JPH1092970A - 基板モジュール - Google Patents
基板モジュールInfo
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- JPH1092970A JPH1092970A JP8247797A JP24779796A JPH1092970A JP H1092970 A JPH1092970 A JP H1092970A JP 8247797 A JP8247797 A JP 8247797A JP 24779796 A JP24779796 A JP 24779796A JP H1092970 A JPH1092970 A JP H1092970A
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- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H10W72/20—
-
- H10W90/724—
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂封止に必要な面積の少ない基板モジュール
を提供する。 【解決手段】半導体パッケージ２と、半導体パッケージ
２が実装される凹部１２を有する基板１と、凹部１２の
周辺から連続して形成される樹脂注入部９と、樹脂注入
部９を介して凹部１２内に充填される樹脂６とを具備す
る。
を提供する。 【解決手段】半導体パッケージ２と、半導体パッケージ
２が実装される凹部１２を有する基板１と、凹部１２の
周辺から連続して形成される樹脂注入部９と、樹脂注入
部９を介して凹部１２内に充填される樹脂６とを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＳＰ（Chip Sca
le Package）やベアチップなどを実装する基板モジュー
ルに関する。
le Package）やベアチップなどを実装する基板モジュー
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＣＳＰやベアチップのような
半導体パッケージをフリップチップボンディングなどに
より基板に直接接続して基板モジュールを形成する場
合、その接続部を保護するために樹脂による封止を行う
ことが一般的である。
半導体パッケージをフリップチップボンディングなどに
より基板に直接接続して基板モジュールを形成する場
合、その接続部を保護するために樹脂による封止を行う
ことが一般的である。
【０００３】ここで、封止の際には基板上への不要な樹
脂の流出を防ぐ必要がある。そのため、例えば図６の断
面図に示されるように、基板１０１上のパッド１０４と
半導体パッケージ１０２のパッドとを接続するはんだボ
ール１０３による接続部を樹脂１０７で封止する場合に
は、予め基板１０１上に接続部の周囲、具体的には半導
体パッケージ１０２の周囲にダムフレーム１０６と呼ば
れる囲いを設けて樹脂１０７を流し込むようにしてい
た。
脂の流出を防ぐ必要がある。そのため、例えば図６の断
面図に示されるように、基板１０１上のパッド１０４と
半導体パッケージ１０２のパッドとを接続するはんだボ
ール１０３による接続部を樹脂１０７で封止する場合に
は、予め基板１０１上に接続部の周囲、具体的には半導
体パッケージ１０２の周囲にダムフレーム１０６と呼ば
れる囲いを設けて樹脂１０７を流し込むようにしてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
は樹脂による封止を行う場合には半導体パッケージの周
囲を囲むダムフレームを基板上に設けていたため、この
ダムフレームを設置した分だけ基板の面積が増加してし
まうという問題があった。本発明は、樹脂封止に必要な
面積の少ない基板モジュールを提供することを目的とす
る。
は樹脂による封止を行う場合には半導体パッケージの周
囲を囲むダムフレームを基板上に設けていたため、この
ダムフレームを設置した分だけ基板の面積が増加してし
まうという問題があった。本発明は、樹脂封止に必要な
面積の少ない基板モジュールを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、半導体パッケージと、半導体パッケージが実
装される凹部を有する基板と、凹部の周辺から連続して
形成される樹脂注入部と、樹脂注入部を介して凹部内に
充填される樹脂とを具備する。
本発明は、半導体パッケージと、半導体パッケージが実
装される凹部を有する基板と、凹部の周辺から連続して
形成される樹脂注入部と、樹脂注入部を介して凹部内に
充填される樹脂とを具備する。
【０００６】このような基板モジュールでは、基板の凹
部に半導体パッケージが埋め込まれるように実装され、
この凹部内に樹脂を充填することにより封止が行われ
る。この場合、樹脂封止に必要な基板面積は、樹脂注入
部のみで従来のようにダムフレームを設ける場合に比べ
て大幅に少なくなる。
部に半導体パッケージが埋め込まれるように実装され、
この凹部内に樹脂を充填することにより封止が行われ
る。この場合、樹脂封止に必要な基板面積は、樹脂注入
部のみで従来のようにダムフレームを設ける場合に比べ
て大幅に少なくなる。
【０００７】凹部に半導体パッケージが埋め込まれるよ
うに実装されることにより、基板からの半導体パッケー
ジの抜け落ち等が少なくなって製造時の歩留りが向上す
る。また、基板モジュール自体も薄くなって高密度実装
が可能となる。
うに実装されることにより、基板からの半導体パッケー
ジの抜け落ち等が少なくなって製造時の歩留りが向上す
る。また、基板モジュール自体も薄くなって高密度実装
が可能となる。
【０００８】さらに、樹脂注入部を介して樹脂を注入し
ているので、凹部に直接樹脂を注入する場合に比べて樹
脂が凹部内に効果的に拡散して封止を確実に行うことが
できる。なお、この樹脂注入部を複数個設けるようにす
れば、例えば各樹脂注入部からの樹脂の注入量等を制御
してさらに効果的に樹脂の充填を行うことができる。
ているので、凹部に直接樹脂を注入する場合に比べて樹
脂が凹部内に効果的に拡散して封止を確実に行うことが
できる。なお、この樹脂注入部を複数個設けるようにす
れば、例えば各樹脂注入部からの樹脂の注入量等を制御
してさらに効果的に樹脂の充填を行うことができる。
【０００９】ここで、本発明では半導体パッケージの底
面には複数の電極が設けられ、凹部の底面部には半導体
パッケージの電極にそれぞれ電気的に接続されるパッド
が設けられ、この複数のパッドは基板の信号層に電気的
に接続されるように構成することができる。この場合、
信号層は基板の内層に設けられて、パッドがスルーホー
ルを介して信号層に電気的に接続されるようにすること
が望ましい。また、本発明では半導体パッケージの底面
に複数の電極が設けられ、凹部の底面には電極にそれぞ
れ電気的に接続する信号層が露出するようにしてもよ
い。
面には複数の電極が設けられ、凹部の底面部には半導体
パッケージの電極にそれぞれ電気的に接続されるパッド
が設けられ、この複数のパッドは基板の信号層に電気的
に接続されるように構成することができる。この場合、
信号層は基板の内層に設けられて、パッドがスルーホー
ルを介して信号層に電気的に接続されるようにすること
が望ましい。また、本発明では半導体パッケージの底面
に複数の電極が設けられ、凹部の底面には電極にそれぞ
れ電気的に接続する信号層が露出するようにしてもよ
い。
【００１０】
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る基板モジュールの構成を示す図で、（ａ）はこの基
板モジュールの実装構造を示す断面図、（ｂ）はこの基
板モジュールを半導体パッケージ（半導体チップ）の実
装側から見た図である。
係る基板モジュールの構成を示す図で、（ａ）はこの基
板モジュールの実装構造を示す断面図、（ｂ）はこの基
板モジュールを半導体パッケージ（半導体チップ）の実
装側から見た図である。
【００１１】基板１は、ガラス・エポキシ樹脂などの絶
縁性基材で形成される。この基板１には半導体パッケー
ジ２が実装される凹部１２が設けられている。凹部１２
は、半導体パッケージ２が実装されたときその半導体パ
ッケージ２の各周辺と自身の各周辺との間隔（以下、隙
間と称する）が１ｍｍ程度になるように形成されること
が望ましい。
縁性基材で形成される。この基板１には半導体パッケー
ジ２が実装される凹部１２が設けられている。凹部１２
は、半導体パッケージ２が実装されたときその半導体パ
ッケージ２の各周辺と自身の各周辺との間隔（以下、隙
間と称する）が１ｍｍ程度になるように形成されること
が望ましい。
【００１２】また、凹部１２は半導体パッケージ２の厚
さと同程度の深さを有することが望ましい。ただし、基
板１の強度低下を防ぐために基板１の厚さの半分以上の
深さにはしないようにすることが好ましい。例えば、基
板１の厚さを１．２８ｍｍ、半導体パッケージ２の厚さ
を０．６ｍｍとすると、凹部１２の厚さは０．６ｍｍ前
後にする。
さと同程度の深さを有することが望ましい。ただし、基
板１の強度低下を防ぐために基板１の厚さの半分以上の
深さにはしないようにすることが好ましい。例えば、基
板１の厚さを１．２８ｍｍ、半導体パッケージ２の厚さ
を０．６ｍｍとすると、凹部１２の厚さは０．６ｍｍ前
後にする。
【００１３】樹脂注入部９は、基板１において凹部１２
の周辺から連続するように形成されており、この樹脂注
入部９を介して樹脂６の注入が行われる。この樹脂注入
部９は、注入された樹脂６が基板１と半導体パッケージ
２との各接続部に効果的に拡散するような位置に設けら
れ、その形状は樹脂６の性質、量および樹脂６の注入に
用いるディスペンサの口径等に応じて定められる。
の周辺から連続するように形成されており、この樹脂注
入部９を介して樹脂６の注入が行われる。この樹脂注入
部９は、注入された樹脂６が基板１と半導体パッケージ
２との各接続部に効果的に拡散するような位置に設けら
れ、その形状は樹脂６の性質、量および樹脂６の注入に
用いるディスペンサの口径等に応じて定められる。
【００１４】図１においては、樹脂注入部９は（ａ）の
ように凹部１２と同じ深さで、（ｂ）のように基板１の
表面から見て四角形状の凹部として形成されている。樹
脂注入部９を基板１の表面から見て四角形状に形成する
場合、その縦横の長さを上述した隙間以上の長さにする
と効果的に樹脂６の充填を行うことができる。例えば、
隙間が１ｍｍである場合は、樹脂注入部９を縦横５ｍｍ
程度に形成する。
ように凹部１２と同じ深さで、（ｂ）のように基板１の
表面から見て四角形状の凹部として形成されている。樹
脂注入部９を基板１の表面から見て四角形状に形成する
場合、その縦横の長さを上述した隙間以上の長さにする
と効果的に樹脂６の充填を行うことができる。例えば、
隙間が１ｍｍである場合は、樹脂注入部９を縦横５ｍｍ
程度に形成する。
【００１５】凹部１２の底面部には、半導体パッケージ
２の底面に設けられている図示されていない複数の電極
に対応させて複数のパッド４が形成されている。これら
複数のパッド４は、それぞれスルーホール５を介して基
板１の裏面の複数のパッド７に電気的に接続されてい
る。基板１の裏面には複数のパッド７および所定の配線
パターン８による信号層が形成されている。
２の底面に設けられている図示されていない複数の電極
に対応させて複数のパッド４が形成されている。これら
複数のパッド４は、それぞれスルーホール５を介して基
板１の裏面の複数のパッド７に電気的に接続されてい
る。基板１の裏面には複数のパッド７および所定の配線
パターン８による信号層が形成されている。
【００１６】半導体パッケージ２は、マイクロプロセッ
サやメモリなど所定の機能を有するＣＳＰやベアチップ
などであり、底面には図示されていない複数の電極が設
けられている。
サやメモリなど所定の機能を有するＣＳＰやベアチップ
などであり、底面には図示されていない複数の電極が設
けられている。
【００１７】基板１に半導体パッケージ２を実装する場
合、半導体パッケージ２の複数の電極と凹部１２の底面
部の複数のパッド４とをはんだボール３を介してそれぞ
れ電気的に接続する。
合、半導体パッケージ２の複数の電極と凹部１２の底面
部の複数のパッド４とをはんだボール３を介してそれぞ
れ電気的に接続する。
【００１８】具体的には、半導体パッケージ２の各電極
にはんだボール３を形成し、凹部１２における各パッド
４にフラックスを塗り、対応する各はんだボール３と各
パッド４を接触させてリフローで加熱することで接続を
行う。
にはんだボール３を形成し、凹部１２における各パッド
４にフラックスを塗り、対応する各はんだボール３と各
パッド４を接触させてリフローで加熱することで接続を
行う。
【００１９】このように基板１に半導体パッケージ２を
実装した後、適当なディスペンサを用いてエポキシなど
の樹脂６を樹脂注入部９を介して注入し、凹部１２内に
樹脂６を充填させることにより基板１と半導体パッケー
ジ２との接続部を封止する。
実装した後、適当なディスペンサを用いてエポキシなど
の樹脂６を樹脂注入部９を介して注入し、凹部１２内に
樹脂６を充填させることにより基板１と半導体パッケー
ジ２との接続部を封止する。
【００２０】以上述べたように、この基板モジュールは
基板１に凹部１２を形成しておき、この凹部１２に半導
体パッケージ２を実装したあと樹脂６を充填することに
より封止を行う。従って、樹脂封止に必要とされる基板
１の面積は、樹脂注入部９のみで従来のようにダムフレ
ームを用いる場合に比べてはるかに少なくなる。
基板１に凹部１２を形成しておき、この凹部１２に半導
体パッケージ２を実装したあと樹脂６を充填することに
より封止を行う。従って、樹脂封止に必要とされる基板
１の面積は、樹脂注入部９のみで従来のようにダムフレ
ームを用いる場合に比べてはるかに少なくなる。
【００２１】また、半導体パッケージ２が凹部１２に埋
め込まれるように実装されるので、外部からの衝撃に対
して確実に保護され、保護基板１からの半導体パッケー
ジ２の抜け落ち等が少なくなって製造時の歩留りが向上
する。また、半導体パッケージ２が埋め込めれた分だけ
基板モジュール自体も薄くなって高密度実装が可能にな
るため、この基板モジュールを搭載する電子機器等を小
型化することができるようになる。
め込まれるように実装されるので、外部からの衝撃に対
して確実に保護され、保護基板１からの半導体パッケー
ジ２の抜け落ち等が少なくなって製造時の歩留りが向上
する。また、半導体パッケージ２が埋め込めれた分だけ
基板モジュール自体も薄くなって高密度実装が可能にな
るため、この基板モジュールを搭載する電子機器等を小
型化することができるようになる。
【００２２】さらに、樹脂注入部９を介して樹脂６を注
入しているため、樹脂６が凹部１２内に効果的に拡散
し、接続部の隅々まで樹脂６が行き渡るので封止を確実
に行うことができる。
入しているため、樹脂６が凹部１２内に効果的に拡散
し、接続部の隅々まで樹脂６が行き渡るので封止を確実
に行うことができる。
【００２３】ところで、上記実施形態では樹脂注入部９
が一つの場合について説明したが、凹部１２の周辺に複
数個設けるようにしてもよい。図２に示されるように、
凹部１２の周辺を構成する４辺に樹脂注入部１０ａ〜１
０ｄを設けた場合、基板１と半導体パッケージ２との接
続部に応じて各樹脂注入部１０ａ〜１０ｄの樹脂注入量
等を制御して、より効果的に樹脂６の充填を行うことが
できる。また、樹脂注入部９の形状および設置位置は任
意であり、例えば図３に示されるように基板１の表面か
ら見て円形状の樹脂注入部１１ａ〜１１ｄを凹部１２の
周辺の頂点にそれぞれ設けるようにしてもよい。この
他、樹脂注入部９の設置位置、形状および数は必要に応
じて適当に変えることができる。なお、図２および図３
はそれぞれ基板モジュールを半導体パッケージの実装側
から見た図である。
が一つの場合について説明したが、凹部１２の周辺に複
数個設けるようにしてもよい。図２に示されるように、
凹部１２の周辺を構成する４辺に樹脂注入部１０ａ〜１
０ｄを設けた場合、基板１と半導体パッケージ２との接
続部に応じて各樹脂注入部１０ａ〜１０ｄの樹脂注入量
等を制御して、より効果的に樹脂６の充填を行うことが
できる。また、樹脂注入部９の形状および設置位置は任
意であり、例えば図３に示されるように基板１の表面か
ら見て円形状の樹脂注入部１１ａ〜１１ｄを凹部１２の
周辺の頂点にそれぞれ設けるようにしてもよい。この
他、樹脂注入部９の設置位置、形状および数は必要に応
じて適当に変えることができる。なお、図２および図３
はそれぞれ基板モジュールを半導体パッケージの実装側
から見た図である。
【００２４】次に、本発明の他の実施形態について説明
するが、以下では図１と相対応する部分に同一符号を付
して、第１の実施形態との相違点を中心として説明す
る。 （第２の実施形態）図４は、本発明の第２の実施形態に
係る基板モジュールの実装構造を示す図である。本実施
形態は基板の内層に信号層を形成するようにしたもので
ある。
するが、以下では図１と相対応する部分に同一符号を付
して、第１の実施形態との相違点を中心として説明す
る。 （第２の実施形態）図４は、本発明の第２の実施形態に
係る基板モジュールの実装構造を示す図である。本実施
形態は基板の内層に信号層を形成するようにしたもので
ある。
【００２５】具体的には、絶縁性材料で形成された適当
な厚さを有する基板本体３１の表面にパッド７および配
線パターン８による信号層を形成し、この基板本体３１
上に適当な絶縁性材料で絶縁層３２を設けることにより
内層に信号層を有する基板を形成する。
な厚さを有する基板本体３１の表面にパッド７および配
線パターン８による信号層を形成し、この基板本体３１
上に適当な絶縁性材料で絶縁層３２を設けることにより
内層に信号層を有する基板を形成する。
【００２６】絶縁層３２には、第１の実施形態と同様の
凹部１２およびパッド４が設けられており、この凹部１
２の底面部におけるパッド４と基板の内層におけるパッ
ド７とがスルーホール５を介して電気的に接続される。
凹部１２およびパッド４が設けられており、この凹部１
２の底面部におけるパッド４と基板の内層におけるパッ
ド７とがスルーホール５を介して電気的に接続される。
【００２７】このように半導体パッケージ２を凹部１２
に実装した後は、第１の実施形態と同様に樹脂注入部９
を介して樹脂６を凹部１２内に充填することで接続部の
封止を行う。
に実装した後は、第１の実施形態と同様に樹脂注入部９
を介して樹脂６を凹部１２内に充填することで接続部の
封止を行う。
【００２８】このようにして、信号層が基板の内層に設
けられた基板モジュールが得られる。この場合、信号層
が設けられた基板本体３１上に絶縁層３２をさらに設け
ることにより凹部１２を形成しているので、第１の実施
形態のように基板に直接凹部１２を形成する場合に比べ
て製造が容易である。
けられた基板モジュールが得られる。この場合、信号層
が設けられた基板本体３１上に絶縁層３２をさらに設け
ることにより凹部１２を形成しているので、第１の実施
形態のように基板に直接凹部１２を形成する場合に比べ
て製造が容易である。
【００２９】（第３の実施形態）図５は、本発明の第３
の実施形態に係る基板モジュールの構成を示す図で、
（ａ）はこの基板モジュールの実装構造を示す断面図、
（ｂ）はこの基板モジュールを半導体パッケージの実装
側から見た図である。
の実施形態に係る基板モジュールの構成を示す図で、
（ａ）はこの基板モジュールの実装構造を示す断面図、
（ｂ）はこの基板モジュールを半導体パッケージの実装
側から見た図である。
【００３０】本実施形態は、信号層が凹部の底面に露出
するようにしたものである。具体的には、まず図１で示
した基板１よりも薄い、例えば０．６ｍｍ程度の厚さの
基板本体２１の表面に配線パターン２３および複数のパ
ッド２４を設けて信号層を形成する。
するようにしたものである。具体的には、まず図１で示
した基板１よりも薄い、例えば０．６ｍｍ程度の厚さの
基板本体２１の表面に配線パターン２３および複数のパ
ッド２４を設けて信号層を形成する。
【００３１】次に、この基板本体２１の上に適当な絶縁
性材料によって絶縁層２２を設け、これら基板本体２１
および絶縁層２２によって第１の実施形態と同様の形状
を有する凹部２５および樹脂注入部２６が形成されるよ
うにする。
性材料によって絶縁層２２を設け、これら基板本体２１
および絶縁層２２によって第１の実施形態と同様の形状
を有する凹部２５および樹脂注入部２６が形成されるよ
うにする。
【００３２】なお、本実施形態の基板モジュールの厚さ
は、基板本体２１と絶縁層２２とを合わせた厚さである
ことから、絶縁層２２は基板本体２１と合わせて十分な
強度が確保される程度の厚さ、例えば０．６ｍｍ程度に
する。
は、基板本体２１と絶縁層２２とを合わせた厚さである
ことから、絶縁層２２は基板本体２１と合わせて十分な
強度が確保される程度の厚さ、例えば０．６ｍｍ程度に
する。
【００３３】以下は、第１の実施形態と同様に半導体パ
ッケージ２の各電極と基板本体２１上の各パッド２４と
を複数のはんだボール３で接続することにより半導体パ
ッケージ２を実装し、樹脂注入部２６を介して樹脂６を
注入して接続部の封止を行う。
ッケージ２の各電極と基板本体２１上の各パッド２４と
を複数のはんだボール３で接続することにより半導体パ
ッケージ２を実装し、樹脂注入部２６を介して樹脂６を
注入して接続部の封止を行う。
【００３４】このようにして、凹部２５の底面に信号層
が露出した基板モジュールが得られる。この場合、第１
および第２の実施形態のように基板にスルーホールを設
ける必要がないので構造が簡単になり、製造コストを低
下させることができる。
が露出した基板モジュールが得られる。この場合、第１
および第２の実施形態のように基板にスルーホールを設
ける必要がないので構造が簡単になり、製造コストを低
下させることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、凹
部に樹脂を充填することで封止が行われるので、従来の
ようにダムフレームを用いる場合に比べて樹脂封止に必
要とされる基板面積が少なくなる。
部に樹脂を充填することで封止が行われるので、従来の
ようにダムフレームを用いる場合に比べて樹脂封止に必
要とされる基板面積が少なくなる。
【００３６】また、凹部に半導体パッケージが埋め込ま
れるように実装されるため、高密度実装が可能になると
共に、基板からの半導体パッケージの抜け落ち等が少な
くなって製造時の歩留りが向上する。さらに、樹脂注入
部を介して樹脂を充填しているので、樹脂が凹部に効果
的に拡散して封止を確実に行うことができる。
れるように実装されるため、高密度実装が可能になると
共に、基板からの半導体パッケージの抜け落ち等が少な
くなって製造時の歩留りが向上する。さらに、樹脂注入
部を介して樹脂を充填しているので、樹脂が凹部に効果
的に拡散して封止を確実に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板モジュール
の構成を示す図
の構成を示す図
【図２】図１中の樹脂注入部の別の例を示す図
【図３】図１中の樹脂注入部のさらに別の例を示す図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る基板モジュール
の実装構造を示す断面図
の実装構造を示す断面図
【図５】本発明の第３の実施形態に係る基板モジュール
の構成を示す図
の構成を示す図
【図６】従来の基板モジュールの構成を示す図
１…基板 ２…半導体パッケージ ３…はんだボール ４…パッド ５…スルーホール ６…樹脂 ７…パッド ８…配線パターン ９…樹脂注入部 １０ａ〜１０ｄ…樹脂注入部 １１ａ〜１１ｄ…樹脂注入部 １２…凹部 ２１…基板本体 ２２…絶縁層 ２３…配線パターン ２４…パッド ２５…凹部 ２６…樹脂注入部 ３１…基板本体 ３２…絶縁層 １０１…基板 １０２…半導体パッケージ １０３…はんだボール １０４…パッド １０５…配線パターン １０６…ダムフレーム １０７…樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】半導体パッケージと、 前記半導体パッケージが実装される凹部を有する基板
と、 前記凹部の周辺から連続して形成される樹脂注入部と、 前記樹脂注入部を介して前記凹部内に充填される樹脂と
を具備することを特徴とする基板モジュール。 - 【請求項２】前記樹脂注入部は複数個設けられることを
特徴とする請求項１記載の基板モジュール。 - 【請求項３】前記半導体パッケージの底面には複数の電
極が設けられ、前記凹部の底面部には前記半導体パッケ
ージの電極にそれぞれ電気的に接続されるパッドが設け
られ、この複数のパッドは前記基板の信号層に電気的に
接続されることを特徴とする請求項２記載の基板モジュ
ール。 - 【請求項４】前記信号層は前記基板の内層に設けられ、
前記パッドはスルーホールを介して前記信号層に電気的
に接続されることを特徴とする請求項３記載の基板モジ
ュール。 - 【請求項５】前記半導体パッケージの底面には複数の電
極が設けられ、前記凹部の底面には前記電極にそれぞれ
電気的に接続する信号層が露出していることを特徴とす
る請求項２記載の基板モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8247797A JPH1092970A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 基板モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8247797A JPH1092970A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 基板モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092970A true JPH1092970A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17168804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8247797A Pending JPH1092970A (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 基板モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092970A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002078078A3 (en) * | 2001-03-26 | 2003-12-18 | Intel Corp | Dispensing process for fabrication of microelectronic packages |
| JP2006100459A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電子回路モジュール部品及びその製造方法 |
| US7078788B2 (en) | 2000-08-16 | 2006-07-18 | Intel Corporation | Microelectronic substrates with integrated devices |
| EP2003748A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Laser diode attachment holder |
| WO2014045139A1 (en) * | 2012-09-18 | 2014-03-27 | Assa Abloy Ab | Method of protecting an electrical component in a laminate |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP8247797A patent/JPH1092970A/ja active Pending
Cited By (7)
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| US9358722B2 (en) | 2012-09-18 | 2016-06-07 | Assa Abloy Ab | Method of protecting an electrical component in a laminate |
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