JPH11140204A

JPH11140204A - 防汚性薄膜の形成方法

Info

Publication number: JPH11140204A
Application number: JP9310261A
Authority: JP
Inventors: Noritoshi Tomikawa; 典俊富川; Mitsuru Kano; 満加納; Hiroki Watanabe; 弘樹渡辺
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1997-11-12
Filing date: 1997-11-12
Publication date: 1999-05-25
Anticipated expiration: 2017-11-12
Also published as: JP3870516B2

Abstract

(57)【要約】【課題】偏光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成におい
て、優れた防汚性薄膜を安定的にムラがなく、連続的に
形成でき、その薄膜形成の制御性および蒸発源の調整や
セット等の作業性に優れた簡便な防汚性薄膜の形成方法
の提供にある。【解決手段】真空蒸着法による被処理基材１０の表面に
防汚性薄膜１を形成する方法で、織物状含浸担体２０に
浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプ
ヒ−タ−３０加熱又はヒートローラー接触加熱により蒸
発させるもので、前記織物状の含浸担体がロ−ル状含浸
担体２０ａで、それを連続巻き取り式送り装置１１０に
より送り、連続的に蒸発させる方法である。またセラミ
ックス多孔性形成体の含浸担体に浸した防汚性材料を、
ランプヒ−タ−加熱により蒸発させるもので、前記セラ
ミックス多孔性形成体の含浸担体が、板状、ペレット
状、粉状含浸担体で、それらの表面又は裏面から照射加
熱してなる形成方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は偏光板等の光学部材
で防汚性を必要とする各種基材の表面に、防汚性薄膜を
形成する方法に関するものであり、特に連続成膜可能な
防汚性薄膜の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、レンズや偏光板等の反射防止
膜付き光学部材において、汗や指紋等による汚れが付着
し易く、一旦付着したこのような汚れを除去するため
に、特殊な布等で拭き取るなどの操作が知られている
が、完全に除去するには困難なものであった。

【０００３】このような問題を解決する手段として、防
汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキルシランの薄
膜を光学部材の表面に形成する方法が提案されている。
例えば、特開平５−２１５９０５号公報では、フルオロ
アルキルシラザン等を金属粉末の焼結フィルターに含浸
させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものであり、
また、特開平８−１４３３３２号公報では、フルオロア
ルメキルシラザンをスチールウールに含浸させた蒸発源
を用いる真空蒸着方法としたものが開示されている。

【０００４】また、特開平６−１２２７７８号公報で
は、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてフルオロアルキルシ
ランの撥水性薄膜を形成する方法としたものが開示され
ている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−２１５９０５号公報、特開平８−１４３３３２
号公報に開示されている方法では、メガネレンズ等の被
処理基材にバッチ処理で防汚性薄膜を形成するために開
発された方法であって、被処理基材としてポリエステル
フィルムやポリアセチルセルロースフィルム等のロール
状のフィルムを用いた巻き取り方式で連続処理を行った
としても、蒸着源のセットや調整に煩雑さがあるため、
蒸発量の安定性、制御性および処理の作業性が悪いとい
う問題があった。特に、被処理基材が反射防止膜付きの
光学部材である場合、薄膜の厚みムラは光学特性ムラの
原因となるため、致命的問題であった。

【０００６】また、上記特開平６−１２２７７８号公報
に開示されている方法では、巻き取り方式で連続処理も
可能であるが、メガネレンズ等の水やけ防止を目的に提
案された撥水性薄膜であるため、防汚性が不十分なもの
であった。すなわち、防汚性の優れた材料は概して、分
子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高くなる傾向に
あるが、上記のＣＶＤ法ではこのような材料の薄膜化は
不向きであって、上記提案の材料にも防汚性の点で問題
があった。

【０００７】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、その課題とするところは、偏光板等の
光学部材の防汚性薄膜の形成において、より優れた防汚
性薄膜を安定的にムラがなく、連続的に形成でき、その
薄膜形成の制御性および蒸発源の調整やセット等の作業
性に優れた簡便な防汚性薄膜の形成方法を提供すること
にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１の発明では、真空蒸着
法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方
法であって、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキ
ルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−による放射加
熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発さ
せることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたもの
である。

【０００９】また、請求項２の発明では、前記織物状の
含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を
連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させ
ることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたもので
ある。

【００１０】また、請求項３の発明では、前記織物状の
含浸担体がグラスファイバ−からなることを特徴とする
防汚性薄膜の形成方法としたものである。

【００１１】また、請求項４の発明では、前記織物状の
含浸担体がカ−ボンファイバ−からなることを特徴とす
る防汚性薄膜の形成方法としたものである。

【００１２】また、請求項５の発明では、前記織物状の
含浸担体がアルミナファイバ−からなることを特徴とす
る防汚性薄膜の形成方法としたものである。

【００１３】また、請求項６の発明では、真空蒸着法に
よって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法で
あって、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体に
浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料を、ラン
プヒ−タ−による照射加熱により蒸発させることを特徴
とする防汚性薄膜の形成方法。

【００１４】また、請求項７の発明では、前記セラミッ
クス多孔性形成体からなる含浸担体が、板状含浸担体、
または裏面に金属製板を備えた板状含浸担体であって、
該板状含浸担体の表面から照射加熱してなることを特徴
とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。

【００１５】さらにまた、請求項８の発明では、前記セ
ラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、ペレット
状含浸担体もしくは塊状含浸担体もしくは粉状含浸担
体、または裏面に多数個穿設された金属製板を備えたペ
レット状もしくは塊状含浸担体であって、該ペレット状
もしくは塊状もしくは粉状含浸担体の裏面から照射加熱
してなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法とした
ものである。

【００１６】ここで、上記フルオロアルキルシラン等の
防汚性材料とは、真空蒸着法に適用できる材料で、分子
量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは
多元系の材料との混合物であり、発明者らの鋭意検討を
重ねた結果、非常に防汚性の優れた材料であることを見
いだしたもので、具体的には、フルオロアルキルシラ
ン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系
材料である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。本発明の防汚性薄膜の形成方法は、図１に示すよう
に、巻き取り式真空蒸着装置（１００）によって被処理
基材（１０）の表面に防汚性薄膜を形成する方法であっ
て、織物状の含浸担体（２０）に浸したフルオロアルキ
ルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−（３０）によ
る放射加熱もしくは図２に示すヒートローラー（４０）
による接触加熱により蒸発させるものであり、前記織物
状の含浸担体（２０）がロ−ル状であって、そのロール
状含浸担体（２０ａ）を連続巻き取り式送り装置（１１
０）により、連続的に蒸発させることを特徴とする防汚
性薄膜の形成方法としたものである。

【００１８】また、前記織物状の含浸担体（２０）が、
グラスファイバー、カーボンファイバーまたはアルミナ
ファイバーからなるものである。

【００１９】以上のような本発明の防汚性薄膜の形成方
法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の被
処理基材（１０）であるフィルムの走行速度とロール状
含浸担体（２０ａ）の送り速度の調整だけで、単分子あ
るいは数分子層程度の防汚性薄膜（１）を安定してムラ
なく形成することができ、織物状の含浸担体（２０）を
ロール状含浸担体（２０ａ）とし、連続巻き取り式送り
装置（１１０）で連続的に蒸発させることによって、１
万ｍ以上の被処理基材（１０）であるロールフィルムの
連続処理が容易に可能となり、かつロール状含浸担体
（２０ａ）の調整やセットを簡単にすることができるも
のである。

【００２０】また、本発明のもう一つの防汚性薄膜の形
成方法は、図３に示すように、巻き取り式真空蒸着装置
（１００）によって被処理基材（１０）の表面に防汚性
薄膜（１）を形成する方法であって、セラミックス多孔
性形成体からなる含浸担体（２４）に浸したフルオロア
ルキルシラン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−（３
０）による照射加熱により蒸発させるものであり、前記
セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）
が、図４（ａ）に示すように、板状含浸担体（２４ａ）
であって、または、図４（ｂ）に示すように、裏面に金
属板（２４ｃ）を備えた板状含浸担体（２４ａ）であっ
て、これら板状含浸担体（２４ａ）の表面からランプヒ
−タ−（３０）による照射加熱してなることを特徴とす
る防汚性薄膜の形成方法としたものである。

【００２１】また、前記セラミックス多孔性形成体から
なる含浸担体（２４）が、図５（ａ）に示すように、ペ
レット状含浸担体（２４ｂ）もしくは図６（ａ）に示す
ように、塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは図７に示すよ
うに、粉状含浸担体（２４ｆ）であって、または図５
（ｂ）に示すように、裏面に多数個穿設された金属板
（２４ｄ）を備えたペレット状含浸担体（２４ｂ）もし
くは図６（ｂ）に示すように、塊状含浸担体（２４ｅ）
であって、それらペレット状含浸担体（２４ｂ）もしく
は塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは粉状含浸担体（２４
ｆ）の裏面からランプヒ−タ−（３０）による照射加熱
してなることを特徴とする防汚性薄膜（１）の形成方法
としたものである。

【００２２】以上のような本発明のもう一つの防汚性薄
膜の形成方法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１０
０）内の被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度
の調整だけで、単分子あるいは数分子層程度の防汚性薄
膜を安定してムラなく形成することができ、セラミック
ス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）の上記形状と
長さを調整することによって、５００ｍから数千ｍの被
処理基材（１０）であるロールフィルムの連続処理が容
易に可能となり、かつセラミックス多孔性形成体からな
る含浸担体（２４）の調整やセットを簡単にすることが
できるものである。

【００２３】ここで上記各含浸担体（２０、２４）に浸
した非常に防汚性に優れた防汚性材料として、上述のよ
うに、真空蒸着法に適用できる材料で、分子量が大き
く、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の
材料との混合物であり、具体的には、フルオロアルキル
シラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混
合系材料である。

【００２４】さらに具体的には、一般式

【００２５】［化１］Ｒｆ−ＯＨ（式中Ｒｆは、数平均分子量５００〜１０，０００のフ
ッ素を有する置換基を表す）で表されるフッ素系材料あ
るいは、一般式

【００２６】［化２］ＣＦ₃（ＣＦ₂）_n（ＣＨ2）_mＳｉ（ＮＨ）₁.₅ （ｎは正の整数、ｍは０以上の整数、Ａは加水分解可能
な置換基を表す。）で表されるフルオロアルキルシラザ
ンあるいは上記材料との混合物である。

【００２７】これら防汚性材料をメタキシレンヘキサフ
ロライドなどのフッ素系溶媒で０．１から３０重量％に
希釈し、グラスファイバ−、カ−ボンファイバ−、アル
ミナファイバ−等からなる織物状の含浸担体（２０）ま
たは硫酸カルシウム、カルシア、シリカ、マグネシア、
アルミナあるいはそれら材料との混合物等のセラミック
ス粉末を焼成した多孔性形成体からなる含浸担体（２
４）に含浸後乾燥させ、それぞれの蒸着用含浸担体とす
る。

【００２８】ここで上記セラミックス多孔性形成体から
なる含浸担体（２４）について詳述する。セラミックス
の焼成形状には、板状、ペレット状、塊状、粉状等が考
えられる。照射加熱方法によらず材料の蒸発方向には指
向性がないので、被処理基材（１０）側に蒸発する効率
をよくするためには、形状と加熱方法のマッチングが必
要である。本発明のランプヒ−タ−（３０）による照射
加熱では、図４（ａ）に示すマクロ的隙間の無い板状含
浸担体（２４ａ）の場合は、表面（被処理基材（１０）
側）からのランプヒ−タ−（３０）による照射加熱が適
している。また図４（ｂ）に示すこの板状含浸担体（２
４ａ）の下面に金属製板（２４ｃ）を設けることで一旦
裏面に蒸発した材料を表面に再蒸発させることができる
ので、より材料使用効率がよくなるものである。また、
ペレット状含浸担体（２４ｂ）や塊状含浸担体（２４
ｅ）や粉状含浸担体（２４ｆ）の場合、表面照射でもよ
いが、図５（ａ）および図６（ａ）および図７に示すよ
うに、裏面（被処理基材（１０）と反対側）照射がより
良い成膜を可能にする。また、図５（ｂ）および図６
（ｂ）に示すように、このペレット状含浸担体（２４
ｂ）や塊状含浸担体（２４ｅ）の下面に多数穿設された
金属製板（２４ｄ）を設けることで前記板状含浸担体
（２４ａ）同様に一旦裏面に蒸発した材料を表面に再蒸
発させることができるので、より材料使用効率よくなる
ものである。

【００２９】被処理基材（１０）としての光学部材に
は、例えば、液晶ディスプレー用の偏光板あるいは偏光
板貼り付け用反射防止フィルムやテレビモニタ−貼り付
け用反射防止フィルムがあり、いずれの場合でも真空蒸
着やスパッタリング法などのドライコ−トあるいはディ
ップコ−トやスピンコ−トなどのウェットコ−トなどに
よって、ハ−ドコ−ト付きのポリエステルフィルムやト
リアセチルセルロ−スフィルム等のロ−ルフィルム上
に、反射防止膜を積層したものを用いる。この反射防止
膜はＭｇＦ₂、ＬｉＦ₂、ＴｈＦ₄、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｚ
ｒＯ₂、ＣｅＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅などの
フッ化物、酸化物を単層で、あるいは積層したものを用
いる。

【００３０】これら上述の被処理基材（１０）と蒸着用
含浸担体（２０、２４）を巻き取り式真空蒸着装置（１
００）にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気し
て後、この蒸着用含浸担体（織物状の含浸担体（２０）
の場合）を適当な速度で送り込みながら、特定の一部分
を１５０℃〜５００℃、好ましくは２００℃から４００
℃に加熱し含浸された材料を蒸発させる。加熱方法とし
て、両者の蒸着用含浸担体（２０、２４）ではランプヒ
−タ−（３０）加熱が適用され、織物状の含浸担体（２
０）には、図２に示すようにヒートローラー（４０）に
よる接触加熱を用いることもできる。

【００３１】

【実施例】次に本発明を実施例により、さらに具体的に
説明する。〈実施例１〉前記化２で表されるフルオロアルキルシラ
ザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈
した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１Ｍ）を、幅５０
ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのグラスファイバ−からな
る織物（日東紡製スライバ−クロスＷＳ８５０Ｓ１０
０）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０
ａ）を得た。

【００３２】また、被処理基材（１０）として、幅５０
０ｍｍ・厚さ８０ミクロン・長さ５００ｍのトリアセチ
ルセルロ−スフィルム上にハ−ドコ−ト層と反射防止膜
を積層したものを用いて、図１に示すように、巻き取り
式真空蒸着装置（１００）内の巻き出しロール（１
２）、蒸着ロール（１６）および巻き取りロール（１
４）に装填した。

【００３３】さらに、図１に示すように、巻き取り式真
空蒸着装置（１００）内に上記で得られた蒸着用ロール
状含浸担体（２０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以
下に真空排気して後、このロール状含浸担体（２０ａ）
を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉ
ｎで送り込みながら、蒸着用織物状の含浸担体（２０）
にスポット状に集光できるランプヒ−タ−（３０）（ウ
シオ電機製IHU-A03-01500W）で照射加熱し、蒸発させ
た。この時の蒸着用含浸担体（２０）の表面温度は３５
０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度
は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００３４】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。

【００３５】〈実施例２〉実施例１同様に調整した蒸着
用ロール状含浸担体（２０ａ）と被処理基材（１０）を
用いて、図２に示すように、巻き取り式真空蒸着装置
（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空
排気して後、この織物状の含浸担体（２０）を３５０℃
に温度制御されたヒートローラー（４０）上を接触させ
ながら５ｍｍ／ｍｉｎで通過させ、蒸発させた。被処理
基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎ
であった。

【００３６】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜が形成された。また防汚性薄膜
（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方
向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。

【００３７】〈実施例３〉上記化１と化２で表されるフ
ルオロアルキルシラザンを１：１の比率で混合し、メタ
キシレンヘキサフロライドで６重量％に希釈した混合溶
液を用いて、実施例１と同様の蒸着用ロール状含浸担体
（２０ａ）を用意した。

【００３８】図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装
置（１００）内に、実施例１で用意された被処理基材
（１０）と上記で得られた蒸着用ロール状含浸担体（２
０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気し
て後、このロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送
り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みな
がら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射
加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体
（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）
であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００３９】この結果、水の接触角で１０５度から１１
０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。

【００４０】〈実施例４〉実施例３と同様の混合溶液
を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのカ−ボンファ
イバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥
させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。

【００４１】図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装
置（１００）内に、この蒸着用ロール状含浸担体（２０
ａ）と実施例１同様の被処理基材（１０）をセットし、
１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この含浸担体
（２０ａ）を巻き取り式送り装置を介して５ｍｍ／ｍｉ
ｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−
（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用含
浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材
（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであ
った。

【００４２】この結果、水の接触角で１０５度から１１
０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。

【００４３】〈実施例５〉実施例３と同様の混合溶液
を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのアルミナファ
イバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥
させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。

【００４４】図１に示すように、上記で得た蒸着用ロー
ル状含浸担体（２０ａ）と実施例１と同様の被処理基材
（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセッ
トし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸
着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置
（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、
実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱
し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２
０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であ
るフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００４５】この結果、水の接触角で１０５度から１１
０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。

【００４６】〈実施例６〉実施例３と同様の混合溶液
を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ３０ｍのグラスファ
イバ−からなるロ−ル状の織物（日東紡製スライバ−ク
ロスＷＳ８５０Ｓ１００）に含浸、乾燥させて蒸着用ロ
ール状含浸担体（２０ａ）を得た。

【００４７】続いて、図１に示すように、上記で得た蒸
着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１同様の被処
理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）に
セットし、１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、
この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送
り装置（１１０）を用いて５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みな
がら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射
加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体
（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）
であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００４８】この結果、水の接触角で１０５度から１１
０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、この長尺（３０ｍ）のロ−ル状の織物からな
る蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）であるため、交換
なしで、１本５００ｍの前記被処理基材（１０）を５０
本分すなわち２５０００ｍ分の処理ができた。

【００４９】〈実施例７〉上記化２で表されるフルオロ
アルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３
重量％に希釈した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１
Ｍ）を、幅５０ｍｍ・厚さ３ｍｍ・長さ１ｍの硫酸カル
シウムの成形体に１２００ｃｃを含浸、乾燥させて蒸着
用セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）
で図６に示すような板状含浸担体（２４ａ）を得た。

【００５０】続いて図３に示すように、上記で得た蒸着
用セラミックス多孔性形成体からなる板状含浸担体（２
４ａ）と実施例１と同様の被処理基材（１０）を巻き取
り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔ
ｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２４
ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図６に示すよ
うに、スポット上に集光できるランプヒ−タ−（３０）
（ウシオ電機製IHU-A03-01 500W）で表面から照射加熱
し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体（２４
ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であ
るフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００５１】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。

【００５２】〈実施例８〉実施例７と同様の材料を直径
φ４ｍｍ長さ６ｍｍのペレット状の成形体に含浸、乾燥
させて図５（ａ）に示すような蒸着用ペレット状含浸担
体（２４ｂ）を得た。

【００５３】続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）
に実施例７同様の被処理基材（１０）と上記で得た蒸着
用ペレット状含浸担体（２４ｂ）をセットし、１Ｅ−４
Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレット状含浸担
体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図５
（ａ）に示すように、実施例７と同様のランプヒ−タ−
（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の
蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表面温度は３５
０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度
は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００５４】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。

【００５５】〈実施例９〉実施例７と同様の材料を大き
さ３〜１５ｍｍ、厚さ１〜５ｍｍの不定形の成形体に含
浸、乾燥させて図６（ａ）に示すような、蒸着用塊状含
浸担体（２４ｅ）を得た。

【００５６】続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）
に実施例７同様の被処理基材と上記で得た蒸着用塊状含
浸担体（２４ｅ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に
真空排気して後、この塊状含浸担体（２４ｅ）を５ｍｍ
／ｍｉｎで送り込みながら、図６（ａ）に示すように、
実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加
熱し、蒸発させた。この時の蒸着用塊状含浸担体（２４
ｅ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であ
るフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００５７】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。

【００５８】〈実施例１０〉実施例７と同様の材料を平
均粒径１００μｍの成形体に含浸、乾燥させて、図７に
示すような蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）を得た。続い
て巻き取り式真空蒸着装置（１００）に実施例７同様の
被処理基材（１０）と上記で得た蒸着用粉状含浸担体
（２４ｆ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排
気して後、この粉状含浸担体（２４ｆ）を５ｍｍ／ｍｉ
ｎで送り込みながら、図７に示すように、実施例６と同
様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加熱し、蒸発さ
せた。この時の蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）の表面温
度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの
走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。

【００５９】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。

【００６０】〈実施例１１〉巻き取り式真空蒸着装置
（１００）に実施例７同様の被処理基材（１０）と蒸着
用板状含浸担体（２４ａ）をセットし、図４（ｂ）に示
すように、板状含浸担体（２４ａ）の下面に厚さ１ｍｍ
のステンレス製金属板（２４ｃ）を挿入した。１Ｅ−４
Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２
４ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図４に示す
ように、実施例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で表
面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含
浸担体（２４ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材
（１０）であるフィルムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであ
った。

【００６１】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、実施例７より良い材料使用効率を得た。

【００６２】〈実施例１２〉巻き取り式真空蒸着装置
（１００）内に実施例７同様の被処理基材（１０）と図
５（ｂ）に示すように、実施例８と同様の蒸着用ペレッ
ト状含浸担体（２４ｂ）をセットし、このペレット状含
浸担体（２４ｂ）の下面にはφ３ｍｍ、開口率７０％に
多数穿設したステンレス製金属板（２４ｄ）を挿入し
た。１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレ
ット状含浸担体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込み
ながら、図５（ｂ）に示すように、実施例７と同様のラ
ンプヒ−タ−（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させ
た。この時の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表
面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィル
ムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであった。

【００６３】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚
性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無
く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であっ
た。また、実施例７より良い材料使用効率を得た。

【００６４】〈比較例１〉フルオロアルキルシラザンを
スチ−ルウ−ルに含浸させた直径φ１８ｍｍの銅製カッ
プに圧入した総計４５０ケの蒸発源をリング状に二列に
並べ、送り角度１．５度／ｍｉｎで回転させながら、電
子ビームガンを用いて、加速電圧１０ＫＶ、エミッショ
ン電流１５ｍＡの条件で加熱蒸着した。被処理基材（１
０）は上記実施例と同じものを用い、被処理基材（１
０）であるフィルムの走行速度は２ｍ／ｍｉｎであっ
た。

【００６５】この結果、水の接触角で１１０度から１１
１度の防汚性薄膜（１）が形成されたが、３０ｃｍ程度
の長さで接触角９０度前後の部分が周期的に発生した。
この部分ではた防汚性薄膜（１）の形成前後における分
光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみら
れなかったものの、防汚性能ムラが発生した。また、蒸
発源を並べる作業が煩雑であった。

【００６６】〈比較例２〉巻き取り式真空蒸着装置（１
００）に実施例６と同様の被処理基材（１０）と蒸着用
含浸担体をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気
して後、この含浸担体を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みなが
ら、実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面か
ら加熱し、蒸発させた。

【００６７】被処理基材（１０）であるフィルムの走行
速度は５ｍ／ｍｉｎでは適性な成膜レ−トが得られず、
この結果、水の接触角で７０度から９０度の不均一な防
汚性薄膜しか形成できなかった。また、幅方向・長さ方
向の色ムラがあった。また、フィルムの走行速度を０．
５ｍ／ｍｉｎに落としたところ、水の接触角で１１０度
から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。
したがって、上記各実施例に比べ著しく材料利用効率が
悪かった。

【００６８】

【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、真空蒸着法によって被処理
基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法において、織物
状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚
性材料をランプヒ−タ−による放射加熱もしくはヒート
ローラーによる接触加熱により蒸発させ、前記織物状の
含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を
連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させ
る防汚性薄膜の形成方法としたので、防汚性の優れた分
子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるい
は多元系の材料混合物を被処理基材であるロールフィル
ム上に連続処理が長時間でき、かつ速く、安定して、制
御性よく、簡便な防汚性薄膜の形成を可能にする。

【００６９】また、セラミックス多孔性形成体からなる
含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材
料を、ランプヒ−タ−による照射加熱により蒸発させ、
前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏
面に金属製板を備えた板状含浸担体であって、該板状含
浸担体の表面から照射加熱してなるもしくは前記セラミ
ックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏面に多数個
穿設された金属製板を備えたペレット状もしくは塊状含
浸担体であって、該ペレット状もしくは塊状もしくは粉
状含浸担体の裏面から照射加熱してなる防汚性薄膜の形
成方法としたので、防汚性の優れた分子量が大きく、蒸
気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料混
合物を被処理基材であるロールフィルム上に連続処理が
比較的長くでき、かつ速く、安定して、制御性よく、簡
便な防汚性薄膜の形成を可能にする。また、蒸発用含浸
担体の調整やセットが非常に簡単にできる。

【００７０】また、上記板状含浸担体の裏面に金属製板
を、ペレット状もしくは塊状含浸担体の裏面に多数個穿
設された金属製板を設けることによって、金属製板を設
けない場合に比べ、より材料使用効率をよくすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸
着装置にロール状含浸担体とランプヒ−タ−を配した概
略を断面で表した説明図である。

【図２】本発明の他の一実施の形態を示す巻き取り式真
空蒸着装置にロール状含浸担体とヒートローラーを配し
た概略を断面で表した説明図である。

【図３】本発明の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸
着装置にセラミックス多孔性形成体からなる含浸担体と
ランプヒ−タ−を配した概略を断面で表した説明図であ
る。

【図４】本発明の一実施の形態を示すランプヒ−タ−照
射加熱部を説明する図で、（ａ）は、板状含浸担体に対
する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、
金属製板を裏面に配した板状含浸担体に対する照射状態
を断面で表した説明図である。

【図５】本発明の他の一実施の形態を示すランプヒ−タ
−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、ペレット状含
浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
（ｂ）は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配
したペレット状含浸担体に対する照射状態を断面で表し
た説明図である。

【図６】本発明の他の一実施の形態を示すランプヒ−タ
−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、塊状含浸担体
に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）
は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配した塊
状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図であ
る。

【図７】本発明の他の一実施の形態を示すランプヒ−タ
−照射加熱部を説明する図で、粉状含浸担体に対する照
射状態を断面で表した説明図である。

【符号の説明】

１‥‥防汚性薄膜１０‥‥被処理基材１２‥‥巻き出しロール１４‥‥巻き取りロール１６‥‥蒸着ロール２０‥‥織物状の含浸担体２０ａ‥‥ロール状含浸担体２４‥‥セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体２４ａ‥‥板状ち含浸担体２４ｂ‥‥ペレット状含浸担体２４ｃ‥‥金属製板２４ｄ‥‥多数個穿設された金属板２４ｅ‥‥塊状含浸担体２４ｆ‥‥粉状含浸担体３０‥‥ランプヒ−タ− ４０‥‥ヒートローラー１００‥‥巻き取り式真空蒸着装置１１０‥‥連続巻き取り式送り装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空蒸着法によって被処理基材の表面に防
汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体に
浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプ
ヒ−タ−による放射加熱もしくはヒートローラーによる
接触加熱により蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜
の形成方法。
【請求項２】前記織物状の含浸担体がロ−ル状であっ
て、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置に
より送り、連続的に蒸発させることを特徴とする請求項
１記載の防汚性薄膜の形成方法。
【請求項３】前記織物状の含浸担体がグラスファイバ−
からなることを特徴とする請求項１または２記載の防汚
性薄膜の形成方法。
【請求項４】前記織物状の含浸担体がカ−ボンファイバ
−からなることを特徴とする請求項１または２記載の防
汚性薄膜の形成方法。
【請求項５】前記織物状の含浸担体がアルミナファイバ
−からなることを特徴とする請求項１または２記載の防
汚性薄膜の形成方法。
【請求項６】真空蒸着法によって被処理基材の表面に防
汚性薄膜を形成する方法であって、セラミックス多孔性
形成体からなる含浸担体に浸したフルオロアルキルシラ
ン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−による照射加熱に
より蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方
法。
【請求項７】前記セラミックス多孔性形成体からなる含
浸担体が、板状含浸担体、または裏面に金属製板を備え
た板状含浸担体であって、該板状含浸担体の表面から照
射加熱してなることを特徴とする請求項６記載の防汚性
薄膜の形成方法。
【請求項８】前記セラミックス多孔性形成体からなる含
浸担体が、ペレット状含浸担体もしくは塊状含浸担体も
しくは粉状含浸担体、または裏面に多数個穿設された金
属製板を備えたペレット状もしくは塊状含浸担体であっ
て、該ペレット状もしくは塊状もしくは粉状含浸担体の
裏面から照射加熱してなることを特徴とする請求項６記
載の防汚性薄膜の形成方法。