JPH0256488A - オキソ基を有するアゼチジノン化合物もしくはその塩類またはその水化物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、新規なオキソ基を有するアゼチジノン化合
物もしくはその塩類または水化物、およびオキソ基を有
するアゼチジノン化合物もしくはその塩類またはその水
化物の新規な製造法に関する。

さらに詳細には、本発明は抗菌作用を有するアゼチジノ
ン化合物を合成する中間体として有用な新規なオキソ基
を有するアゼチジノン化合物もしくはその塩類またはそ
の水化物、およびオキソ基を有するアゼチジノン化合物
もしくはその塩類またはその水化物の新規な製造法に関
するものである。

従来、アミン基または置換されたアミノ基を有するアゼ
チジノン化合物からオキソ基を有するアゼチジノン化合
物を得る方法は下記に示す文献によって知られているが
、これらの方法（以下余白） は収率が記載されていないかまたは反応工程が長く、工
業的な面から満足できるものではなかった。

（１）　　特許公闘公報昭和５２年第１０２２９６号（
２）　　ジｘ−＃−ハン（、ｒ、　Ｃ，５ｈｅｅｈａｎ
）　：ジャーナルオプジオガニツクヶミストリ、第４２
巻、第１０１２頁（１９７７年） 本発明の発明者らは鋭意研究の結果、抗菌作用を有する
アゼチジノン化合物を合成する中間体として有用な新規
なオキソ基を有するアゼチジノン化合物、およびオキソ
基を有するアゼチジノン化合物の新規な製造法を発明す
ることに成功した。

この発明の新規なオキソ基を有するアゼチジノン化合物
は下記の一般式で示される。

〔式中、ＡＩは基 素、ハロゲン、アルキ〃、７ルコキシ、アシルレオ キシメチルもしくは置換基を有していてもよい複素環チ
オメチル　Ｂ５はカルボキシもしくは保護されたカルボ
キシ、Ｘは−Ｓ−もしくけ一〇−をそれぞれ意味し、 ただし、Ａ壷が基 （１１つ を意味し　Ｒ８およびＲ５は前と同じ意味）を意味する
〕 この発明のオキソ基を有するアゼチジノン化合物または
その塩類は、下記に示す方法により製造できる。

もしくはその塩類 またはその水化物 Ｃ式中、Ｒは）リハロメタンスルホニルｕ、Ｂ２はアノ
ル基、Ａは基 （基中、Ｒ８は水素もしくはアルキ／ｌ／、Ｒ４は水素
、ハロゲン、７ルキ、ル′、アルコキシ、アシルオキシ
メチルもしくは置換基を有していてもよい複素環チオメ
チｌし、Ｒ６はカルボキシもしくは保護され九カルボキ
シ、Ｘは−Ｓ−もしくは一〇−をそれぞれ意味する）を
それぞれ意味する〕本発明のオキソ基を有するアゼチジ
ノン化合物（１）ならびに製造法２〜４の出発物質０１
）、（１’）および（１）における塩類としては例えば
、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カル
シウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩、ア
ンモニウム塩などの無機塩基との塩、トリメチルアミン
塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、シ
ンクロヘキシルアミン４．Ｎ、Ｎ−ジベンジルエチレン
ジアミン塩、Ｎ−メチｐグルカミン塩、ジェタノールア
ミン塩、トリエタノ−μアミン塩、トリス（ヒドロキシ
メチルアミノ）メタン塩等の有機塩基との塩が挙げられ
る。

また製造法１の出発物質＠における塩類としては例えば
、上記の塩基との塩に加え、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫
酸塩等の無機酸との塩、ぎ酸塩、酢ＭＮ、メタンスルホ
ン酸塩、ｐ−トルエンスｐホン酸塩等の有機酸との塩が
挙げられる。

次に本発明の目的化合物（１）および製造法１〜６で使
用される出発物ｆｆ（１）、（１）、　（ＩＩつおよび
（ＩＹ）における定義について、以下に詳述する。

特にことわらない限シ、「低級」の語は１ないし６個の
炭素原子を含む基を包含し、「高級」の語は７ないし１
８個の炭素原子を含む基を包含する。

が挙げられる。

Ｒ２における「アシル基」としては脂肪族アシル基、芳
香環を含むアＶ／ｖ基および複素環を含むアシル基を包
含し、このようなアシル基の適当な例としては例えば、
ホｐミｐ、アセチル、≠≠ボ＝＃叫ヘキサノイル、ヘグ
タノイル、ステアロイル等の低級または高級アルカノイ
／Ｌ’基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル シカルホ二μ、第８級ペンチルオキシカｐボニｐ１ヘプ
チルオキンカルボニル、オクチルオキシカルボニル等の
低ｉｔたは高級７μコキシカルボニｐ基、メタンスルホ
ニ〜、エタンスル＊二μ，オクタンスルホニル等の低級
または高級７μカンヌルホニル基、力μパモイル基、化
ノー、ジーもしくはトリハロ７μカノイ／Ｉ／（例えば
、クロロアセチル、ジクロロ・アセチル、トリクロロア
セｆＮＱ）等のアミノ保護基で保護されたカルバモイ／
ｌ／基のよりな脂肪族アＶ／ｌ／基、ベンシイρ、）／
１／オイル、ナフトイル等のアロイル基、フェニルアセ
チルフェニルプロピオニｐ等のフェニル（　低Ｍ）アル
カノイルなどのアル（低級）７μカノイ／Ｉ／基、フェ
ノキシカ、ル′ボニｐ１ナフナルオキンカルボニρ等の
アリーμオキシカ〜ポニ／Ｖ基、フェノキシアセチμ、
フエノキシブロビオニｐ等の７二ノキシ（低級）アρカ
ノイμなどのアリールオキシ（低級）アルカノイ／＋４
，フェニルグリオキシロイ！、ルホニ〜等のアレーンス
〜ホニ／’基のよウナ芳香族アシル基、テノイρ、フロ
イ／Ｉ’等の複素環カルボニル基、チエ二μアセチμ、
フリルアセチ／Ｌ／ｆ。

の複素環（低級）アルカノイ／Ｌ’基、チエ二μグリオ
キンロイル、フリルグリオキシロイρ等の複素環グリオ
キシロイｌｖ基のような複素環式アシル基が含まれ、上
記複素環カルボニｌｖ基、複素環（低級）アルカノイ／
Ｌ／基、および複素環グリオキシロイ／ｌ／基における
複素環部分としては、さらに詳細には、例えば酸素、硫
黄、窒素等の複素原子を少な．くとも１個有する飽和ま
たは不飽和、単環または多環複素環式基が含まれる。そ
のうち、特に好ましいａ素環式基としては、例えばチエ
ニル、ジヒドロチイニル等の１ないし２個の硫黄原子を
含む不飽和ａないし８員（好ましくは６ｔたは６員）単
環複素環式基、フリル等の酸素原子を含む不飽和８ない
し８員（好ましくは５ないし６員）単環複素環式基等が
含まれる。

上に述べたアシル基は、所望によシ、工ないし６個の同
一または異なる適当な置換基を有していてもよい。置換
基としては、例えばメチル、エチル等の低級７μキル基
、メトキシ、ニドキシ、グμ、シクロヘキシｙ等のシク
ロ（低Ｒ）アルキル基、シクロヘキセニμ、シクロヘキ
サジェニル等のシクロ（低級）アμケ二ρ基、フルオロ
、クロロ、ブロモ醇のハロゲン、アミノ基、シアノ基、
＝）四基、力ρポキシ基、後述の保護されたカルボキシ
基、スルホ基、スルファモイル基、イミノ基、オキソ基
、アミノメチル１アミノエチル等のアミノ（低級→アル
キル基等が例示される。

このように定義されたＲ２におけるアシ口基の好マシい
例トしては、トリハロメタンスルホニル基訃よび低級ア
ルカノイμ基が挙げられる。

Ｒ８およびＲ４における「７〜キル」は低級または高級
アルキル基を含み、このような基の具体例としては例え
ば、メチル、エチル、プロピρ、イソプロピル、ブチ〃
、イソブチル、第８級ブチル、ペンチル、ネオペンチル
、ヘキシμ、オクチル等が挙げられ、好ましくは低級ア
ルキ／Ｌ’基が、さらに好ましくはＣ１−Ｃ８アμキ／
Ｉ／Ｔｇが挙げられる。

Ｒ４にふけるハロゲンとしては例えば、クロロ、ブロモ
、ヨード等が挙げられる。

Ｒ４における「アルコキシ」は低級または高級７μコキ
シ基を含み、このような基の具体例としては例えは、メ
トキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ′ロポキシ、ブ
トキシ、イソブトキシ、第８級ブトキシ、ペンチルオキ
シ、ネオペンチルオキシ、ペンチオキシ、オクチルオキ
シ等が挙ケラれ、好ましくは低級７μコキシ基が、さら
に好ましくはＣ□−Ｃ８ア〜コキシ基が挙げられる。

Ｒ４における「アシルオキシメチルＪのアシル部分は脂
肪族アシ／Ｖ基、芳香環を含むアシ口基および複素環を
含むアシｌｖ基を包含し、このようなアシル基の具体例
としては、前記Ｒ２で例示したアシ口基における具体例
をそのまま挙げることができ、好ましくは低級アルカノ
イ／Ｌ’基およびアミノ保護基で保護された力μパモイ
ρ基が、さらに好ましくはＣ１−０８アルカノイμ基お
よびトリハロＣ４Ｊｍｔ）７μカノイｙ力Ｉレバモイｐ
Ｔｉ、ｉ５挙ケられる。

Ｒ４における「置換基を有してｂてもよい複素環チオメ
チル」の複素環部分としては例えば酸素、硫黄、窒素等
の複素原子を少なくとも１個有する飽和または不飽和、
単環または多環複素環式基が含まれる。そのうち、特に
好ましい複素環式基と口ては、例えばピロリｐ、ビロリ
ニ〜、イミダゾリル、ビフゾリル、ピリジルおよびその
Ｎ−オキサイド、ジヒドロピリジル、ピリミジニル、ビ
フジニル、ピリダジニル、例えば、４Ｈ−１，２，４−
トリアシリ／Ｌ／、　　ＬＨ−１，２，８−トリアゾリ
ル、２Ｈ−１，２，８−トリアゾリルのようなトリアシ
リ〜、例えばＩＨ−テトフゾリρ、２Ｈ−テトラゾリル
のようなテトラゾリル等の１ないし４個の窒素原子を含
む不飽和ａないし８員（好ましくは６または６員）単環
複素環式基、ピロリジニル、イミダゾリルニμ、ピペリ
ジノ、ピペラジニル等の１ないし４個の窒素原子を含む
飽和８ないし８員（好ましくは５または６員）単環複素
環式基、インドリル、イソインドリル、イントリジニル
、ベンズイミダゾリル、キノリ〃、イソキノリル１イン
ダゾリル、ベンゾトリアシリ／Ｉ／等の１ないし４個の
窒素原子を含む不飽和縮合複素環式基、オキサシリル、
イソオキサシリμ、例えば１．２．４−オキサシアシリ
μ、　１，８．４−オキサジアゾリル、１、２．５−オ
キサシアシリμのようなオキサジアゾリル等の１ないし
２個の酸素原子どｌないし８個の窒素原子とを含む不飽
和８ないし８員（好ましくは５または６員）単環複素環
式基、七μホリニル、シドノニｙ等の１ないし２個の酸
素原子８１表いし８個の窒素原子とを含む飽和８ないし
８眞（好ましくは５または６員）単環複素環式基、ベン
ズオキサシリル、ベンズオキサジアゾリル等の１ないし
２個の酸素原子と１なりし８個の窒素原子とを含む不飽
和縮合複素環式基、チアゾリル、イソチアシリｙ１例え
ば１．２．８−チアシアシリρ、１、２．４−チアシア
シリＡ／１１，８．４−チアジアゾリル、１，２．５−
チアジアゾリルのようなチアジアゾリル、ジヒドロチア
ジニル等の１ないし２個の硫黄原子と１ないし８個の窒
素原子とを含む不飽和８ないし８員（好ましくは６また
は６員）単環複素環式基、チアゾリジニル等の１ないし
２個の硫黄原子と１ないし８個の窒素原子とを含む飽和
８ないし８員（好ましくは５″またけ６員）単環複素環
式基、チエニル、ジヒドロジチイ＝Ａ４（Ｄ　１　すい
し２個の硫黄原子を含む不飽和８ないし８員（好ましく
は５または６員）単環複素環式基、ベンゾチアシリρ、
ベンゾチアジアゾリル等の１ないし２個の硫黄原子と１
ないし８個の鼠素原子とを含む不飽和縮合複素環式基、
フリル等の酸素原子を含む不飽和８ないし８員（好まし
くは５ないし６員）単環複素環式基、ジヒドロオキサチ
イニ／ｌ’等の酸素原子と１ないし２個の硫黄原子とを
含む不飽和８ないし８員（好ましくは６ないし６員）単
環複素環式基、ベンゾチエニル、ペンゾジチイニ）ｖ等
の１ないし２個の硫黄原子を含む不飽和縮合複素環式基
、ベンゾオキサチイニル等の酸素原子と１ないし２個の
硫黄原子とを含む不飽和縮合複素環式基等が含まれる。

リル基または低級アルキμを有するテトラシリμ基が挙
げられる。

Ｔ３５における「保護された力〜ボキシ」としては、通
常のセファ０スポリンもしくはペニシリン骨核の４位も
しくは８位のカルレボキシ保護基トして用いられる、適
当な保護基で保護された力〃ボキシ基が含まれ、そのよ
うな保護された力〜ボキシ基としては例えば、エステル
化された力μボキシ基が含まれる。

上記エステル化されたカルボキシ基のエステル部分の適
当な例としては、メチルエステル、メチルエステル、プ
ロピルエステμ、イソプロピ〃エステｐ。

メチルエステル、イソブチルエステμ、第８級ブチμエ
ステｐ１ペンチルエステμ、ｇａｓベンチｐエステル、
ヘキシルエステル等の低級アルキルエステρ、１−ンク
ロプロピμエチ〃エステ〃等の低級シクロアルキ！Ｖ（
低Ｒ）アルキρエステμ、ビニルエステル、アリルエス
テル等の低級アルケ二μエステμ、エチニｐエヌテ〃、
プロピニルエステル等の低級アルキニμエステｐ１メト
キシメチルエステル、エトキシメチルエステル、インプ
ロポキシメチｐエヌテ／ｌ／、　　１−メトキシエチル
エステ／Ｉ／、　　１−エトキシエチ〜エヌデル等の低
級７μコキシア〜キルエステル、エチルチオメチルエス
テル、エチルチオメチルエステル、エチルチオエチルエ
ステル１イソプロピ〃チオメチルエステル ルキルエステル ２、　２．　２−トリクロロエチルエステル等のモノ（
もしくはジもしくはトリ）ハロ（低級）アρキｐエヌテ
μ、アセトキシメチルエステル、プロピオニμオキシメ
チμエステル、ブチリμオキシメチルエステμ、バレリ
ルオキシメチルエステル１ビバロイ〃オキシメチルエス
デμ、ヘキサノイルオキシメチルエステル、２−７セト
キシエチルエステル、２−グロピオニ〃オキシェチμエ
ステル等の低級アルカノイルオキシ（低級）アルキルエ
ステル、メジμメチルエステ／ｌ／，　２−メジｐエチ
ルエステル等の低級アμカンスμホニ／Ｉ／（　低ｍ　
）　ｙ　／ｌ／キルエヌエステルンジルエステ！、４−
メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエステ
ル１フエネチルエステ／９１）リチρエステル、ジフエ
二μメチルエステル１ビス（メトキンフェニル）メチｐ
エステ／＆，８．４ージメトキシベンジｐエステル等の
所望によυニトロ、ヒドロキシ、低級アμコキシ等を１
個またはそれ以上の適尚な置換基を有していてもよいフ
エニ／Ｌ／（低級）アルキルエステルのような７μ（低
級）アρキ〃エステル、フェニルエステル、トリルエス
テｙｖ、ｗｒｓａフ＋ルフエニμエステ〃、キシリルエ
ステル、メシチルエステル、クメニ〃エステル、４−ク
ロロフェニルエステμ、４−メトキシフェニルエステル
等の１個またはそれ以上の置換基を有していてもよイ、
所望によジハロゲン、低級アルコキシ等で置換されてい
てもよい置換または非置換フェニルエステμのようなア
リールエステμ、トリメチμシリ〜エステμ等のトリ（
低級）アμキルンリルエステｐ１メチルチオエステμ、
エチルチオエステμ等の低級アルキルチオエステル等が
含まれる。

この発明の目的化合物（１）の製造法をさらに詳しく説
明すると次のとおシである。

（１）　　ｌｉＩ造法１： 化合物（１）またはその塩類は化合物（ＩＩ’）もしく
はそのアミノ基における反応性誘導体またはその塩類に
トリハロメタンスｙホニｐ他剤を反応させることにより
ｍ造できる。

この反応で用いられる原料化合物（ト）は公知および新
規化合物を含み、新規化合物は公知化合物を合成する方
法と同様か、または常法によシ製造することができる。

化合物（至）の７ミノ基における反応性誘導体としては
例えば、化合物面とビス（トリメチルシリ／Ｉ／）アセ
トアミド、トリメチμシリμアセトアミド等のシリμ化
合物との反応で得られるシリ／′Ｌ／誘導体、イソシア
ネート、イソチオシアネート等、アミ７基とアセトアル
デヒド、イソベンドアルデヒド、ベンズアルデヒド、サ
リチルアルデヒド、フエ二μアセドアμデヒド、Ｐ−二
トロベンズ７１ｖデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド
、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ヒドロキシナフト７ｙ
デヒド、フルフラーｐ、チオフエンカｐポアμデヒド等
の７１ｖデヒド化合物、またはアセトン、メチ〜エチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、
アセトｈＥ酸エチル等のケトン化合物との反応で得られ
るシップ塩基またはそのエナミン型互変異性体が含まれ
る。

この反応で用いられるトリハロメタンスμホ二μ他剤と
しては例えば、トリハロメタンスルホン酸またはその酸
ハライドもしくは酸無水物等のトリハロメタン７Ｃ／Ｌ
／ｉン酸の反応性誘導体が含まれ、特に好ましいものと
しては酸クロフィト、酸ブロマイド、対称型酸無水物が
挙げられる。

この反応は好ましくは塩基の存在下で行なわれ、このよ
うな塩基としては例えば、水素化ナトリウム等の水素化
７μカリ金属、水素化カルシウム等の水素化アルカリ土
類金属、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化
アルカリ金属、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸
アルカリ金属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム
等の炭酸水素アルカリ金属、ナトリウムメトキサイド、
ナトリウムエトキサイド、カリウム第８級ブトキサイド
等のアルカリ金属アルコキサイド、トリエチ、ル′アミ
ン等のトリアルキ〃アミン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−
エチルアニリン醇のＮ−アρキ〃アリールアミン、Ｎ−
メチμベンジμアミン、Ｎ−エチルベンジルアミン等の
Ｎ−アルキｐアフルキルアミンのような第２級アミン、
Ｎ−メチルモル小リン等のＮ−アルキ！モルホリン化合
物、ピリジン、ルチジン、ピコリン、４−（Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノ）ピリジンのような４−（Ｎ、Ｎ−ジアル
キルアミノ）ピリジン等のピリジン化合物、１．５−ジ
アザビシクロ（４，ａ、ｏ）−５−ノネン、１．５−ジ
アザピシクロ（５，４，０）　−５−ウンデセン１．１
．４−ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン等のジア
ザビシクロ化合物、トリトンＢ等のＭ４級アンモニウム
塩等の無機または有機塩基が含まれる。

この反応において、トリハロメタンスルホン酸またはそ
の塩の状態で使用する際は、例えばＮ、Ｎ＝−ジシクロ
ヘキシμカルボジイミド、Ｎ−シクロヘキシＡｌ−Ｎ１
−七ｐホリノエチルカルボシイミド、Ｎ−シクロヘキシ
ル−Ｎ”−（４−１／エチρアミノシクロヘキＶ／ｌ／
　）力〃ポ、ジイミド、Ｎ、ＮＩ−ジエチルカルボジイ
ミド、Ｎ、Ｎ−−ジイソプロビルカルポジイミド、Ｎ−
エチル−ＮＩ−（８−ジメチルアミノプロピＩｖ）カル
ボジイミド等の力〃ポジイミド化合物、ポリ燐酸エチμ
、ポリ燐酸イソプロピ！、塩化ホスホリン、５塩化燐等
の燐化合物、塩化チオニル、塩化オキザロ〃の他、ジメ
チルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル
ホμムアミド等のアミド化合物と塩化チオ二μ、塩化ホ
ヌホリへ、ホスゲン等のハロゲン化合物との反応で得ら
れるいわゆるビρスマイヤー試薬等の縮合剤の存在下に
行なうのが好ましい。

この反応は通常、塩化メチレン、クロロホルム、テトフ
ヒドロフフン、ジオキサン、酢酸エチ／Ｉ’専のこの反
応に悪影響を与えない慣用溶媒またはそれらの混合物中
で行なわれる。

反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし加温
程度の緩和な条件で行なわれる。

（２）製造法２： 化合物（Ｉ）またはその塩類は化合物ＣＩ）またはその
塩類にアシρ他剤を反応させることによシ製造できる。

この反応で用いるアシρ他剤としては、前記Ｒ２の定義
で述べたアシｙ基を導入しうる有機カルボン酸、有機ス
ルホン酸およびそれらの反応性誘導体が含まれる。

アシμ他剤の適当な反応性誘導体としては例としては、
酸クロライド、酸ブロマイド、置換燐酸（例えば、ジア
ルキル燐酸、フエ二μ燐酸、ジフェニル燐酸、ジペンジ
ρ燐酸、ハロゲン化燐酸等）混合無水物、ジアルキル亜
燐酸混合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水
物、硫酸混合無水物、ア〃キ／Ｉ／次酸（例えば、メチ
／Ｖ次酸、エチル炭酸）混合無水物、脂肪族力μボン酸
（例えば、ビパ’Ｊ／ｌ／酸、ペンタン酸、イソペンタ
ン酸、２−エチルブタン酸、トリクロ称型酸無水物等が
挙げられる。

このような反応性誘導体は、実際に用いる化合物（２）
の種類に応じて適宜選択される。

この反応は、製造法１と実質的に同じ方法で行なわれ、
従って、度広顔様（例えば、塩基、縮合剤等）、度広条
件（例えば、反応溶媒、反応温度等）等は製造法１で述
べた説明をそのまま援用できる。

（８）製造法８： 化合物（１’）またはその塩類は化合物印もしくはその
アミノ基における反応性誘導体またはその塩類にアシμ
他剤を反応させることによ〕製造できる。

この反応は製造法２と実質的に同じ方法で行なわれ、従
ってアシμ他剤の具体例等は製造法２で述べた例をその
まま挙げることができ１、更に反応顔様（例えば、塩基
、縮合剤等）、反応条件（例えば、反応溶媒、反応温度
等）等は製造法１で述べた説明をその゛まま援用できる
。

（菊　製造法４： 化合物（１）またはその塩類は化合物（Ｉｔ＠）−！た
はその塩類にトリハロメタンスμホニμ他剤ヲ反応させ
ることによシ製造できる。

この反応は製造法１と実質的に同じ方法で行ナワれ、従
ってトリハロメタンスルホニρ他剤、仄戯−様（例えば
、塩基、縮合剤等）、反応条件（例えば、反応溶媒、反
応温度等）等は製造法１で述べた説明をそのまま援用で
きる。

（６）製造法６： 化合物（１）もしくはその塩類またはその水化物は化合
ｍｌ）またはその塩類に塩基を反応させ、次いで加水分
解に付すことによシ行なわれる。

この反応において、化合物（１）ｔたはその塩類に塩基
を反応させることによシ、下記に示す構造を有する化合
物が−たん生成し、 （式中、Ｒ２およびＡはそれぞれ前記と同じ意味） この中間体（Ｙ）を加水分解に付すことによシ目的化合
物（１）を得ることができる。

この反応で用いられる塩基としては、上記製造法１で例
示した有機塩基の具体例がそのまま挙ケられ、好ましく
はトリアルキルアミンうな第８級アミンおよびジアザビ
シクロ化合物が挙げられる。

また、この反応における加水分解は通常の”、ｃ＝Ｎ−
基をス＝０基に変換しうる加水分解が適用され、このよ
うな加水分解としては例えば、塩酸、臭化水素酸、硫酸
、燐酸等の無機酸、キ酸、酢酸、プロピオン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、トμエンスｐホン酸等の有機酸のような
酸存在下における加水分解が挙げられる。

この反応は通常この反応に悪影響を与えない溶媒中で行
なわれ、そのような溶媒としては例えば、前記製造法１
で述べた溶媒の具体例をそのまま挙げることができる。

反応温度は特に限定されないが、通常冷却下ないし加温
程度の緩和な条件で行なわれる。

この反応において、式（１）で示されるオキソ基を有す
るアゼチジノン化合物は次の式（ｌ・）で示される水化
物の形として単離されることもあるが、このような化合
物も目的化合物に含まれこの発明の製造法において、上
記製造法１〜４０目的化合物（１）、個）および（１つ
を単離せずにそのまま次の製造法に付すこともできる。

この発明によシ製造されるオキソ基を有するアゼチジノ
ン化合物もしくはその塩類またはその水化物は例えば、
下記に示す文献記載の方法によシ、抗菌剤として有用な
物質に変換できる。

（１）ジェー・シー・シー／７　（Ｊ．　Ｃ．　Ｓｈｅ
ｅｈａｎ）等 ジャーナルオプジオーガニックケミヌトリー第３８巻第
８２２７頁（１９７８年） （匂　ジェー・シー・シーハン等、 ジャーナルオプジオーガニックケミストリー第４２巻第
１０１２頁（１９７７年） （荀　特許公開公報昭和６２年第５７８８号次に、この
発明を実施例によシ詳細に説明する。

（凧下市自） 実施例１ （１）７−アミノ−３−（１−メチ／Ｌ／−ＩＨ−テト
ヲゾール−５−イルチオメチμ）−８−セフェム−４−
力μボン酸ベンズヒドリルエステル（３．９６ｙ）の塩
化メチレン（６０＋？）溶液を一６０℃に冷却した後ト
リエチμアミン（３４５ｍ／）およびトリフμオロメタ
ンスρホンｅｆｆｈｋ物（　４．　７　１　ｓｔ　）を
加え、同温度で１時間、−５０〜−８０℃で８０分間、
次いで−８０〜−１０℃で８０分間攪拌する。反応液を
冷塩化ナトリウム水溶液に注加し、ジエチルエーテ／Ｉ
／（２５０Ｍｔ）および酢酸エチ／’（５０ｇｔ）の混
合溶媒で抽出する。抽出液を塩化ナトリウム水溶液で洗
浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する。

得られる結晶性固体をジイソプロピルエーテルおよびヘ
キサンの混合溶媒で洗浄すると、７−（Ｎ，Ｎ−ビス（
トリフμオロメタンスルホニ／ｌ／）アミノ）−８−（
１−メチ／ｌ／−ＩＨ−テトラゾ−）ｖ−５−イルチオ
メチ）ｖ　）　−　８−セフェム−４−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステ／ｌ／（５．４（Ｈ’）を得る。

ｍｐ１２５〜１２７℃（分解） 工Ｒ（ヌジッールつ：１８００，１７２０．１２４０　
ｃｍ−”ＮＭＲＪｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：　８．８４
　（２Ｈ，ＡＢｑ　、　Ｊ＝１４Ｈｚ）　、４．６０（
２Ｈ，ＡＢ（１，、ｒ＝１８Ｈ２）　、５．１４（ＩＨ
，ｄ、、ｒ＝５Ｈｚ）、５．９０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５Ｈ
ｚ）。

７．０７（ＩＨ，Ｓ）、７．８−７．７（ＩＯＨ，ｍ）
（匂　７−アミノ−８−（ｌ−メチμｍＩＨ−デトフゾ
ー／ｌ／−５−イルチオメチル）−３−セフェム−４−
カルボン酸ベンス゛ヒドリルエステ／ｌ／（５，００ｆ
）の塩化メチレン（１００ｇ？）溶液を一６５℃に冷却
した後トリメチルアミン＜１．５５Ｍ１）およびトリフ
〃オロメタンスμホン酸無水物（１，８７ｇ／）を加え
、同温度で８０分間攪拌する。反応液をＩＮ塩酸を含む
塩化ナトリウム水溶液および塩化ナトリウム水溶液で順
次洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する
。得られる油状物を酢酸エチルおよびジエチルエーテ〃
の混合溶媒で結晶化し戸数すると７−（Ｎ−トリフルオ
ロメタンスρホニ〃アミノ）−ｓ−（ｉ−メチル−１Ｈ
−テトヲゾー／Ｌ／−５−イ〃チオメチ／ｌ／）−８−
セフェム−４−カルボン酸ベンズヒトリμエステ／Ｌ’
（４，９０ｆ）を得る。

ｍｐｌｏｏ−１０５℃ ＩＲ（ｙ＜ジｗ−／’）：１７８０．１７２０．１２４
０　ｃｍ−’ＮＭＲＪｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）：　８．７
ｇ（２Ｈ，−ｙ’ｏ−ド　ｓＬａ、ａｏ（ａＨ，ｓ）、
４．ａａ（ｚａ、ＡＢｑ、Ｊ＝１８Ｈ２）。

５．００（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ）、５．４０（ＩＨ，
ｄ、、Ｔ＝５Ｈｚ）。

６．９８（ＬＨ，Ｓ）、’１２−７．６（ＩＯＨ，ｍ）
上記で得られた化合物（１，００ｇ）を塩化メチレン（
ｚｏｇｔ）に溶解し、−６０℃に冷却する。

この溶液にトリエチルアミン（０，８２１）およびトリ
フ〜オロメタン７−ＩＶホン酸ｆｍ水物（０，９Ｏｆ　
）を加え、同温度で１時間、次いで−５０〜−８０℃で
１時間攪拌する。反応液を塩化ナトリウム水溶液に住方
し酢酸メチμで抽出する。抽出液を塩化ナトリウム水溶
液で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去す
る。得られる油状残渣をジイソプロピルエーテルで結晶
化すると７−（Ｎ、Ｎ−ビス（トリフμオロメタンスル
＊二／Ｌ／）アミノ〕−８−（１−メチ／Ｌ／−ＩＨ−
テトラゾ−Ｉ＋／−５−イルチオメチ１ｖ）−ａ−セフ
ェム−４−カルボン酸ベンズヒトリ〜エステ＃（０，８
５Ｆ）を得る。

工Ｒ（ヌジｇ−／Ｌ’）：１８００，１７２０．１２４
００Ｘ−１（８）？−（Ｎ、Ｎ−ビス（トリフμオロメ
タンスルホ二／Ｉ／）アミノ）−ｓ−（１−メチ１ｖ−
ＩＨ−７−）ラゾー／ｖ−５−イμチオメチ／Ｉ／）−
８−セフェム−４−社＝カルボン酸ベンズヒトリ〜エヌ
テル＜ｘ：ｚｒｙ＞の塩化メチレン（１５ｍ／）溶液を
一６０℃に冷却した後トリエチルアミン（０，４０８ｇ
？）を加え、同温度で１．５時間攪拌する。ベンゼンお
よび０．ＩＮ塩酸の混液に住方した後有機溶媒層を分取
する。塩化ナトリウム水溶液で洗浄し硫酸マグネシウム
で乾燥した後溶媒を留去する。得られる油状物をシリカ
ゲルを用い九カラムクロマトグラフィーに付しベンゼン
およびアセトン（容量比１００：２〜１００：８）の混
液で溶出する。

目的物を含む両分を集め、減圧下で濃縮乾固すると、油
状０７−、ｔキソ−８−（１−＃−／ｖ−ＩＨ−テトラ
ゾー／ｌ／−５−イルチオメチ）ｖ）−Ｂ−セフェム−
４−カルボン酸ベンズヒドリルエステμ（０，５８ｙ）
を得る。

ＩＲ（ＣＨＣＬ３）　：１８２０　、１７８０　、１７
２０　ｃｍ−’Ｎ？ｖｉＲＪｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）：　
８．７６（２Ｈ，７１＝１−ド　５）ｅ８．８０　（ｉ
９Ｈ，Ｓ）　、　４．３４（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１４Ｈ
ｚ）　、　５．２８（ＩＨ，Ｓ）、７．０Ｏ（ＩＨ，Ｅ
３）、７．１−７．５（ＩＯＨ，ｍ）実施例２ （１）　　７−７ミノセフ７０スボヲン酸ベンズヒドリ
〜エステ／ｌ／（１，７１〜）の塩化メチレン（２０肩
ｌ）溶液を一６５℃に冷却した後トリエチルアミン（１
，０６Ｆ）およびトリフμオロメタン７−ｌホン酸無水
物（２，８（１）を加える。２時間を要して反応温度を
徐々に０℃まで昇温させながら撹拌する。この溶液を一
６０℃に冷却した後トリフルオロメタンスルホン酸Ｃ０
，５Ｔｆ）およびトリメチルアミン（０，２１）を加え
、１時間４０分を要して反応温度を徐々に一１０℃まで
昇温させなから攪拌する。反応液を酢酸メチμおよび水
の混液に住方した後有機溶媒層を分取する。この溶液を
水および飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去すると、７−（Ｎ
、Ｎ−ビス（トリフルオロメタンスルホン酸 ル）アミ文〕セファ０スポツン酸ベンズヒドリρエステ
＊（２，４Ｅｌ）を得る。

ｘＲ（ＣＨ２Ｃ１□）　：１８１０　＊　１７５０−１
２２０−１１６０Ｃｍ−”（２１７−アミツセフ７０ス
ポラン酸ベンズヒドリρエステ／Ｌ／（ｘ、ｏｆ）の塩
化メチレン（１５ｍ／）溶液を一６０℃に冷却した後窒
素気流中でトリエチルアミン（０，２７’ｌ）およびト
リフルオロメタンスルホン酸無水物（０，７０８Ｆ）を
加え、同温度で１０分間攪拌する。反応液を酢酸エチル
および希塩酸の混液に住方した後有機溶媒層を分取ゑ する。この溶液のＩＮ塩酸次いで塩化ナトリウム水溶液
で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留去する
。得られる残渣をシリカゲ／Ｌ／（１６ｆ）を用いたカ
ラムクロマトグラフィーに付し、塩化メチレンおよび酢
酸エチ）Ｖ（容量比１５：１）の混合ｒｔ１ｆ！Ｘで溶
出する。目的物を含む画分を集め溶媒を留去すると、？
−（Ｎ−トリフルオロメタン；１．Ｉｔ／ホニμアミノ
）七７７０スポツン酸ペンズヒドリルエヌテ、１１／（
ｘ−ｏ８ｇ）を得る。

工Ｒ（ＣＨ２Ｃ１２）　：１８００．１７９０．１７８
０．１２１０ｒ”ＮＭＲδｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　
：　１．９６（８Ｈ，Ｓ）　、　３．６４（ｚＨ，ｍ）
、４．７４（２Ｈ，ＡＢ（１，Ｊ＝１ａａＺ）＊５．１
５（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．５Ｈ２）、５．６７（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝４．５Ｈｚ）。

６．８９（ＩＨ，Ｓ）、７．２−７．５（ＩＯＨ，ｍ）
このようにして得られた化合物（１，４０ｙ）を塩化メ
チレン（２０Ｍｌ）に溶解し、−６０ｂｌ’ｃ冷却した
後トリエチルアミン（０，２６４Ｆ）およびトリフルオ
ロメタンスルホン酸無水物（０，６６９ｇ）を加え、１
時間２０分を要して反応温度を一２０℃まで徐々に昇温
させながら攪拌し、−要冷蔵庫内で放置する。反応液を
約８分の１まで濃縮し、濃縮液を酢酸エチｐに住方する
。この溶液をｌＮ塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液、水
次いで塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄し硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。溶媒を留去し得られる残渣（１，８Ｂ
ｙ）をシリカゲＡ／（２５Ｆ）を用いたカラムクロマト
グラフィーに付し、塩化メチレンで溶出する。

目的物を含む画分を集め溶媒を留去すると、７−（Ｎ、
Ｎ−ビス（トリフルオロメタンスルホニルアミノコセト
リ０スポラン酸ペンズヒトリルエヌテ）ｖ（０．６ｔｆ
）を得る。

より（ＣＨ２Ｃ１２）：１８１０，１７５０．１２２０
，１１６０Ｃ！ｒ”ＮＭＲδｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：
２−０８（８Ｈ，Ｓ）　、８．５０（２Ｈ。

ＡＢｑ，　、Ｔ＝１　６Ｈｚ）　、　５．０　０　（Ｉ
Ｈ，ｄ，Ｊ＝４Ｈｚ）　、　５．１　０（２Ｈ，ＡＢｑ
，、Ｔ＝１４Ｈｚ）　、５．８０（　ＩＨ，ｄ，Ｊ＝４
Ｈｚ）　。

ｓ．９ｓ（１ｎ，ｓ）、７．ｓａ（１ｏＨ．ｓ）（１３
）　　’７−（Ｎ，Ｎ−ビス（トリフルオロメタンスル
ホニル リρエヌテ／ｌ／（２．４１）の塩化メチレン（２０ゴ
）溶液を一６０℃に冷却した後トリエチルアミン＜０．
８９４１）を−度に加える。同温度で４０分間攪拌した
後トリエチルアミン（０．０７８Ｆ）を−５０℃で加え
、攪拌しながら８０分を要して反応温度を一３６℃まで
昇温させる。反応液を酢酸エチルおよび希塩酸の混液に
住方し、有機溶媒層を分取する。この溶液を希塩酸欠す
で飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した後硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。得られる残渣（２．２２ｇ）をシリカ
ゲル（ｚｓｇ）を用いたカラムクロマトグラフィーに付
し、塩化メチレン次いで塩化メチレンおよび酢酸エチ／
ｌ／（容量比１０二１）の混合溶媒で溶出する。目的物
を含む両分を集め、溶媒を留去すると油状の７−オキツ
セフ７０スボラン酸ベンズヒドリルエステ／Ｉ／（　１
−４　０　９　）ｔｊＧル。

工Ｒ（ＣＨ２Ｃ１□）：１８８０．１？９０，１７４０
イ１ＮＭＲδｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：２−００（８Ｈ
，８）　、８．５０（２Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１８Ｈｚ）、
４．！Ｉｌｌ（２Ｂ，ＡＢｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ）、５．２
７（ＩＨ，Ｓ）、７．００（ＩＨ，Ｓ）、７．８８（Ｉ
ＯＨ，Ｓ） 実施例３ （１）　　Ｓ−７ミノベニシラン酸ベンジμエステルの
１）−）ルエンヌルホン酸塩（４７８ダ）ヲ酢酸エチμ
および炭酸水素ナトリウム水溶液の混液に加える。酢酸
エチル層を分取し残留する水溶液を酢酸エチルで抽出す
る。酢酸エチ／Ｌ’層を合し飽和塩化ナトリウム水溶液
で洗浄した後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去
し、得られる残渣Ｃ’８２０Ｋｆ）を塩化メチレン（６
ｇ？）に溶解した後トリエチルアミン（２４２Ｍｆ）お
よびトリフルオロメタンスルホン酸無水物（７９５ｔ９
）を−６０℃で加え、攪拌しながら約２時聞手を要して
反応温度を０℃まで昇温させ、さらに０℃で８０分間攪
拌を続ける。反応液に酢酸エチルを加え希次酸水素ナト
リウム水溶液、ＩＮ塩酸および飽和塩化ナトリウム水溶
液で順次洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を留
去すると、６−（Ｎ、Ｎ−ビス（トリフρオロメタンス
ρホニル）アミノコペニシラン酸ベンジμエステｌｖ（
４６７Ｍｙ）ｔ−ｉル。

ＩＲ（ヌジｗ−１ｖ）　：１８００　＃　１７８５　＊
　１７２５　ｔ７１”−”ＮＭＲδｐｐｍ（アセト／−
ｄ６）：１．５０（８Ｈ，Ｓ）、１．７１（８Ｈ，Ｓ）
、４．５２（ＩＨ，Ｓ）、５．２５（２Ｈ，Ｓ）、５．
４５（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．５Ｈｚ）、６．２６（ＩＨ，
ｄ、Ｊ＝８．５Ｈ２）。

７．８８（５Ｈ，！９） （２）　　６−（Ｎ、Ｎ−ビス（トリフルオロメタンス
ルホニ／Ｌ／）アミノ〕ベニシヲン酸ベンジμエステル
（４６７Ｆ４）を塩化メチレン（６ｍｌ）に溶かし一６
０℃に冷却する。この溶液にトリエチルアミン（７ｘｑ
）を加え８０分間攪拌した後さらにトリエチルアミン（
２２ｑ）を加え、１０分間攪拌する。反応液を酢酸エチ
ｐおよびＩＮ塩酸の混液に加えた後右ａ溶Ｗ、届を分取
する。この溶液を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した
後硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し得られる
残渣（４２ａｑ）をシリカゲル（４，５ｙ）を用い九カ
ラムクロマトグヲフィーに付し、塩化メチレンおよび酢
酸エチルの（容量比ｓ’：　１　）の混合溶媒で溶出す
る。目的物を含む画分を集め溶媒を留去すルト、油状の
６−オキツベニシラン酸ベンジルエステ／ｌ／（２８９
り）を得る。

ＩＲ（ＣＨ２Ｃ１゜）：ｘｓａｏ、１７ｓｏ、１７ａ５
０−１ＨＭＲδｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：１．４８（８
Ｈ，Ｓ）　、１．５５（８Ｈ。

Ｓ）、４．８２（ＩＥ（、Ｓ）、５．２４（２Ｈ，Ｓ）
、５．７９（ＩＨ。

ｓ）　、’ｒ、ａａ（６Ｈ，ｓ）　。

実施例４ ７−アミツセフ７０スボヲン酸ベンズヒドリルエステル 溶液を一６０℃に冷却した後トリエチルアミン（１．２
９Ｉｌ？）およびトリフμオロメタンスμホン酸無水物
（１．５２ｒｔ）を加え、攪拌しながら２．５時間を要
して反応温度を一８℃まで徐々に昇温させる。反応液を
一６０℃に冷却し、トリエチルアミン（（１６２ｊ＋ｔ
）を加えた後更に５０分間攪拌する。この撹拌中に反応
温度を徐々に一８０℃まで昇温させる。反応液を酢酸エ
チルおよび水の混液に住方し、有機溶媒層を分取する。

この溶液をＩＮＮ塩酸−で飽和塩化ナトリウム水溶液で
洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒を留去し、得
られる残渣（２．８４ｆ）をシリカゲル（２５ダ）を用
いたカフムクロマトグツフィーに付し塩化メチレン、次
いで塩化メチレンおよびアセトン（容量比１９：１）の
混合ＩＢ＃Ｘで溶出する。目的物を含む自分を集め、減
圧下で濃縮乾固すると、７−オキソセフ１０スボラン酸
ベンズヒドリμエステｌｖ（０．８６Ｆ）の粗製物を得
る。

工Ｒ（ＯＨ２Ｃ１２）　：　１８Ｂ０　、１７９０　、
　１７４’Ｏ　ｃｒｓ−”実施例５ ７−アミノ−８−メトキシ−８−セフェム−４−カルボ
ン酸４−ニトロベンシルエステルにトリフμオロメタン
スルホン酸無水物、トリエチルアミンおよび塩酸を実施
例１〜４と同様に反応させ、７−オキソ−８−メトキシ
−８−セフェム−４−カルボン酸４ーニトロベンジルエ
ステ／Ｌ／（１水化物）を得る。

ｍｐＨ５　〜１２０℃（分解） 工Ｒ（ヌジ町−／Ｌ’）：１７７０．１７５０　０ｇ−
”ＮＭＲδｐｐｍ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　：　８．５　６
　（　２Ｈ，ＡＢｑ　、Ｊ＝１６Ｈｚ）、８．７７（８
Ｈ，Ｓ）、４．７５（ＩＨ，Ｓ）、５．８８（２Ｈ，Ｓ
）、７．７８（２Ｈ，ａ，、Ｔ＝９Ｈｚ）、８．８１（
２Ｈ。

ｄ，Ｊ＝ｓＨｚ） 実施例６ ツーアミノ−８−クロロ−８−セフェム−４−カルボン
酸４−ニトロベンシルエステルにトリフルオロメタンス
μホン酸無水物、トリエチルアミンおよび塩酸を実施例
１〜４と同様に反応させ、７−オキソ−８−クロロ−８
−セフェム−４−カルボン酸４−ニトロベンジルエステ
ｌｖ（１水化物）を得る。

ｍｐ１０５〜１０６℃（分解） 工Ｐ（ヌジｗ−ｌ）：１７９０，１７８５　０Ｈ−”Ｎ
ＭＲＪｐｐｍ（ＤＭＳＯ＝ｄ６）：８．８８（２Ｈ，Ａ
Ｂ（１，Ｊ＝１７Ｈｚ）、４．９７（ＩＨ，８）、５．
５０（２Ｈ，Ｓ）、７．７５（２Ｈ，ｄ、、ｒ＝９Ｈｚ
）、８．８０（２Ｈ，ｄ、、ｒ＝９Ｈ２）実施例７ ツーアミノ−８−セツエムー４−力〃ポン酸４−ニトロ
ベンジμエステ／ｌ／Ｋ）す７／ｌ／オロメタンスρホ
ン酸、無水物、トリエチルアミンおよび塩酸を実施例１
〜４と同様に反応させ、７−オキソ−８−セフェム−４
−カルボン酸４−ニトロベンジμエステルｔ−得る。

ｍｐ１４１〜１４２℃（分解） ＩＲ（ＣＨ２（：！１２）　：１８Ｂ０，１７９０．１
？８０　、１５２０ｃＩｒＩＮＭＲδｐｐｍ（ＣＤ０１
Ｂ）：８．６０（２Ｈ，ｍ）、５．２９（ＩＨ。

Ｓ）、５．４０（２Ｈ，８）、６．６９（ＩＨ，ｄｄ、
Ｊ＝５Ｈｚ、６Ｈ２）。

？、６０，８．１９（４Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施
例８ ７−アミノ−２−メチル−８−セフェム−４−カルボン
酸２．２．２−トリクロロエチルエステルにトリフルオ
ロメタンフルホン酸無水物、トリエチルアミンおよび塩
酸を実施例１〜４と同様に反応させ、７−オキソ−２−
メチル−８−セフェム−４−力〃ボン酸２．２．２−ト
リクロロエチルエステμを得る。

ｍｐ９８℃ ｘＢ（０Ｈ２Ｃ１２）　：１８２０−１７８０−１７８
０　ａｒ”ＮＭＲδｐｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：　ｉ、５
２（ｇＨ，ｄ、、ｒ＝’ｒＨｚ）　。

８．７５（ＩＨ，ｄｑ、Ｊ＝６Ｈ２，７Ｈｚ）、４．９
８（２Ｈ，Ｓ）。

５．２５’（ＩＨ，Ｓ）、６．７９（ＩＨ，ｄ、、Ｔ＝
６Ｈｚ）実施例９ ７−アミノ−１−オキサゾチア−８−セフェム−４−力
μポン酸ベンジμエステルにトリフルオロメタン７／Ｌ
／ホン酸無水物、トリエチルアミンおよび塩酸を実施例
１〜４と同様に反応させ、７−オ（以丁余自） キン−１−オキサゾチア−３−セフェム−４−カルシボ
ン酸ベンジルエステ／’ヲ得ル。

Ｉｎ（Ｃ）１ｚＣ１２）：１８２０，１７８０．１７２
０　ＣｒＩＮＭＲδ’ｐ’ｐｍ（ＣＤＣｌ２）　：４．
６６（２Ｈ，ｍ）　、５．２６（ＩＨ。

Ｓ）、５．１１１１（２Ｈ，Ｓ）、６．４５（ＩＨ，ｍ
）、？、１１７（５Ｈ，Ｓ）実施例１０ ７−アミノ−８−（Ｎ−（２，２，２−トリクロロアセ
チル）カルパモイｐオキシメチμ〕−８−セフェム−４
−カルボン酸ベンズヒドリルエステルニトリフルオロメ
タンスルホン チルアミンおよび塩酸を実施例１〜４と同様に反応させ
、７−オキソ−８　−　（　Ｎ　−　（　２，２．２−
トリクロロアセチル）カルバモイルオキシメチル８−セ
フェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステル ＩＲ（ＣＨ２Ｃｌ。）　：　８８Ｂ０　、　１８２５（
和．１８０５．１７９０。

１７５０（肩）、１７８０　ａＩＩ ＮＭＲδｐｐｍ（ＣＤＣ１８）：８．６０（２Ｈ，ＡＢ
ｑ，Ｊ＝２０Ｈｚ）　。

５、１５（２Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ）　、５．８８
（ＩＨ，Ｓ）　、７．１０（ＩＨ，Ｓ）、７．４４（Ｉ
ＯＨ，Ｓ）、８．７８（ＩＨ，）■−ド　Ｓ）実施例１
１ ７−アミノ−、８−メチ／Ｉ／ーＢーセフェムー４ーカ
〃ポン酸２，　２．　２−トリクロロエチルエステルに
トリフルオロメタンスルホン酸無水物、トリエチルアミ
ンおよび塩酸を実施例１〜４と同様に反応させ、７−オ
キソ−８−メチ／Ｉ／ー８ーセフェムー４ー力ｔｖホン
酸２，　２．　２−トリクロロエチルエステルを得る。

ＩＲ（　ａｎ２ａ１２）　：１８２　０　＊　１７８　
０　−　１７４０　ｃｍ−”ＮＭＲδｐｐｍ（　ｃＤｃ
１８）　：２．８　７　（　８Ｈ，　Ｓ　）　ｅ　８．
５　０　（　２Ｈ−ＡＢｑ，、Ｔ＝１８Ｈｚ）　、４．
９８（２Ｈ，ＡＢｑ，Ｊ＝１　１Ｈｚ）　。

５、１３８（ＩＨ，Ｓ） 実施例１２ ７−アミノ−８−（１，ａ，ａ−チアジアゾール−２−
イルチオメチル ボン酸ベンズヒドリμすステルにトリフルオロメタンス
ルホン酸無水物、）リエチ〃アミンおよび塩酸を実施例
１〜４と同様に反応させ、７−オキソ−８−（１，８．
４−チアジアゾ−／ｖ−２−イμチオメチ／ｌ／）−８
−セフェム−４−カルボン酸ベンズヒドリルエステｐを
得る。

工Ｒ（ＣＨＣＩ　）：１８２５，１７８０，１７２０．
１６６５イ１実施例１８ ７−７ミノセフ７０スポツン酸にトリフμオロメタン７
１ｖホン酸無水物、トリエチルアミンおよび塩酸を実施
例１〜４と同様に反応させ、７−オキソセフ１０スボラ
ン酸を得る。

１Ｂ（ヌジ＊−り：８４５０７８１５０．１８８５．１
７８０゜１７８５．１７１０（肩）、１６４０口「１実
施例１４ ６−（Ｎ、Ｎ−ビス（トリフρオロメタン７．／Ｉ／ホ
ニｊｖ）７ミノ〕ベニシフン酸ベンジルエステ〃（０，
８０ｇ）のテトラヒドロフラン（８ｇ／）溶液を一６０
℃に冷却した後１．５−ジアザビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−５（０，２９８ｙ）を加え、同温度で３０
分間攪拌する。この反応液にｐ−）μエンスルホン酸（
１水化物）（ｏ、ａ２Ｆ）を加え、−５２℃で１０分間
攪拌する。反応液を酢酸エチルおよび水の混液に住方し
、有機溶媒層を分取した後希塩酸、次いで塩化ナトリウ
ム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥する。溶媒
を留去し得られる油状物（０，６７ｇ）に四塩化炭素を
加え析出する固体を炉去する。炉液を濃縮した後シリカ
ゲ／Ｌ／（６，５Ｆ）を用い九カラムクロマトグラフィ
ーに付し、塩化メチレンおよび酢酸エチμ（容量比６：
１）の混合溶媒で溶出する。目的物を含む両分を集め、
減圧下で濃縮乾固すると、黄色油状の６−オキソベニｙ
フン酸ベンジルエステ／ｌ／（２８０り）を得る。

ＸＥＣ（Ａｌ２Ｏ２，□）：１ｓｓｏ、ｘｒｓｏ、１ｒ
ａｓ　ａｎ−”実施例１５ （１）　　７−　（Ｎ−トリフルオロメタンスルホニル
アミノ）セファロスポラン酸ベンズヒドリルエステ／Ｌ
／（２９０η）の塩化メチレン（６ｇ？）溶液を一６０
℃に冷却した後トリエチルアミン（１９９Ｍ？　）　、
次いで酢酸クロリド（１５０ｑ）を加え−４０℃で２時
間撹拌する。反応液に酢酸エチμおよび氷水を加えた後
有機溶［Ｕを分取する。この溶液を水次いで塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄し１ｉｉｔ酸マグネシウムで乾燥した
後溶媒を留去する。

得られる残渣（５１０ダ）をシリカゲ／Ｉ／（３，５ｇ
）を用い九カラムクロマトグラフィーに付し塩化メチレ
ンで溶出する。目的物を含む画分を集め溶媒を留去する
と、７−（Ｎ−アセチμ−Ｎ−トリフルオロメタンス〃
ホニμアミノ）セファ０スボヲン酸ベンズヒドリμエス
テｉｖ（８８４Ｍｆ）を得ル。

■奴ＣＨ２Ｃｌ□）：１８００．１７４０，１２１５α
Ｎ’ｙｍδｐｐｍ（ＣＤＣ１８）：２．０２（ＩＨ，ｓ
）、２．５８（８Ｈ。

Ｓ）、３．８６（２Ｈ，ＡＢ（１，Ｊ＝１６Ｈｚ）、４
．９９（ＩＥＩ、ｄ。

４．５Ｈｚ）、５．０６（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１８Ｈｚ
）、５．４５（ＩＨ，ｄｊ＝４．５Ｈｚ）、６．９２（
ＩＨ，ｓ）、？−８（ＩＯＨ。

Ｓ） 特許出願人　藤沢薬品工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中Ａ′は基 ▲数式、化学式、表等があります▼ （基中、Ｒ＾３は水素もしくはアルキル、Ｒ＾４は水素
   、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アシルオキシメチ
   ルもしくは置換基を有していてもよい複素環チオメチル
   、Ｒ＾５はカルボキシもしくは保護されたカルボキシ、
   Ｘは−Ｓ−もしくは−Ｏ−をそれぞれ意味し、 ただし、Ａ′が基 ▲数式、化学式、表等があります▼ であるとき、Ｒ＾４は水素、ハロゲン、またはアルコキ
   シを意味し、Ｒ＾３およびＲ＾５は前記と同じ意味）を
   意味する］ で示されるオキソ基を有するアゼチジノン化合物もしく
   はその塩類またはその水化物。