JPH03105817A - 回路遮断器 - Google Patents
回路遮断器Info
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- JPH03105817A JPH03105817A JP2242279A JP24227990A JPH03105817A JP H03105817 A JPH03105817 A JP H03105817A JP 2242279 A JP2242279 A JP 2242279A JP 24227990 A JP24227990 A JP 24227990A JP H03105817 A JPH03105817 A JP H03105817A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H6/00—Emergency protective circuit arrangements responsive to undesired changes from normal non-electric working conditions using simulators of the apparatus being protected, e.g. using thermal images
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
- H02H3/093—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current with timing means
- H02H3/0935—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current with timing means the timing being determined by numerical means
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はモールドケース入りの回路遮断器に関し、詳細
にはそれにより保護されるべき導体への少くとも1個の
接続端子と、この導体を流れる電流の検出手段と、この
遮断器の予定の領域内の温度の測定手段と、これら両手
段の出力信号を続けて上記電流が予定のしきい値を越え
たεきにトリップ命令を出すように少くとも遅延したト
リップ機能を行うようになった、この遮断器の閉のとき
の測定温度により時間遅延を変更する手段を含む電気ト
リップ装置と、このトリップ命令により制御されるトリ
ップ手段と、を含むそのような回路遮断器に関する。
にはそれにより保護されるべき導体への少くとも1個の
接続端子と、この導体を流れる電流の検出手段と、この
遮断器の予定の領域内の温度の測定手段と、これら両手
段の出力信号を続けて上記電流が予定のしきい値を越え
たεきにトリップ命令を出すように少くとも遅延したト
リップ機能を行うようになった、この遮断器の閉のとき
の測定温度により時間遅延を変更する手段を含む電気ト
リップ装置と、このトリップ命令により制御されるトリ
ップ手段と、を含むそのような回路遮断器に関する。
(従来の技術)
従来の電気トリップ装置は回路遮断器が再び閉じるとき
その遮断器により切離されている系の熱的な履歴を考慮
していない。これは場合によっては系の過度の温度上昇
を生じさせうる。実際には従来の電気トリップ装置は遅
延が短すぎあるいは長すぎるような障害の場合に系の熱
的状態を数学的にシスミレートし、時間遅延が障害電流
の自乗に逆比例するようにされる。系の熱的状態のこの
部分的なシュミレーションは障害電流による温度上昇と
時間遅延期間中のこの障害電流の考えられる減少による
冷却とを考慮するにすぎない。第1図のフローチャート
は従来のマイクロプロセッサを用いるトリップ装置の長
い遅延機能を概略的に示す。回路遮断器により保護され
る系の熱的状態を表わす熱的イメージである量T°LR
maxは最小値0にまずセットされる。回路遮断器によ
り保護される系の相の内の一つに流れる最大電流である
測定位相電流Iは可変の長遅延しきい値Sと比較される
。この電流がしきい値Sに等しいかそれより大であると
き、量T°LRは和 T°LRmax+12で置き代えられ、この系の温度上
昇をシュミレートする。このように計算された新しきい
値T°LRmaxは新しい可変の最大値T°LR
と比較される。この最大値にならなlax い限り、プロセスは続き、障害電流の自乗に逆比例する
時間遅延が得られる。この最大値を越えると、トリップ
装置が関連する回路遮断器のトリップ命令を出す。電流
がしきい値Sより小さいならば、量T°LRは減算され
、例えば T’ LRXe−tlrで置き換えられる。但しτは予
めセットされた冷却時定数でありtは障害停止からの時
間であり、かくして系の冷却がシュミレートされる。T
°LRmaxが最小値Oになると、量T°LRは電流l
がしきい値Sより小さい限りそのままとなる。このよう
に、トリップを行うに必要な条件がトリップ発生前に消
滅すればトリップ命令は生ぜず、正常への復帰がこの系
の熱的な記憶をシュミレートするように行われる。
その遮断器により切離されている系の熱的な履歴を考慮
していない。これは場合によっては系の過度の温度上昇
を生じさせうる。実際には従来の電気トリップ装置は遅
延が短すぎあるいは長すぎるような障害の場合に系の熱
的状態を数学的にシスミレートし、時間遅延が障害電流
の自乗に逆比例するようにされる。系の熱的状態のこの
部分的なシュミレーションは障害電流による温度上昇と
時間遅延期間中のこの障害電流の考えられる減少による
冷却とを考慮するにすぎない。第1図のフローチャート
は従来のマイクロプロセッサを用いるトリップ装置の長
い遅延機能を概略的に示す。回路遮断器により保護され
る系の熱的状態を表わす熱的イメージである量T°LR
maxは最小値0にまずセットされる。回路遮断器によ
り保護される系の相の内の一つに流れる最大電流である
測定位相電流Iは可変の長遅延しきい値Sと比較される
。この電流がしきい値Sに等しいかそれより大であると
き、量T°LRは和 T°LRmax+12で置き代えられ、この系の温度上
昇をシュミレートする。このように計算された新しきい
値T°LRmaxは新しい可変の最大値T°LR
と比較される。この最大値にならなlax い限り、プロセスは続き、障害電流の自乗に逆比例する
時間遅延が得られる。この最大値を越えると、トリップ
装置が関連する回路遮断器のトリップ命令を出す。電流
がしきい値Sより小さいならば、量T°LRは減算され
、例えば T’ LRXe−tlrで置き換えられる。但しτは予
めセットされた冷却時定数でありtは障害停止からの時
間であり、かくして系の冷却がシュミレートされる。T
°LRmaxが最小値Oになると、量T°LRは電流l
がしきい値Sより小さい限りそのままとなる。このよう
に、トリップを行うに必要な条件がトリップ発生前に消
滅すればトリップ命令は生ぜず、正常への復帰がこの系
の熱的な記憶をシュミレートするように行われる。
回路遮断器が再び閉じるときにはそれから切離されてい
る系の熱的状態を考慮すべきである。この熱的状態はト
リップ直前の熱的状態およびトリップからの系が冷却さ
れる時間の両方によりきまる。
る系の熱的状態を考慮すべきである。この熱的状態はト
リップ直前の熱的状態およびトリップからの系が冷却さ
れる時間の両方によりきまる。
トリップ時に充電されるRC回路を、用い、回路遮断器
のトリップ後、冷却のシュミレーションを続けることが
提案されている(米国特許4616324)。
のトリップ後、冷却のシュミレーションを続けることが
提案されている(米国特許4616324)。
(発明が解決しようとする課題)
そのような方法は系の温度上昇に含まれる因子のすべて
を考慮せず、多くの場合のようにして得られる熱的イメ
ージは系の実際の状態を表わされない。
を考慮せず、多くの場合のようにして得られる熱的イメ
ージは系の実際の状態を表わされない。
さらに、回路遮断器が閉じたとき遮断器により保護され
る導体に配置されたサーミスタの値に従って電気トリッ
プ装置のトリップ特性を生じさせることも提案されてい
る(米国特許 4631625)。導体上のサーミスタの配置には特に
その固定と絶縁の問題があり、導体の温度は系の温度上
昇を正しく表わさない。
る導体に配置されたサーミスタの値に従って電気トリッ
プ装置のトリップ特性を生じさせることも提案されてい
る(米国特許 4631625)。導体上のサーミスタの配置には特に
その固定と絶縁の問題があり、導体の温度は系の温度上
昇を正しく表わさない。
本発明の目的は保護されるべき系の熱的履歴を充分考慮
しうるようにする電気トリップ装置を有する回路遮断器
を提供することである。
しうるようにする電気トリップ装置を有する回路遮断器
を提供することである。
(課題を解決するための手段)
本発明によればこの目的は、温度測定手段がケースの冷
領域内の温度測定手段と、接続端子に近接したケースの
熱領域内の温度測定手段とを含み、トリップ装置がこれ
ら二つの領域間の温度差の計算手段と回路遮断器が閉じ
るときの温度差に逆比例するようにトリップ機能時開運
延を変更する手段とを含むごとくすることにより達成さ
れる。
領域内の温度測定手段と、接続端子に近接したケースの
熱領域内の温度測定手段とを含み、トリップ装置がこれ
ら二つの領域間の温度差の計算手段と回路遮断器が閉じ
るときの温度差に逆比例するようにトリップ機能時開運
延を変更する手段とを含むごとくすることにより達成さ
れる。
(作 用)
本発明の一実施例によれば、トリップ装置は遅延したト
リップ機能を行うために回路遮断器の熱的状態を表わす
量と予めセットされた最大値との比較手段と、電流(I
)が予めセットされたトリップしきい値より大であるか
またはそれに等しいときにこの量を増加させ、電流がこ
のしきい値より小さいときには減少させる手段と、を含
み、時間遅延を変更する手段は回路遮断器が閉じるとき
に上記の量を初期化する手段を含み、この初期量が回路
遮断器が閉じたときの温度差に比例するようになってい
る。
リップ機能を行うために回路遮断器の熱的状態を表わす
量と予めセットされた最大値との比較手段と、電流(I
)が予めセットされたトリップしきい値より大であるか
またはそれに等しいときにこの量を増加させ、電流がこ
のしきい値より小さいときには減少させる手段と、を含
み、時間遅延を変更する手段は回路遮断器が閉じるとき
に上記の量を初期化する手段を含み、この初期量が回路
遮断器が閉じたときの温度差に比例するようになってい
る。
このトリップ装置はさらにトリップ命令が送られる直前
に測定された熱および冷温度の記憶手段と、回路遮断器
が次に閉じられるときにこれら記憶された値の読取手段
と、トリップ時のこれら温度の差の計算手段とを含み、
初期量はそれと回路遮断器の熱的状態を表わす量の最大
値との間の関係が、回路遮断器閉のときの温度差と最大
温度差との関係に比例するようになっており、この最大
温度差は前の回路遮断器のトリップ時に測定された温度
差に等しい。
に測定された熱および冷温度の記憶手段と、回路遮断器
が次に閉じられるときにこれら記憶された値の読取手段
と、トリップ時のこれら温度の差の計算手段とを含み、
初期量はそれと回路遮断器の熱的状態を表わす量の最大
値との間の関係が、回路遮断器閉のときの温度差と最大
温度差との関係に比例するようになっており、この最大
温度差は前の回路遮断器のトリップ時に測定された温度
差に等しい。
温度測定はトリップ装置の前面に接近すると共に回路遮
断器の底のその接続端子に近いところに近接して配置さ
れるサーミスタにより行うとよい。
断器の底のその接続端子に近いところに近接して配置さ
れるサーミスタにより行うとよい。
このように回路遮断器のケースの熱容量がこの遮断器に
より保護される系の熱的状態のシュミレートに用いられ
る。熱領域のサーミスタを接続端子へ接続した絶縁ケー
ブルに固定することができる。
より保護される系の熱的状態のシュミレートに用いられ
る。熱領域のサーミスタを接続端子へ接続した絶縁ケー
ブルに固定することができる。
(実施例)
第2図において、3極回路遮断器のケース10を断面で
示している。回路遮断器の接続端子12はその変流器(
図示せず)の1次巻線を構成し、そしてケース10の底
の配置される。一方電気トリップ装置14はそのトリッ
プ装置の前面を形成するカバー16で閉じられたケース
の前部に配置される。サーミスタ18がこのケースの冷
領域に固定される。第2図の実施例において、サーミス
タ18はトリップ装置の前面16に接近し、好ましくは
その面と接触するようにこのトリップ装置の印刷回路板
20に配置される。サーミスタ22は接続端子に接近し
てこのケースの熱領域に固定される。第2図の実施例に
おいては、サーミスタ22がトリップ装置14から接続
端子12を分離するケースの壁24に近接し、好ましく
はその壁に接触するように印刷回路板20にも配置され
る。
示している。回路遮断器の接続端子12はその変流器(
図示せず)の1次巻線を構成し、そしてケース10の底
の配置される。一方電気トリップ装置14はそのトリッ
プ装置の前面を形成するカバー16で閉じられたケース
の前部に配置される。サーミスタ18がこのケースの冷
領域に固定される。第2図の実施例において、サーミス
タ18はトリップ装置の前面16に接近し、好ましくは
その面と接触するようにこのトリップ装置の印刷回路板
20に配置される。サーミスタ22は接続端子に接近し
てこのケースの熱領域に固定される。第2図の実施例に
おいては、サーミスタ22がトリップ装置14から接続
端子12を分離するケースの壁24に近接し、好ましく
はその壁に接触するように印刷回路板20にも配置され
る。
これらサーミスタは冷領域の温度T”frと熱領域のT
@chを、測定しうるようにするものである。サーミス
タ18は冷領域の温度値を与えるに1個で充分である。
@chを、測定しうるようにするものである。サーミス
タ18は冷領域の温度値を与えるに1個で充分である。
しかしながら、ケースを形成する材料(プラスチック)
の低い熱伝導率を補償するためには熱領域の夫々の熱源
に接近してサーミスタ22を用いるとよい。第2図にお
いてはサーミスタ22は回路遮断器の接続端子12の夫
々に対して配置される。熱領域の温度はサーミスタ22
により測定される最高温度で与えられる。
の低い熱伝導率を補償するためには熱領域の夫々の熱源
に接近してサーミスタ22を用いるとよい。第2図にお
いてはサーミスタ22は回路遮断器の接続端子12の夫
々に対して配置される。熱領域の温度はサーミスタ22
により測定される最高温度で与えられる。
第3図は時点t。とt1の間の最小電流Inに対応する
電流が時点t1で障害値1dとなりある遅延後の時点t
2で回路遮断器のトリップが生じるときの温度の時間変
化を示す。回路遮断器が充分長い時間動作しておらず冷
えていれば、2つの領域は周囲温度に対応する同一の温
度となっている。時点t。で回路遮断器は閉じそして時
点t1まで第3図においては電流Inを流している。冷
および熱領域の温度は上昇し、その温度差は増加してあ
る時間(例えば2〜3時間)後に安定する。
電流が時点t1で障害値1dとなりある遅延後の時点t
2で回路遮断器のトリップが生じるときの温度の時間変
化を示す。回路遮断器が充分長い時間動作しておらず冷
えていれば、2つの領域は周囲温度に対応する同一の温
度となっている。時点t。で回路遮断器は閉じそして時
点t1まで第3図においては電流Inを流している。冷
および熱領域の温度は上昇し、その温度差は増加してあ
る時間(例えば2〜3時間)後に安定する。
回路遮断器のトリップ後の時点t2でこれら領域の温度
は下降する。熱および冷領域の温度の差DT’ mT@
Ch−T” f rは経過時間の関数である。すなわち
、トリップとこの差が回路遮断器が閉じる時点において
トリップ機能の時間遅延を変更するために用いられるか
らである。
は下降する。熱および冷領域の温度の差DT’ mT@
Ch−T” f rは経過時間の関数である。すなわち
、トリップとこの差が回路遮断器が閉じる時点において
トリップ機能の時間遅延を変更するために用いられるか
らである。
第4図に示すように、回路遮断器が閉じるときの温度差
DT”は系の熱的状態を示すffiT″LRの初期値T
°LRiの計算に用いられる。
DT”は系の熱的状態を示すffiT″LRの初期値T
°LRiの計算に用いられる。
時間遅延に対するfilT’ LRの初期化の影響を第
6.7図に示す。第6図において、T°LRmaxの時
間変化は障害の発生時点とトリップ発生時点の間に示さ
れており、ここでは障害電流1dは一定としている。障
害電流の自乗に比例するこの系の温度上昇はT°LRm
axをその初期値からT°LRmax まで直線的
に増加させてトリップをIaX 生じさせる。回路遮断器が閉じるとき冷えていればT°
LRははじめに0であり、時間遅延td は障害電
流の自乗の関数である。しかしlaX なから、トリップ(第3図では時点t2)後、熱領域の
温度が冷領域のそれまで低下する前に回路遮断器が第3
図の時点t またt4で再び閉じる3 と、T°LRmaxは夫々はじめにT”l,Ri2また
はT°LRmaxilにセットされ、これは温度差DT
’が大きい程大きい。T°LRiが大きければ同じ障害
電流について時間遅延は大きく、それ故T°LRmax
の時間変化が同じであれば、高い初期値7°LRi2に
対応する時間遅延td2は比較的低い初期値T°LRm
axflに対応する遅延tdlより小さくなる(第6図
)。遅延tdは次のように与えられる。
6.7図に示す。第6図において、T°LRmaxの時
間変化は障害の発生時点とトリップ発生時点の間に示さ
れており、ここでは障害電流1dは一定としている。障
害電流の自乗に比例するこの系の温度上昇はT°LRm
axをその初期値からT°LRmax まで直線的
に増加させてトリップをIaX 生じさせる。回路遮断器が閉じるとき冷えていればT°
LRははじめに0であり、時間遅延td は障害電
流の自乗の関数である。しかしlaX なから、トリップ(第3図では時点t2)後、熱領域の
温度が冷領域のそれまで低下する前に回路遮断器が第3
図の時点t またt4で再び閉じる3 と、T°LRmaxは夫々はじめにT”l,Ri2また
はT°LRmaxilにセットされ、これは温度差DT
’が大きい程大きい。T°LRiが大きければ同じ障害
電流について時間遅延は大きく、それ故T°LRmax
の時間変化が同じであれば、高い初期値7°LRi2に
対応する時間遅延td2は比較的低い初期値T°LRm
axflに対応する遅延tdlより小さくなる(第6図
)。遅延tdは次のように与えられる。
td/td 暉(T” LR −T’ LRi
)IaX IaX/T″L
RIIax 第7図は量T°LRの時間変化を示す。温度差DT”が
0のときに回路遮断器が閉じると、T°LRmaxの初
期値は0にリセットされる。時点t5で障害電流が生じ
、そしてT°LRの値は、値T°LR となる時点
t8までこの障害電流■ax の自乗に比例して直線的に増加(曲線a)し、回路遮断
器をトリップする。回路遮断器が時点t7で再び閉じる
と、T°LRmaxはそのときサーミスタにより測定さ
れる温度差DT”の関数である値T°LRmaxi3に
初期化される(′M4図)。このT°LRmax
からT°LRmaxL3までの減少(曲線laX b)指数的であり、ケースの冷却時定数を表わす時定数
をもって生じる。電流が長い時間遅延しきい値(S,第
4図)より小さければT°LRmaxの値は最小値、す
なわち第7図の0となるまでトリップ装置内の一定の予
めセットされた時定数τ(第4図)をもって指数関数的
に減少する(曲線C)。
)IaX IaX/T″L
RIIax 第7図は量T°LRの時間変化を示す。温度差DT”が
0のときに回路遮断器が閉じると、T°LRmaxの初
期値は0にリセットされる。時点t5で障害電流が生じ
、そしてT°LRの値は、値T°LR となる時点
t8までこの障害電流■ax の自乗に比例して直線的に増加(曲線a)し、回路遮断
器をトリップする。回路遮断器が時点t7で再び閉じる
と、T°LRmaxはそのときサーミスタにより測定さ
れる温度差DT”の関数である値T°LRmaxi3に
初期化される(′M4図)。このT°LRmax
からT°LRmaxL3までの減少(曲線laX b)指数的であり、ケースの冷却時定数を表わす時定数
をもって生じる。電流が長い時間遅延しきい値(S,第
4図)より小さければT°LRmaxの値は最小値、す
なわち第7図の0となるまでトリップ装置内の一定の予
めセットされた時定数τ(第4図)をもって指数関数的
に減少する(曲線C)。
時定数τは、回路遮断器が閉じていると系の電流は定格
電流となりその冷却を制限するから、ケースの冷却時定
数より大きい。再閉成が時点t7で生じるときに障害電
流があれば、T°LRの値は初朗値T°LRmaxi3
からトリップ値T’ LR,axまで増加して時点t8
で次のトリップを行わせる(曲線d)。曲線eは時点t
10でトリップを生じさせるような障害電流の時点t9
での発生を示す。
電流となりその冷却を制限するから、ケースの冷却時定
数より大きい。再閉成が時点t7で生じるときに障害電
流があれば、T°LRの値は初朗値T°LRmaxi3
からトリップ値T’ LR,axまで増加して時点t8
で次のトリップを行わせる(曲線d)。曲線eは時点t
10でトリップを生じさせるような障害電流の時点t9
での発生を示す。
直線a,d,eの傾きは障害電流の大きさによる相異を
示す。
示す。
回路遮断器が閉じると、このトリップ装置は電流および
長遅延しきい値(S)についての量T°LRの変化を計
算するのであり、電流がしきい値Sより大のとき曲線a
, dまたはeとなり、小のとき曲線Cとなる。サー
ミスタは回路遮断器がトリップされた後のケースの冷却
を考慮するために回路遮断器の再閉時の初期値dT°L
Rmaxiを決定するためのものである(曲線b)。
長遅延しきい値(S)についての量T°LRの変化を計
算するのであり、電流がしきい値Sより大のとき曲線a
, dまたはeとなり、小のとき曲線Cとなる。サー
ミスタは回路遮断器がトリップされた後のケースの冷却
を考慮するために回路遮断器の再閉時の初期値dT°L
Rmaxiを決定するためのものである(曲線b)。
初期値T′″LRiは回路遮断器が閉じた時点での回路
遮断器の熱領域と冷領域の温度差DT’に比例する(第
3.6図)。この初期値はまた回路遮断器の形式と定格
および長遅延しきい値Sの設定によりきまる(第4図)
。一例をあげると、動作限界で動作する回路遮断器のこ
の温度差DT@は非常に高いものとなり、一方、過定格
回路遮断器についての熱の増加は比較的低く、この差は
僅かである。与えられた回路遮断器について、DT’に
対するT°LRiの値は経験的に決定され、そしてマイ
クロプロセッサを用いるトリップ装置の場合にはそのト
リップ装置のメモリに対応するテーブルが記憶される。
遮断器の熱領域と冷領域の温度差DT’に比例する(第
3.6図)。この初期値はまた回路遮断器の形式と定格
および長遅延しきい値Sの設定によりきまる(第4図)
。一例をあげると、動作限界で動作する回路遮断器のこ
の温度差DT@は非常に高いものとなり、一方、過定格
回路遮断器についての熱の増加は比較的低く、この差は
僅かである。与えられた回路遮断器について、DT’に
対するT°LRiの値は経験的に決定され、そしてマイ
クロプロセッサを用いるトリップ装置の場合にはそのト
リップ装置のメモリに対応するテーブルが記憶される。
この場合、回路遮断器が閉じると、サーミスタにより測
定される値T@chとT’frがトリップ装置により読
取られ、差DT@から計算され、モしてT°LRiの対
応する値がこのテーブルから得られる。
定される値T@chとT’frがトリップ装置により読
取られ、差DT@から計算され、モしてT°LRiの対
応する値がこのテーブルから得られる。
初期値T°LRmaxiではまた次の一般式を用いる計
算によっても得られる。
算によっても得られる。
T’ L R l −T’ L R1 m1n +(T
’ L R 1 linT°LRmax i,in)
(DT’ −DT” ,,n) /(DT” −DT
” ,,n)―ax 但し、jlT” LRのすべてはT°LR とla
x T ” L R i ,nのパーセンテージεして表わ
され、T0LRi %DT” 、DT’ w1
nは特にm1n max 回路遮断器の形式と定格および長遅延しきい値Sにより
きまるプリセット値である。最も単純な場合にはDT’
−0、T″LRi,n−01sin T’ LRi −T’ LR であl)、従ッ
テ118X laXT°LRm
axi/T°LRmax −DT’/DT”,a,
laX である。T°LRiは、0已DT’ の間で変謹a
X 化するDT”に比例して0とT°LR の間でla
x 変化しうるちのであり、DT” は与えられたIa
X 回路遮断器についてはそれに生じうる、経験的に決定さ
れた最大温度差である(第3図)。
’ L R 1 linT°LRmax i,in)
(DT’ −DT” ,,n) /(DT” −DT
” ,,n)―ax 但し、jlT” LRのすべてはT°LR とla
x T ” L R i ,nのパーセンテージεして表わ
され、T0LRi %DT” 、DT’ w1
nは特にm1n max 回路遮断器の形式と定格および長遅延しきい値Sにより
きまるプリセット値である。最も単純な場合にはDT’
−0、T″LRi,n−01sin T’ LRi −T’ LR であl)、従ッ
テ118X laXT°LRm
axi/T°LRmax −DT’/DT”,a,
laX である。T°LRiは、0已DT’ の間で変謹a
X 化するDT”に比例して0とT°LR の間でla
x 変化しうるちのであり、DT” は与えられたIa
X 回路遮断器についてはそれに生じうる、経験的に決定さ
れた最大温度差である(第3図)。
一実施例によれば、T°LRiの変化はT ’ L R
i , InからT″LRi.axまでの範囲に限定
される。例えば80%T°LR に対応すmax るT°LRmaxi は障害による閉或時に任意に
セーax ツトされる最小遅延を導入するように設定される。
i , InからT″LRi.axまでの範囲に限定
される。例えば80%T°LR に対応すmax るT°LRmaxi は障害による閉或時に任意に
セーax ツトされる最小遅延を導入するように設定される。
実際には値T ” L R i , inは一般に0と
されるか、異なる値を選択すると遅延をシステマチック
に減少させることになる(td ,第6図)。この
laX とき式はT” LRf/T” LRi =IaX DT’ /DT’ となる。このときT°LRma
xtIaX は0とDT” の間で変化するDT’に比例し一a
X てOとT°LRi の間、すなわちlax T°LRmax のO%と80%の間で変化する。
されるか、異なる値を選択すると遅延をシステマチック
に減少させることになる(td ,第6図)。この
laX とき式はT” LRf/T” LRi =IaX DT’ /DT’ となる。このときT°LRma
xtIaX は0とDT” の間で変化するDT’に比例し一a
X てOとT°LRi の間、すなわちlax T°LRmax のO%と80%の間で変化する。
IaX
値”’sinは0以外の、例えば
(DT″1n)一(DT″Iaxの20%)とすること
ができる。初期値T°LRmaxiはこのとき、回路遮
断器の熱および冷領域間の温度差がDT@ より小さ
くなると直ちに、一般にOでwin ある最小値に等しくなる。この場合、回路遮断器は充分
冷えているものと考えられそして最大温度が維持される
。
ができる。初期値T°LRmaxiはこのとき、回路遮
断器の熱および冷領域間の温度差がDT@ より小さ
くなると直ちに、一般にOでwin ある最小値に等しくなる。この場合、回路遮断器は充分
冷えているものと考えられそして最大温度が維持される
。
一例として、IOOOAにセットされた長述延しきい値
Sを有し、実験によればIOOOAでの温度差が約30
℃で安定するようになった。定格1000Aの回路遮断
器については、値DT” は30℃にセットされ
る。
Sを有し、実験によればIOOOAでの温度差が約30
℃で安定するようになった。定格1000Aの回路遮断
器については、値DT” は30℃にセットされ
る。
laX
長遅延しきい値Sが40OAにセットされた同じ形式の
回路遮断器ではDT’ はそれに対応謳aX して小さくされる。
回路遮断器ではDT’ はそれに対応謳aX して小さくされる。
一例として、しきいVISが30℃のDT@llaXに
対応し、T ’ L R > ,tnが0とされ、T°
LRmaxt がT°LRmax 17)80
%こされ、膳aX laXDT
”sa.xがDT’ の20%とされ、温度が[a
X D・T1′ のパーセンテージで表わされる定格Ia
X 1. 0 0 O Aの回路遮断器については、T°L
R のパーセンテージで表わされる初期lax tf1,T°LRmaxiは次式で与えられる。
対応し、T ’ L R > ,tnが0とされ、T°
LRmaxt がT°LRmax 17)80
%こされ、膳aX laXDT
”sa.xがDT’ の20%とされ、温度が[a
X D・T1′ のパーセンテージで表わされる定格Ia
X 1. 0 0 O Aの回路遮断器については、T°L
R のパーセンテージで表わされる初期lax tf1,T°LRmaxiは次式で与えられる。
T’ LRL−0+ (80−0)(DT”%−20%
)/(100%−20%) T’ LRX− (DT” −20%)DT@−20℃
、すなわちDT@ の66%でIaX あるときはT°LRmaxiはT@l,H の46
%とIaX なり、tdはtd の64%となる。
)/(100%−20%) T’ LRX− (DT” −20%)DT@−20℃
、すなわちDT@ の66%でIaX あるときはT°LRmaxiはT@l,H の46
%とIaX なり、tdはtd の64%となる。
laX
次のテーブルは上記の例において回路遮断器が閉じると
きのT°LRmaxiの対応するDT”の値についての
値である。
きのT°LRmaxiの対応するDT”の値についての
値である。
第5図に示す本発明の他の実施例によれば、値DT”
はトリップ命令が送られる直前のトリlaX ップ時点(第3,7図の時点t2または16)で測定さ
れた温度T°chdとT”frd間の差DT’ dの関
数でもある。
はトリップ命令が送られる直前のトリlaX ップ時点(第3,7図の時点t2または16)で測定さ
れた温度T°chdとT”frd間の差DT’ dの関
数でもある。
これら測定値はトリップ装置内のEEPROMメモリに
記憶され、回路遮断器が閉じるときトリップ装置により
読出される。トリップ装置はトリップについて温度差D
T”dを計算し、再閉或による温度差の測定後に初期値
T°LRmaxiを計算する。DT” の決定およ
び初期値T°LRmaxiのmax 計算にDT’ dを考慮して、回路遮断器の実際の動作
条件をより多く考慮しうるようになる。一例をあげると
、DT” −0、T ’ L R t ,t, 一
鳳in O、T°LRi −80%T°LR のとき、
118X IaX
四路遮断器の形式と定格およびしきい値Sに対応するD
T” が60℃であるとする。回路遮断11aX 器が再び閉じるときDT’−30℃、すなわち、DT”
の50%であればT°LRmaxiはWaX T°LRmaxmaxの40%となる。トリップが生じ
たたきの温度差がDT@ より著しく低く、例え履a
X ばDT’ d−40℃であるとすると、値DT’ −3
0℃はより短時間に得られ、それ故冷却の度合いは低く
、そして遅延を大幅に小さくしそれに伴って初期値T°
LRiを増加させればよい。これは論理的DT′1
をDT°dで置き換えること謹ax により達成できる。初期i1T°LRiはDT’
に逆比例するから、DT” dから減少lax すれば増加する。この例においてDT@laxDT”
d−40℃であるとすればDT@−30℃すなわち、D
T’ dの75%についてT°LRmaxiはT°LR
max の60%となり、DT’=20℃、11a
X すなわち、DT’ dの50%についてT°LRmax
iはT°LRmax の40%となる。
記憶され、回路遮断器が閉じるときトリップ装置により
読出される。トリップ装置はトリップについて温度差D
T”dを計算し、再閉或による温度差の測定後に初期値
T°LRmaxiを計算する。DT” の決定およ
び初期値T°LRmaxiのmax 計算にDT’ dを考慮して、回路遮断器の実際の動作
条件をより多く考慮しうるようになる。一例をあげると
、DT” −0、T ’ L R t ,t, 一
鳳in O、T°LRi −80%T°LR のとき、
118X IaX
四路遮断器の形式と定格およびしきい値Sに対応するD
T” が60℃であるとする。回路遮断11aX 器が再び閉じるときDT’−30℃、すなわち、DT”
の50%であればT°LRmaxiはWaX T°LRmaxmaxの40%となる。トリップが生じ
たたきの温度差がDT@ より著しく低く、例え履a
X ばDT’ d−40℃であるとすると、値DT’ −3
0℃はより短時間に得られ、それ故冷却の度合いは低く
、そして遅延を大幅に小さくしそれに伴って初期値T°
LRiを増加させればよい。これは論理的DT′1
をDT°dで置き換えること謹ax により達成できる。初期i1T°LRiはDT’
に逆比例するから、DT” dから減少lax すれば増加する。この例においてDT@laxDT”
d−40℃であるとすればDT@−30℃すなわち、D
T’ dの75%についてT°LRmaxiはT°LR
max の60%となり、DT’=20℃、11a
X すなわち、DT’ dの50%についてT°LRmax
iはT°LRmax の40%となる。
laX
この例においてDT’ はトリップの生じた118
X 値DT’ dに等しく、DT” −DT°dであl
aX る。しかしながら、第5図の実施例におけるようにDT
’ の決定に回路遮断器の形式ε定格並IlaX びにしきい値Sをとり込むことも可能である。この場合
、実際には理論値DT@ は通常、第5laX 図におけるように決定されそして用いられるが、例えば
しきい値Sの設定がトリップ中に変更される場合には修
正される。
X 値DT’ dに等しく、DT” −DT°dであl
aX る。しかしながら、第5図の実施例におけるようにDT
’ の決定に回路遮断器の形式ε定格並IlaX びにしきい値Sをとり込むことも可能である。この場合
、実際には理論値DT@ は通常、第5laX 図におけるように決定されそして用いられるが、例えば
しきい値Sの設定がトリップ中に変更される場合には修
正される。
しずれにしても初期値T°LRiは回路遮断器の形式と
定格およびしきい値Sの関数である温度差DT”
そしてまたは前のトリップ時の温度jIaX 差DT’ dに逆比例する。
定格およびしきい値Sの関数である温度差DT”
そしてまたは前のトリップ時の温度jIaX 差DT’ dに逆比例する。
値DT″1nは実際の回路遮断器冷却時定数をプリセッ
トされた比較的小さい時定数に調整するように決定しう
る。定格1000Aの3極トリップ装置で測定される温
度変化の一例を第8図に示す。2時間の温度上昇後のト
リップ得られる最大温度差DT” dは32℃である。
トされた比較的小さい時定数に調整するように決定しう
る。定格1000Aの3極トリップ装置で測定される温
度変化の一例を第8図に示す。2時間の温度上昇後のト
リップ得られる最大温度差DT” dは32℃である。
トリップ30分後のDT” dはDT’ dの約66%
である。
である。
DT’がDT’ −DT”dとDT” −Ol
aX ■1nの間で変
化するとすると、冷却時定数は次式で与えられる。
aX ■1nの間で変
化するとすると、冷却時定数は次式で与えられる。
?/1 (DT” /DT’ )−0.
5/n la! 11.5−1時間14分 n DT’■10が増加すると、この時定数はt/l
(DT” /(DT’ −DT” ))n
saw
s1nDT@ がDT@ の2
0%であるとすると、tin ■aX 時定数は38分となる。従ってDT’ を調整ml
n することにより、回路遮断器のケースの冷却時定数はそ
の遮断器により保護される系の時定数に合うように変更
しうる。
5/n la! 11.5−1時間14分 n DT’■10が増加すると、この時定数はt/l
(DT” /(DT’ −DT” ))n
saw
s1nDT@ がDT@ の2
0%であるとすると、tin ■aX 時定数は38分となる。従ってDT’ を調整ml
n することにより、回路遮断器のケースの冷却時定数はそ
の遮断器により保護される系の時定数に合うように変更
しうる。
第2図の実施例では熱領域のサーミスタはケースの壁2
4に接触するが本発明はそれに限定されない。これらサ
ーミスタは系の温度上昇と下降を表わす温度を有するケ
ースの部分に配置すればよい。系の温度上昇はそこを流
れる電流によるものであるから、熱領域のサーミスタは
端子12に接近して配置される。それらサーミスタを端
子に直接配置すると電流遮断後に急速に冷却するからそ
の温度は系の冷却を表わさない。モールドされたケース
の熱的な慣性により系の良好な熱的なイメージが得られ
、そしてサーミスタをケース上に端子12に接近して配
置することにより、この特性は系の冷却をシュミレート
する上で有利である。
4に接触するが本発明はそれに限定されない。これらサ
ーミスタは系の温度上昇と下降を表わす温度を有するケ
ースの部分に配置すればよい。系の温度上昇はそこを流
れる電流によるものであるから、熱領域のサーミスタは
端子12に接近して配置される。それらサーミスタを端
子に直接配置すると電流遮断後に急速に冷却するからそ
の温度は系の冷却を表わさない。モールドされたケース
の熱的な慣性により系の良好な熱的なイメージが得られ
、そしてサーミスタをケース上に端子12に接近して配
置することにより、この特性は系の冷却をシュミレート
する上で有利である。
端子に接続されそしてその近辺に配置された絶縁ケーブ
ルの熱的慣性も使用しうる。このように、これらサーミ
スタは絶縁要素の近辺、好適には少くとも1本の電流端
子の近辺でケースの壁に配置される。これらサーミスタ
はそれに接触させて配置するとよい。このトリップ装置
は初期値T°LRiの計算に、実験的に決定されるケー
スの冷却時定数と遮断器により保護される系の冷却時定
数との間の差を考慮するものであり定数DT@sinの
選択により修正を行う。
ルの熱的慣性も使用しうる。このように、これらサーミ
スタは絶縁要素の近辺、好適には少くとも1本の電流端
子の近辺でケースの壁に配置される。これらサーミスタ
はそれに接触させて配置するとよい。このトリップ装置
は初期値T°LRiの計算に、実験的に決定されるケー
スの冷却時定数と遮断器により保護される系の冷却時定
数との間の差を考慮するものであり定数DT@sinの
選択により修正を行う。
これらサーミスタはさらに、回路遮断器内の温度がプリ
セット値を越えるとき熱的なトリップ機能を与えるよう
にトリップ装置によっても使用しうる。
セット値を越えるとき熱的なトリップ機能を与えるよう
にトリップ装置によっても使用しうる。
本発明はトリップ装置の長遅延トリップ機能について説
明されたが、他のトリップ機能についても同様に使用し
うる。第4,5図の実施例は2つのトリップ機能、すな
わち、長遅延および短遅延に適用されており、これはト
リップ時定数が熱的記憶機能に対し小さいからである。
明されたが、他のトリップ機能についても同様に使用し
うる。第4,5図の実施例は2つのトリップ機能、すな
わち、長遅延および短遅延に適用されており、これはト
リップ時定数が熱的記憶機能に対し小さいからである。
第5図では長遅延トリップのみが扱われている。
短遅延トリップについてはT°LRの最終値が記憶され
そしてこの値が初期化のときに
そしてこの値が初期化のときに
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電気トリップ装置の長遅延機能を示す図
、第2図は本発明による回路遮断器のケースの内側のサ
ーミスタの配置を示す図、第3図は第2図の回路遮断器
における電流および温度の変化を示す図、第4図および
第5図は本発明の回路遮断器のトリップ装置を長遅延機
能を示すフローチャート、第6図および第7図は遅延に
対する量T°LRmaxの初期化の影響を示す図、第8
図は特定の回路遮断器において測定された温度を示す図
である。 10・・・ケース、12・・・接続端子、14・・・ト
リップ装置、16・・・カバー、18.22・・・サー
ミスタ、20・・・印刷回路板。
、第2図は本発明による回路遮断器のケースの内側のサ
ーミスタの配置を示す図、第3図は第2図の回路遮断器
における電流および温度の変化を示す図、第4図および
第5図は本発明の回路遮断器のトリップ装置を長遅延機
能を示すフローチャート、第6図および第7図は遅延に
対する量T°LRmaxの初期化の影響を示す図、第8
図は特定の回路遮断器において測定された温度を示す図
である。 10・・・ケース、12・・・接続端子、14・・・ト
リップ装置、16・・・カバー、18.22・・・サー
ミスタ、20・・・印刷回路板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回路遮断器により保護されるべき導体への少くとも
1個の接続端子(12)と、この導体を流れる電流(I
)の検出手段と、回路遮断器の予定の領域内の温度の測
定手段と、上記電流検出手段と上記温度測定手段からの
出力信号を受けて上記電流(I)が予定のしきい値(S
)を越えるときにトリップ命令を発生するように少くと
も遅延したトリップ機能を行う電気トリップ装置であっ
て、上記回路遮断器が閉じたときの測定温度により時間
遅延(td)を変更するようになった手段を有するトリ
ップ装置と、上記トリップ命令により制御されるトリッ
プ手段と、を含み、上記温度測定手段はケース(10)
の冷領域内の温度測定手段(18)と上記接続端子(1
2)に近接した上記ケースの熱領域内の温度測定手段(
22)とを含んでおり、上記トリップ装置は上記熱領域
と冷領域間の温度差(DT°)の計算手段と上記回路遮
断器が閉じたときの測定温度差(DT゜)に反比例する
ようにトリップ機能の時間遅延(td)を変更する手段
とを含むことを特徴とする、モールドケースを有する回
路遮断器。 2、前記トリップ装置は前記遅延されたトリップ機能を
行うため、前記回路遮断器の熱的状態を表わす量(T°
LR)を予定の最大値 (T°LR_m_a_x)と比較する手段と、前記電流
(I)が前記予定のトリップしきい値(S)より大であ
るかあるいはそれに等しいときこの量を増大(+I^2
)させそして上記電流(I)がこのしきい値(S)より
小さいときそれを減少 (Xe^−^t^/^τ)させる手段とを含み、前記時
間遅延(td)を変更する手段が、上記回路遮断器が閉
じるときの上記量(T°LR)の初期化手段を含み、上
記初期値(T゜LRi)が上記回路遮断器閉成時に測定
された温度差(DT°)に比例するごとくなったことを
特徴とする請求項1記載の回路遮断器。 3、前記トリップ装置はトリップ命令が出る直前に測定
された熱(T°chd)および冷(T°frd)温度の
記憶手段と、回路遮断器が次に閉じるときのこれら記憶
された値の読取手段と、トリップ時の上記熱(T°ch
d)と冷(T°frd)温度の間の差(DT°d)の計
算手段とを含み、前記初期量(T°LRi)はその初期
値(T°LRi)と回路遮断器の熱的状態を示す量(T
°LR)の最大値(T°LR_m_a_x)との間の関
係が回路遮断器が閉じたときの温度差(DT°)と前の
回路遮断器のトリップ時に測定された温度差(DT°d
)に等しい最大温度差(DT°_m_a_x)との間の
関係に比例するごとくなったことを特徴とする請求項2
記載の回路遮断器。 4、前記初期値(T°LRi)と回路遮断器の熱的状態
を示す前記量の最大値(T°LR_m_a_x)との関
係が回路遮断器の閉成時の温度差(DT°)と回路遮断
器の形式、定格およびトリップしきい値(S)によりき
まる最大温度差(DT°_m_a_x)との関係に比例
することを特徴とする請求項2記載の回路遮断器。 5、回路遮断器閉成時の温度差(DT°)がプリセット
された最小値(DT°_m_i_n)に等しいかそれよ
り小さいとき、前記初期値(T°LRi)がプリセット
された初期値(T°LRi_m_i_n)に等しいこと
、および回路遮断器閉成時の温度差(DT°)が上記最
小値(DT°_m_i_n)より大のとき、上記初期量
(T°LRi)と、回路遮断器の熱的状態を示す量(T
°LR)の最大値 (T°LR_m_a_x)と最小初期値(T°LRi_
m_i_n)との間の差との間の関係は、回路遮断器閉
成時の温度差(DT°)と最小値(DT°_m_i_n
)との差と、最大温度差(DT°_m_a_x)と上記
最小値(DT°_m_i_x)との差との間の関係に比
例すること、を特徴とする請求項3記載の回路遮断器。 6、前記初期値(T°LRi)は回路遮断器の熱的状態
を示す量(T°LR)の最大値 (T°LR_m_a_x)より小さい、プリセットされ
た最大初期値(T°LRi_m_i_n)より小さいこ
とを特徴とする請求項2記載の回路遮断器。 7、前記温度測定手段(18、22)はサーミスタを含
むことを特徴とする請求項1記載の回路遮断器。 8、前記トリップ装置の前面に接近配置されて冷領域の
温度を測定する1個のサーミスタ(18)と、回路遮断
器のケースの底においてその接続端子(12)に接近配
置される絶縁要素近辺であって熱領域の温度を測定する
ようになった少くとも1個のサーミスタ(22)とを含
むことを特徴とする請求項7記載の回路遮断器。 9、前記熱領域の温度測定サーミスタ(22)は前記ケ
ースの底で壁(24)と接触するように配置されること
を特徴とする請求項8記載の回路遮断器。 10、前記熱領域の温度測定サーミスタ(22)は前記
接続端子(12)に接続する絶縁ケーブル上に固定され
ることを特徴とする請求項8記載の回路遮断器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8912083A FR2651919B1 (fr) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | Disjoncteur comportant un declencheur electronique. |
| FR8912083 | 1989-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105817A true JPH03105817A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2941393B2 JP2941393B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=9385499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242279A Expired - Lifetime JP2941393B2 (ja) | 1989-09-13 | 1990-09-12 | 回路遮断器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5115371A (ja) |
| EP (1) | EP0421892B1 (ja) |
| JP (1) | JP2941393B2 (ja) |
| BR (1) | BR9004538A (ja) |
| CA (1) | CA2024644A1 (ja) |
| DE (1) | DE69011263T2 (ja) |
| FR (1) | FR2651919B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019021728A1 (ja) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Necエナジーデバイス株式会社 | 電池パック |
Families Citing this family (87)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2759504B1 (fr) * | 1997-02-10 | 1999-03-26 | Schneider Electric Sa | Relais et procede de protection |
| US5835320A (en) * | 1997-05-28 | 1998-11-10 | General Electric Company | Digital circuit interrupter thermal protection circuit |
| IT1292453B1 (it) | 1997-07-02 | 1999-02-08 | Aeg Niederspannungstech Gmbh | Gruppo rotante di contatti per interrutttori di alta portata |
| DE19819242B4 (de) | 1998-04-29 | 2005-11-10 | Ge Power Controls Polska Sp.Z.O.O. | Thermomagnetischer Leistungsschalter |
| US6114641A (en) | 1998-05-29 | 2000-09-05 | General Electric Company | Rotary contact assembly for high ampere-rated circuit breakers |
| DE19832558B4 (de) * | 1998-07-20 | 2005-10-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleiteranordnung mit mindestens einem Halbleiterchip |
| US6087913A (en) * | 1998-11-20 | 2000-07-11 | General Electric Company | Circuit breaker mechanism for a rotary contact system |
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| US6166344A (en) * | 1999-03-23 | 2000-12-26 | General Electric Company | Circuit breaker handle block |
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