JPH0336904B2 - - Google Patents
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- JPH0336904B2 JPH0336904B2 JP60028177A JP2817785A JPH0336904B2 JP H0336904 B2 JPH0336904 B2 JP H0336904B2 JP 60028177 A JP60028177 A JP 60028177A JP 2817785 A JP2817785 A JP 2817785A JP H0336904 B2 JPH0336904 B2 JP H0336904B2
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- etching
- speed
- workpiece
- conveyance speed
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば、プリント配線基板や、カラ
ーブラウン管用シヤドウマスク等の製造時におけ
るエツチング工程のように、搬送装置により、連
続的に搬送される薄板状の被処理物を、エツチン
グ液にさらして、被処理物表面を、所望のパター
ンで腐食(すなわち食刻)させるエツチングにお
いて、被処理物に対するエツチングの度合いを制
御する方法に関する。Detailed Description of the Invention [Industrial Field of Application] The present invention is applicable to an etching process that is continuously transported by a transport device, for example, in an etching process during the production of printed wiring boards, color cathode ray tube shadow masks, etc. The present invention relates to a method for controlling the degree of etching of a thin plate-shaped workpiece in etching, in which the workpiece is exposed to an etching solution and the surface of the workpiece is corroded (ie, etched) in a desired pattern.
従来のこの種の制御方法や装置としては、次の
ようなものが知られている。
The following are known as conventional control methods and devices of this type.
(1) 特開昭59−100587号公報には、第1エツチン
グ室と第2エツチング室との間に設けられたレ
ーザ光走査装置により、プリント基板上のモニ
ターパターンの幅を、光反射によつて測定し、
その測定結果に応じて、エツチング条件、例え
ばエツチング室のコンベア速度を決定する方法
及び装置が記載されている。(1) Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-100587 discloses that a laser beam scanning device installed between a first etching chamber and a second etching chamber is used to determine the width of a monitor pattern on a printed circuit board by light reflection. and measure
A method and apparatus are described for determining etching conditions, such as etching chamber conveyor speed, depending on the measurement results.
(2) 特公昭44−10371号公報には、エツチング装
置内に、例えば光電式検知手段や、導電率検知
手段等よりなるエツチング状態検知手段を設
け、このエツチング状態検知手段により、エツ
チング状態を検知して、被加工物の搬送速度を
直接制御できるようにした金属食刻装置が開示
されている。(2) Japanese Patent Publication No. 44-10371 discloses that an etching state detecting means, such as a photoelectric detecting means or a conductivity detecting means, is provided in the etching apparatus, and the etching state is detected by this etching state detecting means. A metal etching apparatus is disclosed in which the conveyance speed of a workpiece can be directly controlled.
(3) 特公昭46−19262号公報には、エツチング装
置の後段に、エツチング開孔寸法感知手段を設
け、この感知手段により感知されたエツチング
開口寸法が、許容上限値及び下限値をこえたと
きに、金属帯状体の搬送速度を修正するととも
に、速度修正を受けた金属帯状体部分がエツチ
ング開口寸法感知手段に到達するまでの間、次
回の速度修正を行なわないようにしたものが開
示されている。(3) Japanese Patent Publication No. 46-19262 provides an etching opening size sensing means at the rear of the etching device, and when the etching opening size detected by this sensing means exceeds the allowable upper and lower limits. discloses a method in which the conveying speed of the metal strip is corrected and the next speed correction is not performed until the portion of the metal strip that has undergone the speed correction reaches the etching opening size sensing means. There is.
前記特開昭59−100587号公報に記載の「プリン
ト配線基板のエツチング方法および装置」におい
ては、第1エツチング室と第2エツチング室との
間に、モニターパターン幅測定手段を配設して、
第2エツチング室の搬送速度を制御するため、金
属帯状体を、第1エツチング室より第2エツチン
グ室まで連続して搬送して、エツチング処理する
ことが不可能である。
In the "Method and Apparatus for Etching Printed Wiring Boards" described in JP-A-59-100587, a monitor pattern width measuring means is disposed between the first etching chamber and the second etching chamber,
In order to control the transport speed of the second etching chamber, it is impossible to transport the metal strip continuously from the first etching chamber to the second etching chamber for etching.
特公昭44−10371号公報に記載の「金属食刻装
置」では、エツチング装置内に、エツチング状態
検知手段を付設するため、エツチング工程中に、
エツチング状態を検知し、被加工物の搬送速度を
直接制御できるが、被加工物表面に附着したエツ
チング液や、ノズルより噴射したエツチング液
が、エツチング状態検知手段表面に附着し、エツ
チング状態を正確に検知することができないとい
う問題がある。 In the "metal etching apparatus" described in Japanese Patent Publication No. 44-10371, an etching state detection means is installed in the etching apparatus, so that during the etching process,
The etching condition can be detected and the conveyance speed of the workpiece can be directly controlled, but the etching liquid attached to the surface of the workpiece or the etching liquid sprayed from the nozzle adheres to the surface of the etching condition detection means, making it difficult to accurately detect the etching condition. The problem is that it cannot be detected.
特公昭46−19262号公報に記載の「連続金属帯
体の腐触孔径の自動制御装置」においては、金属
帯状体がエツチング装置を通過した後に、エツチ
ング開孔寸法感知手段を配置しているため、エツ
チング液による誤差を生じることはないが、エツ
チング開孔寸法感知手段の出力が、エツチング開
孔寸法の許容上限および下限値を超えたときに、
金属帯状体の搬送速度を修正すること、及び速度
修正を受けエツチングされた金属帯状体部分が、
エツチング開孔寸法感知手段に到達するまでの
間、次回の速度修正を行なわないようにしている
ことから、金属帯状体の搬送速度の速度修正は、
極めて段階的となり、近年の高精密度のエツチン
グ加工において要求される、品質の均一さと生産
性向上にとつて不満足である。 In the "automatic control device for the diameter of corrosion pores in a continuous metal strip" described in Japanese Patent Publication No. 46-19262, an etching hole size sensing means is arranged after the metal strip passes through an etching device. , there is no error caused by the etching solution, but when the output of the etching hole size sensing means exceeds the allowable upper and lower limits of the etching hole size,
Correcting the conveyance speed of the metal strip, and etching the metal strip portion that has undergone the speed correction,
Since the next speed correction is not made until the etching opening size sensing means is reached, the speed correction of the conveyance speed of the metal strip is as follows.
This process is extremely gradual, and is unsatisfactory in terms of uniform quality and improved productivity, which are required in recent high-precision etching processes.
本発明の目的は、上記問題点をすべて解決し、
被処理物の搬送速度を、無段階的に、かつ正確に
制御することによつて、高品質の均一なエツチン
グ処理を行いうるようにすることにある。 The purpose of the present invention is to solve all the above problems,
The object of the present invention is to perform high-quality, uniform etching processing by steplessly and accurately controlling the conveyance speed of the object to be processed.
上記目的を達成するために、本発明は、次のよ
うに構成する。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.
搬送装置により、連続的に搬送される被処理物
について測定したエツチング率と、予め設定した
エツチング率との差に基づいて、搬送速度を制御
してエツチングを制御するエツチング制御方法で
あつて、
エツチング時に搬送速度を適宜の時間間隔をも
つて複数回測定し、その平均値を算出するととも
に、エツチング後に、上記搬送速度の平均値を算
出したエツチング済みの被処理物のエツチング率
を測定し、該測定したエツチング率と、予め設定
した基準のエツチング率との差に基づいて、前記
搬送速度の平均値に対する補正値を求めて、エツ
チング中の被処理物の搬送速度を、前記搬送速度
の平均値に前記補正値を加算した値に合致するよ
うに制御することを特徴とするエツチング制御方
法。 An etching control method that controls etching by controlling a conveyance speed based on the difference between an etching rate measured on a workpiece that is continuously conveyed by a conveyance device and a preset etching rate, the method comprising: At times, the conveyance speed is measured multiple times at appropriate time intervals and the average value is calculated, and after etching, the etching rate of the etched workpiece is calculated by calculating the average value of the above-mentioned conveyance speed, and the etching rate of the etched object is measured. Based on the difference between the measured etching rate and a preset standard etching rate, a correction value for the average value of the conveyance speed is determined, and the conveyance speed of the workpiece being etched is adjusted to the average value of the conveyance speeds. An etching control method characterized in that the etching control method is controlled to match a value obtained by adding the correction value to the above-mentioned correction value.
また、エツチング済みの被処理物のエツチング
率の測定値として、測定対象の被処理物より先行
して処理された被処理物におけるエツチング率の
平均値を適用するエツチング制御方法。 Further, the etching control method uses an average value of the etching rates of objects to be processed that have been processed prior to the object to be measured as a measurement value of the etching rate of the object to be etched.
被処理物を搬送する搬送手段、搬送される被処
理物の表面にエツチング液を供給するエツチング
液供給手段を備えるエツチング室、該エツチング
室に連接配置され、被処理物の表面を洗浄し、乾
燥する洗浄乾燥室、該洗浄乾燥室の後段に設置さ
れて、被処理物のエツチング率を測定するエツチ
ング率測定手段、該エツチング率測定手段による
測定値と予め設定した所望のエツチング率との差
の値に基づいて、前記搬送手段の搬送速度を制御
する搬送速度制御手段とからなるエツチング制御
装置において、
前記エツチング室内における被処理物の搬送速
度を適宜の時間間隔で検出する速度検出手段と、
該速度検出手段により検出した複数の搬送速度値
を記憶する記憶手段を備え、
前記搬送手段の搬送速度を制御する制御手段
が、速度記憶手段に記憶されたエツチングずみの
被処理物の搬送速度の値から被処理物のエツチン
グ時の搬送速度の平均値を算出し、乾燥速度の平
均値が算出されたエツチングずみの被処理物のエ
ツチング率と、予め設定されている所望のエツチ
ング率との差に基づいて、前記搬送速度の平均値
に前期補正値を加算した値となるように、エツチ
ング中の被処理物の搬送速度を制御する搬送手段
であることを、特徴とするエツチング制御装置。 An etching chamber equipped with a transport means for transporting the object to be processed, an etching liquid supply means for supplying an etching solution to the surface of the object to be processed, and an etching chamber connected to the etching chamber for cleaning and drying the surface of the object to be processed. a cleaning/drying chamber for performing etching, an etching rate measuring means installed after the cleaning/drying chamber for measuring the etching rate of the object to be processed, and a difference between the value measured by the etching rate measuring means and a preset desired etching rate. An etching control device comprising: a conveying speed control means for controlling the conveying speed of the conveying means based on the value, a speed detecting means for detecting the conveying speed of the object to be processed in the etching chamber at appropriate time intervals;
A storage means for storing a plurality of conveyance speed values detected by the speed detection means is provided, and a control means for controlling the conveyance speed of the conveyance means is configured to adjust the conveyance speed of the etched workpiece stored in the speed storage means. From this value, calculate the average value of the transport speed during etching of the workpiece, and calculate the difference between the etching rate of the etched workpiece for which the average value of the drying speed was calculated and the desired etching rate set in advance. An etching control device characterized in that the etching control device is a conveyance means that controls the conveyance speed of the workpiece during etching so that the conveyance speed of the workpiece being etched becomes a value obtained by adding the previous correction value to the average value of the conveyance speed.
本発明は、エツチングをした際の被処理物の搬
送速度の平均値を測定しておき、その測定値に、
エツチング工程後に測定したエツチング率と、予
め設定した所望のエツチング率との差から求めた
補正量を加算した値を、エツチング工程中におけ
る被処理物の搬送速度と等しくなるように、被処
理物の搬送速度を制御するものである。
In the present invention, the average value of the conveyance speed of the workpiece during etching is measured, and the measured value is
The amount of correction obtained from the difference between the etching rate measured after the etching process and the desired etching rate set in advance is added to the etching rate so that the value is equal to the conveyance speed of the workpiece during the etching process. This controls the conveyance speed.
すなわち、被処理物をエツチングした際の搬送
速度の経過的平均値をもとに、設定エツチング率
と実際のエツチング率との差によつて、エツチン
グ工程中の望ましい搬送速度を、常に連続的に自
動設定することができる。 In other words, the desired transport speed during the etching process is constantly and continuously determined based on the difference between the set etching rate and the actual etching rate, based on the average value over time of the transport speed when etching the workpiece. Can be set automatically.
そして、エツチング工程より送り出された被処
理物に対し、それより後に送り出された被処理物
のエツチング率は、暫次所望のエツチング率によ
りいつそう近づいてくる。 The etching rate of the workpiece sent out after the etching process gradually approaches the desired etching rate compared to the workpiece sent out from the etching process.
したがつて、本発明の方法によると、例えば、
エツチング液の劣化等によるエツチング条件が、
微小かつ緩慢に変化しても、敏感に対応すること
ができ、高精度のエツチングを行うことができ
る。 Therefore, according to the method of the invention, for example:
Etching conditions due to deterioration of etching solution, etc.
Even if the changes are minute and slow, it can be sensitively handled and etching can be performed with high precision.
本発明方法を実施するためのエツチング装置の
一例を、第1図に示す。
An example of an etching apparatus for carrying out the method of the present invention is shown in FIG.
この装置は、金属帯状体をエツチングすること
によりシヤドウクスクを製造する装置で、内部に
搬送ローラ4を回転自在に配設し、上下よりエツ
チング液を噴出させるノズル5を所要個数配設し
たエツチング室2、及び水洗・剥離・乾燥装置3
のほぼ中央ぞいに、被処理物である金属帯状体1
を、搬送ローラ4の上に装置した状態で水洗・剥
離・乾燥装置1の出口側に設置したニツプローラ
6にて第1図の右方向へ引つ張つて搬送させるよ
うになつている。 This device manufactures shadows by etching a metal strip, and includes an etching chamber 2 in which a transport roller 4 is rotatably disposed, and a required number of nozzles 5 for ejecting etching liquid from above and below. , and washing/peeling/drying device 3
The metal strip 1, which is the object to be treated, is placed approximately in the center of the
is placed on a conveying roller 4 and is pulled and conveyed to the right in FIG.
ニツプローラ6の後にカツター7を設置し、金
属帯状体1より所定大きさに切断されたシヤドウ
マスク1′は、コンベア11の上にて、光透過率
を発光素子8′及び受光素子8″よりなる光透過率
検出装置8にて、検出され、次いでガイド板10
により案内されて、収納容器9に積層収納される
ようになつている。 A cutter 7 is installed after the nip roller 6, and the shadow mask 1' cut into a predetermined size from the metal strip 1 is placed on the conveyor 11 to adjust the light transmittance of the light emitting element 8' and the light receiving element 8''. The transmittance is detected by the transmittance detection device 8, and then the guide plate 10
They are guided by and stacked and stored in the storage container 9.
第2図は、被処理物の金属帯状体1に代つて、
プリント配線基板等のような複数の薄板状基板
1″を1枚毎一定間隔でエツチング室2内に搬送
するようにした別のエツチング装置の例を示す。
この場合、基板1″を水平搬送する搬送ローラ4
それぞれと、駆動手段とは、図示しない適宜の連
係装置をもつて、互いに連結されている。 In FIG. 2, instead of the metal strip 1 as the object to be treated,
Another example of an etching apparatus is shown in which a plurality of thin plate-shaped substrates 1'', such as printed wiring boards, are transported one by one into an etching chamber 2 at regular intervals.
In this case, the transport roller 4 that horizontally transports the substrate 1''
Each of them and the driving means are connected to each other by a suitable linking device (not shown).
その他の構成は第1図示のものと同一であり、
それらについては同一符号を付して、その説明を
省略する。 The other configurations are the same as those shown in the first diagram,
The same reference numerals are given to them, and the explanation thereof will be omitted.
第3図は、本発明の主要な構成のブロツク図、
第4図a,bは本発明の実施例のフローチヤー
ト、第5図は、第1図の装置を用いて本発明の方
法を実施する際の作用を説明するための作用説明
図である。 FIG. 3 is a block diagram of the main configuration of the present invention;
4a and 4b are flowcharts of an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the operation when carrying out the method of the present invention using the apparatus shown in FIG. 1.
第5図において、金属帯状体1の表面には、あ
らかじめ一定間隔で、シヤドウマスク等のパター
ンを、露光し、かつ現像する等して、表面処理が
ほどこされている。エツチング室2内では、各パ
ターンに従つて、多数の微細孔が、エツチングに
よつて開口され、その後、カツター7にて切断さ
れて、1枚毎のシヤドウマスクとなる。 In FIG. 5, the surface of the metal strip 1 has been previously subjected to surface treatment by exposing and developing a pattern such as a shadow mask at regular intervals. In the etching chamber 2, a large number of fine holes are opened by etching according to each pattern, and then cut by a cutter 7 to form individual shadow masks.
第5図の金属帯状体1の一部分であるシヤドウ
マスク(以下単にマスクという)Miが、光透過
率検出装置8の位置P0にあるときの金属帯状体
1の、ニツプローラ6による搬送速度をSiとす
る。 The transport speed of the metal strip 1 by the nip roller 6 when the shadow mask (hereinafter simply referred to as mask) M i which is a part of the metal strip 1 in FIG. 5 is at the position P 0 of the light transmittance detection device 8 is S Let it be i .
マスクMiが位置P1にあつたときの金属帯状体
1の搬送速度は、マスクMiよりも1つ先にエツ
チングされたマスクMi-1(図示してないが、マス
クMiよりも紙面にて1つ右どなり。)が位置P0に
あるときの搬送速度と同じであるから、Si-1とす
る。 The conveyance speed of the metal strip 1 when the mask M i is at the position P 1 is the transport speed of the metal strip 1 which is etched one mask earlier than the mask M i ( although not shown, it is faster than the mask M i) . Since the conveyance speed is the same as the conveyance speed when the position (one position to the right on the paper) is at the position P0 , it is set as S i-1 .
同様に、このマスクMiが、エツチング室2の
入口附近の位置P12を通過した時の金属帯状体1
の搬送速度をSi-12とし、位置P11…、における速
度をSi-11…、腐触室2の出口近くの位置P6にお
ける速度をSi-6であつたとする。なお、各位置
P12…P0の間隔は、等間隔とする。 Similarly, when this mask M i passes through the position P 12 near the entrance of the etching chamber 2, the metal strip 1
Assume that the conveying speed of is S i-12 , the speed at positions P 11 ..., S i-11 ..., and the speed at position P 6 near the outlet of the corrosion chamber 2 is S i-6 . In addition, each position
The intervals between P 12 ...P 0 shall be equal intervals.
金属帯状体1の表面のマスクMiがエツチング
室2内における所定の位置P12,P11…P6を通過し
た速度の平均は
i=(Si-12)+(Si-11)+…+(Si-6)/7
となる。 The average speed at which the mask M i on the surface of the metal strip 1 passes through predetermined positions P 12 , P 11 ...P 6 in the etching chamber 2 is i = (S i-12 ) + (S i-11 ) + ...+(S i-6 )/7.
マスクMiが位置P0において、検知された光透
過率をTiとし、設定した光透過率T0との差に比
例した値
k(Ti−T0)
を平均速度iに加えて
SP(i)=i+k(Ti−T0)
の式にて与えらるるSP(i)を、新たな搬送速度と
なるように、ニツプロール6の駆動手段11を制
御すればよい。ここで、(k)は適宜の係数であつて
実験的に決まる値で、装置の構造等によつて変わ
る。 When the mask M i is at the position P 0 , the detected light transmittance is T i , and a value k (T i − T 0 ) proportional to the difference from the set light transmittance T 0 is added to the average speed i , SP The driving means 11 of the nip rolls 6 may be controlled so that SP(i) given by the formula (i)= i +k(T i −T 0 ) becomes a new conveyance speed. Here, (k) is an appropriate coefficient, a value determined experimentally, and varies depending on the structure of the device, etc.
つづいて、マスクMiの一つ次にエツチングさ
れたマスクMi+1が、位置P0に移つた時の搬送速
度をSi+1(≒SP(i))とすると、
マスクMi+1が、エツチング室2内の位置P12,
P11,…P6を通過した時の速度は、それぞれ
Si-11,Si-10,…Si-5となり、その平均速度は
i+1=(Si-11)+(Si-10)+…+(Si-5)/7
となり、位置P0におけるマスクMi+1の光透過率
をTi+1とすれば、前記同様に、新たな速度制御値
は、
SP(i+1)=i+1+k(Ti+1−T0)
となる。 Next, if the conveyance speed when the first etched mask M i+1 of the masks M i moves to the position P 0 is S i+1 (≒SP(i)), then the mask M i+ 1 is the position P 12 in the etching chamber 2,
The speed when passing P 11 ,...P 6 is respectively
S i-11 , S i-10 ,...S i-5 , and their average speed is i+1 = (S i-11 ) + (S i-10 ) +... + (S i-5 )/7. , if the light transmittance of the mask M i+1 at position P 0 is T i+1 , the new speed control value is SP( i+1 )= i+1 +k(T i+1 −T 0 ).
このようにして、金属帯状体1の搬送速度を連
続的に制御する。 In this way, the conveyance speed of the metal strip 1 is continuously controlled.
第3図において、演算制御手段によつて、例え
ばパルスモータ等のような駆動手段を制御する
が、その駆動手段は、第1図の金属帯状体1の搬
送においては、ニツプローラ6を回転させ、第2
図の基板1″の搬送においては、すべての搬送ロ
ーラ4′を回転させることとなる。 In FIG. 3, the arithmetic control means controls a driving means such as a pulse motor, which rotates the nip roller 6 in conveying the metal strip 1 shown in FIG. Second
In conveying the substrate 1'' shown in the figure, all conveyance rollers 4' are rotated.
なお、第3図のブロツク図のように、マスク
Miが位置P0にて測定された光透過率Tiを、記憶
手段により記憶し、マスクMiを含めたマスクMi
に先行した所要板数のマスクの光透過率の平均i
を求め、その平均光透過率を、前記搬送速度制御
値の演算式、
SP(i)=i+k(Ti+T0)
に使用する方が、より正確な速度制御を行うこと
ができる。 In addition, as shown in the block diagram in Figure 3, the mask
The light transmittance T i measured at the position P 0 is stored by the storage means, and the mask M i including the mask M i
The average light transmittance i of the required number of masks preceding
It is possible to perform more accurate speed control by determining the average light transmittance and using the average light transmittance in the arithmetic expression for the conveyance speed control value, SP(i)= i + k(T i +T 0 ).
上記実施例では、第5図において、エツチング
室を通過するマスクMi…の搬送速度の平均値を
算定するにあたり、エツチング室内に配置できる
マスクの個数に相当する数の地点(上記実施例で
は、P6〜P12の7箇所)を、マスクMi…が通過し
たときの搬送速度を算術的に求め、それを平均化
して、エツチング室内での平均速度iを求めた。 In the above embodiment, in FIG. 5, when calculating the average value of the transport speed of the masks M i ... passing through the etching chamber, a number of points corresponding to the number of masks that can be placed in the etching chamber (in the above embodiment, The conveyance speed when the mask M i ... passed through the seven locations (P 6 to P 12 ) was calculated arithmetically and averaged to determine the average speed i in the etching chamber.
しかし、必らずしも、エツチング室内に配置で
きるマスクの個数に相当する数の地点での搬送速
度をもとに平均値を求めなくてもよく、例えば、
3箇所とか4箇所などの地点での搬送速度をもと
に、平均化してもよい。 However, it is not always necessary to calculate the average value based on the transport speed at a number of points corresponding to the number of masks that can be placed in the etching chamber.
The conveying speed at three or four points may be averaged.
第4図aおよびbは、本実施例のフローチヤー
トを示す。 Figures 4a and 4b show a flowchart of this example.
まず、制御手段に電源を入れP1、所要のデー
タを設定するP2。例えば、エツチング室内をマ
スク(又は基板)が搬送される時に、その搬送速
度Siを測定する回数や、光透過率を平均化するた
めの光透過率積算個数等を設定する。また、必要
により、光透過率も、一定間隔毎に積算してもよ
い。 First, power on the control means P 1 and set the required data P 2 . For example, when the mask (or substrate) is transported in the etching chamber, the number of times the transport speed S i is measured, the number of integrated light transmittances for averaging the light transmittances, etc. are set. Furthermore, if necessary, the light transmittance may also be integrated at regular intervals.
次に、制御手段のスタートSWを入れるP3。 Next, turn on the start switch of the control means P 3 .
エツチング室内を搬送される金属帯状体又は基
板等の被処理物の搬送速度SP(0)を、デジタル
スイツチで設定するP4。 P 4 The conveyance speed SP (0) of the object to be processed, such as a metal strip or a substrate, being conveyed within the etching chamber is set using a digital switch.
駆動手段により、第1図のニツプローラ6又は
第2図の搬送ローラ4′か回転させられ、被処理
物は、搬送速度SP(0)にて搬送される。 The nip roller 6 in FIG. 1 or the conveyance roller 4' in FIG. 2 is rotated by the driving means, and the object to be processed is conveyed at a conveyance speed SP(0).
各被処理物(例えばシヤドウマスクの1枚ず
つ)が、腐触室の入口から出口まで搬送される
間、被処理物毎に、あらかじめ設定した回数の搬
送速度が、記憶装置に記憶されるP5。 While each workpiece (for example, one shadow mask) is transported from the entrance to the exit of the corrosion chamber, the transport speed is stored in the storage device a preset number of times for each workpiece.P5 .
エツチング室を出た被処理物は、光透過率を測
定されP7、記憶装置に記憶されるP8。 After leaving the etching chamber, the object to be processed is measured for light transmittance P 7 and stored in a storage device P 8 .
所定個数N1の被処理物の光透過率Tiを測定し
P9、その平均を演算制御手段にて算出しP10、次
に新たな搬送スピードSP(1)=SP(0)+k(i+T0)
を算出するP11。 Measure the light transmittance T i of a predetermined number N 1 of objects to be processed.
P 9 , the average thereof is calculated by the arithmetic control means, P 10 , and then the new conveyance speed SP(1)=SP(0)+k( i +T 0 )
Calculate P 11 .
エツチング室内に入る新たな被処理物の搬送速
度が、SP(1)になるように、第3図の駆動手段
は、例えばパルスモータに、所望のパルス指令信
号が、制御手段により与えられるP12。 The drive means in FIG. 3 is configured such that a desired pulse command signal is given by the control means to a pulse motor, for example, so that the transport speed of the new object to be processed entering the etching chamber becomes SP (1 ) . .
フローチヤートP12より、定常の制御された状
態となり、フローチヤート(P6)、(P7)、(P8)
及び(P9)と同様に、フローチヤート(P13)、
(P14)、(P15)及び(P17)が続く、この間、エツ
チング室内を通過する被処理物の搬送速度が、あ
らかじめ設定された間隔で測定され、記憶される
(P16)。 From flowchart P 12 , a steady and controlled state is reached, and flowcharts (P 6 ), (P 7 ), (P 8 )
and (P 9 ), as well as flowchart (P 13 ),
(P 14 ), (P 15 ) and (P 17 ) follow, during which the transport speed of the object to be processed passing through the etching chamber is measured at preset intervals and stored (P 16 ).
演算制御手段にて、常時、平均、光透過率Ti及
び平均速度Siを算出し、新たな搬送速度SP(N)=Si
+k(i−T0)を算出するP20。 The arithmetic control means constantly calculates the average light transmittance T i and the average speed S i , and calculates the new transport speed SP(N)=S i
P 20 to calculate +k( i −T 0 ).
このようにして、被処理物のエツチング室内の
平均搬送速度と、平均光透過率と、設定光透過率
との差により、エツチング室内に搬入される新た
な被処理物の搬送速度を設定することができる。 In this way, the transport speed of a new workpiece brought into the etching chamber can be set based on the difference between the average transport speed of the workpiece within the etching chamber, the average light transmittance, and the set light transmittance. Can be done.
なお、本実施例においては、被処理物の光透過
率を検出することにより、被処理物のエツチング
率を測定したが、被処理物の光反射率を利用し
て、そのエツチング率を測定することもできるこ
とは言うまでもない。 In this example, the etching rate of the processed object was measured by detecting the light transmittance of the processed object, but the etching rate of the processed object could also be measured using the light reflectance of the processed object. Needless to say, you can do that too.
また、導電率その他のエツチング率を示す指標
を検出することにより、被処理物のエツチング率
を測定することもできる。 Furthermore, the etching rate of the object to be processed can also be measured by detecting conductivity or other indicators indicating the etching rate.
本発明によると、次のような効果を奏すること
ができる。
According to the present invention, the following effects can be achieved.
(1) 被処理物のエツチングをした際の搬送速度の
経過的平均値をもとにして、エツチング工程中
の望ましい搬送速度を設定するので、連続的に
高精度で、的確なエツチング制御を行うことが
できる。(1) The desired conveyance speed during the etching process is set based on the average value of the conveyance speed when etching the workpiece, so etching can be controlled continuously with high precision. be able to.
(2) 被処理物の搬送速度を、無段階的に、連続し
て、かつ高精度で制御するから、特に、例えば
エツチング液の劣化や疲労等によるエツチング
条件の微小で、かつ緩慢な変化に対して、敏感
に対応し、その変化による被処理物への悪影響
を未然に防止できる。(2) Since the conveyance speed of the processed material is controlled steplessly, continuously, and with high precision, it is particularly effective against minute and slow changes in etching conditions due to etching solution deterioration or fatigue, for example. However, it is possible to respond sensitively to these changes and prevent any adverse effects on the object to be processed due to such changes.
(3) エツチング工程後にエツチング率を測定する
ため、エツチング液がエツチング率測定装置に
付着して、測定を誤らせる等のおそれがなく、
エツチング率を正確に測定でき、正確で確実な
エツチング制御を行うことができる。(3) Since the etching rate is measured after the etching process, there is no risk of the etching solution adhering to the etching rate measuring device and causing erroneous measurements.
The etching rate can be measured accurately and the etching can be controlled accurately and reliably.
(4) 金属帯状体の均一なパターン形成時のみでな
く、ガラス基板やプリント配線基板等の薄板状
基板を、一定間隔で連続的に処理する場合に
も、実施することができる。(4) It can be carried out not only when forming a uniform pattern on a metal strip, but also when processing thin plate-like substrates such as glass substrates and printed wiring boards continuously at regular intervals.
(5) 被処理物に多数の微細孔を開口する場合のみ
でなく、その表面加工状況に応じた、例えば光
反射率や導電率等のエツチング率を検知するこ
とにより、実施することができる。(5) This can be carried out not only by opening a large number of micropores in the object to be processed, but also by detecting the etching rate, such as light reflectance or electrical conductivity, depending on the surface processing conditions.
なお、被処理物の搬送速度の経過的平均値をも
とにするだけでなく、被処理物の腐触率の方も、
被処理物と、それに先行する適宜の範囲の被処理
物のエツチング率の平均値をもとにして、補正量
を定めることにより、さらに連続的に高精度のエ
ツチング制御を行なうことができる。 In addition to being based on the temporal average value of the conveyance speed of the processed material, the corrosion rate of the processed material is also calculated based on the
By determining the correction amount based on the average value of the etching rates of the object to be processed and an appropriate range of objects that precede it, etching control can be carried out more continuously and with high precision.
第1図は、本発明を実施するためのエツチング
装置の一例を示す概略縦断面図、第2図は、同じ
くエツチング装置の別の例を示す概略縦断面図、
第3図は、本発明の実施に使用する主要な構成部
材の相互の関係を示すブロツク図、第4図a,b
は、本発明の実施例を示すフローチヤート、第5
図は、第1図示の装置を用いて本発明の方法を実
施する際の作用を説明するための作用説明図であ
る。
1……金属帯状体、1′……マスク、1′……基
板、2……エツチング室、3……水洗・剥離・乾
燥装置、4,4′……搬送ローラ、5……ノズル、
6……ニツプローラ、7……カツター、8……光
透過率検出装置、8′……発光素子、8″……受光
素子、9……収納容器、10……ガイド板、Si,
Si-5…Si-12,Si+1,SP(0),SP(1),SP(N)…
…搬送速度、Mi,Mi+1…Mi+14……シヤドウマス
ク(マスク)、P0,P1…P12……位置、T0,Ti,
Ti+1……光透過率(腐蝕率)、k……係数。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing an example of an etching apparatus for carrying out the present invention, and FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view showing another example of the etching apparatus.
FIG. 3 is a block diagram showing the mutual relationship of the main components used in carrying out the present invention, and FIG. 4 a, b
is a flowchart showing an embodiment of the present invention, No. 5
The figure is an operation explanatory view for explaining the operation when implementing the method of the present invention using the apparatus shown in the first figure. 1...Metal strip, 1'...Mask, 1'...Substrate, 2...Etching chamber, 3...Water washing/peeling/drying device, 4, 4'...Transport roller, 5...Nozzle,
6... Nip roller, 7... Cutter, 8... Light transmittance detection device, 8'... Light emitting element, 8''... Light receiving element, 9... Storage container, 10... Guide plate, S i ,
S i-5 ...S i-12 , S i+1 , SP (0), SP (1), SP (N)...
...Conveyance speed, M i , M i+1 ... M i+14 ... Shadow mask (mask), P 0 , P 1 ... P 12 ... Position, T 0 , T i ,
T i+1 ...light transmittance (corrosion rate), k...coefficient.
Claims (1)
物について測定したエツチング率と、予め設定し
たエツチング率との差に基づいて、搬送速度を制
御してエツチングを制御するエツチング制御方法
であつて、 エツチング時に搬送速度を適宜の時間間隔をも
つて複数回測定し、その平均値を算出するととも
に、エツチング後に、上記搬送速度の平均値を算
出したエツチング済みの被処理物のエツチング率
を測定し、該測定したエツチング率と、予め設定
した基準のエツチング率との差に基づいて、前記
搬送速度の平均値に対する補正値を求めて、エツ
チング中の被処理物の搬送速度を、前記搬送速度
の平均値に前記補正値を加算した値に合致するよ
うに制御することを特徴とするエツチング制御方
法。 2 エツチング済みの被処理物のエツチング率の
測定値として、測定対象の被処理物より先行して
処理された被処理物におけるエツチング率の平均
値を適用する特許請求の範囲第1項に記載のエツ
チング制御方法。 3 被処理物を搬送する搬送手段、搬送される被
処理物の表面にエツチング液を供給するエツチン
グ液供給手段を備えるエツチング室、該エツチン
グ室に連接配置され、被処理物の表面を洗浄し、
乾燥する洗浄乾燥室、該洗浄乾燥室の後段に設置
されて、被処理物のエツチング率を測定するエツ
チング率測定手段、該エツチング率測定手段によ
る測定値と予め設定した所望のエツチング率との
差の値に基づいて、前記搬送手段の搬送速度を制
御する搬送速度制御手段とからなるエツチング制
御装置において、 前記エツチング室内における被処理物の搬送速
度を適宜の時間間隔で検出する速度検出手段と、
該速度検出手段により検出した複数の搬送速度値
を記憶する記憶手段を備え、 前記搬送手段の搬送速度を制御する制御手段
が、速度記憶手段に記憶されたエツチングずみの
被処理物の搬送速度の値から被処理物のエツチン
グ時の搬送速度の平均値を算出し、乾燥速度の平
均値が算出されたエツチングずみの被処理物のエ
ツチング率と、予め設定されている所望のエツチ
ング率との差に基づいて、前期搬送速度の平均値
に前期補正値を加算した値となるように、エツチ
ング中の被処理物の搬送速度を制御する搬送手段
であることを、特徴とするエツチング制御装置。[Claims] 1. Etching in which etching is controlled by controlling the transport speed based on the difference between the etching rate measured on the workpiece that is continuously transported by a transport device and a preset etching ratio. In this control method, the conveyance speed is measured multiple times at appropriate time intervals during etching, and the average value is calculated, and after etching, the etched workpiece is The etching rate is measured, and based on the difference between the measured etching rate and a preset standard etching rate, a correction value for the average value of the conveyance speed is determined, and the conveyance speed of the workpiece being etched is determined. . An etching control method, characterized in that control is performed to match a value obtained by adding the correction value to the average value of the conveyance speed. 2. The method according to claim 1, wherein the average value of the etching rates of the workpieces processed prior to the workpiece to be measured is applied as the measured value of the etching rate of the etched workpiece. Etching control method. 3. An etching chamber equipped with a transport means for transporting the object to be processed, and an etching solution supply means for supplying an etching solution to the surface of the object to be processed, which is connected to the etching chamber and cleans the surface of the object to be processed;
A cleaning and drying chamber for drying, an etching rate measuring means installed after the cleaning and drying chamber to measure the etching rate of the object to be processed, and a difference between a value measured by the etching rate measuring means and a preset desired etching rate. an etching control device comprising: a conveying speed control means for controlling the conveying speed of the conveying means based on the value of , a speed detecting means for detecting the conveying speed of the workpiece in the etching chamber at appropriate time intervals;
A storage means for storing a plurality of conveyance speed values detected by the speed detection means is provided, and a control means for controlling the conveyance speed of the conveyance means is configured to adjust the conveyance speed of the etched workpiece stored in the speed storage means. From this value, calculate the average value of the transport speed during etching of the workpiece, and calculate the difference between the etching rate of the etched workpiece for which the average value of the drying speed was calculated and the desired etching rate set in advance. 1. An etching control device characterized in that the etching control device is a conveyance means for controlling the conveyance speed of a workpiece during etching so that the conveyance speed of a workpiece being etched becomes a value obtained by adding an earlier correction value to an average value of the earlier conveyance speed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817785A JPS61190081A (en) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | Method for controlling etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2817785A JPS61190081A (en) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | Method for controlling etching |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190081A JPS61190081A (en) | 1986-08-23 |
| JPH0336904B2 true JPH0336904B2 (en) | 1991-06-03 |
Family
ID=12241439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2817785A Granted JPS61190081A (en) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | Method for controlling etching |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190081A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2623870B2 (en) * | 1989-11-16 | 1997-06-25 | 日立電線株式会社 | Continuous production equipment for etching products |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4400233A (en) * | 1982-11-12 | 1983-08-23 | Rca Corporation | System and method for controlling an etch line |
| JPS59100587A (en) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | 富士通株式会社 | Method of etching printed circuit board and apparatus therefor |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP2817785A patent/JPS61190081A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61190081A (en) | 1986-08-23 |
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