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JPH021890A - Method for testing active matrix substrate for display panel - Google Patents

Method for testing active matrix substrate for display panel

Info

Publication number
JPH021890A
JPH021890A JP63142071A JP14207188A JPH021890A JP H021890 A JPH021890 A JP H021890A JP 63142071 A JP63142071 A JP 63142071A JP 14207188 A JP14207188 A JP 14207188A JP H021890 A JPH021890 A JP H021890A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
active matrix
film
substrate
matrix substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63142071A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eizo Tanabe
田辺 英三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP63142071A priority Critical patent/JPH021890A/en
Publication of JPH021890A publication Critical patent/JPH021890A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

PURPOSE:To test in a short time by placing an inspected active matrix on a testing substrate, which has an electro-luminescence (EL) film, to connect by electrostatic capacity, impressing a testing voltage between an scanning electrode and electrode film, thereby detecting the light emission intensity of the EL film. CONSTITUTION:The active matrix (AM) substrate 10 is comprised by providing on an insulating substrate 11 a picture element electrode 12 and scanning electrode 3 both of which are made of a transparent conductive film and by connecting a driving element 15 between them. The testing substrate 20 is comprised by forming the electrode film 22 on the whole surface of an insulating substrate 21 and by providing the EL film 24 on that. The AM substrate 10 is placed on the testing substrate 20 with a thin spacer in-between so that the gap between the electrode 12 and EL film 24 is 10mum, thereby connecting by the electrostatic capacity. Testing is performed by impressing the AC testing voltage 40 between the scanning electrode 13 and electrode film 22 and then by detecting the light emission intensity of the EL.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は液晶等を表示媒体とする表示パネル用のアクテ
ィブマトリックス基板の試験方法、すなわち表示パネル
を構成する1対の基板中で、表示面内に配列された画素
に付随する駆動素子とそれを介して画素を表示駆動する
走査電極とが組み込まれる側の基板を、その各画素の表
示上の欠陥の有無について試験する方法に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for testing an active matrix substrate for a display panel using liquid crystal or the like as a display medium. The present invention relates to a method for testing a substrate on which a driving element associated with pixels arranged within the substrate and a scanning electrode for driving the display of the pixels via the driving element are installed for the presence or absence of display defects in each pixel.

〔従来の技術] 上述のアクティブマトリックス基板を用いる例えば液晶
表示パネルは、テレビ画像等の複雑な可変画像の表示に
適するもので、その表示面内には少なくとも数万個の画
素がマトリックス状に配列されるが、その各画素間の表
示上のいわゆるクロストークを防止して鮮明な画像を得
るために、そのアクティブマトリックス基板側に、薄膜
トランジスタ等の3端子素子あるいは薄膜ダイオード等
の2i子素子が、各画素に付随する駆動素子として表示
面内に分布して組み込まれる。よく知られていることで
はあるが、かかるアクティブマトリックス基板の等価回
路を第5図に示す。
[Prior Art] For example, a liquid crystal display panel using the above-mentioned active matrix substrate is suitable for displaying complex variable images such as television images, and has at least tens of thousands of pixels arranged in a matrix within its display surface. However, in order to prevent so-called crosstalk on the display between each pixel and obtain a clear image, a 3-terminal element such as a thin film transistor or a 2i element such as a thin film diode is installed on the active matrix substrate side. The driving elements are distributed and incorporated within the display surface as driving elements associated with each pixel. As is well known, an equivalent circuit of such an active matrix substrate is shown in FIG.

同図(a)は駆動素子として2端子素子が組み込まれる
例を示す0画素電極12はアクティブマトリックス基板
10上に行列状に配置され、この例では行方向に並ぶ画
素電極12の対して走査電極13が共通に設けられてい
る。この例では2端子の・駆動素子15として、正負方
向の1対のダイオード15Pおよび15nが各画素T4
極12と走査電極13との間に逆並列接続される。この
ように駆動素子として正負1対のダイオードが設は設け
られるのは、表示パネルのいわゆる交流駆動のために走
査型Fi13に与えられる走査電圧が、走査周期ごとに
交互に正負に切り換えられるためであって、走査電極1
3に正の走査電圧が掛かったときには正方向のダイオー
ド15pが、負の走査電圧が掛かったときには負方向の
ダイオード15nがそれぞれ導通して、走査電極13上
の走査電圧を画素電極12に伝達する。
FIG. 5A shows an example in which a two-terminal element is incorporated as a driving element. Zero pixel electrodes 12 are arranged in rows and columns on the active matrix substrate 10, and in this example, the scanning electrodes are 13 are provided in common. In this example, as a two-terminal driving element 15, a pair of diodes 15P and 15n in positive and negative directions are connected to each pixel T4.
An antiparallel connection is made between the pole 12 and the scanning electrode 13. The reason why a pair of positive and negative diodes is provided as a driving element is because the scanning voltage applied to the scanning Fi 13 for so-called AC driving of the display panel is alternately switched between positive and negative at each scanning period. Yes, scanning electrode 1
When a positive scanning voltage is applied to 3, the diode 15p in the positive direction becomes conductive, and when a negative scanning voltage is applied, the diode 15n in the negative direction becomes conductive, transmitting the scanning voltage on the scanning electrode 13 to the pixel electrode 12. .

同図の)は駆動素子として3端子素子が姐み込まれるア
クティブマトリックス基板10を示し、この場合には走
査電極13と直交する方向にデータ電極14が設けられ
る。この例での3端子素子は薄膜トランジスタ16であ
って、画素電極12と走査電極13との間に接続される
のは前と同じであるが、そのゲートがデータ電f!1i
i14に接続される。また、走査電極13に与えられる
走査電圧が走査周期ごとに正負に切り換わるのも前と同
じであるが、薄膜トランジスタ16の場合は1個で走査
電極13上の正負両方向の走査電圧を画素型i12に伝
達することができる。
) in the same figure shows an active matrix substrate 10 in which a three-terminal element is embedded as a drive element, and in this case, data electrodes 14 are provided in a direction perpendicular to scanning electrodes 13. The three-terminal element in this example is a thin film transistor 16, which is connected between the pixel electrode 12 and the scanning electrode 13 as before, but whose gate is connected to the data voltage f! 1i
Connected to i14. Also, as before, the scan voltage applied to the scan electrode 13 is switched between positive and negative every scan period, but in the case of a single thin film transistor 16, the scan voltage in both the positive and negative directions on the scan electrode 13 is switched between the pixel type i12. can be transmitted to.

さて、以上のように構成されるアクティブマトリックス
基板10には、前述のように非常に多数の画素が作り込
まれるので、その内の若干の画素に欠陥が発生すること
がある。この欠陥の主なものは駆動素子の短絡や断線で
あって、その発生率は10−’を越えることはまずない
程度に低いのであるが、少なくとも数万個もある画素に
対しては欠陥画素が数個程度発生しやすいことになる。
Now, since a very large number of pixels are built into the active matrix substrate 10 configured as described above, as described above, defects may occur in some of the pixels. The main defects are short-circuits and disconnections in the drive element, and the incidence of such defects is so low that it rarely exceeds 10-'. This means that a few of them are likely to occur.

この欠陥の有無や個数は、アクティブマトリックス基板
を対向基板と合わせて表示パネルに組み立てた後に表示
試験をすれば容易にわかるが、咀み立て後に不良品が出
ても両基板が相互に接着されてしまっているので基板の
再生は不能で、また基板の相互接着や液晶等の表示媒体
の封入に要した手間が全てむだになってしまう、このた
め、アクティブマトリックス基板が完成したとき、それ
を表示パネルに組み立てる前に試験を行なって、不良品
をあらかじめ排除しあるいは欠陥画素を是正して置くの
が望ましい。
The existence and number of defects can be easily determined by performing a display test after assembling the active matrix substrate with the counter substrate into a display panel, but even if a defective product is produced after assembling, the two substrates will be glued together. Since the active matrix substrate has been completely damaged, it is impossible to recycle the substrate, and all the effort required for adhering the substrates to each other and encapsulating display media such as liquid crystals is wasted.For this reason, when the active matrix substrate is completed, It is desirable to perform tests before assembling them into a display panel to eliminate defective products or correct defective pixels.

従来この試験は、第5図(a)に節略に示されているよ
うに、探針51を用いて原理的には画素ごとになされて
いる。この試験には、例えば図示のように探針51と正
負の試験電圧を交互に発生する試験Ti源52と自動測
定装置53とを直列接続した試験回路を用い、その一端
を所定の走査型1m13に接続して置いて、他端の探針
51を自動機により行方向に並ぶ画素型8i12に順次
接触させながら、試験回路に流れる電流を自動測定装置
により検出することにより試験を進める。第5図ら)の
アクティブマトリックス基板に対する試験も同様であっ
て、駆動素子がトランジスタの場合は、試験電圧を正負
いずれか一方に固定しておいてよい点が異なるのみであ
る。
Conventionally, this test has been carried out on a pixel-by-pixel basis using a probe 51, as shown schematically in FIG. 5(a). For this test, for example, as shown in the figure, a test circuit is used in which a probe 51, a test Ti source 52 that alternately generates positive and negative test voltages, and an automatic measuring device 53 are connected in series, and one end of the test circuit is connected in series to a predetermined scanning type 1 m 13 The test proceeds by connecting the probe 51 at the other end to the pixel types 8i12 arranged in the row direction by an automatic machine and detecting the current flowing through the test circuit with an automatic measuring device while sequentially bringing the probe 51 at the other end into contact with the pixel types 8i12 arranged in the row direction. The test for the active matrix substrate shown in FIGS. 5 and 5 is similar, except that when the drive element is a transistor, the test voltage may be fixed to either positive or negative.

〔発明が解決しようをする課題] ところが、上述のような従来の試験方法では、自動機を
用いてかなり高速で探針を移動させるようにしても、1
枚のアクティブマトリックス基(反の試験に長時間を要
する問題がある。
[Problem to be solved by the invention] However, in the conventional test method as described above, even if the probe is moved at a fairly high speed using an automatic machine,
There is a problem in that it takes a long time to test the active matrix substrate (reverse).

このため、1行ないし1列に並ぶ画素電極に同時に接触
する数百個の探針を備えた治具を用い、探針を電気的に
切り換えながら試験をするようにすれば、探針の機械的
な移動に要する時間を2桁程度短縮することができるが
、実際面では多数の探針を高い信頼性で画素電極に接触
させることが困難で、試験結果の信頼性が必ずしも充分
でないために、良否の誤判定が起こりやすい、また、試
験回路に流れる電流が数pA〜数nA程度とごく微弱な
ので、試験精度を保つためには各画素に対する電流検出
時間をある限度以下に短縮できず、探針の機械的移動時
間を節約するだけでは試験を1時間以内に済ませること
は困難である。
For this reason, if you use a jig equipped with several hundred probes that simultaneously touch the pixel electrodes arranged in one row or column, and conduct the test while electrically switching the probes, it is possible to However, in practice, it is difficult to bring a large number of probes into contact with the pixel electrode with high reliability, and the reliability of the test results is not always sufficient. In addition, the current flowing through the test circuit is very weak, ranging from several pA to several nA, so in order to maintain test accuracy, the current detection time for each pixel cannot be shortened below a certain limit. It is difficult to complete the test within one hour only by saving time for mechanical movement of the probe.

従って、試験の経済性の観点からやむなく、実際に試験
する画素数を表示パネル内の全画素数の例えば10分の
1程度に減らすことが従来からなされているが、試験の
目的ないし性質から見て必ずしも最も望ましい解決法と
はいえない。
Therefore, from the standpoint of test economics, it has conventionally been necessary to reduce the number of pixels actually tested to, for example, one-tenth of the total number of pixels in the display panel, but considering the purpose or nature of the test, This is not necessarily the most desirable solution.

本発明はかかる従来の問題点を解決して、試験を短時間
内に済ませることができる実用的で簡易な試験方法を得
ることを目的とする。
It is an object of the present invention to solve these conventional problems and provide a practical and simple test method that can complete the test within a short time.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この目的は本発明によれば、エレクトロルミネッセンス
膜を備えた試験用基板に試験すべきアクティブマトリッ
クス基板を静電容量結合するように重ね合わせ、アクテ
ィブマトリックス基板の走査電極と試験用基板のエレク
トロルミネッセンス膜との間に交流の試験電圧を印加し
た状態で、エレクトロルミネッセンス膜の発光の強弱か
ら各画素の表°示上の欠陥の有無を検出することにより
達成される。
According to the invention, this purpose is achieved by superimposing the active matrix substrate to be tested on a test substrate provided with an electroluminescent film in a capacitive manner, so that the scanning electrodes of the active matrix substrate and the electroluminescent film of the test substrate This is achieved by detecting the presence or absence of display defects in each pixel from the intensity of light emitted by the electroluminescent film while applying an alternating current test voltage between the electroluminescent film and the electroluminescent film.

上記の静電容量結合は、試験の手間を省く上では空気を
介してするのが有利で、かつアクティブマトリックス基
板と試験用基板のエレクトロルミネッセンス膜との間隔
を10μ以下として結合を密にするのが望ましい、しか
し、この結合用の静電容置に掛かる試験電圧の部分を減
らして、エレクトロルミネッセンス膜の発光を強める上
では、静電容量結合用媒体の誘電率が高い程有利なので
、ご(薄い誘電体の膜ないしはフィルムを静電容量結合
用媒体として用い、かつこれをアクティブマトリックス
基板と試験用基板との間隔の設定にも利用することがで
きる。
It is advantageous to perform the above capacitive coupling through air in order to save time and effort during testing, and to achieve tighter coupling by setting the distance between the active matrix substrate and the electroluminescent film of the test substrate to be 10μ or less. However, the higher the dielectric constant of the capacitive coupling medium is, the more advantageous it is in reducing the part of the test voltage applied to the coupling capacitor and increasing the luminescence of the electroluminescent film. A dielectric film can be used as a capacitive coupling medium and can also be used to set the spacing between the active matrix substrate and the test substrate.

エレクトロルミネッセンス膜は、通例のように絶縁性の
基材とエレクトロルミネッセンス材とからなるものでよ
いが、上述の静電容量結合が弱くても発光が容易に検出
できるよう、エレクトロルミ27センス材にはZn5e
系などの低エネルギギャンブのものを用いて、エレクト
ロルミネッセンス発光のしきい値を下げるのが望ましい
、この際、通常のエレクトロルミネンセンス表示パネル
のように高輝度にする要は必ずしもなく、むしろ低輝度
発光させて暗室内で発光の強弱により画素の欠陥を正確
に検出できるようにするのがよい。よく知られているよ
うに、この発光強度は周波数の関数であるから、交流試
験電圧の周波数を選択することによって副整することが
できる。ふつうは、数kHzの周波数の試験電圧が用い
るのが適当である。また、発光しきい値を下げる上では
エレクトロルミネッセンス膜をS量やGaAsの上に付
けるのがを利である。ただし、かかる半導体膜は遮光性
があるので、試験時にアクティブマトリックス基板を試
験用基板と合わせた際、前者側から発光状態を検出する
ことになる。
The electroluminescent film may be composed of an insulating base material and an electroluminescent material as usual, but in order to easily detect luminescence even if the above-mentioned capacitive coupling is weak, an electroluminescent film may be used. is Zn5e
It is desirable to lower the threshold of electroluminescence emission by using a low-energy-gamble system such as a low-energy system. It is preferable to emit bright light so that defects in pixels can be accurately detected based on the intensity of the emitted light in a dark room. As is well known, the intensity of this emission is a function of frequency and can therefore be tuned by selecting the frequency of the alternating test voltage. It is usually appropriate to use a test voltage with a frequency of several kHz. Furthermore, in order to lower the emission threshold value, it is advantageous to attach an electroluminescent film on top of the S content or GaAs. However, since such a semiconductor film has a light blocking property, when the active matrix substrate is combined with the test substrate during testing, the light emitting state is detected from the former side.

エレクトロルミネッセンス膜は、試験用基板を各種のア
クティブマトリックス基板に共用に用いる上では、画素
ごとに区分されていない単一膜とするのが有利である。
When the test substrate is commonly used for various active matrix substrates, it is advantageous to use a single electroluminescent film that is not divided into pixels.

しかし、アクティブマトリックス基板の構造によっては
、その駆動素子部に対応する部位のエレクトロルミネッ
センス膜の発光強度が高くなり過ぎる場合があるので、
かかるアクティブマトリックス基板には試験用基板をそ
れに専用として、駆動素子に対応する部分を非発光性な
いしは遮光性にするのが有利である。この際、駆動素子
部のほか画素相互間の隙間部も遮光性のマスクを試験用
基板側に設けると、各画素に対応するエレクトロルミネ
ッセンス膜の発光状態を相互に分離して検出する上で有
利である。
However, depending on the structure of the active matrix substrate, the emission intensity of the electroluminescent film at the portion corresponding to the drive element portion may become too high.
For such an active matrix substrate, it is advantageous to use a test substrate exclusively for it, and to make the portion corresponding to the drive element non-emissive or light-shielding. At this time, it is advantageous to provide a light-shielding mask on the test substrate side not only for the drive element portion but also for the gaps between pixels, in order to separate and detect the light emission state of the electroluminescent film corresponding to each pixel. It is.

〔作用〕[Effect]

従来は欠陥の有無の試験ないしは良否の判定は画素ごと
に順次ないしは直列にしていたのであるが、本発明方法
は上述の構成かられかるように、試験用基板のエレクト
ロルミネッセンス膜にアクティブマトリックス基板内の
全画素に対応する発光を一斉にないしは並列にさせるこ
とにより、各画素の表示上の欠陥の有無の検出に要する
時間を飛躍的に短縮することに成功したものである。
Conventionally, testing for the presence or absence of defects or determining pass/fail was carried out sequentially or in series for each pixel, but as can be seen from the above-mentioned configuration, the method of the present invention uses an electroluminescent film on a test substrate in an active matrix substrate. By emitting light for all pixels simultaneously or in parallel, it has been possible to dramatically shorten the time required to detect the presence or absence of display defects in each pixel.

本発明方法ではこのエレクトロルミネッセンス膜の発光
は試験電圧の印加と同時にいわば一瞬の内になされ、試
験電圧の値と周波数の設定を適切にして置くことにより
、欠陥画素数が許容限以上か否かつまりアクティブマト
リックス基板の良否の判定を目視によっても数秒以内に
つけることができる。また、アクティブマトリックス基
板の試験用)!E板への結合が静電容量結合なので、従
来の探針の接触による結合に較べて信転性が高く、従っ
て誤判定のおそれがずっと少ない、もっとも、本発明方
法では画素に付随する駆動素子のもつ特性を正確に測定
することは原理上できな、いが、実用的には単に各画素
ないしはアクティブマトリックス基板の良否を判定でき
ることで充分な場合がほとんどである。
In the method of the present invention, the electroluminescent film emits light instantaneously at the same time as the test voltage is applied, and by appropriately setting the test voltage value and frequency, it is possible to determine whether the number of defective pixels is above the allowable limit or not. In other words, the quality of the active matrix substrate can be visually determined within a few seconds. Also for testing active matrix substrates)! Since the coupling to the E plate is capacitive coupling, it has higher reliability than the conventional coupling by contact with the probe, and therefore there is much less risk of misjudgment. However, in the method of the present invention, the drive element attached to the pixel In principle, it is impossible to accurately measure the characteristics of a pixel or an active matrix substrate, but in most cases it is sufficient to simply determine the quality of each pixel or active matrix substrate.

このように、本発明はアクティブマトリックス基板の各
画素の表示上の欠陥の有無を短時間内に検出可能な実用
的な方法を提供することにより、前述の所期の課題を解
決するものである。
As described above, the present invention solves the above-mentioned problem by providing a practical method capable of detecting the presence or absence of display defects in each pixel of an active matrix substrate within a short period of time. .

〔実施例〕〔Example〕

以下、図を参照しながら本発明の実施例を具体的に説明
する。第1図は本発明による表示パネル用アクティブマ
トリックス基板の試験方法をその原理に近い形で例示し
、第2図はその等価回路を示すものである。
Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 1 illustrates the method for testing active matrix substrates for display panels according to the present invention in a form close to its principle, and FIG. 2 shows its equivalent circuit.

第1図に示された試験対象としてのアクティブマトリッ
クス基板10は、通常のように透明なガラス板等の絶縁
基Fillの上に!TO(インジュム錫酸化物)等のご
く薄い透明導電性膜で画素電極12や走査型flli1
3を設け、両者間に2端子素子または3端子素子である
駆動素子15を接続したものである。
The active matrix substrate 10 as the test object shown in FIG. 1 is placed on an insulating substrate Fill, such as a transparent glass plate, as usual! A very thin transparent conductive film such as TO (indium tin oxide) is used to form the pixel electrode 12 and the scanning type fli1.
3, and a driving element 15, which is a two-terminal element or a three-terminal element, is connected between them.

この具体的な構造例は、後に第4図を参照して説明する
。その下側に示された試験用基板20は、例えば上と同
様に絶縁基板21の全面に透明導電性膜ないしは金属の
薄膜からなる電極WA22を付け、その上にエレクトロ
ルミネッセンス膜24が設けられている。このエレクト
ロルミネッセンス膜は、例えばY2O2,BaTiOs
、 PbTiOs等の絶縁性基材とドーピングされたZ
n5e等のエレクトロルミネッセンス材とからなるlO
I!m程度の厚みの1111である。この例では、エレ
クトロルミネッセンス膜24は図示のように−様な膜な
ので、試験用基板20はアクティブマトリックス基板の
種類に関せず共用することができる。
A specific example of this structure will be explained later with reference to FIG. The test substrate 20 shown on the lower side has, for example, an electrode WA22 made of a transparent conductive film or a metal thin film on the entire surface of an insulating substrate 21 as in the above, and an electroluminescent film 24 is provided on top of the electrode WA22. There is. This electroluminescent film is made of, for example, Y2O2, BaTiOs.
, doped Z with an insulating base material such as PbTiOs
lO made of electroluminescent material such as n5e
I! It is 1111 with a thickness of about m. In this example, since the electroluminescent film 24 is a --like film as shown, the test substrate 20 can be used in common regardless of the type of active matrix substrate.

試験に当たワて、この試験用基板20上にアクティブマ
トリックス基板10が図示しない薄いスペーサを介して
、画素電極12とエレクトロルミネッセンス膜24との
間隔δがIon以下、望ましくは数μになるように位置
決め固定され、これによってアクティブマトリックス基
板IOの画素電極12と試験用基板20のエレクトロル
ミネッセンス11124とが、この例では空気を挟んで
静電容量結合される。交流の試験電圧40は、アクティ
ブマトリックス基板lO側の共通接続された走査電極1
3と試験用基板20側の電極膜22との間に印加され、
前述のようにその周波数は数kHz程度、その電圧値は
数十V以下望ましくはIOV前後とされ、これらの値は
アクティブマトリックス基板の種類や試験条件に合わせ
て適宜調整される。
During the test, the active matrix substrate 10 is placed on the test substrate 20 via a thin spacer (not shown) so that the distance δ between the pixel electrode 12 and the electroluminescent film 24 is less than Ion, preferably several microns. As a result, the pixel electrode 12 of the active matrix substrate IO and the electroluminescence 11124 of the test substrate 20 are capacitively coupled with air in between in this example. The alternating current test voltage 40 is applied to the commonly connected scanning electrodes 1 on the active matrix substrate lO side.
3 and the electrode film 22 on the test substrate 20 side,
As mentioned above, the frequency is approximately several kHz, and the voltage value is several tens of V or less, preferably around IOV, and these values are adjusted as appropriate depending on the type of active matrix substrate and test conditions.

第2図(a)は、駆動素子が薄膜ダイオード等の2端子
素子15である場合の上の試験回路を等価的に示すもの
で、図かられかるように駆動素子15と画素電極12と
エレクトロルミネッセンスM24との間の結合の静電容
1cとエレクトロルミネッセンス膜22とが、試験電圧
40に対して直列に入ることになる。エレクトロルミネ
ッセンス膜24は等価な静電容量Ceをもっているので
、それにかかる発光駆動電圧は試験電圧を両静電容量で
分圧した値になり、容易にわかるようにこの発光駆動電
圧を上げるには、結合の静電容1cが大きい程有利にな
るので、上述のように画素電極12とエレクトロルミネ
ッセンス膜24との間隔をできるだけ小にして、静電容
量結合を密にするのが望ましい。
FIG. 2(a) equivalently shows the above test circuit when the drive element is a two-terminal element 15 such as a thin film diode, and as can be seen from the figure, the drive element 15, pixel electrode 12 and The capacitance 1c of the coupling between the luminescence M24 and the electroluminescence membrane 22 will be in series with respect to the test voltage 40. Since the electroluminescent film 24 has an equivalent capacitance Ce, the light emission drive voltage applied to it is the value obtained by dividing the test voltage by both capacitances.As can be easily seen, in order to increase this light emission drive voltage, The larger the capacitance 1c of the coupling, the more advantageous it is, so as mentioned above, it is desirable to make the distance between the pixel electrode 12 and the electroluminescent film 24 as small as possible to make the capacitive coupling dense.

かかる試験回路でアクティブマトリックス基板を試験す
る際、ある画素の駆動素子15に短絡欠陥があると、対
応する部位のエレクトロルミネッセンス[24の発光強
度が異常に高くなり、断線欠陥があると発光が起こらな
くなるので、目視によっても簡単に欠陥の有無と種類と
を検出ないし判定することができる。もちろん、目視の
がわりに感度のよいテレビカメラ等のイメージセンサを
用いて検、出を自動化し、かつデータ処理装置と組み合
わせて試験結果を自動記録させることもできる。
When testing an active matrix substrate with such a test circuit, if there is a short-circuit defect in the drive element 15 of a certain pixel, the emission intensity of the electroluminescence [24] of the corresponding part becomes abnormally high, and if there is a disconnection defect, no light emission occurs. Therefore, the presence or absence and type of defects can be easily detected or determined by visual inspection. Of course, instead of visual inspection, it is also possible to automate the detection and output using a highly sensitive image sensor such as a television camera, and to automatically record the test results in combination with a data processing device.

この際のエレクトロルミネッセンス膜の発光状態の観察
ないし検出は、ふつうは第1図の上側からつまりアクテ
ィブマトリックス基板側からすることでよいが、試験用
基板の絶縁基板21および電極膜22に透明なものを用
いた場合には、試験用基板側からすることも可能である
At this time, the light emitting state of the electroluminescent film can normally be observed or detected from the upper side of FIG. 1, that is, from the active matrix substrate side. When using , it is also possible to do it from the test board side.

また、以上の試験に際して印加する交流試験電圧は、画
素の短絡ないしは断線欠陥を検出するに有利なようにそ
の電圧値と周波数とが選択され、実際面では試験開始に
当たってエレクトロルミネッセンス膜の発光状態を確か
めながらこれらの値が最適に調整される。
In addition, the voltage value and frequency of the AC test voltage applied during the above tests are selected to be advantageous in detecting short circuits or disconnections in pixels, and in practice, the light emitting state of the electroluminescent film is checked at the start of the test. These values are adjusted optimally while checking.

第2図0))は駆動素子に薄膜として等の3端子素子1
6を用いた場合の試験の等価回路で、交流試験電圧40
に対する駆動素子16と基板間結合の静電容lcとエレ
クトロルミネッセンス膜の等価静電容iceの接続の様
子は前と同じであるが、駆動素子16の3番目の端子例
えば薄膜トランジスタのゲートが接続されているデータ
電極14と走査電極13との間に直流の別の試験用電圧
41が接続される。試験の要領は同図(a)の場合と同
様であるが、容易にわかるように、上記の試験電圧41
をオンすることにより駆動素子16の断線欠陥の有無を
、オフすることによりその短絡欠陥の有無をそれぞれ試
験することができる。
Figure 2 0)) is a three-terminal element 1 as a thin film as a drive element.
This is the equivalent circuit of the test when using 6, AC test voltage 40
The connection between the capacitance lc of the coupling between the drive element 16 and the substrate and the equivalent capacitance ice of the electroluminescent film is the same as before, but the third terminal of the drive element 16, for example, the gate of a thin film transistor is connected. Another DC test voltage 41 is connected between the data electrode 14 and the scan electrode 13. The test procedure is the same as that shown in Figure (a), but as can be easily seen, the above test voltage 41
By turning on the drive element 16, it is possible to test whether there is an open circuit defect in the drive element 16, and by turning it off, it is possible to test whether there is a short circuit defect in the drive element 16.

第3図は本発明の異なる実施例を第1図と同じ要領で示
すものである。アクティブマトリックス基板lOの構造
は前と同様であるが、その構造の詳細が駆動素子がダイ
オードである例について第4図に平面図で示されている
ので、まずこれを簡単に説明する。
FIG. 3 shows a different embodiment of the invention in the same manner as FIG. The structure of the active matrix substrate IO is the same as before, but since the details of the structure are shown in a plan view in FIG. 4 for an example in which the driving elements are diodes, this will be briefly explained first.

第4図に示すように、画素電極12はほぼ方形に形成さ
れ、画素電極13は図の左右方向に並ぶ画素電極に共通
に細長な形状に形成される。駆動素子15を構成する1
対のダイオード15pおよび15nの内、前者は走査電
極13の上に、後者は画素電極12の上にそれぞれ作り
込まれ、両者を共通に覆うように窒化シリコン等からな
る薄い絶縁11i15aが設けられる。アルミ等の接続
膜15bは走査i!tffila上のダイオード15P
を画素電極12に接続し、接Vi膜15cは画素電極1
2上のダイオード15nを走査電極13に接続する。こ
の例では、後者の方は走査電極13をも図示のようにほ
ぼ覆うように、ダイオードの接続部から延長されている
As shown in FIG. 4, the pixel electrode 12 is formed in a substantially rectangular shape, and the pixel electrode 13 is formed in an elongated shape that is common to the pixel electrodes arranged in the left-right direction in the figure. 1 constituting the drive element 15
Of the pair of diodes 15p and 15n, the former is formed on the scanning electrode 13 and the latter on the pixel electrode 12, and a thin insulator 11i15a made of silicon nitride or the like is provided to commonly cover both. The connecting film 15b made of aluminum or the like is scanned by scanning i! Diode 15P on tffila
is connected to the pixel electrode 12, and the Vi contact film 15c is connected to the pixel electrode 12.
The diode 15n on the top 2 is connected to the scanning electrode 13. In this example, the latter extends from the connection of the diode so as to substantially cover the scanning electrode 13 as well, as shown.

第3図に示されたアクティブマトリックス基板は液晶表
示パネル用であって、液晶分子を所定方向に揃えるため
の配向膜17がほぼその全面を覆うように被着されてい
る。この配向膜は例えばポリイミド樹脂からなり、第3
図のように試験用基板20と重ね合わせたとき、画素電
極12とエレクトロルミネッセンス膜24との間に誘電
体膜として介在して、両者間の結合静電容量値を増加さ
せる役に立つ、また、この実施例では駆動素子15が画
素電極12からかなり突出しており、配向膜17の被着
によりこの高低差は緩和されているものの、試験時に駆
動素子15に面するエレクトロルミネッセンス1112
4の部分の発光強度が高くなって試験の邪魔になる場合
がある。
The active matrix substrate shown in FIG. 3 is used for a liquid crystal display panel, and an alignment film 17 for aligning liquid crystal molecules in a predetermined direction is deposited so as to cover almost the entire surface thereof. This alignment film is made of polyimide resin, for example, and has a third
When superimposed on the test substrate 20 as shown in the figure, it is interposed as a dielectric film between the pixel electrode 12 and the electroluminescent film 24, and serves to increase the coupling capacitance value between the two. In the example, the drive element 15 protrudes considerably from the pixel electrode 12, and although this height difference is alleviated by the deposition of the alignment film 17, the electroluminescence 1112 facing the drive element 15 during the test
The luminescence intensity in the part 4 may become high and interfere with the test.

このため、この実施例では試験用基板20側の駆動素子
15に対応する部分にマスク23が設けられている。こ
のマスク23は例えば金属膜からなり、従って試験時に
は電極膜21と同電位に置かれるとともに、エレクトロ
ルミネッセンス膜24からの発光に対して遮光性を有す
る。この遮光性を利用してマスク23を第4図のダイオ
ード15Pおよび15nに対応する場所のほか、画素電
112を取り囲む枠状に形成して、各画素に対応するエ
レクトロルミネッセンス膜24の発光を相互に分離する
ことができる。このようにマスク23を枠状に形成した
とき、エレクトロルミネッセンス膜24は枠の内側つま
り画素電極12に対向する個所にのみ設けられる。ただ
し、この実施例における試験用基板2oは一種類のアク
ティブマトリックス基板に専用となる。
For this reason, in this embodiment, a mask 23 is provided in a portion corresponding to the drive element 15 on the test substrate 20 side. This mask 23 is made of, for example, a metal film, and is therefore placed at the same potential as the electrode film 21 during testing, and has a light shielding property against light emitted from the electroluminescent film 24. Utilizing this light-shielding property, the mask 23 is formed in a frame shape surrounding the pixel electrode 112 in addition to the locations corresponding to the diodes 15P and 15n in FIG. can be separated into When the mask 23 is formed into a frame shape in this manner, the electroluminescent film 24 is provided only inside the frame, that is, at a location facing the pixel electrode 12. However, the test substrate 2o in this embodiment is dedicated to one type of active matrix substrate.

この実施例における試験用基板゛20には、そのマスク
23およびエレクトロルミネッセンス[24を覆うよう
に、ごく薄い誘電体膜25が被着ないしは塗着される。
In this embodiment, a very thin dielectric film 25 is applied or applied to the test substrate 20 so as to cover the mask 23 and the electroluminescent material 24.

この誘電体膜25は一種のスペーサの役目を兼ね、試験
時にはアクティブマトリックス基板10が図示のように
この誘電体膜25に接するようにセットされる。この誘
電体膜25は、配向膜17とともに導電性のマスク23
を駆動素子15から試験時に絶縁するためにも役立てら
れる。
This dielectric film 25 also serves as a kind of spacer, and during testing, the active matrix substrate 10 is set so as to be in contact with this dielectric film 25 as shown. This dielectric film 25 is used together with the alignment film 17 to form a conductive mask 23.
It is also useful for insulating the drive element 15 from the drive element 15 during testing.

この試験用基板20は、図で細線で闇路に示された試験
治具30の望ましくは底部が透明な材料で作られた本体
31の凹みの中に納められており、それに立てたビン3
1aに132が嵌め合わされるようになっている。試験
すべきアクティブマトリックス基板10は、この!32
の窓から試験用基板20上に装入することにより、試験
用基板20に対する図の前後左右方向の位置決めがなさ
れ、同時に試験用基板と静電容量結合される。必要に応
してさらにその上から遮光性の蓋が被せられる。
This test board 20 is housed in a recess in a main body 31 of a test jig 30, which is shown in the dark by a thin line in the figure, and is preferably made of a transparent material at the bottom, and a bottle 3 is placed therein.
132 is fitted to 1a. The active matrix substrate 10 to be tested is this! 32
By loading the test board 20 onto the test board 20 through the window, the test board 20 is positioned in the front, rear, left, and right directions in the figure, and at the same time is capacitively coupled to the test board. If necessary, a light-shielding lid is placed over it.

試験は第3図の状態で、アクティブマトリックス基板1
0例の走査電極13と試験用基板20例の電極膜22と
の間に、所定の試験電圧を掛けることによって前と同じ
要領でなされる。エレクトロルミネッセンス膜24の発
光状態の目視ないしはテレビカメラ等による測定は、図
の上側からもすることができるが、試験治具の下側を暗
室としてその方からする方が、エレクトロルミネッセン
ス膜の発光を鋭敏に捉える上で望ましい、なおこの実施
例の場合は、アクティブマトリックス基板の試験用基板
との結合の静電容量が、誘電体膜25および配向膜17
の介在により前の実施例よりも大きくなり、従ってエレ
クトロルミネッセンス膜の発光強度を向上することがで
きる。
The test was conducted with the active matrix substrate 1 in the condition shown in Figure 3.
The test is performed in the same manner as before by applying a predetermined test voltage between the scanning electrode 13 of 0 examples and the electrode film 22 of 20 test substrates. The luminescence state of the electroluminescent film 24 can be measured visually or with a television camera, etc., from the upper side of the diagram, but it is better to measure the luminescence state of the electroluminescent film from that direction by using the lower side of the test jig as a dark room. In this embodiment, the capacitance of the connection between the active matrix substrate and the test substrate, which is desirable for sharp observation, is the same as that of the dielectric film 25 and the alignment film 17.
is larger than that in the previous embodiment, and therefore the emission intensity of the electroluminescent film can be improved.

〔発明の効果] 以上の説明のとおり本発明方法においては、表示面内に
配列された画素に付随して設けられた駆動素子とそれを
介して画素を表示駆動する走査電極が組み込まれたアク
ティフ゛マトリックス基(反をその各画素の表示上の欠
陥の有無について試験するに当たり、エレクトロルミネ
ッセンス膜を備えた試験用基板に試験すべきアクティブ
マトリックス基板を静電容量結合するように重ね合わせ
、アクティブマトリックス基板の走査電極と試験用基板
のエレクトロルミネッセンス膜との間に交流の試験電圧
を印加した状態で、エレクトロルミネッセンス膜の発光
の明暗から各画素の表示上の欠陥の有無を検出するよう
にしたので、従来の画素の欠陥の有無の試験を画素ごと
に順次行なう方法と異なり、アクティブマトリックス基
板内の全画素に対応する発光を試験用基板のエレクトロ
ルミネ・/センス膜に一斉にさせることができ、これに
より各画素の表示上の欠陥の有無の検出およびアクティ
ブマトリックス基板の良否の判定に要する時間を従来よ
りも格段に短縮することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, in the method of the present invention, an active device incorporating a driving element attached to pixels arranged in a display surface and a scanning electrode for driving display of the pixels via the driving element is provided. In testing the presence or absence of display defects in each pixel of the matrix substrate, the active matrix substrate to be tested is superimposed on the test substrate provided with the electroluminescent film so as to be capacitively coupled. With an alternating current test voltage applied between the scanning electrode and the electroluminescent film of the test substrate, the presence or absence of display defects in each pixel was detected from the brightness of the light emitted by the electroluminescent film. Unlike the conventional method of sequentially testing each pixel for defects, this method allows the electroluminescence/sensing film on the test substrate to emit light corresponding to all pixels on the active matrix substrate at the same time. As a result, the time required to detect the presence or absence of display defects in each pixel and to determine the quality of the active matrix substrate can be significantly shortened compared to the conventional method.

上述のエレクトロルミネッセンス膜の発光は、表示パネ
ル内の画素数に制約されず同時並列的にされるので、本
発明方法によって表示パネル内の全画素についての欠陥
の有無をなんら困難なく検出できるようになる。従来は
経済上の理由からやむなく一部の画素についてのみ試験
することが多かったが、本発明により試験を完全に行な
ってアクティブマトリックス基板の良否を正確に判定で
きるほか、全画素に対する試験結果に基づいて検出され
た欠陥画素を是正することにより、アクティブマトリッ
クス基板の再生を図ることも可能になる。
Since the electroluminescent film described above emits light simultaneously and in parallel without being restricted by the number of pixels in the display panel, the method of the present invention makes it possible to detect defects in all pixels in the display panel without any difficulty. Become. In the past, it was often necessary to test only some pixels due to economic reasons, but with the present invention, it is possible to conduct a complete test and accurately determine whether the active matrix board is good or bad, and it is also possible to conduct tests based on the test results for all pixels. By correcting the detected defective pixels, it is also possible to regenerate the active matrix substrate.

また、本発明方法におけるアクティブマトリックス基板
の試験用基板への静電容量結合は、従来の探針による接
触結合と比較して結合の信頼性が遥かに高く、これによ
り欠陥の誤検出や良否の誤判定がほぼ皆無になって、試
験結果の信頼性が格段に向上される。
In addition, the capacitive coupling of the active matrix substrate to the test substrate in the method of the present invention has much higher reliability of coupling than the conventional contact coupling using a probe, which prevents false detection of defects and Misjudgments are almost completely eliminated, and the reliability of test results is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図はすべて本発明に関し、第1図は本発明による表示パ
ネル用アクティブマトリックス基板の試験方法の実施例
を示すアクティブマトリックス基板と試験用基板の断面
図、第2図はこの試験時の等価回路図、第3図は本発明
の異なる実施例を示す両店板の断面図、第4図は試験対
象としてのアクティブマトリックス基板の一部拡大平面
図、第5図はこのアクティブマトリックス基板の等価回
路図および併せて従来の試験方法の要領を簡略に示す図
である0図において、 lO:アクティフ゛マトリックス基(反、11:絶uA
基板、12:画素電極、13:走査電極、14:データ
電極、15:駆動素子としての2端子素子、15p、 
15n:駆動素子としてのダイオード、16:駆動素子
としての3端子素子、17:配向膜、20:試験用基板
、21:絶縁基板、22:電極膜、23;マスク、24
:エレクトロルミネッセンス膜、25’m電体膜、30
:試験用治具、31:治具本体、31a:ビン、32:
治具の蓋、40:交流試験電圧、41:直流試験電圧、
51:探針、52:試験用電源、53:自動測定装置、
C:静電容量結合ないしはその静電容量、Ce:エレク
トロルミネッセンス膜の静電容量、68画素電極とエレ
クトロルミネッセンス膜とめ結合の間第2図
The figures all relate to the present invention; Figure 1 is a sectional view of an active matrix substrate and a test substrate showing an embodiment of the method for testing active matrix substrates for display panels according to the present invention, and Figure 2 is an equivalent circuit diagram during this test. , FIG. 3 is a sectional view of both boards showing different embodiments of the present invention, FIG. 4 is a partially enlarged plan view of an active matrix board as a test object, and FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of this active matrix board. In addition, in Figure 0, which is a diagram briefly showing the gist of the conventional test method, 1O: active matrix group (anti, 11: active matrix group),
Substrate, 12: pixel electrode, 13: scanning electrode, 14: data electrode, 15: two-terminal element as driving element, 15p,
15n: diode as a driving element, 16: 3-terminal element as a driving element, 17: alignment film, 20: test substrate, 21: insulating substrate, 22: electrode film, 23; mask, 24
: Electroluminescent film, 25'm electric film, 30
: Test jig, 31: Jig body, 31a: Bottle, 32:
Jig lid, 40: AC test voltage, 41: DC test voltage,
51: Probe, 52: Test power supply, 53: Automatic measurement device,
C: Capacitive coupling or its capacitance, Ce: Capacitance of the electroluminescent film, Figure 2 between the 68 pixel electrode and the electroluminescent film and the coupling.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 表示面内に配列された画素に付随して設けられた駆動素
子とそれを介して画素を表示騒動する走査電極が組み込
まれたアクティブマトリックス基板をその各画素の表示
上の欠陥の有無について試験する方法であって、エレク
トロルミネッセンス膜を備えた試験用基板に試験すべき
アクティブマトリックス基板を静電容量結合するように
重ね合わせ、アクティブマトリックス基板の走査電極と
試験用基板のエレクトロルミネッセンス膜との間に交流
の試験電圧を印加し、エレクトロルミネッセンス膜の発
光の強弱から各画素の表示上の欠陥の有無を検出するこ
とを特徴とする表示パネル用アクティブマトリックス基
板の試験方法。
An active matrix substrate incorporating a driving element attached to pixels arranged in a display surface and a scanning electrode for displaying the pixels via the driving element is tested for the presence or absence of display defects in each pixel. A method, comprising: superimposing an active matrix substrate to be tested on a test substrate having an electroluminescent film in a capacitive manner, and comprising: a scanning electrode of the active matrix substrate and an electroluminescent film of the test substrate; A method for testing an active matrix substrate for a display panel, which comprises applying an alternating current test voltage and detecting the presence or absence of a display defect in each pixel based on the intensity of light emission from an electroluminescent film.
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