JPH11111052A

JPH11111052A - 導電ペースト組成物、導電ペースト組成物の製造方法、表層導体形成方法、およびセラミック多層基板

Info

Publication number: JPH11111052A
Application number: JP27445197A
Authority: JP
Inventors: Hisato Kashima; 壽人加島
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-10-07
Filing date: 1997-10-07
Publication date: 1999-04-23
Anticipated expiration: 2017-10-07
Also published as: JP3495890B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ガラスセラミック基板と表層導体との同時焼
成を行う場合に、メッキのり、ハンダ濡れ、および密着
強度のすべてに優れた表層導体を得ること。【解決手段】導電ペースト組成物は、銀粉末、平均粒
径０．５〜２μｍのタングステン粉末、および酸化ロジ
ウムを、主要な成分として含有する混合物であって、銀
粉末に対する重量比で、タングステン粉末を３〜５％、
酸化ロジウムを１００〜６００ｐｐｍ含有している。銀
粉末および酸化ロジウムは、あらかじめ２００〜４００
℃の範囲で５〜３０分間加熱処理され、その後でタング
ステン粉末が混合されると望ましい。この導電ペースト
組成物を基材表面に塗布して焼成する際には、焼成温度
Ｔ（℃）を、酸化ロジウムの含有量Ｙ（ｐｐｍ）との関
係で、６８４．７×Ｙ^0.044≦Ｔ≦９５０の範囲に調節
して焼成を行うとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、焼成処理されるこ
とによって基板上に導体を形成する導電ペースト組成物
と、その導電ペースト組成物の製造方法、前記導電ペー
スト組成物を使った表層導体形成方法、および前記導電
ペースト組成物を使って作製されたセラミック多層基板
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信分野の進展が著しく、
それら高周波用途で用いるのに適した材料として、低抵
抗導体を用い、低ロスであるガラスセラミックが注目さ
れている。この種のガラスセラミックは、１０００℃以
下での低温焼成が可能で、通常の焼成温度は８４０〜９
５０℃の範囲にあることが多い。また、結晶化ガラス
や、ガラスとフィラーとを反応させるようなタイプで
は、焼成時における最高温度での保持時間が、例えば３
０分〜２時間と比較的長い。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ガラス
セラミックを用いた製品の表層導体の材料には、従来
は、銀をはじめとする各種貴金属材料が用いられてき
た。しかしながら、融点が９６０℃程度の銀をはじめ、
融点が１０００℃前後の貴金属材料は、上述の如きガラ
スセラミックとの同時焼成を行った際に、基板上の表層
導体が過焼結ぎみになって、表層導体がポーラスな組織
になってしまうことが多々あった。そして、このような
過焼結状態になると、表層導体が高抵抗になったり、メ
ッキのりやハンダ濡れが悪くなる等、この種の導体に必
要な特性が大幅に劣化するという問題があった。また、
ポーラスな組織となった表層導体にメッキ処理を施す
と、表層導体のポアから酸やアルカリ等の処理液が浸入
し、表層導体内部の組織間、あるいは表層導体と基板と
の界面を侵し、表層導体の密着強度が大幅に劣化すると
いう問題もあった。

【０００４】ここで、単に表層導体の過焼結を避けるこ
とだけを考えれば、内層配線を形成した基板を表層導体
の無い状態で焼成した後、表層に２次メタライズでメッ
キ性の良い銀導体を焼き付ける方法はある。しかし、こ
れでは工数の増加になるため、コスト的に不利である。
また、キャビティを有する形状の製品の場合、キャビテ
ィ内に銀導体を２次メタライズで形成するのは困難であ
る。

【０００５】また、銀／Ｐｄ、銀／Ｐｔといった銀系合
金を用いれば、メッキ処理が不要な表層導体を形成でき
るので、メッキ処理の処理液によって引き起こされる問
題は解決される。しかし、銀／Ｐｄを用いる方法は、同
時焼成時に内層の銀導体との接続部分に互いの熱拡散速
度の違いから断線（カーケンドール効果）を起こしやす
いので、同時焼成によるコストの低下は望めない。一
方、銀／Ｐｔを用いる方法は、同時焼成時に内層の銀導
体との接続性は良好であるが、銀入りハンダ以外のハン
ダに対する耐久性に問題がある。

【０００６】つまり、上述の如き手段では、ガラスセラ
ミック基板と表層導体との同時焼成によるコストダウン
を図りながら、メッキのり、ハンダ濡れ、および密着強
度といった特性のすべてに優れた表層導体を得ること
は、きわめて困難であった。本発明は、上記問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、ガラスセ
ラミック基板と表層導体との同時焼成を行った場合で
も、メッキのり、ハンダ濡れ、および密着強度といった
特性のすべてに優れた表層導体を得ることのできる新規
な導電ペースト組成物を提供することにある。また、そ
の導電ペースト組成物の製造方法、前記導電ペースト組
成物を使った表層導体形成方法、および前記導電ペース
ト組成物を使って作製されたセラミック多層基板を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段、および発明の効果】この
課題を解決するために、本発明の導電ペースト組成物
は、請求項１記載のように、銀粉末、平均粒径０．５〜
２μｍのタングステン粉末、および酸化ロジウムを、主
要な成分として含有する混合物であって、前記銀粉末に
対する重量比で、タングステン粉末を３〜５％、酸化ロ
ジウムを１００〜６００ｐｐｍ含有していることを特徴
とする。

【０００８】この導電ペースト組成物において、銀（Ａ
ｇ）粉末は、最終的に銀導体を形成する成分である。銀
粉末については、この種の導電ペースト組成物において
一般に用いられるものであれば特に限定されない。より
具体的な例を挙げるとすれば、例えば平均粒径１〜１０
μｍ程度の銀粉末を用いるとよい。

【０００９】また、タングステン（Ｗ）粉末は、焼成に
より得られる銀導体の表面に微細な窪みを形成する作用
を有する。この窪みには、銀導体表面にメッキ処理を施
す際に、メッキ被膜の一部が侵入する。そのため、これ
がアンカーとなって銀導体に対するメッキ被膜の密着性
が高まる。すなわち、上記窪みによる投錨効果が現れ
る。また、このメッキ処理が無電解メッキである場合
は、タングステンを添加した結果形成された前記窪み
に、触媒となるパラジウム核が析出しやすくなるため、
触媒活性を高めるという効果もある。

【００１０】ここで、このタングステン粉末について
は、銀粉末に対する重量比で３〜５％含有されているこ
とが重要である。タングステン粉末の含有量が銀粉末に
対する重量比で３％を下回ると、メッキ被膜の密着力が
弱くなり、メッキはがれが生じやすくなる。その一方、
５％を上回ると、タングステン粉末が銀導体表面に浮
き、良好なメッキ性を確保することが困難になる。ま
た、タングステン粉末は、平均粒径０．５〜２μｍのも
のを用いることも重要である。平均粒径が０．５μｍを
下回るものを用いると、上記窪みが小さくなりすぎ、一
方、平均粒径が２μｍを上回るものでは、上記窪みが大
きくなりすぎる。いずれの場合も投錨効果が弱まって、
銀導体に対するメッキ被膜の密着性は低下することにな
る。

【００１１】さらに、酸化ロジウム（Ｒｈ₂Ｏ₃）は、
焼成により得られる銀導体が、ポーラスな組織になるの
を抑制する作用を有する。そのため、銀導体表面にメッ
キ処理を施す際に使用する薬液が、銀導体の組織内に浸
入しにくくなる。その結果、銀導体の基材に対する密着
性が良好に保たれることになる。

【００１２】ここで、酸化ロジウムについては、銀粉末
に対する重量比で１００〜６００ｐｐｍ含有されている
ことが重要である。酸化ロジウムが１００ｐｐｍを下回
ると、８４０〜９５０℃での基板との同時焼成時に発生
する銀導体の異常粒成長を抑制しきれず、銀導体がポー
ラスな組織になりやすい。その一方、６００ｐｐｍを上
回ると、銀粉末の焼成が抑制され過ぎて、メタライズ厚
みの差により焼け具合にむらが出てしまい、良好なメッ
キ性を確保することが難しくなる。

【００１３】なお、上記の主要な成分に加えて、通常
は、有機ビヒクルなど、ペースト化に当たって必要な成
分が加えられる。但し、こうした成分は、必要に応じて
適宜加えればよい程度のものであり、その添加量等が、
本発明の本質に影響を及ぼすものではない。

【００１４】以上説明したような導電ペースト組成物に
よれば、上記のような特徴的な組成となっているため、
各成分の作用により、ガラスセラミック基板との同時焼
成を行った場合でも、形成される銀導体がポーラスな組
織とならない。その結果、メッキのり、ハンダ濡れ、お
よび密着強度などの特性に優れた銀導体を得ることがで
きる。

【００１５】ちなみに、本発明の導電ペースト組成物に
おいて、酸化ロジウムについては、酸化ロジウムの粉末
を添加してあればもちろんよいが、これ以外にも、酸化
雰囲気下での加熱処理によって酸化ロジウムとなるよう
なロジウム系物質を混合しておいて、混合物中において
酸化ロジウムを生成してもよい。このようなロジウム系
物質としては、例えば有機ロジウムを考え得る。有機ロ
ジウムを含有する導電ペースト組成物としては、既に日
本国特許第２５０３９７４号の特許発明が公知である。
しかし、上記特許発明は、基材に塗布される導電ペース
ト組成物中に有機ロジウムを含有させてあるものであ
る。そのため、特に、有機ロジウムの含有量が１００ｐ
ｐｍを上回るような場合には、有機ロジウムが原因とな
って、焼成前のセラミックグリーン体を樹脂抜きする工
程でメタライズはがれを起こしやすい。また、ペースト
のチクソトロピー性を悪化させて、導電ペーストのスク
リーン印刷が困難になるなどの問題が生じやすい。これ
に対し、本発明の導電ペースト組成物は、仮に有機ロジ
ウムを添加した場合であっても、あらかじめ加熱処理を
施すなどして、導電ペースト組成物中の有機ロジウムが
酸化ロジウムに変えられ、その上で基材に塗布されるこ
とになるので、上述の如き問題を招くことはない。

【００１６】ところで、本発明の導電ペースト組成物
は、上述の主要な成分を適宜混合することによっても得
られるが、より望ましくは、請求項２記載のように、前
記銀粉末および前記酸化ロジウムの混合物が、２００〜
４００℃の範囲で５〜３０分間加熱処理され、その加熱
処理された混合物に対して前記タングステン粉末が混合
されているものであるとよい。

【００１７】このような導電ペースト組成物は、銀粉末
と酸化ロジウムとが確実に接触する状態で加熱処理を受
けているため、導電ペースト組成物中において、銀粉末
および酸化ロジウムが相互に固定された複合粒子となっ
ている。そして、この複合粒子とタングステン粉末とが
混合された物となっている。そのため、タングステン粉
末によって銀粉末との接触が阻害された状態にある酸化
ロジウムは激減する。これにより、酸化ロジウムによる
銀導体の異常粒成長を抑制する効果が高まる。その結
果、焼成により得られる銀導体がポーラスな組織になる
のを、より確実に防止できるようになる。

【００１８】以上の説明から明らかなように、本発明の
導電ペースト組成物を製造するに当たっては、請求項３
記載のように、銀粉末に対し、酸化ロジウムを銀粉末に
対する重量比で１００〜６００ｐｐｍ混合し、その銀粉
末および酸化ロジウムの混合物を、２００〜４００℃の
範囲で５〜３０分間加熱処理し、その加熱処理された銀
粉末および酸化ロジウムの混合物に対し、平均粒径０．
５〜２μｍのタングステン粉末を、銀粉末に対する重量
比で３〜５％混合するとよい。

【００１９】このような製造方法によれば、請求項２に
記載したような優れた導電ペースト組成物を得ることが
できる。次に、本発明の表層導体形成方法は、請求項４
記載のように、請求項１または請求項２記載の導電ペー
スト組成物を、基材表面に塗布して焼成することによ
り、基材表面に所要形状の表層導体を形成する表層導体
形成方法であって、焼成温度Ｔ（℃）を、前記酸化ロジ
ウムの含有量Ｙ（ｐｐｍ）との関係で、６８４．７×Ｙ
^0.044≦Ｔ≦９５０の範囲に調節して、前記焼成を行う
ことを特徴とする。

【００２０】ここで、上記温度条件の上限値は、銀の融
点に起因する制限である。すなわち、この上限値を上回
る焼成温度では、銀が自由に流動し得る状態になりやす
いので、所期のパターンを描く表層導体を形成すること
は困難になる。一方、上記温度条件の下限値は、発明者
が多くの実験を重ねる中で得た知見であり、酸化ロジウ
ムの含有量Ｙと焼成温度Ｔの下限値との因果関係を、明
確に説明することは難しい。

【００２１】焼成温度Ｔは、通常、基材側から要求され
る温度条件等によって左右される。一方、上記酸化ロジ
ウムの含有量Ｙは、銀導体の面積や厚さなどに応じて妥
当な値が選定される。但し、酸化ロジウムがある含有量
となっている場合に、焼成時の温度条件がある下限値を
下回っていると、銀導体のメッキのり、ハンダ濡れ、密
着強度などの特性が劣化することがある。そのため、最
適な酸化ロジウムの含有量を選定するには、焼成温度を
も考慮する必要があり、このような選定作業は、必ずし
も容易なことではなかった。

【００２２】そこで、発明者は、まず酸化ロジウムの含
有量Ｙと焼成温度Ｔを種々組み合わせて実験を行い、そ
の関係をグラフ上にプロットしてみた。その結果、発明
者は、酸化ロジウムの含有量Ｙが大きくなるほど、焼成
温度Ｔの下限値を高くしないと、必要な特性を備えた銀
導体を得られない傾向があることを見いだした。この傾
向は、グラフから判断する限り、Ｔ＝ａ×Ｙ^bなる関係
式で近似可能であると考えられたため、電子計算機を使
った回帰分析により、上記温度条件の下限値を算出し、
上記条件を決定するに至った。

【００２３】このようにして完成された本発明の表層導
体形成方法によれば、焼成温度と酸化ロジウムの含有量
との関係を、従来よりも容易かつ速やかに決定すること
ができ、その条件下で形成された銀導体は、メッキの
り、ハンダ濡れ、密着強度などの特性に優れたものとな
る。

【００２４】次に、本発明のセラミック多層基板は、請
求項５記載の通り、請求項１または請求項２記載の導電
ペースト組成物を、セラミックグリーンシートに印刷し
て、同時焼成することにより、表層配線回路を形成した
ことを特徴とする。

【００２５】このセラミック多層基板によれば、上記本
発明の導電ペースト組成物を用いて銀導体を形成してい
るので、同時焼成を行っても、メッキのり、ハンダ濡
れ、密着強度などの特性に優れた銀導体が形成されたも
のとなる。また特に、請求項６記載のセラミック多層基
板のように、前記セラミックグリーンシートが、８４０
〜９５０℃で焼成可能な低温焼成ガラスセラミックから
なるものは、特に同時焼成に長時間を要する場合も多い
が、その場合でも、メッキのり、ハンダ濡れ、および密
着強度といった特性のすべてに優れた銀導体が形成され
たものとなる。

【００２６】さらに、請求項７記載のセラミック多層基
板のように、前記導電ペースト組成物および前記セラミ
ックグリーンシートが、焼成温度Ｔ（℃）を、前記酸化
ロジウムの含有量Ｙ（ｐｐｍ）との関係で、６８４．７
×Ｙ ^0.044≦Ｔ≦９５０の範囲に調節して、同時焼成さ
れていると、焼成温度と酸化ロジウムの含有量が最適な
関係に調節された状態で焼成が行われているので、銀導
体のメッキのり、ハンダ濡れ、密着強度などの特性が、
より確実に優れたものとなる。

【００２７】

【発明の実施の形態】

（１）銀ペーストの調製まず、平均粒径３μｍの銀粉末１００ｇに対して、平均
粒径０．１μｍの酸化ロジウムを添加、混合した。酸化
ロジウムの添加量は、銀粉末に対する重量比で、９０，
１００，１１０，１６０，３００，５００，６００，６
５０，７００ｐｐｍの９種類とした。

【００２８】続いて、この９種類の銀粉末と酸化ロジウ
ムとの混合物を、オーブン炉で最高温度４００℃で１０
分間加熱処理し、その後、平均粒径１．３μｍのタング
ステン粉末を添加、混合した。タングステン粉末の添加
量は、銀粉末に対する重量比で、２．５，３．５，４．
５，５．５％の４種類とした。

【００２９】その後、有機ビヒクルとしてエチルセルロ
ース５ｇ、ＢＣＡ（ブチルカルビトールアセテート）２
０ｇを添加、混合した後、３本ロールミルで混練し、銀
ペーストを作製した。（２）セラミックグリーンシートの調製セラミック原料粉末としては、アルミナホウケイ酸ガラ
スの粉末とアルミナ粉末を用意した。ガラス粉末はＳｉ
Ｏ₂：４３重量％、Ａ１₂Ｏ₃：２８重量％、Ｂ
₂Ｏ₃：８重量％、ＭｇＯ：８重量％、ＣａＯ：８重量
％、ＺｒＯ₂：１重量％の割合でそれぞれの酸化物粉末
を混合し、溶融後、急冷してカレット状にし、さらに粉
砕して、平均粒径５μｍになるように作製した。一方、
アルミナ粉末は市販の低ソーダのα−アルミナ粉末で、
平均粒径３μｍのものを用意した。

【００３０】バインダーとしては、メタクリル酸エチル
系のアクリル樹脂を用意した。次に、アルミナ製のポッ
トに、上記のガラス粉末とアルミナ粉末を６：４の割合
で、総量が１０００ｇになるように入れた。更に溶剤と
してＭＥＫ（メチルエチルケトン）を２００ｇ、上記の
アクリル系樹脂を１００ｇ、可塑剤としてＤＯＰ（ジオ
クチルフタレート）を５０ｇ、分散剤を５ｇ、上記ポッ
トに入れて１０時間混合し、スラリーを得た。このスラ
リーから、公知のドクターブレード法により厚み０．４
ｍｍのセラミックグリーンシートを作製した。（３）試料の作製上記（２）のセラミックグリーンシートを４枚積層した
後、６０ｍｍ角に切断し、上記（１）の銀ペーストを用
いて、図１に示すように、１２個の２．４ｍｍ角の引っ
張り試験用パッド１０を、セラミックグリーンシート１
２に対してスクリーン印刷した。１２０℃で１０分間乾
燥した後、２５０℃で１０時間樹脂抜きを行った。その
後、連続ベルト炉を用いてセラミックと銀導体とを同時
焼成した。この時の焼成温度は、８４０，８６０，８８
０，９００，９１０，９３０，９５０℃の７種類とし、
それぞれ焼成時間は３０分とした。焼成後の収縮率は８
３％で、引っ張り試験用パッド１０の焼き上げ寸法は２
ｍｍ角、厚みは２０μｍとなっていた。（４）試験方法以下の試験Ａ〜Ｃを行った。

【００３１】Ａ．メッキのり試験上記試料を脱脂し、１０％硫酸で洗浄後、塩化パラジウ
ム溶液に浸け、引っ張り試験用パッド上に無電解Ｎｉ−
Ｐメッキを３μｍ、薄付けの置換Ａｕメッキを０．１μ
ｍかけた。洗浄、乾燥後、メッキの付きを外観検査でチ
ェックした。評価は、メッキが良好にのっている場合を
「○」、部分むらがある場合を「△」、メッキがのらな
い場合を「×」とした。

【００３２】Ｂ．ハンダ濡れ試験上記試験Ａの後、同試料を、２３０℃に加熱した６０％
Ｓｎ−４０％Ｐｂの共晶ハンダ浴に１０秒間ディッピン
グした。エタノールで洗浄した後、ハンダ濡れ性を外観
検査でチェックした。評価は、濡れが良好な場合を
「○」、部分的に濡れない場合を「△」、ほとんど濡れ
ない場合を「×」とした。

【００３３】Ｃ．密着強度試験上記試験Ｂの後、同試料に対して、図２に示すように、
直径０．８ｍｍのニッケルメッキ付きの銅線１４をハン
ダ付けした。そして、ハンダ１６により固定された銅線
１４を、セラミックグリーンシート１２の表面に対して
９０度に曲げた。その状態で銅線１４を２０ｍｍ／分の
速度で、図示矢印Ｐ方向へ引っ張り、密着強度を測定し
た。評価は、２ｋｇ以上ある場合を合格と考える。（５）総合評価まず、酸化ロジウムの添加量と焼成温度について評価す
るため、タングステンの添加量を３．５％とした場合に
おける上記試験Ａ〜Ｃの結果を、下記表１および図３に
示す。なお、図３中においては、試験Ａ，Ｂとも「○」
かつ試験Ｃで２ｋｇ以上となった試料を「○」、残りの
試料を「●」でプロットした。また、表１中、「−」が
表記されている欄は試験未実施である。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１および図３から明らかなように、酸化
ロジウムの含有量が１００ｐｐｍを下回ると、優れた特
性の銀導体を得ることができない。この傾向は、特に焼
成温度が高くなると顕著になる。これは、酸化ロジウム
の量が少なすぎて、過焼成を十分に抑制できないためと
考えられる。一方、酸化ロジウムの含有量が６００ｐｐ
ｍを上回っても、優れた特性の銀導体を得ることができ
ない。特に、焼成温度が低くなるとその傾向が顕著にな
る。これは、酸化ロジウムの量が多すぎて、焼成が抑制
され過ぎているためと考えられる。

【００３６】さらに、焼成温度は、９５０℃を上限とし
て試験を行っているが、これは、９５０℃を超える温度
で焼成を試みても、銀が流動して所期の表層導体を形成
することができないためである。一方、焼成温度の下限
は、酸化ロジウムの含有量により変動した。酸化ロジウ
ムの含有量Ｙが大きくなるほど、焼成温度Ｔの下限値を
高くしないと、優れた特性を備えた銀導体を得ることが
困難になる傾向がある。この傾向は、図３のグラフから
判断する限り、Ｔ＝ａ×Ｙ^bなる関係式で近似可能であ
ると考えられる。

【００３７】そこで、電子計算機を使った回帰分析によ
り、図３の縦軸方向最下位置にある「○」を通る最も確
からしい関係式を算出した。その結果、下記数式１を得
た。

【００３８】

【数１】Ｔ＝６８４．７ × Ｙ^0.044 ちなみに、上記数式１は、図３上では、図中に実線で示
すような曲線となる。以上の結果からは、酸化ロジウム
の含有量を１００〜６００ｐｐｍ、焼成温度Ｔを、酸化
ロジウムの含有量Ｙとの関係で、６８４．７×Ｙ^0.044
≦Ｔ≦９５０の範囲に調節して焼成を行えばよいことが
わかる。すなわち、上記条件を満足する場合には、ガラ
スセラミック基板と表層導体との同時焼成を行った場合
でも、メッキのり、ハンダ濡れ、および密着強度といっ
た特性のすべてに優れた表層導体を得ることができると
考えられる。

【００３９】次に、タングステンの添加量と焼成温度に
ついて評価するため、酸化ロジウムの添加量を３００ｐ
ｐｍとした場合における上記試験Ａ〜Ｃの結果を、下記
表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２から明らかなように、タングステンの
含有量が３％を下回ると、メッキのりの悪い銀導体にな
る。一方、タングステンの含有量が５％を上回ると、メ
ッキのり、ハンダ濡れの双方の特性に悪影響が現れる。
なお、これらの傾向は、焼成温度が変わってもほぼ同じ
であり、焼成温度による影響はほとんどないと考えられ
る。

【００４２】さらに、タングステンの含有量が３．５％
のものと４．５％のものとを比較すると、４．５％のも
のの方が、より広い焼成温度範囲でメッキのり、ハンダ
濡れに優れた銀導体を作製できる。但し、同じ焼成温度
条件における密着強度を見ると、タングステンの含有量
が３．５％のものの方が、いくらか高い値を示してい
る。したがって、これらを総合的に勘案すれば、タング
ステンの含有量が３．５％のものと４．５％のものは、
いずれが一方的に優れているとは言い難いが、８８０℃
以上での焼成が可能な場合には、タングステンの含有量
を３．５％とすることが望ましいと言える。

【００４３】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明の実施形態については上記のもの以外にも種
々の具体的形態が考えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の導電ペースト組成物を用いて作製し
た引っ張り試験用パッドを備えた試料の正面図である。

【図２】上記試料に銅線をハンダ付けした状態を示す
断面図である。

【図３】酸化ロジウムの含有量を横軸、焼成温度を縦
軸にとり、銀導体の焼成状態の優劣がわかるようにプロ
ットしたグラフである。

【符号の説明】

１０・・・張り試験用パッド、１２・・・セラミックグ
リーンシート、１４・・・銅線、１６・・・ハンダ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銀粉末、平均粒径０．５〜２μｍのタン
グステン粉末、および酸化ロジウムを、主要な成分とし
て含有する混合物であって、前記銀粉末に対する重量比で、タングステン粉末を３〜
５％、酸化ロジウムを１００〜６００ｐｐｍ含有してい
ることを特徴とする導電ペースト組成物。
【請求項２】請求項１記載の導電ペースト組成物にお
いて、前記銀粉末および前記酸化ロジウムの混合物が、２００
〜４００℃の範囲で５〜３０分間加熱処理され、その加
熱処理された混合物に対して前記タングステン粉末が混
合されていることを特徴とする導電ペースト組成物。
【請求項３】銀粉末に対し、酸化ロジウムを銀粉末に
対する重量比で１００〜６００ｐｐｍ混合し、その銀粉末および酸化ロジウムの混合物を、２００〜４
００℃の範囲で５〜３０分間加熱処理し、その加熱処理された銀粉末および酸化ロジウムの混合物
に対し、平均粒径０．５〜２μｍのタングステン粉末
を、銀粉末に対する重量比で３〜５％混合することを特
徴とする導電ペースト組成物の製造方法。
【請求項４】請求項１または請求項２記載の導電ペー
スト組成物を、基材表面に塗布して焼成することによ
り、基材表面に所要形状の表層導体を形成する表層導体
形成方法であって、焼成温度Ｔ（℃）を、前記酸化ロジウムの含有量Ｙ（ｐ
ｐｍ）との関係で、６８４．７×Ｙ^0.044≦Ｔ≦９５０
の範囲に調節して、前記焼成を行うことを特徴とする表
層導体形成方法。
【請求項５】請求項１または請求項２記載の導電ペー
スト組成物を、セラミックグリーンシートに印刷して、
同時焼成することにより、表層配線回路を形成したこと
を特徴とするセラミック多層基板。
【請求項６】請求項５記載のセラミック多層基板にお
いて、前記セラミックグリーンシートが、８４０〜９５０℃で
焼成可能な低温焼成ガラスセラミックからなることを特
徴とするセラミック多層基板。
【請求項７】請求項５または請求項６記載のセラミッ
ク多層基板において、前記導電ペースト組成物および前記セラミックグリーン
シートが、焼成温度Ｔ（℃）を、前記酸化ロジウムの含
有量Ｙ（ｐｐｍ）との関係で、６８４．７×Ｙ ^0.044≦
Ｔ≦９５０の範囲に調節して、同時焼成されていること
を特徴とするセラミック多層基板。