JPH02146810A - 移相器 - Google Patents
移相器Info
- Publication number
- JPH02146810A JPH02146810A JP30014788A JP30014788A JPH02146810A JP H02146810 A JPH02146810 A JP H02146810A JP 30014788 A JP30014788 A JP 30014788A JP 30014788 A JP30014788 A JP 30014788A JP H02146810 A JPH02146810 A JP H02146810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- circuit
- phase
- phase shifter
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は移相器に関し、特に、ショットキーゲート構造
の電界効果型トランジスタく以下、ＭＥＳＦＥＴという
）を用いた移相器に関する。
の電界効果型トランジスタく以下、ＭＥＳＦＥＴという
）を用いた移相器に関する。
［従来の技術］
従来より、高周波回路等で使用される移相器としてＭＥ
ＳＦＥＴを用いたものが知られている。
ＳＦＥＴを用いたものが知られている。
第３図にこの移相器の基本回路構成を示す。この回路は
１ビツトに対応したもので、入力端子１と出力端子２と
の間に並列に接続されたインダクタ３及びキャパシタ４
と、これらのインダクタ３及びキャパシタ４と入力端子
１との間に夫々挿入されたＭＥＳＦＥＴ５．６とから構
成されている。
１ビツトに対応したもので、入力端子１と出力端子２と
の間に並列に接続されたインダクタ３及びキャパシタ４
と、これらのインダクタ３及びキャパシタ４と入力端子
１との間に夫々挿入されたＭＥＳＦＥＴ５．６とから構
成されている。
ＭＥＳＦＥＴ５．６のゲートは夫々スイッチコントロー
ル端子７，８に接続されている。そして、これらの端子
７，８に与えられるスイッチコントロール信号によって
ＭＥＳＦＥＴ５．６が例えば択一的にＯＮすることによ
り、所望の移相量が得られるようになっている。
ル端子７，８に接続されている。そして、これらの端子
７，８に与えられるスイッチコントロール信号によって
ＭＥＳＦＥＴ５．６が例えば択一的にＯＮすることによ
り、所望の移相量が得られるようになっている。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の移相器では、各ビットについてキャパシ
タを必要とする。ところが、このキャパシタは集積回路
において広い面積を占有する。また、１ビツト当たりの
スイッチコントロール端子も２つ必要であるため、ビッ
ト数の増加に伴って回路規模が増大するという欠点を有
していた。
タを必要とする。ところが、このキャパシタは集積回路
において広い面積を占有する。また、１ビツト当たりの
スイッチコントロール端子も２つ必要であるため、ビッ
ト数の増加に伴って回路規模が増大するという欠点を有
していた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
回路構成が単純で占有面積を十分に小さくできる移相器
を提供することを目的とする。
回路構成が単純で占有面積を十分に小さくできる移相器
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る移相器は、１つのＭＥ Ｓ Ｆ ＥＴと、
１つのインダクタとを直列に接続し、その直列回路の一
端を入力端子、他端を出力端子とすると共に、ＭＥＳＦ
ＥＴのゲート電極をスイッチコントロール端子とした構
成を有する。
１つのインダクタとを直列に接続し、その直列回路の一
端を入力端子、他端を出力端子とすると共に、ＭＥＳＦ
ＥＴのゲート電極をスイッチコントロール端子とした構
成を有する。
［作用］
ＭＥＳＦＥＴは等価的にＯＮ状態では抵抗、ＯＦＦ状態
ではキャパシタとして機能する。従って、本発明によれ
ばＭＥＳＦＥＴとインダクタとが直列に接続されている
ので、ＭＥＳＦＥＴがＯＮ状態のときには抵抗とインダ
クタとの直列回路、ＯＦＦ状態のときにはキャパシタと
インダクタとの直列回路となり、前者に対して後者の位
相が進むことになる。従ッテ、ＭＥＳＦＥＴをＯＮ、Ｏ
ＦＦ制御することにより、移相器としての動作が実現さ
れる。
ではキャパシタとして機能する。従って、本発明によれ
ばＭＥＳＦＥＴとインダクタとが直列に接続されている
ので、ＭＥＳＦＥＴがＯＮ状態のときには抵抗とインダ
クタとの直列回路、ＯＦＦ状態のときにはキャパシタと
インダクタとの直列回路となり、前者に対して後者の位
相が進むことになる。従ッテ、ＭＥＳＦＥＴをＯＮ、Ｏ
ＦＦ制御することにより、移相器としての動作が実現さ
れる。
本発明では、１つのＭＥＳＦＥＴと１つのインダクタと
で移相器が実現され、キャパシタ及び複数のコントロー
ル端子を必要としないので、１ビツト当たりの回路規模
を大幅に縮小でき、占有面積の小さな回路が得られる。
で移相器が実現され、キャパシタ及び複数のコントロー
ル端子を必要としないので、１ビツト当たりの回路規模
を大幅に縮小でき、占有面積の小さな回路が得られる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例に係る移相器の基本構成（１ビ
ット分）の等価回路図である。
ット分）の等価回路図である。
ＭＥＳＦＥＴＩ １のドレインはインダクタ１２の一端
に接続され、インダクタ１２の他端は入力端子１３′に
接続されている。ＭＥＳＦＥＴＩ １のソースは出力端
子１４に接続され、ゲートはスイッチコントロール端子
１５に接続されている。
に接続され、インダクタ１２の他端は入力端子１３′に
接続されている。ＭＥＳＦＥＴＩ １のソースは出力端
子１４に接続され、ゲートはスイッチコントロール端子
１５に接続されている。
以上の構成において、スイッチとしてのＭＥＳＦＥＴＩ
Ｉは、等価的にＯＮ状態で小さな抵抗に、ＯＦＦ状態で
はキャパシタに置き換えられる。従って、ＭＥＳＦＥＴ
Ｉ １がＯＮ状態となると位相が遅れ、ＯＦＦ状態とな
ると位相が進むことになる。その位相差を得ることによ
り移相器とじて動作させることができる。
Ｉは、等価的にＯＮ状態で小さな抵抗に、ＯＦＦ状態で
はキャパシタに置き換えられる。従って、ＭＥＳＦＥＴ
Ｉ １がＯＮ状態となると位相が遅れ、ＯＦＦ状態とな
ると位相が進むことになる。その位相差を得ることによ
り移相器とじて動作させることができる。
ＯＦＦ状態でのキャパシタ容量はＭＥＳＦＥＴｌｌのゲ
ート幅によって決定される。このため、ＭＥＳＦＥＴＩ
１のゲート幅を適当な値に選ぶことにより、所望の移
相量が得られる。
ート幅によって決定される。このため、ＭＥＳＦＥＴＩ
１のゲート幅を適当な値に選ぶことにより、所望の移
相量が得られる。
即ち、インダクタ１２のインダクタンスしは、信号源イ
ンピーダンスをＺ。、中心周波数をｆ。、所望の移相量
をφとすると次式で与えられる。
ンピーダンスをＺ。、中心周波数をｆ。、所望の移相量
をφとすると次式で与えられる。
ＭＥＳＦＥＴＩ １のゲート幅はＭＥＳＦＥＴｌｌのＯ
ＦＦ時の容量が、 （（２πｆｏ）２・Ｌ ＋２（２πｆ ０）ＺＯ−ｔａｎ（φ／２） ） −’
・（２）となる値に選べば良い。
ＦＦ時の容量が、 （（２πｆｏ）２・Ｌ ＋２（２πｆ ０）ＺＯ−ｔａｎ（φ／２） ） −’
・（２）となる値に選べば良い。
次に、具体的な動作例として、ゲート幅１１２０μｍの
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用い、インダクタンスを０．３
３ｎ）Ｉとして、中心周波数９．１ＧＨ２で設計した２
２．５°ｂｉｔ移相器のシミュレーション結果を第２図
に示す。この第２図から明らかなように、ＩＣｌ３の帯
域内において、移相誤差は＋１．５°〜−〇、８°であ
った。
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用い、インダクタンスを０．３
３ｎ）Ｉとして、中心周波数９．１ＧＨ２で設計した２
２．５°ｂｉｔ移相器のシミュレーション結果を第２図
に示す。この第２図から明らかなように、ＩＣｌ３の帯
域内において、移相誤差は＋１．５°〜−〇、８°であ
った。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、ＭＥＳＦＥＴのスイッ
チング容量を利用することにより、回路構成上キャパシ
タを不要にでき、更にスイッチコントロール用端子を１
個／ｂｉｔＬが必要としないので、回路構成が簡単にな
るという効果がある。
チング容量を利用することにより、回路構成上キャパシ
タを不要にでき、更にスイッチコントロール用端子を１
個／ｂｉｔＬが必要としないので、回路構成が簡単にな
るという効果がある。
第１図は本発明の実施例に係る移相器の等価回路図、第
２図は同等価回路を用いたシミュレーション結果を示す
特性図、第３図は従来の移相器の等価回路図である。 ３．１２．インダクタ、４；キャパシタ、５゜６．１１
；ＭＥＳＦＥＴ、７，８，１５；スイッチコントロー
ル端子
２図は同等価回路を用いたシミュレーション結果を示す
特性図、第３図は従来の移相器の等価回路図である。 ３．１２．インダクタ、４；キャパシタ、５゜６．１１
；ＭＥＳＦＥＴ、７，８，１５；スイッチコントロー
ル端子
Claims (1)
- （１）ショットキーゲート構造の１つの電界効果型トラ
ンジスタと、１つのインダクタとを直列に接続し、その
直列回路の一端を入力端子、他端を出力端子とすると共
に、前記電界効果型トランジスタのゲートをスイッチコ
ントロール端子としたことを特徴とする移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30014788A JPH02146810A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30014788A JPH02146810A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146810A true JPH02146810A (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=17881308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30014788A Pending JPH02146810A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02146810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP30014788A patent/JPH02146810A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5519349A (en) * | 1993-09-29 | 1996-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifter |
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