JPH03264814A - 車両用ナビゲーション装置 - Google Patents
車両用ナビゲーション装置Info
- Publication number
- JPH03264814A JPH03264814A JP6263090A JP6263090A JPH03264814A JP H03264814 A JPH03264814 A JP H03264814A JP 6263090 A JP6263090 A JP 6263090A JP 6263090 A JP6263090 A JP 6263090A JP H03264814 A JPH03264814 A JP H03264814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positioning
- radio waves
- displayed
- satellites
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N [(2s,3r,6r)-6-[5-[5-hydroxy-3-(4-hydroxyphenyl)-4-oxochromen-7-yl]oxypentoxy]-2-methyl-3,6-dihydro-2h-pyran-3-yl] acetate Chemical compound C1=C[C@@H](OC(C)=O)[C@H](C)O[C@H]1OCCCCCOC1=CC(O)=C2C(=O)C(C=3C=CC(O)=CC=3)=COC2=C1 RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N 0.000 description 2
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Navigation (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Traffic Control Systems (AREA)
- Instructional Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、測位手段としてG P S (Globa
lPositioning 5ystes+)受信機を
用い、現在位置や走行軌跡などの測位結果に基づく情報
を表示部に表示する車両用ナビゲーション装置に関する
ものである。
lPositioning 5ystes+)受信機を
用い、現在位置や走行軌跡などの測位結果に基づく情報
を表示部に表示する車両用ナビゲーション装置に関する
ものである。
従来、この種の車両用ナビゲーシラン装置においては、
GPS受信機による測位結果に基づいた現在位置や走行
軌跡などの情報を、表示部の表示画面上に一表示した地
図上に所定のマーカー、所定の輝線を用いる表示形態で
表示している。
GPS受信機による測位結果に基づいた現在位置や走行
軌跡などの情報を、表示部の表示画面上に一表示した地
図上に所定のマーカー、所定の輝線を用いる表示形態で
表示している。
ところで、GPS受信機による測位が不可能になる場合
として、−船釣に、電波の受信可能な人工衛星数の不足
による場合と、電波の受信可能な人工衛星数は足りてい
るが、人工衛星からの電波を受信することのできないビ
ルの谷間やトンネルなどを通過する場合が考えられる。
として、−船釣に、電波の受信可能な人工衛星数の不足
による場合と、電波の受信可能な人工衛星数は足りてい
るが、人工衛星からの電波を受信することのできないビ
ルの谷間やトンネルなどを通過する場合が考えられる。
このような場合、それまで行なっていた現在位置や走行
軌跡などの情報の表示を中断し、表示部の表示画面上に
測位できた最終現在位置もしくは最終現在位置に至る走
行軌跡などの最終情報を表示部に表示し続けることにな
る。
軌跡などの情報の表示を中断し、表示部の表示画面上に
測位できた最終現在位置もしくは最終現在位置に至る走
行軌跡などの最終情報を表示部に表示し続けることにな
る。
従来の車両用ナビゲーション装置において、GPS受信
機による測位が不可能になった場合、表示部の表示画面
上に表示されている最終現在位置が移動せずに停止した
ままになったり、走行軌跡が変化しなくなる。
機による測位が不可能になった場合、表示部の表示画面
上に表示されている最終現在位置が移動せずに停止した
ままになったり、走行軌跡が変化しなくなる。
そして、このような状態が、電波の受信可能な人工衛星
数の不足によるものなのか、電波の受信可能な人工衛星
数は足りているが、人工衛星からの電波が遮断されたも
のなのかを判断していないので、電波の受信可能な人工
衛星数の不足であるにもかかわらず、いつまでも最終現
在位置もしくは最終現在位置に至る走行軌跡を表示する
ことによって利用者(運転者)に走行位置を見誤らせた
り、−時的な電波の遮断にもかかわらず、電波の受信可
能な人工衛星数の不足であると利用者が誤認し、車両用
ナビゲーション装置の電源をオフしてしまうなどの不都
合があった。
数の不足によるものなのか、電波の受信可能な人工衛星
数は足りているが、人工衛星からの電波が遮断されたも
のなのかを判断していないので、電波の受信可能な人工
衛星数の不足であるにもかかわらず、いつまでも最終現
在位置もしくは最終現在位置に至る走行軌跡を表示する
ことによって利用者(運転者)に走行位置を見誤らせた
り、−時的な電波の遮断にもかかわらず、電波の受信可
能な人工衛星数の不足であると利用者が誤認し、車両用
ナビゲーション装置の電源をオフしてしまうなどの不都
合があった。
この発明は、上記したような不都合を解消するためにな
されたもので、電波の受信可能な人工衛星数の不足によ
って測位が不可能なのか、電波の受信可能な人工衛星数
は足りているが、人工衛星からの電波が遮断されたこと
によって測位が不可能なのかを的確に報知することので
きる車両用ナビゲーション装置を提供するものである。
されたもので、電波の受信可能な人工衛星数の不足によ
って測位が不可能なのか、電波の受信可能な人工衛星数
は足りているが、人工衛星からの電波が遮断されたこと
によって測位が不可能なのかを的確に報知することので
きる車両用ナビゲーション装置を提供するものである。
この発明にかかる車両用ナビゲーション装置は、電波の
受信可能な人工衛星数の不足によってOPS受信機によ
る測位が不可能な場合、人工衛星からのアルマナックデ
ータなどに基づいて再度測位が可能になる時刻もしくは
その時刻までの待ち時間を表示部に表示するものである
。
受信可能な人工衛星数の不足によってOPS受信機によ
る測位が不可能な場合、人工衛星からのアルマナックデ
ータなどに基づいて再度測位が可能になる時刻もしくは
その時刻までの待ち時間を表示部に表示するものである
。
また、他の発明にかかる車両用ナビゲーション装置は、
先の発明に加え、電波の受信可能な人工衛星数は足りて
いるが、人工衛星からの電波が遮断されたことによって
GPS受信機による測位が不可能な場合、測位できた測
位結果に基づく最終情報を、表示形態を変化させて表示
部に表示するものである。
先の発明に加え、電波の受信可能な人工衛星数は足りて
いるが、人工衛星からの電波が遮断されたことによって
GPS受信機による測位が不可能な場合、測位できた測
位結果に基づく最終情報を、表示形態を変化させて表示
部に表示するものである。
この発明における車両用ナビゲーション装置は、電波の
受信可能な人工衛星数の不足によってGPS受信機によ
る測位が不可能になると、人工衛星からのアルマナック
データなどに基づいて再度測位が可能になる時刻もしく
はその時刻までの待ち時間を表示部に表示する。
受信可能な人工衛星数の不足によってGPS受信機によ
る測位が不可能になると、人工衛星からのアルマナック
データなどに基づいて再度測位が可能になる時刻もしく
はその時刻までの待ち時間を表示部に表示する。
さらに、電波の受信可能な人工衛星数は足りているが、
人工衛星からの電波が遮断されたことによってGPS受
信機による測位が不可能になると、測位できた測位結果
に基づく最終情報を、表示形態を変化させて表示部に表
示する。
人工衛星からの電波が遮断されたことによってGPS受
信機による測位が不可能になると、測位できた測位結果
に基づく最終情報を、表示形態を変化させて表示部に表
示する。
したがって、利用者は表示部の時刻もしくは待ち時間、
または表示形態を変化させた最終情報を見ることにより
、電波の受信可能な人工衛星数の不足によって測位が不
可能なのか、電波の受信可能な人工衛星数は足りている
が、人工衛星からの電波が遮断されたことによって測位
が不可能なのかを的確に把握することができる。
または表示形態を変化させた最終情報を見ることにより
、電波の受信可能な人工衛星数の不足によって測位が不
可能なのか、電波の受信可能な人工衛星数は足りている
が、人工衛星からの電波が遮断されたことによって測位
が不可能なのかを的確に把握することができる。
以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。
第1図はこの発明の一実施例による車両用ナビゲーショ
ン装置の構成を示すブロック図であり、■はMPLJを
示し、ROM2に格納されているシステムプログラムを
実行することにより、RAM3をワークエリアなどとし
て必要な各種の機能を実現するものである。
ン装置の構成を示すブロック図であり、■はMPLJを
示し、ROM2に格納されているシステムプログラムを
実行することにより、RAM3をワークエリアなどとし
て必要な各種の機能を実現するものである。
そして、MPUI〜RAM3で構成されるマイクロコン
ピュータにより、車両用ナビゲーション装置は制御され
る。
ピュータにより、車両用ナビゲーション装置は制御され
る。
4は必要な入力を与えるためのテンキー、ファンクショ
ンキー、タッチパネルなどを備えた操作部、5はCRT
7の表示画面上に表示する1画面分の画像データを記憶
するビデオRAMを示し、このビデオRAM5が記憶し
た画面データは、MPUIの作用によってCRTコント
ローラ6に送出され、CRTコントローラ6に接続され
たCRT7の表示画面上に地図が表示される。
ンキー、タッチパネルなどを備えた操作部、5はCRT
7の表示画面上に表示する1画面分の画像データを記憶
するビデオRAMを示し、このビデオRAM5が記憶し
た画面データは、MPUIの作用によってCRTコント
ローラ6に送出され、CRTコントローラ6に接続され
たCRT7の表示画面上に地図が表示される。
8はGPS受信機を示し、周知のように、複数の人工衛
星からの電波を受信して測位を行なうものであり、現在
位置を測位するためには少なくとも3個以上の人工衛星
からの電波を受信する必要がある。
星からの電波を受信して測位を行なうものであり、現在
位置を測位するためには少なくとも3個以上の人工衛星
からの電波を受信する必要がある。
なお、このGPS受信機8で測位された現在位置のデー
タは、時系列的に記憶保持され、この記憶保持したデー
タに基づいて走行軌跡をCRT7の表示画面上に表示し
た地図上に表示することができる。
タは、時系列的に記憶保持され、この記憶保持したデー
タに基づいて走行軌跡をCRT7の表示画面上に表示し
た地図上に表示することができる。
9はCRT7の表示画面上に表示する地図データを記憶
しているCD−ROMを示し、MPUIの作用によって
適宜に編集した地図データをビデオRAM5に送出する
。
しているCD−ROMを示し、MPUIの作用によって
適宜に編集した地図データをビデオRAM5に送出する
。
10はシステムハスを示し、MPUI−CRTコントロ
ーラ6、GPS受信機8およびCD−ROM9が接続さ
れている。
ーラ6、GPS受信機8およびCD−ROM9が接続さ
れている。
第2図は動作を説明するためのフローチャートであり、
ST 1−5T 5は各ステップを示す。
ST 1−5T 5は各ステップを示す。
第3図および第4図は表示形態の一例を示す説明図であ
り、7aはCRT7の表示画面、9aは表示画面7a上
に表示された地図を示す。
り、7aはCRT7の表示画面、9aは表示画面7a上
に表示された地図を示す。
11は連続点灯する輝点て表示される測位中の現在位置
、12は測位した現在位置11に基づく走行軌跡、13
は再度測位が可能になる測位再開時刻、14は点滅点で
表示される測位できた最終現在位置を示す。
、12は測位した現在位置11に基づく走行軌跡、13
は再度測位が可能になる測位再開時刻、14は点滅点で
表示される測位できた最終現在位置を示す。
次に、動作について説明する。
まず、CRT7の表示画面7a上に地図9aを表示した
状態で、この地図9a上に現在位置および走行軌跡を表
示する処理を開始すると、測位が可能かを判定しくステ
ップ5TI)、測位が可能であれば、現在位置11およ
び走行軌跡12を所定の表示形態で、第3図に示すよう
に、表示する(ステップ5T2)。
状態で、この地図9a上に現在位置および走行軌跡を表
示する処理を開始すると、測位が可能かを判定しくステ
ップ5TI)、測位が可能であれば、現在位置11およ
び走行軌跡12を所定の表示形態で、第3図に示すよう
に、表示する(ステップ5T2)。
そして、ステップSTIの判定で測位が不可能であれば
、電波の受信可能な人工衛星数が3つ未満であるかを判
定しくステップ5T3)、電波の受信可能な人工衛星数
が3つ未満であれば、電波の受信可能な人工衛星数の不
足によって測位が不可能なため、人工衛星からのアマル
ナツクデータに基づいて再度測位が可能になる時刻(測
位再開時刻13)を算出し、第4図に示すように、表示
画面7aの右上隅に測位再開時刻13を表示する(ステ
ップ5T4)。
、電波の受信可能な人工衛星数が3つ未満であるかを判
定しくステップ5T3)、電波の受信可能な人工衛星数
が3つ未満であれば、電波の受信可能な人工衛星数の不
足によって測位が不可能なため、人工衛星からのアマル
ナツクデータに基づいて再度測位が可能になる時刻(測
位再開時刻13)を算出し、第4図に示すように、表示
画面7aの右上隅に測位再開時刻13を表示する(ステ
ップ5T4)。
また、ステップST3の判定で電波の受信可能な人工衛
星数が3つ以上であれば、人工衛星からの電波が遮断さ
れたことによって測位が不可能なため、第4図に示すよ
うに、最終現在位置14を表示する(ステップ5T5)
。
星数が3つ以上であれば、人工衛星からの電波が遮断さ
れたことによって測位が不可能なため、第4図に示すよ
うに、最終現在位置14を表示する(ステップ5T5)
。
なお、ステップST2 、 ST4 、 ST5の後は
ステップSTIに進む。
ステップSTIに進む。
したがって、この実施例によれば、GPS受信機8によ
る測位が不可能な状態になった場合、電波の受信可能な
人工衛星数の不足によって測位が不可能なのか、電波の
受信可能な人工衛星数は足りているが、人工衛星からの
電波が遮断されたことによって測位が不可能なのかを、
CRT7の表示画面7a上に測位再開時刻13または最
終現在位置14を表示して報知するので、利用者は表示
画面7a上の測位再開時刻13または最終現在位置14
を見ることにより、測位の不可能がいずれによるものな
のかを的確に把握することができる。
る測位が不可能な状態になった場合、電波の受信可能な
人工衛星数の不足によって測位が不可能なのか、電波の
受信可能な人工衛星数は足りているが、人工衛星からの
電波が遮断されたことによって測位が不可能なのかを、
CRT7の表示画面7a上に測位再開時刻13または最
終現在位置14を表示して報知するので、利用者は表示
画面7a上の測位再開時刻13または最終現在位置14
を見ることにより、測位の不可能がいずれによるものな
のかを的確に把握することができる。
なお、上記した実施例では、再度測位が可能になる測位
再開時刻13を表示する例で説明したが、再度測位が可
能になるまでの待ち時間であってもよい。
再開時刻13を表示する例で説明したが、再度測位が可
能になるまでの待ち時間であってもよい。
また、最終情報の内の最終現在位置14の表示形態を変
化させる例で説明したが、走行軌跡12のみの表示形態
を変化させたり、走行軌跡12の表示形態をも変化させ
てもよい。
化させる例で説明したが、走行軌跡12のみの表示形態
を変化させたり、走行軌跡12の表示形態をも変化させ
てもよい。
さらに、最終情報の表示形態を点滅状態に変化させる例
で説明したが、表示の色を変化させたり、輝度を変化さ
せてもよいことは言うまでもない。
で説明したが、表示の色を変化させたり、輝度を変化さ
せてもよいことは言うまでもない。
以上のように、この発明によれば、GPS受信機による
測位が不可能な状態になった場合、電波の受信可能な人
工衛星数の不足によって測位が不可能なのか、電波の受
信可能な人工衛星数は足りているが、人工衛星からの電
波が遮断されたことによって測位が不可能なのかを、表
示部に再度測位が可能になる時刻もしくはその時刻まで
の待ち時間、さらに最終情報を、表示形態を変化させる
構成としたので、利用者は表示部を見ることにより、測
位の不可能がいずれによるものなのかを的確に把握する
ことができるという効果がある。
測位が不可能な状態になった場合、電波の受信可能な人
工衛星数の不足によって測位が不可能なのか、電波の受
信可能な人工衛星数は足りているが、人工衛星からの電
波が遮断されたことによって測位が不可能なのかを、表
示部に再度測位が可能になる時刻もしくはその時刻まで
の待ち時間、さらに最終情報を、表示形態を変化させる
構成としたので、利用者は表示部を見ることにより、測
位の不可能がいずれによるものなのかを的確に把握する
ことができるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による車両用ナビゲーショ
ン装置の構成を示すブロック図、第2図は動作を説明す
るためのフローチャート、第3図および第4図は表示形
態の一例を示す説明図である。 l・・・MPU、2・・・ROM、3・・・RAM、4
・・・操作部、5・・・ビデオRAM、6・・・CRT
コントローラ、7・・・CRT、8・・・GPS受信機
、9・・・CDROM、11・・・現在位置、12・・
・走行軌跡、13・・・測位再開時刻、14・・・最終
現在位置。
ン装置の構成を示すブロック図、第2図は動作を説明す
るためのフローチャート、第3図および第4図は表示形
態の一例を示す説明図である。 l・・・MPU、2・・・ROM、3・・・RAM、4
・・・操作部、5・・・ビデオRAM、6・・・CRT
コントローラ、7・・・CRT、8・・・GPS受信機
、9・・・CDROM、11・・・現在位置、12・・
・走行軌跡、13・・・測位再開時刻、14・・・最終
現在位置。
Claims (2)
- (1)測位手段としてGPS受信機を用い、現在位置や
走行軌跡などの測位結果に基づく情報を所定の表示形態
で表示部に表示する車両用ナビゲーション装置において
、 電波の受信可能な人工衛星数の不足によって前記GPS
受信機による測位が不可能な場合、前記人工衛星からの
アルマナックデータなどに基づいて再度測位が可能にな
る時刻もしくはその時刻までの待ち時間を前記表示部に
表示することを特徴とする車両用ナビゲーション装置。 - (2)電波の受信可能な人工衛星数は足りているが、前
記人工衛星からの電波を受信できず、GPS受信機によ
る測位が不可能な場合、測位できた測位結果に基づく最
終情報を、表示形態を変化させて表示部に表示する請求
項(1)記載の車両用ナビゲーション装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263090A JPH03264814A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 車両用ナビゲーション装置 |
| DE69126630T DE69126630T2 (de) | 1990-03-06 | 1991-03-05 | Navigationsgerät für Fahrzeuge |
| EP91103291A EP0450325B1 (en) | 1990-03-06 | 1991-03-05 | Navigation apparatus for vehicles |
| US08/352,816 US5598339A (en) | 1990-03-06 | 1994-12-01 | Navigation apparatus for vehicles |
| US08/786,442 US5752219A (en) | 1990-03-06 | 1997-01-21 | Navigation apparatus for vehicles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6263090A JPH03264814A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 車両用ナビゲーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03264814A true JPH03264814A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13205835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6263090A Pending JPH03264814A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-15 | 車両用ナビゲーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03264814A (ja) |
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8854859B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-10-07 | Shine C. Chung | Programmably reversible resistive device cells using CMOS logic processes |
| US8861249B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-10-14 | Shine C. Chung | Circuit and system of a low density one-time programmable memory |
| US8913415B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | Circuit and system for using junction diode as program selector for one-time programmable devices |
| US8913449B2 (en) | 2012-03-11 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | System and method of in-system repairs or configurations for memories |
| US8912576B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using semiconductor body to construct bipolar junction transistors |
| US8917533B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-12-23 | Shine C. Chung | Circuit and system for testing a one-time programmable (OTP) memory |
| US8923085B2 (en) | 2010-11-03 | 2014-12-30 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory embedded in a integrated circuit without any additional pins for access |
| US9007804B2 (en) | 2012-02-06 | 2015-04-14 | Shine C. Chung | Circuit and system of protective mechanisms for programmable resistive memories |
| US9019791B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-04-28 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface for 3D IC |
| US9019742B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-04-28 | Shine C. Chung | Multiple-state one-time programmable (OTP) memory to function as multi-time programmable (MTP) memory |
| US9025357B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-05-05 | Shine C. Chung | Programmable resistive memory unit with data and reference cells |
| US9042153B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-05-26 | Shine C. Chung | Programmable resistive memory unit with multiple cells to improve yield and reliability |
| US9076526B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-07-07 | Shine C. Chung | OTP memories functioning as an MTP memory |
| US9136261B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-09-15 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using mesh-structure diodes for electro-static discharge (ESD) protection |
| US9183897B2 (en) | 2012-09-30 | 2015-11-10 | Shine C. Chung | Circuits and methods of a self-timed high speed SRAM |
| US9224496B2 (en) | 2010-08-11 | 2015-12-29 | Shine C. Chung | Circuit and system of aggregated area anti-fuse in CMOS processes |
| US9236141B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-01-12 | Shine C. Chung | Circuit and system of using junction diode of MOS as program selector for programmable resistive devices |
| US9251893B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-02-02 | Shine C. Chung | Multiple-bit programmable resistive memory using diode as program selector |
| US9281038B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-03-08 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface |
| US9324447B2 (en) | 2012-11-20 | 2016-04-26 | Shine C. Chung | Circuit and system for concurrently programming multiple bits of OTP memory devices |
| US9324849B2 (en) | 2011-11-15 | 2016-04-26 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using semiconductor body to construct SCR, DIAC, or TRIAC |
| US9412473B2 (en) | 2014-06-16 | 2016-08-09 | Shine C. Chung | System and method of a novel redundancy scheme for OTP |
| US9431127B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-08-30 | Shine C. Chung | Circuit and system of using junction diode as program selector for metal fuses for one-time programmable devices |
| US9460807B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-10-04 | Shine C. Chung | One-time programmable memory devices using FinFET technology |
| US9478306B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-10-25 | Attopsemi Technology Co., Ltd. | Circuit and system of using junction diode as program selector for one-time programmable devices with heat sink |
| US9496033B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-11-15 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Method and system of programmable resistive devices with read capability using a low supply voltage |
| US9496265B2 (en) | 2010-12-08 | 2016-11-15 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Circuit and system of a high density anti-fuse |
| US9548109B2 (en) | 2011-02-14 | 2017-01-17 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Circuit and system of using FinFET for building programmable resistive devices |
| US9711237B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-07-18 | Attopsemi Technology Co., Ltd. | Method and structure for reliable electrical fuse programming |
| US9818478B2 (en) | 2012-12-07 | 2017-11-14 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistive device and memory using diode as selector |
| US9824768B2 (en) | 2015-03-22 | 2017-11-21 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Integrated OTP memory for providing MTP memory |
| US10192615B2 (en) | 2011-02-14 | 2019-01-29 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices having a semiconductor fin structure with a divided active region |
| US10229746B2 (en) | 2010-08-20 | 2019-03-12 | Attopsemi Technology Co., Ltd | OTP memory with high data security |
| US10249379B2 (en) | 2010-08-20 | 2019-04-02 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices having program selector for electrical fuses with extended area |
| US10535413B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-01-14 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Low power read operation for programmable resistive memories |
| US10586832B2 (en) | 2011-02-14 | 2020-03-10 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices using gate-all-around structures |
| US10726914B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-07-28 | Attopsemi Technology Co. Ltd | Programmable resistive memories with low power read operation and novel sensing scheme |
| US10770160B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-09-08 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistive memory formed by bit slices from a standard cell library |
| US10916317B2 (en) | 2010-08-20 | 2021-02-09 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistance memory on thin film transistor technology |
| US10923204B2 (en) | 2010-08-20 | 2021-02-16 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Fully testible OTP memory |
| US11062786B2 (en) | 2017-04-14 | 2021-07-13 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme |
| US11615859B2 (en) | 2017-04-14 | 2023-03-28 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memories with ultra-low power read operation and novel sensing scheme |
| US12483429B2 (en) | 2021-06-01 | 2025-11-25 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Physically unclonable function produced using OTP memory |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6263090A patent/JPH03264814A/ja active Pending
Cited By (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9224496B2 (en) | 2010-08-11 | 2015-12-29 | Shine C. Chung | Circuit and system of aggregated area anti-fuse in CMOS processes |
| US9019742B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-04-28 | Shine C. Chung | Multiple-state one-time programmable (OTP) memory to function as multi-time programmable (MTP) memory |
| US9042153B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-05-26 | Shine C. Chung | Programmable resistive memory unit with multiple cells to improve yield and reliability |
| US8913415B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | Circuit and system for using junction diode as program selector for one-time programmable devices |
| US10916317B2 (en) | 2010-08-20 | 2021-02-09 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistance memory on thin film transistor technology |
| US10249379B2 (en) | 2010-08-20 | 2019-04-02 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices having program selector for electrical fuses with extended area |
| US10229746B2 (en) | 2010-08-20 | 2019-03-12 | Attopsemi Technology Co., Ltd | OTP memory with high data security |
| US10127992B2 (en) | 2010-08-20 | 2018-11-13 | Attopsemi Technology Co., Ltd. | Method and structure for reliable electrical fuse programming |
| US9767915B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-09-19 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable device with integrated heat sink |
| US9754679B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-09-05 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memory devices using FinFET technology |
| US9711237B2 (en) | 2010-08-20 | 2017-07-18 | Attopsemi Technology Co., Ltd. | Method and structure for reliable electrical fuse programming |
| US8873268B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-10-28 | Shine C. Chung | Circuit and system of using junction diode as program selector for one-time programmable devices |
| US9025357B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-05-05 | Shine C. Chung | Programmable resistive memory unit with data and reference cells |
| US8854859B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-10-07 | Shine C. Chung | Programmably reversible resistive device cells using CMOS logic processes |
| US9496033B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-11-15 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Method and system of programmable resistive devices with read capability using a low supply voltage |
| US9478306B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-10-25 | Attopsemi Technology Co., Ltd. | Circuit and system of using junction diode as program selector for one-time programmable devices with heat sink |
| US9460807B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-10-04 | Shine C. Chung | One-time programmable memory devices using FinFET technology |
| US10923204B2 (en) | 2010-08-20 | 2021-02-16 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Fully testible OTP memory |
| US9236141B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-01-12 | Shine C. Chung | Circuit and system of using junction diode of MOS as program selector for programmable resistive devices |
| US9251893B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-02-02 | Shine C. Chung | Multiple-bit programmable resistive memory using diode as program selector |
| US9431127B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-08-30 | Shine C. Chung | Circuit and system of using junction diode as program selector for metal fuses for one-time programmable devices |
| US9385162B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-07-05 | Shine C. Chung | Programmably reversible resistive device cells using CMOS logic processes |
| US9305973B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-04-05 | Shine C. Chung | One-time programmable memories using polysilicon diodes as program selectors |
| US9343176B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-05-17 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface with soft programming capability |
| US9076513B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-07-07 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface with soft programming capability |
| US8923085B2 (en) | 2010-11-03 | 2014-12-30 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory embedded in a integrated circuit without any additional pins for access |
| US9293220B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-03-22 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface for 3D IC |
| US9019791B2 (en) | 2010-11-03 | 2015-04-28 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface for 3D IC |
| US9281038B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-03-08 | Shine C. Chung | Low-pin-count non-volatile memory interface |
| US9496265B2 (en) | 2010-12-08 | 2016-11-15 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Circuit and system of a high density anti-fuse |
| US9548109B2 (en) | 2011-02-14 | 2017-01-17 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Circuit and system of using FinFET for building programmable resistive devices |
| US11011577B2 (en) | 2011-02-14 | 2021-05-18 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memory using gate-all-around structures |
| US9881970B2 (en) | 2011-02-14 | 2018-01-30 | Attopsemi Technology Co. LTD. | Programmable resistive devices using Finfet structures for selectors |
| US10586832B2 (en) | 2011-02-14 | 2020-03-10 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices using gate-all-around structures |
| US10192615B2 (en) | 2011-02-14 | 2019-01-29 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable devices having a semiconductor fin structure with a divided active region |
| US9136261B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-09-15 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using mesh-structure diodes for electro-static discharge (ESD) protection |
| US8912576B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using semiconductor body to construct bipolar junction transistors |
| US9324849B2 (en) | 2011-11-15 | 2016-04-26 | Shine C. Chung | Structures and techniques for using semiconductor body to construct SCR, DIAC, or TRIAC |
| US8917533B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-12-23 | Shine C. Chung | Circuit and system for testing a one-time programmable (OTP) memory |
| US9007804B2 (en) | 2012-02-06 | 2015-04-14 | Shine C. Chung | Circuit and system of protective mechanisms for programmable resistive memories |
| US8861249B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-10-14 | Shine C. Chung | Circuit and system of a low density one-time programmable memory |
| US8913449B2 (en) | 2012-03-11 | 2014-12-16 | Shine C. Chung | System and method of in-system repairs or configurations for memories |
| US9076526B2 (en) | 2012-09-10 | 2015-07-07 | Shine C. Chung | OTP memories functioning as an MTP memory |
| US9183897B2 (en) | 2012-09-30 | 2015-11-10 | Shine C. Chung | Circuits and methods of a self-timed high speed SRAM |
| US9324447B2 (en) | 2012-11-20 | 2016-04-26 | Shine C. Chung | Circuit and system for concurrently programming multiple bits of OTP memory devices |
| US10586593B2 (en) | 2012-12-07 | 2020-03-10 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistive device and memory using diode as selector |
| US9818478B2 (en) | 2012-12-07 | 2017-11-14 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistive device and memory using diode as selector |
| US9412473B2 (en) | 2014-06-16 | 2016-08-09 | Shine C. Chung | System and method of a novel redundancy scheme for OTP |
| US9824768B2 (en) | 2015-03-22 | 2017-11-21 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Integrated OTP memory for providing MTP memory |
| US10535413B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-01-14 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Low power read operation for programmable resistive memories |
| US10726914B2 (en) | 2017-04-14 | 2020-07-28 | Attopsemi Technology Co. Ltd | Programmable resistive memories with low power read operation and novel sensing scheme |
| US11062786B2 (en) | 2017-04-14 | 2021-07-13 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memories with low power read operation and novel sensing scheme |
| US11615859B2 (en) | 2017-04-14 | 2023-03-28 | Attopsemi Technology Co., Ltd | One-time programmable memories with ultra-low power read operation and novel sensing scheme |
| US10770160B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-09-08 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Programmable resistive memory formed by bit slices from a standard cell library |
| US12483429B2 (en) | 2021-06-01 | 2025-11-25 | Attopsemi Technology Co., Ltd | Physically unclonable function produced using OTP memory |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03264814A (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| US10266055B2 (en) | Vehicle-mounted equipment operating device and vehicle-mounted equipment operating system | |
| US12187266B2 (en) | Autonomous driving method and apparatus | |
| US5598339A (en) | Navigation apparatus for vehicles | |
| JP2007045168A (ja) | 車両用情報処理装置 | |
| JPH11237251A (ja) | ナビゲーションシステム | |
| JPH03255311A (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| JP5055024B2 (ja) | 車載通信装置 | |
| JPH03264815A (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| JPH03255310A (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| JPH11304502A (ja) | ナビゲーション装置 | |
| JPH056238B2 (ja) | ||
| JP2008267954A (ja) | 車載用ナビゲーション装置およびその経路探索方法 | |
| JP2891919B2 (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| JP2000346654A (ja) | ナビゲーション装置 | |
| JPH09257506A (ja) | ナビゲーション装置 | |
| JP2002031537A (ja) | 車載用ナビゲーション装置 | |
| JPH08313275A (ja) | ナビゲーション装置 | |
| JP4246549B2 (ja) | Fpuリモコンシステム | |
| JP6901351B2 (ja) | 表示制御装置、及び表示制御方法 | |
| JPH03269566A (ja) | 車両用ナビゲーション装置 | |
| KR20050112353A (ko) | 네비게이션 시스템 | |
| CN120126293A (zh) | 一种座舱网络信号强度提示方法、装置、设备及存储介质 | |
| JP3462036B2 (ja) | 移動体用ナビゲーション装置の表示方法 | |
| JPH08304098A (ja) | ナビゲーション装置 |