JPH10182835A - Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the same - Google Patents
Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the sameInfo
- Publication number
- JPH10182835A JPH10182835A JP35123696A JP35123696A JPH10182835A JP H10182835 A JPH10182835 A JP H10182835A JP 35123696 A JP35123696 A JP 35123696A JP 35123696 A JP35123696 A JP 35123696A JP H10182835 A JPH10182835 A JP H10182835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- polysilazane
- crosslinked
- phenylsilyl
- molecular weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 title claims abstract description 187
- -1 Phenylsilyl Chemical group 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- LYYVKBLGUMYNIQ-UHFFFAOYSA-N hydroxy-(4-hydroxysilylphenyl)silane Chemical compound O[SiH2]C1=CC=C(C=C1)[SiH2]O LYYVKBLGUMYNIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 13
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 11
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 9
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 7
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 7
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 4
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 4
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 3
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=NC=C1 FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008072 Si-N-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002468 ceramisation Methods 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical class C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical class C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N dimethylpyridine Natural products CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- YBNBOGKRCOCJHH-UHFFFAOYSA-N hydroxy-[4-[hydroxy(dimethyl)silyl]phenyl]-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(O)C1=CC=C([Si](C)(C)O)C=C1 YBNBOGKRCOCJHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical class CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical class CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITQTTZVARXURQS-UHFFFAOYSA-N 3-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CN=C1 ITQTTZVARXURQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical class C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008314 Si—H2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229920005565 cyclic polymer Polymers 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229940083124 ganglion-blocking antiadrenergic secondary and tertiary amines Drugs 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N iso-pentane Natural products CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- PKAUVIXBZJUYRV-UHFFFAOYSA-N methane;hydroiodide Chemical compound C.I PKAUVIXBZJUYRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCNCCCCCCCCC MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子量が高く且つ保存安定性に優れたポリシ
ラザン架橋体の提供。
【解決手段】 主として下記一般式(I):
【化1】
で表される骨格を有する数平均分子量が100〜500
00のポリシラザン主鎖の少なくとも一部が、下記構造
式(2):
【化2】
〔上記構造式中、R1 、R2 及びR3 は明細書に記載の
通り〕で表される架橋部分によって架橋されていること
を特徴とするフェニルシリル基架橋ポリシラザン。(57) [Problem] To provide a crosslinked polysilazane having a high molecular weight and excellent storage stability. SOLUTION: The following general formula (I): Having a number average molecular weight of 100 to 500 having a skeleton represented by
At least a part of the polysilazane main chain of the formula (00) has the following structural formula (2): [Wherein R 1 , R 2 and R 3 in the above structural formula are as described in the specification], a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane which is crosslinked.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フェニルシリル基
によって分子間架橋されたポリシラザン(以下、フェニ
ルシリル基架橋ポリシラザンと称する)及びその製造方
法に関する。本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザンは、分子量が高く、保存安定性に優れており、し
かもセラミック化時の有機成分の保持性が高いので、特
にセラミックス被膜形成用の塗布組成物成分として有用
である。The present invention relates to a polysilazane crosslinked by a phenylsilyl group (hereinafter referred to as a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane) and a method for producing the same. The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention has a high molecular weight, excellent storage stability, and a high retention of organic components during ceramicization, and thus is particularly useful as a coating composition component for forming a ceramic film. .
【0002】[0002]
【従来の技術】保護被膜としてセラミックス系コーティ
ングの有用性が増大している。具体的には、シリコーン
系塗料、ポリチタノカルボシラン系塗料、シラザン系プ
レセラミックポリマー、シロキサザン系プレセラミック
ポリマー、等を金属材料や無機材料の表面に適用するこ
とにより、高い耐熱性、耐酸化性、耐磨耗性、耐薬品
性、物質遮断性、等を示す無機コーティングが得られて
いる。本出願人は、従来よりシラザン系のプレセラミッ
クポリマーとして様々な材料を提供している。これらの
プレセラミックポリマーによると、適当な溶剤に溶解し
た塗布組成物を調製し、これを基材表面に単に塗布、焼
成するだけで緻密且つ高硬度な耐熱性、耐酸化性、耐磨
耗性、耐薬品性、高平坦化性のコーティングが得られ
る。2. Description of the Related Art The usefulness of ceramic coatings as protective coatings is increasing. Specifically, by applying a silicone-based coating, a polytitanocarbosilane-based coating, a silazane-based preceramic polymer, a siloxazan-based preceramic polymer, or the like to the surface of a metal material or an inorganic material, high heat resistance and oxidation resistance are obtained. Inorganic coatings exhibiting properties, abrasion resistance, chemical resistance, substance barrier properties, etc. have been obtained. The present applicant has conventionally provided various materials as silazane-based preceramic polymers. According to these preceramic polymers, a coating composition dissolved in an appropriate solvent is prepared, and then simply coated and baked on the surface of a base material, resulting in dense and high-hardness heat resistance, oxidation resistance, and abrasion resistance. Thus, a coating having chemical resistance and high flatness can be obtained.
【0003】本出願人はまた、セラミックスの脆性の緩
和や炭素成分の導入を目的として、セラミック化前のポ
リシラザン主鎖のSi及び/又はNにアルキル基、フェ
ニル基、等の有機成分を結合させたポリオルガノヒドロ
シラザンを開発している(例えば、特公平4−4697
4号公報を参照されたい)。さらに、これらのプレセラ
ミックポリマーに低温セラミック化処理を施すことによ
り、プラスチック材料等の耐熱性の低い基材にもこのよ
うなセラミックス系コーティングを施すことができる。
これらのポリシラザンを用いたセラミックス系コーティ
ングに関する代表的な公開特許公報として本出願人によ
る特開平7−223867号公報を参照されたい。[0003] The present applicant also binds an organic component such as an alkyl group or a phenyl group to Si and / or N of the polysilazane main chain before ceramicization for the purpose of reducing the brittleness of the ceramic and introducing a carbon component. (See, for example, Japanese Patent Publication No. 4-4697).
No. 4). Further, by subjecting these preceramic polymers to low-temperature ceramic treatment, such a ceramic-based coating can be applied to a substrate having low heat resistance such as a plastic material.
Please refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-223867 by the present applicant as a representative published patent publication relating to ceramic-based coating using these polysilazanes.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来技術
で製造されるポリシラザンには、得られる分子量に限度
があり、塗布組成物として所望の高い粘度が得られない
場合がある。ポリシラザンの分子量を高くするため、ポ
リシラザンに水又は酸素を反応させることによりポリシ
ラザンの珪素に結合している水素を利用してシロキサン
架橋を形成させ、分子量のより高いポリシラザン架橋体
(ポリシロキサザン)を得る方法が、本出願人による特
公平6−18885号公報に記載されている。この方法
によると分子量の高いプレセラミックポリマーが得ら
れ、その塗布組成物の粘度も高くなるが、このポリシロ
キサザンはその分子末端に−NH2 、−OH、−SiH
3 などの基を含むために分子量の高いものほど常温でゲ
ル化し易い、すなわち保存安定性が悪くなるという問題
があった。The polysilazane produced by the above-mentioned prior art has a limit in the molecular weight to be obtained, and a desired high viscosity may not be obtained as a coating composition in some cases. In order to increase the molecular weight of the polysilazane, water or oxygen is reacted with the polysilazane to form a siloxane cross-link using hydrogen bonded to silicon of the polysilazane, thereby forming a polysilazane cross-linked product having a higher molecular weight (polysiloxane). A method for obtaining the same is described in Japanese Patent Publication No. 6-18885 by the present applicant. High preceramic polymer molecular weight can be obtained according to this method, but also increases the viscosity of the coating composition, the polysiloxazanes is -NH 2 at its molecular end, -OH, -SiH
Due to the inclusion of a group such as 3, there is a problem that the higher the molecular weight, the more likely it is to gel at room temperature, that is, the storage stability deteriorates.
【0005】また、セラミックスの脆性の緩和や炭素成
分の導入を目的としてポリシラザン主鎖に結合させた有
機成分は、セラミック化の際に熱によって消失する場合
があるため、このような有機成分の安定性、耐熱性をさ
らに高めることも望まれている。従って、本発明は、従
来法で得られるよりも分子量が高く且つ保存安定性に優
れ、またセラミック化後にも有機成分を十分に保持しう
る新規なポリシラザン架橋体とその製造方法を提供する
ものである。Further, the organic component bonded to the polysilazane main chain for the purpose of reducing the brittleness of the ceramics or introducing the carbon component may be lost by heat during the formation of the ceramic, so that such an organic component is not stable. It is also desired to further improve heat resistance and heat resistance. Accordingly, the present invention provides a novel crosslinked polysilazane product having a higher molecular weight and superior storage stability than that obtained by a conventional method, and which can sufficiently retain an organic component even after ceramization, and a method for producing the same. is there.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の一態様による
と、 〔1〕主として下記構造式(1):According to one aspect of the present invention, [1] mainly the following structural formula (1):
【0007】[0007]
【化7】 Embedded image
【0008】で表される骨格を有する数平均分子量が1
00〜50000のポリシラザン主鎖の少なくとも一部
が、下記構造式(2):The number average molecular weight having a skeleton represented by
At least a part of the polysilazane main chain of 00 to 50,000 has the following structural formula (2):
【0009】[0009]
【化8】 Embedded image
【0010】〔上記構造式(1)及び(2)において、
R1 、R2 及びR3 はそれぞれ独立に水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、
またはこれらの基以外で珪素に直結する基が炭素である
基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ
基を表す〕で表される架橋部分によって架橋されている
ことを特徴とするフェニルシリル基架橋ポリシラザンが
提供される。[In the above structural formulas (1) and (2),
R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group,
Or a group other than these groups, in which a group directly bonded to silicon is carbon, represents an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group]. Polysilazane is provided.
【0011】また、本発明の別の態様によると、 〔2〕〔1〕に記載のフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ン及び溶剤を含む塗布組成物が提供される。 さらに、本発明の別の態様によると、 〔3〕主として下記一般式(1):According to another aspect of the present invention, there is provided a coating composition comprising the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane described in [2] and [1] and a solvent. Further, according to another aspect of the present invention, [3] mainly the following general formula (1):
【0012】[0012]
【化9】 Embedded image
【0013】で表される骨格を有する数平均分子量が1
00〜50000のポリシラザンと、下記構造式
(3):A number average molecular weight having a skeleton represented by
00 to 50,000 polysilazane, and the following structural formula (3):
【0014】[0014]
【化10】 Embedded image
【0015】〔上記構造式(1)及び(3)において、
R1 、R2 及びR3 はそれぞれ独立に水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、
またはこれらの基以外で珪素に直結する基が炭素である
基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ
基を表す〕で表される1,4−ビス(ヒドロキシシリ
ル)ベンゼンとを塩基性有機化合物の存在下で反応させ
ることを特徴とする、フェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンの製造方法が提供される。[In the above structural formulas (1) and (3),
R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group,
Or a group in which, other than these groups, a group directly connected to silicon is carbon, an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group]. A method for producing a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, characterized by reacting in the presence of
【0016】以下、本発明の好ましい態様を列挙する。 〔4〕ポリスチレン換算数平均分子量が500〜10
0,000である、〔1〕に記載のフェニルシリル架橋
ポリシラザン。 〔5〕架橋指数が1.01〜5.0である、〔1〕又は
〔4〕に記載のフェニルシリル架橋ポリシラザン。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be listed. [4] polystyrene reduced number average molecular weight of 500 to 10
The phenylsilyl-crosslinked polysilazane according to [1], which has a molecular weight of 000. [5] The phenylsilyl-crosslinked polysilazane according to [1] or [4], wherein the crosslinking index is 1.01 to 5.0.
【0017】〔6〕フェニルシリル架橋ポリシラザンの
ポリスチレン換算数平均分子量が500〜100,00
0である、〔2〕に記載の塗布組成物。 〔7〕フェニルシリル架橋ポリシラザンの架橋指数が
1.01〜5.0である、〔2〕又は〔6〕に記載の塗
布組成物。 〔8〕酸化促進触媒をさらに含む、〔2〕、〔6〕又は
〔7〕に記載の塗布組成物[6] The phenylsilyl-crosslinked polysilazane has a polystyrene reduced number average molecular weight of 500 to 100,000.
The coating composition according to [2], which is 0. [7] The coating composition according to [2] or [6], wherein the phenylsilyl-crosslinked polysilazane has a crosslinking index of 1.01 to 5.0. [8] The coating composition according to [2], [6] or [7], further comprising an oxidation accelerating catalyst.
【0018】[0018]
〔9〕塩基性有機化合物がトリエチルアミ
ン、ジエチルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、
トリブチルアミン、ピリジン、1,8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕−7−ウンデセン又は1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕−5−ノネンである、〔3〕に記
載の方法。[9] The basic organic compound is triethylamine, diethylamine, butylamine, dibutylamine,
The method according to [3], which is tributylamine, pyridine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene or 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene.
【0019】本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザンは、ポリシラザンと1,4−ビス(ヒドロキシシ
リル)ベンゼンとの反応を塩基性化合物の存在下で行う
ことにより、1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベンゼ
ンのOH基をほぼ完全にポリシラザンと反応させること
ができるので、得られるフェニルシリル基架橋ポリシラ
ザンは分子鎖中にOH基を実質的に含まない。このた
め、得られたフェニルシリル基架橋ポリシラザンは残存
OH基によってさらに経時的に高分子量化(ゲル化)す
ることがなく、塩基性化合物を存在させずに合成した同
様なポリシラザン架橋体又はポリシロキサザンよりも保
存安定性が高くなる。また、架橋部分に含まれる有機成
分(フェニル基)は、1位と4位においてそれぞれSi
−O基を介してポリシラザン主鎖に結合しているため、
従来のポリシラザン主鎖に直接結合している有機成分を
含有するポリシラザンと比較して有機成分の安定性、耐
熱性が高くなり、フェニルシリル基架橋ポリシラザンの
セラミック化後にも該有機成分が十分に保持される。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention is prepared by reacting polysilazane with 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene in the presence of a basic compound to obtain 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene. Can be almost completely reacted with polysilazane, and the resulting phenylsilyl group-crosslinked polysilazane does not substantially contain OH groups in the molecular chain. For this reason, the obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane does not further increase in molecular weight (gelation) with the lapse of time due to the remaining OH group, and a similar crosslinked polysilazane or polysiloxy compound synthesized without the presence of a basic compound. Higher storage stability than Southern. Further, the organic component (phenyl group) contained in the cross-linking portion has Si at the first and fourth positions, respectively.
Because it is bonded to the polysilazane main chain through the -O group,
The stability and heat resistance of the organic component are higher than those of the conventional polysilazane containing an organic component directly bonded to the main chain of polysilazane, and the organic component is sufficiently retained even after the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane is ceramicized. Is done.
【0020】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
用いるポリシラザンは、分子内に少なくともSi−H結
合を有するポリシラザンであればよく、ポリシラザン単
独は勿論のことポリシラザンと他のポリマーとの共重合
体やポリシラザンと他の化合物との混合物でも利用でき
る。用いるポリシラザンには、鎖状、環状、又は架橋構
造を有するもの、あるいは分子内にこれら複数の構造を
同時に有するものがあり、これら単独でも又は混合物で
も利用できる。Hereinafter, the present invention will be described in detail. The polysilazane used in the present invention may be any polysilazane having at least a Si-H bond in the molecule, and may be used not only as a polysilazane alone but also as a copolymer of polysilazane and another polymer or a mixture of polysilazane and another compound. it can. The polysilazane to be used includes those having a chain, cyclic or crosslinked structure, and those having a plurality of these structures in the molecule at the same time, and these can be used alone or in a mixture.
【0021】用いるポリシラザンの代表例としては下記
のようなものがあるが、これらに限定されるものではな
い。一般式(1)でR1 及びR2 に水素原子を有するも
のは、ペルヒドロポリシラザンであり、その製造法は例
えば特開昭60−145903号公報、D.Seyfe
rthらCommunication of Am.C
er.Soc.,C−13,January 198
3.に報告されている。これらの方法で得られるもの
は、種々の構造を有するポリマーの混合物であるが、基
本的には分子内に鎖状部分と環状部分を含み、The following are typical examples of the polysilazane to be used, but are not limited thereto. The compound having a hydrogen atom at R 1 and R 2 in the general formula (1) is perhydropolysilazane, and its production method is described in, for example, JP-A-60-145903, D.C. Seefe
Rth et al. Communication of Am. C
er. Soc. , C-13, January 198
3. Has been reported to. What is obtained by these methods is a mixture of polymers having various structures, but basically contains a chain portion and a cyclic portion in the molecule,
【0022】[0022]
【化11】 Embedded image
【0023】の化学式で表わすことができる。ペルヒド
ロポリシラザンの構造の一例を示すと下記の如くであ
る。Can be represented by the following chemical formula. An example of the structure of perhydropolysilazane is as follows.
【0024】[0024]
【化12】 Embedded image
【0025】一般式(1)でR1 に水素原子、R2 にメ
チル基を有するポリシラザンの製造方法は、D.Sey
ferthらPolym.Prepr.Am.Che
m.Soc.,Div.Polym.Chem,.2
5,10(1984)に報告されている。この方法によ
り得られるポリシラザンは、繰り返し単位が−(SiH
2NCH3 )−の鎖状ポリマーと環状ポリマーであり、
いずれも架橋構造をもたない。A method for producing a polysilazane having a hydrogen atom for R 1 and a methyl group for R 2 in the general formula (1) is described in D. Seey
Ferth et al., Polym. Prepr. Am. Che
m. Soc. , Div. Polym. Chem,. 2
5 , 10 (1984). The polysilazane obtained by this method has a repeating unit of-(SiH
A chain polymer and a cyclic polymer of 2 NCH 3 )-,
None have a crosslinked structure.
【0026】一般式(1)でR2 に水素原子、R1 に有
機基を有するポリオルガノ(ヒドロ)シラザンの製造法
は、D.SeyferthらPolym.Prepr.
Am.Chem.Soc.Div.Polym.Che
m,.25,10(1984)、特開昭61−8923
0号公報に報告されている。これらの方法により得られ
るポリシラザンには、−(R2 SiHNH)−を繰り返
し単位として、主として重合度が3〜5の環状構造を有
するものや(R3 SiHNH)x 〔(R2 SiH)1.5
N〕1-x (0.4<X<1)の化学式で示せる分子内に
鎖状構造と環状構造を同時に有するものがある。A method for producing a polyorgano (hydro) silazane having a hydrogen atom for R 2 and an organic group for R 1 in the general formula (1) is described in D. Seeyferth et al., Polym. Prepr.
Am. Chem. Soc. Div. Polym. Che
m,. 25, 10 (1984), JP-A-61-8923.
No. 0 reports. The polysilazane obtained by these methods, - (R 2 SiHNH) - as a repeating unit, and which mainly polymerization degree having a cyclic structure 3~5 (R 3 SiHNH) x [(R 2 SiH) 1.5
N] 1-x (0.4 <X <1) Some molecules have both a chain structure and a cyclic structure in the molecule represented by the chemical formula.
【0027】一般式(1)でR1 及びR2 に有機基を有
するポリシラザンは−(R1 HSiNR2 )−を繰り返
し単位として、主に重合度が3〜5の環状構造を有して
いる。次に用いるポリシラザンの内、一般式(1)以外
のものの代表例をあげる。ポリオルガノ(ヒドロ)シラ
ザンの中には、D.SeyferthらCommuni
cation of Am.Cer.Soc.,C−1
32,July 1984.が報告されている様な分子
内に架橋構造を有するものもある。一例を示すと下記の
如くである。In the general formula (1), the polysilazane having an organic group at R 1 and R 2 has a cyclic structure mainly having a degree of polymerization of 3 to 5, using-(R 1 HSiNR 2 )-as a repeating unit. . Next, typical examples of the polysilazane other than the general formula (1) will be given. Some polyorgano (hydro) silazanes include D.I. Seeferth et al Communi
site of Am. Cer. Soc. , C-1
32, July 1984. Some have a crosslinked structure in the molecule as reported. An example is as follows.
【0028】[0028]
【化13】 Embedded image
【0029】また、特開昭49−69717に報告され
ている様なR1 SiX3 (X:ハロゲン)のアンモニア
分解によって得られる架橋構造を有するポリシラザン
(R1Si(NH)x 、あるいはR1 SiX3 及びR2 2
SiX2 の共アンモニア分解によって得られる下記の
構造を有するポリシラザンも出発材料として用いること
ができる。A polysilazane (R 1 Si (NH) x , or R 1 ) having a crosslinked structure obtained by ammonia decomposition of R 1 SiX 3 (X: halogen) as reported in JP-A-49-69717. Six 3 and R 2 2
Polysilazane having the following structure obtained by co-ammonium decomposition of SiX 2 can also be used as a starting material.
【0030】[0030]
【化14】 Embedded image
【0031】用いるポリシラザンは、上記の如く一般式
(1)で表わされる単位からなる主骨格を有するが、一
般式(1)で表わされる単位は、上記にも明らかな如く
環状化することがあり、その場合にはその環状部分が末
端基となり、このような環状化がされない場合には、主
骨格の末端はR1 ,R2 と同様の基又は水素であること
ができる。The polysilazane used has a main skeleton composed of the unit represented by the general formula (1) as described above. However, the unit represented by the general formula (1) may be cyclized as is apparent from the above. In such a case, the cyclic portion serves as a terminal group, and when such cyclization is not performed, the terminal of the main skeleton can be the same group as R 1 and R 2 or hydrogen.
【0032】本発明に用いるポリシラザンとして好まし
いものは、上記の一般式(1)で表わされる単位を主骨
格に有するポリシラザン又はこれらのポリシラザンに金
属アルコキシド、珪素アルコキシド、アルコール、金属
カルボン酸塩、アセチルアセトナト錯体、等を添加して
変性したものである。このように変性処理をしたポリシ
ラザンを出発原料として用いると、得られたフェニルシ
リル基架橋ポリシラザンはより低温でセラミックス化す
ることができる。以降、このような変性処理を低温セラ
ミックス化処理と呼ぶ。The polysilazane used in the present invention is preferably a polysilazane having a unit represented by the above general formula (1) in the main skeleton or a metal alkoxide, a silicon alkoxide, an alcohol, a metal carboxylate, or acetylacetate. It is modified by adding a nato complex or the like. When the polysilazane thus modified is used as a starting material, the obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane can be made into a ceramic at a lower temperature. Hereinafter, such a modification treatment is referred to as a low-temperature ceramicization treatment.
【0033】このような低温セラミックス化処理済ポリ
シラザンの具体例として、本願出願人による特開平5−
238827号公報に記載されている珪素アルコキシド
付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザン
は、上記一般式(1)で表されるポリシラザンと、下記
一般式(II): Si(OR4 )4 (II) (式中、R4 は、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素原子数1〜20個を有するアルキル基またはア
リール基を表し、少なくとも1個のR4 は上記アルキル
基またはアリール基である)で表される珪素アルコキシ
ドを加熱反応させて得られる、アルコキシド由来珪素/
ポリシラザン由来珪素の原子比が、0.001〜3の範
囲内かつ数平均分子量が約200〜50万の珪素アルコ
キシド付加ポリシラザンである。珪素アルコキシド付加
ポリシラザンの調製については上記特開平5−2388
27号公報を参照されたい。As a specific example of such a low temperature ceramicized polysilazane, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Silicon alkoxide-added polysilazane described in JP-A-238827. The modified polysilazane is represented by the following general formula (II): Si (OR 4 ) 4 (II) wherein R 4 may be the same or different; A hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group having 1 to 20 carbon atoms, wherein at least one R 4 is an alkyl group or an aryl group described above). Alkoxide-derived silicon /
A silicon alkoxide-added polysilazane having an atomic ratio of silicon derived from polysilazane in the range of 0.001 to 3 and a number average molecular weight of about 200 to 500,000. The preparation of polysilazane with silicon alkoxide is described in JP-A-5-2388.
See No. 27 publication.
【0034】低温セラミックス化処理済ポリシラザンの
別の具体例として、本出願人による特開平6−1228
52号公報に記載されているグリシドール付加ポリシラ
ザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般
式(1)で表されるポリシラザンとグリシドールを反応
させて得られる、グリシドール/ポリシラザンの重量比
が0.001〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200
〜50万のグリシドール付加ポリシラザンである。グリ
シドール付加ポリシラザンの調製については上記特開平
6−122852号公報を参照されたい。As another specific example of the polysilazane which has been subjected to low-temperature ceramic treatment, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-1228 by the present applicant has been disclosed.
No. 52, glycidol-added polysilazane. The modified polysilazane is obtained by reacting the polysilazane represented by the general formula (1) with glycidol, the weight ratio of glycidol / polysilazane is in the range of 0.001 to 2, and the number average molecular weight is about 200.
~ 500,000 glycidol-added polysilazanes. For the preparation of glycidol-added polysilazane, see the above-mentioned JP-A-6-122852.
【0035】低温セラミックス化処理済ポリシラザンの
別の具体例として、本願出願人による特開平6−240
208号公報に記載されているアルコール付加ポリシラ
ザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記一般
式(1)で表されるポリシラザンとアルコールとを反応
させて得られる、アルコール/ポリシラザンの重量比が
0.001〜2の範囲内かつ数平均分子量が約100〜
50万のアルコール付加ポリシラザンである。アルコー
ル付加ポリシラザンの調製については、上記特開平6−
240208号公報を参照されたい。As another specific example of the low temperature ceramicized polysilazane, JP-A-6-240 by the present applicant
No. 208, alcohol-added polysilazane. The modified polysilazane is obtained by reacting the polysilazane represented by the general formula (1) with an alcohol, the weight ratio of alcohol / polysilazane is in the range of 0.001 to 2, and the number average molecular weight is about 100 to 100.
500,000 alcohol-added polysilazanes. The preparation of the alcohol-added polysilazane is described in
See U.S. Pat.
【0036】低温セラミックス化処理済ポリシラザンの
また別の具体例として、本願出願人による特開平6−2
99118号公報に記載されている金属カルボン酸塩付
加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシラザン
は、上記一般式(1)で表されるポリシラザンと、ニッ
ケル、チタン、白金、ロジウム、コバルト、鉄、ルテニ
ウム、オスミウム、パラジウム、イリジウム、アルミニ
ウムの群から選択される少なくとも1種の金属を含む金
属カルボン酸塩を反応させて得られる、金属カルボン酸
塩/ポリシラザンの重量比が0.000001〜2の範
囲内かつ数平均分子量が約200〜50万の金属カルボ
ン酸塩付加ポリシラザンである。上記金属カルボン酸塩
は、式(RCOO)n M〔式中、Rは炭素原子数1〜2
2個の脂肪族基又は脂環式基であり、Mは上記金属群か
ら選択される少なくとも1種の金属を表し、そしてnは
金属Mの原子価である〕で表される化合物である。上記
金属カルボン酸塩は無水物であっても水和物であっても
よい。金属カルボン酸塩付加ポリシラザンの調製につい
ては、上記特開平6−299118号公報を参照された
い。As another specific example of low temperature ceramicized polysilazane, JP-A-6-2 by the present applicant
And the metal carboxylate-added polysilazane described in JP-A-99118. The modified polysilazane is a polysilazane represented by the general formula (1) and at least one metal selected from the group consisting of nickel, titanium, platinum, rhodium, cobalt, iron, ruthenium, osmium, palladium, iridium, and aluminum. Is a metal carboxylate-added polysilazane having a metal carboxylate / polysilazane weight ratio in the range of 0.000001 to 2 and a number average molecular weight of about 200 to 500,000 obtained by reacting a metal carboxylate containing . The metal carboxylate is represented by the formula (RCOO) n M wherein R represents 1 to 2 carbon atoms.
Two aliphatic groups or alicyclic groups, M represents at least one metal selected from the above metal group, and n is a valence of the metal M]. The metal carboxylate may be an anhydride or a hydrate. For the preparation of the polysilazane to which the metal carboxylate is added, see the above-mentioned JP-A-6-299118.
【0037】低温セラミックス化処理済ポリシラザンの
さらに別の具体例として、本願出願人による特開平6−
306329号公報に記載されているアセチルアセトナ
ト錯体付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポリシ
ラザンは、上記一般式(1)で表されるポリシラザン
と、金属としてニッケル、白金、パラジウム又はアルミ
ニウムを含むアセチルアセトナト錯体を反応させて得ら
れる、アセチルアセトナト錯体/ポリシラザンの重量比
が0.000001〜2の範囲内かつ数平均分子量が約
200〜50万のアセチルアセトナト錯体付加ポリシラ
ザンである。上記の金属を含むアセチルアセトナト錯体
は、アセチルアセトン(2,4−ペンタジオン)から酸
解離により生じた陰イオンacac- が金属原子に配位
した錯体であり、一般には式(CH3 COCHCOCH
3 )n M〔式中、Mはn価の金属を表す〕で表される。
アセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンの調製につい
ては、上記特開平6−306329号公報を参照された
い。As still another specific example of the low temperature ceramicized polysilazane, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Acetylacetonate complex-added polysilazane described in JP-A-306329. This modified polysilazane has a weight ratio of acetylacetonato complex / polysilazane obtained by reacting polysilazane represented by the above general formula (1) with an acetylacetonate complex containing nickel, platinum, palladium or aluminum as a metal. An acetylacetonato complex-added polysilazane having a number average molecular weight of about 200,000 to 500,000 in the range of 0.000001 to 2 The metal-containing acetylacetonate complex is a complex in which an anion acac − generated by acid dissociation from acetylacetone (2,4-pentadione) is coordinated to a metal atom, and generally has a formula (CH 3 COCHCOCH).
3 ) It is represented by n M [wherein M represents an n-valent metal].
For the preparation of acetylacetonato complex-added polysilazane, see the above-mentioned JP-A-6-306329.
【0038】その他の低温セラミックス化処理済ポリシ
ラザンの具体例として、本願出願人による特開平7−1
96986号公報に記載されている金属微粒子添加ポリ
シラザンが挙げられる。この変性ポリシラザンは、上記
一般式(1)で表されるポリシラザンを主成分とするコ
ーティング溶液に、Au、Ag、Pd、Niをはじめと
する金属の微粒子を添加して得られる変性ポリシラザン
である。好ましい金属はAgである。金属微粒子の粒径
は0.5μmより小さいことが好ましく、0.1μm以
下がより好ましく、さらには0.05μmより小さいこ
とが好ましい。金属微粒子添加ポリシラザンの調製につ
いては、上記特開平7−196986号公報を参照され
たい。これらの低温セラミックス化処理済ポリシラザン
の中で特に好ましいものは、上記特開平6−29911
8号公報に記載されている金属カルボン酸塩付加ポリシ
ラザンであるが、とりわけその金属(M)がパラジウム
(Pd)であるものがより好ましい。上記のような低温
セラミックス化処理は、本発明に従い未変性ポリシラザ
ンから得られたフェニルシリル基架橋ポリシラザンに対
して施すことによっても、同様にフェニルシリル基架橋
ポリシラザンを低温でセラミックス化することができ
る。As another specific example of polysilazane which has been subjected to low-temperature ceramic treatment, Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 96986 discloses polysilazane with added metal fine particles. This modified polysilazane is a modified polysilazane obtained by adding fine particles of a metal such as Au, Ag, Pd, and Ni to a coating solution containing polysilazane represented by the general formula (1) as a main component. The preferred metal is Ag. The particle diameter of the metal fine particles is preferably smaller than 0.5 μm, more preferably 0.1 μm or less, and further preferably smaller than 0.05 μm. For the preparation of the polysilazane to which metal fine particles are added, refer to the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-19698. Of these polysilazanes subjected to low-temperature ceramic treatment, particularly preferred are those described in JP-A-6-29911.
No. 8, the metal carboxylate-added polysilazane is described, and in particular, the metal (M) whose palladium (Pd) is more preferable. The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane can be similarly ceramicized at a low temperature by applying the low-temperature ceramicization treatment to the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane obtained from the unmodified polysilazane according to the present invention.
【0039】本発明のフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンは、上記のようなポリシラザン又はその変性物を、塩
基性有機化合物の存在下、下記構造式(3)で表される
1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベンゼンと反応させ
ることにより得られる。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane of the present invention is obtained by converting the above polysilazane or a modified product thereof into 1,4-bis (hydroxysilyl) represented by the following structural formula (3) in the presence of a basic organic compound. ) Obtained by reacting with benzene.
【0040】[0040]
【化15】 Embedded image
【0041】上式中、R3 はそれぞれ独立に水素原子、
アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、またはこれらの基以外で珪素に直結する基が炭素
である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アル
コキシ基を表す。R3 は、メチル基、エチル基又はフェ
ニル基であることが好ましい。1,4−ビス(ヒドロキ
シシリル)ベンゼンは、塩基性有機化合物の存在下で反
応させた場合に、OH基の一方がポリシラザン又はその
変性物のある分子のSi−H結合と反応してSi−O結
合を形成し、そして他方のOH基がポリシラザン又はそ
の変性物の別の分子のSi−H結合と反応してSi−O
結合を形成することにより、ポリシラザン又はその変性
物の分子間に架橋部分を形成させる。In the above formula, R 3 is each independently a hydrogen atom,
An alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group other than these groups in which a group directly connected to silicon is carbon, an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group. R 3 is preferably a methyl group, an ethyl group or a phenyl group. When 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene is reacted in the presence of a basic organic compound, one of the OH groups reacts with a Si—H bond of a molecule having polysilazane or a modified product thereof to form Si— An O bond is formed and the other OH group reacts with the Si-H bond of another molecule of polysilazane or a modification thereof to form Si-O
By forming a bond, a crosslinked portion is formed between molecules of polysilazane or a modified product thereof.
【0042】これらの1,4−ビス(ヒドロキシシリ
ル)ベンゼンは2種以上を組み合わせて使用することも
できる。また、1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベン
ゼンとして、現場で加水分解してポリシラザンと上記の
ように反応することができる化合物を使用してもよい。
具体的には、1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベンゼ
ンのエステル化物、例えば、酢酸エステル、プロピオン
酸エステル、等を使用してもよい。本発明によるフェニ
ルシリル基架橋ポリシラザンは、ポリシラザン分子間に
以下のような構造式(2)で示される架橋部分を有す
る。These 1,4-bis (hydroxysilyl) benzenes can be used in combination of two or more. Further, as 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene, a compound capable of being hydrolyzed in situ and reacting with polysilazane as described above may be used.
Specifically, an esterified product of 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene, for example, an acetate, a propionate, or the like may be used. The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention has a crosslinked portion represented by the following structural formula (2) between polysilazane molecules.
【0043】[0043]
【化16】 Embedded image
【0044】上式中、R1 、R2 及びR3 はそれぞれ独
立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアル
キル基、アリール基、またはこれらの基以外で珪素に直
結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキル
アミノ基、アルコキシ基を表す。本発明のフェニルシリ
ル基架橋ポリシラザンの架橋指数、すなわちポリシラザ
ン1分子当たりの架橋点の数は、所期の目的によって、
また出発原料のポリシラザンの分子量によって変わって
くる。例えば、架橋後に所望されている分子量が一定で
ある場合、出発原料のポリシラザン分子量が小さいほ
ど、架橋指数は高くする必要がある。しかしながら、一
般論として、架橋指数をあまり高くしようとするとポリ
マーの三次元化が進み、塗布組成物の成分としては望ま
しくなくなる。従って、本発明の塗布組成物の成分とし
て適切なフェニルシリル基架橋ポリシラザンの架橋指数
は、1.01〜5.0、好ましくは1.01〜1.5の
範囲である。In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group other than these groups which is directly bonded to silicon. Represents an alkyl group, an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group. The crosslinking index of the phenylsilyl group-bridged polysilazane of the present invention, that is, the number of crosslinking points per molecule of polysilazane, depends on the intended purpose.
Also, it depends on the molecular weight of the starting polysilazane. For example, if the desired molecular weight after crosslinking is constant, the lower the polysilazane molecular weight of the starting material, the higher the crosslinking index needs to be. However, as a general rule, if the cross-linking index is set too high, the polymer becomes three-dimensional, which is not desirable as a component of the coating composition. Therefore, the crosslinking index of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane suitable as a component of the coating composition of the present invention is in the range of 1.01 to 5.0, preferably 1.01 to 1.5.
【0045】また、上記の1,4−ビス(ヒドロキシシ
リル)ベンゼンの種類や架橋による導入量を調節するこ
とによって、フェニルシリル基架橋ポリシラザン由来の
セラミックスコーティングの可撓性を制御することがで
きる。すなわち、一般にセラミックスコーティングの硬
度を高めたい場合にはR3 として水素原子又は炭素原子
数の少ない基(例えば、メチル基)を選定し、反対にセ
ラミックスコーティングの可撓性を高めたい場合にはR
3 として炭素原子数の多い基(例えば、フェニル基等)
を選定すればよく、その選定については当業者であれば
必要に応じ適宜行うことができる。Further, the flexibility of the ceramic coating derived from phenylsilyl group-crosslinked polysilazane can be controlled by adjusting the type of 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene and the amount introduced by crosslinking. That is, in general, when it is desired to increase the hardness of the ceramic coating, a group having a small number of hydrogen atoms or carbon atoms (for example, a methyl group) is selected as R 3 , and when it is desired to increase the flexibility of the ceramic coating, R 3 is selected.
Group having a large number of carbon atoms as 3 (for example, phenyl group)
May be selected, and a person skilled in the art can appropriately perform the selection as needed.
【0046】本発明のフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンは塩基性有機化合物の存在下での反応によって得られ
る。本発明で用いられる塩基性有機化合物として、一
級、二級及び三級アミン類、例えばジエチルアミン、ト
リエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、
トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、
トリブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミ
ン、トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシル
アミン、トリヘキシルアミン、ヘプチルアミン、ジヘプ
チルアミン、トリヘプチルアミン、オクチルアミン、ジ
オクチルアミン、トリオクチルアミン、ノニルアミン、
ジノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、フェ
ニルアミン及びジフェニルアミン、ピリジン類、例えば
ピリジン、ピコリン、ルチジン、ピリミジン及びピリダ
ジン、並びに有機強塩基性化合物、例えば1,8−ジア
ザビシクロ〔5.4.0〕−7−ウンデセン(DBU)
及び1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕−5−ノネ
ン(DBN)が挙げられる。このような塩基性有機化合
物の存在下で反応を行うことにより、得られるフェニル
シリル基架橋ポリシラザンの分子鎖中にOH基が残存す
ることがなくなる。特に好適な塩基性有機化合物は、ト
リエチルアミン、ジエチルアミン、ブチルアミン、ジブ
チルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、DBU及び
DBNである。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane of the present invention can be obtained by a reaction in the presence of a basic organic compound. As the basic organic compound used in the present invention, primary, secondary and tertiary amines such as diethylamine, triethylamine, propylamine, dipropylamine,
Tripropylamine, butylamine, dibutylamine,
Tributylamine, pentylamine, dipentylamine, tripentylamine, hexylamine, dihexylamine, trihexylamine, heptylamine, diheptylamine, triheptylamine, octylamine, dioctylamine, trioctylamine, nonylamine,
Dinonylamine, decylamine, dodecylamine, phenylamine and diphenylamine, pyridines such as pyridine, picoline, lutidine, pyrimidine and pyridazine, and organic strongly basic compounds such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene (DBU)
And 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene (DBN). By performing the reaction in the presence of such a basic organic compound, OH groups do not remain in the molecular chain of the resulting phenylsilyl group-crosslinked polysilazane. Particularly preferred basic organic compounds are triethylamine, diethylamine, butylamine, dibutylamine, tributylamine, pyridine, DBU and DBN.
【0047】本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザンの合成反応は、一般に、上記のポリシラザンを必
要に応じて適当な溶剤に溶解した溶液を調製し、これに
上記の塩基性有機化合物を添加して調製した溶液に、上
記の1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベンゼンをその
まま、あるいは適当な溶剤に溶解した溶液を添加するこ
とにより行われる。また、上記の1,4−ビス(ヒドロ
キシシリル)ベンゼンをそのまま、あるいは適当な溶剤
に溶解した溶液を調製し、これに上記の塩基性有機化合
物を添加して調製した溶液に、上記のポリシラザンを必
要に応じて適当な溶剤に溶解した溶液を添加することに
より行うこともできる。1,4−ビス(ヒドロキシシリ
ル)ベンゼンを溶解させる場合には、上記の塩基性有機
化合物を溶媒として使用することが好ましい。The synthesis reaction of the phenylsilyl-group-crosslinked polysilazane according to the present invention is generally carried out by preparing a solution in which the above-mentioned polysilazane is dissolved in an appropriate solvent, if necessary, and adding the above-mentioned basic organic compound thereto. The solution is prepared by adding 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene as it is or by dissolving the solution in an appropriate solvent. Further, a solution prepared by dissolving the above 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene as it is or in an appropriate solvent is prepared, and the above polysilazane is added to a solution prepared by adding the above basic organic compound thereto. If necessary, the reaction can be carried out by adding a solution dissolved in an appropriate solvent. When dissolving 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene, it is preferable to use the above-mentioned basic organic compound as a solvent.
【0048】ポリシラザンを溶剤に溶解する場合、その
溶剤としては、最終的に得られるフェニルシリル基架橋
ポリシラザンの溶剤でもあることが好ましく、芳香族化
合物、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン及びト
リエチルベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、
デカヒドロナフタレン、ジペンテン、飽和炭化水素化合
物、例えばn−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサ
ン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、n−
オクタン、i−オクタン、n−ノナン、i−ノナン、n
−デカン及びi−デカン、エチルシクロヘキサン、メチ
ルシクロヘキサン、p−メンタン、エーテル類、例えば
ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル及びジペンチル
エーテル、並びにケトン類、例えばメチルイソブチルケ
トン(MIBK)、が挙げられる。このような溶剤にお
いて合成されたフェニルシリル基架橋ポリシラザンは、
そのまま塗布組成物として使用することができる。When polysilazane is dissolved in a solvent, the solvent is preferably a solvent for the finally obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, and is preferably an aromatic compound such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene and trimethyl. Benzene and triethylbenzene, cyclohexane, cyclohexene,
Decahydronaphthalene, dipentene, saturated hydrocarbon compounds such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, n-
Octane, i-octane, n-nonane, i-nonane, n
-Decane and i-decane, ethylcyclohexane, methylcyclohexane, p-menthane, ethers such as dipropyl ether, dibutyl ether and dipentyl ether, and ketones such as methyl isobutyl ketone (MIBK). Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane synthesized in such a solvent,
It can be used as it is as a coating composition.
【0049】本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザンの合成反応では、0.01〜90重量%、好まし
くは1〜10重量%のポリシラザンと、99.9〜10
重量%、好ましくは99〜90重量%の塩基性有機化合
物と、ポリシラザン重量に対して0.01〜200%、
好ましくは0.1〜10%の1,4−ビス(ヒドロキシ
シリル)ベンゼンとを組み合わせる。この合成反応は、
使用する溶剤の凝固点以上沸点以下の範囲の任意の温度
で行われるが、通常は0〜100℃で行われる。この反
応は室温でも進行する。In the synthesis reaction of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention, 0.01 to 90% by weight, preferably 1 to 10% by weight, of polysilazane is added to 99.9 to 10% by weight.
% By weight, preferably 99 to 90% by weight of a basic organic compound, and 0.01 to 200% by weight of polysilazane;
Preferably, it is combined with 0.1 to 10% of 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene. This synthesis reaction,
The reaction is carried out at any temperature within the range from the freezing point to the boiling point of the solvent used, but is usually carried out at 0 to 100 ° C. This reaction proceeds even at room temperature.
【0050】本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザンの合成反応における反応圧力については特に制限
はなく、一般には常圧で十分である。0〜9.8×10
5 Pa(0〜10kg/cm2 G)の範囲が好ましい。反応
時間については特に制限はないが、一般には1〜120
分の反応を行う。反応時間を長くすることで得られるフ
ェニルシリル基架橋ポリシラザンの分子量を高くするこ
とができる。また、反応雰囲気についても特に制限はな
く、周囲雰囲気でよい。反応終了後、必要に応じて塩基
性有機化合物を、例えばロータリーエバポレーターを用
いて留去すると、用いた溶剤に溶解したフェニルシリル
基架橋ポリシラザンが得られる。The reaction pressure in the synthesis reaction of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention is not particularly limited, and normal pressure is generally sufficient. 0 to 9.8 × 10
The range of 5 Pa (0 to 10 kg / cm 2 G) is preferable. The reaction time is not particularly limited, but is generally 1 to 120.
Perform a minute reaction. By increasing the reaction time, the molecular weight of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane obtained can be increased. The reaction atmosphere is not particularly limited, and may be an ambient atmosphere. After completion of the reaction, if necessary, the basic organic compound is distilled off using, for example, a rotary evaporator to obtain a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane dissolved in the solvent used.
【0051】このようにして得られたフェニルシリル基
架橋ポリシラザンは、主鎖が実質的にSi−N結合から
成り、ゲル透過クロマトグラフィーによるポリスチレン
換算数平均分子量が500〜100,000、好ましく
は500〜10,000、より好ましくは500〜5,
000であり、架橋指数が1.01〜5.0、好ましく
は1.01〜1.5であり、窒素含有率が10〜40重
量%、好ましくは15〜35重量%であり、且つ酸素含
有率が0.01〜50重量%、好ましくは1〜20重量
%である、また、本発明によると20℃、キシレンにお
ける極限粘度が1.0〜100cP(0.001〜0.
1Pa・s)、好ましくは1.2〜50cP(0.00
12〜0.05Pa・s)であるフェニルシリル基架橋
ポリシラザンが得られる。本発明によるフェニルシリル
基架橋ポリシラザンは遊離のOH基を実質的に含まない
ので、保存期間中に架橋が進んで分子量が高くなること
がほとんど又はまったくない。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane thus obtained has a main chain substantially consisting of Si—N bonds, and has a number average molecular weight in terms of polystyrene of 500 to 100,000, preferably 500, as determined by gel permeation chromatography. ~ 10,000, more preferably 500 ~ 5
000, a crosslinking index of 1.01 to 5.0, preferably 1.01 to 1.5, a nitrogen content of 10 to 40% by weight, preferably 15 to 35% by weight, and an oxygen content. Rate is 0.01 to 50% by weight, preferably 1 to 20% by weight. According to the present invention, the limiting viscosity in xylene at 20 ° C is 1.0 to 100 cP (0.001 to 0.
1 Pa · s), preferably 1.2 to 50 cP (0.00
A phenylsilyl group-crosslinked polysilazane having a pressure of 12 to 0.05 Pa · s) is obtained. Since the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane according to the present invention is substantially free of free OH groups, there is little or no increase in molecular weight due to crosslinking during the storage period.
【0052】本発明によるフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザン又はその変性物は、金属、ガラス、シリコン基
板、プラスチック、等の各種基材に塗布し、これをシリ
カへ転化することにより、例えば、半導体、液晶等の絶
縁平坦化膜、金属表面の酸化防止膜、酸素、水蒸気、N
a等のバリア膜、プラスチック等軟性基板の保護膜とし
て有用なセラミックコーティングにすることができる。
本発明の別の態様によると、このようなフェニルシリル
基架橋ポリシラザンあるいはその変性物を溶剤に溶解し
た塗布組成物が提供される。好適な溶剤は先に記載した
通りである。尚、溶剤は、上記に挙げたもの1種でもよ
く、フェニルシリル基架橋ポリシラザンの溶解度や溶剤
の蒸発速度を調節するために沸点の異なる2種以上の溶
剤に溶解させてもよい。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof according to the present invention is applied to various base materials such as metal, glass, silicon substrate and plastic, and is converted into silica to obtain, for example, a semiconductor, a liquid crystal or the like. Insulating flattening film, antioxidant film on metal surface, oxygen, water vapor, N
A ceramic coating useful as a barrier film such as a or a protective film for a flexible substrate such as plastic can be obtained.
According to another aspect of the present invention, there is provided a coating composition in which such a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof is dissolved in a solvent. Suitable solvents are as described above. The solvent may be one of those listed above, or may be dissolved in two or more solvents having different boiling points in order to adjust the solubility of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and the evaporation rate of the solvent.
【0053】溶剤の使用量(割合)は採用するコーティ
ング方法により作業性がよくなるように選択され、また
用いるフェニルシリル基架橋ポリシラザンの平均分子
量、分子量分布、その構造によって異なるので、適宜、
自由に混合することができる。好ましくはフェニルシリ
ル基架橋ポリシラザン含有率で0.01〜70重量%の
範囲で混合することができる。また、本発明の塗布組成
物において、必要に応じて適当な充填剤及び/又は増量
剤を加えることができる。充填剤の例としてはシリカ、
アルミナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物系無
機物あるいは炭化珪素、窒化珪素等の非酸化物系無機物
の微粉等が挙げられる。また用途によってはアルミニウ
ム、亜鉛、銅等の金属粉末の添加も可能である。The amount (proportion) of the solvent used is selected so as to improve the workability by the coating method employed, and varies depending on the average molecular weight, molecular weight distribution and structure of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane used.
Can be mixed freely. Preferably, the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane content can be mixed in the range of 0.01 to 70% by weight. In the coating composition of the present invention, an appropriate filler and / or extender can be added as needed. Examples of fillers include silica,
Examples include fine powders of oxide-based inorganic substances such as alumina, zirconia, and mica, and non-oxide-based inorganic substances such as silicon carbide and silicon nitride. Depending on the application, metal powder such as aluminum, zinc, and copper can be added.
【0054】これら充填剤は、針状(ウィスカーを含
む。)、粒状、鱗片状等種々の形状のものを単独又は2
種以上混合して用いることができる。また、これら充填
剤の粒子の大きさは1回に適用可能な膜厚よりも小さい
ことが望ましい。さらに、充填剤の添加量はフェニルシ
リル基架橋ポリシラザン1重量部に対し0.01重量部
〜100重量部の範囲であり、特に好ましい添加量は
0.1重量部〜10重量部の範囲である。塗布組成物に
は、必要に応じて各種顔料、レベリング剤、消泡剤、帯
電防止剤、(酸化亜鉛、酸化チタン、等を含む)紫外線
吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥
促進剤、流れ止め剤を加えてもよい。These fillers can be used alone or in various shapes such as needles (including whiskers), granules, and scales.
A mixture of more than one species can be used. Further, it is desirable that the size of the particles of these fillers is smaller than the film thickness that can be applied at one time. Further, the addition amount of the filler is in the range of 0.01 to 100 parts by weight based on 1 part by weight of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, and the particularly preferable addition amount is in the range of 0.1 to 10 parts by weight. . The coating composition may contain various pigments, leveling agents, defoamers, antistatic agents, ultraviolet absorbers (including zinc oxide, titanium oxide, etc.), pH adjusters, dispersants, and surface modifiers as required. , A plasticizer, a drying accelerator and a flow stopper.
【0055】上記のフェニルシリル基架橋ポリシラザン
含有塗布組成物を基材に1回又は2回以上繰り返し適用
した後、焼成し、水蒸気雰囲気にさらす、もしくは触媒
を含有した蒸留水に浸す、またはこれらの両方を行うこ
とにより、セラミックス被覆膜を形成させることができ
る。適用方法は、通常実施されているプラスチック材料
への塗布方法、すなわち浸漬、ロール塗り、バー塗り、
刷毛塗り、スプレー塗り、フロー塗り等が用いられる。
特に好ましい適用方法はグラビアコーティング法であ
る。After repeatedly applying the above-mentioned phenylsilyl group-crosslinked polysilazane-containing coating composition to a substrate once or twice or more, it is fired and exposed to a steam atmosphere, or immersed in distilled water containing a catalyst, or By performing both, a ceramic coating film can be formed. The method of application is usually applied to plastic materials, i.e. dipping, roll coating, bar coating,
Brush coating, spray coating, flow coating and the like are used.
A particularly preferred application method is the gravure coating method.
【0056】焼成を行う場合の条件は用いるフェニルシ
リル基架橋ポリシラザンまたは塗布組成物によって異な
り、またコーティングを施す基板、製品によって選択す
ることができる。低温セラミックス化フェニルシリル基
架橋ポリシラザンは、特に低温形成方法を使用しなくて
も、通常の焼成を行っても、添加剤を含まないフェニル
シリル基架橋ポリシラザンよりも低い温度でセラミック
ス化することができる。低温セラミックス化塗布組成物
(特に、フェニルシリル基架橋ポリシラザンの金属カル
ボン酸塩付加物、アセチルアセトナト錯体付加物、金属
微粒子付加物)を使用し、この後、低温形成方法を採用
しない場合、焼成条件は500〜1000℃の範囲にあ
る。好ましい焼成温度は、250〜400℃、より好ま
しくは250〜350℃の範囲にある。The conditions for firing are different depending on the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or the coating composition to be used, and can be selected depending on the substrate or product to be coated. Low temperature ceramicized phenylsilyl group-crosslinked polysilazane can be ceramicized at a lower temperature than phenylsilyl group-crosslinked polysilazane containing no additives, even without using a low-temperature forming method, and even when ordinary firing is performed. . A low-temperature ceramic coating composition (especially a metal carboxylate adduct of a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, an acetylacetonate complex adduct, and a metal fine particle adduct) is used. The conditions are in the range of 500-1000C. Preferred firing temperatures are in the range of 250-400C, more preferably 250-350C.
【0057】焼成雰囲気は酸素中、空気中あるいは不活
性ガス等のいずれであってもよいが、空気中がより好ま
しい。空気中での焼成により低温セラミックス化組成物
の酸化、あるいは空気中に共存する水蒸気による加水分
解が進行し、上記のような低い焼成温度でSi−O結合
あるいはSi−N結合を主体とする三次元構造を有し且
つ架橋部分の有機成分を残存する強靱な被覆の形成が可
能となる。更に、コーティングする低温セラミックス化
組成物の種類によっては、50℃以上での焼成を全く行
なわず、塗布後の被覆膜を50℃未満の条件で長時間保
持し、被覆膜の性質を向上させることが可能である。こ
の場合の保持雰囲気は空気中が好ましく、また水蒸気圧
を高めた湿潤空気中でも更に好ましい。保持する時間は
特に限定されるものではないが、10分以上30日以内
が現実的に適当である。また保持温度は特に限定される
ものではないが、0℃以上50℃未満が現実的に適当で
ある。ここで50℃以上で保持することも当然有効であ
るが、本文では50℃以上での加熱操作を「焼成」と定
義している。この空気中での保持により金属カルボン酸
塩とポリシラザン架橋体の反応物の酸化、あるいは空気
中に共存する水蒸気による加水分解が進行し、セラミッ
クスへの転化が完了して、Si−O結合あるいはSi−
N結合を主体とした三次元構造を有し且つ架橋部分の有
機成分を残存する強靱な被覆膜の形成が可能となる。以
上の方法によれば高い焼成温度に起因する種々の問題を
大幅に軽減することができ、場合によっては室温付近で
のセラミックスへの転化が可能となる。The firing atmosphere may be any of oxygen, air, or an inert gas, but air is more preferable. Oxidation of the low-temperature ceramic composition, or hydrolysis by water vapor coexisting in the air, proceeds by firing in air, and the tertiary reaction mainly composed of Si—O bonds or Si—N bonds at the low firing temperature as described above. It is possible to form a tough coating having an original structure and remaining the organic component of the crosslinked portion. Furthermore, depending on the type of the low-temperature ceramic material composition to be coated, firing at 50 ° C. or higher is not performed at all, and the coated film after application is maintained at a temperature lower than 50 ° C. for a long time to improve the properties of the coated film. It is possible to do. In this case, the holding atmosphere is preferably in air, and more preferably in humid air having an increased water vapor pressure. The holding time is not particularly limited, but it is practically appropriate that the holding time is 10 minutes or more and 30 days or less. Further, the holding temperature is not particularly limited, but a temperature of 0 ° C. or more and less than 50 ° C. is practically appropriate. Although it is naturally effective to maintain the temperature at 50 ° C. or higher, the heating operation at 50 ° C. or higher is defined as “firing” in the text. Oxidation of the reaction product of the metal carboxylate and the crosslinked polysilazane or hydrolysis by water vapor coexisting in the air proceeds by the holding in the air, and the conversion to ceramics is completed, and the Si—O bond or Si −
It is possible to form a tough coating film having a three-dimensional structure mainly composed of N bonds and remaining the organic components in the crosslinked portions. According to the above method, various problems caused by a high firing temperature can be significantly reduced, and in some cases, conversion to ceramics at around room temperature becomes possible.
【0058】低温形成方法を採用する場合には、昇温速
度は特に限定しないが、0.5〜5℃/分の昇温速度が
好ましい。好ましい焼成温度は室温〜250℃である
が、プラスチック材料等への塗布には、プラスチック材
料を損なわない温度、好ましくは150℃以下で加熱処
理を施す。一般に、加熱処理を150℃以上で行うと、
プラスチック材料が変形したり、その強度が劣化するな
ど、プラスチック材料が損なわれる。しかしながら、ポ
リイミド等の耐熱性の高いプラスチック材料の場合には
より高温での処理が可能であり、この加熱処理温度は、
プラスチック材料の種類によって当業者が適宜設定する
ことができる。焼成雰囲気は酸素中、空気中あるいは不
活性ガス等のいずれであってもよいが、空気中がより好
ましい。上記の温度での熱処理においてはSi−O、S
i−N、Si−H、N−H結合が存在するものが形成さ
れる。これはまだセラミックスへの転化が不完全であ
る。これを次に述べる2つの方法のいずれか一方又は両
方によってセラミックスに転化させることが可能であ
る。When the low-temperature forming method is employed, the rate of temperature rise is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 5 ° C./min. The preferable baking temperature is from room temperature to 250 ° C., but when applying to a plastic material or the like, heat treatment is performed at a temperature that does not damage the plastic material, preferably 150 ° C. or less. Generally, when the heat treatment is performed at 150 ° C. or more,
The plastic material is damaged, for example, the plastic material is deformed or its strength is deteriorated. However, in the case of a plastic material having high heat resistance such as polyimide, processing at a higher temperature is possible.
A person skilled in the art can appropriately set according to the type of the plastic material. The firing atmosphere may be any of oxygen, air, or an inert gas, but air is more preferable. In the heat treatment at the above temperature, Si—O, S
Those having i-N, Si-H, and N-H bonds are formed. It is still incompletely converted to ceramics. This can be converted to ceramics by one or both of the following two methods.
【0059】 水蒸気雰囲気中での熱処理。 圧力は特に限定されるものではないが、1〜3気圧が現
実的に適当である。室温は室温以上で効果的であるが室
温〜150℃が好ましい。相対湿度は特に限定されない
が10%RH〜100%RHが好ましい。熱処理時間は特に
限定されるものではないが10分〜30日が現実的に適
当である。水蒸気雰囲気中での熱処理により、フェニル
シリル基架橋ポリシラザンまたはフェニルシリル基架橋
ポリシラザンの変性生成物の酸化が進行し、上記のよう
な低い焼成温度でSi−O結合を主体とする三次元構造
を有しかつ有機成分を残存した強靱なセラミックス、特
にセラミック被覆の形成が可能となる。このSiO 2 系
膜は、フェニルシリル基架橋ポリシラザンに由来するた
め窒素を原子百分率で0.01〜5%含有する。この窒
素含有量が5%よりも多いと膜のセラミックス化が不十
分となり所期の効果、例えば、耐磨耗性やガスバリヤ性
が得られない。一方、窒素含有量を0.01%よりも少
なくすることは困難である。Heat treatment in a steam atmosphere. The pressure is not particularly limited, but is 1 to 3 atm.
Really appropriate. Room temperature is effective above room temperature
Temperature to 150 ° C. is preferred. The relative humidity is not particularly limited
Is preferably 10% RH to 100% RH. Especially the heat treatment time
Although not limited, 10 minutes to 30 days are practically suitable.
That's right. Phenyl by heat treatment in a steam atmosphere
Silyl group crosslinked polysilazane or phenylsilyl group crosslinked
Oxidation of the modified product of polysilazane proceeds, as described above.
Three-dimensional structure mainly composed of Si-O bonds at very low firing temperature
Tough ceramics with organic components remaining
In this way, a ceramic coating can be formed. This SiO Twosystem
The membrane is derived from phenylsilyl group-crosslinked polysilazane.
Nitrogen in an atomic percentage of 0.01 to 5%. This
If the elemental content is more than 5%, the film becomes insufficiently ceramic.
The desired effect, for example, abrasion resistance and gas barrier properties
Can not be obtained. On the other hand, if the nitrogen content is less than 0.01%
It is difficult to get rid of it.
【0060】 触媒を含有した蒸留水中に浸す。 触媒としては、酸、塩基が好ましく、その種類について
は特に限定されないが、例えば、トリエチルアミン、ジ
エチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン、n−エキシルアミン、n
−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブ
チルアミン、グアニジン、ピグアニン、イミダゾール、
1,8−ジアザビシクロ−〔5,4,0〕−7−ウンデ
セン、1,4−ジアザビシクロ−〔2,2,2〕−オク
タン等のアミン類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化リチウム、ピリジン、アンモニア水等のアル
カリ類;リン酸等の無機酸類;氷酢酸、無水酢酸、プロ
ピオン酸、無水プロピオン酸のような低級モノカルボン
酸、又はその無水物、シュウ酸、フマル酸、マレイン
酸、コハク酸のような低級ジカルボン酸又はその無水
物、トリクロロ酢酸等の有機酸類;過塩素酸、塩酸、硝
酸、硫酸、スルホン酸、パラトルエンスルホン酸、三フ
ッ化ホウ素及びその電気供与体との錯体、等;SnCl
4 ,ZnCl2 ,FeCl3 ,AlCl3 ,SbC
l3 ,TiCl4 などのルイス酸及びその錯体等を使用
することができる。好ましい触媒は塩酸である。触媒の
含有割合としては0.01〜50wt%、好ましくは1〜
10wt%である。保持温度としては室温から沸点までの
温度にわたって有効である。保持時間としては特に限定
されるものではないが10分〜30日が現実的に適当で
ある。Immerse in distilled water containing the catalyst. The catalyst is preferably an acid or a base, and the type thereof is not particularly limited. For example, triethylamine, diethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, n-exylamine, and n
-Butylamine, di-n-butylamine, tri-n-butylamine, guanidine, piguanine, imidazole,
Amines such as 1,8-diazabicyclo- [5,4,0] -7-undecene and 1,4-diazabicyclo- [2,2,2] -octane; sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, Alkalis such as pyridine and aqueous ammonia; inorganic acids such as phosphoric acid; lower monocarboxylic acids such as glacial acetic acid, acetic anhydride, propionic acid and propionic anhydride, or anhydrides thereof, oxalic acid, fumaric acid, maleic acid, Lower dicarboxylic acids such as succinic acid or anhydrides thereof, and organic acids such as trichloroacetic acid; perchloric acid, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, sulfonic acid, paratoluenesulfonic acid, boron trifluoride, and complexes thereof with an electric donor , Etc .; SnCl
4 , ZnCl 2 , FeCl 3 , AlCl 3 , SbC
Lewis acids such as l 3 and TiCl 4 and their complexes can be used. The preferred catalyst is hydrochloric acid. The content of the catalyst is 0.01 to 50% by weight, preferably 1 to 50% by weight.
10 wt%. The holding temperature is effective from room temperature to the boiling point. The holding time is not particularly limited, but 10 minutes to 30 days is practically appropriate.
【0061】触媒を含有した蒸留水中に浸すことによ
り、フェニルシリル基架橋ポリシラザンまたはフェニル
シリル基架橋ポリシラザンの変性生成物の酸化あるいは
水との加水分解が、触媒の存在により更に加速され、上
記のような低い焼成温度でSi−O結合を主体とする三
次元構造を有し且つ有機成分の残存した強靱なセラミッ
クス、特にセラミック被覆の形成が可能となる。このS
iO2 系膜は、フェニルシリル基架橋ポリシラザンに由
来するため窒素を同様に原子百分率で0.01〜5%程
度含有する。By immersion in distilled water containing a catalyst, oxidation of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or hydrolysis with water is further accelerated by the presence of the catalyst. At a very low firing temperature, it is possible to form a tough ceramic, particularly a ceramic coating, having a three-dimensional structure mainly composed of Si-O bonds and remaining organic components. This S
Since the iO 2 -based film is derived from phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, it similarly contains about 0.01 to 5% of nitrogen in atomic percentage.
【0062】低温セラミックス化の別の方法として、前
記のようなフェニルシリル基架橋ポリシラザン又はその
変性物を含む塗布組成物に酸化促進触媒としてパラジウ
ム(Pd)を含有させる方法がある。具体的には、Pd
2+イオンを含有するフェニルシリル基架橋ポリシラザン
を低温で水蒸気と接触させるとシリカが得られる。Si
−Hを有するフェニルシリル基架橋ポリシラザンはPd
2+イオンと水を必須成分とする系内で低温下でシリカを
主成分とするセラミックスに転化する。As another method of low-temperature ceramicization, there is a method in which palladium (Pd) is contained as an oxidation-promoting catalyst in a coating composition containing a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof as described above. Specifically, Pd
When a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane containing 2+ ions is brought into contact with water vapor at a low temperature, silica is obtained. Si
Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane having -H is Pd
It is converted into ceramics mainly composed of silica at a low temperature in a system containing 2+ ions and water as essential components.
【0063】Pd2+イオンの供給量は、シリカ(SiO
2 )組成に近いセラミックスを得るためにはフェニルシ
リル基架橋ポリシラザンのSi−H基およびSi−N基
の総和の等モル以上が好ましい。但し、反応系内にC
uCl2 などのPd0 (0価パラジウム)の酸化触媒を
添加した場合、あるいは電気化学的にPd0 を酸化す
るなどの操作を同時に行なった場合にはPd2+イオン量
は上記より少なくても同等の効果が得られる。しかし、
Pd2+イオンは少量でもそれなりの効果が得られるので
上記の好ましい供給量に限定されるわけではない。従っ
て、上記、の操作をしない場合で、フェニルシリル
基架橋ポリシラザンのSi−H基及びSi−N基の総和
のモル数に対し一般的に1/100モル以上、好ましく
は1/10モル以上、そしてより好ましくは1モル以
上、実用的には1/10モル以上のPd2+を供給する。The supply amount of Pd 2+ ions was determined by the amount of silica (SiO 2
2 ) In order to obtain ceramics having a composition close to the composition, it is preferable that the total amount of Si-H groups and Si-N groups of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane be equal to or more than the same mole. However, C in the reaction system
When a Pd 0 (zero-valent palladium) oxidation catalyst such as uCl 2 is added, or when an operation such as electrochemical oxidation of Pd 0 is performed at the same time, the amount of Pd 2+ ions may be smaller than the above. An equivalent effect can be obtained. But,
The Pd 2+ ion is not limited to the above-mentioned preferable supply amount since a small amount of Pd 2+ ion can provide a certain effect. Therefore, in the case where the above operation is not performed, generally 1/100 mol or more, preferably 1/10 mol or more with respect to the total number of moles of Si—H groups and Si—N groups of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, More preferably, 1 mol or more, and practically, 1/10 mol or more of Pd 2+ is supplied.
【0064】Pdの添加量が上記1/10モルの場合、
便宜的にはフェニルシリル基架橋ポリシラザンのSi
(ケイ素)のモル量の0.2倍すればPdの添加重量に
なる。水の供給方法はフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンを水中に浸漬する、水を霧化してフェニルシリル基架
橋ポリシラザンに吹き付ける、フェニルシリル基架橋ポ
リシラザンを水蒸気に暴露するなどによることができ
る。水の供給量はシリカ(SiO2 )組成に近いセラミ
ックスを得るためにはフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンのSi−H基およびSi−N基の総和と等モル量以上
が好ましい。通常は大過剰の水を用いる。When the added amount of Pd is 1/10 mol,
For convenience, the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane Si
When the molar amount of (silicon) is 0.2 times, the added weight of Pd is obtained. The water can be supplied by immersing the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane in water, atomizing water and spraying the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, or exposing the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane to water vapor. The amount of water supplied is preferably at least equimolar to the sum of the Si—H groups and Si—N groups of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane in order to obtain ceramics having a composition close to silica (SiO 2 ). Usually a large excess of water is used.
【0065】このフェニルシリル基架橋ポリシラザンの
セラミックス化の反応条件として反応温度、反応圧力、
反応雰囲気など特に限定されない。ただし、反応温度と
しては必要に応じて加温するが、100℃以下の低温で
十分に反応が進行する。例えば80℃以下、さらには4
0℃以下でも可能である。低温セラミックス化の別の方
法として、前記のようなフェニルシリル基架橋ポリシラ
ザン又はその変性物を含む塗布組成物に酸化促進触媒と
してアミン化合物及び/又は酸化合物を含有させる方法
がある。ここで用いられるアミン化合物には、例えば下
記一般式(III) で表されるアミン化合物の他、ピリジン
類やDBU、DBNなども含まれ、また酸化合物には有
機酸や無機酸が含まれる。The reaction conditions for the ceramization of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane include reaction temperature, reaction pressure,
The reaction atmosphere is not particularly limited. However, the reaction is heated as necessary, but the reaction proceeds sufficiently at a low temperature of 100 ° C. or less. For example, 80 ° C. or less, and even 4
It is possible even at 0 ° C. or less. As another method of low-temperature ceramicization, there is a method in which an amine compound and / or an acid compound is contained as an oxidation-promoting catalyst in a coating composition containing a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof as described above. The amine compound used here includes, for example, an amine compound represented by the following general formula (III), pyridines, DBU, DBN, and the like, and an acid compound includes an organic acid and an inorganic acid.
【0066】酸化促進触媒としてのアミン化合物の代表
例として、下記一般式(III) で表される化合物が挙げら
れる。 R4 R5 R6 N (III) 式中、R4 〜R6 は、それぞれ水素原子、アルキル基、
アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキ
ルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表
す。具体例として、メチルアミン、ジメチルアミン、ト
リメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリ
エチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、ト
リプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、ト
リブチルアミン、ペンチルアミン、ジペンチルアミン、
トリペンチルアミン、ヘキシルアミン、ジヘキシルアミ
ン、トリヘキシルアミン、ヘプチルアミン、ジヘプチル
アミン、トリヘプチルアミン、オクチルアミン、ジオク
チルアミン、トリオクチルアミン、フェニルアミン、ジ
フェニルアミン、トリフェニルアミン、等が挙げられ
る。なお、これらアミン化合物に含まれる炭化水素鎖
は、直鎖であっても分枝鎖であってもよい。特に好まし
いアミン化合物は、トリエチルアミン、トリペンチルア
ミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘ
プチルアミン及びトリオクチルアミンである。Representative examples of the amine compound as the oxidation-promoting catalyst include a compound represented by the following general formula (III). R 4 R 5 R 6 N (III) In the formula, R 4 to R 6 each represent a hydrogen atom, an alkyl group,
Represents an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylsilyl group, an alkylamino group or an alkoxy group. Specific examples include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, propylamine, dipropylamine, tripropylamine, butylamine, dibutylamine, tributylamine, pentylamine, dipentylamine,
Examples include tripentylamine, hexylamine, dihexylamine, trihexylamine, heptylamine, diheptylamine, triheptylamine, octylamine, dioctylamine, trioctylamine, phenylamine, diphenylamine, triphenylamine, and the like. In addition, the hydrocarbon chain contained in these amine compounds may be linear or branched. Particularly preferred amine compounds are triethylamine, tripentylamine, tributylamine, trihexylamine, triheptylamine and trioctylamine.
【0067】ピリジン類の具体例として、ピリジン、α
−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジ
ン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン、等が挙げられ
る。さらに、DBU(1,8−ジアザビシクロ〔5.
4.0〕−7−ウンデセン)、DBN(1,5−ジアザ
ビシクロ〔4.3.0〕−5−ノネン)、等も使用する
ことができる。一方、酸化促進触媒としての酸化合物の
具体例としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、
マレイン酸、ステアリン酸、等の有機酸、塩酸、硝酸、
硫酸、過酸化水素、等の無機酸、等が挙げられる。特に
好ましい酸化合物は、プロピオン酸、塩酸及び過酸化水
素である。Specific examples of pyridines include pyridine, α
-Picoline, β-picoline, γ-picoline, piperidine, lutidine, pyrimidine, pyridazine and the like. Furthermore, DBU (1,8-diazabicyclo [5.
4.0] -7-undecene), DBN (1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene), and the like can also be used. On the other hand, specific examples of the acid compound as the oxidation promoting catalyst include acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid,
Organic acids such as maleic acid, stearic acid, hydrochloric acid, nitric acid,
And inorganic acids such as sulfuric acid and hydrogen peroxide. Particularly preferred acid compounds are propionic acid, hydrochloric acid and hydrogen peroxide.
【0068】アミン化合物のフェニルシリル基架橋ポリ
シラザンに対する添加量は、フェニルシリル基架橋ポリ
シラザン重量に対して1ppm以上であればよく、好ま
しくは100ppm〜100%である。尚、塩基性度
(水溶液中でのpKb値)及び沸点が高いアミン化合物
ほど、セラミックス化を促進する傾向がある。また、酸
化合物のフェニルシリル基架橋ポリシラザンに対する添
加量は、フェニルシリル基架橋ポリシラザン重量に対し
て0.1ppm以上であればよく、好ましくは10pp
m〜10%である。この態様において特に好ましいアミ
ン化合物はトリペンチルアミンであり、また酸化合物は
プロピオン酸である。The amount of the amine compound added to the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane may be 1 ppm or more, preferably 100 ppm to 100%, based on the weight of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane. An amine compound having a higher basicity (pKb value in an aqueous solution) and a higher boiling point tends to promote ceramic formation. The amount of the acid compound added to the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane may be 0.1 ppm or more based on the weight of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, preferably 10 pp.
m to 10%. A particularly preferred amine compound in this embodiment is tripentylamine, and the acid compound is propionic acid.
【0069】塗布した後のフェニルシリル基架橋ポリシ
ラザン又はその変性物を水蒸気雰囲気に暴露することに
よりフェニルシリル基架橋ポリシラザン又はその変性物
をセラミックス化させる。この接触には、一般に加湿炉
やスチームが用いられる。具体的には、塗布中に溶剤乾
燥ゾーンにスチームを導入し、その中(温度50〜10
0℃、相対湿度50〜100%RH)を通過させる方法
や、別に設けた加湿炉(温度50〜100℃、相対湿度
50〜100%RH)の中を滞留時間10〜60分で通
過させる方法や、塗布後の溶剤乾燥時に通過したスチー
ムを導入した溶剤乾燥ゾーン(温度50〜100℃、相
対湿度50〜100%RH)を滞留時間10〜60分で
再度通過させる方法が考えられる。低温の場合には、単
に水蒸気を含む容器内で処理しても、また大気中で処理
することもできる。水蒸気と接触させる温度範囲は室温
(約20℃)から基材の耐熱温度までの範囲とすること
ができる。また、接触における湿度範囲は約0.1%R
H〜100%RHとすることができる。The phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof is exposed to a steam atmosphere after application to convert the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof into a ceramic. For this contact, a humidifying furnace or steam is generally used. Specifically, steam is introduced into the solvent drying zone during coating, and steam is introduced therein (at a temperature of 50 to 10).
0 ° C., relative humidity of 50 to 100% RH) or a separately provided humidifying furnace (temperature of 50 to 100 ° C., relative humidity of 50 to 100% RH) with a residence time of 10 to 60 minutes. Alternatively, a method in which steam is passed through a solvent drying zone (temperature: 50 to 100 ° C., relative humidity: 50 to 100% RH) in which steam that has passed during drying of the solvent after coating is passed again with a residence time of 10 to 60 minutes can be considered. When the temperature is low, the treatment can be carried out simply in a vessel containing steam or in the atmosphere. The temperature range for contact with the water vapor can range from room temperature (about 20 ° C.) to the heat resistant temperature of the substrate. The humidity range in contact is about 0.1% R
H to 100% RH.
【0070】上記の水蒸気雰囲気への暴露処理によっ
て、フェニルシリル基架橋ポリシラザン又はその変性物
に含まれるSi−N、Si−H、N−H結合等は消失
し、Si−O結合を主体とする三次元構造を有し且つ有
機成分の残存した強靱なセラミックス膜が形成される。
尚、このSiO2 膜はフェニルシリル基架橋ポリシラザ
ンに由来するため窒素を原子百分率で0.005〜5%
含有する。この窒素含有量が5%よりも多い場合には膜
のセラミックス化が不十分となり所期の効果(例えばガ
スバリヤ性や耐磨耗性)が得られない。一方、窒素含有
量を0.005%よりも少なくすることは困難である。By the above-mentioned exposure treatment to a water vapor atmosphere, Si—N, Si—H, NH bonds and the like contained in the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane or a modified product thereof disappear, and the Si—O bond is mainly contained. A tough ceramic film having a three-dimensional structure and remaining organic components is formed.
Since this SiO 2 film is derived from a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, nitrogen is contained in an atomic percentage of 0.005 to 5%.
contains. If the nitrogen content is more than 5%, the film is not sufficiently ceramicized, and the desired effects (eg, gas barrier properties and abrasion resistance) cannot be obtained. On the other hand, it is difficult to make the nitrogen content less than 0.005%.
【0071】これらの方法によって1回の適用で得られ
るSiO2 膜の厚さは、好ましくは50Å〜5μm、よ
り好ましくは100Å〜2μmの範囲である。膜厚が5
μmよりも厚いと熱処理時に割れが入ることが多く、更
に可撓性が悪くなり、折り曲げなどによる割れや剥離も
生じ易くなる。反対に、膜厚が50Åよりも薄いと所期
の効果、例えば所望のガスバリヤ性や耐磨耗性が得られ
ない。この膜厚は、コーティング用組成物の濃度を変更
することによって制御することができる。すなわち、膜
厚を増加したい場合にはコーティング用組成物の固形分
濃度を高くする(溶剤濃度を低くする)ことができる。
また、コーティング用組成物を複数回適用することによ
って膜厚をさらに増加させることもできる。以下、本発
明を実施例によってさらに説明する。The thickness of the SiO 2 film obtained by one application by these methods is preferably in the range of 50 to 5 μm, more preferably 100 to 2 μm. Film thickness 5
If the thickness is larger than μm, cracks often occur during the heat treatment, and the flexibility is further deteriorated, and cracking or peeling due to bending or the like is likely to occur. Conversely, if the film thickness is less than 50 °, desired effects, for example, desired gas barrier properties and abrasion resistance cannot be obtained. This film thickness can be controlled by changing the concentration of the coating composition. That is, when it is desired to increase the film thickness, the solid content concentration of the coating composition can be increased (the solvent concentration can be decreased).
Further, the film thickness can be further increased by applying the coating composition a plurality of times. Hereinafter, the present invention will be further described with reference to examples.
【0072】[0072]
【実施例】参考例1 [ペルヒドロポリシラザンの合成] 内容1Lの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メカニカ
ルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着した。反応
器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四つ口フラ
スコに脱気した乾燥ピリジンを490ml入れ、これを氷
冷した。次にジクロロシラン51.9gを加えると白色
固体状のアダクト(SiH2 C12 ・2C5 H5 N)が
生成した。反応混合物を氷冷し、攪拌しながら水酸化ナ
トリウム管及び活性炭管を通して生成したアンモニア5
1.0gを吹き込んだ後、100℃で加熱した。反応終
了後、反応混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを用いて
洗浄した後、更に乾燥窒素雰囲気下で濾過して炉液85
0mlを得た。炉液5mlから溶媒を減圧除去すると樹脂状
固体ペルヒドロポリシラザン0.102gが得られた。
得られたポリマーの数平均分子量を、ポリスチレンを基
準とするGPC法により測定したところ、1120であ
った。IR(赤外吸収)スペクトル(溶媒:乾燥キシレ
ン;ペルヒドロポリシラザンの濃度:10重量%)は、
波数(cm-1)3380、および1180のN−Hに基づ
く吸収:2160のSi−Hに基づく吸収:1060〜
800のSi−N−Siに基づく吸収を示した。IRス
ペクトルを図1に示す。EXAMPLES Reference Example 1 [Synthesis of Perhydropolysilazane] A 1-liter four-necked flask was equipped with a gas blowing tube, a mechanical stirrer, and a dewar condenser. After the inside of the reactor was replaced with deoxygenated dry nitrogen, 490 ml of degassed dry pyridine was put into a four-necked flask, and this was cooled with ice. Then the addition of dichlorosilane 51.9g white solid adduct (SiH 2 C1 2 · 2C 5 H 5 N) was produced. The reaction mixture was cooled on ice, and ammonia 5 was passed through a sodium hydroxide tube and an activated carbon tube while stirring.
After blowing in 1.0 g, the mixture was heated at 100 ° C. After the completion of the reaction, the reaction mixture was centrifuged, washed with dry pyridine, and then filtered under a dry nitrogen atmosphere to remove the filtrate.
0 ml was obtained. The solvent was removed from 5 ml of the filtrate under reduced pressure to obtain 0.102 g of resinous solid perhydropolysilazane.
The number average molecular weight of the obtained polymer was 1,120 as measured by GPC based on polystyrene. IR (infrared absorption) spectrum (solvent: dry xylene; concentration of perhydropolysilazane: 10% by weight)
Wave number (cm -1 ) 3380, and absorption based on NH of 1180: absorption based on Si-H of 2160: 1060 to 1060
It showed an absorption based on Si-N-Si of 800. FIG. 1 shows the IR spectrum.
【0073】参考例2[ポリメチル(ヒドロ)シラザン
の合成] 内容積500mlの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メ
カニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着し
た。反応器内部を脱酸素した乾燥窒素で置換した後、四
つ口フラスコにメチルジクロロシラン(CH3 SiHC
12 ,24.3g,0.221モル)と乾燥ジクロロメ
タン300mlを入れた。反応混合物を氷冷し、攪拌しな
がら乾燥アンモニア20.5g(1.20モル)を窒素
ガスと共に吹き込んでアンモニア分解を行った。反応終
了後、反応混合物を遠心分離した後、濾過した。炉液か
ら溶媒を減圧除去し、ポリメチル(ヒドロ)シラザンを
無色の液体として8.79g得た。生成物の数平均分子
量を凝固点降下法で(溶媒:乾燥ベンゼン)により測定
したところ、310であった。内容積100mlの四つ口
フラスコにガス導入管、温度計、コンデンサーおよび滴
下ロートを装着し、反応系内をアルコンガスで置換し
た。四つ口フラスコにテトラヒドロフラン12mlおよび
水酸化カリウム0.189g(4.71モル)を入れ、
磁気攪拌を開始した。滴下ロートに上述のポリメチル
(ヒドロ)シラザン5.00gおよび乾燥テトラヒドロ
フラン50mlを入れ、これを水酸化カリウムに滴下し
た。室温で1時間反応させた後、滴下ロートにヨウ化メ
タン1.60g(11.3ミリモル)、および乾燥テト
ラヒドロフラン1mlを入れ、これを反応溶液に滴下し
た。室温で3時間反応させた後、反応混合物の溶媒を減
圧除去し、乾燥n−ヘキサン40mlを加えて遠心分離
し、濾過した。炉液の溶媒を減圧除去すると、ポリメチ
ル(ヒドロ)シラザンが白色粉末として4.85g得ら
れた。得られたポリマーの数平均分子量を、ポリスチレ
ンを基準とするGPC法により測定したところ1060
であった。IR(赤外吸収)スペクトル(溶媒:乾燥キ
シレン;ポリメチル(ヒドロ)シラザンの濃度:10重
量%)は、波数(cm-1)3380、および1180のN
−Hに基づく吸収:2140のSi−Hに基づく吸収:
1260のSi−CH3 に基づく吸収:2950のC−
Hに基づく吸収を示した。IRスペクトルを図2に示
す。 REFERENCE EXAMPLE 2 [Synthesis of polymethyl (hydro) silazane] A four-necked flask having an inner volume of 500 ml was equipped with a gas injection tube, a mechanical stirrer, and a dewar condenser. After the inside of the reactor was replaced with deoxygenated dry nitrogen, methyldichlorosilane (CH 3 SiHC) was placed in a four-necked flask.
1 2, 24.3 g, was placed 0.221 mol) and dry dichloromethane 300 ml. The reaction mixture was ice-cooled, and ammonia was decomposed by blowing 20.5 g (1.20 mol) of dry ammonia together with nitrogen gas while stirring. After completion of the reaction, the reaction mixture was centrifuged and then filtered. The solvent was removed from the furnace liquid under reduced pressure to obtain 8.79 g of polymethyl (hydro) silazane as a colorless liquid. The number average molecular weight of the product was 310 as measured by freezing point depression method (solvent: dry benzene). A gas inlet tube, a thermometer, a condenser, and a dropping funnel were attached to a four-necked flask having an inner volume of 100 ml, and the inside of the reaction system was replaced with arcon gas. A four-necked flask was charged with 12 ml of tetrahydrofuran and 0.189 g (4.71 mol) of potassium hydroxide,
Magnetic stirring was started. 5.00 g of the above-mentioned polymethyl (hydro) silazane and 50 ml of dry tetrahydrofuran were put into a dropping funnel, and this was dropped into potassium hydroxide. After reacting at room temperature for 1 hour, 1.60 g (11.3 mmol) of methane iodide and 1 ml of dry tetrahydrofuran were put into a dropping funnel, and this was added dropwise to the reaction solution. After reacting at room temperature for 3 hours, the solvent of the reaction mixture was removed under reduced pressure, 40 ml of dry n-hexane was added, centrifuged, and filtered. Removal of the solvent from the furnace under reduced pressure gave 4.85 g of polymethyl (hydro) silazane as a white powder. When the number average molecular weight of the obtained polymer was measured by a GPC method using polystyrene as a reference, it was found to be 1060.
Met. The IR (infrared absorption) spectrum (solvent: dry xylene; polymethyl (hydro) silazane concentration: 10% by weight) has a wave number (cm -1 ) of 3380, and an N of 1180.
Absorption based on -H: Absorption based on 2140 Si-H:
Absorption based on Si-CH 3 of 1260: 2950 of the C-
H-based absorption was shown. FIG. 2 shows the IR spectrum.
【0074】実施例1 容量300mlのガラス製ビーカーに参考例1で合成した
ペルヒドロポリシラザン10gとキシレン80gを導入
した。これにトリエチルアミン10gを添加して、スタ
ーラーでよく攪拌し、ポリシラザン溶液を調製した。次
に、トリエチルアミン17gとチッソ社製の1,4−ビ
ス(ヒドロキシジメチルシリル)ベンゼン3.0gをよ
く混合して、容量50mlのガラス製ビューレットに注入
した。これを、上記のポリシラザン溶液にスターラーで
よく攪拌しながら、ゆっくり約10分かけて滴下した。
反応は、穏やかな発熱とガスの発生を伴って進行した。
滴下終了後、約30分攪拌しながら、放置した。引き続
き、ロータリーエバポレーターを用いて、溶液中のトリ
エチルアミンを留去し、10重量%のフェニルシリル基
架橋ポリシラザンキシレン溶液を得た。得られたフェニ
ルシリル基架橋ポリシラザンの数平均分子量を、ポリス
チレンを基準とするGPC法により測定したところ、1
500であった。IR(赤外吸収)スペクトルは、ポリ
シラザンの吸収、すなわち波数(cm-1)3380、およ
び1180のN−Hに基づく吸収、2160のSi−H
に基づく吸収、1060〜800のSi−N−Siに基
づく吸収に加えて、波数(cm-1)2950のC−Hに基
づく吸収、1250のSi−Meに基づく吸収、113
0のSi−Phに基づく吸収、1080のSi−O−S
iに基づく吸収が観測された。IRスペクトルを図3に
示す。 1H−NMRスペクトル(溶媒:乾燥キシレンと
CDCl3の1:2(重量比)混合物);ペルヒドロポ
リシラザン濃度:10重量%)を測定したところ、ポリ
シラザン、すなわち4.5〜5.3ppmのSi−H1
基及びSi−H2基に帰属される1H、4.3〜4.5
ppmのSi−H3に帰属される1H、0.8〜1.9
ppmのN−H基に帰属される1Hに加えて、7.5〜
7.7ppmのフェニル基のC−H基に帰属される1H
及び0.3〜0.5ppmのSi−Me基に帰属される
1Hが観測された。 1H−NMRデータを図4に示す。
得られたフェニルシリル基架橋ポリシラザン(10重量
%キシレン溶液)を室温、大気雰囲気中で20日間放置
し、数平均分子量を測定したところ、放置前と変わらず
1500であった。 Example 1 10 g of the perhydropolysilazane synthesized in Reference Example 1 and 80 g of xylene were introduced into a glass beaker having a capacity of 300 ml. 10 g of triethylamine was added thereto, and the mixture was stirred well with a stirrer to prepare a polysilazane solution. Next, 17 g of triethylamine and 3.0 g of 1,4-bis (hydroxydimethylsilyl) benzene (manufactured by Chisso Corporation) were mixed well and injected into a glass burette having a capacity of 50 ml. This was slowly added dropwise to the above-mentioned polysilazane solution over about 10 minutes while sufficiently stirring with a stirrer.
The reaction proceeded with a mild exotherm and evolution of gas.
After completion of the dropwise addition, the mixture was left for about 30 minutes while stirring. Subsequently, triethylamine in the solution was distilled off using a rotary evaporator to obtain a 10% by weight phenylsilyl group-crosslinked polysilazane xylene solution. The number average molecular weight of the obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane was measured by a GPC method using polystyrene as a standard.
500. The IR (infrared absorption) spectrum shows the absorption of polysilazane, ie, a wavenumber (cm -1 ) of 3380, and an absorption based on NH of 1180, and an Si-H of 2160.
, An absorption based on Si-N-Si of 1060 to 800, plus an absorption based on C-H at a wave number (cm -1 ) of 2950, an absorption based on Si-Me of 1250, 113
Absorption based on Si-Ph of 0, Si-OS of 1080
An absorption based on i was observed. FIG. 3 shows the IR spectrum. When the 1 H-NMR spectrum (solvent: a mixture of dry xylene and CDCl 3 (1: 2 by weight); perhydropolysilazane concentration: 10% by weight) was measured, polysilazane, that is, 4.5 to 5.3 ppm of Si was obtained. -H1
1H, 4.3-4.5 assigned to the group and Si-H2 group
1H attributed to ppm of Si-H3, 0.8-1.9.
In addition to 1H attributable to the N—H group in ppm, 7.5 to 7.5
1H attributable to CH group of phenyl group at 7.7 ppm
And 1H attributed to 0.3-0.5 ppm of Si-Me group was observed. FIG. 4 shows the 1 H-NMR data.
The obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane (10 wt% xylene solution) was allowed to stand at room temperature for 20 days in an air atmosphere, and the number average molecular weight was measured.
【0075】実施例2 容量300mlのガラス製ビーカーに参考例2で合成した
ポリメチル(ヒドロ)シラザン10gとキシレン80g
を導入した。これにトリエチルアミン10gを添加し
て、スターラーでよく攪拌し、ポリシラザン溶液を調製
した。次に、トリエチルアミン17gとチッソ社製の
1,4−ビス(ヒドロキシジメチルシリル)ベンゼン
3.0gをよく混合して、容量50mlのガラス製ビュー
レットに注入した。これを、上記のポリシラザン溶液に
スターラーでよく攪拌しながら、ゆっくり約10分かけ
て滴下した。反応は、穏やかな発熱とガスの発生を伴っ
て進行した。滴下終了後、約30分間攪拌しながら、放
置した。引き続き、ロータリーエバポレーターを用い
て、溶液中のトリエチルアミンを留去し、10重量%の
フェニルシリル基架橋ポリシラザンキシレン溶液を得
た。得られたフェニルシリル基架橋ポリシラザンの数平
均分子量を、ポリスチレンを基準とするGPC法により
測定したところ、1600であった。得られたフェニル
シリル基架橋ポリシラザン(10重量%キシレン溶液)
を室温、大気雰囲気中で20日間放置し、数平均分子量
を測定したところ、放置前と変わらず1600であっ
た。 Example 2 10 g of polymethyl (hydro) silazane synthesized in Reference Example 2 and 80 g of xylene in a glass beaker having a capacity of 300 ml.
Was introduced. 10 g of triethylamine was added thereto, and the mixture was stirred well with a stirrer to prepare a polysilazane solution. Next, 17 g of triethylamine and 3.0 g of 1,4-bis (hydroxydimethylsilyl) benzene (manufactured by Chisso Corporation) were mixed well and injected into a glass burette having a capacity of 50 ml. This was slowly added dropwise to the above-mentioned polysilazane solution over about 10 minutes while sufficiently stirring with a stirrer. The reaction proceeded with a mild exotherm and evolution of gas. After completion of the dropwise addition, the mixture was left for about 30 minutes while stirring. Subsequently, triethylamine in the solution was distilled off using a rotary evaporator to obtain a 10% by weight phenylsilyl group-crosslinked polysilazane xylene solution. The number average molecular weight of the obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane was measured by GPC method using polystyrene as a reference, and was 1600. Obtained phenylsilyl group-crosslinked polysilazane (10% by weight xylene solution)
Was allowed to stand at room temperature and in an air atmosphere for 20 days, and the number average molecular weight was measured.
【図1】参考例1で得られたペルヒドロポリシラザンの
赤外吸収スペクトルを示す。FIG. 1 shows an infrared absorption spectrum of perhydropolysilazane obtained in Reference Example 1.
【図2】参考例2で得られたポリメチル(ヒドロ)シラ
ザンの赤外吸収スペクトルを示す。FIG. 2 shows an infrared absorption spectrum of polymethyl (hydro) silazane obtained in Reference Example 2.
【図3】実施例1で得られたフェニルシリル基架橋ポリ
シラザンの赤外吸収スペクトルを示す。FIG. 3 shows an infrared absorption spectrum of a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane obtained in Example 1.
【図4】実施例1で得られたフェニルシリル基架橋ポリ
シラザンの 1H−NMRスペクトルを示す。FIG. 4 shows a 1 H-NMR spectrum of the phenylsilyl group-crosslinked polysilazane obtained in Example 1.
Claims (3)
00のポリシラザン主鎖の少なくとも一部が、下記構造
式(2): 【化2】 〔上記構造式(1)及び(2)において、R1 、R2 及
びR3 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれら
の基以外で珪素に直結する基が炭素である基、アルキル
シリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基を表す〕で
表される架橋部分によって架橋されていることを特徴と
するフェニルシリル基架橋ポリシラザン。1. Mainly the following structural formula (1): Having a number average molecular weight of 100 to 500 having a skeleton represented by
At least a part of the polysilazane main chain of the formula (00) has the following structural formula (2): [In the structural formulas (1) and (2), R 1 , R 2, and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group other than these groups directly bonded to silicon. Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane, which is a group having a carbon atom, an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group.
00のポリシラザン主鎖の少なくとも一部が、下記構造
式(2): 【化4】 〔上記構造式(1)及び(2)において、R1 、R2 及
びR3 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれら
の基以外で珪素に直結する基が炭素である基、アルキル
シリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基を表す〕で
表される架橋部分によって架橋されているフェニルシリ
ル基架橋ポリシラザン及び溶剤を含むことを特徴とする
塗布組成物。2. Mainly the following structural formula (1): Having a number average molecular weight of 100 to 500 having a skeleton represented by
At least a part of the polysilazane main chain of 00 is represented by the following structural formula (2): [In the structural formulas (1) and (2), R 1 , R 2, and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group other than these groups directly bonded to silicon. Represents a group having a carbon atom, an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group.] And a solvent.
00のポリシラザンと、下記構造式(3): 【化6】 〔上記構造式(1)及び(3)において、R1 、R2 及
びR3 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケ
ニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれら
の基以外で珪素に直結する基が炭素である基、アルキル
シリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基を表す〕で
表される1,4−ビス(ヒドロキシシリル)ベンゼンと
を塩基性有機化合物の存在下で反応させることを特徴と
する、フェニルシリル基架橋ポリシラザンの製造方法。3. Mainly the following general formula (1): Having a number average molecular weight of 100 to 500 having a skeleton represented by
And a polysilazane of the following formula (3): [In the above structural formulas (1) and (3), R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, or a group other than these groups directly bonded to silicon. Represents an alkylsilyl group, an alkylamino group, or an alkoxy group, which is a carbon group, and 1,4-bis (hydroxysilyl) benzene represented by the following formula: A method for producing a phenylsilyl group-crosslinked polysilazane.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35123696A JP3916278B2 (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35123696A JP3916278B2 (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182835A true JPH10182835A (en) | 1998-07-07 |
| JP3916278B2 JP3916278B2 (en) | 2007-05-16 |
Family
ID=18415980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35123696A Expired - Lifetime JP3916278B2 (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3916278B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007224114A (en) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | Composition for forming insulating film, insulating film for semiconductor device, method for producing the same, and semiconductor device |
| JP2016529354A (en) * | 2013-07-19 | 2016-09-23 | エイ・ゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルク)エス・ア・エール・エル | Encapsulation material for light emitting diode |
| CN114085644A (en) * | 2021-12-03 | 2022-02-25 | 上海电缆研究所有限公司 | A kind of high temperature resistant sealant and preparation method and application thereof |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35123696A patent/JP3916278B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007224114A (en) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | Composition for forming insulating film, insulating film for semiconductor device, method for producing the same, and semiconductor device |
| JP2016529354A (en) * | 2013-07-19 | 2016-09-23 | エイ・ゼット・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルク)エス・ア・エール・エル | Encapsulation material for light emitting diode |
| CN114085644A (en) * | 2021-12-03 | 2022-02-25 | 上海电缆研究所有限公司 | A kind of high temperature resistant sealant and preparation method and application thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3916278B2 (en) | 2007-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4070828B2 (en) | Composition for forming siliceous ceramic, method for forming the same, and ceramic film | |
| JP3307471B2 (en) | Composition for ceramic coating and coating method | |
| JP3385060B2 (en) | Method for forming silicon-nitrogen-oxygen- (carbon) -metal ceramic coating film | |
| US5750643A (en) | Dehydrocoupling treatment and hydrosilylation of silicon-containing polymers, and compounds and articles produced thereby | |
| JP3666915B2 (en) | Low temperature forming method of ceramics | |
| JP3370408B2 (en) | Manufacturing method of ceramic coating | |
| EP0669964B1 (en) | Temperature-resistant and/or nonwetting coatings of cured, silicon-containing polymers | |
| JP3212400B2 (en) | Composition for ceramic coating and coating method | |
| JPH05238827A (en) | Coating composition and coating process | |
| EP0750337A2 (en) | Electronic coating materials using mixed polymers | |
| JP3904691B2 (en) | Polysilazane-containing composition and method for forming siliceous film | |
| JP3015104B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3919862B2 (en) | Method for forming low dielectric constant siliceous film and siliceous film | |
| JP3414504B2 (en) | Manufacturing method of water-repellent ceramic coating | |
| JP3696311B2 (en) | Polysilazane composition, method for preparing polysilazane solution, coating composition using the composition, and plastic with ceramic coating obtained by using the coating composition | |
| JPH09157544A (en) | Method for producing substrate with silica coating and substrate with silica coating produced by this method | |
| JPWO1993002472A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3916272B2 (en) | Intermolecularly crosslinked polysilazane and method for producing the same | |
| JP3916278B2 (en) | Phenylsilyl group-crosslinked polysilazane and method for producing the same | |
| JP4053105B2 (en) | Method for forming siliceous ceramic coating and ceramic coating formed by the same method | |
| JPH09175868A (en) | Polycarbonate product coated with hard coat film and method for producing the same | |
| JP4302782B2 (en) | Method for manufacturing UV-preventing transparent plate | |
| JPH1098036A (en) | Method for forming siliceous pattern | |
| JP3993330B2 (en) | Method for forming SiO2 ceramic film | |
| JPH0899061A (en) | Method for forming SiO2-based ceramic coating |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050606 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070206 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |