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JPH02269922A - Temperature sensor circuit - Google Patents

Temperature sensor circuit

Info

Publication number
JPH02269922A
JPH02269922A JP9238889A JP9238889A JPH02269922A JP H02269922 A JPH02269922 A JP H02269922A JP 9238889 A JP9238889 A JP 9238889A JP 9238889 A JP9238889 A JP 9238889A JP H02269922 A JPH02269922 A JP H02269922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
temperature
circuit
collector
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9238889A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michiaki Yamagata
通昭 山県
Yukikiyo Ando
進清 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP9238889A priority Critical patent/JPH02269922A/en
Publication of JPH02269922A publication Critical patent/JPH02269922A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate the need for an A/D converter and to reduce the cost by outputting temperature which is measured by a sensor directly as a frequency signal. CONSTITUTION:The sensor circuit is provided with an astable multivibrator MV1 which has a constant current source as a load and charges and discharges a capacitor to determine its oscillation frequency, a bias circuit BAS1 which determines the level of a charging signal for charging the capacitor through the constant current source, and a temperature element which is provided as a circuit element of the bias circuit BAS1 and generates the charging signal corresponding to measured temperature. Then the temperature element of the bias circuit BAS1 varies the charging signal applied to the capacitor of the astable multivibrator MV1 to output an oscillation frequency corresponding to the measured temperature. Consequently, the need for an A/D converter in the circuit is eliminated and the cost is reducible.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、測定温度に対応する信号を出力する温度セン
サ回路に係り、特に測定温度に対応する周波数信号を出
力することのできる温度センサ回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a temperature sensor circuit that outputs a signal corresponding to a measured temperature, and particularly to a temperature sensor circuit that can output a frequency signal corresponding to a measured temperature. Regarding.

〈従来の技術〉 従来の温度センサとしては1−ランジスタを用いたもの
、IC化した温度センサなどがあるか、これ等は、例え
ばトランジスタのベース−エミッタ間の電圧が温度依存
性を有している点に着目し、このトランジスタを増幅器
の帰還回路に挿入してその出力端にこのベース−エミッ
タ間電圧に対応するアナログ信号を出力するとか、温度
センサと後段の増幅回路などをIC化技術でワンチップ
化してその出力端にアナログの温度信号を出力するよう
にしたものなどが知られている。
<Prior art> Conventional temperature sensors include those using transistors and IC temperature sensors. Focusing on this point, we can insert this transistor into the feedback circuit of an amplifier and output an analog signal corresponding to this base-emitter voltage at its output terminal, or we can use IC technology to integrate the temperature sensor and the subsequent amplifier circuit. One known device is one that is integrated into one chip and outputs an analog temperature signal to its output terminal.

く本発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、このような従来の温度センサを用いた回
路では、その出力端に得られる信号がアナログ信号であ
るので、デジタル処理をする場合にはこのアナログ信号
をデジタル信号に変換しなければならずアナログ/デジ
タル変換器を必要とする。このために、小形化する際の
省スペース、或いは部品点数の低減によるコスト低減の
障害になるという問題がある。
Problems to be Solved by the Present Invention> However, in a circuit using such a conventional temperature sensor, the signal obtained at the output terminal is an analog signal, so when performing digital processing, this analog signal is It must be converted to a digital signal and requires an analog/digital converter. For this reason, there is a problem in that it becomes an obstacle to space saving when downsizing or cost reduction by reducing the number of parts.

く課題を解決するための手段〉 本発明は、以上の課頭を解決するために、定電流源を負
荷に有しコンデンサを充放電することにより発振周波数
が決定される無安定マルチバイブレータと、この定電流
源を介してコンデンサを充電する充電信号の大きさを決
定するバイアス回路と、このバイアス回路の回路素子と
して設けられ測定温度に対応する充電信号を発生する温
度素子とを具備し、温度信号に対応する発振周波数を出
力するようにしたものである。
Means for Solving the Problems> In order to solve the above problems, the present invention provides an astable multivibrator which has a constant current source as a load and whose oscillation frequency is determined by charging and discharging a capacitor; The device includes a bias circuit that determines the magnitude of a charging signal that charges the capacitor via this constant current source, and a temperature element that is provided as a circuit element of this bias circuit and generates a charging signal that corresponds to the measured temperature. It is designed to output an oscillation frequency corresponding to the signal.

く作 用〉 無安定マルチバイブレータの発振周波数をそのコンデン
サに印加される充電信号をバイアス回路の温度素子によ
り変化させて、測定温度に対応して発振周波数を変更す
る。
Function: The oscillation frequency of the astable multivibrator is changed by changing the charging signal applied to the capacitor by the temperature element of the bias circuit, and the oscillation frequency is changed in accordance with the measured temperature.

〈実施例〉 以下、本発明の実施例について図を用いて説明する。第
1図は本発明の1実施例の構成を示す回路図である。
<Examples> Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of one embodiment of the present invention.

(h、Q2は1ヘランジスタであり、これ等のエミッタ
同志は相互に共通電位点COMに接続され、トランジス
タQ1のベースはコンデンサC2を介してトランジスタ
Q2のコレクタに、トランジスタQ2のベースはコンデ
ンサC1を介してj・ランジスタQ1のコレクタに、そ
れぞれ接続されている。
(h, Q2 is a 1H transistor, the emitters of these are mutually connected to a common potential point COM, the base of transistor Q1 is connected to the collector of transistor Q2 via capacitor C2, and the base of transistor Q2 is connected to capacitor C1. are connected to the collector of the j-transistor Q1 through the J-transistor Q1.

トランジスタQ1のコレクタはトランジスタQ3を介し
て、トランジスタQ2のベースはl・ランジスタQ4を
介してそれぞれ電源電圧Vccが印加されている。また
、トランジスタQ2のコレクタはトランジスタQ5を介
して、トランジスタQ、のベースはトランジスタQ6を
介してそれぞれ電源電圧Vccが印加されている。
A power supply voltage Vcc is applied to the collector of the transistor Q1 via the transistor Q3, and to the base of the transistor Q2 via the transistor Q4. Further, the power supply voltage Vcc is applied to the collector of the transistor Q2 through the transistor Q5, and the power supply voltage Vcc is applied to the base of the transistor Q through the transistor Q6.

そして、トランジスタQ3、Q5は、トランジスタQ4
.QBのベース面積に対して2倍のベース面積を有する
ように形成されている。従って、同一のベース電圧に対
してトランジスタQ4、Q6に流れるコレクタ電流11
2、I22は、トランジスタQ3、Q5に流れるコレク
タ電流r++ 、I21の2倍になる。
Transistors Q3 and Q5 are transistor Q4.
.. It is formed to have a base area twice that of the QB. Therefore, collector current 11 flowing through transistors Q4 and Q6 for the same base voltage
2. I22 is twice the collector current r++, I21, flowing through transistors Q3 and Q5.

これらのトランジスタQ+、〜Q5、コンデンサC,、
C2などでマルチバイブレータMV、を構成しその発振
出力は出力端子T、から取り出されている。
These transistors Q+, ~Q5, capacitors C, .
C2 and the like constitute a multivibrator MV, and its oscillation output is taken out from the output terminal T.

BASIはバイアス回路であり、このバイアス回路BA
S、はベースとコレクタとが接続された1−ランジス2
0日、と、温度センサT E + とじて機能する所定
の温度係数を持つ抵抗R1とから構成されている。この
トランジスタQa+ と抵抗R1との直列回路は、電源
端子T2と電源端子′r3・とに接続され、この電源端
子T2、T3には電源電圧VCCが印加されている。な
お、電源端子1゛3は共通電位点COMに接続されてい
る。
BASI is a bias circuit, and this bias circuit BA
S is 1-rungis 2 where the base and collector are connected
0 day, and a resistor R1 having a predetermined temperature coefficient that functions as a temperature sensor T E + . This series circuit of the transistor Qa+ and the resistor R1 is connected to the power supply terminal T2 and the power supply terminal 'r3. The power supply voltage VCC is applied to the power supply terminals T2 and T3. Note that the power supply terminals 1 and 3 are connected to a common potential point COM.

そして、トランジスタQe+のベースは定電流源として
機能するトランジスタQ3〜Q5のベースに接続され、
これ等はミラー回路として構成されている。
The base of transistor Qe+ is connected to the bases of transistors Q3 to Q5 that function as constant current sources,
These are configured as mirror circuits.

次に、以上のように構成された温度センサ回路の動作に
ついて第2図を参照して説明する。
Next, the operation of the temperature sensor circuit configured as described above will be explained with reference to FIG. 2.

第2図(イ)はトランジスタQ1の発振波形を、第2図
(ロ)はトランジスタQ2の発振波形をそれぞれ示して
いる。
FIG. 2(A) shows the oscillation waveform of the transistor Q1, and FIG. 2(B) shows the oscillation waveform of the transistor Q2.

先ず、トランジスタQ、がオフ、Q2がオンの状態では
、トランジスタQ2のベース電圧Vb2は0.5V程度
の電圧に保持〈第2図(ロ))されているので、そのコ
レクタ電圧VC2はほぼセロ電位に保持(第2図(ロ)
)されている。
First, when transistor Q is off and Q2 is on, the base voltage Vb2 of transistor Q2 is held at a voltage of about 0.5V (Figure 2 (b)), so its collector voltage VC2 is almost zero. Hold at potential (Figure 2 (b)
) has been done.

従って、トランジスタQ6のコレクタ電流I22により
コンデンサC2が充電されて直線的に正電位に向かって
増加するので、これに伴ないトランジスタQ1のベース
電圧Vb+ も増加する(第2図(イ))。このときト
ランジスタQ1のコレクタ電圧VCIはトランジスタQ
3のコレクタ電流II+により正の値に充電されるので
、直線的に正の値に向かって増加する(第2図(イ))
Therefore, since the capacitor C2 is charged by the collector current I22 of the transistor Q6 and increases linearly toward a positive potential, the base voltage Vb+ of the transistor Q1 also increases accordingly (FIG. 2(A)). At this time, the collector voltage VCI of transistor Q1 is
Since it is charged to a positive value by the collector current II+ of 3, it increases linearly toward a positive value (Figure 2 (a))
.

トランジスタQ、のベース電圧Vb+が0.5v程度を
越える値になるとこの値にクランプされ、トランジスタ
Q1はオンの状態になり、そのコレクタ電圧VCIはほ
ぼゼロ電位となる。従って、トランジスタQ2はコンデ
ンサC1に保持された負の電荷により、そのベース電圧
Vb2は急激に負の電位になる。しかし、1〜ランジス
タQ、はオン状態であるので、コンデンサC,の負の電
荷はトランジスタQ4のコレクタ電流112により正方
向に充電されて中和され、これに伴ないl・ランジスタ
Q2のベース電圧Vb2は直線的に増加する(第2図(
ロ))。従って、トランジスタQ2のコレクタ電圧vc
1も直線的に増加する(第2図(ロ))。
When the base voltage Vb+ of the transistor Q exceeds approximately 0.5V, it is clamped to this value, the transistor Q1 is turned on, and its collector voltage VCI becomes approximately zero potential. Therefore, the base voltage Vb2 of the transistor Q2 suddenly becomes a negative potential due to the negative charge held in the capacitor C1. However, since transistors 1 to Q are in the on state, the negative charge of capacitor C is charged in the positive direction by the collector current 112 of transistor Q4 and is neutralized, and as a result, the base voltage of transistor Q2 is Vb2 increases linearly (Fig. 2 (
B)). Therefore, the collector voltage vc of transistor Q2
1 also increases linearly (Figure 2 (b)).

そして、トランジスタQ2のベース電圧Vb+が増加し
てオンになると、次にトランジスタQ1がオンになり、
最初の状態に戻る。以下、これらの状態を繰り返して発
振が継続される。
Then, when the base voltage Vb+ of transistor Q2 increases and turns on, transistor Q1 turns on,
Return to initial state. Thereafter, these states are repeated to continue oscillation.

以上の各トランジスタQl、Q2のオン、オフの期間t
4、t2の和が発振周期工に相当するが、これ等はコン
デンサC1と02を充電する期間である。
The on/off period t of each of the above transistors Ql and Q2
The sum of 4 and t2 corresponds to the oscillation period, which is the period for charging the capacitors C1 and 02.

従って、簡単のなめ、C,=C2=C,としVTをコン
デンサCvの両端の電圧、そしてIs2=122 =I
A 、 Is + −I2 + =IB  (=2 I
A)とすれば、発振周期工は次式で与えられる。
Therefore, in a simple way, let C, = C2 = C, and VT is the voltage across capacitor Cv, and Is2 = 122 = I
A, Is + −I2 + =IB (=2 I
A), the oscillation period is given by the following equation.

’r’ = t +  + t 2  = CT  V
 T  / l a  ・・・ (1)一方、電流IA
はバイアス回路B A S +のトランジスタQa+に
流れるバイアス電流IBIをコピーしたものであるから
、IA−I8 + キVCC/ R+であり、この関係
を(1)式に適用ずれは、T = C7VT R+ /
 Vc c中cv R1・・・(2) となる。
'r' = t + + t 2 = CT V
T/la... (1) On the other hand, the current IA
is a copy of the bias current IBI flowing through the transistor Qa+ of the bias circuit B A S +, so it is IA-I8 + VCC/R+, and applying this relationship to equation (1), the deviation is T = C7VT R+ /
Vcc cv R1 (2).

従って、このバイアス回路BAS、の抵抗R1が温度係
数を持つようにすれば温度に対応する周波数出力fTを
取り出すことができる。
Therefore, if the resistor R1 of this bias circuit BAS is made to have a temperature coefficient, a frequency output fT corresponding to the temperature can be extracted.

ここでは、I B 、:VcC/ R1として計算した
が、実際には電源電圧VCCから1−ランジスタQs+
のベース/エミッタ間電圧Vaε0を差し引く必要があ
る。
Here, the calculation is made as I B , :VcC/R1, but in reality, it is calculated from the power supply voltage VCC to 1-transistor Qs+
It is necessary to subtract the base/emitter voltage Vaε0 of .

ここで、例えば、CT = 50 p F 、 R+ 
= I MΩとすると周波数出力fTは5KHz、抵抗
R1の温度係数を2000ppm/’ Cとすれば温度
依存性はlOH2/’Cとなる。
Here, for example, CT = 50 pF, R+
= I MΩ, the frequency output fT is 5 KHz, and if the temperature coefficient of the resistor R1 is 2000 ppm/'C, the temperature dependence is lOH2/'C.

次に、第3図に示す本発明の第2の実施例にっいて説明
する。以下の説明においては、第1図に示す実施例の機
能と同一の機能を有する部分にっしては同一の符号を付
して適宜にその説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described. In the following description, parts having the same functions as those of the embodiment shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.

この実施例は、第1図に示す実施例において電a電圧V
CCの変動の影響を除去するように改善したものである
This embodiment is similar to the embodiment shown in FIG.
This is an improvement that eliminates the influence of CC fluctuations.

第1図における温度センサTE、の代りに温度センサ’
r E 2を用いてバイアス回路BAS2を構成してい
る。コレクタとベースが接続されたトランジスタQ7と
トランジスタQ8のベースはそれぞれ電源端子′■゛2
に接続されている。また、コレクタとベースが接続され
たトランジスタQ9のコレクタはトランジスタQeのコ
レクタに接続され、hランジスタQ7のコレクタはトラ
ンジスタQ。
Temperature sensor' instead of temperature sensor TE in FIG.
A bias circuit BAS2 is configured using rE2. The bases of the transistors Q7 and Q8, whose collectors and bases are connected, are respectively power supply terminals'■゛2
It is connected to the. Further, the collector of the transistor Q9, whose collector and base are connected, is connected to the collector of the transistor Qe, and the collector of the h-transistor Q7 is connected to the transistor Q.

。のコレクタにそれぞれ接続されている。さらに、トラ
ンジスタQ9とQ+oのベース同志は相互に接続され、
1〜ランジスタQsのエミッタは抵抗R2を介してトラ
ンジスタQ+oのエミッタに接続されている。ベースと
エミッタとの間にダイオードD、が接続されたトランジ
スタQ++のコレクタはトランジスタQa+のコレクタ
に接続され、トランジスタQ++のベースはトランジス
タQ。
. are connected to their respective collectors. Furthermore, the bases of transistors Q9 and Q+o are connected to each other,
1 to the emitter of transistor Qs is connected to the emitter of transistor Q+o via resistor R2. The collector of transistor Q++, which has a diode D connected between its base and emitter, is connected to the collector of transistor Qa+, and the base of transistor Q++ is connected to transistor Q.

0のエミッタに、そのエミッタは電源端子T3にそれぞ
れ接続されている。なお、1〜ランジスタQ9のエミッ
タ面積は池のトランジスタのエミッタ面積に対して2倍
の大きさに選定されている。
0 and the emitters are respectively connected to the power supply terminal T3. Note that the emitter areas of transistors 1 to Q9 are selected to be twice as large as the emitter area of transistors 1 to 9.

以上の構成において、トランジスタQ7とQBはミラー
回路を構成しておりこれ等のコレクタにはそれぞれ同一
のコレクタ電流I7、I8が流れる。これ等のコレクタ
電流I7.1日はそれぞれ同一の電流としてトランジス
タQ+oとQ9に流入するが、これ等のエミッタ面積は
2倍の相違があるので、これ等のトランジスタのベース
/エミッタ間電圧に差が生じ抵抗R2の両端に次の(3
)式で示す差電圧Δ■が発生する。
In the above configuration, transistors Q7 and QB constitute a mirror circuit, and the same collector currents I7 and I8 flow through their collectors, respectively. These collector currents I7.1 flow into transistors Q+o and Q9 as the same current, but their emitter areas differ by a factor of two, so there is a difference in the base-emitter voltage of these transistors. occurs and the following (3
) A differential voltage Δ■ is generated.

ΔV=JT−1n2/q   −(3)但し、Aはボル
ツマン定数、Tは絶対温度、qは単位電荷である。
ΔV=JT-1n2/q-(3) where A is Boltzmann's constant, T is absolute temperature, and q is unit charge.

従って、抵抗R2に流れる電流はΔv/R2であり、こ
の2倍の電流がトランジスタQ++のコレクタに次の(
4)式で示すコレクタ電流182として流れる。
Therefore, the current flowing through resistor R2 is Δv/R2, and twice this current flows to the collector of transistor Q++ for the next (
4) flows as a collector current 182 shown in equation 4).

l82=2ΔV/R2 =2#T−in2/qR2・= (4)この(4)式に
は、電源電圧Vccの項が含まれておらず、コレクタ電
流IB2はこの影響を受けることはない、従って、この
コレクタ電流IB2をコピーした電流が供給されるマル
チバイブレータMV、は電源電圧の影響を受けない。
l82=2ΔV/R2=2#T-in2/qR2・= (4) This equation (4) does not include the term of the power supply voltage Vcc, and the collector current IB2 is not affected by this. Therefore, the multivibrator MV to which a current that is a copy of this collector current IB2 is supplied is not affected by the power supply voltage.

例えば、ΔVの温度係数を+3000PI)m/°C1
抵抗R2の温度係数を+3000PIm/°Cとすれば
、コレクタ電流IB2は十11000pp/”Cの温度
係数となる。
For example, the temperature coefficient of ΔV is +3000PI) m/°C1
If the temperature coefficient of the resistor R2 is +3000 PIm/°C, the collector current IB2 has a temperature coefficient of 111000 pp/''C.

従って、これに対応した周波数出力が出力端子T、に得
られる。
Therefore, a frequency output corresponding to this is obtained at the output terminal T.

次に、第4図に示す本発明の第3の実施例について説明
する。この実施例は第1図に示す実施例においてマルチ
バイブレータの負荷として温度依存性のない定電流源と
して構成したものである。
Next, a third embodiment of the present invention shown in FIG. 4 will be described. In this embodiment, the load of the multivibrator in the embodiment shown in FIG. 1 is configured as a constant current source having no temperature dependence.

BAS3は第1図におけるバイアス回路BAS、に対応
するバイアス回路、TE3は同様に温度センサT E 
、に対応する温度センサである。この温度センサTE、
は例えばダイオードを多数直列に順方向に接続して構成
されている。
BAS3 is a bias circuit corresponding to the bias circuit BAS in FIG. 1, and TE3 is a temperature sensor TE.
This is a temperature sensor corresponding to . This temperature sensor TE,
For example, it is constructed by connecting a large number of diodes in series in the forward direction.

ベース/コレクタ間が接続されたトランジスタQB2の
コレクタは定電流源CCと直列に接続されて電源端子T
 2 、T 3に接続されている。そのベースはトラン
ジスタQa+のベースに接続され、このトランジスタQ
a+ と温度センサTE3とは直列に接続されて電源端
子T2、T3に接続されている。
The collector of the transistor QB2 whose base/collector is connected is connected in series with a constant current source CC and is connected to a power supply terminal T.
2, connected to T3. Its base is connected to the base of transistor Qa+, which transistor Q
a+ and temperature sensor TE3 are connected in series to power supply terminals T2 and T3.

また、マルチバイブレータMv2の負荷であるnpn形
のトランジスタQ3−〜Q6−は、これ等のコレクタに
直列にpnp形の1〜ランジスタQコ+、Q4+、Q5
++およびQe+が接続されそのエミッタには電源電圧
VCCが印加されている。そして、これ等のトランジス
タQ3+〜Q6、のベースはトランジスタQa+のベー
スと接続されている。
In addition, the npn type transistors Q3- to Q6-, which are the loads of the multivibrator Mv2, are connected in series with the collectors of these transistors Q1 to Qco+, Q4+, and Q5.
++ and Qe+ are connected, and power supply voltage VCC is applied to their emitters. The bases of these transistors Q3+ to Q6 are connected to the base of transistor Qa+.

従って、トランジスタQB2とQa + 、Q3 +〜
Qs+ とはミラー回路を構成し、定電流源ccの定電
流10をコピーした電流が温度センサ′rE3および各
トランジスタQ3−〜Q6−に流される。ところで、定
電流源CCは正の温度係数を有し、一方i・ランジスタ
Q’s 2のベース/エミッタ間電圧は負の温度品数を
存するのでこれ等の温度係数が等しくなるように設定し
ておけば定電流■。は温度に依存しない一定電流となる
。このため、各1−ランジスタQ3−〜Q6−に流れる
電流11、−1■、2−1I22−2I2+  −は温
度に依存しない一定の電流となっている。
Therefore, transistor QB2 and Qa + , Q3 + ~
Qs+ constitutes a mirror circuit, and a current that is a copy of the constant current 10 of the constant current source cc is passed through the temperature sensor 'rE3 and each transistor Q3- to Q6-. By the way, the constant current source CC has a positive temperature coefficient, while the base/emitter voltage of the i transistor Q's 2 has a negative temperature coefficient, so these temperature coefficients are set to be equal. Constant current ■. is a constant current that is independent of temperature. Therefore, the currents 11, -1■, and 2-1I22-2I2+- flowing through each of the 1-transistors Q3- to Q6- are constant currents that are independent of temperature.

ここで、一定の電流が流されている温度センサ1゛E3
は測定温度によりその両端の電圧V8が変化するので、
コンデンサC1、C2に充電される電圧も測定温度に対
応したものとなる。この結果マルチバイブレータM■2
の発振周波数は温度センサTE3で測定された測定温度
に対応して変化する。
Here, temperature sensor 1゛E3 to which a constant current is flowing
Since the voltage V8 across it changes depending on the measurement temperature,
The voltage charged to the capacitors C1 and C2 also corresponds to the measured temperature. As a result, Multivibrator M■2
The oscillation frequency changes in accordance with the measured temperature measured by the temperature sensor TE3.

〈発明の効果〉 以上、実施例と共に具体的に説明したように本発明は、
温度センサで測定した温度を直接周波数信号として出力
できるようにしたので、従来のようにアナログ/デジタ
ル変換器を不要とすることができ、コストの低減、例え
ば部品点数の削減、省スペースなどに寄与する。
<Effects of the Invention> As specifically explained above with the examples, the present invention has the following effects:
The temperature measured by the temperature sensor can be directly output as a frequency signal, eliminating the need for a conventional analog/digital converter, contributing to cost reductions, such as reducing the number of parts and saving space. do.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の構成を示す回路図、第
2図は第1図に示す実施例の動作を説明する波形図、第
3図は本発明の第2の実施例の構成を示す要部回路図、
第4図は本発明の第3の実施例の構成を示す回路図であ
る。 MV、 、MV2・・・マルチバイブレータ、BAS1
〜BAS3・・・バイアス回路、TE、〜T E 3・
・・温度センサ、CC・・・定電流源、Vcc・・・電
源電圧。 −トー シ O○ ’T              ’
Fig. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram explaining the operation of the embodiment shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention. Main part circuit diagram showing the configuration of
FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a third embodiment of the present invention. MV, , MV2...Multi-vibrator, BAS1
~BAS3...bias circuit, TE, ~TE3・
...Temperature sensor, CC...constant current source, Vcc...power supply voltage. -Toshi O○ 'T'

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 定電流源を負荷に有しコンデンサを充放電することによ
り発振周波数が決定される無安定マルチバイブレータと
、この定電流源を介して前記コンデンサを充電する充電
信号の大きさを決定するバイアス回路と、このバイアス
回路の回路素子として設けられ測定温度に対応する前記
充電信号を発生する温度素子とを具備し、前記温度信号
に対応する前記発振周波数を出力することを特徴とする
温度センサ回路。
An astable multivibrator that has a constant current source as a load and whose oscillation frequency is determined by charging and discharging a capacitor, and a bias circuit that determines the magnitude of a charging signal that charges the capacitor via this constant current source. and a temperature element that is provided as a circuit element of the bias circuit and generates the charging signal corresponding to the measured temperature, and outputs the oscillation frequency corresponding to the temperature signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6239815B1 (en) 1998-04-03 2001-05-29 Avid Technology, Inc. Video data storage and transmission formats and apparatus and methods for processing video data in such formats

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