JPH1046113A - 低温接着性のフィルム状接着剤、それを用いたリードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】（ａ）Ｔｇ：５０〜２５０℃の接着剤樹
脂、及び前記接着剤樹脂１００重量部に対し溶剤０．５
〜１２重量部を含む接着剤層から成るフィルム状接着
剤；（ｂ）Ｔｇ：５０〜２５０℃の接着剤樹脂１００重
量部、溶剤０．５〜１２重量部、及びカップリング剤０
〜１０重量部を含む接着剤層から成るフィルム状接着
剤；あるいは、（ｃ）フィルム状基材の少なくとも片面
に、上記フィルム状接着剤が接してなる複層のフィルム
状接着剤。これらのフィルム状接着剤は、リードフレー
ムと半導体チップとを接着させる接合部材として、用い
られる。 【効果】本発明のフィルム状接着剤は低温で接着可能で
ある。そのため、特に銅フレームを用いる半導体パッケ
ージの接着部材に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の接着部材に使われる低温接着性のフィルム状接着剤、
それを用いたリードフレーム及び半導体装置に関する。
本発明のフィルム状接着剤は、特に、銅リードフレーム
を用いた半導体パッケージに好適に用いられる。

【０００２】

【従来の技術】半導体パッケージでは、フィルム状基材
の片側又は両側に接着剤を塗布した複合接着フィルム
（又は接着テープ）が、ＬＯＣ(lead on chip)構造、Ｃ
ＯＬ(chip on lead)構造又は枠タブ構造等においてリー
ドフレームと半導体チップの接続のため、また、放熱板
付き複合リードフレームにおいてはインナーリードとヒ
ートスプレッダの接続のための接合部材として用いられ
ている。

【０００３】また、半導体用リードフレームと半導体チ
ップを接合させる接着剤としては、従来、エポキシ系や
ゴム変成エポキシ系等の熱硬化性接着剤、あるいはポリ
イミドやポリアミドイミド等の耐熱性ホットメルト接着
剤が使用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、エポキシ系や
ゴム変成エポキシ系等の熱硬化性接着剤は、優れた接着
力を有するものの耐熱性に劣り、かつ、アウトガスによ
る半導体チップの汚染の問題がある。耐熱性ホットメル
ト接着剤はアウトガスを発生せず、半導体チップを汚染
しないことから注目されているが、十分な接着強度を得
るための接着温度が高く、熱応力による半導体チップの
損傷や熱劣化等の問題がある。半導体パッケージの高密
度化と半導体チップの大型化に伴って、上記の問題は深
刻となっている。

【０００５】また、リードフレームの材質が銅である場
合、接合時の熱によって銅の表面が酸化され、その結
果、パッケージクラックが発生する問題がある。そこ
で、低温で接着でき、アウトガスの発生のない接着剤が
望まれている。本発明は、このような問題を解決し、低
温接着が可能で、アウトガスの発生がなく、かつ耐リフ
ロークラック性にも優れたフィルム状接着剤、それを用
いたリードフレーム及び半導体装置を提供するものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するため種々検討した結果、特定の性能の耐熱
性樹脂を用いると共に、接着剤中に溶剤を所定量残存さ
せると、低温接着が可能で、アウトガス発生のないフィ
ルム状接着剤が得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。すなわち、本発明は、先ず、下記の低温接
着性の単層のフィルム状接着剤である。 （ａ）ガラス転移温度（Ｔｇ）５０〜２５０℃の接着剤
樹脂、及び前記接着剤樹脂１００重量部に対し溶剤０．
５〜１２重量部を含む接着剤層から成るフィルム状接着
剤。 （ｂ）ガラス転移温度（Ｔｇ）５０〜２５０℃の接着剤
樹脂１００重量部、溶剤０．５〜１２重量部、及びカッ
プリング剤０〜１０重量部を含む接着剤層から成るフィ
ルム状接着剤。

【０００７】ここで使用する接着剤樹脂は、ガラス転移
温度（Ｔｇ）が５０〜２５０℃のもの、好ましくは１５
０〜２３０℃のものを用いる。このような接着剤樹脂と
しては、耐熱性熱可塑性樹脂又はこれを主成分とする耐
熱性接着剤樹脂があり、耐熱性熱可塑性樹脂としてはポ
リイミド樹脂、ポリアミド樹脂を挙げることができる。
ここでポリイミド樹脂とはポリアミドイミド、ポリエス
テルイミド、ポリエーテルイミド等のイミド基を有する
樹脂を含む。

【０００８】本発明の単層フィルム状接着剤において、
存在する（又は残存する）溶剤の量は、接着剤樹脂１０
０重量部に対し０．５〜１２重量部、好ましくは１．０
〜１０重量部である。溶剤量が０．５重量部未満では低
温での接着効果が少なく、１２重量部を越えると接着時
に発泡が起こり、好ましくない。前記溶剤の種類は、接
着剤樹脂液（ワニス）の調製に用いられる有機溶剤で、
接着剤樹脂を均一に溶解できるものであれば特に制限は
ない。例えば、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
モノグライム、ジグライム、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ
アセテート、シクロヘキサノン、ブチルラクトン等の溶
剤が使用される。これらは、２以上の混合溶剤であって
もよい。単層フィルム状接着剤中における溶剤の量は、
通常、その単層フィルム状接着剤の製造（下記）の際に
おける加熱・乾燥の条件を、適宜、選択することにより
調節することができる。

【０００９】単層フィルム状接着剤の製造は、次のよう
にして行う。まず、接着剤樹脂を有機溶剤で溶解する。
用いる有機溶剤としては、上記したように接着剤樹脂を
均一に溶解できるものであれば特に制限はない。先に挙
げたような有機溶剤の１種又は２種以上の混合溶剤を用
いることができる。これに、好ましくはカップリング剤
を、接着剤樹脂１００重量部に対して０〜１０重量部加
え、混合する。カップリング剤の添加量が１０重量部を
越えると得られるフィルム状接着剤のぬれ性が悪く、接
着力も低下する。

【００１０】カップリング剤としては、シランカップリ
ング剤、すなわち、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキ
シシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エ
チルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メ
タクリロキシメトキシシラン等のビニルシラン、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン、等のメルカプトシラ
ン、等のほかに、チタネート、アルミキレート、ジルコ
アルミネート等のカップリング剤があり、これらの中で
シランカップリング剤が好ましく用いられ、エポキシシ
ラン系カップリング剤が特に好ましく用いられる。必要
に応じて、更にゴム粒子、樹脂粒子、セラミック粉、ガ
ラス粉、銀粉、銅粉等のフィラー、その他の添加剤を加
え、混合してもよい。

【００１１】得られた混合液（又は混合物）を、ガラス
板、ステンレス板等の平板上、あるいはポリエステル製
フィルム（又はシート）等のフィルム（又はシート）上
に均一に塗布する。この際の塗布方法は特に制限するも
のではない。例えば、ドクターブレードやナイフコータ
ー、ダイコーター等の方法で塗布することができる。塗
布後、溶剤が所定量残存するような条件で加熱・乾燥
し、その後室温に冷やしたのち、フィルム状接着剤を平
板又はフィルム（又はシート）から剥がすと単層のフィ
ルム状接着剤が得られる。ここで加熱・乾燥の条件は、
接着剤樹脂ワニスがポリアミド酸ワニスであるか、ポリ
イミドワニスであるかで異なってくる。接着剤樹脂ワニ
スがポリアミド酸ワニスの場合には、樹脂をイミド化さ
せるためＴｇ以上の温度が必要であり、ポリイミドワニ
スの場合には溶剤を蒸発、揮散できる温度であればよ
い。加熱・乾燥の時間は、実験等により決定すればよ
い。

【００１２】別の製造方法として、ガラス布、炭素繊維
布、ポリアラミド布等のフィルム状（又はシート状）の
通気性クロスに、前記混合液（又は混合物）を含浸さ
せ、これを加熱・乾燥させる方法もある。得られるもの
は複合接着テープとも呼ばれるものであるが、本発明で
は単層のフィルム状接着剤に含む意味で用いる。

【００１３】本発明は、また、 （ｃ）フィルム状基材の少なくとも片面に、前記（ａ）
又は（ｂ）のいずれかのフィルム状接着剤が接してな
る、複層（基材も一層として数える。）のフィルム状接
着剤、に関する。ここで、用いられる基材としては、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリア
リレート等のエンジニアリングプラスチックの耐熱性フ
ィルム、銅箔、アルミ箔、ステンレス箔等の金属箔等で
ある。

【００１４】前記耐熱性フィルムは、接着剤樹脂のＴｇ
よりも高いＴｇをもつフィルムが使用される。用いる接
着剤樹脂のＴｇに応じて選択すればよいが、通常は２０
０℃以上、好ましくは２５０℃以上のものを使用する。
また、この耐熱性フィルムは、吸水率が２重量％以下の
もの、熱膨張係数が３×１０^-5／℃以下のものが更に好
ましい。このような特性を満たす耐熱性フィルムの一つ
は、ポリイミドフィルムである。

【００１５】耐熱性フィルムは接着剤樹脂との接着性を
増すために表面処理を施すことが好ましい。表面処理の
方法としては、アルカリ処理、シランカップリング処理
等の化学処理、サンドブラスト等の物理的処理、プラズ
マ処理、コロナ処理等のいずれの処理も使用可能であ
る。接着剤樹脂の種類に応じて最も適した処理を用いれ
ばよいが、化学処理またはプラズマ処理が特に適してい
る。

【００１６】本発明の複層のフィルム状接着剤の製造
は、次のようにして行うことができる。まず、接着剤樹
脂を有機溶剤で溶解する。用いる有機溶剤としては、単
層フィルム状接着剤の製造と同様、接着剤樹脂を均一に
溶解できるものであれば特に制限はない。先に挙げたよ
うな有機溶剤の１種又は２種以上の混合溶剤を用いるこ
とができる。この溶解液に、好ましくはカップリング剤
を接着剤樹脂１００重量部に対して０〜１０重量部加
え、混合する。カップリング剤の添加量が１０重量部を
越えると得られるフィルム状接着剤のぬれ性が悪く、接
着力も低下することは先に述べた通りである。

【００１７】用いることができるカップリング剤は、先
に述べたものと同じである。必要に応じて更にゴム粒
子、樹脂粒子、セラミック粉、ガラス粉、銀粉、銅粉等
のフィラー、その他の添加剤を加え、混合する。得られ
た混合液（又は混合物）を、前記のポリイミド等の耐熱
性フィルム、又は銅箔等の金属箔の片面又は両面に均一
に塗布する。塗布方法は、前記したように、例えば、ド
クターブレードやナイフコーター、ダイコーター等の方
法で塗布することができる。基材（耐熱性フィルム又は
金属箔）をワニス液中に通すことによっても行うことが
できるが、接着剤樹脂の厚みの制御は難しい。塗布後、
溶剤が所定量残存するような条件で加熱・乾燥し、その
後室温に冷やすと複層のフィルム状接着剤が得られる。
加熱・乾燥の条件は前記単層のフィルム状接着剤の条件
と同様である。なお、基材の両面に耐熱性接着剤ワニス
を塗布する場合、両側に塗布される耐熱性接着剤は同一
でも異なっていてもよい。

【００１８】本発明は、更に （ｄ）上記の単層のフィルム状接着剤又は複層のフィル
ム状接着剤が接着されているリードフレーム、 （ｅ）リードフレームと半導体チップとを、直接に上記
（ａ）〜（ｃ）のいずれかのフィルム状接着剤で接着さ
せた半導体装置、及び （ｆ）リードフレームと半導体チップとを、上記（１）
〜（３）以外のダイボンド材を介し、上記（１）〜
（３）のいずれかのフィルム状接着剤で接着させた半導
体装置、にも関する。すなわち、本発明の単層フィルム
状接着剤又は複層のフィルム状接着剤を用いて、銅表面
の酸化防止が可能な比較的低い温度、すなわち、１５０
〜３００℃で、リードフレームと半導体チップとの接着
作業を行うことができ、従って、信頼性に優れた半導体
装置を製造することができる。例えば一つの方法は、本
発明のフィルム状接着剤を所定の大きさに打ち抜き、得
られたフィルム片をリードフレームと半導体チップの間
に挾み、１５０〜３００℃、０．０１〜１０Mpaで、
０．１〜１０秒間加圧接着させ、その後リードフレーム
と半導体チップとを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の
成型材料でトランスファー成型して封止し、半導体装置
を製造することができる（図１）。別の方法は、所定の
大きさに打ち抜いた本発明のフィルム状接着剤片をリー
ドフレームに加圧接着させ、次いでこれに半導体チップ
を載せて加圧接着させ、その後リードフレームと半導体
チップとを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の成型材料
で封止し、半導体装置を製造することができる（図
２）。また他の方法は、所定の大きさに打ち抜いた本発
明のフィルム状接着剤片をリードフレームに加圧接着さ
せ、次いでフィルム状接着剤の所定の部分に本発明のフ
ィルム状接着剤以外のダイボンド材（銀ペースト、ダイ
ボンドフィルム等）を載せ、これに半導体チップを載せ
て加圧接着させ、その後リードフレームと半導体チップ
とを金線等で接合し、エポキシ樹脂等の成型材料で封止
し、半導体装置を製造することもできる（図３）。図１
はＬＯＣ構造の半導体パッケージの断面模式図を示し、
図２は本発明のフィルム状接着剤と半導体チップの接着
が直接的であるヒートスプレッダ付き半導体パッケージ
の断面模式図を示し、図３は本発明のフィルム状接着剤
と半導体チップの接着はダイボンド材を介したものであ
るヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面模式図
を示す。

【００１９】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，１２−ジアミノドデカン／１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルシロキサン＝１００／７５／
２０／５（モル比）からなるＴｇが１９０℃のポリアミ
ドイミド樹脂１００ｇ、γーグリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン〔以下、ＣＰＬと略す〕５ｇをＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す。）３００
ｇに溶解してワニスを作製した。このワニスをポリイミ
ドフィルム（基材）の両面に乾燥後の厚さが２５μｍに
なるように塗工し、片面を１００℃で１０分ずつ乾燥し
た後、２２０℃で１０分乾燥し、三層のフィルム状接着
剤（接着テープ）を作製した。この接着テープの接着剤
層中の残存溶剤量は０．８重量％（ポリアミドイミド樹
脂１００重量部に対して０．８１重量部）であった。な
お、接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は、３００℃
で３０分間、乾燥し、乾燥前後の重量変化を測定し、ポ
リイミドフィルム（基材）の重量を補正して、算出し
た。

【００２０】この接着テープを銅板に３００℃又は２５
０℃、３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付け、９０度引き剥
がし強さ（ピール）を測定したところ、それぞれ１．０
ｋｇ／ｃｍ及び０．６ｋｇ／ｃｍであった。この接着テ
ープを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップ
を接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問
題はなかった。次いで、封止材でモールドして図１に示
すＬＯＣパッケージを作製した。８５℃、相対湿度８５
％の条件で１６８ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４５℃のＩ
Ｒ炉でリフローを行ったところ、クラックは生じなかっ
た。

【００２１】実施例２ 乾燥条件を１７５℃で１０分にする以外は、実施例１と
同様にして三層の接着テープを作製した。この接着テー
プの接着剤層中の残存溶剤量は５．９重量％（ポリアミ
ドイミド樹脂１００重量部に対して６．３重量部）であ
った。この接着テープを銅板に３００℃又は２５０℃、
３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付け、９０度引き剥がし強
さ（ピール）を測定したところ、それぞれ１．３ｋｇ／
ｃｍ及び０．９ｋｇ／ｃｍであった。この接着テープを
銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着
させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はな
かった。封止材でモールドして図１に示すＬＯＣパッケ
ージを作製した。８５℃、相対湿度８５％の条件で１６
８ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフロー
を行ったところ、クラックは生じなかった。

【００２２】実施例３ 乾燥条件を１５０℃で１０分にする以外は実施例１と同
様にして三層のフィルム状接着剤（接着テープ）を作製
した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は９．
１重量％（ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して
１０．０重量部）であった。この接着テープを銅板に３
００℃又は２５０℃、３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付け
て９０度引き剥がし強さ（ピール）を測定したところ、
それぞれ１．６ｋｇ／ｃｍ及び１．１ｋｇ／ｃｍであっ
た。この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた
後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボ
ンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして
図１に示すＬＯＣパッケージを作製した。８５℃、相対
湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４
５℃のＩＲ炉でリフローを行ったところ、クラックは生
じなかった。

【００２３】（比較例１）乾燥条件を３００℃で１０分
にする以外は実施例１と同様にして三層のフィルム状接
着剤（接着テープ）を作製した。この接着テープの接着
剤層中の残存溶剤量は０．０１重量％以下（ポリアミド
イミド樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以下）
であった。この接着テープを銅板に３００℃又は２５０
℃、３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付けて９０度引き剥が
し強さ（ピール）を測定したところ、それぞれ０．６ｋ
ｇ／ｃｍ及び０．２ｋｇ／ｃｍであった。この接着テー
プを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを
接着させた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題
はなかった。封止材でモールドして図１に示すＬＯＣパ
ッケージを作製した。８５℃、相対湿度８５％の条件で
１６８ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフ
ローを行ったところ、クラックは生じなかった。

【００２４】（比較例２）乾燥条件を１００℃で１０分
にする以外は実施例１と同様にして三層のフィルム状接
着剤（接着テープ）を作製した。この接着テープの接着
剤層中の残存溶剤量は１５．３重量％（ポリアミドイミ
ド樹脂１００重量部に対して１８．１重量部）であっ
た。この接着テープを銅板に３００℃又は２５０℃、３
ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付ようとしたところ、発泡が
著しく良好な接着面が得られなかった。

【００２５】（比較例３）エポキシ系接着剤を用いた三
層のフィルム状接着剤（接着テープ）を２００℃で銅リ
ードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着さ
せ、２３０℃で９０分間、後硬化させた。金線を用いて
ワイヤボンドしたところ、インナリードがアウトガスに
よって汚染されたためワイヤボンド不良が多発した。封
止材でモールドして図１に示すＬＯＣパッケージを作製
した。８５℃、相対湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿さ
せた後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを行ったと
ころ、リードフレームと封止材間に剥離が生じたため、
クラックが生じた。

【００２６】実施例４ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルシロ
キサン＝１００／９５／５（モル比）からなるＴｇが２
２５℃のポリアミドイミド樹脂１００ｇ及びＣＰＬ３ｇ
をＮ−メチルピロリドン３００ｇに溶解し、ワニスを作
製した。このワニスをポリイミドフィルム（基材）の両
面に、乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工し、２
３０℃で２０分間乾燥して三層のフィルム状接着剤（接
着テープ）を作製した。この接着テープの接着剤層中の
残存溶剤量は１．２重量％（ポリアミドイミド樹脂１０
０重量部に対して１．２重量部）であった。この接着テ
ープを銅板に３００℃又は２５０℃、３ＭＰａ、３ｓの
条件で貼り付けて９０度引き剥がし強さ（ピール）を測
定したところ、それぞれ１．０ｋｇ／ｃｍ及び０．５ｋ
ｇ／ｃｍであった。この接着テープを銅リードフレーム
に貼り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用
いてワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材で
モールドして図１に示すＬＯＣパッケージを作製した。
８５℃、相対湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿させた
後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを行ったとこ
ろ、クラックは生じなかった。

【００２７】実施例５ 乾燥条件を１６０℃で１５分にする以外は実施例４と同
様にして三層のフィルム状接着剤（接着テープ）を作製
した。この接着テープの接着剤層中の残存溶剤量は５．
０重量％（ポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して
５．３重量部）であった。この接着テープを銅板に３０
０℃又は２５０℃、３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付けて
９０度引き剥がし強さ（ピール）を測定したところ、そ
れぞれ１．２ｋｇ／ｃｍ及び０．７ｋｇ／ｃｍであっ
た。この接着テープを銅リードフレームに貼り付けた
後、半導体チップを接着させた。金線を用いてワイヤボ
ンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして
図１に示すＬＯＣパッケージを作製した。８５℃、相対
湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４
５℃のＩＲ炉でリフローを行ったところ、クラックは生
じなかった。

【００２８】実施例６ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，１２−ジアミノドデカン／１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルシロキサン＝１００／７５／
２０／５（モル比）からなるＴｇ１９０℃のポリアミド
イミド樹脂１００ｇ及びＣＰＬ５ｇをＤＭＦ３００ｇに
溶解してワニスを作製した。このワニスをポリエステル
フィルム（基材）に乾燥後の厚さが４０μｍになるよう
に塗工し、１００℃で１０分乾燥した後、これを剥がし
て金枠にとめ、更に１８０℃で１０分乾燥し、単層のフ
ィルム状接着剤（接着テープ）とした。この接着テープ
の接着剤層中の残存溶剤量は５．０重量％（ポリアミド
イミド樹脂１００重量部に対して５．３重量部）であっ
た。この接着テープを銅板に３００℃又は２５０℃、３
ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付けて９０度引き剥がし強さ
（ピール）を測定したところ、それぞれ１．２ｋｇ／ｃ
ｍ及び０．８ｋｇ／ｃｍであった。この接着テープを銅
リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを接着さ
せた。金線を用いてワイヤボンドしたところ問題はなか
った。封止材でモールドして図１に示すＬＯＣパッケー
ジを作製した。８５℃、相対湿度８５％の条件で１６８
ｈ吸湿させた後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを
行ったところ、クラックは生じなかった。

【００２９】実施例７ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，１２−ジアミノドデカン／１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルシロキサン＝１００／７５／
２０／５（モル比）からなるＴｇ１９０℃のポリアミド
イミド樹脂１００ｇ及びＣＰＬ５ｇをＤＭＦ３００ｇに
溶解してワニスを作製した。このワニスを厚さ１０５μ
ｍの両面粗化銅箔の片面に乾燥後の厚さが２０μｍにな
るように塗工し、１６０℃で１０分乾燥して接着剤付き
銅箔（接着テープ）を作製した。この接着テープの接着
剤層中の残存溶剤量は６．５重量％（ポリアミドイミド
樹脂１００重量部に対して７．０重量部）であった。こ
の接着テープを銅板に３００℃又は２５０℃、３ＭＰ
ａ、３ｓの条件で貼り付けて９０度引き剥がし強さ（ピ
ール）を測定したところ、それぞれ１．５ｋｇ／ｃｍ及
び０．９ｋｇ／ｃｍであった。この接着テープを銅リー
ドフレームに貼り付けた後、半導体チップを銀ペースト
を用いて接着剤面に接着させた。金線を用いてワイヤボ
ンドしたところ問題はなかった。封止材でモールドして
図３に示すヒートスプレッダ付き半導体パッケージを作
製した。８５℃、相対湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿
した後、Ｍａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを行ったと
ころ、クラックは生じなかった。

【００３０】実施例８ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，１２−ジアミノドデカン／１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルシロキサン＝１００／７５／
２０／５（モル比）からなるＴｇ１９０℃のポリアミド
イミド樹脂１００ｇ、ＣＰＬ５ｇ及びシリコンゴムフィ
ラー４０ｇをＤＭＦ３００ｇに溶解してワニスを作製し
た。このワニスをポリイミドフィルム（基材）の両面
に、乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工し、１７
０℃で１０分乾燥して三層のフィルム状接着剤（接着テ
ープ）を作製した。この接着テープの接着剤層中の残存
溶剤量は４．８重量％（ポリアミドイミド樹脂１００重
量部に対して５．０重量部）であった。この接着テープ
を銅板に３００℃又は２５０℃、３ＭＰａ、３ｓの条件
で貼り付けて９０度引き剥がし強さ（ピール）を測定し
たところ、それぞれ１．２ｋｇ／ｃｍ及び０．８ｋｇ／
ｃｍであった。この接着テープを銅リードフレームに貼
り付けた後、半導体チップを接着させた。金線を用いて
ワイヤボンドしたところ問題はなかった。封止材でモー
ルドして図１に示すＬＯＣパッケージを作製した。８５
℃、相対湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿させた後、Ｍ
ａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを行ったところ、クラ
ックは生じなかった。

【００３１】実施例９ トリメリット酸無水物モノクロライド／２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン／
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルシロ
キサン＝１００／７０／３０（モル比）からなるＴｇが
１８０℃のポリアミドイミド樹脂１００ｇ及びシリコン
ゴムフィラー６５ｇをＮ−メチルピロリドン３００ｇに
溶解し、ワニスを作製した。このワニスを厚さ１０５μ
ｍの両面粗化銅箔（基材）の片面に、乾燥後の厚さが２
０μｍになるように塗工し、１６０℃で１０分乾燥して
接着剤付き銅箔（接着テープ）を作製した。この接着テ
ープの接着剤層中の残存溶剤量は５．２重量％（ポリア
ミドイミド樹脂１００重量部に対して５．５重量部）で
あった。この接着テープを銅板に３００℃又は２５０
℃、３ＭＰａ、３ｓの条件で貼り付けて９０度引き剥が
し強さ（ピール）を測定したところ、それぞれ１．５ｋ
ｇ／ｃｍ及び１．１ｋｇ／ｃｍであった。この接着テー
プを銅リードフレームに貼り付けた後、半導体チップを
接着させた。銅リードフレームに貼り付けた際、反りは
見られなかった。金線を用いてワイヤボンドしたところ
問題はなかった。封止材でモールドして図２に示すヒー
トスプレッダ付き半導体パッケージを作製した。８５
℃、相対湿度８５％の条件で１６８ｈ吸湿させた後、Ｍ
ａｘ２４５℃のＩＲ炉でリフローを行ったところ、クラ
ックは生じなかった。

【００３２】

【発明の効果】本発明のフィルム状接着剤は低温で接着
可能である。そのため、特に銅フレームを用いる半導体
パッケージの接着部材に有用である。また、本発明のフ
ィルム状接着剤を用いた半導体装置は、信頼性が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＬＯＣ構造の半導体パッケージの断面模式図で
ある。

【図２】ヒートスプレッダ付き半導体パッケージの断面
模式図である。

【図３】ダイボンド材を介して半導体チップとリードフ
レームとを接着させたヒートスプレッダ付き半導体パッ
ケージの断面模式図である。

【符号の説明】

１…フィルム状接着剤 １ａ…接着剤層 １ｂ…ヒートスプレッダー ２…半導体チップ ３…リードフレーム ４…ワイヤ ５…封止材 ６…ダイボンド材

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラス転移温度（Ｔｇ）５０〜２５０℃の
   接着剤樹脂、及び前記接着剤樹脂１００重量部に対し溶
   剤０．５〜１２重量部を含む接着剤層から成るフィルム
   状接着剤。
2. 【請求項２】ガラス転移温度（Ｔｇ）５０〜２５０℃の
   接着剤樹脂１００重量部、溶剤０．５〜１２重量部、及
   びカップリング剤０〜１０重量部を含む接着剤層から成
   るフィルム状接着剤。
3. 【請求項３】フィルム状基材の少なくとも片面に、請求
   項１又は２のいずれかのフィルム状接着剤が接してな
   る、複層のフィルム状接着剤。
4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれかのフィルム状接着
   剤が接着されているリードフレーム。
5. 【請求項５】リードフレームと半導体チップとを、直接
   に請求項１〜３のいずれかのフィルム状接着剤で接着さ
   せた半導体装置。
6. 【請求項６】リードフレームと半導体チップとを、請求
   項１〜３以外のダイボンド材を介し、請求項１〜３のい
   ずれかのフィルム状接着剤で接着させた半導体装置。