JPH038320A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、パターン形成方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、パターン形成方法において、第１の被エツチ
ング層上にガス状の原料を含む雰囲気中で荷電粒子ビー
ムを照射することにより上記原料から生成される物質か
ら成る第１のマスク層を上記第１の被エツチング層上に
形成する工程と、上記第１の被エツチング層及び上記第
１のマスク層上に第２の被エツチング層を形成する工程
と、上記第２の被エツチング層上にガス状の原料を含む
雰囲気中で荷電粒子ビームを照射することにより上記原
料から生成される物質から成る第２のマスク層を上記第
２の被エツチング層上に形成する工程と、上記第２のマ
スク層及び上記第１のマスク層を用いて上記第２の被エ
ツチング層及び上記第１の被エツチング層を連続してエ
ツチングする工程とを具備している。これによって、パ
ターン形成のプロセスの簡略化を図ることができるとと
もに、極微細幅のパターンを形成することができる。

〔従来の技術〕

従来、半導体集積回路などにおけるパターンは例えば次
のような方法により形成されている。すなわち、第４図
Ａに示すように、まず半導体基板１０１上にパターン形
成用の第１の物質層１０２を形成した後、この第１の物
１ｔＪＷ　１０２上にレジストパターン１０３を形成す
る。ここで、このレジストパターン１０３の形成は、ま
ず第１の物質層１０２上にレジストを塗布し、次いでこ
のレジストを露光した後、このレジストを現像すること
により行われる０次に、このレジストパターン１０３を
マスクとして第１の物質層１０２を例えば反応性イオン
エツチング（ＲＩＥ）法などの方法によりエツチングす
ることによって、第４図Ｂに示すようにパターンＰ、′
を形成する。この後、レジストパターン１０３を除去し
て第４図Ｃに示す状態とする１次に第４図りに示すよう
に、パターン形成用の第２の物質層１０４を全面に形成
する。次に第４図已に示すように、この第２の物質層１
０４上にレジストパターン１０５を形成する。

次に、このレジストパターン１０５をマスクとして第２
の物質層１０４を例えばＲＩＥ法などの方法によりエツ
チングすることによって、第４図Ｆに示すようにパター
ンＰ３　′を形成する。この後、レジストパターン１０
５を除去して第４図Ｇに示す状態とする。このようにし
て、高さの異なるパターンＰ＋　　′、Ｐｇ　　’が形
成される。

〔発明が解決しようとする課題］ 上述のように、従来のパターン形成方法においては、パ
ターン形成用の物質層の形成、レジストの塗布、レジス
トの露光、レジストの現像及びエツチングから成る一連
の工程を繰り返すことによりパターンが形成される。そ
して、レジストパターンの形成とエツチングとは１対１
に対応している。このため、例えば高さの異なる何種類
ものパターンを形成する場合には、パターン形成に必要
なエツチングの回数が非常に多（なり、従ってパターン
形成のプロセスが複雑になってしまうという問題がある
。

また、近年では、パターンの微細化に伴い、パターン形
成のためのエツチング法としてはＲＩＥ法が多く用いら
れている。ところが、このＲＩＥ法は、エツチング時に
素子に損傷が生じてしまうため、例えば高さの異なる多
種類のパターンを形成する場合のようにエツチングを何
回も行わなければならない場合には、素子に生じる損傷
が著しく増大してしまうという問題がある。

さらにまた、第５図に示すように、高さｈ五（ｉ＝１．
２，３．−・−、Ｎ）のＮ種類のパターンＰｉ　　”を
形成する場合には、形成する必要のある従って高さの異
なる多種類のパターンを形成する場合には形成する必要
のある物質層の厚さが極めて大きくなってしまうという
問題がある。

従って本発明の目的は、パターン形成のプロセスの簡略
化を図ることができるパターン形成方法を提供すること
にある。

本発明の他の目的は、パターン形成のためのエツチング
時に素子に生じる損傷の低減を図ることができるパター
ン形成方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、パターン形成のために形成する必
要のある物質層の厚さを小さくすることができるパター
ン形成方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、極微細幅のパターンを形成するこ
とができるパターン形成方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、パターン形成のためのエツチング
時にマスク層に損傷が生じるのを防止することができる
パターン形成方法を提供することにある。

本発明の上記目的及びその他の目的は以下の説明より明
らかとなるであろう。

〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、本発明は、パターン形成方
法において、第１の被エツチング層（Ｌｌ）上にガス状
の原料を含む雰囲気中で荷電粒子ビーム（２）を照射す
ることにより原料がら生成される物質から成る第１のマ
スク層（Ｒ３）を第１の被エツチング層（Ｌｌ　）上に
形成する工程と、第１の被エツチング層（Ｌｌ）及び第
１のマスク層（Ｒ３）上に第２の被エツチング層（Ｌ８
）を形成する工程と、第２の被エツチング層（Ｌ、）上
にガス状の原料を含む雰囲気中で荷電粒子ビーム（２）
を照射することにより原料から生成される物質から成る
第２のマスク層（Ｒ２）を第２の被エツチング層（Ｌｚ
　）上に形成する工程と、第２のマスク層（Ｒ８）及び
第１のマスクＪｉ（Ｒ１）を用いて第２の被エツチング
Ｎｒ　（ｔ、ｚ　）及び第１の被エツチング層（Ｌ、）
を連続してエツチングする工程とを具備している。

荷電粒子ビーム（２）としては、電子ビーム、陽電子ビ
ーム、ミューオンビームなどを用いることができる。電
子ビームを用いる場合には、干渉性の良好な電子ビーム
を発生させることができる電界放射電子銃（ｆｉｅｌｄ
　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｇｕｎ）を用いるのが好ましい。

〔作用〕

荷電粒子ビーム（２）の照射時の雰囲気中に含まれる原
料として適当なものを用いることにより、この荷電粒子
ビーム（２）の照射により生成される物質から成る第１
のマスク層（Ｒ１）及び第２のマスク層（Ｒ２）は優れ
た耐エツチング性を有するものとすることができる。

これらの第２のマスク層（Ｒ２）及び第１のマスク層（
Ｒ，）を用いて第２の被エツチング層（Ｌり及び第１の
被エツチング層（Ｌ２）を連続してエツチングすること
により、−回のエツチングでこれらの第２の被エツチン
グ層（Ｌ２）及び第１の被エツチングＩＩ　（Ｌ、　）
のパターン形成グを行うことができる。このため、パタ
ーン形成のためのエツチングの回数を従来に比べて少な
くすることができるので、その分だけパターン形成のプ
ロセスの簡略化を図ることができる。さらに、このよう
にエツチングの回数を少なくすることができるので、例
えば高さの異なる複数種類のパターンから成る複雑なパ
ターンを形成する場合にエツチング法としてＲＩＥ法を
用いても、エツチング時に素子に生じる損傷を従来に比
べて低減することができる。

一方、荷電粒子ビーム（２）のビーム径は例えば数十人
程度に掻めて細く絞ることができることから、この荷電
粒子ビーム（２）の多重散乱による影響を考えても例え
ば２００人程度の寸法の極微細幅の第１のマスク層（Ｒ
１）及び第２のマスク層（Ｒｇ　）を形成することがで
きる。従って、これらの第２のマスク層（Ｒ２）及び第
１のマスク層（Ｒ１）を用いて第２の被エツチング層（
Ｌ２）及び第１の被エツチング層（Ｌ、）をエツチング
することにより、極微細幅のパターン（ＰＩ　、　　ｐ
ｇ　）を形成することができる。

また、荷電粒子ビーム（２）の強度分布がガウス分布状
であることが反映されて、第１のマスク層（Ｒ１）及び
第２のマスク層（Ｒｔ　）の断面形状はガウス分布状の
なだらかな形状となる。従って、これらの第１のマスク
層（Ｒ１）及び第２のマスク層（Ｒ１）の上に被エツチ
ング層を形成する場合には、これらの第１のマスク層（
Ｒ１）及び第２のマスク層（Ｒ１）はこの被エツチング
層により完全に覆うことができる。このため、従来のよ
うに被エツチング層を形成した状態においてもマスク層
の側面が露出してしまうためにエツチング時にこの側面
に損傷が生じてしまう問題がなくなる。すなわち、パタ
ーン形成のためのエツチング時にこれらの第１のマスク
層（Ｒ１）及び第２のマスク層（Ｒ□）に損傷が生じる
のを防止することができる。

さらに、例えば第１の被エツチング層（Ｌｌ）及び第２
の被エツチング層（Ｌｘ　）が同一物質であるとすると
、高さの異なるパターン（Ｐ。

ｐｇ）を形成する場合には、これらのパターン（Ｐ＋　
、ＰＩ　）の高さの最大値に相当する厚さの物質層を形
成すれば足りる。このため、パターン形成のために形成
する必要のある物質層の厚さを従来に比べて小さくする
ことができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、実施例の全図において、同一部分には同一
の符号を付ける。

人族桝土 第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の実施例Ｉによるパターン
形成方法を工程順に示す。

この実施例Ｉにおいては、第１図Ａに示すように、まず
例えばシリコン（Ｓｉ　）基板や半絶縁性ヒ化ガリウム
（ＧａＡｓ）基板のような半導体基板１上にパターン形
成用の第１の物質層り、を形成する。

次に、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）と同様な構成
を有する電子ビーム直接描画装置（図示せず）の高真空
（例えば、３　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ程度）に排気され
た試料室内にこの半導体基板ｌを配置する。なお、この
半導体基板１は、温度制御器により温度の制御が可能な
試料台上に配置される０次に、この試料室内に例えばガ
ス状のアルキルナフタレンのようなレジスト原料ガスを
導入する。試料室内におけるこのレジスト原料ガスの圧
力は、例えば１０−１〜１０−’Ｔｏｒｒの範囲内の値
、例えば１０−”Ｔｏｒｒ程度とする。試料室内のレジ
スト原料ガスの圧力が所定値になったら例えば電界放射
電子銃（図示せず）により電子ビーム２を発生させ、こ
の電子ビーム２のビーム径を例えば数十人程度に細く絞
り、この電子ビーム２を電子ビームコントローラによる
制御により第１の物質層り、上で走査する。この場合、
電子ビーム２の加速電圧は例えば０．５〜６ｋＶの範囲
内の値とする。また、ビーム電流は例えば１Ｏ−ＩＩ〜
１Ｏ−７Ａの範囲内の値とする。

上述のレジスト原料ガス雰囲気中では、第１の物質層Ｌ
１の表面にはレジスト原料ガス分子が吸着する。この吸
着しているレジスト原料分子に上述のように電子ビーム
２が照射されると、この電子ビーム２が照射された部分
のレジスト原料分子は分解し、その結果、非晶質炭化水
素（Ｃ，Ｈ，）系の物質が電子ビーム２の描画パターン
と同一形状で第１の物質層り、上に生成される。これに
よって、この第１の物質層Ｌ１上に非晶質炭化水素（Ｃ
，Ｈ，）系の物質から成るレジストパターンＲ１が形成
される。この場合、電子ビーム２による一回の描画で形
成されるレジストパターンＲ１の厚さは通常小さいので
、必要に応じて電子ビーム２の描画を繰り返し行い、所
要の厚さのレジストパターンＲ１を得る。なお、レジス
ト原料ガス雰囲気中での電子ビーム２の照射により形成
されるこのレジストはＥ　Ｂ　Ｉ　Ｒ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ　Ｂｅａｍ　１ｎｄｕｃｅｄ　Ｒｅ５ｉｓｔ）と呼ば
れる。このＥＢＩＲは、従来の電子ビームリソグラフィ
ーで電子線レジストとして多く用いられているポリメタ
クリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などに比べてＲＩＥなどの
ドライエツチングに対して高い耐性を有し、また優れた
耐熱性を有することが本発明者らにより確認されている
。

次に第１図Ｂに示すように、全面に第２の物質層Ｌ２を
形成する。ここで、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法な
どによりこの第２の物質層１−ｔを形成する場合、すで
に述べたように優れた耐熱性を有するＥＢＩＲから成る
レジストパターンＲ２が成長時の熱により変形などを生
じるのを防止することができる。

次に第１図Ｃに示すように、この第２の物質層Ｌｔ上の
所定部分に上述と同様な方法でＥＢ［Ｒから成るレジス
トパターンＲ２を形成する。

次に、これらのレジストパターンＲ，，Ｒ，をマスクと
して用いて例えばＲＩＥ法により第２の物質層Ｌｔ及び
第１の物質層Ｌ１を基板表面と垂直方向に例えば第１の
物質層Ｌ１の厚さ方向の途中の深さまで異方性エツチン
グする。このエツチング時には、まず第２の物質層Ｌｔ
がレジストパターンＲ２をマスクとして異方性エツチン
グされ、エツチングが進行してレジストパターンＲ１が
露出した時点からはこのレジストパターンＲ１をマスク
として第１の物質層Ｌ１も異方性エツチングされる。こ
のようにして、第１図りに示すように、パターンＰ、、
Ｐ、が形成される。

この後、レジストパターンＲ，，Ｒ，を除去して第１図
已に示すような状態とし、目的とするパターン形成を終
了する。

以上のように、この実施例Ｉによれば、第２の物質層Ｌ
２上に形成されたレジストパターンＲ２及び第１の物質
層り、上に形成されたレジストパターンＲ，をマスクと
してこれらの第２の物質層り、及び第１の物質層Ｌ１を
ＲＩＥ法により連続してエツチングすることによりパタ
ーンＰ＋、Ｐｇを形成しているので、高さの異なるこれ
らのパターンｐ、、ｐ、を一回のエツチングで形成する
ことができる。これによって、これらの高さの異なる二
種類のパターンＰ＋、Ｐｇを形成するために必要なエツ
チングの回数を従来に比べて一回少なくすることができ
るので、その分だけこれらのパターンＰ＋、Ｐｇを形成
するためのプロセスの簡略化を図ることができる。また
、ＲＩＥ法によるエツチングの回数を減らすことができ
るので、エツチング時に素子に生じる損傷の低減を図る
ことができる。さらに、レジストパターンＲ１，Ｒ１は
レジスト原料ガス雰囲気中での電子ビーム２の照射によ
り形成しているので、これらのレジストパターンＲ，，
Ｒ，は例えば２００人程度の極微細幅とすることができ
、従って極微細幅のパターンＰ＋、Ｐｇを形成すること
ができる。しかも、レジストの塗布、現像及び露光の工
程が必要である従来のレジストパターン形成方法に比べ
てレジストパターンを簡単なプロセスで形成することが
できる。

また、この実施例Ｉによれば次のような利点もある。す
なわち、第６図に示すように、従来のリソグラフィー法
により形成されるレジストパターン１０６はほぼ矩形の
断面形状を有することから、この上に形成する物質Ｎ１
０７をかなり厚（しない限りこの物質層１０７によりレ
ジストパターン１０６を完全に覆うことは難しい、この
ため、この物質層１０７のエツチング時に、このレジス
トパターン１０６の露出した側面に損傷が生じてしまう
おそれがある。これに対して、この実施例１によれば、
ＥＢＩＲから成るレジストパターンＲ，，Ｒ，の断面形
状はガウス分布状のなだらかな形状を有する。このため
、例えばレジストパターンＲ，はその上に形成される第
２の物質層Ｌｔにより完全に覆われるので、上述のよう
な問題はない。

さらに、例えば第１及び第２の物質層Ｌｌ、Ｌ２が同一
物質である場合、パターンＰ＋、Ｐ−を形成するために
形成する必要のある物質層の厚さはこれらのパターンＰ
ｔ、Ｐｚの高さの最大値に相当する厚さで足り、従って
パターン形成のために形成する必要のある物質層の厚さ
を従来に比べて小さくすることができる。これによって
、パターン形成に要する時間の短縮及びコストの低減を
図ることができる。

スＩＬル 第２図Ａ及び第２図Ｂは本発明の実施例■を示す。

上述の実施例Ｉは、高さの異なる二種類のパターンＰ、
、Ｐ、を形成する場合に本発明を適用した実施例である
のに対し、この実施例■は、高さの異なるＮ種類のパタ
ーンを形成する一般の場合に本発明を適用した実施例で
ある。

この実施例■においては、第２図Ａに示すように、まず
半導体基［１上に第１の物ｆ層Ｌ１を形成した後、実施
例Ｉと同様な方法でこの第１の物質層Ｌ１上にＥＢＩＲ
から成るレジストパターンＲ１を形成する０次に、全面
に第２の物質層Ｌ２を形成した後、この第２の物質層り
、上にＥＢＩＲから成るレジストパターンＲ２を形成す
る。次に、全面に第３の物質層り、を形成した後、この
第３の物質層り、上にＥＢＩＲから成るレジストパター
ンＲ１を形成する。この後、同様にして物質層の形成及
びＥＢＩＲから成るレジストパターンの形成を繰り返し
、第Ｎの物質層り、及びレジストパターンＲ８まで形成
する。

次に、これらの第Ｎ、−１第３、第２、第１の物質層Ｌ
Ｎ＋　・・−’＊　　Ｌ　ｓ　＊　Ｌｚ　＋　Ｌ　ｔを
例えばＲＩＥ法より基板表面と垂直方向に連続して異方
性エツチングする。このエツチング時には、実施例■と
同様にエツチングの進行に伴ってレジストパターンＲ，
，−，Ｒ，，Ｒ，、Ｒ，が順次マスクとして働く、その
結果、第２図已に示すように、高さの異なるＮ種類のパ
ターン７　、Ｐｚ　、Ｒ３。

＋ＰＮが形成される。

以上のように、この実施例■によれば、レジストパター
ンＲＮ、・・・ｒ　　Ｒ３，Ｒ，、Ｒ，をマスクとして
第Ｎ、・・−１第３、第２、第１の物質層ＬＨ１Ｌｚ、
Ｌｔ、Ｌ＋をＲＩＥ法により連続してエツチングするこ
とによりパターンＰＩ　＊　　ＰＺ　ｒＰｌ、・−・ｒ
　　ＰＨを形成しているので、実施例Ｉと同様な利点が
ある０例えば、高さの異なるこれらのＮ種類のパターン
Ｐｔ　、　　Ｐｇ　、　　Ｐｚ　、　’−’・＋ＰＮを
一回のエツチングで形成することができるので、これら
のパターンＰ＋　、Ｐｔ、Ｐｇ、・・−２ＰＭを形成す
るためのプロセスを著しく簡略化することができる。ま
た、これらのパターンＰ　＋　、　　Ｐ　ｔ　。

Ｐ　ｓ　、　’−’−’、　　Ｐ　Ｍを形成するための
エツチング法としてＲＩＥ法を用いた場合に素子に生じ
る損傷を従来に比べて著しく低減することができる。さ
らに、例えば第１、第２、第３、−１第Ｎの物質層Ｌ＋
　、Ｌｘ　、　　Ｌｓ　、−・、　　Ｌ）１が同一物質
である場合には、高さの異なるこれらのＮ種類のパター
ンＰ＋　、Ｐｚ　、Ｐｓ　、’−−−’、ＰＭを形成す
るために形成する必要のある物質層の厚さは、これらの
パターンＰ　Ｉ　＋　　ｐｚ　＋　　Ｒ３＊　−・−３
Ｐ工の高さの最大値に相当する厚さで足りる。すなわち
、これらのパターンＰ、、Ｐｔ、Ｐ、、−・・、ＰＭの
高さをそれぞれり、、ｈ、、ｈ、、−・、ｈＮとすれば
、形成する物質層の厚さは、ｓ＋ａｘ（ｔｌ＋　＊　　
ｈｚ　＊　　ｈｚ　＋　−ｈＮ）で足りる。従って、こ
れらのパターンＰ　Ｌ　ｒＰｌ　＋　　Ｒ３＋−・・＋
ＰＮを形成するために必要な物質層の厚さを従来に比べ
て著しく小さくすることができる。

実１菜Ｊ４ 第３図Ａ〜第３図りは本発明の実施例■を示す。

この実施例■は、本発明をトランジスタの製造に適用し
た実施例である。

この実施例■においては、第３図Ａに示すように、まず
例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板のような半導体基板１上に
例えば半絶縁性ＧａＡｓ層のような半導体層３を形成し
た後、この半導体層３上にオーミック金属から成るソー
ス電極Ｓ及びドレイン電極りを形成する。この後、熱処
理を行うことによりこれらのソース電極Ｓ及びドレイン
電極りと半導体層３とを合金化させる０次に、実施例■
と同様な方法でＥＢＩＲから成る極微細幅のレジストパ
ターンＲを半導体層３上に形成する。ここで、このレジ
ストパターンＲは、その両端がそれぞれソース電極Ｓ及
びドレイン電極りにまたがるように形成する。

次に第３図Ｂに示すように、例えば蒸着法やスパッタ法
などにより全面にゲート電極形成用の金属膜４を形成し
た後、この金属膜４上に上述と同様な方法でＥＢＩＲか
ら成る極微細幅のレジストパターンＲ′をレジストパタ
ーンＲと直交する方向に形成する。

次に、これらの金属膜４及び半導体層３を例えばＲＩＥ
法により基板表面と垂直方向にこの半導体層３の厚さ方
向の途中の深さまで異方性エツチングする。これによっ
て、第３図Ｃに示すように、半導体から成る極微細線５
及びゲート電極Ｇが形成される。ただし、この場合、こ
の極微細線５はゲート電極Ｇとの交差部では極微細線と
はなっていない。

この実施例■においては、これらのゲート電極Ｇ、ソー
ス電極Ｓ及びドレイン電極りにより電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ）が構成される。この場合、ゲート電極Ｇと
極微細線５との間には絶縁性の物質であるＥＢＩＲから
成るレジストパターンＲが介在しているので、このＦＥ
Ｔは一種の絶縁ゲート型ＦＥＴと考えることができる。

また、この絶縁ゲート型ＦＥＴは、ゲート電極Ｇとの交
差部を無視すれば極微細線５をチャネルとする一次元チ
ャネル型ＦＥＴと類似の構造を有する。そして、この絶
縁ゲート型ＦＥＴは、ゲート電極Ｇに印加するゲート電
圧により、極微細線５から成る一次元チャネルを通って
ソース電極Ｓ及びドレイン電極り間を流れる電流を制御
するものである。

以上のように、この実施例■によれば、レジストパター
ンＲ′、Ｒをマスクとして金属膜４及び半導体層３をＲ
ＩＥ法により連続してエツチングすることによりゲート
電極Ｇ及び極微細線５を形成しているので、−回のエツ
チングでこれらのゲート電極Ｇ及び極微細綿５を形成す
ることができ、これによって絶縁ゲート型ＦＥＴのパタ
ーン形成のプロセスの簡略化を図ることができる。また
、ＲＩＥ法によるエツチングによりチャネル部などに生
じる損傷を最小限に抑えることができる。

以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、パターン形成のためのエツチング法としては、
ＲＩＥ法以外のエツチング法を用いることも可能である
。また、本発明の適用範囲は、半導体集積回路の製造に
限定されるものではないことは言うまでもない。

〔発明の効果〕

本発明は、以上述べたように構成されているので、パタ
ーン形成のためのプロセスの簡略化を図ることができる
とともに、極微細幅のパターンを形成することができる
。また、パターン形成のためのエツチング時に素子に生
じる損傷の低減を図ることができるとともに、パターン
形成のためのエツチング時にマスク層に損傷が生じるの
を防止することができる。さらに、パターン形成のため
に形成する必要のある物質層の厚さを小さくすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の実施例Ｉを工程順に説明
するための断面図、第２図Ａ及び第２図Ｂは本発明の実
施例■を工程順に説明するための断面図、第３図Ａ〜第
３図りは本発明の実施例■を工程順に説明するための斜
視図、第４図Ａ〜第４図Ｇは従来のパターン形成方法を
工程順に説明するための断面図、第５図及び第６図はそ
れぞれ従来のパターン形成方法の問題点を説明するため
の断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半導体基板、　２：電子ビーム、　３：半導体層、
　４：金属膜、　Ｌ、−Ｌ、：物質層、Ｒ１〜Ｒ，、Ｒ
，Ｒ”ニレジストパターン、　　Ｐ。 〜ＰＮ　：パターン、　　Ｓ：ソース電極、　　Ｄニド
レイン電極、　Ｇ；ゲート電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 第１の被エッチング層上にガス状の原料を含む雰囲気中
   で荷電粒子ビームを照射することにより上記原料から生
   成される物質から成る第１のマスク層を上記第１の被エ
   ッチング層上に形成する工程と、 上記第１の被エッチング層及び上記第１のマスク層上に
   第２の被エッチング層を形成する工程と、上記第２の被
   エッチング層上にガス状の原料を含む雰囲気中で荷電粒
   子ビームを照射することにより上記原料から生成される
   物質から成る第２のマスク層を上記第２の被エッチング
   層上に形成する工程と、 上記第２のマスク層及び上記第１のマスク層を用いて上
   記第２の被エッチング層及び上記第１の被エッチング層
   を連続してエッチングする工程とを具備することを特徴
   とするパターン形成方法。