JPH10293328A - Method for manufacturing reflective guest-host liquid crystal display device - Google Patents
Method for manufacturing reflective guest-host liquid crystal display deviceInfo
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- JPH10293328A JPH10293328A JP9116153A JP11615397A JPH10293328A JP H10293328 A JPH10293328 A JP H10293328A JP 9116153 A JP9116153 A JP 9116153A JP 11615397 A JP11615397 A JP 11615397A JP H10293328 A JPH10293328 A JP H10293328A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法
において、四分の一波長板層にダメージを与えることな
くその上に液晶の配向層を形成する。
【解決手段】 まず、基板2に光反射層8を形成する。
この光反射層8の上に一軸配向した高分子液晶からなる
四分の一波長板層9を形成する。この四分の一波長板層
9の上に画素電極11を形成する。更に、画素電極11
の上及び画素電極11の間に露出した四分の一波長板層
9の上にトリエチレングリコールジメチルエーテルを溶
媒にした垂直配向剤を塗工して配向層12を形成する。
この後、あらかじめ対向電極6が形成された基板1を所
定の間隙を介して基板2に接合する。最後に、二色性色
素を含有したゲストホスト液晶3を両基板1,2の間隙
に注入する。
(57) Abstract: In a method of manufacturing a reflection type guest-host liquid crystal display device, an alignment layer of liquid crystal is formed thereon without damaging a quarter-wave plate layer. A light reflection layer is formed on a substrate.
A quarter-wave plate layer 9 made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal is formed on the light reflection layer 8. The pixel electrode 11 is formed on the quarter-wave plate layer 9. Further, the pixel electrode 11
A vertical alignment agent using triethylene glycol dimethyl ether as a solvent is applied on the quarter-wave plate layer 9 exposed between the pixel electrodes 11 to form an alignment layer 12.
Thereafter, the substrate 1 on which the counter electrode 6 is formed in advance is bonded to the substrate 2 via a predetermined gap. Finally, a guest-host liquid crystal 3 containing a dichroic dye is injected into the gap between the substrates 1 and 2.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、偏光
変換素子として四分の一波長板層をパネル内に集積形成
して入射光の利用効率を改善する技術に関する。更に詳
しくは、耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の上に配向層
を安定して形成する技術に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a reflection type guest-host liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a technology for improving the utilization efficiency of incident light by forming a quarter-wave plate layer as a polarization conversion element in a panel. More specifically, the present invention relates to a technique for stably forming an alignment layer on a quarter-wave plate layer having poor solvent resistance.
【0002】[0002]
【従来の技術】偏光変換素子として四分の一波長板層を
パネル内に内蔵した反射型ゲストホスト液晶表示装置が
知られており、例えば特開平6−222351号公報に
開示されている。図7に示す様に、このゲストホスト液
晶表示装置101は上下一対の基板102及び103を
用いて組み立てられている。一対の基板102及び10
3は例えばガラス、石英、プラスチックなどの絶縁性を
有する材料からなり、少くとも上側の基板102は透明
性を有する。基板102及び103間にはネマティック
液晶分子104a及び二色性色素105を含むゲストホ
スト液晶104が介在している。二色性色素105はそ
の分子の長軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを有す
るp型色素である。上側の基板102の内表面102a
には図示しないが、MIMなどの二端子素子やTFTな
どの三端子素子からなるスイッチング素子と、画素電極
106とが形成されている。スイッチング素子と画素電
極106とが形成された上側の基板102の内表面10
2aには、更にポリイミド樹脂などからなる配向層10
7が形成される。この配向層107の表面はネマティッ
ク液晶分子104aを水平配向させる為にラビング処理
が施されている。一方、下側の基板103の内表面10
3aには光反射層108と四分の一波長板層109とが
この順に形成される。四分の一波長板層109は一軸配
向した高分子液晶からなる。これは高分子液晶を加熱
し、別途加熱又は冷却した基板103に付着させて形成
される。又、四分の一波長板層109の表面には対向電
極110と配向層111とがこの順に形成される。配向
層111は上側の配向層107と同様にポリイミド樹脂
などからなり、その表面はラビング処理が施されてい
る。2. Description of the Related Art A reflection type guest-host liquid crystal display device having a quarter-wave plate layer built in a panel as a polarization conversion element is known, and is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-222351. As shown in FIG. 7, the guest-host liquid crystal display device 101 is assembled using a pair of upper and lower substrates 102 and 103. A pair of substrates 102 and 10
Numeral 3 is made of an insulating material such as glass, quartz, plastic, or the like, and at least the upper substrate 102 has transparency. A guest-host liquid crystal 104 including a nematic liquid crystal molecule 104a and a dichroic dye 105 is interposed between the substrates 102 and 103. The dichroic dye 105 is a p-type dye having a transition dipole moment substantially parallel to the long axis of the molecule. Inner surface 102a of upper substrate 102
Although not shown, a switching element including a two-terminal element such as an MIM or a three-terminal element such as a TFT and the pixel electrode 106 are formed. Inner surface 10 of upper substrate 102 on which switching elements and pixel electrodes 106 are formed
2a, an alignment layer 10 made of a polyimide resin or the like is further provided.
7 is formed. The surface of the alignment layer 107 has been subjected to a rubbing process in order to horizontally align the nematic liquid crystal molecules 104a. On the other hand, the inner surface 10 of the lower substrate 103
3a, a light reflection layer 108 and a quarter-wave plate layer 109 are formed in this order. The quarter-wave plate layer 109 is made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal. This is formed by heating a polymer liquid crystal and attaching it to a separately heated or cooled substrate 103. On the surface of the quarter-wave plate layer 109, a counter electrode 110 and an alignment layer 111 are formed in this order. The alignment layer 111 is made of a polyimide resin or the like similarly to the upper alignment layer 107, and its surface is subjected to a rubbing treatment.
【0003】続いて、反射型ゲストホスト液晶表示装置
101を用いて白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説
明する。電圧無印加状態では、液晶分子104aは上下
の配向層107及び111のラビング方向に沿って水平
配向し、二色性色素105も同様に配向する。上側の基
板102側から入射した光がゲストホスト液晶104を
通過すると、入射光のうち二色性色素105の分子の長
軸方向に対して平行な振動面を持つ成分が二色性色素1
05によって吸収される。また、二色性色素105の分
子の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ他の成分はゲ
ストホスト液晶104を通過し、下側の基板103の内
表面103aに形成された四分の一波長板層109で円
偏光とされ、光反射層108で反射する。この時、反射
光の偏光が逆回りとなり、再び四分の一波長板層109
を通過し、二色性色素105の分子の長軸方向に対して
平行な振動面を持つ光に変換される。この光は二色性色
素105によって吸収されるのでほぼ完全な黒色表示と
なる。一方、電圧印加時にはネマティック液晶分子10
4aは電界方向に沿って垂直に配向し、二色性色素10
5も同様に配向する。上側の基板102側から入射した
光は二色性色素105によって吸収されずにゲストホス
ト液晶104を通過し、四分の一波長板層109で実質
的な影響を受けることなく光反射層108で反射する。
反射光は再び四分の一波長板層109を通過し、ゲスト
ホスト液晶104で吸収されずに出射する。従って白色
表示となる。[0005] Next, the operation of the reflective guest-host liquid crystal display device 101 for monochrome display will be briefly described. When no voltage is applied, the liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned along the rubbing direction of the upper and lower alignment layers 107 and 111, and the dichroic dye 105 is similarly aligned. When light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal 104, a component of the incident light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 becomes a dichroic dye 1
05 is absorbed. Other components having a vibration plane perpendicular to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 pass through the guest-host liquid crystal 104 and form a quarter formed on the inner surface 103a of the lower substrate 103. The light is circularly polarized by the one-wavelength plate layer 109 and is reflected by the light reflecting layer 108. At this time, the polarization of the reflected light is reversed, and again the quarter-wave plate layer 109
And is converted into light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105. Since this light is absorbed by the dichroic dye 105, almost complete black display is obtained. On the other hand, when a voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 10
4a are oriented vertically along the direction of the electric field, and the dichroic dye 10
5 is similarly oriented. Light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal 104 without being absorbed by the dichroic dye 105, and passes through the light reflection layer 108 without being substantially affected by the quarter-wave plate layer 109. reflect.
The reflected light passes through the quarter-wave plate layer 109 again and exits without being absorbed by the guest-host liquid crystal 104. Therefore, white display is obtained.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図7に示した従来構造
では四分の一波長板層として一軸配向した高分子液晶を
用いている。この高分子液晶は比較的耐溶剤性に劣り、
極性溶媒などに対して容易に溶解もしくは膨潤し一軸配
向性が失われる。一般に、四分の一波長板層109の上
にはゲストホスト104に対する配向層111が形成さ
れる。例えば、ポリイミド樹脂をn−メチル−2−ピロ
リドン(NMP)やγ−ブチロラクトンなどの溶媒に溶
解した配向剤を塗工し、溶媒を蒸発させてポリイミド樹
脂からなる配向層111を形成している。この場合、四
分の一波長板層109を構成する高分子液晶が配向剤に
含まれる溶媒に溶解してしまい一軸異方性が喪失する恐
れがある。従って、従来の構造では現実的な手段として
ポリビニルアルコール(PVA)を用いた水溶性の配向
剤を用いる他なかった。しかしながら、PVAからなる
配向層は図7に示す様に、液晶分子104aを水平配向
させることはできるが、垂直配向することは不可能であ
る。表示品質から見ると、水平配向タイプのゲストホス
ト液晶表示装置に比べ垂直配向タイプのゲストホスト液
晶表示装置の方がコントラストなどの点で優れているに
も関わらずこれが実現できなかった。即ち、四分の一波
長板層の耐溶剤性に起因して配向剤の選択肢に制限があ
る為、現実的なプロセスで垂直配向タイプのゲストホス
ト液晶表示装置を作成することが困難であった。In the conventional structure shown in FIG. 7, a uniaxially oriented polymer liquid crystal is used as a quarter-wave plate layer. This polymer liquid crystal has relatively poor solvent resistance,
It easily dissolves or swells in a polar solvent or the like and loses uniaxial orientation. Generally, an orientation layer 111 for the guest host 104 is formed on the quarter-wave plate layer 109. For example, an alignment agent in which a polyimide resin is dissolved in a solvent such as n-methyl-2-pyrrolidone (NMP) or γ-butyrolactone is applied, and the solvent is evaporated to form an alignment layer 111 made of the polyimide resin. In this case, the polymer liquid crystal constituting the quarter-wave plate layer 109 may be dissolved in the solvent contained in the alignment agent, and the uniaxial anisotropy may be lost. Therefore, in the conventional structure, there was no alternative but to use a water-soluble alignment agent using polyvinyl alcohol (PVA) as a practical means. However, as shown in FIG. 7, the alignment layer made of PVA can horizontally align the liquid crystal molecules 104a, but cannot vertically align the liquid crystal molecules 104a. From the viewpoint of display quality, the vertical alignment type guest-host liquid crystal display device was not able to be realized in spite of being superior in contrast and the like as compared with the horizontal alignment type guest-host liquid crystal display device. That is, since the choice of the alignment agent is limited due to the solvent resistance of the quarter-wave plate layer, it has been difficult to produce a vertical alignment type guest-host liquid crystal display device by a practical process. .
【0005】[0005]
【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に、以下の手段を講じた。即ち、反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置は本発明に従って以下の工程に
より製造される。まず第1工程で、第1の基板に光反射
層を形成する。第2工程で、該光反射層の上に一軸配向
した高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成する。
第3工程で、該四分の一波長板層の上に電極を形成す
る。第4工程で、該電極の上及び電極の間に露出した四
分の一波長板層の上にトリエチレングリコールジメチル
エーテルを溶媒にした垂直配向剤を塗工して配向層を形
成する。第5工程で、予め電極が形成された第2の基板
を所定の間隙を介して該第1の基板に接合する。第6工
程で、二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙
に注入する。Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, the following measures have been taken. That is, the reflection type guest-host liquid crystal display device is manufactured by the following steps according to the present invention. First, in a first step, a light reflection layer is formed on a first substrate. In the second step, a quarter-wave plate layer made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal is formed on the light reflecting layer.
In a third step, an electrode is formed on the quarter-wave plate layer. In a fourth step, an alignment layer is formed by applying a vertical alignment agent using triethylene glycol dimethyl ether as a solvent on the electrodes and on the quarter wave plate layer exposed between the electrodes. In a fifth step, a second substrate on which electrodes are formed in advance is joined to the first substrate via a predetermined gap. In a sixth step, a guest-host liquid crystal containing a dichroic dye is injected into the gap.
【0006】好ましくは、前記第4工程は、ポリアミッ
ク酸又はポリイミドをトリエチレングリコールジメチル
エーテルに溶解した垂直配向剤を塗工する。又好ましく
は、前記第4工程は垂直配向剤をジエチレングリコール
ジエチルエーテルで希釈した状態で塗工する。更に好ま
しくは、前記第4工程は垂直配向剤を塗工した後35℃
ないし55℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層を
形成する。なお、前記第2工程は例えばアルキル主鎖か
ら分かれた側鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高
分子液晶を成膜して四分の一波長板層を形成する。Preferably, in the fourth step, a vertical alignment agent obtained by dissolving polyamic acid or polyimide in triethylene glycol dimethyl ether is applied. Preferably, in the fourth step, the vertical alignment agent is applied in a state diluted with diethylene glycol diethyl ether. More preferably, the fourth step is performed at 35 ° C. after applying a vertical alignment agent.
Vacuum drying is performed in a temperature range of from about 55 ° C. to about 55 ° C. to form an alignment layer. In the second step, for example, a polymer liquid crystal in which biphenylbenzoate is introduced into a side chain separated from an alkyl main chain is formed to form a quarter-wave plate layer.
【0007】四分の一波長板層を内部に組み込んだ反射
型ゲストホスト液晶表示装置において、ゲストホスト液
晶の配向を規制する為ポリイミドやポリアミック酸など
からなる配向層を使用する。しかし、四分の一波長板層
を構成する高分子液晶(液晶ポリマー)は耐溶剤性の低
いものが多く、従来用いられていたポリイミドやポリア
ミック酸の溶媒であるNMPやγ−ブチロラクトンなど
に溶解してしまう。そこで、本発明では従来の溶媒に代
えてトリエチレングリコールジメチルエーテルを用いて
いる。これはポリイミドやポリアミック酸に対して優れ
た相溶性を備えているとともに、四分の一波長板層を構
成する高分子液晶に対しては従来のNMPやγ−ブチロ
ラクトンなどに比べ溶解性が低い。従って、トリエチレ
ングリコールジメチルエーテルを溶媒にした垂直配向剤
を用いることにより、四分の一波長板層に悪影響を与え
ることなくその上に安定的に垂直配向層を形成すること
が可能である。In a reflection type guest-host liquid crystal display device having a quarter-wave plate layer incorporated therein, an alignment layer made of polyimide, polyamic acid, or the like is used to regulate the alignment of the guest-host liquid crystal. However, the liquid crystal polymer (liquid crystal polymer) constituting the quarter-wave plate layer has a low solvent resistance in many cases, and is dissolved in the conventionally used solvents of polyimide and polyamic acid such as NMP and γ-butyrolactone. Resulting in. Therefore, in the present invention, triethylene glycol dimethyl ether is used instead of the conventional solvent. This has excellent compatibility with polyimide and polyamic acid, and has lower solubility in the polymer liquid crystal constituting the quarter-wave plate layer than conventional NMP or γ-butyrolactone. . Therefore, by using a vertical alignment agent containing triethylene glycol dimethyl ether as a solvent, a vertical alignment layer can be stably formed thereon without adversely affecting the quarter-wave plate layer.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明に係る
反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細に説
明する。図1は、反射型ゲストホスト液晶表示装置の基
本的な構成を示す部分断面図である。図示する様に、本
発明に従って製造された反射型ゲストホスト液晶表示装
置は所定の間隙を介して互いに接合した上下一対の基板
1,2とこの間隙に保持されたゲストホスト液晶3とを
備えている。このゲストホスト液晶3はネマティック液
晶分子4を主体とし且つ二色性色素5を含有したもので
る。入射側となる上側の基板1には少くとも対向電極6
及び配向層7がこの順で形成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a basic configuration of a reflective guest-host liquid crystal display device. As shown, the reflection type guest-host liquid crystal display device manufactured according to the present invention includes a pair of upper and lower substrates 1 and 2 joined to each other via a predetermined gap and a guest-host liquid crystal 3 held in the gap. I have. The guest-host liquid crystal 3 is mainly composed of nematic liquid crystal molecules 4 and contains a dichroic dye 5. At least the counter electrode 6 is provided on the upper substrate 1 on the incident side.
And the orientation layer 7 are formed in this order.
【0009】反射側となる下側の基板2には下から順に
少くとも光反射層8、四分の一波長板層9、画素電極1
1及び配向層12が積層されている。四分の一波長板層
9は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の液晶高分子からな
る。配向層12は配向剤を塗工してラビングした有機塗
工膜からなる。ゲストホスト液晶3を上下から挟持する
配向層7及び12はネマティック液晶分子4を垂直配向
し、これに倣って二色性色素5も垂直配向している。特
徴事項として、画素電極11及び各画素電極11の間に
露出した四分の一波長板層9の上に、トリエチレングリ
コールジメチルエーテル(DMTG)を溶媒にした垂直
配向剤を塗工して配向層12を形成する。具体的には、
ポリアミック酸又はポリイミドをDMTGに溶解した垂
直配向剤を塗工して配向層12を形成する。この場合、
垂直配向剤を更にジエチレングリコールジエチルエーテ
ル(DEDG)で希釈した状態でスピンコートにより塗
工する。場合によっては、DEDGに代えてブチルセロ
ソルブ(BC)を用いることもできる。係る組成を有す
る垂直配向剤を塗工した後好ましくは35℃ないし55
℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層12を形成す
る。なお、本実施形態ではアルキル主鎖から分かれた側
鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高分子液晶を成
膜して四分の一波長板層9を形成している。On the lower substrate 2 on the reflection side, at least a light reflection layer 8, a quarter-wave plate layer 9, a pixel electrode 1
1 and an orientation layer 12 are stacked. The quarter wave plate layer 9 is made of a uniaxially oriented liquid crystal polymer having relatively poor solvent resistance. The alignment layer 12 is formed of an organic coating film coated with an alignment agent and rubbed. The alignment layers 7 and 12 sandwiching the guest host liquid crystal 3 from above and below vertically align the nematic liquid crystal molecules 4, and accordingly, the dichroic dye 5 is vertically aligned. As a characteristic matter, a vertical alignment agent using triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) as a solvent is coated on the pixel electrodes 11 and the quarter-wave plate layer 9 exposed between the pixel electrodes 11 to form an alignment layer. 12 is formed. In particular,
A vertical alignment agent obtained by dissolving polyamic acid or polyimide in DMTG is applied to form an alignment layer 12. in this case,
The vertical alignment agent is further diluted by diethylene glycol diethyl ether (DEDG) and applied by spin coating. In some cases, butyl cellosolve (BC) can be used instead of DEDG. After applying the vertical alignment agent having such a composition, preferably 35 ° C. to 55 ° C.
The alignment layer 12 is formed by performing vacuum drying in a temperature range of ° C. In the present embodiment, a quarter-wave plate layer 9 is formed by forming a polymer liquid crystal in which biphenylbenzoate is introduced into a side chain separated from an alkyl main chain.
【0010】本実施形態に係る反射型ゲストホスト液晶
表示装置は所謂アクティブマトリクス型であって、下側
の基板2には個々の画素電極11を駆動するスイッチン
グ素子として例えば薄膜トランジスタ13が形成されて
いる。この薄膜トランジスタ13はボトムゲート構造を
有し、下から順にゲート電極14、ゲート絶縁膜15、
半導体薄膜16、ストッパ17を積層したものである。
この薄膜トランジスタ13を被覆する様に層間絶縁膜1
8が形成されている。この上にはソース電極19及びド
レイン電極20がパタニング形成されており、層間絶縁
膜18に開口したコンタクトホールを介して薄膜トラン
ジスタ13に電気接続している。この層間絶縁膜18の
上に光反射層8が形成されている。この光反射層8は画
素電極11と対応して画素毎に細分化されており、ドレ
イン電極20と同電位である。反射層8は凹凸の光散乱
面を有し、所謂ホワイトペーパーと呼ばれる表示画面を
実現している。薄膜トランジスタ13及び光反射層8の
凹凸を埋める様に平坦化層21が形成されている。平坦
化層21の上には下地配向層22が形成されており、そ
の上に成膜される高分子液晶を一軸配向する為に用いら
れる。画素電極11は四分の一波長板層9及び平坦化層
21を貫通して設けたコンタクトホール23を介して対
応する薄膜トランジスタ13のドレイン電極20に電気
接続している。The reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present embodiment is of a so-called active matrix type, and a thin film transistor 13 is formed on the lower substrate 2 as a switching element for driving each pixel electrode 11, for example. . The thin film transistor 13 has a bottom gate structure, and a gate electrode 14, a gate insulating film 15,
The semiconductor thin film 16 and the stopper 17 are stacked.
The interlayer insulating film 1 is formed so as to cover the thin film transistor 13.
8 are formed. A source electrode 19 and a drain electrode 20 are formed thereon by patterning, and are electrically connected to the thin film transistor 13 through a contact hole opened in the interlayer insulating film 18. The light reflection layer 8 is formed on the interlayer insulating film 18. The light reflection layer 8 is subdivided for each pixel corresponding to the pixel electrode 11 and has the same potential as the drain electrode 20. The reflection layer 8 has an uneven light scattering surface, and realizes a display screen called a so-called white paper. A flattening layer 21 is formed so as to fill the unevenness of the thin film transistor 13 and the light reflection layer 8. A base alignment layer 22 is formed on the flattening layer 21 and is used to uniaxially align a polymer liquid crystal formed thereon. The pixel electrode 11 is electrically connected to the corresponding drain electrode 20 of the thin film transistor 13 via a contact hole 23 provided through the quarter-wave plate layer 9 and the planarizing layer 21.
【0011】図2は、四分の一波長板層を構成する高分
子液晶の耐溶剤性を示すグラフである。縦軸にリターデ
ーションの変化率を取り、横軸に温度を取ってある。リ
ターデーションは四分の一波長板層の厚みと屈折率異方
性の積とで決まる量であり、四分の一波長板層の偏光変
換機能を示す指標である。リターデーションの変化が少
ない程耐溶剤性があると言える。横軸の温度は、四分の
一波長板層の上に配向層を形成する際の処理温度であ
る。具体的には、配向剤をスピンコートなどで塗工した
後真空乾燥を行なうが、その際の乾燥温度を表わしてい
る。真空乾燥は通常の大気乾燥に比べ低温で溶媒を揮発
でき、高分子液晶の一軸配向性を維持する為に効果的で
ある。このグラフでは、3種類の配向剤を用い、それぞ
れ真空乾燥温度を20℃から70℃の間で変化させて配
向層を形成している。配向層を形成した後四分の一波長
板層のリターデーションを測定し、塗工段階で配向剤に
含まれていた溶媒の影響を調べた。●印はポリアミック
酸をNMPに溶解し更にBCで1:9に希釈した配向剤
を示している。■印は本発明に従ってポリアミック酸を
DMTGに溶解した配向剤を更にBCで3:17に希釈
したものである。▲印も本発明に従ってポリアミック酸
をDMTGに溶解し更にDEDGで3:17に希釈した
配向剤を示している。グラフから明らかな様に、高分子
液晶はポリアミック酸など垂直配向剤の溶媒として従来
から一般的に使用されているNMPに対して真空乾燥温
度が35℃以上になるとリターデーションが変化し、溶
解してしまう。これに対し、ポリアミック酸などの垂直
配向剤の主溶媒としてDMTGを使用すると、真空乾燥
温度を55℃程度まで上げても高分子液晶のリターデー
ションの変化が生じない。この様に、NMPに代えてD
MTGを用いることにより、高分子液晶へのダメージを
抑制し、スピンコーティングや真空乾燥工程における歩
留りを改善している。DMTGを用いることで高分子液
晶の溶解が生じなくなり、表示装置のコントラストの低
下を防ぐことが可能である。製造効率上の観点から見る
と、従来に比べ真空乾燥温度を55℃程度まで高めるこ
とが可能となり、その分真空乾燥時間を短縮化できる。
又、グラフから明らかな様に、希釈溶媒としてはブチル
セロソルブ(BC)を用いても充分効果はあるが、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル(DEDG)を用い
た方がより効果的である。FIG. 2 is a graph showing the solvent resistance of the liquid crystal polymer constituting the quarter-wave plate layer. The vertical axis shows the rate of change of the retardation, and the horizontal axis shows the temperature. The retardation is an amount determined by the product of the thickness of the quarter-wave plate layer and the refractive index anisotropy, and is an index indicating the polarization conversion function of the quarter-wave plate layer. It can be said that the smaller the change in retardation, the more resistant the solvent is. The temperature on the horizontal axis is the processing temperature when forming the alignment layer on the quarter-wave plate layer. Specifically, vacuum drying is performed after the alignment agent is applied by spin coating or the like, and the drying temperature at that time is indicated. Vacuum drying can evaporate the solvent at a lower temperature than ordinary air drying, and is effective for maintaining the uniaxial orientation of the polymer liquid crystal. In this graph, an alignment layer is formed by using three types of alignment agents and changing the vacuum drying temperature between 20 ° C. and 70 ° C. respectively. After forming the alignment layer, the retardation of the quarter-wave plate layer was measured, and the effect of the solvent contained in the alignment agent at the coating stage was examined. The mark ● indicates an aligning agent obtained by dissolving polyamic acid in NMP and further diluting 1: 9 with BC. The mark (3) indicates that the aligning agent obtained by dissolving the polyamic acid in DMTG according to the present invention was further diluted 3:17 with BC. The symbol も also indicates an aligning agent obtained by dissolving the polyamic acid in DMTG according to the present invention and further diluting 3:17 with DEDG. As is clear from the graph, the retardation changes and the polymer liquid crystal dissolves when the vacuum drying temperature exceeds 35 ° C with respect to NMP conventionally used as a solvent for the vertical alignment agent such as polyamic acid. Would. On the other hand, when DMTG is used as the main solvent of the vertical alignment agent such as polyamic acid, the retardation of the polymer liquid crystal does not change even when the vacuum drying temperature is increased to about 55 ° C. Thus, instead of NMP, D
By using MTG, damage to the polymer liquid crystal is suppressed, and the yield in the spin coating or vacuum drying process is improved. By using DMTG, the dissolution of the polymer liquid crystal does not occur, and it is possible to prevent a decrease in contrast of the display device. From the viewpoint of manufacturing efficiency, the vacuum drying temperature can be increased to about 55 ° C. as compared with the conventional case, and the vacuum drying time can be shortened accordingly.
Also, as is clear from the graph, butyl cellosolve (BC) is sufficiently effective as a diluting solvent, but diethylene glycol diethyl ether (DEDG) is more effective.
【0012】一般的にポリイミド系高分子は図3に示し
た反応式によって合成される。即ち、(A)に示したジ
アミン化合物と酸無水物を溶媒中で反応させて、(B)
に示すポリアミック酸を合成する。本発明で用いる配向
剤はこのポリアミック酸の溶液である。ジアミン化合物
と酸無水物はDMTGからなる溶媒中で反応させる。な
お、ポリアミック酸を更に加熱すると脱水閉環し,
(C)に示したポリイミドとなる。このポリイミドも垂
直配向剤として用いることができ、その場合溶媒は本発
明に従ってDMTGが用いられる。ここで、R1 及びR
2 で表わした部分の構造は、配向剤として用いるポリア
ミック酸又はポリイミドの特性に大きく影響する為、ネ
マティック液晶に対する垂直配向剤として使用する場合
はこれにマッチングした分子構造を選択することが必要
である。上述した様に、本発明はポリイミド系の有機配
向剤として例えばポリアミック酸の溶液を用いている。
主溶媒としてDMTGが用いられるが、塗布性を改善す
る為にBCやDEDGなど表面張力の低い希釈液が混合
使用されている。ポリアミック酸はDMTGに対する溶
解性が良好であり、塗工剤として濃度及び粘度などの調
整が容易である。ポリイミド系有機配向膜は基本的に液
晶分子を垂直配向可能な組成のものを選択する。更に、
その表面をラビングすることにより、電圧印加に応じて
液晶分子が垂直配向から水平配向に移行する際、その傾
斜方位をラビング方向に規制することが可能である。Generally, a polyimide-based polymer is synthesized according to the reaction formula shown in FIG. That is, the diamine compound and the acid anhydride shown in (A) are reacted in a solvent to obtain (B)
The following polyamic acid is synthesized. The alignment agent used in the present invention is a solution of this polyamic acid. The diamine compound and the acid anhydride are reacted in a solvent composed of DMTG. When the polyamic acid is further heated, it is dehydrated and ring-closed,
The polyimide shown in (C) is obtained. This polyimide can also be used as a vertical alignment agent, in which case DMTG is used as the solvent according to the present invention. Where R 1 and R
Since the structure of the portion represented by 2 greatly affects the properties of polyamic acid or polyimide used as an aligning agent, when used as a vertical alignment agent for nematic liquid crystal, it is necessary to select a molecular structure matching this. . As described above, the present invention uses a solution of, for example, polyamic acid as the polyimide-based organic alignment agent.
DMTG is used as a main solvent, but a diluent having a low surface tension, such as BC or DEDG, is mixed and used to improve coating properties. Polyamic acid has good solubility in DMTG, and it is easy to adjust the concentration and viscosity as a coating agent. Basically, a polyimide-based organic alignment film having a composition capable of vertically aligning liquid crystal molecules is selected. Furthermore,
By rubbing the surface, when the liquid crystal molecules shift from vertical alignment to horizontal alignment in response to voltage application, it is possible to regulate the tilt direction in the rubbing direction.
【0013】図4は四分の一波長板層に用いる側鎖型高
分子液晶の化学構造を示す模式図である。(I)は側鎖
に入るペンダントとしてビフェニルベンゾアートを有す
る高分子液晶を示している。即ち、アルキル主鎖には所
定の間隔で側鎖が結合している(図では1個の側鎖のみ
示している)。この側鎖のスペース長は炭素数で6とな
っているが、本発明はこれに限られるものではない。こ
の側鎖の先端にペンダントとしてビフェニルベンゾアー
トが結合している。(II)はペンダントとしてビフェ
ニルベンゾアートに加えメトキシビフェニルを有する側
鎖型高分子液晶を表わしている。メトキシビフェニルが
結合する側鎖のスペース長は炭素数で2個となっている
が本発明はこれに限られるものではない。(III)
は、メトキシフェニルベンゾアートをペンダントとして
持つ側鎖型高分子液晶を示している。側鎖はスペース長
が炭素数で2個と6個のものを主鎖に結合している。
(I)型及び(II)型は(III)型に比べて耐溶剤
性に優れている。従って、四分の一波長板層の上にポリ
アミック酸などの有機配向層を形成する場合、あらかじ
め耐溶剤性に優れた(I)型及び(II)型の高分子液
晶を用いて四分の一波長板層を形成することが好まし
い。即ち、アルキル主鎖から分かれた側鎖にビフェニル
ベンゾアートを導入した高分子液晶を成膜して四分の一
波長板層を形成することが好ましい。FIG. 4 is a schematic view showing the chemical structure of a side-chain type polymer liquid crystal used for a quarter-wave plate layer. (I) shows a polymer liquid crystal having biphenylbenzoate as a pendant entering a side chain. That is, side chains are bonded to the alkyl main chain at predetermined intervals (only one side chain is shown in the figure). The space length of this side chain is 6 in carbon number, but the present invention is not limited to this. Biphenyl benzoate is attached to the tip of this side chain as a pendant. (II) represents a side chain type polymer liquid crystal having methoxybiphenyl in addition to biphenylbenzoate as a pendant. The space length of the side chain to which methoxybiphenyl is bonded is 2 in carbon number, but the present invention is not limited to this. (III)
Shows a side chain type polymer liquid crystal having methoxyphenyl benzoate as a pendant. The side chain has a space length of 2 or 6 carbon atoms bonded to the main chain.
Types (I) and (II) have better solvent resistance than type (III). Therefore, when an organic alignment layer such as polyamic acid is formed on a quarter-wave plate layer, a quarter-wavelength liquid crystal having excellent solvent resistance (I) and (II) is used in advance. It is preferable to form a one-wavelength plate layer. That is, it is preferable to form a quarter-wave plate layer by forming a polymer liquid crystal in which biphenylbenzoate is introduced into a side chain separated from the alkyl main chain.
【0014】最後に、図5及び図6を参照して、図1に
示した反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳
細に説明する。まず図5の工程(A)において、ガラス
又は石英などからなる絶縁性の基板2の上に薄膜トラン
ジスタ13を集積形成する。具体的には、高融点金属膜
などからなるゲート電極14をパタニング形成した後、
CVDなどでシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積し
てゲート絶縁膜15とする。その上に多結晶シリコンな
どからなる半導体薄膜16を成膜し、薄膜トランジスタ
13の素子領域に合わせて島状にパタニングする。その
上に、ゲート電極14と整合する様に、ストッパ17を
設ける。このストッパ17をマスクとしてイオンドーピ
ング又はイオンインプランテーションにより不純物を半
導体薄膜16に注入して、ボトムゲート型の薄膜トラン
ジスタ13を形成する。この薄膜トランジスタ13をP
SGなどからなる層間絶縁膜18で被覆する。Finally, a method of manufacturing the reflective guest-host liquid crystal display device shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. First, in the step (A) of FIG. 5, a thin film transistor 13 is integratedly formed on an insulating substrate 2 made of glass, quartz, or the like. Specifically, after the gate electrode 14 made of a refractory metal film or the like is formed by patterning,
A gate oxide film 15 is formed by depositing a silicon oxide film or a silicon nitride film by CVD or the like. A semiconductor thin film 16 made of polycrystalline silicon or the like is formed thereon, and is patterned in an island shape according to the element region of the thin film transistor 13. A stopper 17 is provided thereon so as to match the gate electrode 14. Using the stopper 17 as a mask, an impurity is implanted into the semiconductor thin film 16 by ion doping or ion implantation to form a bottom-gate thin film transistor 13. This thin film transistor 13 is referred to as P
It is covered with an interlayer insulating film 18 made of SG or the like.
【0015】工程(B)に進み、層間絶縁膜18にコン
タクトホールを開口した後、アルミニウムなどをスパッ
タリングし所定の形状にパタニングしてソース電極19
及びドレイン電極20に加工する。この時同時に光反射
層8を形成する。なお、光反射層8を形成する領域には
あらかじめ下地として凹凸が形成されており、この結果
光反射層8は光散乱性を備えることになり、所謂ホワイ
トペーパーの表示外観が得られる。更に、薄膜トランジ
スタ13及び光反射層8の凹凸を埋める様に、アクリル
樹脂などからなる平坦化層21を形成する。その上に、
ポリイミド樹脂を塗工してラビング処理を施し、下地配
向層22を設ける。その上に、一軸配向した高分子液晶
からなる四分の一波長板層9を形成する。具体的には、
高分子液晶を所定の厚みで下地配向層22の上に成膜す
る。高分子液晶は所定の転移点を境にして高温側のネマ
ティック液晶相と低温側のガラス固体相との間を相転移
可能な材料である。例えば、この高分子液晶は室温でガ
ラス状態であり、好ましくは100℃以上に相転移点を
持つ、主鎖型もしくは側鎖型である。この高分子液晶は
光学的には可視領域に吸収の無い透明物質である。この
高分子液晶を有機溶媒に溶解させた後、スピンコーティ
ングによって下地配向層22の表面に塗布する。なお、
スピンコーティングに代えて、ディッピング又はスクリ
ーン印刷などを用いて塗布してもよい。スピンコーティ
ングを行う場合、溶液の濃度やスピン回転数などの条件
を適宜設定して、膜厚が可視光領域でλ/4の位相差を
生じさせる様にする。なおλは入射光の波長を表わして
いる。この後、基板2を一旦転移点以上に加熱した後転
移点以下の室温に除冷し、成膜された高分子液晶を配向
方向に整列させて一軸光学薄膜からなる四分の一波長板
層9を形成する。In step (B), after opening a contact hole in the interlayer insulating film 18, aluminum or the like is sputtered and patterned into a predetermined shape to form a source electrode 19
And a drain electrode 20. At this time, the light reflection layer 8 is formed at the same time. In the region where the light reflection layer 8 is to be formed, irregularities are formed in advance as a base. As a result, the light reflection layer 8 has light scattering properties, and a so-called white paper display appearance is obtained. Further, a flattening layer 21 made of an acrylic resin or the like is formed so as to fill the unevenness of the thin film transistor 13 and the light reflection layer 8. in addition,
A rubbing treatment is performed by applying a polyimide resin, and a base alignment layer 22 is provided. A quarter-wave plate layer 9 made of a uniaxially oriented polymer liquid crystal is formed thereon. In particular,
A polymer liquid crystal is formed on the base alignment layer 22 with a predetermined thickness. The polymer liquid crystal is a material capable of performing a phase transition between a nematic liquid crystal phase on the high temperature side and a glass solid phase on the low temperature side at a predetermined transition point. For example, the polymer liquid crystal is in a glassy state at room temperature, and is preferably a main chain type or a side chain type having a phase transition point at 100 ° C. or higher. This polymer liquid crystal is a transparent substance having no optical absorption in the visible region. After the polymer liquid crystal is dissolved in an organic solvent, it is applied to the surface of the base alignment layer 22 by spin coating. In addition,
Instead of spin coating, application may be performed using dipping or screen printing. When spin coating is performed, conditions such as the concentration of the solution and the number of spin rotations are appropriately set so that the film thickness causes a phase difference of λ / 4 in the visible light region. Here, λ represents the wavelength of the incident light. Thereafter, the substrate 2 is once heated to a temperature equal to or higher than the transition point and then cooled to room temperature equal to or lower than the transition point. 9 is formed.
【0016】工程(C)に進み、四分の一波長板層9の
表面を全面的に被覆する様にフォトレジスト10を塗工
する。塗工方法としてはスピンコートやスクリーン印刷
などが利用できる。工程(D)に進み、フォトレジスト
10を露光現像し下方のドレイン電極20と整合する領
域に窓10aを設ける。In step (C), a photoresist 10 is applied so as to cover the entire surface of the quarter-wave plate layer 9. As a coating method, spin coating or screen printing can be used. Proceeding to the step (D), the photoresist 10 is exposed and developed, and a window 10a is provided in a region that is aligned with the lower drain electrode 20.
【0017】図6の工程(E)に進み、パタニングされ
たフォトレジスト10をマスクとしてエッチングを行な
い、四分の一波長板層9、下地配向層22、平坦化層2
1を貫通するコンタクトホール23を開口する。ここで
は、酸素プラズマなどを照射するドライエッチングを採
用している。工程(F)に進み、使用済みのフォトレジ
スト10を除去した後、四分の一波長板層9の上にIT
Oなどからなる透明導電膜を成膜し、所定の形状にパタ
ニングして画素電極11に加工する。この画素電極11
はコンタクトホール23を介して薄膜トランジスタ13
のドレイン電極20に電気接続する。In step (E) of FIG. 6, etching is performed using the patterned photoresist 10 as a mask, and a quarter-wave plate layer 9, a base alignment layer 22, and a planarizing layer 2 are formed.
1 is opened. Here, dry etching in which oxygen plasma or the like is applied is employed. Proceeding to step (F), after removing the used photoresist 10, the IT is placed on the quarter-wave plate layer 9.
A transparent conductive film made of O or the like is formed, patterned into a predetermined shape, and processed into the pixel electrode 11. This pixel electrode 11
Is the thin film transistor 13 through the contact hole 23
Is electrically connected to the drain electrode 20.
【0018】最後に工程(G)に進み、画素電極11及
び四分の一波長板層9の上に有機配向層12を成膜す
る。即ち、画素電極11の上及び画素電極11の間に露
出した四分の一波長板層9の上に連続して垂直配向剤を
塗工しラビングして配向層12を形成する。この配向剤
は例えばポリアミック酸を溶媒のDMTGに溶解した液
体である。ポリアミック酸又はポリイミドをトリエチレ
ングリコールジメチルエーテルに溶解し更にジエチレン
グリコールジエチルエーテルで希釈した垂直配向剤を例
えばスピンコートで塗工する。塗工した後、35℃ない
し55℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層12を
形成する。例えば、45℃で1時間真空乾燥を行なえ
ば、垂直配向剤に含まれる溶媒はほとんど取り除かれ
る。更に、90℃で1時間程度大気乾燥を行ない、垂直
配向剤を完全に固化する。この後、有機配向層12を回
転ローラに巻付けられたバフ材で一定の方向にラビング
して液晶分子に対する配向能を付与する。最後に、図示
しないが、あらかじめ対向電極及び配向層が形成された
上側の基板を所定の間隙を介して下側の基板2に接合
し、二色性色素を含有したゲストホスト液晶をこの間隙
に注入すれば、反射型ゲストホスト液晶表示装置が完成
する。Finally, proceeding to step (G), an organic alignment layer 12 is formed on the pixel electrode 11 and the quarter-wave plate layer 9. That is, a vertical alignment agent is continuously applied on the pixel electrode 11 and the quarter-wave plate layer 9 exposed between the pixel electrodes 11 and rubbed to form the alignment layer 12. This alignment agent is, for example, a liquid in which polyamic acid is dissolved in DMTG as a solvent. A polyamic acid or polyimide is dissolved in triethylene glycol dimethyl ether, and a vertical alignment agent diluted with diethylene glycol diethyl ether is applied by, for example, spin coating. After coating, vacuum drying is performed in a temperature range of 35 ° C. to 55 ° C. to form an alignment layer 12. For example, if vacuum drying is performed at 45 ° C. for 1 hour, most of the solvent contained in the vertical alignment agent is removed. Further, air drying is performed at 90 ° C. for about one hour to completely solidify the vertical alignment agent. Thereafter, the organic alignment layer 12 is rubbed in a certain direction with a buff material wound around a rotating roller to impart an alignment ability to liquid crystal molecules. Finally, although not shown, the upper substrate on which the counter electrode and the alignment layer are formed in advance is bonded to the lower substrate 2 via a predetermined gap, and the guest-host liquid crystal containing the dichroic dye is filled in this gap. After the injection, the reflective guest-host liquid crystal display device is completed.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
四分の一波長板層は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の高
分子液晶膜からなる一方、配向層は垂直配向剤を塗工し
てラビングした有機塗工膜からなる。この際、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルを溶媒にした垂直配向
剤を用いている。これにより、四分の一波長板層がダメ
ージを受けることがなく、その光学機能が安定に維持で
きる。この結果、ゲストホスト液晶を自在に配向制御可
能となり、安定な垂直配向を実現でき、コントラストの
向上に大きく寄与する。As described above, according to the present invention,
The quarter-wave plate layer is composed of a uniaxially oriented polymer liquid crystal film having relatively poor solvent resistance, while the alignment layer is composed of an organic coating film rubbed by applying a vertical alignment agent. At this time, a vertical alignment agent using triethylene glycol dimethyl ether as a solvent is used. Thereby, the quarter-wave plate layer is not damaged, and its optical function can be stably maintained. As a result, the orientation of the guest-host liquid crystal can be freely controlled, stable vertical alignment can be realized, and this greatly contributes to improvement in contrast.
【図1】本発明に従って製造された反射型ゲストホスト
液晶表示装置の基本的な構成を示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a basic configuration of a reflective guest-host liquid crystal display device manufactured according to the present invention.
【図2】四分の一波長板層の耐溶剤性を示すグラフであ
る。FIG. 2 is a graph showing the solvent resistance of a quarter-wave plate layer.
【図3】垂直配向剤の組成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing the composition of a vertical alignment agent.
【図4】高分子液晶の組成を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a composition of a polymer liquid crystal.
【図5】図1に示した反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。FIG. 5 is a process chart showing a method of manufacturing the reflective guest-host liquid crystal display device shown in FIG.
【図6】同じく製造方法を示す工程図である。FIG. 6 is a process drawing showing the same manufacturing method.
【図7】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional reflective guest-host liquid crystal display device.
1・・・基板、2・・・基板、3・・・ゲストホスト液
晶、4・・・液晶分子、5・・・二色性色素、6・・・
対向電極、7・・・配向層、8・・・光反射層、9・・
・四分の一波長板層、11・・・画素電極、12・・・
配向層、13・・・薄膜トランジスタ、20・・・ドレ
イン電極、21・・・平坦化層、22・・・下地配向
層、23・・・コンタクトホールDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Substrate, 3 ... Guest host liquid crystal, 4 ... Liquid crystal molecule, 5 ... Dichroic dye, 6 ...
Counter electrode, 7 ... orientation layer, 8 ... light reflection layer, 9 ...
A quarter-wave plate layer, 11 ... pixel electrodes, 12 ...
Alignment layer, 13 thin film transistor, 20 drain electrode, 21 flattening layer, 22 base alignment layer, 23 contact hole
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G09F 9/35 385 G09F 9/35 385 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G09F 9/35 385 G09F 9/35 385
Claims (5)
程と、 該光反射層の上に一軸配向した高分子液晶からなる四分
の一波長板層を形成する第2工程と、 該四分の一波長板層の上に電極を形成する第3工程と、 該電極の上及び電極の間に露出した四分の一波長板層の
上にトリエチレングリコールジメチルエーテルを溶媒に
した垂直配向剤を塗工して配向層を形成する第4工程
と、 予め電極が形成された第2の基板を所定の間隙を介して
該第1の基板に接合する第5工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
する第6工程とを行なう反射型ゲストホスト液晶表示装
置の製造方法。1. A first step of forming a light reflection layer on a first substrate, and a second step of forming a quarter-wave plate layer made of uniaxially oriented polymer liquid crystal on the light reflection layer. A third step of forming an electrode on the quarter-wave plate layer, and using triethylene glycol dimethyl ether as a solvent on the electrode and on the quarter-wave plate layer exposed between the electrodes. A fourth step of applying a vertical alignment agent to form an alignment layer, a fifth step of bonding a second substrate on which electrodes are formed in advance to the first substrate via a predetermined gap, Performing a sixth step of injecting a guest-host liquid crystal containing a reactive dye into the gap.
リイミドをトリエチレングリコールジメチルエーテルに
溶解した垂直配向剤を塗工する請求項1記載の反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置の製造方法。2. The method of manufacturing a reflective guest-host liquid crystal display device according to claim 1, wherein in the fourth step, a vertical alignment agent obtained by dissolving polyamic acid or polyimide in triethylene glycol dimethyl ether is applied.
ングリコールジエチルエーテルで希釈した状態で塗工す
る請求項2記載の反射型ゲストホスト液晶表示装置の製
造方法。3. The method of manufacturing a reflective guest-host liquid crystal display device according to claim 2, wherein in the fourth step, the vertical alignment agent is applied in a state diluted with diethylene glycol diethyl ether.
後35℃ないし55℃の温度範囲で真空乾燥を行なって
配向層を形成する請求項1記載の反射型ゲストホスト液
晶表示装置の製造方法。4. The reflection-type guest-host liquid crystal display device according to claim 1, wherein in the fourth step, an alignment layer is formed by applying a vertical alignment agent and performing vacuum drying in a temperature range of 35 ° C. to 55 ° C. Manufacturing method.
れた側鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高分子液
晶を成膜して四分の一波長板層を形成する請求項1記載
の反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法。5. The reflection according to claim 1, wherein in the second step, a quarter-wave plate layer is formed by depositing a polymer liquid crystal in which biphenylbenzoate is introduced into a side chain separated from an alkyl main chain. Manufacturing method of a liquid-crystal guest-host liquid crystal display device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9116153A JPH10293328A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Method for manufacturing reflective guest-host liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9116153A JPH10293328A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Method for manufacturing reflective guest-host liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293328A true JPH10293328A (en) | 1998-11-04 |
Family
ID=14680085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9116153A Pending JPH10293328A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Method for manufacturing reflective guest-host liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10293328A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191010A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | Manufacturing method of optical film |
| JPWO2017110225A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-10-18 | Jxtgエネルギー株式会社 | Optical film |
-
1997
- 1997-04-18 JP JP9116153A patent/JPH10293328A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191010A (en) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | Manufacturing method of optical film |
| JPWO2017110225A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-10-18 | Jxtgエネルギー株式会社 | Optical film |
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