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JPH11121429A - Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus provided with it - Google Patents

Substrate drying apparatus and substrate processing apparatus provided with it

Info

Publication number
JPH11121429A
JPH11121429A JP9275994A JP27599497A JPH11121429A JP H11121429 A JPH11121429 A JP H11121429A JP 9275994 A JP9275994 A JP 9275994A JP 27599497 A JP27599497 A JP 27599497A JP H11121429 A JPH11121429 A JP H11121429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
side wall
ipa
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9275994A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Motomura
雅洋 基村
Kazunori Fujikawa
和憲 藤川
Masato Tanaka
眞人 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP9275994A priority Critical patent/JPH11121429A/en
Publication of JPH11121429A publication Critical patent/JPH11121429A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the consumption of a solvent. SOLUTION: On the side wall of the casing of a multi-function processing part 56, a side wall heating part 566 is provided, and the side wall heating part 566 has a structure that has a heating wire heater 566b on the inner side of an insulating material 566a. In drying a wafer W by pulling it up from the pure water in a treatment bath 562 by filling the casing with IPA(isopropyl alcohol) vapor, using N2 gas as a carrier gas, by means of an IPA/N2 supply part 565, the side wall of the casing is heated by the heating wire heater 566b. Since the condensation of the IPA on the side wall of the casing is suppressed, the consumption of the IPA can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、処理室内に溶剤
の蒸気を含む雰囲気を供給し、処理液による処理後の半
導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガ
ラス基板、光ディスク用基板等の基板(以下、単に「基
板」という。)を溶剤の蒸気を含む雰囲気内で乾燥させ
る基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk, etc., which are supplied with an atmosphere containing a solvent vapor into a processing chamber and processed with a processing liquid. The present invention relates to a substrate drying apparatus for drying a substrate (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) in an atmosphere containing a vapor of a solvent, and a substrate processing apparatus including the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から基板の洗浄と乾燥を行う基板洗
浄・乾燥装置においては、処理室内に処理槽を設け、ま
たは処理室の下方に継がるように処理槽を設け、その処
理槽に純水を貯留して基板を浸漬処理を行い、その間に
処理室内に常温より高いIPAベーパー(イソプロピル
アルコール蒸気)を含んだ雰囲気を形成しておき、基板
の浸漬処理が終了した後、その基板を処理槽からIPA
ベーパーを含んだ雰囲気中に引き上げ、基板表面に対し
てIPAを凝縮させることにより水分を除去して基板を
引き上げることにより、基板を乾燥させている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate cleaning / drying apparatus for cleaning and drying a substrate, a processing tank is provided in a processing chamber or a processing tank is provided so as to be connected below the processing chamber. The substrate is immersed by storing water, during which an atmosphere containing IPA vapor (isopropyl alcohol vapor) higher than room temperature is formed in the processing chamber, and after the immersion processing of the substrate is completed, the substrate is processed. IPA from tank
The substrate is dried by lifting it into an atmosphere containing vapor, condensing IPA on the surface of the substrate to remove moisture, and lifting the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この様な基
板乾燥装置では、上述のように雰囲気中に供給するIP
Aベーパーが常温より高い所定温度であり、これに対し
て基板乾燥装置の処理室の壁は常温であるため、この処
理室の壁付近のIPAは冷やされて内壁面で凝縮してし
まい、基板の乾燥に寄与しないため無駄が生じていた。
By the way, in such a substrate drying apparatus, the IP supplied to the atmosphere as described above is used.
Since the temperature of the A-vapor is a predetermined temperature higher than the normal temperature and the wall of the processing chamber of the substrate drying apparatus is at the normal temperature, the IPA near the wall of the processing chamber is cooled and condensed on the inner wall surface. Since it does not contribute to drying of the waste, waste has occurred.

【0004】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、溶剤の消費量の少ない基板乾燥
装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することを
目的とする。
An object of the present invention is to overcome the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a substrate drying apparatus which consumes less solvent and a substrate processing apparatus having the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の装置は、処理室内に溶剤の蒸
気を含む雰囲気を供給し、処理液による処理後の基板を
処理液中から溶剤の蒸気を含む雰囲気内へ移動させる基
板乾燥装置であって、処理室の壁に加熱手段を備える。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for supplying an atmosphere containing a vapor of a solvent into a processing chamber, wherein a substrate after the processing with the processing liquid is processed. A substrate drying apparatus for moving from the inside to an atmosphere containing a solvent vapor, wherein a heating means is provided on a wall of a processing chamber.

【0006】また、この発明の請求項2の装置は、処理
室内に溶剤の蒸気を含む雰囲気を供給し、処理液による
処理後の基板を処理液中から溶剤の蒸気を含む雰囲気内
へ移動させる基板乾燥装置であって、処理室の壁に断熱
手段を備える。
According to a second aspect of the present invention, an atmosphere containing a solvent vapor is supplied into a processing chamber, and a substrate after processing with a processing liquid is moved from the processing liquid into an atmosphere containing a solvent vapor. A substrate drying apparatus includes a heat insulating means on a wall of a processing chamber.

【0007】また、この発明の請求項3の装置は、請求
項2記載の基板乾燥装置であって、処理室の壁において
断熱手段より内側に加熱手段をさらに備える。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the apparatus for drying a substrate according to the second aspect, further comprising a heating means on a wall of the processing chamber inside the heat insulating means.

【0008】また、この発明の請求項4の装置は、請求
項1または請求項3記載の基板乾燥装置であって、加熱
手段が電熱線であることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate drying apparatus according to the first or third aspect, wherein the heating means is a heating wire.

【0009】また、この発明の請求項5の装置は、請求
項1または請求項3記載の基板乾燥装置であって、加熱
手段が配管内に温水を流通させるものであることを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the apparatus for drying a substrate according to the first or third aspect, wherein the heating means circulates hot water in the piping.

【0010】さらに、この発明の請求項6の装置は、基
板に対して処理液による処理を施す基板処理部と、請求
項1ないし請求項5のうちのいずれかに記載の基板乾燥
装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備える。
Further, an apparatus according to a sixth aspect of the present invention uses a substrate processing unit for performing processing on a substrate with a processing liquid, and a substrate drying apparatus according to any one of the first to fifth aspects. And a substrate drying unit configured as described above.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

<<1.第1の実施の形態>> <1−1.全体構成>以下、図面を参照しつつ、この発
明の具体的な実施の形態について説明する。
<< 1. First Embodiment >>>><1-1. Overall Configuration> A specific embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図1は、実施の形態の基板処理装置1の構
成を示す斜視図である。図示のように、この装置は、未
処理基板を収納しているカセットCが投入されるカセッ
ト搬入部2と、このカセット搬入部2からのカセットC
が載置され内部から複数の基板が同時に取り出される基
板取出部3と、カセットCから取り出された未処理基板
が順次洗浄処理される基板処理部5と、洗浄処理後の複
数の処理済み基板が同時にカセット中に収納される基板
収納部7と、処理済み基板を収納しているカセットCが
払い出されるカセット搬出部8とを備える。さらに、装
置の前側には、基板取出部3から基板収納部7に亙って
基板移載搬送機構9が配置されており、洗浄処理前、洗
浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に
搬送したり移載したりする。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. As shown in the drawing, the apparatus includes a cassette loading section 2 into which a cassette C containing unprocessed substrates is loaded, and a cassette C from the cassette loading section 2.
Are mounted on the substrate C, a substrate processing unit 5 for sequentially cleaning unprocessed substrates taken out of the cassette C, and a plurality of processed substrates after the cleaning process. At the same time, there are provided a substrate storage section 7 stored in a cassette and a cassette unloading section 8 for discharging a cassette C storing processed substrates. Further, on the front side of the apparatus, a substrate transfer / transportation mechanism 9 is arranged from the substrate unloading section 3 to the substrate storage section 7 so that the substrates before, during and after the cleaning process can be moved from one place. Convey or transfer to another location.

【0013】カセット搬入部2は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットC
R1を備え、カセットステージ2a上の所定位置に載置
された一対のカセットCを基板取出部3に移載する。
The cassette loading section 2 includes a cassette transfer robot C capable of horizontal movement, vertical movement, and rotation about a vertical axis.
A pair of cassettes C provided at a predetermined position on the cassette stage 2a provided with R1 are transferred to the substrate extracting section 3.

【0014】基板取出部3は、昇降移動する一対のホル
ダ3a、3bを備える。そして、各ホルダ3a、3bの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットC中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ3a、3bが上昇すると、カ
セットC中から基板が取り出される。カセットC中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構9に設けた搬送
ロボットTRに受け渡され、水平移動後に基板処理部5
に投入される。
The substrate unloading section 3 includes a pair of holders 3a and 3b which move up and down. A guide groove is formed on the upper surface of each of the holders 3a and 3b, so that the unprocessed substrates in the cassette C can be supported vertically and parallel to each other. Therefore, when the holders 3a and 3b are raised, the substrates are taken out of the cassette C. The substrate taken out of the cassette C is transferred to the transfer robot TR provided in the substrate transfer / transfer mechanism 9, and after horizontal movement, the substrate processing unit 5
It is thrown into.

【0015】基板処理部5は、薬液を収容する薬液槽C
Bを備える薬液処理部52と、純水を収容する水洗槽W
Bを備える水洗処理部54(薬液処理部52および水洗
処理部54が「基板処理部」に相当する)と、単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽562を備え
る後に詳述する多機能処理部56とから構成される。
The substrate processing section 5 has a chemical solution tank C for storing a chemical solution.
B, and a washing tank W containing pure water
B and a washing tank 54 (the chemical treating section 52 and the washing section 54 correspond to a “substrate treating section”) and a treatment tank 562 for performing various chemical treatments and washing in a single tank. And a multi-function processing unit 56 described below.

【0016】基板処理部5において、薬液処理部52及
び水洗処理部54の後方側には、第1基板浸漬機構55
が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能な
リフタヘッドLH1によって、搬送ロボットTRから受
け取った基板を薬液処理部52の薬液槽CBに浸漬した
り、水洗処理部54の水洗槽WBに浸漬したりする。ま
た、多機能処理部56の後方側には、第2基板浸漬機構
57が配置されており、これに設けた上下動可能なリフ
タヘッド563aによって、搬送ロボットTRから受け
取った基板を多機能処理部56の処理槽562内に支持
する。
In the substrate processing section 5, a first substrate immersion mechanism 55 is provided behind the chemical processing section 52 and the washing processing section 54.
The substrate received from the transport robot TR is immersed in the chemical tank CB of the chemical processing section 52 by the lifter head LH1 that can be moved up and down and traversed, and is placed in the washing tank WB of the washing section 54. Or soak. Further, a second substrate immersion mechanism 57 is disposed behind the multi-function processing unit 56, and the substrate received from the transport robot TR is transferred to the multi-function processing unit 56 by a vertically movable lifter head 563a. In the processing tank 562.

【0017】基板収納部7は、基板取出部3と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ7a、7bによっ
て、搬送ロボットTRに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットC中に収納する。
The substrate storage unit 7 has a structure similar to that of the substrate unloading unit 3, and receives a processed substrate held by the transfer robot TR by a pair of vertically movable holders 7a and 7b and stores it in the cassette C. I do.

【0018】また、カセット搬出部8は、カセット搬入
部2と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットCR2を備え、基板収納部7上に載置された一対の
カセットをカセットステージ8a上の所定位置に移載す
る。
The cassette unloading section 8 has the same structure as that of the cassette loading section 2 and includes a movable cassette transfer robot CR2, and a pair of cassettes mounted on the substrate storage section 7 are mounted on a cassette stage. 8a is transferred to a predetermined position.

【0019】基板移載搬送機構9は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットTRを備える。そして、この
搬送ロボットTRに設けた一対の回転可能なハンド9
1、92よって基板を把持することにより、基板取出部
3のホルダ3a、3bに支持された基板を基板処理部5
の第1基板浸漬機構55に設けたリフタヘッドLH1側
に移載したり、このリフタヘッドLH1側から隣りの第
2基板浸漬機構57に設けたリフタヘッド563a側に
移載したり、このリフタヘッド563a側から基板収納
部7のホルダ7a、7bに移載したりする。
The substrate transfer / transfer mechanism 9 includes a transfer robot TR that can move horizontally and vertically. Then, a pair of rotatable hands 9 provided on the transport robot TR are provided.
1 and 92, the substrate supported by the holders 3a and 3b of the substrate unloading unit 3 is moved to the substrate processing unit 5.
From the lifter head LH1 provided in the first substrate immersion mechanism 55, from the lifter head LH1 to the lifter head 563a provided in the adjacent second substrate immersion mechanism 57, or from the lifter head 563a. It is transferred to the holders 7a and 7b of the storage unit 7.

【0020】<1−2.多機能処理部>つぎに、多機能
処理部56の縦断面図である図2および図3を用いて、
その機構的構成および概略動作を説明していく。
<1-2. Multi-function processing unit> Next, referring to FIGS. 2 and 3 which are longitudinal sectional views of the multi-function processing unit 56,
The mechanical configuration and schematic operation will be described.

【0021】多機能処理部56は主にケーシング56
0、シャッタ561、処理槽562、リフタ563、リ
フタ駆動部564、IPA・N2供給部565、側壁加
熱部566を備えている。
The multi-function processing section 56 mainly includes a casing 56
0, a shutter 561, a processing tank 562, a lifter 563, a lifter driving section 564, an IPA / N2 supply section 565, and a side wall heating section 566.

【0022】ケーシング560は上面に基板搬出入口T
Oを備え、その周囲にシール部材560aが固着されて
おり、また、底面には排気用の配管560bを備えてい
る。
The casing 560 has a substrate loading / unloading port T on its upper surface.
O, a seal member 560a is fixed around the O, and an exhaust pipe 560b is provided on the bottom surface.

【0023】シャッタ561は遮蔽板561aとそれを
挟むようにしてケーシング560の側面上端に設けられ
たガイド561bを備えており、当該ガイド561bの
ガイドレールに沿って遮蔽板561aが若干上下動する
とともに水平方向にスライドすることによって開閉す
る。なお、ケーシング560上面に設けられたシール部
材560aにより、閉じた状態ではシャッタ561は気
密性が保たれている。
The shutter 561 includes a shielding plate 561a and a guide 561b provided at the upper end of the side surface of the casing 560 so as to sandwich the shielding plate 561a. The shielding plate 561a slightly moves up and down along the guide rail of the guide 561b, and the shutter 561 moves in the horizontal direction. Open and close by sliding to The shutter 561 is kept airtight in the closed state by the seal member 560a provided on the upper surface of the casing 560.

【0024】処理槽562はフッ酸(HF)および洗浄
液である純水DIW(以下、併せて「処理液」とい
う。)を満たすことが可能で、それらに基板Wが浸漬さ
れて、それぞれエッチング処理や洗浄処理が行われる。
また、処理槽562の底面には処理液の帰還用の配管5
62c、排液用の配管562d、処理液供給用の配管5
62eが連結されている。さらに、処理槽562の四方
の外側面の上端には処理液回収溝562aが設けられて
おり、それには処理液回収用の配管562bが連結され
ている。
The processing tank 562 can be filled with hydrofluoric acid (HF) and pure water DIW (hereinafter, collectively referred to as “processing liquid”) as a cleaning liquid. And a cleaning process are performed.
Further, a pipe 5 for returning the processing liquid is provided on the bottom of the processing tank 562.
62c, drainage pipe 562d, processing liquid supply pipe 5
62e are connected. Further, a processing liquid recovery groove 562a is provided at the upper end of the four outer surfaces of the processing tank 562, and a processing liquid recovery pipe 562b is connected to the processing liquid recovery groove 562a.

【0025】リフタ563はリフタヘッド563aと保
持板563bとの間に、基板Wが遊嵌され、保持される
保持溝を多数備えた基板ガイド563cを3本備えてい
る。
The lifter 563 includes three substrate guides 563c having a large number of holding grooves in which the substrate W is loosely fitted and held between the lifter head 563a and the holding plate 563b.

【0026】リフタ駆動部564はサーボモータ564
aに取り付けられたタイミングベルト564bに、その
長手方向が鉛直方向となっているシャフト564cが連
結されるとともに、シャフト564cの上端はリフタ5
63のリフタヘッド563aに連結されており、サーボ
モータ564aの駆動によりリフタ563およびそれに
保持された複数の基板Wを昇降させ、図2および図3に
示した基板Wの搬送ロボットTRとの受け渡し位置T
P、基板Wの乾燥位置DR、基板Wの上記処理液への浸
漬位置DPに位置させることが可能となっている。
The lifter driving section 564 includes a servo motor 564.
The shaft 564c whose longitudinal direction is a vertical direction is connected to a timing belt 564b attached to the shaft 564a.
The lifter 563 and a plurality of substrates W held by the lifter 563 are moved up and down by driving a servo motor 564a, and the transfer position T of the substrate W with the transfer robot TR shown in FIGS.
P, the drying position DR of the substrate W, and the immersion position DP of the substrate W in the treatment liquid can be positioned.

【0027】IPA・N2供給部565はケーシング5
60の内部側壁上部に一対のIPA・N2供給管565
aがそれぞれブラケット565bにより取り付けられ、
IPA・N2供給管565aそれぞれには溶剤であるI
PAの蒸気(IPAベーパー)をN2ガスとともに供給
するための複数の供給口IOが内側斜め下向きに開孔し
て設けられている。また、図2および図3には図示しな
いがIPA・N2供給管565aには配管565c(図
4参照)が連結されている。
The IPA / N 2 supply unit 565 is a casing 5
A pair of IPA / N2 supply pipes 565 are provided on the upper part of the inner side wall of the 60.
a are respectively attached by brackets 565b,
Each of the IPA and N2 supply pipes 565a has a solvent I
A plurality of supply ports IO for supplying the PA vapor (IPA vapor) together with the N2 gas are provided to open diagonally downward inward. Although not shown in FIGS. 2 and 3, a pipe 565c (see FIG. 4) is connected to the IPA / N2 supply pipe 565a.

【0028】側壁加熱部566はケーシング560の側
壁に設けられ、それを加熱する。なお、この側壁加熱部
566については後に詳述する。
The side wall heating section 566 is provided on the side wall of the casing 560 and heats it. The side wall heating section 566 will be described later in detail.

【0029】図4は多機能処理部56の構造を示す模式
図である。多機能処理部56は上記機構的構成以外に制
御部567aを備えており、後述の三方弁V1,V6お
よびバルブV2〜V5のそれぞれに電気的に接続されて
おり、制御部567aの制御により三方弁V1,V6は
その流路を切替えられるとともに、三方弁V6およびバ
ルブV2〜V5は開閉される。
FIG. 4 is a schematic diagram showing the structure of the multi-function processing unit 56. The multi-function processing unit 56 includes a control unit 567a in addition to the above-described mechanical configuration, and is electrically connected to each of three-way valves V1 and V6 and valves V2 to V5 described below, and is controlled by the control unit 567a. The flow paths of the valves V1 and V6 are switched, and the three-way valve V6 and the valves V2 to V5 are opened and closed.

【0030】配管562bには三方弁V1、ポンプPお
よびフィルタFが介挿されており、さらにフィルタFに
は配管562cが連結されている。また、三方弁V1の
配管562bに連結されていないポートは配管562b
cを通じて処理槽および施設内の排液ラインを連通する
配管562dに連結されており、さらに配管562dの
その先にバルブV2が介挿されている。そして、制御部
567aは三方弁V1の制御により所定のタイミング
で、処理槽562から処理液回収溝562aに溢れた処
理液のフィルタFによる濾過後の処理槽562への帰還
と、排液ラインへの排出とを切替える。
A three-way valve V1, a pump P and a filter F are interposed in the pipe 562b, and a pipe 562c is connected to the filter F. Ports not connected to the pipe 562b of the three-way valve V1 are connected to the pipe 562b.
The pipe 562d is connected to the processing tank and the drainage line in the facility through c, and a valve V2 is inserted beyond the pipe 562d. Then, the control unit 567a controls the three-way valve V1 at a predetermined timing to return the processing liquid overflowing from the processing tank 562 to the processing liquid recovery groove 562a to the processing tank 562 after being filtered by the filter F, and to the drain line. And discharge.

【0031】配管562eは二又に分かれ、その一方は
バルブV3を介してHF供給源567bに連結され、他
方はバルブV4を介して純水供給源567cが連結され
ており、制御部567aはバルブV3,V4の制御によ
りHFと純水DIWのいずれかを処理槽562に所定の
タイミングで供給する。
The pipe 562e is bifurcated, one of which is connected to an HF supply source 567b via a valve V3, the other is connected to a pure water supply source 567c via a valve V4, and the control unit 567a is a valve. Either HF or pure water DIW is supplied to the processing tank 562 at a predetermined timing under the control of V3 and V4.

【0032】配管560bはバルブV5およびエアポン
プAPを介して施設内の排気ラインに連通されており、
制御部567aはバルブV5の制御によりケーシング5
60内の雰囲気を所定のタイミングで排出する。
The pipe 560b is connected to an exhaust line in the facility via a valve V5 and an air pump AP.
The control unit 567a controls the casing 5 by controlling the valve V5.
The atmosphere in 60 is discharged at a predetermined timing.

【0033】配管565cは三方弁V6を介してN2供
給源567fおよびIPA供給源567eならびにN2
供給源567fに連結されており、制御部567aは三
方弁V6の制御によりIPA・N2供給管565aを通
じてケーシング560内にIPAベーパーをN2ガスを
キャリアガスとして供給したり、N2ガスのみを供給し
たり、さらには閉じたりすることを所定のタイミングで
行う。
The pipe 565c is connected to the N2 supply source 567f, the IPA supply source 567e and the N2 supply source via the three-way valve V6.
The controller 567a is connected to the supply source 567f, and controls the three-way valve V6 to supply the IPA vapor into the casing 560 through the IPA / N2 supply pipe 565a using the N2 gas as the carrier gas or supply only the N2 gas. And closing at a predetermined timing.

【0034】つぎに、この多機能処理部56の主要部に
ついて説明していく。
Next, the main part of the multi-function processing unit 56 will be described.

【0035】図2および図3に示すように、側壁加熱部
566はケーシング560の側壁を取り囲むように設け
られた断熱材566aの内側に、同様にケーシング56
0の側壁を取り囲むように電熱線ヒータ566bが設け
られている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the side wall heating section 566 is provided inside the heat insulating material 566a provided so as to surround the side wall of the casing 560, and similarly the casing 56
A heating wire heater 566b is provided so as to surround the 0 side wall.

【0036】そして、図4に示すように電熱線ヒータ5
66bにはヒータドライバ567dが電気的に接続さ
れ、そのヒータドライバ567dには制御部567aが
さらに電気的に接続されている。
Then, as shown in FIG.
A heater driver 567d is electrically connected to 66b, and a controller 567a is further electrically connected to the heater driver 567d.

【0037】また、電熱線ヒータ566bの電熱線は図
示しないが防爆機能を有するように熱伝導のよい素材に
より被覆されており、IPAベーパーに対する引火等を
無くした安全性を備えたものとなっている。
Although not shown, the heating wire of the heating wire heater 566b is covered with a material having good heat conduction so as to have an explosion-proof function, and has a safety that eliminates ignition or the like against IPA vapor. I have.

【0038】そして、以下に説明するように、ヒータド
ライバ567dは制御部567aにより所定のタイミン
グでオン/オフされるとともに、出力中は常時、所定の
出力となるように制御され、このヒータドライバ567
dの出力中において、その供給する電力により電熱線ヒ
ータ566bはケーシング560の側壁をIPA・N2
供給部565から供給されるIPAベーパーの温度(第
1の実施の形態では約50℃)に近い温度となるように
加熱する。
As will be described below, the heater driver 567d is turned on / off at a predetermined timing by the control unit 567a, and is controlled to always have a predetermined output during output.
During the output of d, the heating wire heater 566b causes the side wall of the casing 560 to move to the IPA · N2 by the supplied power.
The heating is performed so that the temperature becomes close to the temperature of the IPA vapor supplied from the supply unit 565 (about 50 ° C. in the first embodiment).

【0039】つぎに、この実施の形態の多機能処理部5
6による処理手順とそれに伴う側壁加熱部566の電熱
線ヒータ566bによるケーシング560側壁の加熱の
タイミングについて説明する。
Next, the multi-function processing unit 5 of this embodiment
6 and the accompanying timing of heating the side wall of the casing 560 by the heating wire heater 566b of the side wall heating unit 566 will be described.

【0040】以下の制御は制御部567aにより行われ
る。
The following control is performed by the control unit 567a.

【0041】まず、最初にHFによるエッチング処理が
行われる。この段階ではまだ電熱線ヒータ566bによ
るケーシング560側壁の加熱は行われていない。
First, an etching process using HF is performed. At this stage, the casing 560 side wall has not yet been heated by the heating wire heater 566b.

【0042】つぎに、処理槽562のHFは純水DIW
に置換され、その純水DIWにより満たされている状態
で、基板Wは処理槽562に搬入されて洗浄処理が行わ
れる。そして、この段階でも電熱線ヒータ566bによ
る加熱は行われていない。
Next, HF in the processing tank 562 is pure water DIW
In a state where the substrate W is filled with the pure water DIW, the substrate W is carried into the processing tank 562 to perform a cleaning process. At this stage, heating by the heating wire heater 566b is not performed.

【0043】つぎに、IPA・N2供給部565からN2
をキャリアガスとしてIPAベーパーの供給を開始す
る。それと同時に電熱線ヒータ566bによるケーシン
グ560側壁の加熱を開始する。
Next, the IPA / N2 supply unit 565 sends the N2
, And supply of IPA vapor is started. At the same time, the heating of the side wall of the casing 560 by the heating wire heater 566b is started.

【0044】そして、引き続いてケーシング560内雰
囲気のIPAベーパーが所定の高濃度になるような、所
定時間だけIPA・N2供給部565からIPAベーパ
ーを供給しつつ待機する。この間も電熱線ヒータ566
bによるケーシング560側壁の加熱は継続される。そ
して、所定時間が経過した後、IPAベーパーを供給し
つつ、または供給停止した状態でリフタ563を上昇さ
せて浸漬位置DPに位置する基板Wを処理槽562内の
純水DIWから引き上げることによって、基板W表面に
付着した純水DIWを切り、さらに、乾燥位置DRに基
板Wを保持しつつIPAベーパー供給し続けて基板Wを
乾燥させる。この引き上げの間、電熱線ヒータ566b
によるケーシング560側壁の加熱は所定温度を維持す
るように継続される。
Subsequently, the IPA vapor in the atmosphere in the casing 560 is kept on standby while supplying the IPA vapor from the IPA / N2 supply unit 565 for a predetermined time so that the IPA vapor has a predetermined high concentration. During this time, the heating wire heater 566 is also used.
The heating of the side wall of the casing 560 by b is continued. Then, after a predetermined time has elapsed, while the IPA vapor is being supplied or the supply is stopped, the lifter 563 is raised to lift the substrate W located at the immersion position DP from the pure water DIW in the processing tank 562, The pure water DIW adhering to the surface of the substrate W is cut off, and the substrate W is dried by continuing to supply IPA vapor while holding the substrate W at the drying position DR. During this raising, the heating wire heater 566b
The heating of the side wall of the casing 560 is continued so as to maintain the predetermined temperature.

【0045】そして、基板WのIPAベーパーを含む雰
囲気内での引上げ工程が終了すると、IPA・N2供給
部565から供給する気体をN2ガスに切換える。それ
と同時にヒータドライバ567dによる電熱線ヒータ5
66bへの電力の供給を停止してケーシング560側壁
の加熱を停止する。そして、ケーシング560内の雰囲
気をほぼ完全にN2ガスで充満させた後、ケーシング5
60内の雰囲気を排気して基板Wをほぼ完全に乾燥させ
る。
When the step of pulling the substrate W in an atmosphere containing IPA vapor is completed, the gas supplied from the IPA / N2 supply unit 565 is switched to N2 gas. At the same time, heating wire heater 5 by heater driver 567d
The supply of electric power to 66b is stopped, and the heating of the side wall of the casing 560 is stopped. After the atmosphere in the casing 560 is almost completely filled with N2 gas, the casing 5
The atmosphere in 60 is exhausted to dry the substrate W almost completely.

【0046】以上で乾燥工程は終了し、つぎにシャッタ
561を開いてリフタ563を上昇させ、基板Wを受け
渡し位置TPにおいて搬送ロボットTRに渡して、多機
能処理部56による一連の処理を終了する。
The drying process is completed as described above. Next, the shutter 561 is opened, the lifter 563 is raised, the substrate W is transferred to the transfer robot TR at the transfer position TP, and a series of processing by the multifunctional processing unit 56 is completed. .

【0047】以上説明したようにこの発明の第1の実施
の形態においては、電熱線ヒータ566bによるケーシ
ング560側壁の加熱は、要するにIPA・N2供給部
565によるIPAベーパーの供給が行われている間行
われている。これにより、内部雰囲気がケーシング56
0の側壁と接する部分において、その側壁の温度が内部
雰囲気中のIPAベーパーの温度近くに維持されるの
で、IPAがケーシング560の側壁で結露して無駄に
なるのを抑え、その消費量を抑えることができる。
As described above, in the first embodiment of the present invention, the heating of the side wall of the casing 560 by the heating wire heater 566b is performed while the supply of the IPA vapor by the IPA / N2 supply unit 565 is performed. Is being done. As a result, the internal atmosphere
Since the temperature of the side wall is maintained close to the temperature of the IPA vapor in the internal atmosphere at the portion in contact with the side wall of the casing 0, the IPA is prevented from being condensed on the side wall of the casing 560 and wasted, and the consumption is reduced. be able to.

【0048】また、側壁加熱部566には断熱材566
aが設けられているので、その内部を保温することがで
きるため、それにより、上記と同様にIPAの消費量を
抑えることができ、さらに、電熱線ヒータ566bによ
る加熱効率を高めることができる。
The side wall heating section 566 has a heat insulating material 566.
Since a is provided, the inside thereof can be kept warm, so that the consumption of IPA can be suppressed as described above, and the heating efficiency of the heating wire heater 566b can be increased.

【0049】<<2.第2の実施の形態>>以下、この
発明の第2の実施の形態について、多機能処理部56の
縦断面図である図5および図6、ならびに多機能処理部
56の模式図である図7を用いて説明していく。
<< 2. Second Embodiment >> FIG. 5 and FIG. 6, which are longitudinal sectional views of a multi-function processing unit 56, and diagrams schematically showing the multi-function processing unit 56, according to a second embodiment of the present invention. 7 will be described.

【0050】図5および図6に示すように、側壁加熱部
568はケーシング560の側壁を取り囲むように設け
られた断熱材568aの内側に、同様にケーシング56
0の側壁を取り囲むように1本の温水供給管568bが
螺旋状に設けられている。なお、図5〜図7において温
水供給管568bには一部のみに参照符号を付してい
る。
As shown in FIGS. 5 and 6, the side wall heating section 568 is provided inside the heat insulating material 568a provided so as to surround the side wall of the casing 560, similarly to the casing 56.
One hot water supply pipe 568b is provided spirally so as to surround the 0 side wall. 5 to 7, only a part of the hot water supply pipe 568b is denoted by a reference numeral.

【0051】そして、図7に示すように温水供給管56
8bの両端には断熱材568a外部において配管568
cが連結されており、この配管568cには温水槽56
7gおよびポンプPPが介挿されており、さらに、温水
槽567gには共に図示しない温度センサ、ヒータおよ
び、そのヒータに電気的に接続されたヒータドライバ、
が設けられている。なお、ポンプPP、温度センサおよ
びヒータドライバは制御部567aに電気的に接続され
ている。
Then, as shown in FIG.
8b, a pipe 568 is provided outside the heat insulating material 568a.
c is connected to the pipe 568c.
7g and a pump PP are interposed. Further, a temperature sensor, a heater (not shown) and a heater driver electrically connected to the heater are provided in the hot water tank 567g.
Is provided. Note that the pump PP, the temperature sensor, and the heater driver are electrically connected to the control unit 567a.

【0052】そして、制御部567aは常時温度センサ
による温水槽567g内の温水の温度信号を監視し、ヒ
ータをオン/オフ制御することにより、温水の温度をI
PA・N2供給部565から供給されるIPAベーパー
の温度(第2の実施の形態でも約50℃)に近い温度に
維持している。
The control unit 567a constantly monitors the temperature signal of the hot water in the hot water tank 567g by the temperature sensor, and controls the heater on / off to control the temperature of the hot water by I.
The temperature is kept close to the temperature of the IPA vapor supplied from the PA / N2 supply unit 565 (about 50 ° C. also in the second embodiment).

【0053】また、第2の実施の形態でも第1の実施の
形態と同様の処理を行い、その際、制御部567aは第
1の実施の形態と同様にIPA・N2供給部565によ
るIPAベーパーの供給が行われている間、ポンプPP
を駆動して温水を温水供給管568bに供給することに
よって、ケーシング560側壁の温度をIPAベーパー
の温度近くに保っている。それにより、この発明の第2
の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様に、I
PAがケーシング560の側壁の内側で凝縮して無駄に
なるのを抑え、その消費量を抑えることができる。
Also, in the second embodiment, the same processing as in the first embodiment is performed. At this time, the control unit 567a controls the IPA vapor by the IPA / N2 supply unit 565 similarly to the first embodiment. Pump PP while the supply of
To maintain the temperature of the side wall of the casing 560 close to the temperature of the IPA vapor by supplying hot water to the hot water supply pipe 568b. Thereby, the second aspect of the present invention
According to the embodiment, as in the first embodiment, I
PA can be suppressed from being condensed inside the side wall of the casing 560 and wasted, and the consumption thereof can be suppressed.

【0054】さらに、側壁加熱部568に断熱材568
aを備えるため、保温効果により上記と同様にIPAの
消費量を抑えることができ、さらに、第1の実施の形態
と同様に温水供給管568bによる加熱効率を高めるこ
とができる。
Further, a heat insulating material 568 is provided on the side wall heating section 568.
Since a is provided, the consumption of IPA can be suppressed due to the heat retention effect in the same manner as described above, and the heating efficiency of the hot water supply pipe 568b can be increased as in the first embodiment.

【0055】なお、第2の実施の形態における基板処理
装置1における上記構成以外は第1の実施の形態におけ
る基板処理装置1の構成と同一である。
The configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment is the same as that of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment except for the above-described configuration.

【0056】<<3.変形例>>以上、この第1および
第2の実施の形態における多機能処理部56では溶剤と
してIPAを用い、不活性ガスとしてN2を用いたが、
この発明はこれに限られず、溶剤としてエタノールやメ
タノール等のその他の溶剤、不活性ガスとしてヘリウム
ガスやアルゴンガス等のその他の不活性ガスを用いても
よい。
<< 3. Modifications >> As described above, in the multifunction processing unit 56 in the first and second embodiments, IPA was used as the solvent and N2 was used as the inert gas.
The present invention is not limited to this, and other solvents such as ethanol and methanol may be used as the solvent, and other inert gases such as helium gas and argon gas may be used as the inert gas.

【0057】また、第1および第2の実施の形態におけ
る多機能処理部56では、それぞれ側壁加熱部566,
568に断熱手段としてそれぞれ断熱材566a,56
8aと、加熱手段としてそれぞれ電熱線ヒータ566b
および温水供給管568bとを備えるものとしたが、こ
の発明はこれに限られず、加熱手段を設けないで断熱手
段のみを設けてもよく、逆に、断熱手段を設けないで加
熱手段のみを設けるものとしてもよい。
Further, in the multi-function processing section 56 in the first and second embodiments, the side wall heating sections 566 and 566 are provided, respectively.
568, heat insulating materials 566a and 56
8a and heating wire heaters 566b as heating means, respectively.
And the hot water supply pipe 568b, but the present invention is not limited to this, and only the heat insulating means may be provided without the heating means, and conversely, only the heating means is provided without the heat insulating means It may be a thing.

【0058】また、第1および第2の実施の形態におけ
る多機能処理部56では、側壁加熱部566,568に
加熱手段として、それぞれ電熱線ヒータ566bおよび
温水供給管568bを備えるものとしたが、この発明は
これに限られず、加熱手段として所定波長の電磁波をケ
ーシング560に供給することにより加熱する等その他
の加熱手段を用いることが可能である。
Further, in the multifunctional processing section 56 in the first and second embodiments, the heating means 566b and the hot water supply pipe 568b are provided in the side wall heating sections 566 and 568 as heating means, respectively. The present invention is not limited to this, and other heating means such as heating by supplying an electromagnetic wave of a predetermined wavelength to the casing 560 can be used as the heating means.

【0059】さらに、第1および第2の実施の形態にお
ける多機能処理部56では、それぞれ加熱手段および断
熱手段としてケーシング560の側壁に側壁加熱部56
6,568を設けるものとしたが、この発明はこれに限
られず、ケーシング560の側壁のみならず、上面や下
面も加熱や断熱してもよい。
Further, in the multi-function processing section 56 in the first and second embodiments, the side wall heating section 56 is provided on the side wall of the casing 560 as heating means and heat insulation means, respectively.
However, the present invention is not limited to this, and not only the side wall of the casing 560 but also the upper and lower surfaces may be heated or insulated.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1および請
求項2ないし請求項6の発明によれば、処理室の壁に加
熱手段を備えるため、処理室外の気温が処理室内の溶剤
の蒸気を含む雰囲気より低温である場合にも、処理室の
壁を加熱することによって、その壁の内側で溶剤の凝縮
を抑えることができるので、溶剤の消費量を抑えること
ができる。
As described above, according to the first and second to sixth aspects of the present invention, since the wall of the processing chamber is provided with the heating means, the temperature of the solvent outside the processing chamber is reduced by the temperature of the solvent inside the processing chamber. Even when the temperature is lower than the atmosphere containing, by heating the walls of the processing chamber, the condensation of the solvent can be suppressed inside the walls, so that the consumption of the solvent can be suppressed.

【0061】また、請求項2および請求項3の発明によ
れば、処理室の壁に断熱手段を備えるため、処理室の壁
を保温することによって、その壁の内側で溶剤の凝縮を
抑えることができるので、溶剤の消費量を抑えることが
できる。
According to the second and third aspects of the present invention, since the heat insulating means is provided on the wall of the processing chamber, the wall of the processing chamber is kept warm to suppress the condensation of the solvent inside the wall. Therefore, the consumption of the solvent can be suppressed.

【0062】さらに、請求項3の発明によれば、処理室
の壁において断熱手段より内側に加熱手段を備えるの
で、加熱手段の加熱効率を高めることができる。
Furthermore, according to the third aspect of the present invention, since the heating means is provided inside the heat insulating means on the wall of the processing chamber, the heating efficiency of the heating means can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態である基板処理装置
の構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態における多機能処理部の正面
縦断面図である。
FIG. 2 is a front vertical sectional view of a multi-function processing unit according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態における多機能処理部の側面
縦断面図である。
FIG. 3 is a side vertical sectional view of a multi-function processing unit according to the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態における多機能処理部の構造
を示す模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a structure of a multi-function processing unit according to the first embodiment.

【図5】本発明の第2の実施の形態における多機能処理
部の正面縦断面図である。
FIG. 5 is a front vertical sectional view of a multifunction processing unit according to a second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施の形態における多機能処理部の側面
縦断面図である。
FIG. 6 is a side longitudinal sectional view of a multi-function processing unit according to a second embodiment.

【図7】第2の実施の形態における多機能処理部の構造
を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a structure of a multifunction processing unit according to a second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 5 基板処理部 52 薬液処理部 54 水洗処理部 56 多機能処理部(基板乾燥装置、基板乾燥部) 560 ケーシング(処理室) 562 処理槽 565 IPA供給部 566,568 側壁加熱部(加熱手段) 566a,568a 断熱材(断熱手段) 566b 電熱線ヒータ 568b 温水供給管(配管) DIW 純水(処理液) W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 5 Substrate processing part 52 Chemical liquid processing part 54 Rinse processing part 56 Multifunctional processing part (substrate drying apparatus, substrate drying part) 560 Casing (processing chamber) 562 Processing tank 565 IPA supply part 566,568 Side wall heating part ( Heating means) 566a, 568a Heat insulating material (heat insulating means) 566b Heating wire heater 568b Hot water supply pipe (pipe) DIW Pure water (treatment liquid) W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 眞人 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masato Tanaka Yasu-cho, Yasu-cho, Yasu-gun, Shiga Prefecture 2426-1, Kuchinogawara, Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Yasu Office

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室内に溶剤の蒸気を含む雰囲気を供
給し、処理液による処理後の基板を処理液中から前記溶
剤の蒸気を含む雰囲気内へ移動させる基板乾燥装置であ
って、 前記処理室の壁に加熱手段を備えることを特徴とする基
板乾燥装置。
1. A substrate drying apparatus for supplying an atmosphere containing a vapor of a solvent into a processing chamber, and moving a substrate after the treatment with the processing liquid from the processing liquid to an atmosphere containing the vapor of the solvent. A substrate drying device comprising a heating means on a wall of a chamber.
【請求項2】 処理室内に溶剤の蒸気を含む雰囲気を供
給し、処理液による処理後の基板を処理液中から前記溶
剤の蒸気を含む雰囲気内へ移動させる基板乾燥装置であ
って、 前記処理室の壁に断熱手段を備えることを特徴とする基
板乾燥装置。
2. A substrate drying apparatus for supplying an atmosphere containing a vapor of a solvent into a processing chamber, and moving a substrate after processing with the processing liquid from the processing liquid to an atmosphere containing a vapor of the solvent. A substrate drying apparatus comprising a heat insulating means on a wall of a chamber.
【請求項3】 請求項2記載の基板乾燥装置であって、 前記処理室の壁において前記断熱手段より内側に加熱手
段をさらに備えることを特徴とする基板乾燥装置。
3. The substrate drying apparatus according to claim 2, further comprising a heating unit on the wall of the processing chamber inside the heat insulating unit.
【請求項4】 請求項1または請求項3記載の基板乾燥
装置であって、 前記加熱手段が電熱線であることを特徴とする基板乾燥
装置。
4. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein the heating unit is a heating wire.
【請求項5】 請求項1または請求項3記載の基板乾燥
装置であって、 前記加熱手段が配管内に温水を流通させるものであるこ
とを特徴とする基板乾燥装置。
5. The substrate drying apparatus according to claim 1, wherein said heating means circulates hot water in a pipe.
【請求項6】 基板に対して処理液による処理を施す基
板処理部と、 請求項1ないし請求項5のうちのいずれかに記載の基板
乾燥装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備えるこ
とを特徴とする基板処理装置。
6. A substrate processing unit for performing processing on a substrate with a processing liquid, and a substrate drying unit configured by using the substrate drying apparatus according to claim 1. A substrate processing apparatus comprising:
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