接続され、そのターミナル７１は回転センサ１
内でＩＣ６１に接続されている。また、回転センサ１内
では、磁気検出素子５とコンデンサ６２が直列に接続さ
れ、その直列接続されたものの各端部がそれぞれＩＣ６
１に接続されている。一方、ワイヤハーネス７２、７２
の他端側は、ＥＣＵ８に接続されている。ワイヤハーネ
ス７２の一方は、ＥＣＵ８の電圧源に接続されており、
所定の電圧が印加されている。また、他方のワイヤハー
ネス７２は、検出回路８１に接続されている。検出回路
８１は、回転センサ１の出力信号を受けて回転体の回転
速度、回転方向又は回転角度などの回転状態を演算する
ものである。

【００３８】次に、回転センサ１の使用方法及びその動
作について説明する。

【００３９】図６は、回転センサ１の使用方法の一例を
示す図であり、車両の車輪速度検出に適用した場合のも
のである。図６に示すように、シャフト９２は、回転検
出すべき回転体であり、インナ９３を介してハブキャリ
ア９１に軸受されている。シャフト９２の先端には、シ
ャフト９２と共に回転するロータ９４が取り付けられて
いる。ロータ９４は、周方向に沿って多数のスリット９
４ａを開口してなる円筒体であり、磁性体により形成さ
れている。

【００４０】回転センサ１は、ハブキャリア９１に取り
付けられ、磁気検出素子５のある突起部２１ａをロータ
９４に向けて配設されている。回転センサ１の突起部２
１ａは、ロータ９４の外周部分に近傍に位置している。

【００４１】この状態において、回転体であるシャフト
９２が回転すると、それと共にロータ９４も回転する。
このため、シャフト９２の回転に応じて回転センサ１の
突起部２１ａの前をスリット９４ａが順次通過すること
になる。その際、スリット９４ａが突起部２１ａの前に
位置するときには磁石４が形成する磁界は弱まり、スリ
ット９４ａ、９４ａ間の磁性体部分９４ｂが突起部２１
ａの前に位置するときは磁石４が形成する磁界は強ま
る。従って、シャフト９２の回転速度に応じて磁気検出
素子５に加わる磁界の変化周期も変わり、磁気検出素子
５からはシャフト９２の回転速度に応じて周期的に変化
する信号が出力される（図５参照）。

【００４２】このとき、磁気検出素子５の駆動制御及び
信号処理を行うＩＣ６１は、所定の電力を消費するため
発熱する。ＩＣ６１から発せられた熱は、基板３に形成
される放熱パターン３７に伝導する。そして、放熱パタ
ーン３７を通じてハウジング２に伝導し、ハブキャリア
９１に伝導する。このように、ＩＣ６１から発せられた
熱は効率良く分散され、ＩＣ６１が高温状態となること
が回避される。従って、ＩＣ６１の動作信頼性が高いも
のとなり、回転センサ１の動作信頼性の向上が図れる。
特に、シャフト９４付近などの高温状態となる所で回転
センサ１を使用する場合には有効である。

【００４３】（第二実施形態）次に、第二実施形態に係
る回転センサについて説明する。

【００４４】第一実施形態に係る回転センサ１にあって
は、基板３が一次成形部３４、二次成形部３５の二種類
の樹脂により構成されているが、本発明に係る回転セン
サはそのようなものに限られるものではなく、基板３が
単一の樹脂材により構成されるものであってもよい。例
えば、基板３を単一の樹脂により成形して平板部３１、
検知部３２、入出力部３３を形成し、その基板３の表面
に配線パターン３６及び放熱パターン３７を露光法を用
いて形成すればよい。

【００４５】図７に本実施形態に係る回転センサに用い
られる基板３の製造工程を示す。図７に示すように、基
板３の製造は、まず、基板３の成形が行われる。この基
板３の成形は樹脂射出成形などにより行えばよい。ま
た、基板３を構成する樹脂としては、例えばめっきグレ
ード樹脂が用いられる。次いで、成形されたもの（以
下、「成形品」という）の表面を粗化し、触媒を塗布す
る。粗化工程は、めっきの付着性を確保するために行う
工程であり、成形品の表面を粗くするものである。粗化
工程は、例えば、成形品をエッチング剤の中へ浸漬する
ことにより行われる。また、触媒塗布工程は、金属を析
出させるための触媒を塗布する工程である。

【００４６】そして、無電解めっき工程が行われる。無
電解めっき工程は、粗化し触媒塗布した成形品をめっき
液の中へ浸漬することにより行われる。めっき液として
は硫酸銅などの金属塩、還元剤、ｐＨ調整剤などからな
るものが用いられる。このめっき液に成形品を浸漬させ
ると、還元剤により金属イオン（例えば、銅イオン）が
金属に還元され、触媒が塗布されている全表面に金属
（例えば、銅）が析出する。

【００４７】そして、配線パターン３６及び放熱パター
ン３７の形成領域の応じて電着レジストを塗布し、露光
・現像、エッチングの工程を経て、レジストを剥離した
後、パターン領域上に保護めっきを施して基板３の製造
が完了する。

【００４８】このような製造方法により製造した基板３
を有する回転センサであっても、第一実施形態に係る回
転センサ１と同様な作用効果を得ることができる。

【００４９】（第三実施形態）第一実施形態及び第二実
施形態に係る回転センサにあっては、磁石及び磁気検出
素子が配置され、磁性体のロータが回転することによる
磁界の変化を磁気抵抗素子が検出する構造としている
が、このようなものに限られず、回転センサに磁気検出
素子が配置され、周方向に沿って交互に着磁された磁石
によりなるロータが回転することにより磁気検出素子に
よりその磁界の変化を検出する構造としてもよい。この
ように構成された回転センサにおいても第一実施形態及
び第二実施形態に係る回転センサと同様の効果が得られ
ることは言うまでもない。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような効果が得られる。

【００５１】動作時に電子部品が発熱する場合でも、電
子部品から発せられる熱は放熱用パターンに伝導して電
子部品から効率良く分散される。このため、電子部品が
高温状態となることを防止でき、回転センサの動作信頼
性の向上が図れる。特に、高温環境で用いられる場合に
有効である。

【００５２】また、放熱用パターンをハウジングに接触
させておくことにより、電子部品から発せられる熱を放
熱用パターンを通じてハウジングへ伝導させることがで
きる。このため、電子部品の放熱効率の向上が図れる。

【００５３】また、基板に樹脂成形部を形成しその表面
に配線パターンを形成することにより、基板の表面、裏
面又は端面などに自由に配線パターンを形成することが
できる。このため、基板の先端面に検知素子を実装し、
基板のその他の面にＩＣやコンデンサなどの電子部品を
実装することにより、センサ全体を細形化、小型化する
ことができる。特に、センサ先端部に検出手段を配置す
る回転センサにおいて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】回転センサの説明図である。

【図２】回転センサの基板の説明図である。

【図３】回転センサの基板の製造方法の説明図である。

【図４】回転センサの磁気検出素子の説明図である。

【図５】回転センサの使用方法の説明図である。

【図６】回転センサの使用方法の説明図である。

【図７】第二実施形態に係る回転センサの説明図であ
る。

【符号の説明】

１…回転センサ、２…ハウジング、２１…内部空間、３
…基板、３６…配線パターン、３７…放熱パターン（放
熱用パターン）、４…磁石、５…磁気検出素子（検知手
段）、６１…ＩＣ（電子部品）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部空間を有するハウジングと、前記ハウジングの前記内部空間内に配設される基板と、前記基板に取り付けられ、回転体に向けて磁界を形成す
る磁石と、前記基板に取り付けられ、前記回転体の回転に基づく前
記磁界の変化を検知する検知手段と、前記基板に取り付けられ、前記検知手段の駆動制御又は
出力信号処理を行う電子部品と、を備えて構成され、前記基板の表面であって
前記電子部品が取り付けられる位置に、前記電子部品が
発する熱を伝導させる放熱用パターンが形成されている
こと、を特徴とする回転センサ。
【請求項２】前記基板が前記内部空間の内壁に接触し
て設けられ、前記放熱用パターンが前記内部空間の前記
内壁と接触していること、を特徴とする請求項１に記載
の回転センサ。
【請求項３】内部空間を有するハウジングと、前記ハウジングの前記内部空間内に配設され、樹脂成形
部を有し、その樹脂成形部の表面に金属めっきして配線
パターンを形成してなる基板と、前記基板に取り付けられ、回転体に向けて磁界を形成す
る磁石と、前記基板に表面実装され、回転体の回転に基づき前記磁
石の磁界変化を検知する検知手段と、前記基板に表面実装され、前記検知手段の駆動制御又は
出力信号処理を行う電子部品と、を備えた回転センサ。
【請求項４】前記基板の表面であって前記電子部品が
取り付けられる位置に、前記電子部品が発する熱を伝導
させる放熱用パターンが形成されていること、を特徴と
する請求項３に記載の回転センサ。
【請求項５】前記基板が前記内部空間の内壁に接触し
て設けられ、前記放熱用パターンが前記内部空間の前記
内壁と接触していること、を特徴とする請求項３又は４
に記載の回転センサ。