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JPH11145808A - Power-on reset circuit and semiconductor integrated circuit device using the same - Google Patents

Power-on reset circuit and semiconductor integrated circuit device using the same

Info

Publication number
JPH11145808A
JPH11145808A JP30682997A JP30682997A JPH11145808A JP H11145808 A JPH11145808 A JP H11145808A JP 30682997 A JP30682997 A JP 30682997A JP 30682997 A JP30682997 A JP 30682997A JP H11145808 A JPH11145808 A JP H11145808A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
nmos transistor
turned
power supply
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30682997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuki Watanabe
一希 渡邊
Hiroyuki Mizuno
弘之 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP30682997A priority Critical patent/JPH11145808A/en
Publication of JPH11145808A publication Critical patent/JPH11145808A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】連続する電源のオン・オフにおいても、回路の
正常動作開始後にリセット信号を供給することを可能と
したパワーオンリセット回路を提供する。 【解決手段】電源電圧VDDとノードN1の間にNMO
SトランジスタMswを接続し、そのゲート端子の電位を
電源オン時にはノードN1より低電位としてMswをオフ
させ、電源オフ時には高電位としてMswをオンさせるこ
とで、電源オフ時にキャパシタC1に残る電荷の放電を
可能にする。
[PROBLEMS] To provide a power-on reset circuit capable of supplying a reset signal after normal operation of a circuit is started even when power is continuously turned on and off. An NMO is provided between a power supply voltage VDD and a node N1.
The S transistor Msw is connected, and the potential of the gate terminal thereof is lower than the node N1 when the power is turned on, Msw is turned off, and when the power is turned off, Msw is turned on at a high potential. Enable.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】集積回路の大規模化に伴い、
フリップフロップなどの回路が多用されるようになって
きている。これらの回路が電源投入時に不定な値を持
ち、回路動作に悪影響を与えてしまう恐れがある。本発
明は、回路の動作開始時に、この不定値を一定の値に確
定するためのパワーオンリセット回路およびそれを用い
た半導体集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION With the increase in the scale of integrated circuits,
Circuits such as flip-flops are increasingly used. These circuits have indefinite values when the power is turned on, which may adversely affect circuit operation. The present invention relates to a power-on reset circuit for determining an indefinite value to a constant value at the start of operation of a circuit, and a semiconductor integrated circuit device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2に従来型のパワーオンリセット回路
の基本構成を示す。R1は抵抗、C1はコンデンサ、I
nv1はインバータ回路である。電源電圧VDDとグラン
ドとの間に抵抗R1とキャパシタC1を直列接続し、そ
の接続点N1をインバータInv1の入力端子に接続し、リ
セット信号OUTを得ている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a basic configuration of a conventional power-on reset circuit. R1 is a resistor, C1 is a capacitor, I
nv1 is an inverter circuit. The resistor R1 and the capacitor C1 are connected in series between the power supply voltage VDD and the ground, and the connection point N1 is connected to the input terminal of the inverter Inv1 to obtain the reset signal OUT.

【0003】電源を投入した時はリセット信号OUTが
“H”である。その後(VDD−V1)/R1の電流が
C1に流れ、接続点N1の電位V1がインバータInv1
の論理しきい値Vtを超えたところでリセット信号OU
Tが“L”になる。このようにして、電源投入から一定
時間の間だけリセット信号OUTが得られる。
When power is turned on, a reset signal OUT is "H". Thereafter, a current of (VDD-V1) / R1 flows to C1, and the potential V1 of the connection point N1 is changed to the inverter Inv1.
Signal OU exceeds the logical threshold value Vt of
T becomes "L". In this manner, the reset signal OUT is obtained only for a certain period of time after the power is turned on.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】特開昭58−6623号にも
述べられているように、集積回路が大規模になるにつれ
て、フリップフロップなどの回路が多用されるようにな
ってきている。電源投入時にはこれらの回路が不定な値
を持ち、回路動作に悪影響を与えてしまう恐れがある。
そこで、回路の動作開始時に、この不定値を一定の値に
確定するためのパワーオンリセット回路が必要になって
くる。
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 58-6623, as the scale of integrated circuits increases, circuits such as flip-flops have been used more and more. When the power is turned on, these circuits have indefinite values, which may adversely affect circuit operation.
Therefore, a power-on reset circuit is required to fix the undefined value to a constant value when the circuit starts operating.

【0005】図3(A)は電源電圧VDDがVa以上に
なれば正常動作する回路についての様子を示したもので
ある。ここで、一点鎖線はVDDの変化に伴うインバー
タInv1の論理しきい値Vtの変化を表している。図2
の従来例の回路を用いた場合、リセット信号はVa以上
になってから出力されなければならないので、時間ta
以降にV1がInv1の論理しきい値Vtを超えるように
調整しなければならない。このN1の立ち上がり時間を
調整するために、R1を大きくすることでキャパシタに
流れ込む電流Iinを小さくする必要がある。
FIG. 3A shows a circuit which normally operates when the power supply voltage VDD becomes equal to or higher than Va. Here, the alternate long and short dash line indicates a change in the logical threshold value Vt of the inverter Inv1 accompanying a change in VDD. FIG.
In the case of using the circuit of the conventional example, the reset signal must be output after the reset voltage becomes equal to or higher than Va.
Thereafter, it must be adjusted so that V1 exceeds the logical threshold value Vt of Inv1. In order to adjust the rise time of N1, it is necessary to reduce the current Iin flowing into the capacitor by increasing R1.

【0006】ところが、この場合、次に挙げる2つの課
題が生じる。
However, in this case, the following two problems occur.

【0007】(1)電源をオフする時には、R1を大き
くすると、C1に蓄えられた電荷は瞬時に放電されず、
しばらくN1に電位が残ってしまう。この状態で電源が
再投入された場合、回路が動作するよりも先にV1がI
nv1の論理しきい値Vtを超えてしまい、時刻ta0より
も早い時間、すなわち、電源電圧が回路が正常に動作し
ない間にリセットが解除されてしまう。
(1) When the power is turned off, if R1 is increased, the charge stored in C1 is not discharged instantaneously,
The potential remains at N1 for a while. When the power is turned on again in this state, V1 is set to I before the circuit operates.
The reset exceeds the logical threshold value Vt of nv1, and the reset is released before the time ta0, that is, while the power supply voltage does not operate properly.

【0008】ここで、図4に示すように、キャパシタC
1に蓄えられた電荷を電源切断時にのみ放電させるため
のダイオードD1を電源電圧VDDとN1の間に逆バイ
アス接続する方法もある。しかし、図3(B)に示すよ
うにN1にはダイオードの順方向電圧VD1が残ってし
まい完全に放電することはできない。
Here, as shown in FIG.
There is also a method in which a diode D1 for discharging the electric charge stored in 1 only when the power is turned off is reverse-biased between the power supply voltage VDD and N1. However, as shown in FIG. 3B, the forward voltage VD1 of the diode remains in N1 and cannot be completely discharged.

【0009】このように連続する電源のオン・オフを考
えた場合、従来の回路構成では不十分であり、C1の放
電を完全に行える回路構成が必要になってくる。
When the continuous power on / off is considered in this manner, the conventional circuit configuration is not sufficient, and a circuit configuration capable of completely discharging C1 is required.

【0010】(2)抵抗を用いる構成であるためプロセ
スに依存し、集積回路に適した構成ではない。図5のよ
うにR1の代わりにトランジスタM01を挿入し、その
ゲート端子にバイアス電圧を加えることでM01を抵抗
として利用する方法もあるが、上記と同様の課題が残
る。
(2) Since the configuration uses a resistor, it depends on the process and is not suitable for an integrated circuit. As shown in FIG. 5, there is a method in which a transistor M01 is inserted instead of R1 and a bias voltage is applied to its gate terminal to use M01 as a resistor. However, the same problem as described above remains.

【0011】本発明の目的は、電源をオフするときに残
ってしまうキャパシタの電荷を完全に放電させること
で、連続する電源のオン・オフにおいても、回路の正常
動作開始後にリセットを解除することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to completely discharge a capacitor remaining when a power supply is turned off, thereby canceling a reset after a normal operation of a circuit is started even when the power supply is continuously turned on and off. It is in.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、電源とN1の間にNMOSトランジス
タを挿入し、電源オフ時にのみこのトランジスタを動作
させることでキャパシタの電荷を放電させる。また、M
OSトランジスタのドレーン端及びソース端は電位の高
低で決定される。挿入するNMOSトランジスタでは、
この性質を利用し、ドレーン端とソース端の電位の高低
の変化に伴い、ゲート端の電位を制御することで、一定
方向にのみ電流を流すことを可能にしている。
In order to achieve the above object, according to the present invention, an electric charge of a capacitor is discharged by inserting an NMOS transistor between a power supply and N1 and operating the transistor only when the power is off. . Also, M
The drain and source ends of the OS transistor are determined by the level of the potential. In the NMOS transistor to be inserted,
By utilizing this property, by controlling the potential of the gate end in accordance with the change in the potential of the drain end and the potential of the source end, it is possible to flow a current only in a certain direction.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明のパワーオンリセット回路
の基本構成を図1に示す。これは、電源電圧VDDとグ
ランドとの間にPMOSトランジスタM01と電流源I
0によってゲート端子をバイアスされたPMOSトラン
ジスタM11とキャパシタC1を直列接続し、その接続
点N1をインバータInv1の入力端子に接続する。更に
N1と電源電圧の間にNMOSトランジスタMswを挿入
した構成である。Mswのゲート端子には、以下に示す電
圧を与える。
FIG. 1 shows a basic configuration of a power-on reset circuit according to the present invention. This is because the PMOS transistor M01 and the current source I are connected between the power supply voltage VDD and the ground.
The PMOS transistor M11 whose gate terminal is biased by 0 and the capacitor C1 are connected in series, and the connection point N1 is connected to the input terminal of the inverter Inv1. Further, an NMOS transistor Msw is inserted between N1 and the power supply voltage. The following voltage is applied to the gate terminal of Msw.

【0014】電源を投入する時は、電流がC1に流れ込
み、N1の電位V1がインバータInv1の論理しきい値
Vtを超えたところでInv1が“L”を出力する。ここ
で、トランジスタMswをオフさせるためにゲート端子に
数1の条件を満たす電圧V2を与えておく。
When the power is turned on, the current flows into C1, and when the potential V1 of N1 exceeds the logical threshold Vt of the inverter Inv1, Inv1 outputs "L". Here, in order to turn off the transistor Msw, a voltage V2 that satisfies the condition of Equation 1 is applied to the gate terminal.

【0015】[0015]

【数1】 V2−V1<Vth …(数1) 次に電源を切断する時は、キャパシタに蓄積された電荷
を流し出すためにMswをオンさせなければならないの
でゲート端子に数2を満たす電圧を与える。
V2-V1 <Vth (Equation 1) Next, when the power supply is turned off, Msw must be turned on in order to discharge the electric charge accumulated in the capacitor. give.

【0016】[0016]

【数2】 V2−VDD≧Vth …(数2) ここで、電源電圧VDDは変化するが、常に数2を満た
さなくても良い。これは、C1に蓄えられた電荷を電源
電圧が完全に切断されるまでに放電すれば良いので、そ
れに必要な時間だけ数2の条件を満たせば良いためであ
る。
V2−VDD ≧ Vth (Expression 2) Here, the power supply voltage VDD changes, but it is not always necessary to satisfy Expression 2. This is because the electric charge stored in C1 may be discharged until the power supply voltage is completely cut off, and the condition of Equation 2 may be satisfied only for the necessary time.

【0017】数1および数2を満たすV2を生成するた
めには図6に示すようにトランジスタM21とキャパシ
タC2をMswのゲート端子に接続することで可能にな
る。但し、数1および数2を満たすための条件として数
3を満たさなければならない。
Generation of V2 that satisfies Equations 1 and 2 can be achieved by connecting the transistor M21 and the capacitor C2 to the gate terminal of Msw as shown in FIG. However, Equation 3 must be satisfied as a condition for satisfying Equations 1 and 2.

【0018】[0018]

【数3】 C1≦C2又は(W/L)M11≧(W/L)M21 …(数3) この条件を満たすトランジスタM21とキャパシタC2
をトランジスタMswのゲート端子に接続すると、電源投
入時にはV1はV2よりも速く立ち上がるため数1を常
に満たし、Mswはオフする。したがって、C1は電荷を
蓄え続けInv1の論理しきい値Vtを超えたところで
“L”を出力する。
C1 ≦ C2 or (W / L) M11 ≧ (W / L) M21 (Equation 3) The transistor M21 and the capacitor C2 satisfying this condition
Is connected to the gate terminal of the transistor Msw, when power is turned on, V1 rises faster than V2, so that Equation 1 is always satisfied, and Msw is turned off. Therefore, C1 keeps storing electric charges and outputs "L" when the voltage exceeds the logical threshold value Vt of Inv1.

【0019】また、電源切断時にはV1及びV2はVD
Dよりも遅く下がり始める。したがって、Mswにおいて
VDDより電位の高いノードN1がドレーン端になり、
ゲート・ソース間電圧はN2とVDDの電位差(V2−
VDD)になるので、これが数2を満たしたところでト
ランジスタMswはオンし、C1の電荷を放電し、N1を
グランドレベルまで降下させる。ここで、より短い時間
で放電させるためにはMswの(W/L)を大きくしてお
けば良いと言える。
When the power is turned off, V1 and V2 are set to VD
It starts to fall later than D. Therefore, the node N1 having a higher potential than VDD in Msw becomes the drain end,
The gate-source voltage is equal to the potential difference between N2 and VDD (V2-
VDD), when this satisfies Equation 2, the transistor Msw is turned on, discharging the electric charge of C1 and lowering N1 to the ground level. Here, in order to discharge in a shorter time, it can be said that Msw (W / L) should be increased.

【0020】図7は本発明による具体的な半導体集積回
路の実施例の要部を示す回路図である。また、図8
(A)に電源電圧VDDの変化、同図(B)にノードN
1の電位V1の変化、同図(C)にノードN2の電位V
2の変化を実線で示し、それぞれインバータInv1及び
Inv2の論理しきい値Vtの変化を一点鎖線で示してい
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a main part of an embodiment of a specific semiconductor integrated circuit according to the present invention. FIG.
(A) shows the change in the power supply voltage VDD, and (B) shows the node N
1, the potential V1 of the node N2 is shown in FIG.
2 is indicated by a solid line, and changes in the logical threshold value Vt of the inverters Inv1 and Inv2 are indicated by dashed lines.

【0021】図8のように電源投入時φonでは回路が動
作し始める時間ta以降、キャパシタC1及びC2に電流
が流れ込み、N1とN2の電位V1及びV2は上がって
いく。ここで、数3を満足しているため、V1はV2に
比べて速く上がっていく。したがって、まずV1がイン
バータInv1の論理しきい値Vtを超え、リセット信号
“L”を出力する。続いて、V2がインバータInv2の
論理しきい値Vtを超え、出力信号“L”を出力する。
ここで、Inv2の出力信号をトランジスタM01のゲート
端子に入力することでトランジスタM01,M02,M
03,M04,M05,M06からなるバイアス回路に
は電流が流れなくなり、低消費電力化にも結び付く。し
かし、このままではV1,V2の電位が降下し始めイン
バータの論理しきい値Vtを下回りリセット信号を
“L”に固定することができなくなる。このような状況
を防ぐためにトランジスタM12,M22を図7のよう
に接続し、ゲート端子にリセット信号を入力する。これ
により、V1及びV2を電源電圧まで上げ、リセット信
号を“L”に固定することが可能になる。
As shown in FIG. 8, at the time of turning on the power supply φon, a current flows into the capacitors C1 and C2 after the time ta when the circuit starts operating, and the potentials V1 and V2 of N1 and N2 rise. Here, since Equation 3 is satisfied, V1 rises faster than V2. Therefore, V1 first exceeds the logical threshold value Vt of the inverter Inv1, and outputs a reset signal "L". Subsequently, V2 exceeds the logical threshold value Vt of the inverter Inv2, and outputs an output signal “L”.
Here, by inputting the output signal of Inv2 to the gate terminal of the transistor M01, the transistors M01, M02, M
No current flows in the bias circuit composed of the transistors 03, M04, M05, and M06, which leads to low power consumption. However, in this state, the potentials of V1 and V2 begin to drop below the logical threshold value Vt of the inverter, and the reset signal cannot be fixed at "L". In order to prevent such a situation, the transistors M12 and M22 are connected as shown in FIG. 7, and a reset signal is input to the gate terminal. This makes it possible to raise V1 and V2 to the power supply voltage and fix the reset signal to "L".

【0022】また、電源をオフするときにN3とN1,
N3とN2の電位差によりM11,M21から電流が漏
れてしまうため、V1,V2が同時に速く降下してしま
い、数2を満足しなくなる。これより、完全に電流が漏
れないようにするために、トランジスタMs1及びMs
2を挿入し、ゲート端子にインバータInv1の出力を接
続することで、Inv2の出力が“L”のときは、完全に
オフにすることができる。
When the power is turned off, N3 and N1,
Since current leaks from M11 and M21 due to the potential difference between N3 and N2, V1 and V2 drop quickly at the same time, and the expression 2 is not satisfied. Thus, in order to completely prevent the current from leaking, the transistors Ms1 and Ms1
2 is inserted and the output of the inverter Inv1 is connected to the gate terminal, so that when the output of Inv2 is "L", it can be completely turned off.

【0023】同様に、トランジスタM12,M22にお
いても電源をオフする時に電流が漏れてしまい、V1,
V2が同時に降下してしまう。しかし、V2の降下をV
1よりも遅くすればよいので、トランジスタM22のサ
イズ(W/L)をM12に比べて非常に小さくすること
でトランジスタM22から漏れる電流を小さくし、N2
の電位降下を遅くすることができる。
Similarly, in the transistors M12 and M22, a current leaks when the power supply is turned off, and V1,
V2 drops at the same time. However, the drop of V2 is
1, the size (W / L) of the transistor M22 is made much smaller than that of the transistor M12, so that the current leaking from the transistor M22 is reduced.
Can be slowed down.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、連
続する電源のオン・オフにおいても回路の正常動作開始
後にリセット信号を供給することが可能になる。
As described above, according to the present invention, the reset signal can be supplied after the normal operation of the circuit is started even when the power supply is continuously turned on and off.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のパワーオンリセット回路の基本構成を
示す回路図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a basic configuration of a power-on reset circuit of the present invention.

【図2】従来のパワーオンリセット回路の基本構成を示
す回路図。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a basic configuration of a conventional power-on reset circuit.

【図3】パワーオンリセット回路における電源電圧の波
形図(A)および図4におけるノードN1の波形図
(B)。
3A is a waveform diagram of a power supply voltage in a power-on reset circuit, and FIG. 4B is a waveform diagram of a node N1 in FIG.

【図4】図2の回路にダイオードを挿入したパワーオン
リセット回路を示す回路図。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a power-on reset circuit in which a diode is inserted in the circuit of FIG. 2;

【図5】抵抗を用いない従来型パワーオンリセット回路
を示す回路図。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional power-on reset circuit that does not use a resistor.

【図6】電源電圧に伴うノードN2の条件を満足したパ
ワーオンリセット回路を示す回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a power-on reset circuit that satisfies a condition of a node N2 according to a power supply voltage.

【図7】本発明の一実施例の半導体集積回路装置の回路
図。
FIG. 7 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit device according to one embodiment of the present invention.

【図8】図7における電源電圧の波形図(A)、図7に
おけるノードN1の波形図(B)、図7におけるノードN
2の波形図(C)。
8 is a waveform diagram of a power supply voltage in FIG. 7 (A), a waveform diagram of a node N1 in FIG. 7 (B), and a node N in FIG. 7;
2 is a waveform diagram (C).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

M01,M11…PMOSトランジスタ、Msw…NMO
Sトランジスタ、C1,C2…キャパシタ、R1…抵
抗、I0…定電流源、Inv1,Inv2…インバータ、D
1…ダイオード、VDD…電源電圧、Vt…インバータ
の論理しきい値。
M01, M11: PMOS transistors, Msw: NMO
S transistor, C1, C2: capacitor, R1: resistor, I0: constant current source, Inv1, Inv2: inverter, D
1 ... Diode, VDD ... Power supply voltage, Vt ... Logical threshold value of the inverter.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1の定電流源を電源電圧と第1の接続点
の間に、第1のキャパシタを第1の接続点とグランドの
間にそれぞれ接続すると共に、第1の接続点にインバー
タの入力端子を接続し、電源電圧と第1の接続点の間に
NMOSトランジスタを接続し、上記NMOSトランジ
スタのゲート端子を、電源オン時には上記ゲート端子と
第1の接続点の電位差が上記NMOSトランジスタのし
きい値電圧未満となるように制御し、電源オフ時には上
記ゲート端子と電源電圧の電位差が上記NMOSトランジス
タのしきい値電圧以上になるように制御することを特徴
とするパワーオンリセット回路。
1. A first constant current source is connected between a power supply voltage and a first connection point, and a first capacitor is connected between the first connection point and ground. An input terminal of the inverter is connected, an NMOS transistor is connected between the power supply voltage and the first connection point, and a gate terminal of the NMOS transistor is connected to the NMOS transistor when power is turned on. A power-on reset circuit for controlling the voltage to be lower than the threshold voltage of the transistor, and controlling the potential difference between the gate terminal and the power supply voltage to be equal to or higher than the threshold voltage of the NMOS transistor when the power is off. .
【請求項2】請求項1記載のパワーオンリセット回路に
おいて、上記NMOSトランジスタのゲート端子の制御
を行うために、第2の定電流源と第2のキャパシタを設
け、第2の定電流源を電源電圧と上記NMOSトランジ
スタのゲート端子の間に、第2のキャパシタを上記NM
OSトランジスタのゲート端子とグランドの間にそれぞ
れ接続し、第1の接続点の電位の立ち上がり及び立ち下
がりより、上記NMOSトランジスタのゲート端子の立ち上
がり及び立ち下がりを遅くするように第2のキャパシタ
の容量値と第2の定電流源の電流値を設定することを特
徴とするパワーオンリセット回路。
2. The power-on reset circuit according to claim 1, further comprising a second constant current source and a second capacitor for controlling a gate terminal of the NMOS transistor. A second capacitor is connected between the power supply voltage and the gate terminal of the NMOS transistor.
The capacitor of the second capacitor is connected between the gate terminal of the OS transistor and the ground so that the rise and fall of the gate terminal of the NMOS transistor are delayed more than the rise and fall of the potential at the first connection point. A power-on reset circuit for setting a value and a current value of the second constant current source.
【請求項3】請求項1または請求項2記載のパワーオン
リセット回路において、第1の接続点に接続された上記
NMOSトランジスタの端子が、電源電圧より高いとき
は上記NMOSトランジスタがオンし、電源電圧より低
いときは上記NMOSトランジスタがオフするように動
作するNMOSトランジスタを有するパワーオンリセッ
ト回路。
3. The power-on reset circuit according to claim 1, wherein when a terminal of said NMOS transistor connected to a first connection point is higher than a power supply voltage, said NMOS transistor is turned on, and A power-on reset circuit including an NMOS transistor that operates to turn off the NMOS transistor when the voltage is lower than the voltage.
【請求項4】請求項1〜3で示したパワーオンリセット
回路と、少なくとも1つのラッチ回路から構成される半
導体集積回路において、ラッチ回路のリセット入力の少
なくとも1つが上記パワーオンリセット回路によって制
御されることを特徴とする半導体集積回路装置。
4. A semiconductor integrated circuit comprising a power-on reset circuit according to claim 1 and at least one latch circuit, wherein at least one of reset inputs of the latch circuit is controlled by said power-on reset circuit. A semiconductor integrated circuit device.
JP30682997A 1997-11-10 1997-11-10 Power-on reset circuit and semiconductor integrated circuit device using the same Pending JPH11145808A (en)

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JP30682997A JPH11145808A (en) 1997-11-10 1997-11-10 Power-on reset circuit and semiconductor integrated circuit device using the same

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JP30682997A JPH11145808A (en) 1997-11-10 1997-11-10 Power-on reset circuit and semiconductor integrated circuit device using the same

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JPH11145808A true JPH11145808A (en) 1999-05-28

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ID=17961768

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6259284B1 (en) 1999-12-22 2001-07-10 Hitachi America, Ltd. Charge free power-on-reset circuit
WO2003091819A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and ic card
JP2004236306A (en) * 2003-01-10 2004-08-19 Stmicroelectronics Inc Electronic device including motion sensitive power switching integrated circuit and associated method
JP2006166305A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor circuit

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