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JPH11111758A - Semiconductor chip mounting structure, semiconductor device, and semiconductor chip mounting method - Google Patents

Semiconductor chip mounting structure, semiconductor device, and semiconductor chip mounting method

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Publication number
JPH11111758A
JPH11111758A JP9272702A JP27270297A JPH11111758A JP H11111758 A JPH11111758 A JP H11111758A JP 9272702 A JP9272702 A JP 9272702A JP 27270297 A JP27270297 A JP 27270297A JP H11111758 A JPH11111758 A JP H11111758A
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JP
Japan
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semiconductor chip
support member
semiconductor
substrate
terminal
Prior art date
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JP9272702A
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Hiroshi Oka
浩 岡
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • H10W72/5363
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    • H10W72/884
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    • H10W74/142
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    • H10W90/756

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】いわゆるチップ・オン・チップの構造を採用し
て半導体チップの高密度実装を図る場合に、基板などの
半導体チップを支持するための支持部材に面倒な加工を
施す必要性をなくして、全体の薄型化や半導体チップの
導電接続作業の適正化などが適切に図れるようにする。 【解決手段】端子21,22を備えた主面20A,20
Bのそれぞれを有する第1の半導体チップ2Aおよび第
2の半導体チップ2Bが、その第1の半導体チップ2A
の上に第2の半導体チップ2Bを重ねた状態で所望の支
持部材1に実装されている半導体チップの実装構造であ
って、第1の半導体チップ2Aは、その主面20Aが上
向きとされて支持部材1の下面側に配置されており、か
つ支持部材1には、第1の半導体チップ2Aの端子の上
方がこの支持部材1によって覆われないようにこの支持
部材1の厚み方向に貫通した開口孔12が設けられてい
る。
(57) [Summary] [Problem] When a high-density mounting of a semiconductor chip is to be performed by adopting a so-called chip-on-chip structure, a support member for supporting a semiconductor chip such as a substrate is subjected to troublesome processing. It is possible to eliminate the necessity, and to appropriately reduce the overall thickness and to appropriately conduct the conductive connection of the semiconductor chip. A main surface (20A, 20A) having terminals (21, 22).
B, the first semiconductor chip 2A and the second semiconductor chip 2B each having
Is a mounting structure of a semiconductor chip mounted on a desired support member 1 in a state where a second semiconductor chip 2B is placed on the first semiconductor chip 2B. The first semiconductor chip 2A has a main surface 20A facing upward. It is arranged on the lower surface side of the support member 1 and penetrates the support member 1 in the thickness direction of the support member 1 so that the upper part of the terminal of the first semiconductor chip 2A is not covered by the support member 1. An opening hole 12 is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【技術分野】本願発明は、複数の半導体チップを上下厚
み方向に積み重ねた状態で所望の基板などに実装するこ
とにより半導体チップの実装密度を高めるための技術、
すなわちいわゆるチップ・オン・チップと称される構造
を採用することによって、複数の半導体チップを高密度
に実装するための技術に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique for increasing the mounting density of semiconductor chips by mounting a plurality of semiconductor chips on a desired substrate in a state of being stacked in a vertical thickness direction.
That is, the present invention relates to a technology for mounting a plurality of semiconductor chips at a high density by adopting a so-called chip-on-chip structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のとおり、複数の半導体チップを用
いて所望の電子回路や半導体装置を製造する場合、半導
体チップの実装密度を高めることによって、電子回路や
半導体装置全体の小型化を図ることが強く要請される場
合が多い。この場合、複数の半導体チップを基板上に平
面的に配列しただけでは、その実装密度を高める上で一
定の限界がある。また、複数の半導体チップをワンチッ
プ化することは、半導体チップの製造作業が煩雑化する
ために、その製造コストは著しく高価となる。このた
め、従来では、半導体チップの実装密度を高める手段と
して、たとえば特開平2−74046号公報に記載され
ているいわゆるチップ・オン・チップと称される構造を
採用した手段がある。この手段は、本願の図19に示す
ように、たとえば2つの半導体チップ9a,9bを基板
90に実装する場合に、これら2つの半導体チップ9
a,9bを上下に積み重ねる手段である。また、上記基
板90には、有底状の凹部91が形成されており、この
凹部91の底面部に下側の半導体チップ9aが実装され
ている。
2. Description of the Related Art As is well known, when a desired electronic circuit or semiconductor device is manufactured by using a plurality of semiconductor chips, the mounting density of the semiconductor chips is increased to reduce the size of the entire electronic circuit or semiconductor device. Is often strongly required. In this case, simply arranging a plurality of semiconductor chips in a plane on the substrate has a certain limit in increasing the mounting density. In addition, making a plurality of semiconductor chips into one chip complicates the operation of manufacturing the semiconductor chips, so that the manufacturing cost becomes extremely high. For this reason, conventionally, as means for increasing the mounting density of semiconductor chips, there is a means employing a so-called chip-on-chip structure described in, for example, JP-A-2-74046. For example, as shown in FIG. 19 of the present application, when two semiconductor chips 9a and 9b are mounted on a substrate 90, these means can be used.
a, 9b are stacked vertically. Further, a bottomed concave portion 91 is formed in the substrate 90, and a lower semiconductor chip 9 a is mounted on the bottom surface of the concave portion 91.

【0003】上述したいわゆるチップ・オン・チップの
構造を採用する場合には、2つの半導体チップ9a,9
bのそれぞれの端子92,93を基板90の端子94に
対して適切に導電接続できるようにすることが要請され
る。一般に、2つの端子間を金線などのワイヤを用いて
導電接続する場合には、それら2つの端子間の高低差が
小さいほど、端子に対するワイヤの密着性を高めること
ができ、接続不良を少なくすることができる。また、一
般的なワイヤボンダーのキャピラリの上下方向の最大移
動ストロークは、基準高さから±300μm程度のスト
ローク範囲内に設定されているのが通例である。したが
って、上記図19に示した構造においては、ワイヤボン
ダーを用いたワイヤ接続作業を適切に行う観点からする
と、上側の半導体チップ9bの端子93と基板90の端
子94との高低差H1をできる限り小さくすることが要
請される。また、チップ・オン・チップの構造を採用し
た場合には、半導体チップを上下に重ねた部分の全体の
厚みができる限り大きくならないようにすることも要請
される。
When the above-mentioned so-called chip-on-chip structure is adopted, two semiconductor chips 9a and 9
It is required that the respective terminals 92 and 93 of b can be appropriately conductively connected to the terminals 94 of the substrate 90. In general, when two terminals are conductively connected using a wire such as a gold wire, the smaller the height difference between the two terminals, the higher the adhesion of the wires to the terminals can be, and the lower the connection failure. can do. The maximum vertical movement stroke of the capillary of a general wire bonder is generally set within a stroke range of about ± 300 μm from the reference height. Therefore, in the structure shown in FIG. 19, from the viewpoint of appropriately performing a wire connection operation using a wire bonder, the height difference H1 between the terminal 93 of the upper semiconductor chip 9b and the terminal 94 of the substrate 90 is as small as possible. It is required to be smaller. When a chip-on-chip structure is adopted, it is also required that the overall thickness of the portion where the semiconductor chips are vertically stacked is not increased as much as possible.

【0004】そこで、上記図19に示す構造を考察して
みると、上記構造では、基板90に形成した凹部91内
に下側の半導体チップ9aを配置させている。このた
め、上記構造では、図20に示すように、基板90aの
フラットな上面に2つの半導体チップ9c,9dを実装
した場合と比較すると、上記凹部91の深さ寸法Sだ
け、全体の厚みを薄くすることができる利点が得られ
る。また、上側の半導体チップ9bの端子93と基板9
0の端子94との高低差H1についても、図20に示す
構造の高さH2よりも小さくすることができる。
Considering the structure shown in FIG. 19, in the above structure, the lower semiconductor chip 9a is arranged in a concave portion 91 formed in a substrate 90. For this reason, in the above structure, as shown in FIG. 20, compared with the case where two semiconductor chips 9c and 9d are mounted on the flat upper surface of the substrate 90a, the overall thickness is reduced by the depth dimension S of the concave portion 91. The advantage that the thickness can be reduced is obtained. The terminal 93 of the upper semiconductor chip 9b and the substrate 9
The height difference H1 from the zero terminal 94 can be made smaller than the height H2 of the structure shown in FIG.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の手段では、次のような不具合を生じていた。
However, the above-mentioned conventional means has the following disadvantages.

【0006】第1に、上記従来の手段では、基板90の
凹部91の底面部分に下側の半導体チップ9aを実装す
る手段であるために、基板90には有底状の凹部91を
形成する必要があり、その凹部91の形成作業が煩雑な
ものとなっていた。より具体的には、上記凹部91は、
その底部が閉じている必要があるために、貫通孔とは異
なり、打ち抜きプレスなどによって簡単に形成すること
は困難であり、たとえば貫通孔を形成した後にその貫通
孔の底部開口部を塞ぐ処理を施したり、あるいは基板表
面にマスクを施してからその基板にエッチング処理を施
すといった面倒な作業を行う必要がある。その結果、従
来では、基板90の加工コストが嵩み、半導体チップを
用いて構成される半導体装置や電子回路などの製造コス
トが高価となる不具合があった。
First, in the above-mentioned conventional means, since the lower semiconductor chip 9a is mounted on the bottom surface of the concave portion 91 of the substrate 90, the bottomed concave portion 91 is formed in the substrate 90. Therefore, the operation of forming the concave portion 91 is complicated. More specifically, the concave portion 91 is
Unlike the through-hole, it is difficult to easily form it by a punching press or the like because the bottom needs to be closed.For example, after forming the through-hole, a process of closing the bottom opening of the through-hole is required. It is necessary to perform a troublesome operation such as performing a masking process on the substrate surface and then performing an etching process on the substrate surface. As a result, conventionally, there has been a problem that the processing cost of the substrate 90 is increased, and the manufacturing cost of a semiconductor device, an electronic circuit, or the like configured using a semiconductor chip is expensive.

【0007】第2に、上記従来の手段では、2つの半導
体チップ9a,9bの実装箇所の全体の厚み寸法は、こ
れら2つの半導体チップ9a,9bの厚みを合計した値
ではなく、常に、その値に凹部91の底部の肉厚tを加
えた値となる。したがって、従来では、半導体チップの
実装箇所の全体の厚みを小さくする上で、未だ改善の余
地があった。
Second, in the above-mentioned conventional means, the total thickness of the mounting location of the two semiconductor chips 9a and 9b is not the sum of the thicknesses of these two semiconductor chips 9a and 9b, but always This is a value obtained by adding the thickness t of the bottom of the recess 91 to the value. Therefore, conventionally, there is still room for improvement in reducing the overall thickness of the mounting portion of the semiconductor chip.

【0008】第3に、上記従来の手段では、基板90の
肉厚が薄い場合には、必然的に凹部91の深さは浅くな
ってしまう。しかも、その深さ寸法は基板90の肉厚よ
りも小さくならざるを得ない。したがって、従来では、
基板90の厚みがある程度薄くなると、もはや凹部91
を形成することによって、2つの半導体チップ9a,9
bの高さを基板90に対して充分に低くすることは期待
できなくなる。その結果、従来では、たとえば基板90
として薄肉の部材を用いた場合には、上側の半導体チッ
プ9bの端子93の高さを低くできず、その端子93と
基板90の端子94とを適切にワイヤ接続することが困
難となる場合があった。このような不具合は、2つの半
導体チップ9a,9bとは別体の半導体チップを、上側
の半導体チップ9bの上にさらに重ねて実装し、その最
上部分に位置する半導体チップを基板の端子にワイヤ接
続するような場合には、より顕著となっていた。
Third, in the above-described conventional means, when the thickness of the substrate 90 is small, the depth of the concave portion 91 is necessarily small. Moreover, the depth dimension must be smaller than the thickness of the substrate 90. Therefore, conventionally,
When the thickness of the substrate 90 is reduced to some extent,
To form two semiconductor chips 9a, 9
It is impossible to expect the height of b to be sufficiently low with respect to the substrate 90. As a result, conventionally, for example, the substrate 90
When a thin member is used, the height of the terminal 93 of the upper semiconductor chip 9b cannot be reduced, and it may be difficult to appropriately wire-connect the terminal 93 and the terminal 94 of the substrate 90. there were. Such a problem is caused by mounting a semiconductor chip separate from the two semiconductor chips 9a and 9b on top of the upper semiconductor chip 9b, and connecting the uppermost semiconductor chip to a terminal of the substrate by a wire. In the case of connecting, it became more noticeable.

【0009】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、いわゆるチップ・オン・チップ
の構造を採用して半導体チップの高密度実装を図る場合
に、基板などの半導体チップを支持するための支持部材
に面倒な加工を施す必要性をなくして、全体の薄型化や
半導体チップの導電接続作業の適正化などが適切に図れ
るようにすることをその課題としている。
The present invention has been conceived under such circumstances, and when a high-density mounting of a semiconductor chip is to be achieved by adopting a so-called chip-on-chip structure, a substrate such as a substrate is required. It is an object of the present invention to eliminate the necessity of performing a complicated process on a support member for supporting a semiconductor chip, and to appropriately reduce the thickness of the entire device and to appropriately perform a conductive connection operation of the semiconductor chip.

【0010】[0010]

【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.

【0011】本願発明の第1の側面によれば、半導体チ
ップの実装構造が提供される。この半導体チップの実装
構造は、端子を備えた主面をそれぞれ有する第1の半導
体チップおよび第2の半導体チップが、その第1の半導
体チップの上に第2の半導体チップを重ねた状態で所望
の支持部材に実装されている、半導体チップの実装構造
であって、上記第1の半導体チップは、その主面が上向
きとされて上記支持部材の下面側に配置されており、か
つ上記支持部材には、上記第1の半導体チップの端子の
上方がこの支持部材によって覆われないようにこの支持
部材の厚み方向に貫通した開口孔が設けられていること
に特徴づけられる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip mounting structure. The mounting structure of the semiconductor chip is such that a first semiconductor chip and a second semiconductor chip each having a main surface with terminals are provided in a state where the second semiconductor chip is overlaid on the first semiconductor chip. A mounting structure of a semiconductor chip mounted on the supporting member, wherein the first semiconductor chip is disposed on a lower surface side of the supporting member with its main surface facing upward, and Is characterized in that an opening hole is provided through the support member in the thickness direction so that the upper part of the terminal of the first semiconductor chip is not covered by the support member.

【0012】上記支持部材としては、薄肉の合成樹脂製
フィルムに導電配線部を形成しているフィルム状の基
板、金属製のリードフレーム、または表面に導電配線部
を形成している板状の基板を用いることができる。
The supporting member may be a film-like substrate having a thin synthetic resin film having a conductive wiring portion formed thereon, a metal lead frame, or a plate-like substrate having a conductive wiring portion formed on the surface. Can be used.

【0013】また、上記第2の半導体チップの上には、
この第2の半導体チップと上記第1の半導体チップとは
別体の1または複数の他の半導体チップがさらに重ねて
設けられている構成とすることもできる。
Further, on the second semiconductor chip,
The second semiconductor chip and one or more other semiconductor chips separate from the first semiconductor chip may be provided so as to be further overlapped.

【0014】本願発明においては、支持部材の下面側に
第1の半導体チップを配置させているために、支持部材
の上面に対する第1の半導体チップの高さを低くできる
ことは勿論のこと、この第1の半導体チップの上に重ね
られる第2の半導体チップについても、その高さを低く
することができることとなる。また、上記第1の半導体
チップは、支持部材の下面側に配置されてはいるもの
の、支持部材には貫通孔状の開口孔が設けられているこ
とにより、上記第1の半導体チップの端子の上方が支持
部材によって覆われていない構造となっているために、
たとえばこの第1の半導体チップの端子を支持部材の上
面に設けられている端子とワイヤ接続するようなことも
適切に行うことが可能となる。また、このようなワイヤ
接続手段に代えて、上記第1の半導体チップの端子に対
して第2の半導体チップの端子を接続するといった手段
を採用することも可能となる。したがって、第1の半導
体チップを支持部材の下面側に配置させたからといっ
て、これに原因して第1の半導体チップと支持部材の端
子との導通接続が困難になるといった不具合は適切に回
避することができ、第1の半導体チップや第2の半導体
チップの電気的な接続を適切に図ることができることと
なる。
In the present invention, since the first semiconductor chip is arranged on the lower surface side of the support member, the height of the first semiconductor chip with respect to the upper surface of the support member can of course be reduced. The height of the second semiconductor chip stacked on one semiconductor chip can also be reduced. Although the first semiconductor chip is disposed on the lower surface side of the support member, the support member is provided with a through-hole-shaped opening, so that the terminal of the first semiconductor chip is provided. Because the upper part is not covered by the support member,
For example, it is possible to appropriately connect the terminals of the first semiconductor chip to the terminals provided on the upper surface of the support member by wire. In addition, instead of such a wire connection means, it is also possible to employ a means for connecting a terminal of the second semiconductor chip to a terminal of the first semiconductor chip. Therefore, the disadvantage that the first semiconductor chip is arranged on the lower surface side of the support member, thereby making it difficult to make the conductive connection between the first semiconductor chip and the terminal of the support member difficult is appropriately avoided. Therefore, electrical connection between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be appropriately performed.

【0015】本願発明においては、支持部材に開口孔を
形成しているが、この開口孔は、従来の有底状の凹部と
は異なり、支持部材の厚み方向に貫通したものである。
したがって、この開口孔は、たとえば支持部材に打ち抜
きプレス加工を施すといった簡単な作業工程によって非
常に簡易に、かつ迅速に形成することができる。その結
果、従来と比較すると、支持部材の加工作業が簡単にな
る分だけ、その加工コストを下げることができ、全体の
製造コストを低減化することができる。
In the present invention, an opening is formed in the support member, but this opening is penetrated in the thickness direction of the support member, unlike a conventional bottomed recess.
Therefore, this opening can be formed very simply and quickly by a simple working process such as punching and pressing the support member. As a result, as compared with the related art, the processing cost of the supporting member can be reduced as much as the processing operation of the supporting member is simplified, and the overall manufacturing cost can be reduced.

【0016】また、本願発明では、第1の半導体チップ
を支持部材の下面側に配置しているために、この第1の
半導体チップの下方には支持部材が存在しない構造にす
ることができ、第1の半導体チップや第2の半導体チッ
プの実装箇所の全体の厚みを小さくすることができる。
すなわち、支持部材の有底状の凹部の底面部分に半導体
チップを実装していた従来の手段では、その支持部材の
底面部分の厚み分だけ半導体チップの実装箇所の全体の
厚みが常に大きくなっていたが、本願発明ではそのよう
なことを適切に回避することができる。したがって、全
体の厚みを小さくする上で、従来よりも有利となる。
Further, in the present invention, since the first semiconductor chip is disposed on the lower surface side of the support member, a structure in which the support member does not exist below the first semiconductor chip can be provided. The entire thickness of the mounting location of the first semiconductor chip or the second semiconductor chip can be reduced.
That is, in the conventional means in which the semiconductor chip is mounted on the bottom surface of the bottomed concave portion of the support member, the entire thickness of the mounting position of the semiconductor chip is always increased by the thickness of the bottom portion of the support member. However, in the present invention, such a situation can be appropriately avoided. Therefore, it is more advantageous than before in reducing the overall thickness.

【0017】さらに、本願発明では、第1の半導体チッ
プを支持部材の下面側に配置することによって、第1の
半導体チップを支持部材の上面よりも低い位置へ確実に
配置することが可能となり、従来とは異なり、支持部材
の肉厚が薄くなった場合に第1の半導体チップや第2の
半導体チップの高さを低くすることが困難となるような
ことを解消することができる。したがって、本願発明で
は、第2の半導体チップの端子と支持部材の上面に設け
られている端子との高低差を小さくすることができる。
その結果、それらの端子をワイヤボンディング作業を採
用して結線接続するような場合には、その作業を適切に
行うことができる。
Further, in the present invention, by disposing the first semiconductor chip on the lower surface side of the support member, it is possible to reliably dispose the first semiconductor chip at a position lower than the upper surface of the support member. Unlike the related art, it is possible to solve the problem that it is difficult to reduce the height of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip when the thickness of the support member is reduced. Therefore, in the present invention, the height difference between the terminal of the second semiconductor chip and the terminal provided on the upper surface of the support member can be reduced.
As a result, when these terminals are connected and connected by employing a wire bonding operation, the operation can be appropriately performed.

【0018】本願発明の好ましい実施の形態では、上記
支持部材には、上記開口孔が間隔を隔てて複数設けられ
ていることにより、これら複数の開口孔どうしの間を仕
切る補助片部が形成されており、かつ上記第1の半導体
チップと第2の半導体チップとは、上記補助片部をその
上下から挟むようにしてこの補助片部の下面と上面とに
それぞれ接着されている構成とすることができる。ま
た、このような構成に代えて、上記支持部材には、上記
開口孔の周縁部の一部分からこの開口孔の内側方向へ延
びる補助片部が形成されており、かつ記第1の半導体チ
ップと第2の半導体チップとは、上記補助片部をその上
下から挟むようにしてこの補助片部の下面と上面とにそ
れぞれ接着されている構成とすることができる。
[0018] In a preferred embodiment of the present invention, the support member is provided with a plurality of the opening holes at an interval, so that an auxiliary piece portion for partitioning between the plurality of opening holes is formed. And the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be configured to be bonded to the lower surface and the upper surface of the auxiliary piece so as to sandwich the auxiliary piece from above and below. . Instead of such a configuration, the support member is formed with an auxiliary piece extending from a part of the periphery of the opening to the inside of the opening, and the first semiconductor chip and The second semiconductor chip may be configured to be bonded to the lower surface and the upper surface of the auxiliary piece so as to sandwich the auxiliary piece from above and below.

【0019】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップや第2の半導体チップを支持部材の補助片部に対し
てその上下から挟み付けたかたちで接着することができ
るために、それら第1の半導体チップや第2の半導体チ
ップを支持部材に対して確実かつ強固に接着することが
可能となる。したがって、支持部材に対する第1の半導
体チップや第2の半導体チップの接合強度を高める上で
好ましい。
According to such a configuration, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be adhered to the auxiliary piece of the support member from above and below the auxiliary piece, so that the first and second semiconductor chips can be bonded to each other. The first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be securely and firmly bonded to the support member. Therefore, it is preferable to increase the bonding strength of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip to the support member.

【0020】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記第2の半導体チップは、上記第1の半導体チップの
端子の上方を覆わない箇所に配置されているとともに、
その主面が上向きとされており、この第2の半導体チッ
プと上記第1の半導体チップとのそれぞれの端子は、上
記支持部材の上面に設けられている端子とワイヤ接続さ
れている構成とすることができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The second semiconductor chip is arranged at a location that does not cover above the terminals of the first semiconductor chip,
The main surface thereof is directed upward, and the terminals of the second semiconductor chip and the first semiconductor chip are connected to the terminals provided on the upper surface of the support member by wire. be able to.

【0021】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップと第2の半導体チップとのそれぞれが支持部材の上
面の端子に対してワイヤを介して適切に導電接続される
が、上記第1の半導体チップや第2の半導体チップは、
ともにそれらの主面が上向きとされているために、これ
ら第1の半導体チップや第2の半導体チップのそれぞれ
の主面の端子を支持部材の端子にワイヤ接続する作業
は、従来と同様に、ワイヤボンダーを用いた通常のワイ
ヤボンディング作業によって、容易かつ適切に行うこと
ができる。
According to such a configuration, each of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is appropriately conductively connected to the terminal on the upper surface of the support member via the wire. Semiconductor chip and the second semiconductor chip,
Since the main surfaces of the first and second semiconductor chips are directed upward, the operation of wire-connecting the terminals of the respective main surfaces of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip to the terminals of the support member is performed in the same manner as in the related art. It can be easily and appropriately performed by a normal wire bonding operation using a wire bonder.

【0022】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記第2の半導体チップは、その主面が下向きにされて
上記第1の半導体チップと電気的に接続されており、か
つこれら第1の半導体チップと第2の半導体チップとの
いずれか一方が、上記支持部材に設けられている端子と
電気的に接続されている構成とすることができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The second semiconductor chip is electrically connected to the first semiconductor chip with the main surface thereof facing downward, and one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is connected to the second semiconductor chip. In addition, a configuration may be employed in which the terminal is electrically connected to a terminal provided on the support member.

【0023】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップと第2の半導体チップとを支持部材に投入する以前
の段階において、それら第1の半導体チップと第2の半
導体チップとを互いに電気的に接続しておくことが可能
となり、たとえば第1の半導体チップと第2の半導体チ
ップとを1纏まりにして一括して支持部材に投入すると
いったことが可能となる。また、第1の半導体チップと
第2の半導体チップとのそれぞれを支持部材の端子に対
して個別に導電接続する必要がなくなり、第1の半導体
チップと第2の半導体チップとのいずれか一方のみを支
持部材の端子に導電接続すればよいために、支持部材に
半導体チップを投入してからそれらの導電接続を図るた
めの作業を容易化することが可能となる。したがって、
半導体チップの実装作業の作業効率などを高める上で、
好ましいものとなる。
According to such a configuration, before the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are loaded into the support member, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are electrically connected to each other. For example, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be collectively put into a supporting member. Further, it is not necessary to electrically connect each of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip to the terminal of the support member, and only one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is required. Can be conductively connected to the terminals of the support member, so that it is possible to simplify the operation of putting the semiconductor chips into the support member and then conducting the conductive connection therebetween. Therefore,
In order to improve the work efficiency of semiconductor chip mounting work,
It will be preferable.

【0024】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記支持部材の端子は、上記支持部材の開口孔の縁部か
らこの開口孔の内側方向に突出するタブ状の端子であ
り、かつ上記第1の半導体チップと第2の半導体チップ
とのいずれか一方には、上記タブ状の端子に電気的に導
通して接続される端子が設けられている構成とすること
ができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The terminal of the support member is a tab-shaped terminal protruding inward of the opening from the edge of the opening of the support member, and may be one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip. One side may be provided with a terminal that is electrically connected to the tab-shaped terminal.

【0025】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップと第2の半導体チップとのいずれか一方について
は、その端子を支持部材のタブ状の端子に接続すること
によって所望の導電接続が簡単に行えることとなる。
According to such a configuration, for one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, a desired conductive connection can be obtained by connecting the terminal to the tab-shaped terminal of the support member. It can be done easily.

【0026】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記第1の半導体チップと第2の半導体チップとは、上
記開口孔の外周縁をその上下から挟むようにしてその外
周縁の下面と上面とにそれぞれ接着されている構成とす
ることができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The first semiconductor chip and the second semiconductor chip may be configured to be bonded to the lower surface and the upper surface of the outer peripheral edge of the opening so as to sandwich the outer peripheral edge of the opening from above and below.

【0027】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップや第2の半導体チップを支持部材の開口孔の外周縁
に対してその上下から挟み付けたかたちで接着すること
ができるために、それら第1の半導体チップや第2の半
導体チップの双方を支持部材に対して確実かつ強固に接
着することが可能となる。したがって、支持部材に対す
る第1の半導体チップや第2の半導体チップの接合強度
を高める上で好ましいものとなる。
According to such a configuration, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be adhered to the outer peripheral edge of the opening of the supporting member by being sandwiched from above and below. Both the first semiconductor chip and the second semiconductor chip can be securely and firmly bonded to the support member. Therefore, it is preferable to increase the bonding strength of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip to the support member.

【0028】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記第1の半導体チップと第2の半導体チップとは互い
に接合されており、かつそれらのいずれか一方のみが上
記支持部材に接着されている構成とすることができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The first semiconductor chip and the second semiconductor chip may be bonded to each other, and only one of them may be bonded to the support member.

【0029】このような構成によれば、第1の半導体チ
ップと第2の半導体チップとのいずれか一方のみが支持
部材に接着されているに過ぎないものの、それら第1の
半導体チップと第2の半導体チップとは互いに接合され
ているために、これら2つの半導体チップの双方を支持
部材に対して適切に実装しておくことができる。上記構
成では、第1の半導体チップと第2の半導体チップとの
いずれか一方のみを支持部材に接着させればよいから、
それらの双方を支持部材に接着させる手段と比較する
と、支持部材に対する半導体チップの実装作業を簡略化
することができ、半導体チップの実装作業の効率を高め
ることが可能となる。
According to such a configuration, only one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is adhered to the support member, but the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are bonded to each other. Since these semiconductor chips are joined to each other, both of these two semiconductor chips can be appropriately mounted on the support member. In the above configuration, only one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip needs to be adhered to the support member.
Compared with a method of bonding both of them to the support member, the operation of mounting the semiconductor chip on the support member can be simplified, and the efficiency of the operation of mounting the semiconductor chip can be increased.

【0030】本願発明の第2の側面によれば、半導体チ
ップの実装構造が提供される。この半導体チップの実装
構造は、第1の半導体チップと第2の半導体チップとが
互いに重ねられて所望の支持部材に実装されている、半
導体チップの実装構造であって、上記支持部材には、こ
の支持部材の厚み方向に貫通した開口孔が設けられてい
るとともに、上記第1の半導体チップと第2の半導体チ
ップとのいずれか一方は、上記開口孔内に配置されてい
ることに特徴づけられる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor chip mounting structure. This semiconductor chip mounting structure is a semiconductor chip mounting structure in which a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are stacked on each other and mounted on a desired support member. An opening is provided through the supporting member in the thickness direction, and one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is disposed in the opening. Can be

【0031】本願発明の第2の側面によって提供される
半導体チップの実装構造では、第1の半導体チップと第
2の半導体チップとのいずれか一方を、支持部材の開口
孔内に配置させているために、支持部材の表面に第1の
半導体チップと第2の半導体チップとを積み上げた構造
とは異なり、いずれか一方の半導体チップを開口孔内に
配置させた分だけ、全体の厚みを小さくすることができ
る。また、第2の半導体チップの高さを低くすることも
できるので、この第2の半導体チップにワイヤボンディ
ング作業を施す場合にはその作業を適切に行うことも可
能となる。むろん、支持部材に設けられた開口孔は、支
持部材の厚み方向に貫通した孔であるから、先の本願発
明の第1の側面の場合と同様に、支持部材の加工が容易
に行え、製造コストの低減化が図れる。また、支持部材
の厚み方向に貫通した開口孔を介して第1の半導体チッ
プと第2の半導体チップとの接着や電気的な接続を図る
といったことも可能となり、半導体チップを支持部材に
電気的に接続する作業にも種々便宜が図れる。
In the semiconductor chip mounting structure provided by the second aspect of the present invention, one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is disposed in the opening of the support member. Therefore, unlike the structure in which the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are stacked on the surface of the support member, the overall thickness is reduced by the amount of one of the semiconductor chips arranged in the opening. can do. Further, since the height of the second semiconductor chip can be reduced, when performing the wire bonding operation on the second semiconductor chip, the operation can be appropriately performed. Of course, since the opening hole provided in the support member is a hole penetrating in the thickness direction of the support member, as in the case of the first aspect of the present invention, the support member can be easily processed and manufactured. Cost can be reduced. In addition, it becomes possible to establish adhesion and electrical connection between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip through an opening hole penetrating in the thickness direction of the support member, and to electrically connect the semiconductor chip to the support member. Various conveniences can also be achieved for the work of connecting to.

【0032】本願発明の第3の側面によれば、半導体装
置が提供される。この半導体装置は、本願発明の第1の
側面または第2の側面によって提供される半導体チップ
の実装構造を有していることに特徴づけられる。
According to a third aspect of the present invention, a semiconductor device is provided. This semiconductor device is characterized by having a semiconductor chip mounting structure provided by the first aspect or the second aspect of the present invention.

【0033】本願発明の第3の側面によって提供される
半導体装置では、本願発明の第1の側面または第2の側
面によって提供される半導体装置の実装構造によって得
られるのと同様な効果が得られ、半導体装置の製造コス
トの低減化や、全体の厚みの薄型化が図れるといった効
果が得られる。
In the semiconductor device provided by the third aspect of the present invention, the same effects as those obtained by the mounting structure of the semiconductor device provided by the first or second aspect of the present invention can be obtained. Further, the effects of reducing the manufacturing cost of the semiconductor device and reducing the overall thickness can be obtained.

【0034】本願発明の好ましい実施の形態では、少な
くとも上記複数の半導体チップのそれぞれの主面とその
周辺部分とがモールド樹脂によって覆われている構成と
することができる。
In a preferred embodiment of the present invention, at least a main surface of each of the plurality of semiconductor chips and a peripheral portion thereof may be covered with a mold resin.

【0035】このような構成によれば、モールド樹脂に
よって各半導体チップの主面やその周辺部分に位置する
配線部分などの保護が適切に図られた半導体装置を提供
することができる。
According to such a configuration, it is possible to provide a semiconductor device in which the main surface of each semiconductor chip and the wiring portion located on the periphery thereof are appropriately protected by the mold resin.

【0036】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記支持部材は、薄肉の合成樹脂製フィルムに導電配線
部を形成しているフィルム状の基板であり、かつこの基
板の下面部には、上記複数の半導体チップの各端子と電
気的に導通するハンダボールからなる突起状の端子が設
けられている構成とすることができる。
In another preferred embodiment of the present invention,
The support member is a film-shaped substrate in which a conductive wiring portion is formed on a thin synthetic resin film, and a lower surface of the substrate is electrically connected to each terminal of the plurality of semiconductor chips. A configuration in which a protruding terminal made of a solder ball is provided can be employed.

【0037】このような構成によれば、上記突起状の端
子を構成するハンダボールを加熱し、リフローさせれ
ば、このハンダボールを介して半導体装置を所望の位置
に面実装することが可能となる。すなわち、上記構成に
よれば、支持部材としてフィルム状の基板を用いている
にもかかわらず、金属製のリードフレームを用いて作製
された半導体装置と同様に、ハンダリフローによって所
望の位置へ面実装可能な半導体装置を提供することがで
きる。このため、面実装タイプの半導体装置を製造する
場合において、比較的高価なリードフレームを用いる手
段に代えて、フィルム状の基板を用いることにより、半
導体装置の製造コストを安価にできるという利点が得ら
れる。
According to such a configuration, by heating and reflowing the solder balls constituting the protruding terminals, the semiconductor device can be surface-mounted at a desired position via the solder balls. Become. That is, according to the above configuration, despite the use of a film-shaped substrate as the support member, the surface mounting is performed at a desired position by solder reflow, similarly to a semiconductor device manufactured using a metal lead frame. A possible semiconductor device can be provided. For this reason, in the case of manufacturing a surface-mount type semiconductor device, an advantage is obtained in that the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced by using a film-shaped substrate instead of using a relatively expensive lead frame. Can be

【0038】本願発明の第4の側面によれば、半導体チ
ップの実装方法が提供される。この半導体チップの実装
方法は、第1の半導体チップの上に第2の半導体チップ
を重ねた状態にこれら第1の半導体チップと第2の半導
体チップとを所望の支持部材に実装する、半導体チップ
の実装方法であって、上記支持部材には、予めその厚み
方向に貫通する開口孔を形成しておくとともに、上記第
1の半導体チップを上記支持部材に実装するときには、
この第1の半導体チップの端子を上記開口孔に対向させ
または上記開口孔内に配置させるようにしてこの第1の
半導体チップを上記支持部材の下面側に配置固定させる
ことに特徴づけられる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of mounting a semiconductor chip. The method of mounting a semiconductor chip includes mounting the first semiconductor chip and the second semiconductor chip on a desired support member with the second semiconductor chip stacked on the first semiconductor chip. In the mounting method of (1), the supporting member has an opening formed in advance in the thickness direction thereof, and when the first semiconductor chip is mounted on the supporting member,
It is characterized in that the first semiconductor chip is arranged and fixed on the lower surface side of the support member such that the terminals of the first semiconductor chip face the opening or are arranged in the opening.

【0039】本願発明の第4の側面によって提供される
半導体チップの実装方法によれば、既述した本願発明の
第1の側面によって提供される半導体チップの実装構造
が適切に得られることとなる。
According to the semiconductor chip mounting method provided by the fourth aspect of the present invention, the semiconductor chip mounting structure provided by the above-described first aspect of the present invention can be appropriately obtained. .

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0041】図1は、本願発明に係る半導体チップの実
装構造を有する半導体装置中間品の一例を示す要部斜視
図である。図2は、図1のII−II拡大断面図である。
FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing an example of a semiconductor device intermediate product having a semiconductor chip mounting structure according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line II-II of FIG.

【0042】図1および図2に示す半導体装置中間品A
は、2つの半導体チップ2A,2Bを、それらの厚み方
向である上下方向に重ねた状態で基板1に実装し、かつ
それら2つの半導体チップ2A,2Bを金線などのワイ
ヤWを介して上記基板1の導電配線部10に導電接続し
た構造を有している。本実施形態では、上記半導体チッ
プ2A,2Bのうち、下側の半導体チップ2Aを第1の
半導体チップとし、上側の半導体チップ2Bを第2の半
導体チップとする。
Semiconductor device intermediate product A shown in FIGS. 1 and 2
Is mounted on the substrate 1 in a state where two semiconductor chips 2A and 2B are stacked in the vertical direction which is the thickness direction thereof, and the two semiconductor chips 2A and 2B are connected to each other through a wire W such as a gold wire. It has a structure in which it is conductively connected to the conductive wiring portion 10 of the substrate 1. In the present embodiment, of the semiconductor chips 2A and 2B, the lower semiconductor chip 2A is a first semiconductor chip, and the upper semiconductor chip 2B is a second semiconductor chip.

【0043】上記基板1は、薄肉の長尺帯状に形成され
たポリイミドなどの合成樹脂製フィルムを基材とするフ
ィルム状の基板であり、その長手方向に延びる両側縁部
には、この基板1を所定の移送経路に沿って移送するの
に利用される小径の孔11が一定ピッチ間隔で多数設け
られている。この基板1の表面には、銅箔が付着される
などして複数のワイヤボンディング用のパッド部を備え
た導電配線部10(図1では便宜上省略)が設けられて
いる。
The substrate 1 is a film-like substrate having a base made of a synthetic resin film such as polyimide formed in a thin and long strip shape, and has both sides extending in the longitudinal direction. A large number of small-diameter holes 11 are used at a constant pitch and are used to transfer the particles along a predetermined transfer path. The surface of the substrate 1 is provided with a conductive wiring portion 10 (omitted for convenience in FIG. 1) provided with a plurality of pad portions for wire bonding by attaching a copper foil or the like.

【0044】上記基板1には、この基板1の厚み方向に
貫通した平面視略矩形状の開口孔12が複数設けられて
いる。これら複数の開口孔12は、一定間隔Laを隔て
て隣り合う2つの開口孔12,12どうしが1組とされ
て、それらの開口孔12,12が上記基板1の長手方向
に適当な間隔で複数組並ぶように設けられている(図3
参照)。本実施形態では、上記各組の開口孔12,12
の間を仕切る帯状部分が、補助片部13とされている。
図2において、符号14で示す穴は、後述する半導体装
置を製造する工程において所定のハンダボールを導電配
線部10に導通させるためのスルーホールとして利用さ
れる穴である。
The substrate 1 is provided with a plurality of substantially rectangular opening holes 12 in plan view that penetrate in the thickness direction of the substrate 1. Each of the plurality of openings 12 is a set of two openings 12 adjacent to each other at a predetermined interval La, and the openings 12 are arranged at appropriate intervals in the longitudinal direction of the substrate 1. A plurality of sets are provided (see FIG. 3).
reference). In the present embodiment, each of the sets of opening holes 12
The band-like portion that separates the space between them is an auxiliary piece 13.
In FIG. 2, a hole denoted by reference numeral 14 is a hole used as a through hole for conducting a predetermined solder ball to the conductive wiring portion 10 in a process of manufacturing a semiconductor device described later.

【0045】上記第1の半導体チップ2Aおよび第2の
半導体チップ2Bは、たとえばLSIチップやその他の
ICチップとして構成されたものであり、シリコンチッ
プ上に所望の電子回路を集積させて一体的に造り込んだ
ものである。上記第1の半導体チップ2Aの一側面は、
複数の端子21を備えた主面20Aとされており、また
同様に、上記第2の半導体チップ2Bの一側面も、複数
の端子22を備えた主面20Bとされている。上記複数
の端子21,22のそれぞれは、ワイヤボンディング用
の比較的平坦なパッド部として構成されており、その材
質はたとえばアルミ製であるが、好ましくは、ワイヤW
との導電接続を良好にするための手段としてその表面に
金メッキが施されている。
The first semiconductor chip 2A and the second semiconductor chip 2B are configured as, for example, an LSI chip or another IC chip, and a desired electronic circuit is integrated on a silicon chip to be integrated. It is built in. One side surface of the first semiconductor chip 2A is:
The main surface 20A has a plurality of terminals 21. Similarly, one side surface of the second semiconductor chip 2B is also a main surface 20B having a plurality of terminals 22. Each of the plurality of terminals 21 and 22 is configured as a relatively flat pad portion for wire bonding, and the material thereof is, for example, aluminum, but preferably, the wire W
Gold plating is applied to the surface as a means for improving the conductive connection with the substrate.

【0046】上記第1の半導体チップ2Aは、その主面
20Aが上向きとなる姿勢に設定された上で、上記基板
1の下面側に実装されている。これに対し、上記第2の
半導体チップ2Bは、その主面20Bが上向きとなる姿
勢に設定された上で、上記基板1の上面側に実装されて
いる。より具体的には、上記第1の半導体チップ2Aの
主面20Aのうち、端子21形成されていない幅方向中
央部分は、基板1の補助片部13の下面に対して接着剤
層30を介して接着されており、これにより上記第1の
半導体チップ2Aの複数の端子21のそれぞれは、2つ
の開口孔12,12の下方または下部に配置されてい
る。一方、上記第2の半導体チップ2Bは、その主面2
0Bとは反対側の面が、上記補助片部13の上面に対し
て接着剤層31を介して接着されている。この第2の半
導体チップ2Bは、その横幅が第1の半導体チップ2A
の横幅よりも小さいものであり、第1の半導体チップ2
Aの複数の端子21の上方を覆わない位置に配されてい
る。
The first semiconductor chip 2A is mounted on the lower surface side of the substrate 1 after the main surface 20A is set to be oriented upward. On the other hand, the second semiconductor chip 2B is mounted on the upper surface side of the substrate 1 after the main surface 20B is set to be in an attitude of facing upward. More specifically, in the main surface 20A of the first semiconductor chip 2A, the central portion in the width direction where the terminals 21 are not formed is disposed on the lower surface of the auxiliary piece 13 of the substrate 1 via the adhesive layer 30. Accordingly, each of the plurality of terminals 21 of the first semiconductor chip 2A is arranged below or below the two opening holes 12, 12. On the other hand, the second semiconductor chip 2B has its main surface 2
The surface opposite to OB is bonded to the upper surface of the auxiliary piece 13 via an adhesive layer 31. The width of the second semiconductor chip 2B is equal to that of the first semiconductor chip 2A.
Of the first semiconductor chip 2
It is arranged at a position that does not cover the upper part of the plurality of terminals 21 of A.

【0047】上記半導体装置中間品Aは、次のような半
導体チップの実装方法によって得ることができる。
The semiconductor device intermediate product A can be obtained by the following semiconductor chip mounting method.

【0048】まず、図3に示すように、基板1として
は、予め複数の開口孔12が設けられたものを用いる。
ただし、この基板1への各開口孔12の形成作業は、基
板1を移送してこの基板1に2つの半導体チップ2A,
2Bを実装する作業工程の前段において行うことが可能
である。上記各開口孔12は、貫通孔であるから、たと
えば基板1を打ち抜くプレス加工によって簡単に形成す
ることができる。次いで、上記基板1の移送経路におい
て、その補助片部13の上下両面に接着剤を塗布した後
には、チップマウント装置を用いて第2の半導体チップ
2Bを上記補助片部13の上面に載置する。また、第1
の半導体チップ2Aについては、上記補助片部13の下
面に対してその下方から接触させて接着させる。これに
より、図4に示すように、2つの半導体チップ2A,2
Bを互いに重ねた状態に基板1に接着することができ
る。
First, as shown in FIG. 3, a substrate 1 having a plurality of openings 12 is used in advance.
However, the operation of forming each of the openings 12 in the substrate 1 is performed by transferring the substrate 1 and adding two semiconductor chips 2A,
This can be performed before the work process for mounting 2B. Since each of the opening holes 12 is a through hole, it can be easily formed by, for example, press working for punching the substrate 1. Next, after the adhesive is applied to the upper and lower surfaces of the auxiliary piece 13 in the transfer path of the substrate 1, the second semiconductor chip 2B is placed on the upper surface of the auxiliary piece 13 using a chip mount device. I do. Also, the first
The semiconductor chip 2A is bonded to the lower surface of the auxiliary piece 13 by contacting the lower surface of the auxiliary chip 13 from below. Thereby, as shown in FIG. 4, the two semiconductor chips 2A, 2A
B can be bonded to the substrate 1 in a state where they are overlapped with each other.

【0049】上記構造では、第1の半導体チップ2Aが
基板1の下面側に配置されているものの、その複数の端
子21は全て開口孔12の下方に位置しており、それら
の上方が基板1によって覆われていない開放状態となっ
ている。したがって、図2に示すように、第1の半導体
チップ2Aの各端子21と基板1の導電配線部10とを
ワイヤWを介して適切に導電接続することができる。上
記各端子21は、基板1の上面よりも僅かな寸法だけ下
方に位置する高さであるため、上記各端子21と導電配
線部10とを接続するワイヤWのボンディング作業は、
通常のワイヤボンダーを用いて適切に行うことができ
る。
In the above structure, although the first semiconductor chip 2A is arranged on the lower surface side of the substrate 1, all of the plurality of terminals 21 are located below the opening hole 12, and the upper part thereof is located on the substrate 1 It is in an open state that is not covered by. Therefore, as shown in FIG. 2, each terminal 21 of the first semiconductor chip 2A and the conductive wiring portion 10 of the substrate 1 can be appropriately conductively connected via the wire W. Since each of the terminals 21 has a height that is slightly lower than the upper surface of the substrate 1, the bonding operation of the wire W that connects each of the terminals 21 to the conductive wiring unit 10 is performed by:
It can be appropriately performed using a normal wire bonder.

【0050】一方、第2の半導体チップ2Bは、上記第
1の半導体チップ2Aよりも上側に配置されているもの
の、この第2の半導体チップ2Bは実質的には基板1の
上面に実装されている。したがって、基板1の上面から
第2の半導体チップ2Bの端子22までの高さ寸法は、
この第2の半導体チップ2Bの厚み寸法と略同一であ
り、小さな寸法に設定することができる。その結果、第
2の半導体チップ2Bの各端子22と導電配線部10と
をワイヤWを用いて結線する作業についても、通常のワ
イヤボンダーを用いて適切に行うことができる。
On the other hand, although the second semiconductor chip 2B is disposed above the first semiconductor chip 2A, the second semiconductor chip 2B is substantially mounted on the upper surface of the substrate 1. I have. Therefore, the height dimension from the upper surface of the substrate 1 to the terminal 22 of the second semiconductor chip 2B is
The thickness is substantially the same as the thickness of the second semiconductor chip 2B, and can be set to a small size. As a result, the operation of connecting each terminal 22 of the second semiconductor chip 2B to the conductive wiring portion 10 using the wire W can be appropriately performed using a normal wire bonder.

【0051】とくに、上記構造では、基板1に対するワ
イヤボンディング位置が、2つの半導体チップ2A,2
Bの各端子21,22のそれぞれの高さの中間の高さと
なっているために、基板1へのワイヤボンディング位置
を基準高さとすると、2つの半導体チップ2A,2Bの
いずれの端子21,22もその基準高さからさほど大き
く偏った高さにならないようにすることができる。この
ため、2つの半導体チップ2A,2Bの端子21,22
に対してワイヤボンディング作業を行うときにワイヤボ
ンダーのキャピラリが大きく斜めに傾くことを回避する
ことができ、端子21,22の接合面に対して垂直に近
い角度でキャピラリを押しつけることによって、導電接
続性の良好なワイヤボンディングが行えることとなる。
In particular, in the above structure, the wire bonding position with respect to the substrate 1 is different between the two semiconductor chips 2A and 2A.
Since the height of each of the terminals 21 and 22 of B is intermediate, the position of the wire bonding to the substrate 1 is set as the reference height, and any one of the terminals 21 and 22 of the two semiconductor chips 2A and 2B is used. Can be prevented from deviating so much from the reference height. For this reason, the terminals 21 and 22 of the two semiconductor chips 2A and 2B
When the wire bonding operation is performed, it is possible to prevent the capillary of the wire bonder from being largely inclined and to press the capillary at an angle nearly perpendicular to the joining surface of the terminals 21 and 22, thereby making the conductive connection. Thus, wire bonding with good performance can be performed.

【0052】また、上記構造では、2つの半導体チップ
2A,2Bの実装部分の全体の厚みは、これら2つの半
導体チップ2A,2Bのトータルの厚みに基板1の厚み
を加えた寸法と略同一である。したがって、上記基板1
の厚みが小さい場合には、全体の厚みを小さくするのに
最適となる。さらに、上記2つの半導体チップ2A,2
Bは、基板1の補助片部13をその上下方向から挟み付
けたかたちでこの補助片部13に接着されているため
に、基板1に対するそれらの接着強度を高くすることも
できる。
In the above structure, the total thickness of the mounting portions of the two semiconductor chips 2A and 2B is substantially the same as the sum of the total thickness of these two semiconductor chips 2A and 2B plus the thickness of the substrate 1. is there. Therefore, the substrate 1
When the thickness is small, it is optimal to reduce the overall thickness. Further, the two semiconductor chips 2A, 2
Since B is bonded to the auxiliary piece 13 in such a manner that the auxiliary piece 13 of the substrate 1 is sandwiched from above and below, the bonding strength of the substrate B to the substrate 1 can be increased.

【0053】さらに、本実施形態では、基板1の導電配
線部10に対する複数本のワイヤWのボンディング作業
は、それらのボンディング位置が平面視千鳥状の配列と
なるように施されている。より具体的には、図2によく
表れているように、第1の半導体チップ2Aの端子21
に一端が接続されたワイヤW(W1)の導電配線部10
に対するボンディング位置N1と、第2の半導体チップ
2Bの端子22に一端が接続されたワイヤW(W2)の
導電配線部10に対するボンディング位置N2とは、そ
れらワイヤWが延びる方向に適当な寸法Lだけ互いに位
置ずれしており、一方のボンディング位置N2は他方の
ボンディング位置N1よりも半導体チップ2A,2Bか
ら遠ざかった位置となっている。
Further, in the present embodiment, the bonding operation of the plurality of wires W to the conductive wiring portion 10 of the substrate 1 is performed such that the bonding positions are arranged in a staggered shape in plan view. More specifically, as best seen in FIG. 2, the terminals 21 of the first semiconductor chip 2A
Wiring portion 10 of wire W (W1) having one end connected to
And the bonding position N2 of the wire W (W2), one end of which is connected to the terminal 22 of the second semiconductor chip 2B, to the conductive wiring portion 10 by an appropriate dimension L in the direction in which the wires W extend. The positions are shifted from each other, and one bonding position N2 is located farther from the semiconductor chips 2A and 2B than the other bonding position N1.

【0054】複数本のワイヤWをこのようにボンディン
グすれば、導電配線部10におけるワイヤWのボンディ
ングピッチ間隔を実質的に広げることができ、導電配線
部10において互いに隣り合うワイヤWのボンディング
部分どうしが不当に導通し、短絡するといったことを防
止する上で好ましいものとなる。また、図2に示す側面
視方向から見た構造において、2種類のワイヤW1,W
2どうしが互いに重なった状態となることもない。この
ため、上記ワイヤWどうしが互いに接触して不当に導通
するといったことを解消する上でも、好都合となる。
By bonding a plurality of wires W in this manner, it is possible to substantially widen the bonding pitch interval of the wires W in the conductive wiring portion 10 and to bond the bonding portions of the adjacent wires W in the conductive wiring portion 10. Is undesirably conducted to prevent undesired conduction and short circuit. In the structure viewed from the side view direction shown in FIG. 2, two types of wires W1 and W
The two do not overlap each other. For this reason, it is convenient to eliminate the situation in which the wires W come into contact with each other and unduly conduct.

【0055】チップ・オン・チップ構造を採用して複数
の半導体チップを基板の導電配線部にワイヤ接続する場
合には、微細なピッチ間隔で多数本のワイヤボンディン
グを行わなければならない場合があるが、本実施形態に
おいて採用されている上述のワイヤ接続構造は、それら
多数本のワイヤどうしの不当な導通接触を防止する上で
有利である。また、ワイヤどうしが互いに接触しても、
これらのワイヤ間に電気的な短絡が生じないように、た
とえば表面全体をポリエチレンなどの絶縁材料によって
被覆したワイヤを用いるような手段を採用してもよい。
When a plurality of semiconductor chips are wire-connected to the conductive wiring portion of the substrate by adopting a chip-on-chip structure, it may be necessary to perform a large number of wire bondings at fine pitch intervals. The above-described wire connection structure employed in the present embodiment is advantageous in preventing unreasonable conductive contact between these many wires. Also, even if the wires touch each other,
In order to prevent an electrical short circuit between these wires, for example, a means using a wire whose entire surface is coated with an insulating material such as polyethylene may be employed.

【0056】次に、上記半導体装置中間品Aから完成品
としての半導体装置を製造する方法およびその半導体装
置の構成の一例について説明する。
Next, a method of manufacturing a semiconductor device as a finished product from the semiconductor device intermediate product A and an example of the configuration of the semiconductor device will be described.

【0057】図5は、上記半導体装置中間品Aから半導
体装置を製造する作業工程を示す要部断面図である。図
6は、上記半導体装置中間品から製造された完成品とし
ての半導体装置Bの構成の一例を示す要部断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part showing an operation process for manufacturing a semiconductor device from the semiconductor device intermediate product A. FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part showing an example of the configuration of a semiconductor device B as a finished product manufactured from the semiconductor device intermediate product.

【0058】上記半導体装置中間品Aから半導体装置B
を製造するには、まず図5に示すように、2つの半導体
チップ2A,2Bの実装箇所とその周辺部分とをモール
ド樹脂4によって覆う樹脂パッケージ作業を行う。この
樹脂パッケージ作業は、たとえばトランスファ成形法を
用いて、長尺状の基板1を樹脂成形用の金型の配置箇所
に対してその長手方向に移送させながら順次連続的に行
うことができる。モールド樹脂4としては、たとえば熱
硬化性のエポキシ樹脂を用いることができる。この樹脂
パッケージ作業により、2つの半導体チップ2A,2B
の主面20A,20B、ワイヤW、ワイヤWのボンディ
ング位置、およびその周辺部分を樹脂封止することがで
き、保護できることとなる。
From the semiconductor device intermediate product A to the semiconductor device B
First, as shown in FIG. 5, a resin package operation for covering the mounting locations of the two semiconductor chips 2A and 2B and the peripheral portions thereof with the mold resin 4 is performed. This resin package operation can be performed successively and continuously by using, for example, a transfer molding method while transferring the long substrate 1 to the position where the resin molding die is disposed in the longitudinal direction thereof. As the mold resin 4, for example, a thermosetting epoxy resin can be used. By this resin package operation, the two semiconductor chips 2A and 2B
The main surfaces 20A and 20B, the wire W, the bonding position of the wire W, and the peripheral portion thereof can be resin-sealed and can be protected.

【0059】次いで、図5の仮想線に示すように、複数
のハンダボール5’を基板1の下面側に設けられている
複数の穴14の開口部分にそれぞれ接着させる。ハンダ
ボール5’の接着は、たとえば適当な接着剤を用いて行
えばよい。なお、上記複数の穴14の上方には、基板1
の導電配線部10が位置している。上記複数のハンダボ
ール5’の接着作業が終了した後には、その半導体装置
中間品を加熱炉内に搬入することによって上記複数のハ
ンダボール5’を一旦溶融させてから再硬化させる。こ
のようなハンダボール5’の加熱作業およびその硬化作
業は、基板1のハンダボール5’の接着面を下向きにし
たまま行うことが可能である。
Next, as shown by phantom lines in FIG. 5, a plurality of solder balls 5 ′ are respectively bonded to the openings of the plurality of holes 14 provided on the lower surface side of the substrate 1. The solder balls 5 'may be bonded using, for example, a suitable adhesive. The substrate 1 is provided above the plurality of holes 14.
Is located. After the bonding of the plurality of solder balls 5 ′ is completed, the plurality of solder balls 5 ′ are once melted and then hardened by carrying the semiconductor device intermediate product into a heating furnace. Such a heating operation and a curing operation of the solder balls 5 ′ can be performed with the bonding surface of the solder balls 5 ′ of the substrate 1 facing downward.

【0060】上記作業を行うと、図6に示すように、上
記複数のハンダボール5’によって複数の突起状の端子
5が形成されることとなる。これらの端子5は、上記各
ハンダボール5’が加熱溶融したときにその一部が上記
各穴14内に流入することによって、その上部が基板1
の導電配線部10に導通している。また、その全体の形
状は、ハンダの表面張力によって略ボール状に固まった
形状となっており、その下端先端部は第1の半導体チッ
プ2Aの下面よりも適当な寸法L1だけ下方へ突出して
いる。このような端子5の形成作業が終了した後には、
長尺状の基板1を上記端子5の両側方の適当な位置N
3,N3において切断する。これにより、長尺状の基板
1から個々の半導体装置Bを順次切断分離し、多数の半
導体装置Bを連続して製造することができる。
By performing the above operation, as shown in FIG. 6, a plurality of projecting terminals 5 are formed by the plurality of solder balls 5 '. When the solder balls 5 ′ are heated and melted, a part of the terminals 5 flows into the holes 14, so that the upper portions of the terminals 5 are connected to the substrate 1.
Are electrically connected to the conductive wiring portion 10. Further, the overall shape is a shape solidified into a substantially ball shape due to the surface tension of the solder, and the lower end tip portion protrudes downward by an appropriate dimension L1 from the lower surface of the first semiconductor chip 2A. . After the operation of forming the terminal 5 is completed,
The elongated substrate 1 is placed at an appropriate position N on both sides of the terminal 5.
3, cut at N3. Thereby, the individual semiconductor devices B can be sequentially cut and separated from the long substrate 1, and a large number of semiconductor devices B can be manufactured continuously.

【0061】上記半導体装置Bを、たとえば所望の回路
基板に実装して用いる場合には、ハンダリフロー法によ
る面実装が簡単に行えることとなる。すなわち、上記半
導体装置Bの複数の端子5は、ハンダ製であるため、こ
の半導体装置Bを所望の回路基板上に載置した後に、こ
の回路基板を加熱炉内に搬入して上記端子5を加熱溶融
させると、この端子5が回路基板上の端子と適切に導通
接続することとなり、半導体装置Bの面実装作業が簡単
かつ確実に行えることとなる。
When the semiconductor device B is mounted on a desired circuit board, for example, the surface mounting can be easily performed by the solder reflow method. That is, since the plurality of terminals 5 of the semiconductor device B are made of solder, after mounting the semiconductor device B on a desired circuit board, the circuit board is loaded into a heating furnace and the terminals 5 are connected. When heated and melted, the terminals 5 are appropriately electrically connected to the terminals on the circuit board, and the surface mounting operation of the semiconductor device B can be performed simply and reliably.

【0062】図7は、本願発明に係る半導体チップの実
装構造を有する半導体装置中間品の他の例を示す要部断
面図である。なお、図7以降の各図においては、先の実
施形態と同一部分は、同一符号で示し、その詳細な説明
は省略する。
FIG. 7 is a sectional view of a main part showing another example of a semiconductor device intermediate product having a semiconductor chip mounting structure according to the present invention. In the drawings after FIG. 7, the same parts as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and the detailed description thereof will be omitted.

【0063】同図に示す半導体装置中間品Aaは、第1
の半導体チップ2Cと第2の半導体チップ2Dとが、基
板1Aの導電配線部10Aに対してワイヤ接続されてお
らず、いわゆるタブ方式によって接続されている。より
具体的には、第2の半導体チップ2Dは、その主面20
Dが下向きとなる姿勢に設定された上で、接着剤層31
を介して上記基板1Aの補助片部13の上面に接着され
ている。上記主面20Dに設けられた複数の端子22A
は、下向きに突出したバンプ状の端子である。これに対
し、第1の半導体チップ2Cは、接着剤層30を介して
上記補助片部13の下面に接着されており、その上向き
状の主面20Cに、バンプ状の第1端子23と第2端子
24とをそれぞれ複数有している。上記第1端子23は
第2の半導体チップ2Dの端子22Aと導通接続されて
おり、また上記第2端子24は、基板1Aのタブ状の端
子15に導通接続されている。上記タブ状の端子15
は、基板1Aの表面に設けられた導電配線部10Aに繋
がった比較的厚肉でかつ硬質の銅などの導電部材を、開
口孔12の内側方向へ片もち梁状に突出させて構成され
たものである。上記タブ状の端子15と第2端子24と
の導通接続、および第1端子23と端子22Aとの導通
接続は、それらの端子間に異方性導電フィルム、あるい
は異方性導電接着剤を介在させてから、その接続対象部
分を加熱しつつそれらの端子どうしを互いに加圧接触さ
せることによって簡単に行うことができる。なお、異方
性導電接着剤または異方性導電フィルムとは、絶縁材料
の内部に導電性を有する粒子を拡散させた接着剤または
フィルムであって、バンプ状の端子などによって圧力が
加えられた部分間のみに導電性をもたせることができる
ように構成されたものである。
The semiconductor device intermediate product Aa shown in FIG.
The semiconductor chip 2C and the second semiconductor chip 2D are not wire-connected to the conductive wiring portion 10A of the substrate 1A, but are connected by a so-called tab method. More specifically, the second semiconductor chip 2D is
The adhesive layer 31 is set after D is set to a downward position.
Is adhered to the upper surface of the auxiliary piece portion 13 of the substrate 1A via the. A plurality of terminals 22A provided on the main surface 20D
Are bump-shaped terminals protruding downward. On the other hand, the first semiconductor chip 2C is adhered to the lower surface of the auxiliary piece portion 13 via the adhesive layer 30, and the bump-like first terminal 23 and the first terminal 23 are connected to the upward main surface 20C. And two terminals 24. The first terminal 23 is conductively connected to the terminal 22A of the second semiconductor chip 2D, and the second terminal 24 is conductively connected to the tab-like terminal 15 of the substrate 1A. Tab-shaped terminal 15
Is formed by projecting a relatively thick and hard conductive member such as copper, which is connected to the conductive wiring portion 10A provided on the surface of the substrate 1A, in a cantilever beam shape toward the inside of the opening hole 12. Things. The conductive connection between the tab-shaped terminal 15 and the second terminal 24 and the conductive connection between the first terminal 23 and the terminal 22A are performed by interposing an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive adhesive between the terminals. After that, the connection can be easily performed by bringing the terminals into pressure contact with each other while heating the portion to be connected. Note that an anisotropic conductive adhesive or an anisotropic conductive film is an adhesive or a film in which conductive particles are diffused inside an insulating material, and pressure is applied by a bump-shaped terminal or the like. The configuration is such that conductivity can be provided only between the parts.

【0064】上記構成の半導体装置中間品Aaでは、第
1の半導体チップ2Cが第2端子24を介して基板1A
に接続されているのに加え、第2の半導体チップ2Dに
ついては、端子22A、第1端子23、第1の半導体チ
ップ2Cの内部の配線部、および第2端子24を介して
タブ状の端子15に対して電気的に接続されている。本
願発明は、先の図1および図2に示した実施形態から理
解されるように、半導体チップへのワイヤ接続を簡易に
できるという好ましい効果が得られるが、本願発明に係
る半導体チップの実装構造では、必ずしも半導体チップ
をワイヤ接続する必要はなく、上記半導体中間品Aaの
ようにワイヤを用いることなく、半導体チップを基板の
所定位置に導電接続してもよい。なお、上記半導体装置
中間品Aaのように、第1の半導体チップ2Cと第2の
半導体チップ2Dとを互いに電気的に接続すれば、一方
の第1の半導体チップ2Cのみを基板1Aに対して電気
的に接続すればよいこととなって、2つの半導体チップ
2C,2Dの双方を基板1Aに対して直接接続する必要
がなくなるため、基板1Aに対して半導体チップを電気
的に接続する作業を集約して効率良く行うことが可能と
なる。
In the semiconductor device intermediate product Aa having the above structure, the first semiconductor chip 2C is connected to the substrate 1A via the second terminal 24.
Of the second semiconductor chip 2D, a terminal 22A, a first terminal 23, a wiring portion inside the first semiconductor chip 2C, and a tab-shaped terminal via the second terminal 24. 15 are electrically connected. As understood from the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, the present invention has a preferable effect that wire connection to a semiconductor chip can be simplified, but the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention is obtained. In this case, it is not always necessary to connect the semiconductor chip with a wire, and the semiconductor chip may be conductively connected to a predetermined position on the substrate without using a wire as in the semiconductor intermediate product Aa. When the first semiconductor chip 2C and the second semiconductor chip 2D are electrically connected to each other as in the case of the semiconductor device intermediate product Aa, only one of the first semiconductor chips 2C is connected to the substrate 1A. Since it is only necessary to electrically connect the two semiconductor chips 2C and 2D to the substrate 1A, there is no need to directly connect the semiconductor chips to the substrate 1A. It is possible to collectively perform the operations efficiently.

【0065】図8は、本願発明に係る半導体チップの実
装構造の他の例を示す分解斜視図である。
FIG. 8 is an exploded perspective view showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【0066】同図に示す構成では、フィルム状の基板1
Bに、平面視略H状の開口形状を有する開口孔12Aを
設けることにより、上記基板1Bには、その開口孔12
の周縁部の一部分からこの開口孔12Aの内側方向へ延
びる一対の補助片部13A,13Aを形成している。こ
れら一対の補助片部13A,13Aは、先の図3に示さ
れた補助片部13をその長手方向中間部分において2つ
の領域に分断したのと同様な構成となっている。
In the configuration shown in FIG.
B is provided with an opening hole 12A having a substantially H-shaped opening shape in plan view, so that the substrate 1B has the opening hole 12A.
A pair of auxiliary pieces 13A, 13A extending from a part of the peripheral edge of the opening 12A toward the inside of the opening 12A are formed. The pair of auxiliary pieces 13A, 13A have the same configuration as that of the auxiliary piece 13 shown in FIG. 3 which is divided into two regions at the middle portion in the longitudinal direction.

【0067】上記基板1Bに第1の半導体チップ2Aや
第2の半導体チップ2Bを実装する場合には、上記補助
片部13A,13Aをその上下から挟み付けるように、
上記補助片部13A,13Aの下面および上面に対して
第1の半導体チップ2Aと第2の半導体チップ2Bとを
それぞれ接着することができる。したがって、上記基板
1Bを用いた場合にも、先の図1および図2に示した実
施形態と同様に、2つの半導体チップ2A,2Bのそれ
ぞれを基板に対して確実かつ強固に接着することができ
る。上記補助片部13A,13Aを形成する開口孔12
Aは、たとえば平面視H状の打ち抜き刃を有する工具を
用いるなどして、やはり打ち抜きプレス加工などの作業
工程によって基板1Bに容易に形成することが可能であ
る。このように、本願発明でいう補助片部の具体的な形
成方法や形状などは限定されるものではない。むろん、
上記一対の補助片部13A,13Aのうち、一方を除去
するなどして、開口孔12A内に一つの補助片部13A
のみが突出した状態に設けられるようにしてもよく、補
助片部の具体的な数も問わない。
When the first semiconductor chip 2A or the second semiconductor chip 2B is mounted on the substrate 1B, the auxiliary pieces 13A, 13A are sandwiched from above and below.
The first semiconductor chip 2A and the second semiconductor chip 2B can be bonded to the lower and upper surfaces of the auxiliary pieces 13A, 13A, respectively. Therefore, even when the substrate 1B is used, the two semiconductor chips 2A and 2B can be securely and firmly adhered to the substrate similarly to the embodiment shown in FIGS. it can. Opening holes 12 forming the auxiliary pieces 13A, 13A
A can be easily formed on the substrate 1B by a working process such as punching press working, for example, by using a tool having an H-shaped punching blade in plan view. As described above, the specific method and shape of the auxiliary piece referred to in the present invention are not limited. Of course,
By removing one of the pair of auxiliary pieces 13A, 13A, one auxiliary piece 13A is inserted into the opening 12A.
Only the auxiliary pieces may be provided in a protruding state, and the specific number of the auxiliary pieces is not limited.

【0068】図9は、本願発明に係る半導体チップの実
装構造に用いられる基板の他の例を示す要部斜視図であ
る。図10は、図9に示す基板を用いて構成された半導
体チップの実装構造の一例を示す要部断面図である。
FIG. 9 is a perspective view of an essential part showing another example of the substrate used for the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view of a main part showing an example of a mounting structure of a semiconductor chip configured using the substrate shown in FIG.

【0069】図9に示す基板1Cは、たとえば平面視略
矩形状の開口孔12Cを複数箇所設けたものであり、こ
の基板1Cには、先の各実施形態で設けられていた補助
片部13または補助片部13Aに相当する手段は設けら
れていない。図10に示す半導体チップの実装構造で
は、上記基板1Cの開口孔12Cの周縁部をその上下か
ら挟み付けるように、この開口孔12Cの周縁部の下面
に第1の半導体チップ2Eを接着剤層30Cを介して接
着するとともに、上記周縁部の上面に第2の半導体チッ
プ2Fを接着剤層31Cを介して接着している。このよ
うに、本願発明では、先に説明した補助片部に相当する
手段を基板に設けない場合であっても、2つの半導体チ
ップ2E,2Fによって基板1Cの一部を挟み付けるよ
うにしてそれら2つの半導体チップ2E,2Fの基板1
Cに対する接着を確実に行うことが可能である。なお、
図10に示す構造では、第1の半導体チップ2Eと第2
の半導体チップ2Fとがバンプ状の端子23,22Aを
介して互いに接続されているとともに、第2の半導体チ
ップ2Fが他のバンプ状の端子24Cを介して基板1C
の所定位置に接続されており、上記2つの半導体チップ
2E,2Fのそれぞれはワイヤボンディング手段を用い
ることなく、基板1Cの所定位置との電気的接続が図ら
れている。上記接着剤層31Cをたとえば異方性導電性
接着剤を用いた構成とすれば、第2の半導体チップ2F
を基板1Cに接着する作業と、端子24Cを基板1Cの
所定位置に導通接続する作業とが同時に行えることとな
る。
The substrate 1C shown in FIG. 9 has, for example, a plurality of openings 12C each having a substantially rectangular shape in plan view. The substrate 1C has the auxiliary piece 13 provided in each of the above embodiments. Alternatively, no means corresponding to the auxiliary piece 13A is provided. In the semiconductor chip mounting structure shown in FIG. 10, the first semiconductor chip 2E is attached to the lower surface of the periphery of the opening 12C by an adhesive layer so as to sandwich the periphery of the opening 12C of the substrate 1C from above and below. 30C, and the second semiconductor chip 2F is adhered to the upper surface of the peripheral portion via an adhesive layer 31C. As described above, in the present invention, even when the means corresponding to the above-described auxiliary piece is not provided on the substrate, the two semiconductor chips 2E and 2F sandwich a part of the substrate 1C so as to sandwich them. Substrate 1 of two semiconductor chips 2E and 2F
Adhesion to C can be performed reliably. In addition,
In the structure shown in FIG. 10, the first semiconductor chip 2E and the second
Is connected to each other via bump-shaped terminals 23 and 22A, and the second semiconductor chip 2F is connected to the substrate 1C via other bump-shaped terminals 24C.
The two semiconductor chips 2E and 2F are electrically connected to predetermined positions of the substrate 1C without using wire bonding means. If the adhesive layer 31C has a configuration using an anisotropic conductive adhesive, for example, the second semiconductor chip 2F
The operation of bonding the terminal 24C to the substrate 1C and the operation of electrically connecting the terminal 24C to a predetermined position of the substrate 1C can be performed simultaneously.

【0070】図11は、本願発明に係る半導体チップの
実装構造の他の例を示す要部断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of a principal part showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【0071】図11に示す構造では、基板1Cの開口孔
12Cの外周縁の下面に第1の半導体チップ2Gが接着
剤層32を介して接着されており、この第1の半導体チ
ップ2Gの端子21は上記開口孔12Cに対面してい
る。一方、第2の半導体チップ2Hは、その主面20H
が上向きとされて、その下面部が上記第1の半導体チッ
プ2Gの主面20Hに接着剤層33を介して接着されて
いる。上記2つの半導体チップ2G,2Hの複数の端子
21,22は、ワイヤWを介して基板1Cの上面の所定
位置に導通接続されている。この図11に示す構造で
は、第2の半導体チップ2Hは、基板1Cに対して直接
的には接着されていない構造となっているが、この第2
の半導体チップ2Hは、基板1Cに対して適切に接着さ
れた第1の半導体チップ2Gに接着されていることによ
り、上記基板1Cに対して適切に位置決め固定された状
態に実装されている。
In the structure shown in FIG. 11, a first semiconductor chip 2G is bonded to the lower surface of the outer peripheral edge of the opening 12C of the substrate 1C via an adhesive layer 32, and the terminal of the first semiconductor chip 2G is Reference numeral 21 faces the opening 12C. On the other hand, the second semiconductor chip 2H has a main surface 20H.
And the lower surface thereof is bonded to the main surface 20H of the first semiconductor chip 2G via an adhesive layer 33. The plurality of terminals 21 and 22 of the two semiconductor chips 2G and 2H are conductively connected to predetermined positions on the upper surface of the substrate 1C via wires W. In the structure shown in FIG. 11, the second semiconductor chip 2H has a structure that is not directly bonded to the substrate 1C.
The semiconductor chip 2H is mounted in a state where it is appropriately positioned and fixed to the substrate 1C by being bonded to the first semiconductor chip 2G appropriately bonded to the substrate 1C.

【0072】このように、本願発明では、必ずしも2つ
の半導体チップのそれぞれを基板に直接実装する必要は
なく、いずれか一方の半導体チップを基板に実装した上
で、他方の半導体チップをその一方の半導体チップに接
合した構造としてもよい。
As described above, in the present invention, it is not always necessary to mount each of the two semiconductor chips directly on the substrate, and after mounting one of the semiconductor chips on the substrate, the other semiconductor chip is mounted on one of the substrates. It may have a structure bonded to a semiconductor chip.

【0073】図12および図13は、本願発明に係る半
導体チップの実装構造の他の例をそれぞれ示す要部断面
図である。
FIGS. 12 and 13 are cross-sectional views of essential parts showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【0074】これらの図に示す構造は、本願発明の第2
の側面によって提供される半導体チップの実装構造の一
例に相当する構造である。すなわち、図12に示す構造
は、第1の半導体チップ2Pを基板1Dの下面に対して
接着剤層34を介して接着しているものの、この第1の
半導体チップ2Pの端子23aは、基板1Dの貫通孔状
の開口孔12Dに対向していない構造となっている。こ
れに対し、上記基板1Dの下面の上記端子23aと対向
する位置には、たとえば基板1Dの上面の導電配線部1
0とスルーホール(図示力)などを介して導通した端子
19が設けられている。一方、第2の半導体チップ2Q
は、上記第1の半導体チップ2Pの上面に接着剤層33
を介して接着されており、上記開口孔12D内に位置し
ている。この第2の半導体チップ2Qの端子22は、ワ
イヤWを介して基板1Dの導電配線部10に導電接続さ
れている。
The structure shown in these figures corresponds to the second embodiment of the present invention.
Is a structure corresponding to an example of a semiconductor chip mounting structure provided by the aspect of (1). That is, in the structure shown in FIG. 12, although the first semiconductor chip 2P is bonded to the lower surface of the substrate 1D via the adhesive layer 34, the terminals 23a of the first semiconductor chip 2P are connected to the substrate 1D. Is not opposed to the through hole 12D. On the other hand, at a position facing the terminal 23a on the lower surface of the substrate 1D, for example, the conductive wiring portion 1 on the upper surface of the substrate 1D is provided.
A terminal 19 is provided which is electrically connected to the terminal 0 via a through hole (illustrating force) or the like. On the other hand, the second semiconductor chip 2Q
Is an adhesive layer 33 on the upper surface of the first semiconductor chip 2P.
And is located in the opening hole 12D. The terminal 22 of the second semiconductor chip 2Q is conductively connected to the conductive wiring section 10 of the substrate 1D via the wire W.

【0075】上記図12に示す構造では、第1の半導体
チップ2Pの端子23aを開口孔12Dに対面させてお
らず、その上面が基板1Dによって覆われているもの
の、上記端子23aについては基板1Dの下面に設けら
れている端子19と適切に導通接続させることができ
る。一方、上記構造では、第1の半導体チップ2Pを基
板1Dの下面側に配置するとともに、第2の半導体チッ
プ2Qを開口孔12D内に配置させているために、これ
ら2つの半導体チップ2P,2Qの実装箇所の全体の厚
みを小さくすることが可能である。
In the structure shown in FIG. 12, the terminals 23a of the first semiconductor chip 2P do not face the opening 12D, and the upper surface thereof is covered by the substrate 1D. Can be appropriately electrically connected to the terminal 19 provided on the lower surface of the. On the other hand, in the above structure, since the first semiconductor chip 2P is arranged on the lower surface side of the substrate 1D and the second semiconductor chip 2Q is arranged in the opening 12D, these two semiconductor chips 2P, 2Q It is possible to reduce the overall thickness of the mounting location.

【0076】このように、本願発明では、基板に設けら
れた貫通孔状の開口孔は、必ずしも第1の半導体チップ
の端子の上方に設けられている必要はなく、第1の半導
体チップの端子を他の所望の部分と電気的に接続するた
めに用いられている必要はない。本願発明においては、
基板に設けられた開口孔が、第2の半導体チップを配置
させるために利用されていてもかまわない。むろん、上
記基板1Dの厚みが大きく、開口孔12Dの深さが大き
くなった場合には、第2の半導体チップ2Qの全体が開
口孔12D内に配置されることとなるが、上記第2の半
導体チップ2Qは開口孔12D内にその全体が配置され
ているか、あるいはその一部分のみが配置されているか
は問わず、本願発明ではいずれであってもかまわない。
As described above, according to the present invention, the through-hole formed in the substrate does not necessarily have to be provided above the terminal of the first semiconductor chip. Need not be used to electrically connect to other desired parts. In the present invention,
The opening provided in the substrate may be used for disposing the second semiconductor chip. Of course, when the thickness of the substrate 1D is large and the depth of the opening 12D is large, the entire second semiconductor chip 2Q is disposed in the opening 12D. Regardless of whether the semiconductor chip 2Q is disposed in its entirety in the opening 12D or only a part thereof, the semiconductor chip 2Q may be any one in the present invention.

【0077】図13に示す構造は、上記図12に示す構
造とは逆に、基板1Eの開口孔12E内に第1の半導体
チップ2Iを配置させており、第2の半導体チップ2J
については、基板1Eの上面に接着剤層33aを介して
接着させている。上記第2の半導体チップ2Jの主面2
0Jは下向きとされ、その第1端子26は基板1Eの所
定位置に導電接続されている。また、第1の半導体チッ
プ2Iと第2の半導体チップ2Jとは接着剤層33bを
介して互いに接着されており、第1の半導体チップ2I
の端子23と第2の半導体チップ2Jの第2端子22A
とは互いに導通接続されている。
The structure shown in FIG. 13 is different from the structure shown in FIG. 12 in that the first semiconductor chip 2I is arranged in the opening 12E of the substrate 1E and the second semiconductor chip 2J
Is bonded to the upper surface of the substrate 1E via an adhesive layer 33a. Main surface 2 of the second semiconductor chip 2J
The first terminal 26 is electrically connected to a predetermined position of the substrate 1E. Further, the first semiconductor chip 2I and the second semiconductor chip 2J are bonded to each other via an adhesive layer 33b, and the first semiconductor chip 2I
Terminal 23 and the second terminal 22A of the second semiconductor chip 2J.
Are electrically connected to each other.

【0078】図13に示す構造においては、第1の半導
体チップ2Iを開口孔12E内に配置させることによっ
て、やはり上記図12に示す構造と同様に、2つの半導
体チップの実装箇所の全体の厚みを小さくすることがで
きる。このように、本願発明では、開口孔内に半導体チ
ップを収容させることによって全体の厚みを小さくする
手段を採用する場合には、上下に重ねられた第1の半導
体チップと第2の半導体チップとのいずれを開口孔内に
配置させてもよい。
In the structure shown in FIG. 13, by arranging the first semiconductor chip 2I in the opening 12E, the overall thickness of the mounting location of the two semiconductor chips is also increased, similarly to the structure shown in FIG. Can be reduced. As described above, in the present invention, when the means for reducing the overall thickness by accommodating the semiconductor chip in the opening hole is employed, the first semiconductor chip and the second semiconductor chip which are vertically stacked are used. May be arranged in the opening.

【0079】図14および図15は、本願発明に係る半
導体チップの実装構造の他の例をそれぞれ示す要部断面
図である。
FIGS. 14 and 15 are cross-sectional views of main parts showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【0080】これらの図に示す構造は、いずれも計3つ
の半導体チップを上下に積み重ねるように実装した構造
となっている。具体的には、図14に示す構造では、先
の図1および図2に示した半導体チップの実装構造にお
いて、その第2の半導体チップ2Bの主面20B上に第
3の半導体チップ2Kをさらに接着し、この第3の半導
体チップ2Kの端子25をワイヤWを介して基板1の導
電配線部10のパッド状の端子に導電接続している。ま
た、図15に示す構造では、第1の半導体チップ2Lを
基板1の補助片部13の下面に接着剤層35を介して接
着するとともに、第2の半導体チップ2Mを上記補助片
部13の上面に接着剤層36を介して接着することによ
って、それらのバンプ状の端子26,26aどうしを互
いに導通接続する一方、上記第2の半導体チップ2Mの
上面には第3の半導体チップ2Nを接着している。この
第3の半導体チップ2Nの端子25aと上記第1の半導
体チップ2Lの端子25bとは、ワイヤWを介して基板
1の導電配線部10のパッド状の端子に導電接続されて
いる。
Each of the structures shown in these figures has a structure in which a total of three semiconductor chips are mounted so as to be vertically stacked. Specifically, in the structure shown in FIG. 14, in the mounting structure of the semiconductor chip shown in FIGS. 1 and 2, a third semiconductor chip 2K is further provided on main surface 20B of second semiconductor chip 2B. The terminals 25 of the third semiconductor chip 2K are electrically connected to the pad-shaped terminals of the conductive wiring portion 10 of the substrate 1 via wires W. In the structure shown in FIG. 15, the first semiconductor chip 2L is bonded to the lower surface of the auxiliary piece 13 of the substrate 1 via the adhesive layer 35, and the second semiconductor chip 2M is attached to the auxiliary piece 13 By bonding the bump-shaped terminals 26 and 26a to each other by bonding to the upper surface via an adhesive layer 36, the third semiconductor chip 2N is bonded to the upper surface of the second semiconductor chip 2M. doing. The terminal 25a of the third semiconductor chip 2N and the terminal 25b of the first semiconductor chip 2L are conductively connected to the pad-like terminal of the conductive wiring portion 10 of the substrate 1 via the wire W.

【0081】上記した各構造によれば、計3つの半導体
チップを上下に積み重ねるように実装しているために、
それらの半導体チップの集積密度を一層高めることが可
能である。また、図14に示す構造から明らかなよう
に、計3つの半導体チップ2A,2B,2Kのそれぞれ
をワイヤWを用いて基板1の所定位置に導電接続する場
合には、ワイヤWの数が一層多くなり、それら多数本の
ワイヤWの配線密度が高くなる。したがって、このよう
な場合には、同図に示すように、基板1上におけるワイ
ヤWのボンディング位置をワイヤWが延びる方向に位置
ずれさせて、各端子21,22,25のそれぞれに一端
が繋がった3種類のワイヤW(W1,W2,W3)が側
面視において互いに交差しないようにすることが好まし
い。
According to each of the above-described structures, a total of three semiconductor chips are mounted so as to be stacked one above the other.
It is possible to further increase the integration density of those semiconductor chips. As is apparent from the structure shown in FIG. 14, when each of the three semiconductor chips 2A, 2B, and 2K is conductively connected to a predetermined position on the substrate 1 using the wire W, the number of the wires W is further increased. As a result, the wiring density of the large number of wires W increases. Therefore, in such a case, as shown in the figure, the bonding position of the wire W on the substrate 1 is shifted in the direction in which the wire W extends, and one end is connected to each of the terminals 21, 22, 25. It is preferable that the three types of wires W (W1, W2, W3) do not cross each other in a side view.

【0082】このように、本願発明では、2つの半導体
チップを上下に重ねて実装する場合に限らず、3つの半
導体チップを上下に重ねて実装する場合にも適用するこ
とができ、さらには4つの半導体チップ、あるいはそれ
以上の個数の半導体チップを上下に積み重ねた状態に実
装する場合にも適用することが可能である。本願発明で
は、要は、少なくとも2以上の半導体チップが上下に重
ねられた構造とされていればよく、その半導体チップの
具体的な数は問わない。また、本願発明では、第1の半
導体チップや第2の半導体チップに加えて、第3の半導
体チップをこれらに重ねて実装する場合に、この第3の
半導体チップを第2の半導体チップの下側に位置する第
1の半導体チップのさらに下面側に配置させるようにし
てもかまわない。
As described above, the present invention can be applied not only to the case where two semiconductor chips are mounted on top of each other but also to the case where three semiconductor chips are mounted on top of each other. The present invention can also be applied to a case where one semiconductor chip or more semiconductor chips are mounted in a vertically stacked state. In the present invention, the point is that at least two or more semiconductor chips may be stacked vertically, and the number of the semiconductor chips is not limited. According to the present invention, when the third semiconductor chip is mounted on the first semiconductor chip and the second semiconductor chip in addition to the first semiconductor chip and the second semiconductor chip, the third semiconductor chip is placed under the second semiconductor chip. It may be arranged further on the lower surface side of the first semiconductor chip located on the side.

【0083】図16は、本願発明に係る半導体チップの
実装構造に適用されるリードフレームの一例を示す要部
平面図である。図17は、図16に示すリードフレーム
を用いて構成された半導体チップの実装構造の一例を示
す要部平面図である。図18は、リードフレームを用い
て製造された半導体装置の一例を示す要部断面図であ
る。
FIG. 16 is a plan view of an essential part showing an example of a lead frame applied to a semiconductor chip mounting structure according to the present invention. FIG. 17 is a plan view of a principal part showing an example of a mounting structure of a semiconductor chip configured using the lead frame shown in FIG. FIG. 18 is a fragmentary cross-sectional view showing one example of a semiconductor device manufactured using a lead frame.

【0084】図16に示すリードフレーム6は、たとえ
ば銅などの金属板に打ち抜きプレス加工を施して形成さ
れた長尺状の部材であり、従来において半導体装置の製
造に用いられているリードフレームと基本的な構成は共
通している。すなわち、このリードフレーム6は、半導
体チップを搭載させるためのダイパッド60をその長手
方向に一定間隔で複数箇所形成したものであり、このダ
イパッド60を支持するサポートリード61、上記ダイ
パッド60から離反して設けられた複数本の内部リード
62、およびこれら複数本の内部リード62とタイバー
63介して繋がった複数本の外部リード64を具備して
いる。ただし、このリードフレーム6は、ダイパッド6
0に2つの開口孔12B,12Bを形成しており、これ
ら開口孔12B,12Bの間に補助片部65を形成して
いる。
The lead frame 6 shown in FIG. 16 is a long member formed by punching and pressing a metal plate such as copper, for example, and is similar to a lead frame conventionally used in the manufacture of semiconductor devices. The basic configuration is common. In other words, this lead frame 6 is formed by forming a plurality of die pads 60 for mounting a semiconductor chip at regular intervals in the longitudinal direction thereof, and supporting leads 61 supporting the die pads 60 and separating from the die pads 60. There are provided a plurality of internal leads 62 provided and a plurality of external leads 64 connected to the plurality of internal leads 62 via tie bars 63. However, this lead frame 6 is a die pad 6
0, two opening holes 12B, 12B are formed, and an auxiliary piece 65 is formed between these opening holes 12B, 12B.

【0085】図17に示す半導体チップの実装構造で
は、上記リードフレーム6の補助片部65をその上下か
ら挟み付けるように、第1の半導体チップ2Aと第2の
半導体チップ2Bとを上記補助片部65の下面と上面と
のそれぞれに接着している。ただし、第1の半導体チッ
プ2Aの上向きの主面に設けられている複数の端子21
は、開口孔12Bの下部または下方に位置し、その上方
が開放状態にある。したがって、第1の半導体チップ2
Aについては、その端子21をワイヤWを介して内部リ
ード62に適切に接続することができる。むろん、第2
の半導体チップ2Bの主面に設けられている複数の端子
22も、ワイヤWを介して内部リード62に接続するこ
とができる。
In the semiconductor chip mounting structure shown in FIG. 17, the first semiconductor chip 2A and the second semiconductor chip 2B are connected to the auxiliary piece 65 so as to sandwich the auxiliary piece 65 of the lead frame 6 from above and below. The lower surface and the upper surface of the portion 65 are bonded to each other. However, the plurality of terminals 21 provided on the upward main surface of the first semiconductor chip 2A
Is located below or below the opening 12B, and above it is open. Therefore, the first semiconductor chip 2
Regarding A, the terminal 21 can be appropriately connected to the internal lead 62 via the wire W. Of course, second
A plurality of terminals 22 provided on the main surface of the semiconductor chip 2B can also be connected to the internal leads 62 via the wires W.

【0086】図18に示す半導体装置Baは、上記図1
7に示した構造の2つの半導体チップ2A,2Bやその
周辺部分をモールド樹脂4aによって覆う樹脂パッケー
ジ作業を行った後に、リードフレーム6のフォーミング
加工を施すことによって得られる。このような樹脂パッ
ケージ作業やリードフレームのフォーミング加工作業
は、従来のリードフレームを用いた半導体装置の製造工
程における加工作業と同様であり、その詳細な説明は便
宜上省略するが、上記モールド樹脂4aによって半導体
チップ2A,2Bの主面や、ワイヤWなどの導電配線部
分が適切に保護される。また、外部リード64が半導体
装置Baのハンダ付け用の端子としての役割を果たし、
所望の部位への面実装などを適切に行うことができる。
The semiconductor device Ba shown in FIG.
7 is obtained by performing a resin package operation of covering the two semiconductor chips 2A and 2B having the structure shown in FIG. 7 and a peripheral portion thereof with the mold resin 4a, and then forming the lead frame 6. Such a resin package operation and a forming operation of a lead frame are the same as those in a manufacturing process of a semiconductor device using a conventional lead frame, and a detailed description thereof will be omitted for convenience. The main surfaces of the semiconductor chips 2A and 2B and the conductive wiring portions such as the wires W are appropriately protected. Further, the external lead 64 serves as a terminal for soldering the semiconductor device Ba,
Surface mounting on a desired part can be appropriately performed.

【0087】このように、本願発明では、複数の半導体
チップが実装される支持部材としては、合成樹脂製の薄
肉のフィルム状の基板を用いる場合に限らず、金属製の
リードフレームを用いてもかまわない。さらに、本願発
明では、リードフレームに代えて、たとえば表面に導電
配線部を形成したセラミック製の板状の基板、あるいは
エポキシ樹脂などの合成樹脂製の板状の基板などを支持
部材として用いてもかまわない。本願発明にいう支持部
材の具体的な種類などは限定されるものではない。
As described above, in the present invention, the support member on which a plurality of semiconductor chips are mounted is not limited to the case where a thin film substrate made of a synthetic resin is used, and a case where a metal lead frame is used. I don't care. Furthermore, in the present invention, instead of the lead frame, for example, a ceramic plate-like substrate having a conductive wiring portion formed on the surface, or a synthetic resin plate-like substrate such as an epoxy resin may be used as the support member. I don't care. The specific type of the support member referred to in the present invention is not limited.

【0088】本願発明は、上述した各実施形態の内容に
限定されるものではない。本願発明でいう半導体チップ
の具体的な種類も勿論問わず、たとえば強誘電体メモリ
(ferroelectrics-RAM)などの各種のメモリ素子をはじ
めとして、その他の種々のICチップやLSIチップな
どの半導体チップを適用することができる。
The present invention is not limited to the contents of the above embodiments. Regardless of the specific type of the semiconductor chip referred to in the present invention, semiconductor chips such as various memory elements such as ferroelectric memories (ferroelectrics-RAM) and various other IC chips and LSI chips can be used. Can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明に係る半導体チップの実装構造を有す
る半導体装置中間品の一例を示す要部斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of an essential part showing an example of a semiconductor device intermediate product having a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図2】図1のII−II拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the line II-II of FIG.

【図3】図1および図2に示す半導体装置中間品を製造
する工程を示す要部斜視図である。
3 is a perspective view of relevant parts showing a step of manufacturing the intermediate semiconductor device product shown in FIGS. 1 and 2. FIG.

【図4】図1および図2に示す半導体装置中間品を製造
する工程を示す要部斜視図である。
FIG. 4 is an essential part perspective view showing a step of manufacturing the semiconductor device intermediate product shown in FIGS. 1 and 2;

【図5】図1および図2に示す半導体装置中間品から半
導体装置を製造する作業工程を示す要部断面図である。
5 is a fragmentary cross-sectional view showing an operation step of manufacturing a semiconductor device from the semiconductor device intermediate product shown in FIGS. 1 and 2;

【図6】図1および図2に示す半導体装置中間品から製
造された半導体装置の構成の一例を示す要部断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a principal part showing an example of the configuration of a semiconductor device manufactured from the semiconductor device intermediate product shown in FIGS. 1 and 2;

【図7】本願発明に係る半導体チップの実装構造を有す
る半導体装置中間品の他の例を示す要部断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a main part showing another example of a semiconductor device intermediate product having a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図8】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他の
例を示す分解斜視図である。
FIG. 8 is an exploded perspective view showing another example of a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図9】本願発明に係る半導体チップの実装構造に用い
られる基板の他の例を示す要部斜視図である。
FIG. 9 is a main part perspective view showing another example of the substrate used for the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【図10】図9に示す基板を用いて構成された半導体チ
ップの実装構造の一例を示す要部断面図である。
10 is a fragmentary cross-sectional view showing one example of a mounting structure of a semiconductor chip configured using the substrate shown in FIG. 9;

【図11】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他
の例を示す要部断面図である。
FIG. 11 is a fragmentary cross-sectional view showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【図12】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他
の例を示す要部断面図である。
FIG. 12 is a fragmentary cross-sectional view showing another example of a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図13】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他
の例を示す要部断面図である。
FIG. 13 is a fragmentary cross-sectional view showing another example of the mounting structure of the semiconductor chip according to the present invention.

【図14】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他
の例を示す要部断面図である。
FIG. 14 is a fragmentary cross-sectional view showing another example of a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図15】本願発明に係る半導体チップの実装構造の他
の例を示す要部断面図である。
FIG. 15 is a fragmentary cross-sectional view showing another example of a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図16】本願発明に係る半導体チップの実装構造に適
用されるリードフレームの一例を示す要部平面図であ
る。
FIG. 16 is a plan view of a principal part showing an example of a lead frame applied to a semiconductor chip mounting structure according to the present invention.

【図17】図16に示すリードフレームを用いて構成さ
れた半導体チップの実装構造の一例を示す要部平面図で
ある。
17 is a plan view of a principal part showing an example of a mounting structure of a semiconductor chip configured by using the lead frame shown in FIG. 16;

【図18】リードフレームを用いて製造された半導体装
置の一例を示す要部断面図である。
FIG. 18 is a fragmentary cross-sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using a lead frame.

【図19】従来の半導体チップの実装構造の一例を示す
要部断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view of a principal part showing an example of a conventional semiconductor chip mounting structure.

【図20】従来の半導体チップの実装構造の他の例を示
す要部断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view of a principal part showing another example of a conventional semiconductor chip mounting structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A〜1C 基板(支持部材) 2A,2C,2E,2G,2I,2L,2P 第1の半
導体チップ 2B,2D,2F,2H,2J,2M,2Q 第2の半
導体チップ 2K,2N 第3の半導体チップ 6 リードフレーム(支持部材) 10,10A 導電配線部 12,12A〜12C 開口孔 13,13A 補助片部 15 端子 20A,20B 主面 21 端子 22,22A 端子 23 端子 25 端子 26,26a 端子 65 補助片部 W ワイヤ A,Aa 半導体装置中間品 B,Ba 半導体装置
1, 1A-1C Substrate (supporting member) 2A, 2C, 2E, 2G, 2I, 2L, 2P First semiconductor chip 2B, 2D, 2F, 2H, 2J, 2M, 2Q Second semiconductor chip 2K, 2N 3 semiconductor chip 6 lead frame (supporting member) 10, 10A conductive wiring portion 12, 12A to 12C opening hole 13, 13A auxiliary piece portion 15 terminal 20A, 20B main surface 21 terminal 22, 22A terminal 23 terminal 25 terminal 26, 26a Terminal 65 Auxiliary piece W Wire A, Aa Intermediate semiconductor device B, Ba Semiconductor device

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 端子を備えた主面をそれぞれ有する第1
の半導体チップおよび第2の半導体チップが、その第1
の半導体チップの上に第2の半導体チップを重ねた状態
で所望の支持部材に実装されている、半導体チップの実
装構造であって、 上記第1の半導体チップは、その主面が上向きとされて
上記支持部材の下面側に配置されており、かつ、 上記支持部材には、上記第1の半導体チップの端子の上
方がこの支持部材によって覆われないようにこの支持部
材の厚み方向に貫通した開口孔が設けられていることを
特徴とする、半導体チップの実装構造。
A first surface having a main surface with a terminal;
Of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip
A semiconductor chip mounting structure in which a second semiconductor chip is mounted on a desired support member in a state where the second semiconductor chip is stacked on the semiconductor chip, wherein the first semiconductor chip has a main surface facing upward. And is disposed on the lower surface side of the support member, and the support member penetrates in the thickness direction of the support member so that the upper part of the terminal of the first semiconductor chip is not covered by the support member. A mounting structure for a semiconductor chip, wherein an opening is provided.
【請求項2】 上記支持部材は、薄肉の合成樹脂製フィ
ルムに導電配線部を形成しているフィルム状の基板、金
属製のリードフレーム、または表面に導電配線部を形成
している板状の基板である、請求項1に記載の半導体チ
ップの実装構造。
2. The support member may be a film-shaped substrate having a conductive wiring portion formed on a thin synthetic resin film, a metal lead frame, or a plate having a conductive wiring portion formed on the surface. The mounting structure of the semiconductor chip according to claim 1, which is a substrate.
【請求項3】 上記支持部材には、上記開口孔が間隔を
隔てて複数設けられていることにより、これら複数の開
口孔どうしの間を仕切る補助片部が形成されており、か
つ、 上記第1の半導体チップと第2の半導体チップとは、上
記補助片部をその上下から挟むようにしてこの補助片部
の下面と上面とにそれぞれ接着されている、請求項1ま
たは2に記載の半導体チップの実装構造。
3. The supporting member is provided with a plurality of the opening holes at an interval, so that an auxiliary piece portion for partitioning between the plurality of opening holes is formed, and 3. The semiconductor chip according to claim 1, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are bonded to a lower surface and an upper surface of the auxiliary piece so as to sandwich the auxiliary piece from above and below. Mounting structure.
【請求項4】 上記支持部材には、上記開口孔の周縁部
の一部分からこの開口孔の内側方向へ延びる補助片部が
形成されており、かつ、 上記第1の半導体チップと第2の半導体チップとは、上
記補助片部をその上下から挟むようにしてこの補助片部
の下面と上面とにそれぞれ接着されている、請求項1ま
たは2に記載の半導体チップの実装構造。
4. The support member is formed with an auxiliary piece extending from a part of a peripheral edge of the opening to an inside of the opening, and the first semiconductor chip and the second semiconductor are formed. 3. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein the chip is bonded to a lower surface and an upper surface of the auxiliary piece so as to sandwich the auxiliary piece from above and below.
【請求項5】 上記第2の半導体チップは、上記第1の
半導体チップの端子の上方を覆わない箇所に配置されて
いるとともに、その主面が上向きとされており、この第
2の半導体チップと上記第1の半導体チップとのそれぞ
れの端子は、上記支持部材の上面に設けられている端子
とワイヤ接続されている、請求項1ないし4のいずれか
に記載の半導体チップの実装構造。
5. The second semiconductor chip is arranged at a position not covering the terminals of the first semiconductor chip and has a main surface facing upward. The mounting structure of a semiconductor chip according to claim 1, wherein each terminal of the semiconductor chip and the first semiconductor chip is wire-connected to a terminal provided on an upper surface of the support member.
【請求項6】 上記第2の半導体チップは、その主面が
下向きにされて上記第1の半導体チップと電気的に接続
されており、かつこれら第1の半導体チップと第2の半
導体チップとのいずれか一方が、上記支持部材に設けら
れている端子と電気的に接続されている、請求項1ない
し4のいずれかに記載の半導体チップの実装構造。
6. The second semiconductor chip is electrically connected to the first semiconductor chip with its main surface facing down, and the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are connected to each other. 5. The semiconductor chip mounting structure according to claim 1, wherein any one of the semiconductor chips is electrically connected to a terminal provided on the support member. 6.
【請求項7】 上記支持部材の端子は、上記支持部材の
開口孔の縁部からこの開口孔の内側方向に突出するタブ
状の端子であり、かつ上記第1の半導体チップと第2の
半導体チップとのいずれか一方には、上記タブ状の端子
に電気的に導通して接続される端子が設けられている、
請求項6に記載の半導体チップの実装構造。
7. The terminal of the support member is a tab-shaped terminal projecting inward from the edge of the opening of the support member, and the first semiconductor chip and the second semiconductor. One of the chips is provided with a terminal that is electrically conductively connected to the tab-shaped terminal.
A mounting structure of the semiconductor chip according to claim 6.
【請求項8】 上記第1の半導体チップと第2の半導体
チップとは、上記開口孔の外周縁をその上下から挟むよ
うにしてその外周縁の下面と上面とにそれぞれ接着され
ている、請求項1または2に記載の半導体チップの実装
構造。
8. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are bonded to a lower surface and an upper surface of the outer periphery of the opening so as to sandwich the outer periphery of the opening from above and below. Or the mounting structure of the semiconductor chip of 2.
【請求項9】 上記第1の半導体チップと第2の半導体
チップとは互いに接合されており、かつそれらのいずれ
か一方のみが上記支持部材に接着されている、請求項1
または2に記載の半導体チップの実装構造。
9. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip are bonded to each other, and only one of them is bonded to the supporting member.
Or the mounting structure of the semiconductor chip of 2.
【請求項10】 上記第2の半導体チップの上には、こ
の第2の半導体チップと上記第1の半導体チップとは別
体の1または複数の他の半導体チップがさらに重ねて設
けられている、請求項1ないし9のいずれかに記載の半
導体チップの実装構造。
10. A second semiconductor chip and one or more other semiconductor chips separate from the first semiconductor chip are further provided on the second semiconductor chip. A mounting structure of the semiconductor chip according to claim 1.
【請求項11】 第1の半導体チップと第2の半導体チ
ップとが互いに重ねられて所望の支持部材に実装されて
いる、半導体チップの実装構造であって、 上記支持部材には、この支持部材の厚み方向に貫通した
開口孔が設けられているとともに、 上記第1の半導体チップと第2の半導体チップとのいず
れか一方は、上記開口孔内に配置されていることを特徴
とする、半導体チップの実装構造。
11. A semiconductor chip mounting structure in which a first semiconductor chip and a second semiconductor chip are stacked on each other and mounted on a desired support member, wherein the support member includes A hole provided in the thickness direction of the semiconductor chip, and one of the first semiconductor chip and the second semiconductor chip is disposed in the hole. Chip mounting structure.
【請求項12】 請求項1ないし11のいずれかに記載
の半導体チップの実装構造を有していることを特徴とす
る、半導体装置。
12. A semiconductor device having the mounting structure of the semiconductor chip according to claim 1. Description:
【請求項13】 少なくとも上記複数の半導体チップの
それぞれの主面とその周辺部分とがモールド樹脂によっ
て覆われている、請求項12に記載の半導体装置。
13. The semiconductor device according to claim 12, wherein at least a main surface of each of the plurality of semiconductor chips and a peripheral portion thereof are covered with a mold resin.
【請求項14】 上記支持部材はフィルム状の基板であ
り、かつこの基板の下面部には、上記複数の半導体チッ
プの各端子と電気的に導通するハンダボールからなる突
起状の端子が設けられている、請求項13に記載の半導
体装置。
14. The support member is a film-like substrate, and a lower surface portion of the substrate is provided with a protruding terminal made of a solder ball that is electrically connected to each terminal of the plurality of semiconductor chips. The semiconductor device according to claim 13, wherein:
【請求項15】 第1の半導体チップの上に第2の半導
体チップを重ねた状態にこれら第1の半導体チップと第
2の半導体チップとを所望の支持部材に実装する、半導
体チップの実装方法であって、 上記支持部材には、予めその厚み方向に貫通する開口孔
を形成しておくとともに、 上記第1の半導体チップを上記支持部材に実装するとき
には、この第1の半導体チップの端子を上記開口孔に対
向させまたは上記開口孔内に配置させるようにしてこの
第1の半導体チップを上記支持部材の下面側に配置固定
させることを特徴とする、半導体チップの実装方法。
15. A method for mounting a semiconductor chip, comprising mounting the first semiconductor chip and the second semiconductor chip on a desired support member with the second semiconductor chip stacked on the first semiconductor chip. In the support member, an opening hole that penetrates the support member in the thickness direction is formed in advance, and when the first semiconductor chip is mounted on the support member, terminals of the first semiconductor chip are connected. A method of mounting a semiconductor chip, characterized in that the first semiconductor chip is arranged and fixed on the lower surface side of the support member so as to face the opening or to be arranged in the opening.
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