[go: up one dir, main page]

JPH11139818A - 高純度シリカ粉末の製造法 - Google Patents

高純度シリカ粉末の製造法

Info

Publication number
JPH11139818A
JPH11139818A JP30522197A JP30522197A JPH11139818A JP H11139818 A JPH11139818 A JP H11139818A JP 30522197 A JP30522197 A JP 30522197A JP 30522197 A JP30522197 A JP 30522197A JP H11139818 A JPH11139818 A JP H11139818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sodium silicate
silica powder
purity silica
purity
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30522197A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Kasai
清 笠井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Corp filed Critical Tosoh Corp
Priority to JP30522197A priority Critical patent/JPH11139818A/ja
Publication of JPH11139818A publication Critical patent/JPH11139818A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C03C1/006Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels to produce glass through wet route

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】光学用石英ガラスなどの光学関連分野、半導体
封止剤、Si単結晶引き上げ用ルツボなど半導体関連分
野で使用できるような高純度のシリカ粉末を安価に製造
する方法を提供する。 【解決の手段】珪酸ソーダより高純度シリカ粉末を製造
するにあたり、(a)珪酸ソーダに酸を加えてpH2未
満に調整し、SiO2として4〜12重量%の酸性珪酸
ソーダ溶液を得る工程;(b)(a)で得られる酸性珪
酸ソーダ溶液の陽イオン量に対して2.5倍以上のイオ
ン交換容量を有した水素型陽イオン交換繊維に該酸性珪
酸ソーダ溶液を通液して高純度活性珪酸の水性コロイド
溶液を得る工程;(c)(b)で得られる高純度活性珪
酸の水性コロイド溶液にアルカリを加えてpHを4〜7
に調整し、分離、洗浄を行い高純度のシリカケーキを得
る工程;(d)(c)で得られる高純度シリカケーキを
乾燥後、粉砕して高純度シリカ粉末を得る工程;を含む
高純度シリカ粉末の製造法を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学用石英ガラ
ス、フォトマスク用合成石英ガラス板、光ファイバー用
透明石英ガラスなどの光学関連分野、半導体封止材、S
i単結晶引き上げ用ルツボなど半導体関連分野などに用
いられる高純度なシリカ粉末の製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来より高純度シリカ粉末の製造法とし
て種々検討されており、例えば、原料として四塩化珪素
を使用する方法としては、塩酸水溶液中に四塩化珪素を
供給し、得られたスラリーを濾過、水洗、乾燥してシリ
カを得る方法(特開昭62−30613号公報)、珪素
アルコキシドを加水分解し、得られたゾルをゲル化し、
これを乾燥してシリカを得る方法(特開平5−4827
号公報)が提案されている。しかしながら、特開昭62
−30613号公報に記載の方法は、原料である四塩化
珪素が高価であり、また加水分解時に大量に発生する塩
化水素を中和するために大量のアルカリが必要であるた
め、安価な製品は得られないという課題があった。ま
た、特開平5−4827号公報に記載の方法は、原料で
ある珪素アルコキシドが高価であるため、安価な製品は
得られないという課題があった。
【0003】一方、珪酸ソーダを原料とする高純度シリ
カ粉末の製造法としては、特開昭61−270209号
公報には、希釈した珪酸ソーダに酸を加えてpH3.5
〜2に調整し、これを水素型強酸性陽イオン交換樹脂及
びOH型弱酸性陰イオン交換樹脂に通し高純度活性珪酸
溶液を得、これを濃縮、乾固、焼成する方法が示されて
いる。しかしながら、この方法では、pH3.5〜2で
溶液を調整するためイオン交換樹脂内でのゲル化を防ぐ
ため高濃度の珪酸アルカリを流すことは不可能で珪酸濃
度2重量%未満の希薄な酸性珪酸しか得られず、かつ後
工程で大量の水を蒸発させる必要が有り製造プロセスと
しては効率的ではないという問題があった。さらに、特
開平1−126216号公報には、珪酸ソーダを原料と
し、これとシリカゾルまたは珪酸水溶液の混合液を水素
型イオン交換繊維に通液するシリカゾルの製造方法が示
されている。しかしながら、この方法では、珪酸ソーダ
とシリカゾルまたは珪酸水溶液の混合物をイオン交換繊
維に通液する方法であり、アルカリ性を示す珪酸ソーダ
がゾル化する際に不純物元素の内含を防止できずFe,
Alなどの不純物を除去できないという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本願発明はこれらの課
題を解決することを目的としてなされたものであり、そ
の目的は、上記に記載した従来の課題等を解決する光学
用石英ガラスなどの光学関連分野、半導体封止剤、Si
単結晶引き上げ用ルツボなど半導体関連分野で使用でき
るような高純度のシリカ粉末を安価に製造する方法を提
供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、工業用珪酸ソーダ
より高純度シリカを製造するに当たり、珪酸ソーダ溶液
等に酸を加えてpH2未満に調整して高濃度の酸性珪酸
ソーダ溶液を得、これを水素型陽イオン交換繊維を用い
てナトリウムイオン及び他の金属不純物を除去した高純
度活性珪酸の水性コロイド溶液を得、さらにNH3を加
えてpHを4〜7に調整し、分離、洗浄して、高純度の
シリカケーキを得た後に、これを乾燥、粉砕することで
高純度シリカ粉末を得られること、さらにこの高純度シ
リカ粉末を粉砕後に、焼成又は粉砕品を造粒後焼成する
ことで溶融ガラスなどの各種用途の原料として有用とな
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】以下に本発明方法を詳細に説明する。
【0007】先ず本発明において原料とする珪酸ソーダ
について述べる。例えば、市販工業用珪酸ソーダには特
1、1号、2号、3号、4号とあり、Na2OとSiO2
の比率が異なるだけで、すべての工業用珪酸ソーダに適
用できるものである。市販工業用珪酸ソーダの化学分析
値の一例を示すと、大阪曹達製珪酸ソーダ3号ではSi
2 29.02%、Na2O 9.39%、Al23
0.13%、Fe230.01%である。また、本発明
の方法において原料とする珪酸ソーダとしては、このよ
うな液状のもののみならず固形状のものも用いることが
できる。珪酸ソーダの濃度としては、製造工程をコンパ
クトにし、またゲル化を容易にし最終的に得られる高純
度シリカ粉末の収量を多くするためにはSiO2濃度と
して高いことが好ましい。
【0008】次に製造工程に沿って以下に説明する。
【0009】(a)工程 本発明の方法における(a)工程は、酸性でかつSiO
2濃度が高い溶液でも安定であり、後続の(b)工程に
おいて、十分な流動性を与え、かつナトリウム及び他の
不純物を除去可能な酸性珪酸ソーダ溶液を得るものであ
る。ここで、(a)工程で得る4〜12重量%という高
い珪酸濃度でも安定でかつ、アルミニウム、鉄などの不
純物をイオン交換工程で除去するためには、珪酸ソーダ
溶液のpHを2未満に調整することが必須である。この
範囲にあれば、ゲル化が生じたり、次工程のイオン交換
工程において活性珪酸が不純物を内含するのを避けるこ
とができる。逆にpHが2以上の場合にはアルカリ側か
ら酸性側への変化速度が十分ではなく、そのためにゲル
化が起こることがあり、また、イオン交換工程において
活性珪酸が不純物を内含してしまい不純物の除去が不完
全となることがあるため好ましくない。
【0010】添加する酸としては、アルカリ側から酸性
側への変化速度が十分となるものであれば特に限定され
ず、塩酸、硫酸、硝酸等の強酸が好ましく用いられ、こ
れらの内でも高純度の酸性珪酸ソーダ溶液を得るために
硝酸が好ましく用いられる。また、酸を珪酸ソーダ溶液
に添加する際には、そのpHがアルカリ側から酸性側へ
の変化速度が十分となって添加時のゲル化を防ぐために
強撹拌した珪酸ソーダ溶液に酸を一気に添加することが
好ましく、その時間としては製造の規模により異なり一
概にはいえないが、数秒〜数分程度で添加することが望
ましい。
【0011】珪酸ソーダ溶液中の珪酸濃度としては、S
iO2として4〜12重量%の範囲が好ましい。この理
由としては、工業的に利用する場合にはその濃度を高く
することで必要な溶液の容量を小さくすることができる
などの生産性の点で、さらに酸性珪酸ソーダ溶液がゲル
化を避けられるといった溶液の安定性の点から好まし
い。この範囲を逸脱し、4重量%未満となる場合には溶
液の容量が大きくなり、後続のイオン交換工程でその処
理に時間がかかるなど生産性が低下し、また12重量%
を超えるとゲル化が起こるため好ましくない。
【0012】(b)工程 本発明の方法における(b)工程は、(a)工程で得ら
れる酸性珪酸ソーダ溶液を水素型強酸性陽イオン交換繊
維に通液し、溶液中の陽イオン性の金属不純物を除去し
て高純度の活性珪酸の水性コロイド溶液を得るものであ
る。
【0013】ここで、(b)工程で用いられる水素型強
酸性陽イオン交換繊維としては、(a)工程で得られる
高濃度の酸性珪酸ソーダ溶液を速やかにかつ効率的に高
純度の活性珪酸へと変換しうるものであることが重要で
ある。従って、例えばスルホン酸基のような強酸性の基
を有したイオン交換体により速やかにかつ効率的に珪酸
ソーダを水素型の活性珪酸へ変換することで処理中にゲ
ル化が生じることを避けることができるのである。これ
に対し、強酸性の基の代わりにスルホン酸基のような弱
酸性の基を有したイオン交換体により処理すると、イオ
ン交換の効率が落ちることがあったり処理中にゲル化が
起こることがあり好ましくない。
【0014】さらに、イオン交換体としてイオン交換繊
維を用いるのは、その比表面積が大きいためにイオン交
換速度が大きいことや、イオン交換樹脂に比べ小さな細
孔がなく圧力損失が小さいために通液速度を大きくとれ
ることにより、イオン交換処理を迅速にでき、またゲル
化を避けることができるからである。これに対し、
(b)工程において陽イオン交換樹脂を用いた場合、高
濃度の酸性珪酸ソーダ溶液を通液すると樹脂内にゲル状
物が析出することがあり好ましくない。このような
(b)工程に適した水素型強酸性陽イオン交換繊維とし
ては、例えば市販の工業製品として容易に入手でき、そ
の例としてはニチビ製 IEF−SCが挙げられる。
【0015】また、本発明の方法において用いられるイ
オン交換繊維の交換容量としては、通液する酸性珪酸ソ
ーダ溶液中のナトリウムイオン、鉄イオン、アルミニウ
ムイオンなどの陽イオンの総当量の2.5倍以上である
ことが好ましい。2.5倍未満ではイオン交換が不十分
で通液後の不純物量がppm以上となり高純度酸性珪酸
は得られないため好ましくない。さらに、イオン交換容
量としては、高濃度の珪酸ソーダ溶液を速やかにかつ効
率的に高純度の活性珪酸へと変換するためには、イオン
交換繊維の単位重量当たりのイオン交換容量が大きいこ
とが好ましい。
【0016】(b)工程における通液の条件としては、
高濃度の酸性珪酸ソーダ溶液を前記した水素型強酸性陽
イオン交換繊維に通液すればよいのであるが、通液の速
度として空間速度によりイオン交換処理を制御すること
ができる。ここで、空間速度とは、例えば次式(1)に
より求められる。
【0017】 空間速度((時間)-1))=通液量(L/時間)/イオン交換繊維の充填体積 (L) (1) この空間速度としては、イオン交換繊維の充填された充
填塔の形状や酸性珪酸ソーダ溶液中の珪酸濃度などによ
り変動し一概にはいえないが、通常1.5〜10(時
間)-1程度で実施される。この数値が小さすぎるとイオ
ン交換処理の時間がかかりすぎ、また大きすぎるとイオ
ン交換繊維の細孔内においてゲル化が起こることがあ
り、好ましくない。
【0018】このようにして、高濃度の酸性珪酸ソーダ
溶液をイオン交換処理することで、高純度な活性珪酸が
水中で安定にコロイド状態にて存在した水性コロイド溶
液として得ることができる。
【0019】(c)工程 本発明の方法における(c)工程は、(b)工程で得ら
れた高純度な活性珪酸をゲル化させるためにアルカリを
用いてそのpHを4〜7の範囲にし、得られたゲルを分
離、洗浄して高純度のシリカケーキを得るものであり、
pHを4〜7に調整する理由は、このpHの範囲を逸脱
するとゲル化が起こらないことにある。
【0020】ここで、添加するアルカリとしては、pH
を4〜7の範囲に調整でき、後工程において添加したア
ルカリ分が最終的に得られる高純度シリカ粉末中に残存
しないものであればよく、好ましくは、乾燥あるいは焼
成により揮発するアンモニアである。また、アルカリの
純度としても混入しうる各元素が0.1ppm以下の高
純度のものが望ましい。さらに、アンモニア水を用いた
場合にはその濃度として5〜28重量%のものが使用し
やすい。
【0021】アルカリの添加により得られたゲルを撹拌
羽、カッターなどで破砕させ高純度水の中に浸したの
ち、これを分離して、水洗することにより生成した塩を
除去した、含水粉末あるいは塊状物である高純度シリカ
ケーキを得る。ここで用いられる高純度水としては、大
量に用いられるため混入しうる各元素が1ppb以下の
高純度であることが好ましい。また、ゲルを高純度水に
浸した後に分離する方法としては、濾過、遠心分離、デ
カンテーションなど公知の方法を用いることができる
が、これらの内でも(c)工程で得られるシリカケーキ
の含水率を低くして後工程である乾燥の際の負担を軽減
するために濾過が好ましく用いられる。このようにして
水洗されることで処理中に生じた塩、これは前工程で用
いた酸、アルカリによりその形態は変わるが、この塩を
除去して高純度なシリカケーキを得ることができる。
【0022】(d)工程 本発明の方法における(d)工程は、(c)工程で得ら
れた高純度シリカケーキを熱風乾燥、真空乾燥等の公知
の方法で乾燥後、ハンマーミル、乳鉢、らいかい機、ロ
ール粉砕機などにより粉砕して高純度シリカ粉末を得る
ものである。
【0023】また、その用途に応じて、粉砕された粉末
に残留するOH基を少なくしたり、また比表面積を小さ
くする場合には、そのまま焼成、あるいは転動造粒など
で造粒後焼成してもよい。焼成する場合の焼成温度とし
ては通常実施される条件でよいが、高純度シリカ粉末中
の吸着水を除去する目的であれば200℃以上が好まし
く、またシリカ表面のシラノール基を除去する目的には
800℃以上の加熱が好ましい。また、焼成の際の雰囲
気としては、大気中、不活性ガス下あるいは真空中のい
ずれでもよい。
【0024】以上のようにして高純度のシリカ粉末を得
ることができ、その純度としてはファイブ9といった高
純度のものを得ることができる。このような高純度品
は、不純物による光吸収が問題となる光学関連分野や、
高温での不純物の揮散が問題となる半導体関連分野に好
適である。
【0025】
【実施例】以下、実施例において本発明をさらに詳細に
説明する。しかし、本発明はこれら実施例のみに限定さ
れるものではない。尚、実施例における各測定方法は以
下の通りである。
【0026】<化学組成の測定方法>SiO2について
は試料をそのまま1000℃に加熱後その重量を測定す
ることで、Na、Alについては試料を酸を用い溶解し
た後ICP−MS装置(VGエレメンタル社製、型式:
プラクマクオード2)を用いて、Feについては試料を
酸を用い溶解した後ICP−AES装置(パーキンエル
マー社製、型式:optima 3000DV)を用い
て測定し、これらをNa2O、Al23、Fe23に換
算して求めた。
【0027】<pHの測定方法>溶液のpHをpHメー
ター(DKK社製、型式:PHL−10)にて測定し
た。
【0028】実施例1 (a)工程 前述した3号の珪酸ソーダ溶液(組成:SiO2
9.02%、Na2O9.39%、Al23 0.13
%、Fe23 0.01%)35mlにイオン交換水1
05mlを加えて140mlとした(SiO2として
7.25重量%、Na2Oとして2.34重量%)。こ
の希釈した溶液をテフロン製撹拌子で強撹拌しながら、
試薬特級の濃硝酸(HNO3 61.3重量%)8ml
を一気に添加した。得られた溶液は透明でpH1.0を
示した。
【0029】(b)工程 上記酸性珪酸ソーダ溶液80ml(陽イオンとして61
meq)を、水素型陽イオン交換繊維IEF−SC ド
ライベースで53.2g(交換容量として202me
q)を充填したカラムに1時間当たり空間速度1.5で
通液しpH0.2の活性珪酸を回収した。
【0030】(c)工程 上記活性珪酸に高純度水で希釈した5重量%アンモニア
水を35ml添加し、pHを2に調整した。調整後、1
0分でゲル化した。ゲルをテフロン製棒で細かくつぶし
高純度水200mlに投入し、30分間撹拌した。撹拌
終了後、ブフナー濾過機により減圧ろ過し高純度水20
0mlで洗浄した。
【0031】(d)工程 上記シリカケーキをクリーンオーブン中80℃で12時
間乾燥し、塊状の乾燥品を得た。乾燥物を石英性乳鉢に
より粉末状に粉砕した。吸着水を除去する目的で乾燥粉
を200℃、1時間焼成した。この粉末を化学分析した
ところSiO2に対し、Na2O 0.1ppm、Al2
3 2.0ppm、Fe23 0.8ppmの高純度
シリカ粉末を出発原料の90%となる収率で得た。
【0032】実施例2 (a)工程 実施例1と同じ3号の珪酸ソーダ溶液35mlにイオン
交換水70mlを加えて105mlとした(SiO2
して9.67重量%、Na2Oとして3.13重量
%)。この希釈した溶液をテフロン製撹拌子で強撹拌し
ながら、試薬特級の濃硝酸(HNO3 61.3重量
%)10mlを一気に添加した。得られた溶液は透明で
PH0.9を示した。
【0033】(b)工程 酸性珪酸ソーダ溶液の通液量を48mlとした以外は実
施例1と同様に実施した。
【0034】(c)、(d)工程は実施例1と同一。乾
燥粉末を化学分析したところNa2O 0.2ppm、
Al23 0.9ppm、Fe23 0.6ppmの高
純度シリカ粉末を出発原料の90%となる収率で得た。
【0035】実施例3 (a)〜(c)工程は実施例1と同様に実施した。
【0036】(d)工程 シリカケーキをクリーンオーブン中80℃、12時間乾
燥し塊状の乾燥物を得た。乾燥物を石英性乳鉢により粉
砕し、粉砕品を石英性ボートに充填し石英製管状で10
00℃、2時間焼成した。得られた焼成物の化学分析を
したところNa2O 1ppm、Al23 3ppm、
Fe23 2ppmの高純度シリカ粉末を出発原料の9
0%となる収率で得た。
【0037】比較例1 (a)工程 前述した3号の珪酸ソーダ溶液35mlにイオン交換水
35mlを加えて70mlとした(SiO2として1
4.51重量%、Na2Oとして4.70重量%)。こ
の2倍に希釈した溶液をテフロン製撹拌子で強撹拌しな
がら、試薬特級の濃硝酸(HNO361.3重量%)1
0mlを一気に添加した。添加後瞬時にゲル化した。
【0038】このようにSiO2の濃度が高い場合には
酸性珪酸ソーダ溶液を得る際にゲル化が起こってしまう
ことが分かった。
【0039】比較例2 (a)工程は実施例1と同様に実施した。
【0040】(b)工程 上記酸性珪酸ソーダ溶液140ml(陽イオンとして1
07meq)を、水素型陽イオン交換繊維IEF−SC
ドライベースで53.2g(交換容量として202me
q)を充填したカラムに1時間当たり空間速度1.5で
通液しpH0.1の活性珪酸を回収した。
【0041】(c)〜(d)工程は実施例1と同様に実
施した。乾燥粉末を化学分析したところNa2O 10
00ppm、Al23 100ppm、Fe23 30
ppmの不純物量の多い粉末が得られた。
【0042】このようにイオン交換繊維のイオン交換容
量が酸性珪酸ソーダ中の珪酸量に比べ少ない場合にはイ
オン交換処理が不完全なものとなることが分かった。
【0043】
【発明の効果】本発明は珪酸ソーダを原料として珪酸濃
度の高い酸性珪酸ソーダにし、これをイオン交換繊維に
通液し、容易に高濃度で高純度の活性珪酸を得、これを
粉末化するものである。本発明によれば、高い珪酸濃度
であっても効率的にイオン交換して高純度品を得ること
ができるため反応装置をコンパクトにすることができ、
また、ゲル化後に分離して固形分を得ることで乾燥時の
負担が小さくて済み、光学関連分野、半導体関連分野で
使用される高純度なシリカ粉末を安価に製造できるため
産業上有用である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】珪酸ソーダより高純度シリカ粉末を製造す
    るにあたり、(a)珪酸ソーダに酸を加えてpH2未満
    に調整し、SiO2として4〜12重量%の酸性珪酸ソ
    ーダ溶液を得る工程;(b)(a)で得られる酸性珪酸
    ソーダ溶液の陽イオン量に対して2.5倍以上のイオン
    交換容量を有した水素型陽イオン交換繊維に該酸性珪酸
    ソーダ溶液を通液して高純度活性珪酸の水性コロイド溶
    液を得る工程;(c)(b)で得られる高純度活性珪酸
    の水性コロイド溶液にアルカリを加えてpHを4〜7に
    調整し、分離、洗浄を行い高純度のシリカケーキを得る
    工程;(d)(c)で得られる高純度シリカケーキを乾
    燥後、粉砕して高純度シリカ粉末を得る工程;を含むこ
    とを特徴とする高純度シリカ粉末の製造法。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の工程(c)において、ア
    ルカリがアンモニアであることを特徴とする高純度シリ
    カ粉末の製造法。
  3. 【請求項3】請求項1又は請求項2に記載の工程(d)
    において、高純度シリカケーキを粉砕後、焼成又は粉砕
    品を造粒後焼成することを特徴とする高純度シリカ粉末
    の製造法。
JP30522197A 1997-11-07 1997-11-07 高純度シリカ粉末の製造法 Pending JPH11139818A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30522197A JPH11139818A (ja) 1997-11-07 1997-11-07 高純度シリカ粉末の製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30522197A JPH11139818A (ja) 1997-11-07 1997-11-07 高純度シリカ粉末の製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11139818A true JPH11139818A (ja) 1999-05-25

Family

ID=17942507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30522197A Pending JPH11139818A (ja) 1997-11-07 1997-11-07 高純度シリカ粉末の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11139818A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011241113A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Taiheiyo Cement Corp 高純度シリカの製造方法
CN103403124A (zh) * 2011-02-22 2013-11-20 赢创德固赛有限公司 由碱金属硅酸盐溶液制备高纯度含水胶态二氧化硅溶胶的方法
JP2015020916A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 ケイ・エス・ティ・ワ−ルド株式会社 高純度合成シリカ粉末の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011241113A (ja) * 2010-05-18 2011-12-01 Taiheiyo Cement Corp 高純度シリカの製造方法
CN103403124A (zh) * 2011-02-22 2013-11-20 赢创德固赛有限公司 由碱金属硅酸盐溶液制备高纯度含水胶态二氧化硅溶胶的方法
CN103403124B (zh) * 2011-02-22 2015-09-30 赢创德固赛有限公司 由碱金属硅酸盐溶液制备高纯度含水胶态二氧化硅溶胶的方法
JP2015020916A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 ケイ・エス・ティ・ワ−ルド株式会社 高純度合成シリカ粉末の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1220612A (en) Process for the preparation of crystalline sheet-type alkali metal silicates
US5266289A (en) Process for producing high-purity silica by reacting crude silica with ammonium fluoride
TWI520904B (zh) 由鹼金屬矽酸鹽溶液製備高純度水性膠體矽石溶膠的方法
CN1052645A (zh) 碱金属硅酸盐的制备方法
JP4222582B2 (ja) 高純度シリカゾルの製造方法
JPH0796447B2 (ja) 高純度シリカの製造方法
JPH0481526B2 (ja)
EP0105128B1 (en) Amorphous zirconium phosphosilicate and a process for preparing the same
CA1155728A (en) Process for the preparation of silica sol
CN112299424A (zh) 一种制备低金属含量高纯硅酸的方法
JPH11139818A (ja) 高純度シリカ粉末の製造法
GB2038301A (en) Process for the production of zeolite A
JPS6321212A (ja) 高純度シリカの製造方法
US4693878A (en) Process for the production of soluble alkali silicates
KR20020011820A (ko) 실리카졸의 제조방법
US3345132A (en) Process of preparing silicic acid in a two-dimensional structure
JPH0692247B2 (ja) 珪弗化マグネシウムの製造方法
JP4649677B2 (ja) 高純度シリカ粒子の製造方法、これにより得られた高純度シリカ粒子及びこれを用いた高純度石英ガラス粒子の製造方法
JPH0516372B2 (ja)
JP5057622B2 (ja) 低ホウ素シリカ粒子の製造方法、この方法により得られる低ホウ素シリカ粒子及びこれを用いた低ホウ素石英ガラス粒子の製造方法
JPH0118006B2 (ja)
JPH0121091B2 (ja)
JPH0848516A (ja) 膨潤性ケイ酸塩の製造方法
JPH055766B2 (ja)
JP2022063814A (ja) 合成シリカ粉の製造方法