JPH11111698A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JPH11111698A JPH11111698A JP28907097A JP28907097A JPH11111698A JP H11111698 A JPH11111698 A JP H11111698A JP 28907097 A JP28907097 A JP 28907097A JP 28907097 A JP28907097 A JP 28907097A JP H11111698 A JPH11111698 A JP H11111698A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電極をダミー成膜で無駄に汚す、基板を無駄に
捨てることなく、短時間に残渣を除去することが出来る
基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】成膜槽５１にエッチングガス（ＮＦ3 ガ
ス）を導入しＲＦ電力を供給し成膜槽５１内をガスクリ
ーニングする。ガスクリーニングが終了しクリーニング
ガスの排気を完了した後、工程１）…排気バルブ６１を
閉める。工程２）…成膜槽５１内にＳｉＨ4 ガスを導入
し、成膜槽５１内圧力を所定の圧力まで昇圧する。工程
３）…その後ＳｉＨ4 ガスの導入を停止する。工程４）
…その後排気バルブ６１を開いて排気する。この工程
１）〜工程４）の操作を数回繰り返す。還元性ガスのＳ
ｉＨ4 ガスを成膜槽５１に導入しある程度まで昇圧する
ことで、ガスクリーニング時の残渣とＳｉＨ4 が反応、
結合し、さらにその後の排気で成膜槽５１から排気さ
れ、残渣を除去することが出来る。
捨てることなく、短時間に残渣を除去することが出来る
基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】成膜槽５１にエッチングガス（ＮＦ3 ガ
ス）を導入しＲＦ電力を供給し成膜槽５１内をガスクリ
ーニングする。ガスクリーニングが終了しクリーニング
ガスの排気を完了した後、工程１）…排気バルブ６１を
閉める。工程２）…成膜槽５１内にＳｉＨ4 ガスを導入
し、成膜槽５１内圧力を所定の圧力まで昇圧する。工程
３）…その後ＳｉＨ4 ガスの導入を停止する。工程４）
…その後排気バルブ６１を開いて排気する。この工程
１）〜工程４）の操作を数回繰り返す。還元性ガスのＳ
ｉＨ4 ガスを成膜槽５１に導入しある程度まで昇圧する
ことで、ガスクリーニング時の残渣とＳｉＨ4 が反応、
結合し、さらにその後の排気で成膜槽５１から排気さ
れ、残渣を除去することが出来る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置および
基板処理方法に関し、特に、半導体素子やＬＣＤ（液晶
ディスプレイ素子）などの製造を行う半導体製造装置や
ＬＣＤ製造装置における製造プロセスで、基板処理槽内
のガスクリーニングを行った後の残渣を、短時間に除去
することが出来る基板処理装置及び基板処理方法に関す
るものである。
基板処理方法に関し、特に、半導体素子やＬＣＤ（液晶
ディスプレイ素子）などの製造を行う半導体製造装置や
ＬＣＤ製造装置における製造プロセスで、基板処理槽内
のガスクリーニングを行った後の残渣を、短時間に除去
することが出来る基板処理装置及び基板処理方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、一つの成膜槽で成膜を重ねると
成膜電極に膜が付着し、パーティクルの発生源になった
り、膜質劣化を引き起こしやすくなるため、ガスクリー
ニングを行って電極のメンテナンスを行っている。
成膜電極に膜が付着し、パーティクルの発生源になった
り、膜質劣化を引き起こしやすくなるため、ガスクリー
ニングを行って電極のメンテナンスを行っている。
【０００３】ガスクリーニングを行った後は、クリーニ
ング時に生成されたＦ系残渣が次の成膜時に膜中に取り
込まれ膜質の悪化を引き起こすと言われている。
ング時に生成されたＦ系残渣が次の成膜時に膜中に取り
込まれ膜質の悪化を引き起こすと言われている。
【０００４】そこでこの残渣を取り除く為、成膜槽に基
板を入れずに成膜処理を行う（以下空デポと言う）又は
製品に使用しない基板を成膜室に入れ成膜処理（以下ダ
ミー成膜と言う）を行って残渣を除去してから、製品基
板に成膜を行って使用している。
板を入れずに成膜処理を行う（以下空デポと言う）又は
製品に使用しない基板を成膜室に入れ成膜処理（以下ダ
ミー成膜と言う）を行って残渣を除去してから、製品基
板に成膜を行って使用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダミー成膜または空デ
ポを行えば、製品基板に成膜を行っていないので、折角
ガスクリーニングした電極を無駄に汚すことになり、ク
リーニングの効果が最大に生かせない。更にダミー成膜
を行うにはそれに使用する基板を投入しなければなら
ず、そのために捨てる基板を用意しなくてはならない
し、そのためにラインを止めることになると生産性が悪
い。
ポを行えば、製品基板に成膜を行っていないので、折角
ガスクリーニングした電極を無駄に汚すことになり、ク
リーニングの効果が最大に生かせない。更にダミー成膜
を行うにはそれに使用する基板を投入しなければなら
ず、そのために捨てる基板を用意しなくてはならない
し、そのためにラインを止めることになると生産性が悪
い。
【０００６】本発明の目的は、従来のガスクリーニング
した電極をダミー成膜で無駄に汚す、基板を無駄に捨て
ると言う問題点を解決し、短時間に残渣を除去すること
が出来る基板処理装置および基板処理方法を提供するこ
とにある。
した電極をダミー成膜で無駄に汚す、基板を無駄に捨て
ると言う問題点を解決し、短時間に残渣を除去すること
が出来る基板処理装置および基板処理方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、処理
槽内のガスクリーニングを行った後、還元性ガスを用い
て前記処理槽内を回分パージする機能を有することを特
徴とする基板処理装置が提供される。
槽内のガスクリーニングを行った後、還元性ガスを用い
て前記処理槽内を回分パージする機能を有することを特
徴とする基板処理装置が提供される。
【０００８】請求項２によれば、前記還元性ガスとして
シラン系ガスを使用することを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置が提供される。
シラン系ガスを使用することを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置が提供される。
【０００９】請求項３によれば、処理槽内のガスクリー
ニングを行った後、還元性ガスを用いて前記処理槽内を
回分パージし、その後基板処理を行うことを特徴とする
基板処理方法が提供される。
ニングを行った後、還元性ガスを用いて前記処理槽内を
回分パージし、その後基板処理を行うことを特徴とする
基板処理方法が提供される。
【００１０】請求項４によれば、前記還元性ガスとして
シラン系ガスを使用することを特徴とする請求項３記載
の基板処理方法が提供される。
シラン系ガスを使用することを特徴とする請求項３記載
の基板処理方法が提供される。
【００１１】このように還元性ガスを用いて処理槽内を
回分パージすれば、ガスクリーニング時の残渣と還元性
ガスが反応、結合し、処理槽から排気されるので、ガス
クリーング時の残渣が除去できる。
回分パージすれば、ガスクリーニング時の残渣と還元性
ガスが反応、結合し、処理槽から排気されるので、ガス
クリーング時の残渣が除去できる。
【００１２】なお、ガスクリーニングにおいては、好ま
しくは、ハロゲン系ガス、特に好ましくはフッ素系ガ
ス、さらに好ましくはＮＦ3 が使用される。
しくは、ハロゲン系ガス、特に好ましくはフッ素系ガ
ス、さらに好ましくはＮＦ3 が使用される。
【００１３】また、本発明が好適に適用される処理とし
ては、成膜が挙げられ、さらに好ましくはプラズマＣＶ
Ｄによる成膜が行われる。
ては、成膜が挙げられ、さらに好ましくはプラズマＣＶ
Ｄによる成膜が行われる。
【００１４】還元性ガスとしては好ましくは、ＳｉＨ
4 、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガスが使用され、さらに好ま
しくは、ＳｉＨ4 ガスが使用される。
4 、Ｓｉ2Ｈ6等のシラン系ガスが使用され、さらに好ま
しくは、ＳｉＨ4 ガスが使用される。
【００１５】また、本発明は半導体製造装置やＬＣＤ製
造装置やその製造プロセスに好適に使用され、基板とし
ては、半導体シリコンウェーハや液晶表示素子製造用の
ガラス基板が好適に使用される。
造装置やその製造プロセスに好適に使用され、基板とし
ては、半導体シリコンウェーハや液晶表示素子製造用の
ガラス基板が好適に使用される。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施の形態の基板処理
装置を説明するための模式的断面図である。ここで符号
１１は成膜用ガスライン、１２はエッチングガスライ
ン、１３は還元性ガスライン、２１〜２６はバルブ、３
１〜３３はマスフローコントローラ、４０はＲＦ電源、
５１は成膜槽、５２はカノード、５３はアノード、６０
は排気ライン、６１は排気バルブ、６２はターボ分子ポ
ンプ、６３はロータリーポンプ、１００はプラスマＣＶ
Ｄ装置を示す。
装置を説明するための模式的断面図である。ここで符号
１１は成膜用ガスライン、１２はエッチングガスライ
ン、１３は還元性ガスライン、２１〜２６はバルブ、３
１〜３３はマスフローコントローラ、４０はＲＦ電源、
５１は成膜槽、５２はカノード、５３はアノード、６０
は排気ライン、６１は排気バルブ、６２はターボ分子ポ
ンプ、６３はロータリーポンプ、１００はプラスマＣＶ
Ｄ装置を示す。
【００１８】このように本実施の形態の基板処理装置１
００はプラズマＣＶＤ装置であり、成膜用ライン１１に
加えて、ガスクリーニングラインと還元性ガスによる回
分パージラインとを備えている。この実施の形態では還
元性ガスにＳｉＨ4 を使用した例を示す。また、成膜用
のガスとしてもＳｉＨ4 を使用し、多結晶シリコンの成
膜を行う。このように成膜用のガスと回分パージ用の還
元性ガスが同じであれば、成膜用ガスライン１１と、還
元性ガスライン１３とを共通とすることが好ましい。
００はプラズマＣＶＤ装置であり、成膜用ライン１１に
加えて、ガスクリーニングラインと還元性ガスによる回
分パージラインとを備えている。この実施の形態では還
元性ガスにＳｉＨ4 を使用した例を示す。また、成膜用
のガスとしてもＳｉＨ4 を使用し、多結晶シリコンの成
膜を行う。このように成膜用のガスと回分パージ用の還
元性ガスが同じであれば、成膜用ガスライン１１と、還
元性ガスライン１３とを共通とすることが好ましい。
【００１９】まず、プラズマＣＶＤ装置１００を用いて
ＳｉＨ4 により多結晶シリコンの成膜を行う。
ＳｉＨ4 により多結晶シリコンの成膜を行う。
【００２０】そして、その後のガスクリーニングは、成
膜槽５１にエッチングガスライン１２からエッチングガ
スを導入しある圧力に調圧した後ＲＦ電源４０によって
ＲＦ電力を供給し成膜槽５１に成膜時に付着した膜をク
リーニングする。なお、本実施の形態では、クリーニン
グガスとしてＮＦ3 ガスを使用した。
膜槽５１にエッチングガスライン１２からエッチングガ
スを導入しある圧力に調圧した後ＲＦ電源４０によって
ＲＦ電力を供給し成膜槽５１に成膜時に付着した膜をク
リーニングする。なお、本実施の形態では、クリーニン
グガスとしてＮＦ3 ガスを使用した。
【００２１】ガスクリーニングが終了しクリーニングガ
スの排気を完了した後、 工程１）…排気バルブ６１を閉める。
スの排気を完了した後、 工程１）…排気バルブ６１を閉める。
【００２２】工程２）…成膜槽５１内に還元性ガスライ
ン１３によりＳｉＨ4 ガスを導入し、成膜槽５１内圧力
を所定の圧力まで昇圧する。
ン１３によりＳｉＨ4 ガスを導入し、成膜槽５１内圧力
を所定の圧力まで昇圧する。
【００２３】工程３）…その後ＳｉＨ4 ガスの導入を停
止する。
止する。
【００２４】工程４）…その後排気バルブ６１を開いて
排気する。
排気する。
【００２５】この工程１）〜工程４）の操作を数回繰り
返す。
返す。
【００２６】還元性ガスのＳｉＨ4 ガスを成膜槽５１に
導入しある程度まで昇圧することで、ガスクリーニング
時の残渣とＳｉＨ4 が反応、結合し、さらにその後の排
気で成膜槽５１から排気され、残渣を除去することが出
来る。
導入しある程度まで昇圧することで、ガスクリーニング
時の残渣とＳｉＨ4 が反応、結合し、さらにその後の排
気で成膜槽５１から排気され、残渣を除去することが出
来る。
【００２７】好ましくは、工程１）〜工程４）の温度は
成膜とほぼ同じ温度の２００℃〜３５０℃とし、プラズ
マ放電は行わない。また、好ましくは、工程２）におい
て、ＳｉＨ4 ガスを導入し、成膜槽５１内圧力を所定の
圧力まで昇圧するが、１００Torr以下とする。また、Ｓ
ｉＨ4 ガスは１００ｃｃ〜１ｌ／ｍｉｎの流量で流すこ
とが好ましい。
成膜とほぼ同じ温度の２００℃〜３５０℃とし、プラズ
マ放電は行わない。また、好ましくは、工程２）におい
て、ＳｉＨ4 ガスを導入し、成膜槽５１内圧力を所定の
圧力まで昇圧するが、１００Torr以下とする。また、Ｓ
ｉＨ4 ガスは１００ｃｃ〜１ｌ／ｍｉｎの流量で流すこ
とが好ましい。
【００２８】また、工程１）〜工程４）の操作をする前
にＳｉＨ4 の代わりにＮ2 ガスを用いて上記工程１）〜
工程４）の操作を１度行うことが好ましい。
にＳｉＨ4 の代わりにＮ2 ガスを用いて上記工程１）〜
工程４）の操作を１度行うことが好ましい。
【００２９】本実施の形態では、クリーニングガスとし
てＮＦ3 ガスを使用したので、その後すぐにＳｉＨ4 ガ
スを導入すると、爆発を起こす可能性があるので、ま
ず、Ｎ2 ガスを用いて工程１）〜工程４）の操作１度行
うことが好ましい。
てＮＦ3 ガスを使用したので、その後すぐにＳｉＨ4 ガ
スを導入すると、爆発を起こす可能性があるので、ま
ず、Ｎ2 ガスを用いて工程１）〜工程４）の操作１度行
うことが好ましい。
【００３０】なお、クリーニングガスとしてハロゲン系
のガスを使用した場合には、成膜槽５１内の接ガス部に
フッソ系残渣等のハロゲン系ガス化合物が付着するが、
ＳｉＨ4 ガスは、このハロゲン系化合物の少なくともハ
ロゲン元素と反応し、ハロゲン系元素がガス中に吸収さ
れ、排気される。
のガスを使用した場合には、成膜槽５１内の接ガス部に
フッソ系残渣等のハロゲン系ガス化合物が付着するが、
ＳｉＨ4 ガスは、このハロゲン系化合物の少なくともハ
ロゲン元素と反応し、ハロゲン系元素がガス中に吸収さ
れ、排気される。
【００３１】図２は、ガスクリーニングが終了しクリー
ニングガスの真空排気を完了した後、まず、Ｎ2 ガスを
用いて上記工程１）〜工程４）の操作を１度行い、その
後、ＳｉＨ4 ガスを用いて、上記工程１）〜工程４）の
操作を所定回数繰り返して回分パージを行い、その後、
プラズマＣＶＤによりＳｉＨ4 ガスにより多結晶シリコ
ンの成膜し、その膜にＴＦＴを製造した場合の移動度と
成膜枚数との関係を示した図であるが、本実施の形態に
よれば、ガスクリーニング後の成膜に全く影響のないレ
ベルまで残渣が除去できていることがわかる。
ニングガスの真空排気を完了した後、まず、Ｎ2 ガスを
用いて上記工程１）〜工程４）の操作を１度行い、その
後、ＳｉＨ4 ガスを用いて、上記工程１）〜工程４）の
操作を所定回数繰り返して回分パージを行い、その後、
プラズマＣＶＤによりＳｉＨ4 ガスにより多結晶シリコ
ンの成膜し、その膜にＴＦＴを製造した場合の移動度と
成膜枚数との関係を示した図であるが、本実施の形態に
よれば、ガスクリーニング後の成膜に全く影響のないレ
ベルまで残渣が除去できていることがわかる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。
る。
【００３３】（１）クリーニング後の残渣除去が短時間
で行える。
で行える。
【００３４】（２）クリーニングした電極をダミー成膜
によって汚さずに残渣を除去できる。
によって汚さずに残渣を除去できる。
【００３５】（３）残渣除去の効果は、クリーニング後
の成膜に影響のないレベルまで除去できる。
の成膜に影響のないレベルまで除去できる。
【００３６】（４）ダミー成膜用に無駄な基板を使用し
なくて良く、基板の節約になる。
なくて良く、基板の節約になる。
【００３７】（５）無駄基板を投入しなくて良いので、
装置の生産性が上がる。
装置の生産性が上がる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板処理装置を説明す
るための模式的断面図である。
るための模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態における残渣処理の効果
を説明するための図である。
を説明するための図である。
１１…成膜用ガスライン １２…エッチングガスライン １３…還元性ガスライン ２１〜２６…バルブ ３１〜３３…マスフローコントローラ ４０…ＲＦ電源 ５１…成膜槽 ５２…カノード ５３…アノード ６０…排気ライン ６１…排気バルブ ６２…ターボ分子ポンプ ６３…ロータリーポンプ １００…プラスマＣＶＤ装置
Claims (4)
- 【請求項１】処理槽内のガスクリーニングを行った後、
還元性ガスを用いて前記処理槽内を回分パージする機能
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】前記還元性ガスとしてシラン系ガスを使用
することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】処理槽内のガスクリーニングを行った後、
還元性ガスを用いて前記処理槽内を回分パージし、その
後基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項４】前記還元性ガスとしてシラン系ガスを使用
することを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28907097A JPH11111698A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28907097A JPH11111698A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111698A true JPH11111698A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17738445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28907097A Pending JPH11111698A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111698A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329671A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007059759A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2011013810A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP28907097A patent/JPH11111698A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329671A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007059759A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2011013810A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社 アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP5389924B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-01-15 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030520 |