JPH027591A - 埋め込み型半導体レーザ素子 - Google Patents
埋め込み型半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH027591A JPH027591A JP15900888A JP15900888A JPH027591A JP H027591 A JPH027591 A JP H027591A JP 15900888 A JP15900888 A JP 15900888A JP 15900888 A JP15900888 A JP 15900888A JP H027591 A JPH027591 A JP H027591A
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- Japan
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- composition ratio
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は埋め込みへテロ型半導体レーザ素子の構造に関
する。
する。
（従来の技術）
埋め込みへテロ接合型半導体レーザ素子は構造上埋め込
み層によって活性層へ注入されるキャリアおよびキャリ
アの再結合時に放出される光が活性層内に閉じ込められ
、活性層内の電界分布が安定になるので、しきい値電流
が低く、とくに横モード発振の電流変化に対する安定性
が高い、しかしこの構造では発振領域が狭いため、小さ
な光出力でも光出力密度が高く瞬時光学損傷（ＣＯＤ（
ＣａＬａｓｔｒｏｐｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａ
ｇｅ））が起こりやすい。
み層によって活性層へ注入されるキャリアおよびキャリ
アの再結合時に放出される光が活性層内に閉じ込められ
、活性層内の電界分布が安定になるので、しきい値電流
が低く、とくに横モード発振の電流変化に対する安定性
が高い、しかしこの構造では発振領域が狭いため、小さ
な光出力でも光出力密度が高く瞬時光学損傷（ＣＯＤ（
ＣａＬａｓｔｒｏｐｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａ
ｇｅ））が起こりやすい。
これに対してＣＯＤレベルを高めるために光ガイド層を
設け、光波の多くをこのガイド層に閉じ込める構造のＳ
Ｂ Ｈ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｂｕｒｉｅｄ ＨｅＬｅｒｏ
）レーザ素子として知られている。第４図はそのＳＢＨ
レーザ素子構造の一例を模式断面図で示したものである
。第４図において素子構造はｎ−ＧａＡｓ基板７上のｎ
−ＡＪ Ｘ Ｇａ、−Ｘ Ａｓの第１クラツドＮ １
、ｎ−ｕ 、、Ｇａ。
設け、光波の多くをこのガイド層に閉じ込める構造のＳ
Ｂ Ｈ（Ｓｔｒｉｐｅ Ｂｕｒｉｅｄ ＨｅＬｅｒｏ
）レーザ素子として知られている。第４図はそのＳＢＨ
レーザ素子構造の一例を模式断面図で示したものである
。第４図において素子構造はｎ−ＧａＡｓ基板７上のｎ
−ＡＪ Ｘ Ｇａ、−Ｘ Ａｓの第１クラツドＮ １
、ｎ−ｕ 、、Ｇａ。
ｘ２Ａｓの光ガイドＮ２、その上にストライプ部として
形成されたｐ−ｋｌ ｘ、 Ｇａ 、−Ｘ、 Ａｓの活
性層３．１）−ｋＩ、ｃ４Ｇａ＋−ｘａ Ａｓの第２ク
ラツドＪｌ ４ 、ｐ−ＧａＡｓのキャンプ層６の両側
面の埋め込み層５からなり、埋め込み層５はｐ−Ａｊ
ｘａ Ｇａ１− ｘｇ ＡＳ５ａとｎ−Ａｊ ｙ、 Ｇ
ａ＋−ｇ、＾ｓ５ｂのｐｎ接合を有する。
形成されたｐ−ｋｌ ｘ、 Ｇａ 、−Ｘ、 Ａｓの活
性層３．１）−ｋＩ、ｃ４Ｇａ＋−ｘａ Ａｓの第２ク
ラツドＪｌ ４ 、ｐ−ＧａＡｓのキャンプ層６の両側
面の埋め込み層５からなり、埋め込み層５はｐ−Ａｊ
ｘａ Ｇａ１− ｘｇ ＡＳ５ａとｎ−Ａｊ ｙ、 Ｇ
ａ＋−ｇ、＾ｓ５ｂのｐｎ接合を有する。
このように構成されたＳＢＨレーザ素子は埋め込み層５
ａ、５ｂのｐｎ逆接合によって電流をブロックし、活性
層３から発するレーザ光は光ガイド層２にしみ出す、Ｓ
ＢＨレーザ素子では高次モード発振の制御と活性Ｎ３に
おける電流リークを防止するために光ガイド層２と活性
Ｎ３のＡｌ＆ｌ成比の差が０．１８以上すなわちＸＺ−
１１３≧０．１８、埋め込み層５と活性）１３のＡ１ｍ
成比０差が０．２２以上すなわちＸ％−Ｘ３≧０．２２
という関係をもっている。
ａ、５ｂのｐｎ逆接合によって電流をブロックし、活性
層３から発するレーザ光は光ガイド層２にしみ出す、Ｓ
ＢＨレーザ素子では高次モード発振の制御と活性Ｎ３に
おける電流リークを防止するために光ガイド層２と活性
Ｎ３のＡｌ＆ｌ成比の差が０．１８以上すなわちＸＺ−
１１３≧０．１８、埋め込み層５と活性）１３のＡ１ｍ
成比０差が０．２２以上すなわちＸ％−Ｘ３≧０．２２
という関係をもっている。
この素子を製造する方法は通常のエピタキシャル成長法
を用いることができ、基板７上に第１クランド７１１．
光ガイド層２．活性層３．第２クランド層４．キャンプ
層６をこの順に連続的に成長させた後、メサエンチング
によりストライブ部を形成し、その後ストライブ部のレ
ーザ光進行方向と平行な側面に５ａ、５ｂからなる埋め
込み層５を成長させる。最後に第４図では図示を雀略し
７こ７Ｊ・星１側電極（ＡｕＧｅ）とｐ＠電極（ＡｕＺ
ｎ）を蒸着などでとりつけて組み立てる。
を用いることができ、基板７上に第１クランド７１１．
光ガイド層２．活性層３．第２クランド層４．キャンプ
層６をこの順に連続的に成長させた後、メサエンチング
によりストライブ部を形成し、その後ストライブ部のレ
ーザ光進行方向と平行な側面に５ａ、５ｂからなる埋め
込み層５を成長させる。最後に第４図では図示を雀略し
７こ７Ｊ・星１側電極（ＡｕＧｅ）とｐ＠電極（ＡｕＺ
ｎ）を蒸着などでとりつけて組み立てる。
しかしながら、ＳＢＨレーザ素子は以上のようにして電
流をブロックしているために単一モード発振になりにく
いという問題がある。一方活性層３の厚さｄ、は信軒性
の点からｄ、 ＞ ０．０５ｎであることが必要である
。したがってこのレーザ素子を構成する光ガイド層２．
活性層３．埋め込み層５の各ＡＪ＆１１成比Ｘｌ、Ｘ！
＋ＸＳに関する条件すなわちＸｔ−ｘ。
流をブロックしているために単一モード発振になりにく
いという問題がある。一方活性層３の厚さｄ、は信軒性
の点からｄ、 ＞ ０．０５ｎであることが必要である
。したがってこのレーザ素子を構成する光ガイド層２．
活性層３．埋め込み層５の各ＡＪ＆１１成比Ｘｌ、Ｘ！
＋ＸＳに関する条件すなわちＸｔ−ｘ。
≧０．１８． ｘｓ Ｘ３≧０．２２と活性層３の厚
さｄ、＞０．０５ｐｍを満足し、さらに単一モード発振
を可能とする条件を設定することが望まれる。
さｄ、＞０．０５ｐｍを満足し、さらに単一モード発振
を可能とする条件を設定することが望まれる。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は光ガイド層を有し、適切な組成をもった半導体層で
構成され、単一モード発振と高出力が可能な埋め込み型
半導体レーザ素子を提供することにある。
的は光ガイド層を有し、適切な組成をもった半導体層で
構成され、単一モード発振と高出力が可能な埋め込み型
半導体レーザ素子を提供することにある。
本発明は第１図のように構成され、ＡＺＸ、Ｇａ、□、
＾Ｓの光ガイド層２とｋｌ ｘ、 Ｇａ＋−ｘ、Ａｓの
活性Ｎ３のＭ組成比差Ｘｓ Ｘａ≧０，１８、Ａｊ
ｘＩＧａ＋−ｘｘ ”のｐｎ接合をもつ埋め込み層５と
活性Ｎ３のＡｌ組成比差ｘｓ −Ｘユ≧０．２２であっ
て、活性層３の厚さが０．０５７１１１以上である埋め
込み型半導体レーザ素子において、Ａｊ ｘ、 Ｇａ＋
−Ｘ４Ａｓの第２クラツドＮ４と活性Ｎ３のＭ組成比差
ｘ４− Ｘ％を０．３２以上としたものである。
＾Ｓの光ガイド層２とｋｌ ｘ、 Ｇａ＋−ｘ、Ａｓの
活性Ｎ３のＭ組成比差Ｘｓ Ｘａ≧０，１８、Ａｊ
ｘＩＧａ＋−ｘｘ ”のｐｎ接合をもつ埋め込み層５と
活性Ｎ３のＡｌ組成比差ｘｓ −Ｘユ≧０．２２であっ
て、活性層３の厚さが０．０５７１１１以上である埋め
込み型半導体レーザ素子において、Ａｊ ｘ、 Ｇａ＋
−Ｘ４Ａｓの第２クラツドＮ４と活性Ｎ３のＭ組成比差
ｘ４− Ｘ％を０．３２以上としたものである。
第１図の構造をもつレーザ素子を単一モード発振とする
ためには、第１図に付記した屈折率分布をもつことが必
要である。ストライブ部の屈折率は光ガイド層２．活性
ＦＩ３．第３．ラフトＰＨ４の各ｕｌ成比Ｘ１＋Ｘ３＋
Ｘ４で決まり、埋め込み部の屈折率は光ガイド層２と埋
め込み層５の各ＡＩ＆ｆｌ成比ｘ！。
ためには、第１図に付記した屈折率分布をもつことが必
要である。ストライブ部の屈折率は光ガイド層２．活性
ＦＩ３．第３．ラフトＰＨ４の各ｕｌ成比Ｘ１＋Ｘ３＋
Ｘ４で決まり、埋め込み部の屈折率は光ガイド層２と埋
め込み層５の各ＡＩ＆ｆｌ成比ｘ！。
Ｘ、で決まる。したがって電流をブロックするためのＸ
、 −Ｘ、≧０．１Ｌ ｇ−ｘ、≧０．２２と安定性を
高めるｄ＋≧０．０５＃ｓという条件のもとに、第１図
に付記した屈折率分布をもたせるのは、第２クラフト層
４のＡｌ＆ｌ！成比を適切に定めることにあり、活性Ｗ
３のＡｌ組成比との関係をＸａ Ｘｓを０．３２とす
ることにより、第１図の屈折率分布が得られ、単一モー
ド発振が可能となる。
、 −Ｘ、≧０．１Ｌ ｇ−ｘ、≧０．２２と安定性を
高めるｄ＋≧０．０５＃ｓという条件のもとに、第１図
に付記した屈折率分布をもたせるのは、第２クラフト層
４のＡｌ＆ｌ！成比を適切に定めることにあり、活性Ｗ
３のＡｌ組成比との関係をＸａ Ｘｓを０．３２とす
ることにより、第１図の屈折率分布が得られ、単一モー
ド発振が可能となる。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の埋め込み型半導体レーザ素子を第４図
を再出して示したものであるが第１図には素子形状に対
応する光の屈折率分布図を付記しである。この構造のレ
ーザ素子は前述のようにｕ Ｈｔ Ｇ ａ ｌ−ＸＺ
Ａ Ｓ光ガイドｊａ１２とｋｌ 、、 （、Ｂ 、−ｘ
） Ａｓ活性層３のＡｌＭｉ成比差Ｘｇ−Ｘ、≧０．１
８、Ａｊ Ｘ、 Ｇａ、−ｘ２Ａｓｆｉめ込み層５と活
性層３のＡｌ１１１成比差Ｘ５−Ｘ３≧０．２２という
条件のもとに、第１図の屈折率分布をもたせ単一モード
発振とすることが本発明の要点であり、そのためにはＰ
Ｊｘａ Ｇ ａ ＋−Ｘａ Ａ Ｓ第２クランドＮ４の
Ｍ組成比ｘ４を定め、Ｘ、 −Ｘ３の値をもう一つの条
件として設定する必要がある。
を再出して示したものであるが第１図には素子形状に対
応する光の屈折率分布図を付記しである。この構造のレ
ーザ素子は前述のようにｕ Ｈｔ Ｇ ａ ｌ−ＸＺ
Ａ Ｓ光ガイドｊａ１２とｋｌ 、、 （、Ｂ 、−ｘ
） Ａｓ活性層３のＡｌＭｉ成比差Ｘｇ−Ｘ、≧０．１
８、Ａｊ Ｘ、 Ｇａ、−ｘ２Ａｓｆｉめ込み層５と活
性層３のＡｌ１１１成比差Ｘ５−Ｘ３≧０．２２という
条件のもとに、第１図の屈折率分布をもたせ単一モード
発振とすることが本発明の要点であり、そのためにはＰ
Ｊｘａ Ｇ ａ ＋−Ｘａ Ａ Ｓ第２クランドＮ４の
Ｍ組成比ｘ４を定め、Ｘ、 −Ｘ３の値をもう一つの条
件として設定する必要がある。
はじめに第１図の構造のレーザ素子について、有効屈折
率差を用いた理論計算により、ＸＺ ｘ３≧０．１８
． Ｘ６−Ｘ、≧０．２２． ストライブ？ＩＷを０
、２５ ｐ＋ａとしたときの基本モードを維持するた
めの活性層３の厚さｄｌとＸａ Ｘ３の関係を求め、
その結果を第２図に示す、なおこの計算に当たってはｄ
、は±１０％程度のばらつきを見込んで最も薄い値を用
いている。第２図からＸ４−Ｘ３≧０．３２のときｄ、
≧０．０５ｐ−の条件も満足することがわかる。
率差を用いた理論計算により、ＸＺ ｘ３≧０．１８
． Ｘ６−Ｘ、≧０．２２． ストライブ？ＩＷを０
、２５ ｐ＋ａとしたときの基本モードを維持するた
めの活性層３の厚さｄｌとＸａ Ｘ３の関係を求め、
その結果を第２図に示す、なおこの計算に当たってはｄ
、は±１０％程度のばらつきを見込んで最も薄い値を用
いている。第２図からＸ４−Ｘ３≧０．３２のときｄ、
≧０．０５ｐ−の条件も満足することがわかる。
次に再び第１図を参照して述べるが、この構造をもつＳ
ＧＨレーザ素子について、Ｘ、−Ｘ３≧０．１８゜ｘ＠
−ｘ３≧０．２２．ｘａ Ｘ３≧０．３２． ｄ、≧
０．０５ｍ、Ｗ−０ 、２５ ＪｚｌＩとして×４を変
化させて実ａｔここの素子を作製した。その製造方法は
第４図の場合と同様であるからここでは説明を省略する
が、各層の組成比とキャリア密度、膜厚を以下のように
した。 ｎ−ＧａＡｓ基板７はキャリア密度Ｉ Ｘ １
０” ｃＩＩ−’ 、 １％ ’Ｉｉ−１５０ｔｎｓ。
ＧＨレーザ素子について、Ｘ、−Ｘ３≧０．１８゜ｘ＠
−ｘ３≧０．２２．ｘａ Ｘ３≧０．３２． ｄ、≧
０．０５ｍ、Ｗ−０ 、２５ ＪｚｌＩとして×４を変
化させて実ａｔここの素子を作製した。その製造方法は
第４図の場合と同様であるからここでは説明を省略する
が、各層の組成比とキャリア密度、膜厚を以下のように
した。 ｎ−ＧａＡｓ基板７はキャリア密度Ｉ Ｘ １
０” ｃＩＩ−’ 、 １％ ’Ｉｉ−１５０ｔｎｓ。
第１クラッド層１はキャリア密度Ｉ Ｘ ｔｏｌｌＣｌ
ｌ−。
ｌ−。
膜厚１．０μのｎ−／Ｊ ａ＋ ｓｒ Ｇａｏ、 ｈｑ
＾Ｓ、光ガイド層２はキャリア密度Ｉ ＸＩＯ”Ｃ１１
−１１１！厚０．９ｐｍノｎＡｌ ｅ、 ｚｔ Ｇａｏ
、 ｑ３Ａｓ＋活性Ｎ３はキャリア密度１×ＩＱ”ｃａ
−”、膜ｇＯ，０５Ｉｎｓのｐ−Ａｌ ｏ、 ｏｓＧａ
ｅ、 ９１Ａ５１第２クラッド層４についてはキャリア
密度３ＸＩＱ”ｃ＋ａ−’膜厚１．０−のｐ−Ａｌ Ｘ
、 Ｇａ ｌ−Ｘ、 Ａｓのｘ４を０．３８．０．４０
゜０．４２と変化させた。埋め込み層５は５ａがキャリ
ア密度３×ＩＯ”ｃｍ−’のｐ−Ａｌ ｏ、 ５ｌｃａ
Ｌ ｉ＊Ａｓ＋ ５ｂがキャリア密度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ
ｒ ＠ ｃｍ−ｓのｎ−Ａｌ ｏ、 ５ｔＧａａ１ｅ＾
Ｓであり、キャンプｗ１６はキャリア密度１ｘｌｏｌｃ
ＪＩＩ、膜厚０．５−のｐ−ＧａＡｓである。
＾Ｓ、光ガイド層２はキャリア密度Ｉ ＸＩＯ”Ｃ１１
−１１１！厚０．９ｐｍノｎＡｌ ｅ、 ｚｔ Ｇａｏ
、 ｑ３Ａｓ＋活性Ｎ３はキャリア密度１×ＩＱ”ｃａ
−”、膜ｇＯ，０５Ｉｎｓのｐ−Ａｌ ｏ、 ｏｓＧａ
ｅ、 ９１Ａ５１第２クラッド層４についてはキャリア
密度３ＸＩＱ”ｃ＋ａ−’膜厚１．０−のｐ−Ａｌ Ｘ
、 Ｇａ ｌ−Ｘ、 Ａｓのｘ４を０．３８．０．４０
゜０．４２と変化させた。埋め込み層５は５ａがキャリ
ア密度３×ＩＯ”ｃｍ−’のｐ−Ａｌ ｏ、 ５ｌｃａ
Ｌ ｉ＊Ａｓ＋ ５ｂがキャリア密度Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ
ｒ ＠ ｃｍ−ｓのｎ−Ａｌ ｏ、 ５ｔＧａａ１ｅ＾
Ｓであり、キャンプｗ１６はキャリア密度１ｘｌｏｌｃ
ＪＩＩ、膜厚０．５−のｐ−ＧａＡｓである。
かくシテ得られたＸ、が０．３８，０．４０．０．４２
＋７１各ＳＢ！（レーザ素子について、それぞれＦ Ｆ
Ｂ （Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）特性を
測定し、その結果を第３図に示す、第３図（δ）はｘ４
を０．３８、同じ＜（ｂ）はＸ、を０．４０゜同じ＜（
ｃ）はｘ４を０．４２としたものである。第３図のレー
ザ光の強度分布特性線図から（ｂｌと（Ｃ１では単一基
本モードが得られるがｆａｔでは垂直高次モードがみら
れる。すなわち、前述のＸ４ Ｘｌの値は（ｂ）、（
Ｃ１について有効なＸ、−ＸＳ上０．３２であることが
わかる。
＋７１各ＳＢ！（レーザ素子について、それぞれＦ Ｆ
Ｂ （Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）特性を
測定し、その結果を第３図に示す、第３図（δ）はｘ４
を０．３８、同じ＜（ｂ）はＸ、を０．４０゜同じ＜（
ｃ）はｘ４を０．４２としたものである。第３図のレー
ザ光の強度分布特性線図から（ｂｌと（Ｃ１では単一基
本モードが得られるがｆａｔでは垂直高次モードがみら
れる。すなわち、前述のＸ４ Ｘｌの値は（ｂ）、（
Ｃ１について有効なＸ、−ＸＳ上０．３２であることが
わかる。
すなわち、ＳＢＨレーザ素子はＸｔ−Ｘ２≧０．１８．
Ｘｓ×、≧０．２２． ｄｉ≧０．０５ｙｍという条
件とさらにＸａ−Ｘ、≧０．３２とすることにより単一
基本モード発振とすることができる。
Ｘｓ×、≧０．２２． ｄｉ≧０．０５ｙｍという条
件とさらにＸａ−Ｘ、≧０．３２とすることにより単一
基本モード発振とすることができる。
光ガイド層を有する埋め込みへテロ型のＳＢＨレーザ素
子はＣＯＤレベルを高め、電流をブロックするために一
般式ｋｌ ＊ Ｇａ Ｉ −＊ ｌｉｓの組成をもつ光
ガイド雇と活性層のＡｆ＆ｌ成比の差を０．１８以上、
同じく埋め込み層と活性層のＡｌ組成比の差を０．２２
以上としているが、さらに本発明では実施例で述べたご
とく活性層の膜厚を０．０５μ以上として第２クラッド
層のｋｌ＆ＩＩ成比を定め、活性層との関係でＭ組成比
の差を０．３２以上となるようにしたためｑ、良好な屈
折率分布が得られ、高次モードを抑制した単一モード発
振を可能としたものである。
子はＣＯＤレベルを高め、電流をブロックするために一
般式ｋｌ ＊ Ｇａ Ｉ −＊ ｌｉｓの組成をもつ光
ガイド雇と活性層のＡｆ＆ｌ成比の差を０．１８以上、
同じく埋め込み層と活性層のＡｌ組成比の差を０．２２
以上としているが、さらに本発明では実施例で述べたご
とく活性層の膜厚を０．０５μ以上として第２クラッド
層のｋｌ＆ＩＩ成比を定め、活性層との関係でＭ組成比
の差を０．３２以上となるようにしたためｑ、良好な屈
折率分布が得られ、高次モードを抑制した単一モード発
振を可能としたものである。
第１図は本発明のレーザ素子を屈折率分布図とともに示
した模式断面図、第２図は本発明のレーザ素子の第２ク
ランド層と活性層の＾１組成比差に対して基本モードを
維持する活性層厚さの関係線図、第３図は第２クランド
層のＡＪ＆ｌ成比の変化におけるＦＦＰ特性図、第４図
はＳＢＨレーザ素子の模式断面図である。 ｌ：第１クラッド層、２：光ガイド層、３：活性層、４
：第２クラッド層、５．５ａ、 ５ｂ：埋め込み庖、６
：キヤノブ層、７：基暑反。 χ４−１３ 第２図
した模式断面図、第２図は本発明のレーザ素子の第２ク
ランド層と活性層の＾１組成比差に対して基本モードを
維持する活性層厚さの関係線図、第３図は第２クランド
層のＡＪ＆ｌ成比の変化におけるＦＦＰ特性図、第４図
はＳＢＨレーザ素子の模式断面図である。 ｌ：第１クラッド層、２：光ガイド層、３：活性層、４
：第２クラッド層、５．５ａ、 ５ｂ：埋め込み庖、６
：キヤノブ層、７：基暑反。 χ４−１３ 第２図
Claims (1)
- １）ＧａＡｓ基板の一主面上に積層されたＡｌ＿ｘＧａ
＿１＿−＿ｘＡｓ第１クラッド層とＡｌ＿ｘ＿２Ｇａ＿
１＿−＿ｘ＿２Ａｓ光ガイド層、この光ガイド層の上に
積層形成されたＡｌ＿ｘ＿３Ｇａ＿１＿−＿ｘ＿３活性
層、Ａｌ＿ｘ＿４Ｇａ＿１＿−＿ｘ＿４Ａｓ第２クラッ
ド層、ＧａＡｓキャップ層からなるストライプ部、この
ストライプ部のレーザ光の進行方向と平行な両側面にｐ
ｎ接合をもつＡｌ＿ｘ＿５Ｇａ＿１＿−＿ｘ＿５Ａｓ埋
込層を備え、かつ前記光ガイド層と前記活性層のＡｌ組
成比差＿ｘ＿２＿−＿ｘ＿３が０．１８以上、前記埋め
込み層と前記活性層のＡｌ組成比差＿ｘ＿５＿−＿ｘ＿
３が０．２２以上、前記活性層の厚さが０．０５μｍ以
上を有する埋め込み型半導体レーザ素子において、前記
第２クラッド層と前記活性層のＡｌ組成比差＿ｘ＿４＿
−＿ｘ＿３を０．３２以上としたことを特徴とする埋め
込み型半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15900888A JPH027591A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15900888A JPH027591A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027591A true JPH027591A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15684227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15900888A Pending JPH027591A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 埋め込み型半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015015633A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15900888A patent/JPH027591A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015015633A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US9819153B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-11-14 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof |
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