JPH03148815A - Focus detection and exposure device using the same - Google Patents
Focus detection and exposure device using the sameInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明の焦点検出法および該検出法を用いた露光装置に
係り、と(にウェハなどの被検面の縮小投影レンズの焦
点位置からのずれを高速かつ高精度で検出するのに好適
な焦点検出法および該検出法を用いた露光装置に関する
。Detailed Description of the Invention [Industrial Field of Application] The present invention relates to a focus detection method and an exposure apparatus using the detection method, The present invention relates to a focus detection method suitable for detecting displacement at high speed and with high precision, and an exposure apparatus using the detection method.
従来、LSTの製造に用いる縮小投影露光装置において
は、レテイクル上の回路パターンを縮小投影レンズによ
り被検面に投影するさいに、被検面の位置を補正して縮
小投影レンズに許容される焦点内に被検面を保持するこ
とによりデフォカスによって生じるボケを防止してサブ
ミクロンの微細なパターンの転写を可能にするパターン
転写方法が使用されている。Conventionally, in a reduction projection exposure apparatus used for manufacturing LSTs, when projecting a circuit pattern on a reticle onto a test surface using a reduction projection lens, the position of the test surface is corrected to adjust the focus allowed by the reduction projection lens. A pattern transfer method is used that prevents blurring caused by defocus by holding the surface to be inspected within the test surface, thereby making it possible to transfer submicron fine patterns.
また上記パターン転写方法にて被検面の縮小投影レンズ
の焦点位置からのずれを検出する場合には、たとえば特
開昭56−42205号公報に記載されているように、
断面の細長い光束を被検面に対して斜め方向から照射し
て、この被検面からの反射光を受光素子前に設けた検知
スリット位置に結像する.この結像された像と検知スリ
ットを相対的に振動させることにより検知スリットを通
過した光による変調信号を光電変換素子で検出し、この
変調信号を位相検波することにより被検面の焦点位置か
らのずれ量の信号を求める方法を用いていた。In addition, when detecting the deviation of the target surface from the focus position of the reduction projection lens using the above pattern transfer method, for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-42205,
A light beam with a long and narrow cross section is irradiated obliquely onto the surface to be inspected, and the reflected light from the surface is imaged at the position of a detection slit provided in front of the light-receiving element. By relatively vibrating this formed image and the detection slit, a photoelectric conversion element detects a modulated signal caused by the light that has passed through the detection slit, and by detecting the phase of this modulated signal, A method was used to obtain the signal of the amount of deviation.
この焦点検出法によると、細長く矩形(または線形)に
絞られた光束の断面が被検面に照射されるので、規則性
のあるパターンが刻印されている被検面を検出する場合
には被検面に照射される光束断面の綱長い方向がパター
ンの方向と一致すると反射光を検出した信号がパターン
の影響を受けて精度の低下を生じやすかった.このため
パターンに規則性がある方向と異なる方向から照明を行
い複数のパターンにまたがって照明光の照射される部分
を分布させることによって信号を平均化して焦点検出の
精度向上を図らなければならず焦点検出を行なう光学系
の配置などに制約があった。According to this focus detection method, a cross-section of a light beam narrowed into a long and narrow rectangular (or linear) beam is irradiated onto the test surface, so when detecting a test surface with a regular pattern engraved on it, the If the length direction of the cross-section of the beam irradiated onto the surface to be inspected coincided with the direction of the pattern, the signal detected from the reflected light was likely to be affected by the pattern, resulting in a decrease in accuracy. For this reason, it is necessary to improve the accuracy of focus detection by averaging the signal by illuminating from a direction different from the regular direction of the pattern and distributing the area illuminated with illumination light across multiple patterns. There were restrictions on the placement of the optical system that performs focus detection.
また、被検面に照射される光束断面の像を検出する前記
した焦点検出法では被検面が傾いても被検面から反射す
る光束の角度が変化するのみで被検面に照射されている
光束の位置は変化しないので、この被検面に照射された
光束断面を検知スリット上に結像した像は被検面が傾い
ても移動しないので信号として検出することが出来ない
,したがって被検面が傾いて生じる被検面の周辺部分に
生じるIi/ト投影レンズの焦点に対するずれは検出す
ることが出来ない等の課題があった。In addition, in the focus detection method described above, which detects the cross-sectional image of the beam irradiating the test surface, even if the test surface is tilted, the angle of the light beam reflected from the test surface only changes, and the test surface is not irradiated. Since the position of the light beam does not change, the image formed on the detection slit of the cross section of the light beam irradiated on the test surface does not move even if the test surface is tilted, so it cannot be detected as a signal. There have been problems such as the inability to detect a shift from the focal point of the Ii/T projection lens that occurs in the periphery of the test surface due to the test surface being tilted.
上記した従来技術においては、前述したように照明光束
の断面が綱長い矩形(または線形)をしているので被検
面に照射される部分の光束の断面積は細長くなり、方向
性のあるパターンを有する被検面に於いては照明光の入
射方向をパターンの規則性のある方向に対して斜め方向
から照明することにより、パターンの凹凸による影響を
平均化して焦点検出の精度向上を図る必要があった。ま
た、従来の光学系では被検面の焦点からの位置すれと傾
きによって生じるずれを同時に検出することが出来なか
った。このため被検面の傾き検出を行わないで位置ずれ
のみを検出して補正を行う方法や傾きを検出する専用の
光学系を設は最初に被検面の傾き検出をしてこの値によ
り被検面の傾き補正を最初に行い、被検面の個りの位置
での焦点検出では被検面の垂線方向の位置ずれのみを検
出して補正を行なう方法などがとられていた。In the above-mentioned conventional technology, as mentioned above, the cross section of the illumination light beam has a long rectangular (or linear) shape, so the cross section of the portion of the light beam irradiated onto the test surface becomes elongated and has a directional pattern. In the case of a surface to be inspected that has a pattern, it is necessary to illuminate the incident direction of the illumination light from an oblique direction with respect to the regular direction of the pattern to average out the effects of unevenness of the pattern and improve the accuracy of focus detection. was there. Further, with conventional optical systems, it has not been possible to simultaneously detect deviations caused by the positional deviation and inclination of the surface to be inspected from the focal point. For this reason, it is recommended to detect only the positional deviation without detecting the tilt of the surface to be inspected and to correct it, or to install a dedicated optical system to detect the tilt. A method has been used in which the inclination of the surface to be examined is first corrected, and when focus detection is performed at individual positions on the surface to be examined, only positional deviations in the perpendicular direction of the surface to be examined are detected and corrected.
本発明の目的は、パターンの凹凸による検出値の平均化
をはかって精度を向上可能にするとともに縮小投影レン
ズの焦点に対する被検面の垂線方向の位置ずれと傾きに
よるずれを同時に検出可能とする焦点検出法および該検
出法を用いた露光装置を提供することにある。It is an object of the present invention to improve accuracy by averaging detection values due to pattern irregularities, and to simultaneously detect positional deviation in the perpendicular direction and deviation due to tilt of the test surface with respect to the focal point of the reduction projection lens. An object of the present invention is to provide a focus detection method and an exposure apparatus using the detection method.
上記目的を達成するために、本発明の焦点検出法は、ス
リット(またはピンホール、光源など)を被検面から光
路長にしておよそ20〜100mm離れた位置に結像し
、このスリットを七ンサ(または前記従来技術で述べた
検知スリットなど)に結像したことである。このように
することにより細く集光された照明光の部分(スリット
像が出来る)が被検面から離れるため、被検面に照射さ
れる光束の断面積を拡大する事が出来る。被検面に照射
される光束の断面積が拡大され規則性のあるパターンを
照明して粂検出値が平均化されるので、照明光のパター
ンに対する入射方向にかかわらず被検面の焦点からのず
れを高い精度で検出することが出来るようにまた、被検
面から光路長にしておよそ20〜100ma+離れた位
置に結像したスリット像は被検面の傾きに比例して移動
する。このスリット像を七ンサの受光面に結像するため
、被検面の傾きによって生じる焦点からのずれも検出す
ることが出来るようにしたものである。−ただし、本焦
点検出法により検出されたスリット像の信号には被検面
の垂線方向に位置がずれたことによって生じた信号と傾
きによって生じた信号が合わさって検出されているので
、検出して得た信号を計算処理することにより被検面の
垂線方向の位置ずれによって生じた信号と被検面の傾き
によって生じた信号に分離しなければならない。In order to achieve the above object, the focus detection method of the present invention focuses a slit (or pinhole, light source, etc.) at a position approximately 20 to 100 mm away from the test surface in terms of optical path length, and This is because the image is formed on a sensor (or a detection slit, etc. as described in the above-mentioned prior art). By doing this, the portion of the illumination light that is narrowly focused (forming a slit image) is separated from the surface to be inspected, so that the cross-sectional area of the light beam irradiated onto the surface to be inspected can be expanded. The cross-sectional area of the light beam irradiated onto the test surface is expanded, illuminating a regular pattern, and the detected values are averaged. In order to be able to detect the deviation with high precision, the slit image formed at a position approximately 20 to 100 ma+ in terms of optical path length from the surface to be inspected moves in proportion to the inclination of the surface to be inspected. Since this slit image is formed on the light-receiving surface of the sensor, it is possible to detect deviations from the focus caused by the inclination of the surface to be inspected. - However, the signal of the slit image detected by this focus detection method contains a combination of the signal caused by the position shift in the perpendicular direction of the surface to be detected and the signal caused by the tilt. By calculating and processing the signals obtained, it is necessary to separate signals caused by the positional deviation in the perpendicular direction of the test surface and signals caused by the inclination of the test surface.
また、上記目的を達成するために、本発明の露光装置に
おいては、第1光路と第2光路を構成する光束がそれぞ
れ逆向きにほぼ同じ光路を通過するように構成したこと
である。光路をこの構成にすると被検面が位置ずれ(シ
フト)を起こした場合には第2図に示したように被検面
に反射した第1光路と第2光路の光束が同じ方向に移動
し、被検面の傾きによるずれが生じた場合には第1光路
と第2光路の光束が互いに反対方向に移動することを利
用して、実施例に詳細に述べるような計算方法により被
検面の垂線方向に対するずれ(シフ1−)sと被検面の
傾きによるずれ(ピッチング)θ、、、θ、yを求め、
被検面の位置が縮小投影レンズの許容される焦点範囲内
に入るように補正するものである。Furthermore, in order to achieve the above object, the exposure apparatus of the present invention is configured such that the light beams forming the first optical path and the second optical path pass through substantially the same optical path in opposite directions. When the optical path is configured in this way, if the surface to be measured shifts (shifts), the light fluxes of the first and second optical paths reflected on the surface to be measured will move in the same direction, as shown in Figure 2. By using the fact that the light beams in the first and second optical paths move in opposite directions when a deviation occurs due to the inclination of the surface to be examined, the surface to be examined is determined by the calculation method described in detail in the Examples. Find the deviation (shift 1-) s with respect to the perpendicular direction and the deviation (pitching) θ, , θ, y due to the inclination of the test surface,
This is to correct the position of the surface to be examined so that it falls within the allowable focal range of the reduction projection lens.
スリット(またはピンホール、光源など)の像が被検面
から光路長にしておよそ20〜100閣離れた位置に結
像するようにすると被検面に照射される照明光の光束の
断面積が拡大するので微細な凹凸または明暗を有する被
検面を検出しても検出される値が平均化されて高い検出
精度が得られる。If the image of the slit (or pinhole, light source, etc.) is formed at a position approximately 20 to 100 degrees away from the test surface in terms of optical path length, the cross-sectional area of the luminous flux of the illumination light irradiated onto the test surface will be Because of the magnification, even when detecting a surface to be inspected that has minute irregularities or brightness and darkness, the detected values are averaged and high detection accuracy can be obtained.
これと共に被検面が傾くと反射する光束の角度が変化す
るのでこれに伴いスリットを結像した像の位置が移動す
る。光束が被検面に対して互いに逆向きらほぼ同じ通路
を通過する第1光路と第2光路を設けると、被検面の垂
線方向の位置のずれにたいしては第1光路と第2光路に
よって形成されるスリット像が同じ方向に移動し、被検
面の光束の進行方向と平行した方向に対する傾きによる
ずれに対しては第1光路と第2光路によって形成される
スリット像が異なる方向に移動する。At the same time, when the surface to be inspected is tilted, the angle of the reflected light beam changes, and accordingly, the position of the image formed by the slit moves. If a first optical path and a second optical path are provided in which the light beams pass through substantially the same path in opposite directions with respect to the surface to be inspected, the first and second optical paths will be able to compensate for the positional deviation in the perpendicular direction of the surface to be inspected. The slit images formed by the first and second optical paths move in the same direction, and the slit images formed by the first optical path and the second optical path move in different directions in response to a deviation due to the inclination of the surface to be inspected in a direction parallel to the traveling direction of the light beam.
本発明の実施例を第1図〜第5図によって説明する。被
検面1(たとえばウェハなど)はLSI(集積回路)な
どの回路パターンを該被検面lに投影する縮小投影レン
ズ2の焦点面に位置するため、該被検面1の縮小投影レ
ンズ2の焦点面からのずれを検出する光路はこの縮小投
影レンズ2と被検面1に挟まれた狭い領域に入るように
しなければならない。Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. The surface to be inspected 1 (for example, a wafer, etc.) is located at the focal plane of the reduction projection lens 2 that projects a circuit pattern such as an LSI (integrated circuit) onto the surface to be inspected. The optical path for detecting the deviation from the focal plane must enter a narrow region sandwiched between the reduction projection lens 2 and the surface to be examined 1.
第1図により本発明による光学系の構成を説明する。被
検面lの縮小投影レンズ2の焦点面に対するずれは後述
する第3図、第4図などに示すように被検面1の互いに
直交する方向に対する傾斜(θpx、θpy)と被検面
の垂線方向に平行移動する位置のずれ(s)の3種類の
ずれに分解して表することが出来る。本発明による焦点
検出では第1図に示した1軸の光学系A(またはB)に
より光学系Aを構成する光路の進行方向と平行した方向
に対する被検面1の傾斜(たとえばθ、ヨ)と位置のず
れ(s)の2種類のずれを検出することが出来る。従っ
て光路の進行方向と直交した方向に対する被検面lの傾
斜(たとえばθpy)も検出出来るようにするために後
述する第4図で示したように光路を実線で表した光学系
Aと光路を点線で表した光学系Bを互いの光学系を構成
する光路が−はぼ直交して被検面1に入射するように配
置して被検面1の縮小投影レンズ2の焦点面に対する傾
斜(θ、、θ+py)および位置ずれ(s)の3種のず
れを検出する。光学系Aおよび光学系Bは同じ光路構成
をしているため第1図では光学系Aの構成についてのみ
説明する。尚、光学系Bを構成する第4図および第5図
においては光学系Aを構成する部品と同じ部品は符号に
”を付けて表した。The configuration of the optical system according to the present invention will be explained with reference to FIG. The deviation of the test surface l from the focal plane of the reduction projection lens 2 is determined by the inclination (θpx, θpy) of the test surface 1 with respect to the mutually orthogonal directions and the tilt of the test surface 1, as shown in FIGS. It can be broken down into three types of deviations and expressed as positional deviations (s) that are translated in the perpendicular direction. In focus detection according to the present invention, the uniaxial optical system A (or B) shown in FIG. Two types of deviations can be detected: and positional deviation (s). Therefore, in order to be able to detect the inclination (for example, θpy) of the surface to be inspected in the direction perpendicular to the direction of travel of the optical path, the optical system A and the optical path are shown in FIG. 4, which will be described later. The optical system B represented by the dotted line is arranged so that the optical paths constituting each optical system are approximately perpendicular to each other and incident on the test surface 1, and the tilt of the test surface 1 with respect to the focal plane of the reduction projection lens 2 ( Three types of deviations are detected: θ, , θ+py) and positional deviation (s). Since optical system A and optical system B have the same optical path configuration, only the configuration of optical system A will be explained in FIG. In FIGS. 4 and 5, which constitute optical system B, the same parts as those which constitute optical system A are indicated by adding "" to the reference numerals.
S偏光の光源3(たとえばハロゲンランプ、発光ダイオ
ードや半導体レーザなと)からの照明光をコンデンサレ
ンズ4によって集光し、スリットが2個(5a、 5
b)空いている遮光板5によりスリット5aを通過して
第1の光路を構成する光路6とスリット5bを通過して
第2の光路を構成する光II!t7に分離する。S偏光
に偏光されている光路6および光路7は結像レンズ8を
通−過した後ビームスプリンタ9に反射してλ/4位相
板IOを通過することにより円偏光に変換されて開口絞
り11を通過する。この光路6は被検面1に反射して、
プリズム12により折返され再びλ/4位相板10を通
過することによりP偏光に変換されビームスブリフタ9
を通過してスリット5aを結像13aする。Illumination light from an S-polarized light source 3 (for example, a halogen lamp, a light emitting diode, or a semiconductor laser) is focused by a condenser lens 4, and two slits (5a, 5) are used.
b) Light II passes through the slit 5a to form a first optical path using the empty light blocking plate 5, and light II passes through the slit 5b to form a second optical path! Separate at t7. The optical paths 6 and 7, which are S-polarized, pass through the imaging lens 8, are reflected by the beam splinter 9, and are converted into circularly polarized light by passing through the λ/4 phase plate IO. pass through. This optical path 6 is reflected by the test surface 1,
It is reflected by the prism 12, passes through the λ/4 phase plate 10 again, is converted into P-polarized light, and is sent to the beam splitter 9.
passes through the slit 5a to form an image 13a.
また、光路7はプリズム12に反射して折返された後に
被検面lに反射して再びλ/4位相板IOを通過するこ
とによりP偏光に変換されビームスプリッタ9を通過し
てスリット5bを結像13bする。The optical path 7 is reflected by the prism 12 and turned back, then reflected by the test surface l, passes through the λ/4 phase plate IO again, is converted into P-polarized light, passes through the beam splitter 9, and passes through the slit 5b. An image is formed 13b.
このスリット像13a、13bは対物レンズ14を通過
した後にミラー15に反射して結像レンズ16により拡
大されリニア七ンサ18にそれぞれスリット像13a、
13bを結像する。結像レンズ16とリニアセンサ18
の間にシリンドリカルレンズ17を挿入してスリット像
13a、13bをリニアセンサ18の検出方向と直交す
るスリット5a、5bの長手方向に対して圧縮してリニ
ア七ンサ18にスリット像 13a、13bを結像する
ことにより被検面1が光路6.7の進行方向と直交する
方向に傾斜(たとえばθ。After passing through the objective lens 14, the slit images 13a and 13b are reflected by the mirror 15 and magnified by the imaging lens 16, and the slit images 13a and 13b are sent to the linear sensor 18, respectively.
13b is imaged. Imaging lens 16 and linear sensor 18
The slit images 13a and 13b are compressed in the longitudinal direction of the slits 5a and 5b perpendicular to the detection direction of the linear sensor 18 by inserting a cylindrical lens 17 between them, and the slit images 13a and 13b are focused on the linear sensor 18. By imaging, the surface to be measured 1 is tilted in a direction perpendicular to the traveling direction of the optical path 6.7 (for example, θ).
7)シてもスリット像13a、13bのリニアセンサ1
8の検出方向と直交する方向に対する移動が少なくなり
被検面1が傾斜(たとえばθ、y)シてもス ーリッ
ト像13a、13bがリニアセンサ18から外れる−こ
とがなくなり良好な信号を得ることが出来るようになっ
た。7) Linear sensor 1 with slit images 13a and 13b
The movement in the direction perpendicular to the detection direction of 8 is reduced, and even if the surface 1 to be detected is tilted (for example, θ, y), the slit images 13a, 13b will not come off the linear sensor 18, and a good signal can be obtained. is now possible.
第2図は光路6の被検面1に反射する部分を光束により
描いたものである。光路6を構成するスリット5bを通
過した光束(光路6)の幅は結像レンズ8を通過する部
分で最大となりここからスリット像13aまで収束する
。結像レンズ8とスリット像13aの間の光束が収束す
る途中で被検面lに反射すると被検面1に照射される光
束の面積を広くとることが出来るので被検面1に微細な
凹凸、明暗があっても反射する光束が平均化されて被検
面lの傾斜(たとえばθ、ヨ)および位置のずれ(s)
を高い精度検出できるようになった。向、光路7は光路
6とまった(同様に考えることが出来る。FIG. 2 depicts the portion of the optical path 6 that is reflected on the surface to be tested 1 using a luminous flux. The width of the light beam (optical path 6) that has passed through the slit 5b constituting the optical path 6 becomes maximum at the portion where it passes through the imaging lens 8, and converges from there to the slit image 13a. If the light beam between the imaging lens 8 and the slit image 13a is reflected on the test surface l while it is converging, the area of the light beam irradiated on the test surface 1 can be increased, so that minute irregularities can be created on the test surface 1. , even if there is brightness or darkness, the reflected light flux is averaged, and the inclination (for example, θ, y) and positional deviation (s) of the test surface l are
can now be detected with high accuracy. In the opposite direction, optical path 7 stopped at optical path 6 (it can be thought of in the same way).
第3図に第1図で示した光学系Aにより縮小投影レンズ
2の焦点面に対する被検面1の傾斜(θI)および位置
のずれ(s)を検出する原理を示したものである。■は
被検面1が縮小投影レンズ2の焦点面に位置しており傾
斜(θJ)X)や位置のずれ(s)を生じていない場合
を示したもので、被検面lに対してほぼ対向する斜方向
から被検面lに入射する光路6および光路7は互いにほ
ぼ重なった光路を進行してスリット像13a、13bを
結像する。この■の状態におけるスリット像13a11
3bを検出した信号波形が被検面lに生じた傾斜(θ□
)や位置のずれ(s)を求めるための基準の値となる。FIG. 3 shows the principle of detecting the inclination (θI) and positional deviation (s) of the test surface 1 with respect to the focal plane of the reduction projection lens 2 using the optical system A shown in FIG. ■ indicates the case where the test surface 1 is located at the focal plane of the reduction projection lens 2 and there is no inclination (θJ)X) or positional shift (s), with respect to the test surface l. Optical paths 6 and 7 that enter the test surface l from substantially opposite oblique directions travel along optical paths that substantially overlap each other to form slit images 13a and 13b. Slit image 13a11 in this state of ■
The signal waveform that detected 3b is the slope (θ□
) and positional deviation (s).
光学系Aで検出出来る被検面lの縮小投影レンズ2の焦
点面に対するずれは■〜■の例に示すように傾斜(θ□
)と位置のずれ(s)の2種類である。■に示した状態
の信号波形を基準にして、■〜■に示したように縮小投
影レンズ2の焦点面に対してずれを生じた被検面1によ
るスリット像13a、13bの信号波形により以下に述
べる方法により位置変動(δ1、δ2)を求め、さらに
この位置変動(δ、、δ2)から被検面1に生じている
被検面1の位置のずれ(s)および傾斜(θ□、θ、y
注、θ、yは後述する光学系Bにより求める)を求め
、この値に基づいて被検面1の位置を縮小レンズ2で許
容されている焦点の範囲内に補正することにより縮小投
影レンズ2による被検面1への微細なパターンの投影を
可能にする。■に被検面1に傾斜(θ□)と位置のずれ
(s)が同時に生じている場合における光路6と光路7
が通過する経路とこれによって出来るスリット像13a
、13bの■に示した状態からの位置変動(δ1、δ、
)を示す。また、■には被検面lに位置ずれ(s)のみ
が生じている場合、■には被検面1に傾斜(θ□)のみ
が生じている場合における光路6と光路7の通過するそ
れぞれの経路とスリット像13a、13bの■に示した
状態からの位置変動(−δ3、δ、、kδ、、δ、)を
示した。■において光路6、光路7の被検面に対する入
射角(θ、)が十分に小さい場合にはスリット像13a
、13bの■に対する位置変動(δ、)と被検面1の位
置のずれ(s)の関係は式(f)で表すことが出来る。The deviation of the test surface l from the focal plane of the reduction projection lens 2 that can be detected by the optical system A is determined by the inclination (θ
) and positional deviation (s). Based on the signal waveform in the state shown in (2), the signal waveform of the slit images 13a and 13b from the test surface 1 which has shifted with respect to the focal plane of the reduction projection lens 2 as shown in (2) to (2) is as follows. The positional fluctuations (δ1, δ2) are determined by the method described in , and the positional deviation (s) and inclination (θ□, θ□, θ,y
Note: θ and y are determined by optical system B, which will be described later. This makes it possible to project a fine pattern onto the surface 1 to be inspected. Optical path 6 and optical path 7 when the inclination (θ□) and positional deviation (s) occur simultaneously on the test surface 1 in (2)
The path through which it passes and the slit image 13a created by this
, positional fluctuations from the state shown in ■ in 13b (δ1, δ,
) is shown. In addition, in ■, there is only a positional deviation (s) on the test surface l, and in ■, the passage of the optical paths 6 and 7 when only an inclination (θ□) has occurred on the test surface 1. The respective paths and positional fluctuations (-δ3, δ, , kδ, , δ,) of the slit images 13a and 13b from the state shown in (■) are shown. In (2), if the angle of incidence (θ, ) of the optical paths 6 and 7 on the test surface is sufficiently small, the slit image 13a
, 13b with respect to ■ and the positional shift (s) of the test surface 1 can be expressed by equation (f).
位置のずれ(s)によって生じる位置変動(δ3)はス
リット像13a、スリット像13bとも同じ方向に移動
して移動量もほぼ同じになるが光路6は被検面1に反射
した後プリズム12によって位置の変動する方向が逆転
されるのでスリット像13aの位置変動は−δ、で表さ
れる。また、■の場合において光路7のスリット像13
bの位置変動(δ、)は被検面lの傾斜(θ□)から式
(2)で表される。被検面1に傾斜(θI)X)が生じ
ている場合には光路6の被検面lに対する反射角(θ6
)と光路7の被検面に対する反射角(θ7)は式(2,
1)、(2,2)で表されるように逆方向に移動するが
光路6は被検面に反射した後にプリズム12により折返
されて角度の方向が逆転するのでスリット像13aはス
リット像13bと同じ方向に移動する。また、被検面l
に反射してからスリット像13aまでの距離が光路6は
光路7と異なるのでこの光路長差を補正する定数(k)
を式(3)により求め、スリット像13aの位置変動は
に6゜で表わす。従って■に示すように被検m11に傾
斜(θ、。)と位置のずれ(s)が同時に生じている場
合におけるスリット像13a、13bの位置変動(δ、
、δ2)は被検面1に位置のずれ(s)を生じた場合の
スリット像13a、13bの位置変動(−53、δ、)
と被検面1に傾斜(θpX)を生じた場合のスリット像
13a、13bの位置変動(kδ、、δ、)を加えた式
(4)、(5)で表わすことが出来る。上記から被検面
1の焦点検出においてリニアセンサ18で検出されるス
リット像13a、13bのそれぞれの位置変動(δ1、
δ2)から被検面1の縮小投影レンズ2の焦点面からの
傾斜(θ、。)と位置のずれ(s)は式(6)、式(7
)のように求めることが出来る。The positional fluctuation (δ3) caused by the positional deviation (s) moves in the same direction for the slit images 13a and 13b, and the amount of movement is almost the same. Since the direction of position variation is reversed, the position variation of the slit image 13a is expressed as -δ. In addition, in the case of ■, the slit image 13 of the optical path 7
The positional variation (δ,) of b is expressed by equation (2) from the inclination (θ□) of the test surface l. When the surface to be tested 1 has an inclination (θI)X), the reflection angle (θ6
) and the reflection angle (θ7) of the optical path 7 with respect to the test surface are expressed by the formula (2,
1) and (2, 2), the light path 6 moves in the opposite direction, but after being reflected on the test surface, it is turned back by the prism 12 and the angular direction is reversed, so the slit image 13a becomes the slit image 13b. move in the same direction. In addition, the test surface l
Since the distance from the reflection to the slit image 13a on optical path 6 is different from optical path 7, a constant (k) is used to correct this optical path length difference.
is determined by equation (3), and the positional variation of the slit image 13a is expressed by 6 degrees. Therefore, as shown in ■, the positional fluctuation (δ,
, δ2) is the positional variation (-53, δ,) of the slit images 13a, 13b when a positional shift (s) occurs on the surface to be inspected 1.
can be expressed by equations (4) and (5), which add the positional fluctuations (kδ, δ,) of the slit images 13a, 13b when the surface 1 to be examined is tilted (θpX). From the above, each positional variation (δ1,
δ2), the inclination (θ,
) can be obtained as follows.
δ、ζ2・S ・・・・・・・・・・・・・
・・ (1〕注)被検面への光路の入射角(θi)が
十分小さい場合
δ、ζ2・!1 ・θm、、l ・・・・・・・・
・・・・・・・(2)θ、=θ、+ θ□ ・・・
・・・・・・・・・・・・ (2,1)θ7=θ、−〇
、。 ・・・・・・・・・・・・・・−(2,2
)51 =k・δ、−δ。δ, ζ2・S・・・・・・・・・・・・
... (1) Note: If the angle of incidence (θi) of the optical path to the test surface is sufficiently small, δ, ζ2・! 1 ・θm,,l ・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(2) θ, = θ, + θ□ ・・・
・・・・・・・・・・・・ (2,1) θ7=θ, -〇,.・・・・・・・・・・・・・・・-(2,2
)51 =k・δ, −δ.
=2−に−j!、 −θ、、−2”s +++
(4)δ2 ;δ、+68
=2・j!1 ・θpg +2・S ・−(5
)第4図に前述したように被検面lの焦点検出を行なう
光学系の全体構成の例を示した。この光学系は第1図で
述べた光学系Aの光路6.7と光学系Aと同じ光路の構
成をした光学系Bの光路6”、7′が被検面1に対して
互いにほぼ直交して入射するように光学系Aおよび光学
系Bを配置したものである。光学系Aにより被検面lの
第4図に示した矢印X方向に対する傾斜(θ□)と位置
のずれ(s)を第3図で述べた方法により求め、光学系
Bにより被検面1の矢印のY方向に対する傾斜(θ、、
)を同じ方法により求めることにより被検面1の縮小投
影レンズ2の焦点面に対する傾斜(θ、ヨ、θ、、)お
よび被検面垂線方向の位置のず−れ(s)を求めること
が出来る。尚、第4図では光源3および光源3個別に設
けたが照明光学系を追加したり、光源から光ファイバー
により分岐して用いるなどにより光学%Aと光学系Bの
光源を一体化することが可能である。=2-to-j! , −θ,, −2”s +++
(4) δ2; δ, +68 = 2・j! 1 ・θpg +2・S ・−(5
) FIG. 4 shows an example of the overall configuration of an optical system for detecting the focus of the surface to be inspected l as described above. In this optical system, the optical path 6.7 of optical system A described in FIG. Optical system A and optical system B are arranged so that the incident surface is ) is determined by the method described in FIG. 3, and the inclination (θ, ,
) by the same method, it is possible to determine the inclination (θ, yaw, θ, , ) of the test surface 1 with respect to the focal plane of the reduction projection lens 2 and the positional shift (s) in the direction perpendicular to the test surface. I can do it. Although the light source 3 and the light source 3 are provided separately in Fig. 4, it is possible to integrate the light sources of optical system B and optical system B by adding an illumination optical system or branching from the light source with an optical fiber. It is.
第5図に本発明により被検面1の焦点検出を行なう制御
方法について説明する。光学系Aに設けたり曇アセンサ
18により検出した被検面lに反射した光路6および光
路フカ(結像するスリット像13a、13bの信号波形
を制御装置20に取り込む、これと同じ(光学系Bに設
けたリニアセンサ18により検出した被検面lに反射し
た光路6および光路7”が結像されるスリット像13a
” 、13bの信号波形を制御装置20に取り込み、あ
らかじめ制御装置20で記憶している第3図■で示した
焦点ずれを生じていない被検面lを検出して得られるス
リット像13a、13bおよびスリット像13a°、1
3b”の基準信号波形と比較して光学系Aで検出した焦
点ずれを生じているスリット像13a、13bの位置変
動(δヨ、δ2)とスリット像13a”、13bの位置
変動(δ、°、δ2)を求める。A control method for detecting the focus of the surface to be inspected 1 according to the present invention will be explained with reference to FIG. The optical path 6 reflected on the test surface l provided in the optical system A or detected by the fog sensor 18 and the optical path hook (signal waveforms of the slit images 13a and 13b to be imaged are taken into the control device 20, which is the same as this (optical system B) A slit image 13a in which the optical paths 6 and 7'' reflected on the test surface l detected by the linear sensor 18 provided in the
Slit images 13a, 13b are obtained by inputting the signal waveforms of ``, 13b into the control device 20 and detecting the test surface 1 which has no defocus as shown in FIG. and slit image 13a°, 1
Compared with the reference signal waveform of 3b'', the positional fluctuation (δy, δ2) of the slit images 13a, 13b causing a defocus detected by the optical system A and the positional fluctuation (δ, °) of the slit images 13a'', 13b are shown. , δ2).
第5図右上にリニアセンサ18で検出されるスリット像
13a、13bの信号波形の例を示した。2点類線で描
いた信号波形は第3図■に示した被検面!に傾斜(θ□
)や位置のずれ(s)を生じていない場合のスリット像
13a、13bをリニアセンサ18で検出した基準とな
る信号波形を表したものである。また、実線で示す信号
波形は第3図■〜■に示したように被検面lに傾斜(θ
ax)や位置のずれ(s−)を生じた場合のリニアセン
サ18で検出した信号波形の例を示したもので、両者の
信号波形から求められる位置の差がスリット像13a、
13bの位置変動(δ、、δ2)である。この求めた位
置変動(δう、δ2、δ、”、δ2°)の値から前述し
た式(ω、■を用いて被検面1の傾斜(θ)と位置のず
れ(s)を計算する。同じく位置変動(δ1”、δ2°
)から被検面1の傾斜(θ、、)を計算する。この信号
から被検面1を搭載したチルトステージ27を駆動して
被検面1を縮小投影レンズ2で許容される焦点内に被検
面1を補正する−ため、それぞれのチルト素子24〜2
6の駆動に必要な信号に変換して駆動回路21〜23に
転送する。駆動回路21〜23では制御装W20から受
けた信号に基づいてチルト素子24〜26を駆動する。An example of the signal waveform of the slit images 13a and 13b detected by the linear sensor 18 is shown in the upper right corner of FIG. The signal waveform drawn with two dotted lines is the test surface shown in Figure 3 ■! Tilt to (θ□
) or positional deviation (s) has not occurred, and the signal waveform is a reference signal obtained by detecting the slit images 13a and 13b by the linear sensor 18. In addition, the signal waveform shown by the solid line is inclined (θ
This figure shows an example of a signal waveform detected by the linear sensor 18 when a positional deviation (s-) or ax) occurs, and the difference in position determined from both signal waveforms is the slit image 13a,
13b position fluctuation (δ, δ2). The inclination (θ) and positional deviation (s) of the surface to be inspected 1 are calculated from the values of the determined positional fluctuations (δ, δ2, δ,”, δ2°) using the above-mentioned formulas (ω, ■). .Similarly, position fluctuation (δ1”, δ2°
), calculate the inclination (θ, , ) of the surface to be inspected 1. Based on this signal, the tilt stage 27 on which the test surface 1 is mounted is driven to correct the test surface 1 to within the focus allowed by the reduction projection lens 2.
The signal is converted into a signal necessary for driving 6 and transferred to the driving circuits 21 to 23. Drive circuits 21-23 drive tilt elements 24-26 based on signals received from control device W20.
チルト素子24〜26はステージ28に固定されており
被検面lを搭載したチルトステージ27を駆動して縮小
投影レンズ2で許容される焦点内に被検面1が入るよう
に補正する。Tilt elements 24 to 26 are fixed to a stage 28, and drive a tilt stage 27 on which a surface to be examined 1 is mounted to correct the surface to be examined 1 so that it is within the focus allowed by the reduction projection lens 2.
被検面(たとえばウェハなと)の縮小投影レンズの焦点
位置からのずれを正確に検出することが出来るようにな
り被検面を正確に縮小投影レンズの焦点位置に保持して
、微細な回路パターンを転写することが出来るようにな
った。It is now possible to accurately detect the deviation of the surface to be inspected (for example, a wafer) from the focus position of the reduction projection lens. It is now possible to transfer patterns.
第1図は本発明の特長をよく表す光路の構成図である。
第2図は第1図に示す光路が被検面に照射される一部分
を光束により表示したものである。
第3図は光路6、光路7が焦点面からのずれを生じた被
検面に照射された場合、反射した光束が形成するスリッ
ト像13a、13bの位置が変動する状態を示したもの
である。第4図は本発明の焦点検出法を用いて縮小露光
装置の焦点検出を行なう光学系を構成したものである。
第5図(6)は本焦点検出を行なうための制御装置を示
す図、第5図(ハ)はスリット像の信号波形を示す図で
ある。
l・・・被検面、2・・・縮小投影レンズ、3・・・光
源、4・・・コンデンサレンズ、5・・・遮光板、8.
1ロー・・結像レンズ、9・・−ビームスプリフタ、l
O・・・λ/4位相板、12−・・プリズム、14−・
・対物レンズ、15−・ミラー、18−・・リニアセン
サ、20・・・制御装置、21〜23・・・駆動回路、
24〜26・・・チルト素子、27・・・チルトステー
ジ、28・・・ステージ。
代理人 弁理士 秋 本 正 実
第1図
tJ5=l1丁5b11
111ケ支面 2°滲ろ4又影しンk 3:九f
i4−コン光ルンに12ニア−1−414:Mnし>ア
ニ 15:?フー 13=9=7乞;7
第2図
In+ l 1
ニオ庄A肩1 面 2:尤姿ホ4λ1〉しンス=
8ニオ古儂しンヌ;・9:し−翻ス7・νッ5 1
〇二でンイイz#第1〔]2”7・9スごム第4図一FIG. 1 is a configuration diagram of an optical path that clearly shows the features of the present invention. FIG. 2 shows a portion of the surface to be inspected illuminated by the optical path shown in FIG. 1 using a luminous flux. FIG. 3 shows how the positions of slit images 13a and 13b formed by the reflected light beams change when the optical paths 6 and 7 are irradiated onto a surface to be inspected that is deviated from the focal plane. . FIG. 4 shows the configuration of an optical system for detecting the focus of a reduction exposure apparatus using the focus detection method of the present invention. FIG. 5(6) is a diagram showing a control device for performing main focus detection, and FIG. 5(c) is a diagram showing a signal waveform of a slit image. 1... Test surface, 2... Reduction projection lens, 3... Light source, 4... Condenser lens, 5... Light shielding plate, 8.
1 row: Imaging lens, 9: -beam splitter, l
O...λ/4 phase plate, 12-...prism, 14-...
- Objective lens, 15 - Mirror, 18 - Linear sensor, 20 - Control device, 21 to 23 - Drive circuit,
24-26...Tilt element, 27...Tilt stage, 28... Stage. Agent Patent Attorney Tadashi Akimoto Actual Figure 1 tJ5=l1Cho5B11 111 supporting faces 2° 4-fold shadow K 3: 9F
i4-con light run 12 near-1-414:Mn>ani 15:? Fu 13=9=7beg;7
Figure 2 In+ l 1
Niosho A Shoulder 1 Face 2: Illusion Ho4λ1〉shins=
8 Nio konin shinnu;・9:shi-translation 7・νtsu5 1
〇2 de nii z #1 [] 2” 7.9 sgomu 4th figure 1
Claims (1)
ターンを表面に有する被検面を斜方向から照明し、被検
面からの反射光を受光して信号と成して、被検面にパタ
ーンの転写を行なう投影レンズなどの焦点面に対する被
検面のずれを求める焦点検出法において、照明光の通過
を制限するスリットと光学系によりこのスリット像が再
結像されるために収束する光路途中において被検面に反
射させ、この被検面からの反射光が形成したスリット像
の位置を検出して被検面の前記した投影レンズなどの焦
点面からのずれを算出することを特徴とする焦点検出法
。 2、前記スリットにより制限された照明光Aおよび照明
光Bをそれぞれ被検面に対して互いにほぼ対向する斜方
向から照射したとき、この反射光A、反射光Bにより形
成されるそれぞれのスリット像A、スリット像Bの位置
は被検面が傾斜している場合、相反する方向に移動し、
被検面の垂直方向の平行移動するずれに対しては同じ方
向に移動し、スリット像A、スリット像Bの位置を検出
した信号から、前記した被検面のずれによりスリット像
A、スリット像Bが移動する方向が上記被検面のずれに
対して異なることを利用して被検面の垂線方向に平衡移
動する位置のずれ(s)および被検面の傾斜(θ_p_
x)を求めることを特徴とする請求項1記載の焦点検出
法。 3、前記検出するセンサに微細な受光素子を直列に複数
個並べたリニアセンサを用い、このリニアセンサから得
られる信号波形によりスリット像A、スリット像Bの位
置を求めることを特徴とする請求項1もしくは2記載の
焦点検出法。 4、前記被検面からの反射光が形成したスリット像A、
スリット像Bの位置を検出して得た信号から計算処理に
より被検面の垂線方向に平行移動する位置のずれ(s)
の値と被検面の傾斜(θ_p_x)の値をそれぞれ求め
ることを特徴とする請求項1もしくは3記載の焦点検出
法。 5、前記被検面に対して光学系Aおよび光学系Bを構成
する互いの照明光がほぼ直交する方向から被検面に入射
するように光学系Aおよび光学系Bを配置することによ
り、被検面の垂線方向に平行移動する位置のずれ(s)
と被検面の互いに直交する方向の傾斜(θ_p_x、θ
_p_y)を検出することを可能にしたことを特徴とす
る請求項1もしくは2もしくは3もしくは4記載の焦点
検出法。 6、前記焦点面に対する被検面の傾斜(θ_p_x、θ
_p_y)と垂線方向の位置のずれ(s)による信号値
に基づき、被検面にパターン転写を行なう投影レンズな
どで許容される焦点の範囲に入るように被検面の位置を
自動で補正することを特徴とする請求項1もしくは2も
しくは3もしくは4もしくは5記載の焦点検出法。 7、レチクルの回路パターンを投影光学系を介してウェ
ハ上のチップからなる各ショット領域毎に順次転写を行
いウェハ全域に前記回路パターンを転写する露光装置に
おいて、前記ウェハの前記投影光学系の基準位置に対す
る位置のずれおよび少なくとも1方向に対する傾きを同
一光学系で検出することを特徴とする前記請求項1もし
くは2もしくは3もしくは4もしくは5記載の焦点検出
法を用いた露光装置。[Claims] 1. A test surface having a pattern on its surface that modulates reflected light, such as minute irregularities and brightness, is illuminated from an oblique direction, and the reflected light from the test surface is received and converted into a signal. In the focus detection method, which determines the deviation of the test surface from the focal plane of a projection lens, etc. that transfers a pattern onto the test surface, this slit image is re-formed by a slit that restricts the passage of illumination light and an optical system. The light is reflected from the test surface in the middle of the convergent optical path, and the position of the slit image formed by the reflected light from the test surface is detected to detect the deviation of the test surface from the focal plane of the projection lens, etc. A focus detection method characterized by calculating. 2. When the illumination light A and the illumination light B limited by the slit are respectively irradiated onto the surface to be inspected from oblique directions substantially opposite to each other, the respective slit images formed by the reflected light A and the reflected light B The positions of A and slit image B move in opposite directions when the surface to be inspected is inclined.
In response to a vertical parallel displacement of the surface to be inspected, the signals move in the same direction and detect the positions of slit image A and slit image B. Taking advantage of the fact that the direction in which B moves is different from the deviation of the test surface, the deviation (s) of the position of equilibrium movement in the perpendicular direction of the test surface and the inclination of the test surface (θ_p_
The focus detection method according to claim 1, characterized in that x) is determined. 3. A linear sensor in which a plurality of fine light-receiving elements are arranged in series is used as the detection sensor, and the positions of the slit image A and the slit image B are determined based on the signal waveform obtained from the linear sensor. The focus detection method according to 1 or 2. 4. A slit image A formed by the reflected light from the test surface;
Displacement (s) of the position parallel to the perpendicular direction of the test surface by calculation processing from the signal obtained by detecting the position of the slit image B
The focus detection method according to claim 1 or 3, characterized in that the value of and the value of the inclination (θ_p_x) of the surface to be inspected are determined respectively. 5. By arranging optical system A and optical system B so that the illumination lights forming optical system A and optical system B are incident on the test surface from directions substantially orthogonal to each other, Displacement of position parallel to the perpendicular direction of the test surface (s)
and the inclination of the test surface in mutually orthogonal directions (θ_p_x, θ
5. The focus detection method according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the focus detection method makes it possible to detect _p_y). 6. Inclination of the test surface with respect to the focal plane (θ_p_x, θ
Based on the signal value due to the positional deviation (s) in the perpendicular direction (_p_y), the position of the test surface is automatically corrected so that it falls within the focus range allowed by the projection lens, etc. that transfers the pattern onto the test surface. 6. The focus detection method according to claim 1, 2, 3, 4, or 5. 7. In an exposure apparatus that sequentially transfers a circuit pattern of a reticle to each shot area made of chips on a wafer through a projection optical system and transfers the circuit pattern to the entire wafer, the reference of the projection optical system of the wafer is used. 6. An exposure apparatus using the focus detection method according to claim 1, wherein a positional shift and a tilt in at least one direction are detected by the same optical system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287399A JPH03148815A (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | Focus detection and exposure device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287399A JPH03148815A (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | Focus detection and exposure device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148815A true JPH03148815A (en) | 1991-06-25 |
Family
ID=17716839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1287399A Pending JPH03148815A (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | Focus detection and exposure device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148815A (en) |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1287399A patent/JPH03148815A/en active Pending
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