JPH027544A - 柱の整合及び製造工程 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半々（４装冒の製造に関連する。更に具体的に
言えば本発明は、絶縁層により分離される金属ＦｆＪ聞
における、柱状の相ｎ接続線の形成に関連する。

従来の技術及び問題点 半導体装；６の製造においてしばしば、水平に分離され
た二つの金属層間の所定の位置に、電気的な相互接続線
を形成することは必要である。この様な電気的な相互接
続線を形成する一つの技術に、「バイア」工程がある。

バイア工程では単に、分離した二つの層の間にある絶縁
物に、エツチングをして孔を設置）る。二つの金属層の
うち上の層が被着されるとき、それは孔を介して下の層
と接触する。

または、その様な電気的な相互接続線は、柱によって形
成され得る。柱は導電性で垂直に伸び、垂直に分離され
た二つの層のうち下の層上に形成され、また上の層へと
伸びる。柱は追加工程により形成可能であり、この場合
柱は望ましい位置で、下の導電性の層に加えられる。ま
たは社は削減工程により形成されても良く、この場合柱
と下の導電性の層の両方が、厚い導電性のシートから形
成される。この導電性のシートには、複数の個別の導電
性の層があっても良い。

削減工程による柱の形成の一例が、本発明の数受入に譲
渡された、米国特許出願通し番号釦１２３．７５４号（
１９８７年１１月２３日出願）で説明されており、ここ
では参照として取り入れられる。この工程では柱と、垂
直に分離された二つの金属層のうち下の層に定められた
パターンの両方は、コンタクトのような共通の特性によ
り個別に整合される。結果として柱とパターンは、お互
い垂直に整合する。しかしながら、この整合工程ににす
、製造能力に問題が生じる。

詳しく言うと第一の整合段階では、共通の特性により柱
のパターンが垂直に整合される。半導体製造の実際的な
Ｉ′ＩＱ連により、社のパターンは共通の特性と、正確
には整合しないであろうが、共通の特性の所定の横方向
の間隔内に止まる。この間隔は写真印刷と、その他の製
造上の１１限により定められる許容範囲を表す。例えば
、この許容範囲が１１７２ミクロンであるならば、最悪
の場合柱は共通の特性から、最高１７２ミクロンまで横
方向に歪められるでろう。

第二の整合段階では、下の導電性の層に形成されたリー
ド線パターンが、共通の特性により整合される。ここで
もまた、リード線パターンは、製造許容範囲の最悪の間
隔の場合、共通の特性ににる垂直の整合Ｊ：す、横方向
に歪められるであろう。

これらの二つの整合段階が組み合わされると、製造の許
容範囲は二倍になる。例えば社のパターンは、共通の特
性から右側に１／２ミクロン横方向に歪められる゛であ
ろう。一方リード線パターンは、共通の特性から左側へ
１／２ミクロン横方向に歪められるであろう。許容範囲
が１／２ミクロンづつであれば、柱とリード線パターン
は、お互いに１ミクロン歪められるであろう。

二（８となった許容範囲の問題の解決策の一つに、この
最悪の場合の二倍に歪められた影響を埋め合わせるよう
に、柱とリード線の寸法を取ることが挙げられる。たと
え上　１７２ミクロン・レイアウト・ルールを利用して
も、半導体装置は製造されるが、前述の例に対してこの
埋め合わせは、１１ミクロン・レイアウト・ルールを利
用するのに相当する。しかしながら、このようなＩＲ決
方法では望ましくないことに、製造される半導体装置の
密度が減少する。

従って、レイアウトに前述の二倍の許容範囲の影響が及
ぶことなく、柱を製造する工程が必要である。

問題貞を解決する１＝めの手段及び作用従って本発明の
利点の一つとして、１１の形成に改良された削減工程が
提供される。

本発明のもう一つの利点として、改良された柱の形成工
程が提供さることにより、半導体特性との整合が一回の
み起こる。

本発明の前述及び他の利点は、中間の絶縁層を介して金
属層を相互接続−４る工程による、一つの形態において
実施される。この工程は、整合構造を持つ基板により開
始される。次に基板上に、電気的に導電性の物質から成
る、第一及び柱の層が形成される。第一の層のパターン
が第一の層に形成され、また社のパターンが社の層に形
成される。

第一の層は整合構造で整合され、また柱のパターンは第
一の層のパターンで整合される。次に絶縁層が第一及び
柱層上に被着され、絶縁層のいくらかの部分が取り除か
れ、柱層の小さい部分が露出される。

最後に、導電性の物質から成る第二の層が、絶縁層及び
柱層上に被着される。Ｓ電性の物質の第二の層は、第二
の層のパターンを形成し、よって柱層は第一及び第二の
層を接続する。

本発明が更にｍ　＜　ｌ’ＩＩ　Ｍされるように、図面
と共に以下の実施例を参照されたい。図面の同様な部分
には、同じ参照省号が用いられる。

実施例 第１Ａ図乃至第７図は、導電性の柱の様々な製造段階に
置ける半導体装置１０を示し、このＪＲ電性の柱は装ｆ
ｆ１１０において、金Ｂ層を相互接続する。第１Ａ乃至
７図は半導体装置全体ではなく、ただ−本の柱を示す。

実質的にここで説明されるように！！還されるこの様な
社が、半導体装置全体に多数台まれても良いことは、当
ｉ者にとっては明白であろう。第１Ａ乃至４図は、装置
１２１０のこの単一の柱の部分の、第１Ｃ図の線Ａ−Ａ
による側面断面図を示す。同様に第１Ｂ−４Ｂ図は、第
１Ｃ図の線Ｂ−８による側面断面図を示し、また第１Ｇ
−４Ｃ図は、装置１０のこの単一の柱の部分の平面図を
示す。第１Ａ乃至７図の全ては装置１０の共通な点を示
す。結果として、第１Ａ乃至７図に示される断面図の各
々は、第１Ａ乃至７図のもう一つの断面図により示され
る面に垂直な面を示す。

第１Δ−１Ｃ図は、本発明の最初のｙ　造段階を示す。

第１Ａ−ＩＣ図において、装置１０は絶縁層１２を含む
。絶縁層１２は、装置１０上の様々な半導体特性（図示
せず）の、いづれの上にあっても良い。比較的に薄いバ
リヤ層１４は層１２に重な゛す、比較的に厚い金属層１
６はバリヤ層１４にΦなり、比較的に幼いバリヤ層１８
は層１６にｍなり、比較的に厚い金１１層２０は層１８
に重なり、また比較的に薄いバリヤ層２２は層２０に重
なる。好ましい実ＸＪｊ　Ｉ様では、各バリヤ層１４．
１８、及び２２は、同じ物質から成る。この物質は装置
１０のＩｙＪ造において、後続する段階でエッチ・スト
ップとして働くように選ばれる。更にこの物質は、不純
物が金属１１ｉＪ１６及び２０から、絶縁層１２を介し
て装置１０の他の特性へと、下に移るのを効采的に阻止
するよう選ばれる。従って好ましい実施態様では、層１
４．１８、及び２２の各々はＴｉ：Ｗ層であり、これら
は従来の方法にＪ、す、約２．３００オンゲストＤ−ム
の厚さに被着される。

金属層１６及び２０は、半導体装置の’ＦＪ造で従来用
いられる導電性の物質である。好ましい実施態様では層
１６と１８に、銅がドーピングされたアルミニウム物質
を利用する。更に好ましい実施Ｂ様では、層１６及び１
８は約０．５乃至１．０ミクＯンの厚さに被着される。

本発明では、バリヤＷＪ１４及び金属層１６が、共にド
の導電性の層２６を形成する。加えてバリｔフ１Ｆｉ１
８は金属層２０と共に、￥＃導電性柱の層２８を形成す
る。

装置１０はコンタクト２４を含む。コンタクト２４は、
装置１０で絶縁層１２を介する孔であり、この孔はタン
グステンのような耐火性の金属で満たされている。図示
されるように、この対火性金属は、層１４乃至２２の被
着に先立ち、絶縁層１２の表面まで平坦化される。また
はコンタクト２４は、従来の傾斜するコンタクト（図示
されず）から成っても良い。コンタクト２４の−・端（
図示されず）は、半導体物質と接触づるので、半々体物
質と重なり合う金属層の間が、電気的に接続する。コン
タクト２４の他方の端は、絶縁層１２を突き抜けて、絶
縁ｌ！１１１２とバリヤ層１４の境目まで達する。

コンタクト２４は整合構造を示し、下の導電性の１１２
６に形成されたパターンはこれを参照する。

しかしながら本発明の目的のために、この整合構造はコ
ンタクトである必要はなく、装置１０に前もって形成さ
れた、上にある金属層を整合するいかなる特性であって
も良い。

第２Ａ乃至２０図は、第１Ａ乃至１０図に示される構造
が、様々な工程段階を経た後にお【」る、本発明の製造
段階を占めず。更に第２Ａ、２Ｂ。

及び２０図は、それぞれ第１Ａ１１Ｂ、及び１０図で示
されたのと同じ断面図を示す。まずポジティブ・フォト
レジスト３０を、バリヤ層２２の部分を覆うように設け
ることにより、リード線パターンが定められる。リード
線パターンは、コンタクト２４で垂直に整合される。言
い換えると、リード線パターンが後続する工程で垂直に
下に移されるとぎ、リード線パターンはコンタクト２４
を直接覆う。加えてフォトレジスト３０は、幅（第２Δ
図参照）及び長さ（第２Ｂ図参照）の両方に、十分大き
く４払が取られるので、製造許容範囲内のフォトレジス
ト３０の、最悪の横方向の歪みにより、コンタクト２４
のいかなる部分も、フォトレジスト３０で定められたリ
ード線パターンと、垂直に整合しなくなることはない。

次にエツチング段階では、フォトレジスト３゜で定めら
れたリード線パターンに従い、バリヤ層２２の部分が取
り除かれる。好ましい実施態様では、反応性イオン・エ
ツチングが用いられ、はぼまっすぐで垂直な壁が、バリ
ヤ層２２に形成される。反応イオン性エツチング工程で
は、乾性のフッ素剤が用いられる。乾性のフッ素剤は、
層２゜を形成する銅のドーピングされたアルミニウムを
エツチングするよりかなり早い割合で、Ｔｉ：Ｗをエツ
チングする。結果どして１１２０は、層２２のエツチン
グのエッチ・ストップとして働く。

層２２のエツチングの後、もう−〇のエツチング段階に
より、リード線パターンが金属層２ｏへと下に移される
。好ましい実施態様では反応性イオン・エツチングが用
いられ、よってほぼまっ寸ぐな垂直の壁が形成される。

このエツチング段階では乾性の塩素剤が用いられ、にっ
てバリ１フ層１８がエッチ・ストップとして働く。

次に後続するエツチング段階では、反応性イオン・エツ
チングが用いられ、リード線パターンをＦ１１８へと下
に移する。このエツチング段階では乾性のフッ素剤が用
いられ、よって金属層１６がエッチ・ストップとして働
く。従って、前述の三つのエツチング段階の結果として
、フォトレジスト３０により定められたリード線パター
ンは、柱の層２８へと下に移される。更に￥Ｊ造の本段
階において、フォトレジスト３０と金属層１６のみが、
垂直方向（第２Ｃ図参照）に露出される。

第３Ａ乃至３０図は、後続する工程段階後の装置１０を
示ず。第３Δ、３Ｂ、及び３Ｃ図はそれぞれ、第２Ａ、
２Ｂ、及び２Ｃ図で示されたのと同じ断面図を示ず。従
って、フォトレジスト３０（第２Ａ乃至２０図を参照）
は、装置１０から剥がされ、第二のフォトレジスト３２
が設けられる。

フォトレジスト３２は、前述のように社の層２８に前も
って移されたリード線パターンで、垂直に整合される。

よってフォトレジスト３２のコンタクト２４によるいか
なる整合も、重要ではなく、全くの偶然によるしのであ
る。更に第３Ａ乃至３Ｃ図に示されるＪ：うに、フォト
レジスト３２は金属層２０の幅以上に延びてそれに重な
る。この重なりの程度により、金属）３２０に形成され
たリード線パターンに関して、製造許容範囲内でフォト
レジスト３２の横方向の歪みが生じるので、フォトレジ
スト３２の部分が、金属Ｆ４２０の幅全体を覆うことが
保証される。この重なりでは、製造許容範囲の一つだけ
が説明されれば良い。

フォトレジスト３２が設けられた後、エツチング段階に
より、バリヤ層２２の露出された部分が取り除かれ、よ
って第３Ａ乃至３０図で示されるような構造となる。好
ましい実施態様では再び、乾性のフッ素剤による反応性
イオン・エツチングが用いられ、垂直の壁がバリヤ層２
２に形成され、また金Ｒ）Ｚ２０がエッヂ・スＩ−ツブ
として働く。

このＪツチング処理の結果として、柱のパターンがバリ
ヤ層２２に形成される。第３Ａ及び３Ｂ図に示されるよ
うに、この柱のパターンは金属層２０の幅以上に延びて
東ならず、金ｒＦＸＦ４２０の境界内に収められる。

第４Δ乃至４Ｃ図は、第３Ａ乃至３Ｃ図で示された構造
が、後Ｉ７ｃする工程段階を経た後の状態を示づ。更に
第４Ａ、４Ｂ、及び４０図はそれぞれ、第３Ａ、３Ｂ、
及び３０図で示されたのと同じ図を示す。社のパターン
がバリヤ層２２に形成された後、フォトレジスト層３２
（第３Ａ乃至３０図参照）は剥がされ、一連のエツチン
グ工程が行われ、第４へ乃至４０図で示す構造を形成す
る。この一連のエツチングの第一の段階では、金属層１
６と２０の露出された部分を取り除く。好ましい実施態
様では、乾性の塩素剤で反応性イオン・エツチングが行
われるので、層１６及び２０の全体が、バリヤＦｉ２２
よりも早くエツチングされる。

このエツチング段階では、柱のパターンが金属層２０へ
と下に移され、同時にリード線パターンも、金属層１６
へと下に移される。バリヤ層１４と１８は、層１６と２
０のエツチングに対して、それぞれエッチ・ストップと
して働く。

次にまた別のエツチング段階が、バリヤ層１４．１８、
及び２２の露出された部分を取り除く。ここでちまた、
乾性のフッ素剤を用いる反応性イオン・エツチング工程
が用いられ、層１６と２０がごくわずかにエツチングさ
れることで、垂直の壁が形成される。このエツチング段
階により、柱のパターンがバリヤ層１８へと下に移され
、よって社パターンが柱の廟２８に形成される。同時に
リード線パターンがバリヤ層１４へと下に移され、よっ
てリード線パターンが下の導電性の層２６に形成される
。加えて、柱またはリード線パターンのどちらにも覆わ
れない絶縁層１２の部分は、このエツチング処理の完了
と共に露出される。絶縁層１２のいくらか部分は、ｆＩ
後のエツチング工程のオーバー・エツチングにより、除
去されるかもしれない。しかしながら、［ｆｌｏのこれ
らの領域でのこの様な除去により、重大な問題は生じな
い。

第５図は、第４Ｂ図で示される装置１０の同じ断面図を
示し、後続する工程段階を示１′。第５図においては、
絶縁物質の層３４が装置１０．Ｌに、好ましくは約２．
３ミクロンの厚さに形成される。

この厚さにより、柱の層２８と下の金属層２６は完全に
覆われる。更に好ましい実１＃Ａ態様においては、絶縁
物質３４には、プラズマ・エンハンスＣＶＤＭ化物から
成る誘電体が用いられる。次にフォトレジストのような
物質３６が、スピン・オン技術により、絶縁物質３４上
に被着され、物質３４の上部表面３８の、谷間状の箇所
や平坦ではない部分を満たす。物質３６は、スピン・オ
ン技術の後に、平坦な表面４０が形成されるように選ば
れる。

加えて物質３６はそのエツチング率が、物質３４のエツ
チング率とほぼ同じになるように選ばれる。次にエッチ
・バック処理では、表面４０が層３４へと下に移され、
第６図に示されるように、層２０の部分を露出する。好
ましい実施態様では、ＣＨＦ　　及び０２、または他の
乾性のフッ素剤で反応性イオン・エツチングを行うので
、層２０はそれほどエツチングされない。フロー率、圧
力、及び雷カレベルを、反応性イＡ、ン・エツチングの
際に調節することで、物質３６及び３４のエツチング率
が１：１となる。好ましい実施態様においては、このエ
ッチ・バック処理の後、約ｉ、ｏ。

ＯオンゲストＯ−ムの層２０が、露出されたままとなる
。

第７図に示されるように、上の導電性の層４２が、平坦
な表面４０上に被着される。この導電性の層４２は、絶
縁物質３４に１ＦなるバリヤＮ？ｉ４４と、層４４に重
なる金属層４６を含む。後続するパターン処理とエツチ
ング処理により、上のＳ電性の層４２にリード線が定め
られ、このリード線は社の層２８と垂直に整合する。

要約すると本発明は、半導体！ｉＡ置に柱を形成する、
改良された工程を提供する。詳細には、下の導電性の層
のリード線パターンが、Ｋ　ｉ？’１１０．１−、の整
合４１ｍｍで整合され、次に柱のパターンがリード線パ
ターンで整合される。結果として、ＩｙＪ造許容範囲に
より生ずる、最悪の場合の横方向の企みは、リード線、
社、及び整合構造の全てが、それらが接触する構造の、
一つの製造許容範［１１ｉＩＩ限内に止まることを確か
なものとする。

以上、本発明の好ましい実流態様を説明してぎたが、本
発明の範囲内での変更や修正は可能である。例えば、こ
こで述べられた特定の金属が、本発明の工程で使用され
なくても良い。むしろ、特定のエツチング剤と関連して
用いられる場合、エツチング率の相違する、いかなる二
つの菫なる金属システムでも利用され得る。更に、ここ
で述べられた特定の厚さは調整され得るし、またここで
述べられた工程は、半導体装置の異なるレベルにおいて
、繰り返され得る。当業者に明白であるこれらや他の修
正や変更は、本発明の範囲内に含まれるものとする。

以上の説明に関連して、更に以下の項を量水する。

（１）　　金属層を中間の絶縁層を介して、相ｎ接続づ
る方法において、 整合ＩＩ４造を持つ基板上に、電気的に導電性の物質か
ら成る第一及び柱の層を形成し、 ｆＰｌｊ　Ｆｊ第一の層に第一の層のパターンを形成し
、前記署１の層に柱のパターンを形成し、前記第一の層
のパターンは、前記整合構造と整合され、前記柱のパタ
ーンは前記第−の層のパターンと整合され、 前記第一及び柱の層上に、絶縁層を被るし、前記絶縁室
のいくらかの部分を取り除き、前記柱の部分を露出し、
また、 ８Ｉ電性物質の第二の層を、前記柱及び絶縁層上に被る
し、第二の層のパターンを形成し、よって前記柱の層は
前記第一の層を、前記第二の層へと接続することを含む
方法。

（２）　　前記第１項に記載された方法は更に、前記絶
縁層上にある物質を設ける工程を含み、前２物質はほぼ
平坦な表面を持ち、前記物質のエツチング率は、前記絶
縁層のエツチング率とほぼ等しい。

（３）　　前記第１項に記載された方法は更に、前記第
一及び打の層がそれぞれ、下にバリヤ層と上に金属層を
含むように形成する工程を含む。

（４）　　前記第１項に記載された方法は更に、前記柱
の層上にバリヤ層を被着する］工程を含む。

（５）　　前記第４項に記載された方法において、前記
第−の層のパターンと柱のパターンを形成する工程は、 前記バリ１７層と柱の層をエツチングして、前記第一の
層のパターンを定め、また、 前記エツチング段階の後、前記柱のパターンを前記バリ
ヤ層と前記柱の層に形成することを含む。

（６）　　前記第１項に記載された方法による製造物。

（１）　　第一及び第二の導電性の層を、中間の絶縁層
を介して相互接続する方法において、整合１ｒｔｉ造を
持つ基板上に、前記第一の導電性の層を形成し、８Ｉ電
性の柱の層は前記第−の層を覆い、またバリヤ層が前記
柱の層を覆い、前記柱とパリＡ１層のいくらかの部分を
取り除き、前記柱及びバリヤ層に第一の層のパターンを
定め、前記第一の層のパターンは前記整合４４造で整合
され、 Ｉｖｉ配バリＶ７Ｖ！Ｉのいくらかの部分を取り除き、
前記バリヤ層に柱のパターンを定め、前記柱のパターン
は前記第一の層のパターンで整合され、前記第一の層の
パターンを前記第一の層へ移し、また前記柱のパターン
を前記柱の層へ移し、前記絶縁層を、前記第一の層上に
形成し、また、前記第二の導電性の層を、前記絶縁及び
柱の層上に形成することを含む方法。

（８）　　前記第７項に記載された方法は更に、前記絶
縁層上にある物質を設置′Ｊる工程を８み、前記物質は
ほぼ平坦な表面を持ち、前記物質のエツチング率は、前
記絶縁層のエツチング率とほぼ等しい。

（９）　　前記第８項に記載された方法において、前記
絶縁層は、前記第一の層及び柱の層を覆うように、十分
に厚く形成されたプラズマ酸化物である。

（１０）前記第８項に記載された方法において、Ｏｆｆ
記物質はフォトレジストであり、また前記物質を設ける
段階は、スピン・Ａン処理を含み、前記フＡトレジスＩ
・を平ｊ１３化する。

（１１）前２第７項に記載された方法は更に、前記第一
及び柱の層がそれぞれ、下にバリヤ層と上に金属層を含
むように形成する工程を合む。

（１２）　　前記第７項に記載された方法による製造物
。

（１３）整合構造を持ち、第一のバリヤ層が前記整合構
造を覆い、下の）ｎ電性の層は前記第一のパリ１７層を
覆い、第二のバリヤ層は前記下の導電性の層を覆い、上
の導電性の層は前２第二のバリヤ層を覆い、また第三の
バリヤ層は前記上の）？？１ｉ性の層を覆うような半導
体装置に、４↑を形成する方法にＪ３いて、 Ｎ２第三のバリヤ層、前記上の導電性の層及び前記第二
のバリヤ層に、リード線パターンを定め、前記リード線
パターンは、前記整合ｖｈ造の所定の許容範囲内で、横
方向に行かれ、 前記第三のバリ１７層に柱のパターンを定め、前記柱の
パターンは、前記リード線パターンの前記所定の許容範
囲内で、横方向に賀かれ、前記バリヤ層をエツチングす
ることなく、前記）９電竹の層をすっかりエツチングす
るようなエッヂＶントを用いて、前記上と下の導電性の
層のいくらかの部分を同時にエツチングし、また、前記
、Ｌと下の導電性の層をエッチ・ストップとして用い、
前記第一、第二、及び第三のバリヤ層のいくらかの部分
を、同時にエツチングすること４゜ を含む方法。

（１４）　　前記第１３項に記載された方法において、
前記エッヂング工程の両方は、反応性イオン・エツチン
グを含み、よってほぼ垂直な壁が、前記エッチング工程
の間に形成される。

（１５）前記第１３項に２載された方法による製造物。

（１６）半導体Ｖｉ８１０造に関して、柱２８の形成の
工程を説明するものである。最初に半導体装置１０に、
構′？ｉ２４でリード線パターン３０が整合される。次
に柱のパターン３２が、リード線パターン３０で整合さ
れる。これらの二つのパターン３０．３２は次に、半導
体装置の各導電性の層２６．２８へと下に移される。絶
縁層３４が導電性のＦ４２６．２８上に被着され、エッ
チ・バックされ、柱２８の部分を露出する。ｙ９電性の
Ｆ５４２は、露出された柱２８上に設けられる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図〜第１Ｃ図は本発明による柱の形成の、最初の
段階における半導体装置の部分の断面略図をポリ。 第２Ａ図〜第２Ｃ図は本発明の工程中、第一の中間段階
後の柱の断面略図を示す。 第３Ａ図〜第３Ｃ図は本発明の工程中、第二の中１％１
段階後の柱の断面略図を示す。 第４Δ図〜第４Ｃ図は本発明の工程中、第三の中間段階
後の柱の断面略図を示す。 第５図は柱の製造の第四の中間段階後の、第１Ｂ図、第
２Ｂ図、第３Ｂ図および第４Ｂ図に示される断面図の略
図である。 第６図は、社の製造の第五の中間段階後の、第５図に示
される断面図の略図である。 第７図は、柱の製造の最終段階後の、第５図に小きれる
断面図の略図である。 主な符号の説明 １０：装置 １２：絶縁層 １／１．１８．２２．４４　：バリャ層１６．２０．／
１６：金属層 ２４：コンタクト ２６．２８．４２：導電性の層 ３０．３２：フォトレジスト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属層を中間の絶縁層を介して、相互接続する方
   法において、 整合構造を持つ基板上に、電気的に導電性の物質から成
   る第一及び柱の層を形成し、 前記第一の層に第一の層のパターンを形成し、前記柱の
   層に柱のパターンを形成し、前記第一の層のパターンは
   、前記整合構造と整合され、前記柱のパターンは前記第
   一の層のパターンと整合され、 前記第一及び柱の層上に、絶縁層を被着し、前記絶縁層
   のいくらかの部分を取り除き、前記柱の部分を露出し、
   また、 導電性物質の第二の層を、前記柱及び絶縁層上に被着し
   、第二の層のパターンを形成し、よって前記柱の層は前
   記第一の層を、前記第二の層へと接続することを含む方
   法。