JPH029742A - 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 - Google Patents
積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法Info
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- JPH029742A JPH029742A JP63161491A JP16149188A JPH029742A JP H029742 A JPH029742 A JP H029742A JP 63161491 A JP63161491 A JP 63161491A JP 16149188 A JP16149188 A JP 16149188A JP H029742 A JPH029742 A JP H029742A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法に関
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコ
ンデンサの製造方法に関する。
し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高誘電率のコ
ンデンサの製造方法に関する。
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつれ、コンデ
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系が知られて
おり、添加や置換によってキュリー点を移動させて温度
特性改善をはかっている。
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系が知られて
おり、添加や置換によってキュリー点を移動させて温度
特性改善をはかっている。
この従来の方法によシ温度特性の小さな材料を実現した
場合、得られる誘電率は高々２０００程度に過ぎず、チ
ップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決
する手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持
つ磁器組成物材料を組み合わせ、温度特性の優れた大容
量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際
には組合わせた異掻磁器組成物材料間に拡散反応が起こ
りキュリー点が一つとなシ温度特性改善効果はあまシ望
めなかった。
場合、得られる誘電率は高々２０００程度に過ぎず、チ
ップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解決
する手段として、キュリー点が異なった高い誘電率を持
つ磁器組成物材料を組み合わせ、温度特性の優れた大容
量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際
には組合わせた異掻磁器組成物材料間に拡散反応が起こ
りキュリー点が一つとなシ温度特性改善効果はあまシ望
めなかった。
本発明の目的は、上述の要請に鑑み、誘電率が高く、か
つ温度変化率の小さい優れた電気特性を有することので
きる積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方
法を提供することＫある。
つ温度変化率の小さい優れた電気特性を有することので
きる積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方
法を提供することＫある。
本発明の積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法は、マ
グネシウム・タングステン酸（Ｐｂ （Ｍｇ１／／２Ｗ
賜）０３〕、チタン酸鉛（ｐｂ’ｒｉｏ、）およびニッ
ケル・ニオブ酸鉛（Ｐｂ （Ｎ ｉ届Ｎｂ％）０３〕か
らなる３成分組成物ｆ （Ｐｂ（ＭｇＭＷ局）Ｏｓ ）
Ｘ （Ｐｂ（ＴｊＯｓ）］ｙ （Ｐｂ（Ｎｔ 煽Ｎｂ
Ｑｙ３）（Ｊｓ ） ｚと表わした時に（ただしｘ＋ｙ
＋ｚ＝＝１．００）この３成分組成図において、下記の
組成点 （Ｘ＝０．１５ ｙ＝ｏ、４ｏ Ｚ＝０．４５
）（Ｘ＝０．１５ Ｙ＝０．５０ Ｚ＝０．３
５）（Ｘ＝０．４０ ｙ＝ｏ、ｓｏ Ｚ＝０．
１０）（Ｘ＝ｏ、ｓｏ ｙ＝０．４０ Ｚ＝０
．１０）（Ｘ＝ｏ、ｓｏ ｙ＝０．３０ Ｚ＝
０．２０）（Ｘ＝０．２５ Ｙ＝０．３０ ｚ
＝ｏ、４ｓ）を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組成
範囲内にある３成分組成物の仮焼粉末を１０８０°Ｃ以
上１１４０”Ｃ以下の温度で焼結反応させることを特徴
として構成される。
グネシウム・タングステン酸（Ｐｂ （Ｍｇ１／／２Ｗ
賜）０３〕、チタン酸鉛（ｐｂ’ｒｉｏ、）およびニッ
ケル・ニオブ酸鉛（Ｐｂ （Ｎ ｉ届Ｎｂ％）０３〕か
らなる３成分組成物ｆ （Ｐｂ（ＭｇＭＷ局）Ｏｓ ）
Ｘ （Ｐｂ（ＴｊＯｓ）］ｙ （Ｐｂ（Ｎｔ 煽Ｎｂ
Ｑｙ３）（Ｊｓ ） ｚと表わした時に（ただしｘ＋ｙ
＋ｚ＝＝１．００）この３成分組成図において、下記の
組成点 （Ｘ＝０．１５ ｙ＝ｏ、４ｏ Ｚ＝０．４５
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０．２０）（Ｘ＝０．２５ Ｙ＝０．３０ ｚ
＝ｏ、４ｓ）を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組成
範囲内にある３成分組成物の仮焼粉末を１０８０°Ｃ以
上１１４０”Ｃ以下の温度で焼結反応させることを特徴
として構成される。
次に、本発明の実態例について第１表〜第５表を参照し
て説明する。
て説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗ
Ｏ３）、酸化チタン（Ｔ ＋ Ｏ！ ） 、酸化ニッケ
ル（Ｎｉｐ）、および酸化ニオブ（Ｎｂｚ０５）を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に
秤量した原料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜
８００℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、ロ別、乾燥後、有機バインダを入れ整粒後プレスし
、直径１６ｍ５．厚さ２ｎの円板２０枚を作製した。次
にこれらの円板を空気中１０６０〜１１６０”Ｃの温度
で１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面に銀電極
を６００℃で焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１
ｋＨｚ電圧ＩＶｒ。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗ
Ｏ３）、酸化チタン（Ｔ ＋ Ｏ！ ） 、酸化ニッケ
ル（Ｎｉｐ）、および酸化ニオブ（Ｎｂｚ０５）を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に
秤量した原料をボールミル中で湿式混合した後７５０〜
８００℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、ロ別、乾燥後、有機バインダを入れ整粒後プレスし
、直径１６ｍ５．厚さ２ｎの円板２０枚を作製した。次
にこれらの円板を空気中１０６０〜１１６０”Ｃの温度
で１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面に銀電極
を６００℃で焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１
ｋＨｚ電圧ＩＶｒ。
ｍ、ｓ、、温度−５５〜１２５°Ｃで容量と誘電損失を
測定し、これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次
に超絶蝕針５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を
温度２０’Ｃで測定し、比抵抗を算出した。各組成に対
応する特性は試料４点の平均値より求めた。
測定し、これをもとに誘電率の温度変化を算出した。次
に超絶蝕針５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶縁抵抗を
温度２０’Ｃで測定し、比抵抗を算出した。各組成に対
応する特性は試料４点の平均値より求めた。
このようにして得られた磁器組成物の配合比と誘電率、
誘電損失および比抵抗との関係を第１表〜第５表に示す
。
誘電損失および比抵抗との関係を第１表〜第５表に示す
。
第１表〜第５表に示した結果から明らかなようにＰｂ
（Ｍｇ込Ｗ号）Ｏｓ ＰｂＴｔＯｓ Ｐｂ（Ｎ＋電Ｎ
ｂ名）Ｏｓ三成分組成物’６ｉｏｓｏ〜１１４０℃で焼
結させることを特徴とする本発明の方法により得られた
磁器組成物は誘電率が２０゛Ｃにおいて３０００以上と
高く誘電損失、比抵抗も実用的な水準ｔ−満してお夛、
かつ誘電率の温度変化が一５５゛Ｃ〜１２５°Ｃの温度
範囲で２０゛Ｃの誘電率を基準とした場合に極めて小さ
く温度安定性が優れておシ、積層セラミックコンデンサ
用磁器組成物として優れた材料を提供するものでちる。
（Ｍｇ込Ｗ号）Ｏｓ ＰｂＴｔＯｓ Ｐｂ（Ｎ＋電Ｎ
ｂ名）Ｏｓ三成分組成物’６ｉｏｓｏ〜１１４０℃で焼
結させることを特徴とする本発明の方法により得られた
磁器組成物は誘電率が２０゛Ｃにおいて３０００以上と
高く誘電損失、比抵抗も実用的な水準ｔ−満してお夛、
かつ誘電率の温度変化が一５５゛Ｃ〜１２５°Ｃの温度
範囲で２０゛Ｃの誘電率を基準とした場合に極めて小さ
く温度安定性が優れておシ、積層セラミックコンデンサ
用磁器組成物として優れた材料を提供するものでちる。
なお本発明の成分組成範囲外および成分組成範囲内で４
焼結源度が本発明の方法の温度範囲外である場合は誘電
率が低くなったシ、誘電率の温度変化が大きくなったシ
するため、前述のように組成範囲と焼結温度が限定され
るものである。
焼結源度が本発明の方法の温度範囲外である場合は誘電
率が低くなったシ、誘電率の温度変化が大きくなったシ
するため、前述のように組成範囲と焼結温度が限定され
るものである。
本発明の方法による焼結温度は比較的低いため積層セラ
ミックコンデンサ用の内部電極としては高価な白金やパ
ラジウムではなく安価な銀パラジウム系の材料を用いる
ことができ積層セラミックコンデンサの製造コストを低
くおさえることができる。
ミックコンデンサ用の内部電極としては高価な白金やパ
ラジウムではなく安価な銀パラジウム系の材料を用いる
ことができ積層セラミックコンデンサの製造コストを低
くおさえることができる。
本発明の方法によシ得られる磁器組成物は良好な誘電損
失、比抵抗の値を備え誘電率が高くかつその温度変化が
極めて小さいものであシ１体積当りの容量が大きく容量
の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを実現す
るのに好適な磁器組成物である。
失、比抵抗の値を備え誘電率が高くかつその温度変化が
極めて小さいものであシ１体積当りの容量が大きく容量
の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを実現す
るのに好適な磁器組成物である。
第１図は本発明のｘ Ｐｂ （Ｍｇ ”’ｉＷｈ ）Ｏ
ｓ −ｙ ｌ’ｂＴｉ０３−ｚ Ｐｂ（ＮｒＶ３Ｎｂｌ
）０３からなる組成範囲を示す３成分系組成図である。 代理人 弁理士 内 原 晋
ｓ −ｙ ｌ’ｂＴｉ０３−ｚ Ｐｂ（ＮｒＶ３Ｎｂｌ
）０３からなる組成範囲を示す３成分系組成図である。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ
１／２）Ｏ＿３〕、チタン酸鉛〔ＰｂＴｉＯ＿３〕およ
びニッケル・ニオブ酸鉛〔Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３〕からなる３成分組成物を〔Ｐｂ
（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３〕＿ｘ〔Ｐ
ｂＴｉＯ＿３〕＿ｙ〔Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２
＿／＿３）Ｏ＿３〕＿ｚと表わした時に（ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１．００）この３成分組成図において、下記の
組成点 （Ｘ＝０．１５ Ｙ＝０．４０ Ｚ＝０．４５）（Ｘ＝
０．１５ Ｙ＝０．５０ Ｚ＝０．３５）（Ｘ＝０．４
０ Ｙ＝０．５０ Ｚ＝０．１０）（Ｘ＝０．５０ Ｙ
＝０．４０ Ｚ＝０．１０）（Ｘ＝０．５０ Ｙ＝０．
３０ Ｚ＝０．２０）（Ｘ＝０．２５ Ｙ＝０．３０
Ｚ＝０．４５）を結ぶ線上およびこの６点に囲まれる組
成範囲内にある３成分組成物の仮焼粉末を１０８０℃以
上１１４０℃以下の温度で焼結・反応させることを特徴
とする積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161491A JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161491A JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029742A true JPH029742A (ja) | 1990-01-12 |
| JPH0764634B2 JPH0764634B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15736083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161491A Expired - Lifetime JPH0764634B2 (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 積層コンデンサ用磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764634B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112082554A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-15 | 深圳市优必选科技股份有限公司 | 机器人导航方法、装置、终端设备及存储介质 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP63161491A patent/JPH0764634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0764634B2 (ja) | 1995-07-12 |
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