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JPH11121569A - Burn-in device - Google Patents

Burn-in device

Info

Publication number
JPH11121569A
JPH11121569A JP9288262A JP28826297A JPH11121569A JP H11121569 A JPH11121569 A JP H11121569A JP 9288262 A JP9288262 A JP 9288262A JP 28826297 A JP28826297 A JP 28826297A JP H11121569 A JPH11121569 A JP H11121569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cassette
burn
integrated circuit
connector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9288262A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikiya Mai
幹也 真井
Kenji Furumoto
建二 古本
Tomoyuki Nakayama
知之 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9288262A priority Critical patent/JPH11121569A/en
Publication of JPH11121569A publication Critical patent/JPH11121569A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハにおける複数の半導体集積回路
素子を駆動する駆動回路から出力される電気信号に信号
劣化が生じないようにする。 【解決手段】 カセット補助基板16の上方の下部コネ
クタ17Aと対向する位置に下部コネクタ17Aと対を
なす上部コネクタ17Bが配設されたカセット支持板2
1が設けられている。カセット支持板21の両側部に
は、該カセット支持板21の支持面に垂直に貫通する貫
通孔が設けられ、該貫通孔には支持棒22が貫通すると
共に、下部コネクタ17Aと上部コネクタ17Bとの互
いの位置を規定する円筒部材23が設けられている。カ
セット支持板21における上部コネクタ17Bと反対側
には、上部コネクタ17Bと下部コネクタ17Aとを脱
着させる脱着手段24が設けられており、該脱着手段2
4の上側には、上部コネクタ17Bと電気的に接続され
たドライバーボード26が設けられている。
(57) Abstract: An electric signal output from a drive circuit for driving a plurality of semiconductor integrated circuit elements on a semiconductor wafer is prevented from being degraded. A cassette support plate (2) having an upper connector (17B) paired with a lower connector (17A) at a position facing a lower connector (17A) above a cassette auxiliary board (16).
1 is provided. On both sides of the cassette support plate 21, through holes are provided which penetrate vertically through the support surface of the cassette support plate 21, and the support rods 22 pass through the through holes, and the lower connector 17A and the upper connector 17B Are provided. On the opposite side of the cassette support plate 21 from the upper connector 17B, a detaching means 24 for detaching the upper connector 17B and the lower connector 17A is provided.
On the upper side of 4, a driver board 26 electrically connected to the upper connector 17B is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成されたチップの複数の集積回路をウェハ状態で同時
に検査するために用いられるバーンイン装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a burn-in apparatus used for simultaneously inspecting a plurality of integrated circuits of chips formed on a semiconductor wafer in a wafer state.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置を搭載した電
子機器の小型化及び低価格化の進歩は目ざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been remarkable progress in miniaturization and price reduction of electronic equipment equipped with a semiconductor integrated circuit device, and accordingly, demands for miniaturization and price reduction of the semiconductor integrated circuit device have increased. ing.

【0003】通常、半導体集積回路装置は、半導体チッ
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体から切り出したままの状態
(以後、この状態の半導体集積回路装置をベアチップ又
は単にチップと呼ぶ。)で直接回路基板に実装する方法
が開発され、品質が保証されたベアチップを低価格で供
給することが望まれている。
Normally, in a semiconductor integrated circuit device, after a semiconductor chip and a lead frame are electrically connected by bonding wires, the semiconductor chip is supplied in a state of being sealed with resin or ceramics, and is mounted on a printed circuit board. You. However, due to a demand for miniaturization of electronic equipment, a method of directly mounting a semiconductor integrated circuit device in a state of being cut out from a semiconductor (hereinafter, the semiconductor integrated circuit device in this state is referred to as a bare chip or simply a chip) on a circuit board. It has been desired to supply bare chips with guaranteed quality at a low price.

【0004】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路装置をウェハ状態でバーンインす
る必要がある。
In order to guarantee the quality of bare chips, it is necessary to burn in the semiconductor integrated circuit device in a wafer state.

【0005】しかしながら、半導体ウェハ状態で一括に
行なうバーンイン(以下、ウェハ・バーンインと呼
ぶ。)は、半導体ウェハの取り扱いが非常に複雑になる
ので、低価格化の要求に応えられない。また、一の半導
体ウェハ上に形成されている複数のベアチップを1個又
は数個ずつ何度にも分けてバーンインを行なうのは、多
くの時間を要するので、時間的にもコスト的にも現実的
でないので、すべてのベアチップをウェハ状態で一括し
て同時にバーンインを行なうことが要求される。
[0005] However, burn-in performed collectively in a semiconductor wafer state (hereinafter, referred to as wafer burn-in) is very complicated in handling semiconductor wafers, and cannot meet the demand for cost reduction. In addition, since it takes a lot of time to burn-in by dividing a plurality of bare chips formed on one semiconductor wafer one by one or several times many times, it is not possible in terms of time and cost. Therefore, it is required that all bare chips be simultaneously burned in a wafer state at the same time.

【0006】ここで、特開平8−5666号公報に開示
されたウェハ・バーンインが行なえるバーンイン装置を
説明する。
Here, a burn-in device capable of performing a wafer burn-in disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-5666 will be described.

【0007】図6は従来のウェハ・バーンイン装置の概
観を示し、図6に示すように、ウェハ・バーンイン装置
100は、ウェハトレイ101とプローブカード102
とが減圧され圧着されてなるウェハカセット103を複
数収納できるラック110と、ウェハカセット103の
減圧状態を維持する真空ポンプ111と、ウェハカセッ
ト103に保持されている半導体ウェハに形成されてい
る複数の半導体集積回路素子をそれぞれ電気的に駆動す
る駆動回路112とから構成されている。
FIG. 6 shows an overview of a conventional wafer burn-in apparatus. As shown in FIG. 6, a wafer burn-in apparatus 100 includes a wafer tray 101 and a probe card 102.
And a vacuum pump 111 for maintaining a reduced pressure state of the wafer cassette 103, and a plurality of semiconductor wafers formed on the semiconductor wafers held in the wafer cassette 103. And a drive circuit 112 for electrically driving each of the semiconductor integrated circuit elements.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のウェハ・バーンイン装置は、駆動回路112から出
力される種々の電気信号が、波形の鈍り(なまり)、オ
ーバーシュート及びアンダーシュート等の信号劣化を起
こしやすいという問題を有している。
However, in the conventional wafer burn-in apparatus, various electric signals output from the drive circuit 112 cause signal deterioration such as dullness (rounding) of waveforms, overshoot and undershoot. There is a problem that it is easy to cause.

【0009】本発明は、前記従来の問題を解決し、半導
体ウェハにおける複数の半導体集積回路素子を駆動する
駆動回路から出力される電気信号に信号劣化が生じない
ようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned conventional problems and to prevent signal deterioration from occurring in an electric signal output from a drive circuit for driving a plurality of semiconductor integrated circuit elements on a semiconductor wafer.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るバーンイン装置は、複数の半導体集積
回路素子が形成されている半導体ウェハを保持するウェ
ハトレイと、該ウェハトレイのウェハ保持面と対向する
ように設けられ、複数の半導体集積回路素子の各電極と
対応する位置にプローブ端子を有するプローブカード
と、該プローブカードに設けられ、プローブ端子に電気
信号を印加する外部電極とを有するウェハカセットを用
いて、複数の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ
レベルで一括して検査するバーンイン装置であって、バ
ーンイン装置が、ウェハカセットを収納するカセット収
納部と、ウェハカセットにおける外部電極と電気的に接
続され、半導体ウェハにおける複数の半導体集積回路素
子を駆動する駆動回路部とを備え、駆動回路部はウェハ
カセットの表裏方向側に設けられている。
In order to achieve the above object, a burn-in apparatus according to the present invention comprises a wafer tray for holding a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor integrated circuit elements are formed, and a wafer holding surface of the wafer tray. A probe card having a probe terminal at a position corresponding to each electrode of the plurality of semiconductor integrated circuit elements, and an external electrode provided at the probe card and applying an electric signal to the probe terminal. A burn-in device for inspecting electrical characteristics of a plurality of semiconductor integrated circuit elements collectively at a wafer level using a wafer cassette. A drive circuit electrically connected to the semiconductor wafer and driving a plurality of semiconductor integrated circuit elements on the semiconductor wafer And a section, driving circuit section is provided on the front and back side of the wafer cassette.

【0011】本発明のバーンイン装置によると、半導体
ウェハにおける複数の半導体集積回路素子を駆動する駆
動回路部とを備え、該駆動回路部はウェハカセットの表
裏方向側に設けられているため、駆動回路部がウェハカ
セットの後方側に配置される場合に比べて、駆動回路部
とウェハカセットとの距離が短縮される。
According to the burn-in apparatus of the present invention, there is provided a drive circuit section for driving a plurality of semiconductor integrated circuit elements on a semiconductor wafer, and the drive circuit section is provided on the front and back sides of the wafer cassette. The distance between the drive circuit unit and the wafer cassette is shorter than when the unit is disposed behind the wafer cassette.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について図面
を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の一実施形態に係るバーンイ
ン装置の外観を示している。図1に示すように、バーン
イン装置1は、該装置の正面に向かって右側に、検査デ
ータの送受信及び温度制御等を行なう制御部2が設けら
れ、向かって左側に、複数のウェハカセット4をカセッ
ト単位で挿入するための開口部3aを有するカセット収
納部3が設けられている。
FIG. 1 shows the appearance of a burn-in device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the burn-in apparatus 1 is provided with a control unit 2 for performing transmission / reception of inspection data, temperature control, and the like on the right side of the front side of the apparatus, and a plurality of wafer cassettes 4 on the left side. A cassette storage unit 3 having an opening 3a for insertion in a cassette unit is provided.

【0014】図2はウェハカセット4に収納されるカセ
ット本体の構成を示している。図2に示すように、ガラ
ス基板からなり、主面に多層配線層を有するプローブカ
ード11には、その主面に半導体ウェハ12上の集積回
路素子の検査用の各電極と対応する位置に設けられたプ
ローブ端子となる複数のバンプが形成されており、これ
らのバンプは、プローブカード11の周縁部に設けられ
ている外部電極と、多層配線層のうちのいずれかの配線
層を通じて電気的に接続されている。
FIG. 2 shows the configuration of the cassette main body housed in the wafer cassette 4. As shown in FIG. 2, a probe card 11 made of a glass substrate and having a multilayer wiring layer on the main surface is provided on the main surface at a position corresponding to each electrode for testing integrated circuit elements on a semiconductor wafer 12. A plurality of bumps serving as probe terminals are formed, and these bumps are electrically connected to external electrodes provided on a peripheral portion of the probe card 11 and one of the multilayer wiring layers. It is connected.

【0015】このプローブカード11を用いてウェハ・
バーンインを行なうには、該プローブカード11の各バ
ンプと半導体ウェハ12上に形成された集積回路素子の
各電極とを完全に接触させる必要がある。そのための治
具として、アルミニウム等の金属からなり、半導体ウェ
ハ12を保持するウェハトレイ13を設けている。
Using the probe card 11, a wafer
In order to perform burn-in, it is necessary to completely contact each bump of the probe card 11 with each electrode of the integrated circuit element formed on the semiconductor wafer 12. As a jig for this purpose, a wafer tray 13 made of metal such as aluminum and holding the semiconductor wafer 12 is provided.

【0016】ウェハトレイ13におけるプローブカード
11の主面と対向する面(=主面)の周縁部には、プロ
ーブカード11の主面とウェハトレイ13の主面と共に
密閉空間を形成するためのシリコンゴム等からなるシー
ルリング14が設けられ、また、側部に密閉空間と外部
空間とを導通させ且つ減圧状態を維持する真空バルブ1
5が設けられている。
On the periphery of the surface (= main surface) of the wafer tray 13 facing the main surface of the probe card 11, silicon rubber or the like for forming a closed space together with the main surface of the probe card 11 and the main surface of the wafer tray 13 is provided. The vacuum valve 1 is provided with a seal ring 14 made of
5 are provided.

【0017】図3は本実施形態に係るバーンイン装置1
のカセット収納部3における開口部3aの近傍部の正面
構成を示している。図3に示すように、ウェハカセット
4は、プローブカード11とウェハトレイ13とからな
るカセット本体と、該カセット本体の搬送を容易にする
方形のカセット補助基板16とから構成されている。カ
セット補助基板16における上面の周縁部にはソケット
方式を用いた下部コネクタ17Aが設けられており、カ
セット補助基板16の下面はプローブカード11の主面
と反対側の面(=裏面)と密着して該プローブカード1
1と電気的に接続されている。
FIG. 3 shows a burn-in device 1 according to this embodiment.
2 shows the front configuration of the vicinity of the opening 3a in the cassette storage section 3 of FIG. As shown in FIG. 3, the wafer cassette 4 includes a cassette main body including a probe card 11 and a wafer tray 13, and a rectangular cassette auxiliary substrate 16 for facilitating the transfer of the cassette main body. A lower connector 17A using a socket method is provided on the peripheral edge of the upper surface of the cassette auxiliary substrate 16, and the lower surface of the cassette auxiliary substrate 16 is in close contact with the surface (= back surface) opposite to the main surface of the probe card 11. The probe card 1
1 and is electrically connected.

【0018】カセット補助基板16の上方における下部
コネクタ17Aと対向する位置に下部コネクタ17Aと
対をなす上部コネクタ17Bが配設されたカセット支持
板21が設けられている。カセット支持板21の両側部
には、該カセット支持板21の支持面に垂直に貫通する
貫通孔が設けられ、該貫通孔には支持棒22が貫通する
ように設けられている。さらに、該貫通孔には、内側面
と支持棒22の外側面とが摺動することによって下部コ
ネクタ17Aと上部コネクタ17Bとの互いの位置を規
定する円筒部材23が設けられている。
A cassette support plate 21 provided with an upper connector 17B paired with the lower connector 17A is provided above the cassette auxiliary board 16 at a position facing the lower connector 17A. On both sides of the cassette support plate 21, through holes are provided which penetrate perpendicularly to the support surface of the cassette support plate 21, and support rods 22 are provided in the through holes so as to pass therethrough. Further, the through-hole is provided with a cylindrical member 23 that defines the position of the lower connector 17A and the upper connector 17B by sliding between the inner surface and the outer surface of the support rod 22.

【0019】また、ウェハカセット4は、ウェハカセッ
ト4の下面の両側部がカセット支持板21の下面におけ
る上部コネクタ17Bと円筒部材23との間の領域に設
けられた懸架部に架け渡されるように支持されている。
Further, the wafer cassette 4 is bridged so that both side portions on the lower surface of the wafer cassette 4 are suspended on a suspension portion provided in a region between the upper connector 17B and the cylindrical member 23 on the lower surface of the cassette support plate 21. Supported.

【0020】カセット支持板21における上部コネクタ
17Bと反対側には、該上部コネクタ17Bとカセット
補助基板16における下部コネクタ17Aとを脱着させ
るために、例えば、モータ部24aと、該モータ部24
aの回転軸24bと、該回転軸24bに切られた雄ねじ
を用いて回転軸の回転運動を直線運動に変換する雌ねじ
部24cとからなり、カセット支持板21を上下させる
脱着手段24と、下部コネクタ17Aと上部コネクタ1
7Bとを抜去する際に、例えば、モータ部25aと、該
モータ部25aの回転軸に切られた雄ねじを用いて回転
軸の回転運動を直線運動に変換する雌ねじ部25bと、
中央部が雌ねじ部25bに固持されると共に両端部側が
クランク形状を持ち、カセット補助基板16における下
部コネクタ17Aの近傍を両端部を用いて押下する押下
部25cとからなり、下部コネクタ17Aと上部コネク
タ17Bとの抜去を容易にする脱着補助手段25とが設
けられている。
On the opposite side of the cassette support plate 21 from the upper connector 17B, for example, a motor section 24a and a motor section 24a for detaching the upper connector 17B and the lower connector 17A of the cassette auxiliary board 16 are attached.
a rotary shaft 24b, a female screw portion 24c for converting the rotary motion of the rotary shaft into a linear motion using a male screw cut into the rotary shaft 24b, a detachable means 24 for raising and lowering the cassette support plate 21, and a lower portion. Connector 17A and upper connector 1
When removing 7B, for example, a motor portion 25a, and a female screw portion 25b that converts the rotational motion of the rotary shaft into a linear motion using a male screw cut on the rotary shaft of the motor portion 25a,
A center portion is fixed to the female screw portion 25b, and both ends have a crank shape. The lower connector 17A and the upper connector include a pressing portion 25c which presses the vicinity of the lower connector 17A of the cassette auxiliary board 16 using both ends. An attachment / detachment assisting means 25 for facilitating withdrawal from 17B is provided.

【0021】脱着手段24のモータ部24a及び脱着補
助手段25のモータ部25aの上側には、上部コネクタ
17Bと電気的に接続された駆動回路を搭載したドライ
バーボード26が設けられており、また、支持棒22に
固持された基板27の上におけるウェハカセット4の下
側には、ウェハカセット4を所定温度に加熱するための
温度調整プレート28が設けられている。
On the upper side of the motor section 24a of the attaching / detaching means 24 and the motor section 25a of the attaching / detaching auxiliary means 25, there is provided a driver board 26 mounted with a driving circuit electrically connected to the upper connector 17B. A temperature adjusting plate 28 for heating the wafer cassette 4 to a predetermined temperature is provided below the wafer cassette 4 above the substrate 27 held by the support rod 22.

【0022】このように、本実施形態によると、ウェハ
カセット4のカセット補助基板16には、ウェハトレイ
13に保持されている半導体ウェハにおける複数の半導
体集積回路素子の各電極と電気的に接続された下部コネ
クタ17Aが設けられており、ウェハカセット4のカセ
ット補助基板16を懸架して支持するカセット支持板2
1には、下部コネクタ17Aと対をなす上部コネクタ1
7Bが設けられている。また、これらのコネクタ17
A,17Bの自動脱着を行なえる脱着手段24及び脱着
補助手段25を有しているため、バーンイン装置の自動
運転が可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the cassette auxiliary substrate 16 of the wafer cassette 4 is electrically connected to each electrode of a plurality of semiconductor integrated circuit elements in the semiconductor wafer held on the wafer tray 13. A cassette support plate 2 provided with a lower connector 17A for suspending and supporting a cassette auxiliary substrate 16 of the wafer cassette 4.
1 is an upper connector 1 paired with the lower connector 17A.
7B is provided. In addition, these connectors 17
The automatic operation of the burn-in device becomes possible because it has the attaching / detaching means 24 and the attaching / detaching auxiliary means 25 capable of automatically attaching / detaching A / 17B.

【0023】さらに、図6に示すような従来のドライバ
ーボードは、ラック110におけるウェハ収納部の開口
部の反対側にエクステンション(延長)ボードを介在さ
せるなどして、ウェハカセット103とドライバーボー
ドとを電気的に接続していたが、本実施形態におけるバ
ーンイン装置においては、ウェハカセット4の上方、す
なわち、表裏方向側にドライバーボード26が設けられ
ており、該ドライバーボード26は、カセット補助基板
16の下部コネクタ17A及びカセット支持板21の上
部コネクタ17Bを介して電気的に接続されているた
め、従来のドライバーボードに比べて信号線の配線長が
短くなるので、ドライバーボード26からプローブカー
ド11に出力される種々の電気信号に、波形の鈍り、オ
ーバーシュート及びアンダーシュート等の信号劣化が生
じにくくなる。このため、所定のバーンイン検査を確実
を行なうことができる。
Further, in the conventional driver board as shown in FIG. 6, the wafer cassette 103 and the driver board are connected to each other by interposing an extension board on the side of the rack 110 opposite to the opening of the wafer storage section. Although electrically connected, in the burn-in device of the present embodiment, a driver board 26 is provided above the wafer cassette 4, that is, on the front and back sides, and the driver board 26 is attached to the cassette auxiliary board 16. Since the lower connector 17A and the upper connector 17B of the cassette support plate 21 are electrically connected to each other, the wiring length of the signal line is shorter than that of the conventional driver board, so that the signal is output from the driver board 26 to the probe card 11. The various electrical signals that are produced include dullness, overshoot and Signal deterioration of the undershoot is less likely to occur. Therefore, a predetermined burn-in test can be reliably performed.

【0024】以下、本実施形態の第1変形例について図
面を参照しながら説明する。
Hereinafter, a first modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings.

【0025】図4は本実施形態に係るバーンイン装置1
のカセット収納部3における開口部3aの近傍部の正面
構成を示している。図4において、図3に示す構成部材
と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明
を省略する。
FIG. 4 shows a burn-in device 1 according to this embodiment.
2 shows the front configuration of the vicinity of the opening 3a in the cassette storage section 3 of FIG. 4, the same components as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0026】前記の実施形態においては、ドライバーボ
ード26とウェハカセット4のカセット補助基板16と
の電気的な接続をソケット方式によるコネクタを用いた
が、本変形例においては、カセット支持板21に設けら
れた複数のポゴピン32を用いることによって、ドライ
バーボード26とカセット補助基板16との電気的な接
続を得ている。
In the above-described embodiment, the electrical connection between the driver board 26 and the cassette auxiliary board 16 of the wafer cassette 4 is made by using a socket-type connector. The electrical connection between the driver board 26 and the cassette auxiliary board 16 is obtained by using the plurality of pogo pins 32 provided.

【0027】すなわち、カセット補助基板16の上面の
周縁部にあらかじめ外部電極を設けておき、ポゴピン3
2の内部に装填されたバネの弾性力を用いて先端部を外
部電極に押し当てることにより電気的な接続を得る。
That is, external electrodes are provided in advance on the periphery of the upper surface of the cassette auxiliary substrate 16 and the pogo pins 3 are provided.
The electrical connection is obtained by pressing the tip against the external electrode using the elastic force of the spring loaded in the inside of the device 2.

【0028】本変形例によると、モータ部24aと該モ
ータ部24aの回転軸24bと該回転軸24bに切られ
た雄ねじを用いて回転軸の回転運動を直線運動に変換す
る雌ねじ部24cとからなり、カセット支持板21を上
下させる脱着手段24には、下部コネクタ17Aと上部
コネクタ17Bとを抜去する際の脱着補助手段25が不
要となる。
According to this modification, the motor portion 24a, the rotary shaft 24b of the motor portion 24a, and the female screw portion 24c for converting the rotary motion of the rotary shaft into a linear motion by using a male screw cut on the rotary shaft 24b. In other words, the attachment / detachment means 24 for moving the cassette support plate 21 up and down does not require the attachment / detachment assisting means 25 for removing the lower connector 17A and the upper connector 17B.

【0029】なお、図5の第2変形例に示すように、カ
セット補助基板16の下面の周縁部にあらかじめ外部電
極を設けておき、ポゴピン32の先端部を外部電極に押
し当てることにより電気的な接続を得ることもできる。
この場合は、支持棒22に固持された基板27の下面側
にドライバーボード26を設けて、信号線の配線長の短
縮化を図ることになる。
As shown in the second modified example of FIG. 5, an external electrode is provided in advance on the peripheral edge of the lower surface of the cassette auxiliary substrate 16, and the tip of the pogo pin 32 is pressed against the external electrode to electrically connect the external electrode. You can also get a good connection.
In this case, the driver board 26 is provided on the lower surface side of the substrate 27 fixed to the support rod 22 to reduce the wiring length of the signal line.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明に係るバーンイン装置によると、
半導体ウェハにおける複数の半導体集積回路素子を駆動
する駆動回路部とを備え、該駆動回路部はウェハカセッ
トの表裏方向側に設けられているため、駆動回路部がウ
ェハカセットの後方側に配置される場合に比べて、駆動
回路部とウェハカセットとの距離が短縮される。このた
め、駆動回路部とウェハカセットのプローブカードとを
接続する信号線の配線長が短くなるので、駆動回路部か
らプローブカードに出力される電気信号及びプローブカ
ードから駆動回路部に入力される電気信号に、波形の鈍
り、オーバーシュート及びアンダーシュート等の信号劣
化が生じにくくなり、その結果、所定の検査を確実を行
なうことができる。
According to the burn-in device according to the present invention,
A drive circuit unit for driving a plurality of semiconductor integrated circuit elements in the semiconductor wafer, and the drive circuit unit is provided on the front and back sides of the wafer cassette, so that the drive circuit unit is arranged on the rear side of the wafer cassette As compared with the case, the distance between the drive circuit unit and the wafer cassette is reduced. For this reason, since the wiring length of the signal line connecting the drive circuit unit and the probe card of the wafer cassette is shortened, the electric signal output from the drive circuit unit to the probe card and the electric signal input from the probe card to the drive circuit unit are reduced. Signal deterioration such as dullness of the waveform, overshoot and undershoot is less likely to occur in the signal, and as a result, a predetermined inspection can be reliably performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係るバーンイン装置を示
す外観図である。
FIG. 1 is an external view showing a burn-in device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態に係るバーンイン装置に投
入するウェハカセットに収納されるカセット本体を示す
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a cassette main body housed in a wafer cassette to be put into a burn-in apparatus according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係るバーンイン装置のカ
セット収納部における開口部近傍を示す正面図である。
FIG. 3 is a front view showing the vicinity of an opening in a cassette storage section of the burn-in device according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態の第1変形例に係るバーン
イン装置のカセット収納部における開口部近傍を示す正
面図である。
FIG. 4 is a front view showing the vicinity of an opening in a cassette storage section of a burn-in device according to a first modification of the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施形態の第2変形例に係るバーン
イン装置のカセット収納部における開口部近傍を示す正
面図である。
FIG. 5 is a front view showing the vicinity of an opening in a cassette storage section of a burn-in device according to a second modification of the embodiment of the present invention.

【図6】従来のウェハ・バーンイン装置の概観図であ
る。
FIG. 6 is a schematic view of a conventional wafer burn-in apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 バーンイン装置 2 制御部 3 カセット収納部 4 ウェハカセット 11 プローブカード 12 半導体ウェハ 13 ウェハトレイ 14 シールリング 15 真空バルブ 16 カセット補助基板 17A 下部コネクタ 17B 上部コネクタ 21 カセット支持板 22 支持棒 23 円筒部材 24 脱着手段 24a モータ部 24b 回転軸 24c 雌ねじ部 25 脱着補助手段 25a モータ部 25b 雌ねじ部 25c 押下部 26 ドライバーボード(駆動回路部) 27 基板 28 温度調整プレート 32 ポゴピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Burn-in apparatus 2 Control part 3 Cassette storage part 4 Wafer cassette 11 Probe card 12 Semiconductor wafer 13 Wafer tray 14 Seal ring 15 Vacuum valve 16 Cassette auxiliary board 17A Lower connector 17B Upper connector 21 Cassette support plate 22 Support rod 23 Cylindrical member 24 Detachment means 24a Motor part 24b Rotating shaft 24c Female screw part 25 Attaching and detaching auxiliary means 25a Motor part 25b Female screw part 25c Pressing part 26 Driver board (drive circuit part) 27 Substrate 28 Temperature adjustment plate 32 Pogo pin

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の半導体集積回路素子が形成されて
いる半導体ウェハを保持するウェハトレイと、該ウェハ
トレイのウェハ保持面と対向するように設けられ、前記
複数の半導体集積回路素子の各電極と対応する位置にプ
ローブ端子を有するプローブカードと、該プローブカー
ドに設けられ、前記プローブ端子に電気信号を印加する
外部電極とを有するウェハカセットを用いて、前記複数
の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハレベルで一
括して検査するバーンイン装置であって、 前記バーンイン装置は、 前記ウェハカセットを収納するカセット収納部と、前記
ウェハカセットにおける前記外部電極と電気的に接続さ
れ、前記半導体ウェハにおける前記複数の半導体集積回
路素子を駆動する駆動回路部とを備え、 前記駆動回路部は前記ウェハカセットの表裏方向側に設
けられていることを特徴とするバーンイン装置。
1. A wafer tray for holding a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor integrated circuit elements are formed, and provided so as to face a wafer holding surface of the wafer tray and corresponding to each electrode of the plurality of semiconductor integrated circuit elements. The electrical characteristics of the plurality of semiconductor integrated circuit devices are measured using a wafer card having a probe card having a probe terminal at a position where the probe card is provided, and an external electrode provided on the probe card and applying an electric signal to the probe terminal. A burn-in device for performing a batch inspection at a wafer level, wherein the burn-in device is electrically connected to a cassette storage unit that stores the wafer cassette and the external electrode in the wafer cassette, A driving circuit unit for driving the semiconductor integrated circuit device of the above, wherein the driving circuit unit is A burn-in device provided on the front and back sides of a wafer cassette.
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