JPH02127A - 光学活性化合物及びそれを含む液晶組成物、液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 交工立１ 本発明は、新規な光学活性化合物、それを含有する液晶
組成物及び該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
ので、更に詳しくは光学活性基にトリフルオロメチル基
を導入した化合物、それを含有する液晶組成物、及び該
液晶組成物を使用する液晶素子に関するものである。

ｉｔ韮」 従来の液晶素子としては、例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ　）とダブりニー・ヘルフリツヒ（Ｗ、Ｈ
ｅ１ｆｒｉｃｈ　）著“アプライド・フィジックス・レ
ターズ（”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ　”　）第１８巻、第４号（Ｉ９７１年２月１５
日発行）、第１２７頁〜１２８頁の“ボルテージ・デイ
ペンダント・オプティカル・アクティビティ−・オブ・
ア・ツィステッド・ネマチック・リキッド・クリスタル
″　（Ｖｏｌｔａｇｅ　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃ
ａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　　ＮｅｍａｔｉｃＬｉｑｕｉｄ　ｆ：ｒｙＳｔ
ａビ）に示されたツィステッド・ネマチック（ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　ｎｅａ＋ａｔｉｃ）液晶を用いたものが知られ
ている。このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリク
ス電極構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発
生する問題点があるため、画素数が制限されていた。

また電界応答が遅く視野角特性が悪いためにデイスプレ
ィとしての用途は限定されていた。

また、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることが難しい問題点がある。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（（：
Ｉａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を
有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチック相
（ＳｍＣ”　）またはＨ相（ＳｍＨ”　）を有する強誘
電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は、自発分極を有するために非常に速
い応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態
を発現させることができ、さらに視野角特性もすぐれて
いることから大容量大画面のデイスプレィ用材料として
適している。

また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉を有して
いるために、そのカイラルスメクチック相を利用した強
誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学素子
としても使用することができる。

１）液晶状態においてコレステリック・ネマティック相
転移効果を利用するもの（Ｊ、Ｊ、Ｗｙｓｏｋｉ、Ａ、
Ａｄａｍｓ　ａｎｄ　Ｗ、Ｈａａｓ；Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ
、Ｌｅｔｔ、、２０，１（Ｉ２４２）液晶状態において
ホワイト・ティラー形ゲスト・ホスト効果を利用するも
の（Ｄ、Ｌ、　Ｗｈｉｔｅａｎｄ　Ｇ、Ｎ、Ｔａｙｌｏ
ｒ；　Ｊ、Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　、　４５．４７１
８　（Ｉ９７４））、等が知られている。個々の方式に
ついての詳細な説明は省略するが、表示素子や変調素子
として重要である。

このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては液晶の応答性を高めるために極性基を導入すること
が好ましいとされている。とくに強誘電性液晶において
は応答速度は自発分極に比例することが知られており、
高速化のためには自発分極を増加させることが望まれて
いる。このような点からＰ、Ｋｅｌｌｅｒらは、不斉炭
素に直接塩素基を導入することで自発分極を増加させ応
答速度の高速化が可能であることを示した　（Ｃ，Ｒ，
Ａｃａｄ、Ｓｃ。

Ｐａｒｉｓ、２８２　Ｃ，６３９（Ｉ９７６））、　Ｌ
かしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的に不
安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶相の
安定性が低下するという欠点を有しており、その改善が
望まれている。

他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ説導体、コレステロール誘導体
等が挙げられるが、これらの光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんど無かった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより、自
発分極を増加する方法はあまり有効に利用されていなか
った。

及ｑｏとｌ煎 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。

すなわち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双
極子モーメントの大きいトリフルオロメチル基を導入す
ることにより、極性を高めた化合物及びそれを少なくと
も１種類含有することにより、液晶の電界応答性を高め
た液晶組成物ならびに該液晶組成物を使用する液晶素子
を提供することを目的とする。

目的を達するための手段 つまり本発明は、上述の目的を達成するためになされた
ものであり、下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物（ト
リフルオロアルカン誘導体）を捏（ただし、上記式（Ｉ
）中、Ｒ１は炭素数が１〜１８であるアルキル基、Ｒ２
は炭素数が１〜１２であるアルキル基、Ｘは単結合、−
０−−ＣＨ２０−あるいは−〇ＣＨ，−Ｚはあるいは（
列のいずれかから選ばれ、Ｃ８は不斉炭素原子である。

なお、ｋ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に０．１．２の中から
選ばれ、且つに＋ｍ＋ｎが２または３となる数である。

ｐは！または２である。） また、発明は、上記光学活性な化合物を少なくとも１種
類配合成分として含有する液晶組成物ならびに該液晶組
成物を使用する液晶素子をも提供する。

さらに、一般式（Ｉ）で示される化合物の中でも以下に
示す（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（！−Ｃ）に属する化合
物はより好ましい結果を示す。

（Ｉ−ａ） （ただし、式中、Ｒｌａは炭素数４〜１６のアルキル基
であり、Ｒ２ａは炭素数１〜１２のアルキル基を表わす
。ｋ、ｍ、　ｎは０．１．２の中から選ばれ、且つその
和が２または３となる数である。

Ｘヮは単結合、Ｙ、は単結合、−ＣＯ−のいずれコ かであり、Ｚ、は−ＯＣＨ２−−ＯＣ−す、Ｃ１は不斉
炭素原子を示す。） （Ｉ−ｂ） （ただし、式中、Ｒｌｂは炭素数が１−１８であるアル
キル基、Ｒ２ｂは炭素数が１〜１２である７　、ＩＬ／
キル基、Ｘｂは、！ＩＬ結合、−Ｏ−−０Ｃ−は０，１
．２、ｎは１．２のいずれかで、且っに＋　ｍ　＋　ｎ
が２または３となる数である。Ｃ８は不（Ｉ−ｃ） （ただし、上記式中、Ｒｌｃは炭素数が１〜１８である
アルキル基、Ｒ２ｅは炭素数が１〜１２であるアルキル
基、Ｘｃは単結合、−Ｏ−−ＣＯ−−ＣＨ２０−あるい
は−〇ＣＨ２ Ｚｃは ＯＣＲ２−あるいは−〇〇−のどちらかであ舎のいずれ
かから選ばれ、Ｃ８は不斉炭素原子である。なお、ｋ％
ｍ、ｎはそれぞれ独立に０．１．２の中から選ばれ、且
つに＋ｍ＋ｎが２または３となる数である。） 上記一般式で示される液晶性化合物は好ましくは本出願
人等による出願（特願昭６２−１８３４８５および特願
昭６３−３７６２４号）の明細書に示される下記一般式
（Ｉｆ　）の光学活性３−トリフルオロメチル−１−へ
ブタン酸や、下記一般式（ＩＩＩ　）の３−トリフルオ
ロメチル−１−ヘプタツール等の光学活性中間体から製
造される。

主な製造法を以下に示す。

（ａ）、（ｂ）において ■　Ｍが単結合の場合 ■ Ｍが Ｏ の場合 Ｒ。

■ Ｍが ＣＨ，−の場合 Ｒ。

上記一連の式において、Ｒ１は炭素原子数１〜１８のア
ルキル基、Ｒ２は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示
し、Ｘは単結合、−０−ばれ、ｋ、ｍ、ｎは０．１また
は２のいずれかであり、且つに＋ｍ＋ｎが２または３と
なる数でありｐは１または２である。末は不斉炭素原子
をぶす。

以上のようにして製造できる化合物を以下に５１挙する
。

７０°Ｃ＼ＳｍＨ″″／７５”Ｃ また、本発明の液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表わされ
るトリフルオロアルカン誘導体を少なくとも１種類配合
成分として含有するものである。

例えば、このトリフルオロアルカン誘導体を、下式（Ｉ
）〜（Ｉ３）で示されるような強話電性液晶と組合わせ
ると、自発分極が増大し、応答速度を改善することかで
きる。

このような場合においては、−６式（Ｉ）で示される本
発明のトリフルオロアルカン誘導体を、得られる液晶組
成物の０．１〜９９重量％、特に１〜９０重量％となる
割合で使用することが好ましい。

結晶；＝：５ＩＩＩｃにＳｍＡ　；＝＝等方相Ｈ３ −ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈｓ ４．４’−７ゾキシシンナミツクアシツドビス（２−メ
チルブチル）エステル オクチルオキシビフェニル ４−カルボキシレート また、上記化合物の他に以下に示される液晶性化合物も
組合わせる対象として適当である。

また下式１）〜５）で示されるような、それ自体はカイ
ラルでないスメクチック液晶に配合することにより、強
話電性液晶として使用可能な組成物が得られる。

この場合、一般式（りで示される本発明のトリフルオロ
アルカン誘導体を、得られる液晶組成物の０．１〜９９
重量％、特に１〜９０重二％で使用することが好ましい
。

このような組成物は、本発明のトリフルオロアルカン誘
導体の含有量に応じて、これに起因する大ぎな自発分極
を得ることができる。

”）。ｓＨ．ｔｏ裾。。。吾。。。□，。

４、４′−デシルオキシアゾキシベンゼンＣｒｙｓｔ．
　　７７”Ｏ，Ｓａｃ　　１２Ｑ’Ｃ　　Ｎ　　１２３
．”Ｏ　　Ｉｓｏ。

Ｃ山０■拾〇Ｃ５Ｈ１ｓ また、１）〜５）式の化合物の他にも下記に示されるフ
ェニルピリミジンあるいはフェニルベンゾエートを有す
る化合物が適当である。

Ｃ，Ｈエフ０＋；コミ上）Ｃｓ　Ｈｔｓ２−（４”−オ
クチルオキシフェニル）−５−ノニルピリミジンＣｒｙ
ｓｔ、　　３３”Ｃ５ＩＩＧ　　６０’ＯＳ！ＩＡ　　
７５”ＯＩｓｏ。

４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベ
ンゾエートＣｒｙａｔ、　　５８℃　　５ｌＩＧＢ４℃
　　ＳｍＡ　　６８℃　　Ｎ　　８５℃　　Ｉｓｏ。

−−一−−り　　　　−一一一一伽　　　　−一一一り
　　　−一−−−ラここで、記号は、それぞれ以下の相
を示す。

Ｃｒｙｓｔ、　　：結晶相、　　　　　ＳａＡ　：スメ
クチックＡ相。

Ｓ−：スメクチックＢ相、５ＩＩｃ：スメクチックＣ相
、Ｋ　：ネマチック相、　　　　ｒｓｏ、　：等吉相。

■　Ｃ１゜Ｈ２１０舎ＣＯ８０Ｃａ　ＨＩｔ膠 ■　Ｃ１２）１２Ｓｏ”１ｇ訓ｃｏ（防０ＣａＨ＋ｓ厘 ■　Ｃｌ０Ｈ２１＋ＣＯ＋ＯＣａ　Ｈ＋ｙλ また、一般式（Ｉ）で表わされるトリフルオロアルカン
誘導体は、ネマチック液晶に添加することにより、ＴＮ
型セルにおけるリバースドメインの発生を防止すること
に有効である。この場合、得られる液晶組成物の０．０
１〜５０重量％の割合となるように式（Ｉ）のトリフル
オロアルカン誘導体を使用することが好ましい。

また、ネマチック液晶もしくはカイラルネマチック液晶
に添加することにより、カイラルネマチック液晶として
、相転穆型液晶素子やホワイト・ティラー形・ゲストホ
スト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能
である。この場合、得られる液晶組成物の０．０１〜８
０重量％の割合となるように式（Ｉ）のトリフルオロア
ルカン誘導体を用いることが好ましい。

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。

叉！（＋ＩＩ± ３−トリフルオロメチルへブチル４−［４−オクチルオ
キシフェニル］ベンゾエート（前記例示化合物（２））
の製造。

４−［４−オクチルオキシフェニルコ安息香酸３２６ｍ
ｇ（Ｉ，ＱＯｍｍｏｌ　）に塩化チオニル３１を加え、
２時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留去し、ト
リエチレンジアミン２２４Ｂ（２０ｍｍｏｌ）、乾燥ベ
ンゼン４ｍｌおよび（−）−３−トリフルオロメチル−
１−ヘプタツール２２１１ｎｇ（Ｉ，２ｍ　ｍｏｌ　）
を加えて、５０℃で１時間反応させ、更に水素化ナトリ
ウム３１ｍｇ（Ｉ，３ｍ　ｍｏｌ　）を加えて２時間加
熱還流した。反応終了後、１Ｍ塩酸および水を加えてベ
ンゼン抽出し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒留
去後、シリカゲル薄層クロマトグラフィーで精製し、標
記化合物を得た。収量２６０　ｍｇ、収率５３％、比旋
光度［α］　Ｉａ＋　Ｂ　、　　１°　（ｃｌ、ＣＨ２
Ｃ１２）Ｄ 及ｉ■ユ ４　（３−１−リフルオロメチルへブチルオキシ）フェ
ニル４−デシルオキシベンゾエート（例示化合物（Ｉ０
））の製造。

（＋）−３−）リフルオロメチル−１−ヘプタツール４
８０ｍｇ（２，６ｍ　ｍｏｌ　）　、ピリジン７９０Ｉ
Ｉ１ｇ（Ｉ０ａ＋　ｍｏｌ　）の混合物中に、ｐ−＋−
ルエンスルホン酸クロリド５００ＩＩ１ｇ（２，６２ｍ
　ｍｏｌ　）を加えて室温で２時間攪拌した。反応終了
後、２Ｍ塩酸で中和し、塩化メチレンで抽出し、塩化メ
チレン層から８２０ｍｇの３−トリフルオロメチルへブ
チルトシレートを得た。［α］　５３＋　ｏ、　　５゜
（ｃ２、ＣＨ２Ｃ１２）、［ａ］基＋２．２゜（ｃ２、
ＣＨ２Ｃｌ□）。

上記トシレート３９０ｍｇ（Ｉ，１５ｍ　ｍｏｌ　）、
ヒドロキノン２５０ｍｇ（２，２７ｍ　ｍｏｌ　）およ
び１−ブタノール３ｍｌの混合物に７０ｍｇ（Ｉ，７５
ｍ　ｍｏｌ　）の水酸化ナトリウムを加えて、攪拌しな
がら１３０℃で５時間加熱した。反応終了後、水および
１Ｍ塩酸を加えて、エーテルで抽出し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。エーテルを留去した後、残留物を薄層
クロマトグラフィーで精製し、１７０αｇの４−　（３
−トリフルオロメチルへブチルオキシ）フェノールを得
た。収率５４％、［α］　″”、＠−２、８°　（ｃｌ
、ＣＨ，ＣＩ、）、［ａ］　”−４，９＠　（ｃ　１、
ＣＨｚＣｌｉ）。

一方、４−デシルオキシ安息香酸１７０ｍｇ（０６１ａ
＋ｗｏｌ）を塩化チオニル２ｍｌと２時間加熱還流した
。過剰の塩化チオニルを留去したのち、上記４−置換フ
ェノール体１７０ＩＩ１ｇ（０，６２１１ＩｒｎｏＩ）
、トリエチレンジアミン１３０ｍｇ（Ｉ゜２１１ＩＩＩ
ｌｏｌ）、ベンゼン２ｍｌを加え、５０℃で１時間、さ
らに水素化ナトリウム２４ＩＩ１ｇを加えて２時間加熱
還流した。反応終了後、１Ｍ塩酸および水を加え、ベン
ゼンで抽出した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶媒：ベンゼン）で分離精製し、４−（
３−トリフルオロメチルへブチルオキシ）フェニル４−
デシルオキシベンゾエートを得た。収量２６０ｍｇ、収
率７９％、［α　コ　　ｐ　Ｂ　　　２　　、　８　　
’　　　　（ｃ　　１　　、　　ＣＨ，ＣＩ　　２　　
）。

え五里ユ ４−（３−１−リフルオロメチルへブチルオキシ）フェ
ニル４”−［４−オクチルオキシフェニル］ベンゾエー
ト（例示化合物（Ｉ５）　）の製造。

実施例２と同様の工程により、４−（３−トリフルオロ
メチルへブチルオキシ）フェノールと４−［４−オクチ
ルオキシフェニル］安息香酸から上記目的化合物を合成
した。［α］２４２．９゜（ｃｌ、ＣＨ２Ｃｌ２）。

実施例４ ４−（５−デシル−２−ピリミジル）フェニル３−トリ
フルオロメチルヘプタノエート（例示化合物（２９））
の製造。

（＋）−３−トリフルオロメチルへブタン酸３００ｍｇ
（Ｉ、５ｍ　ｌｌ１ｏｌ　）に３＋ｎｌの塩化チオニル
を加え、２時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留
去したのち、トリエチレンジアミン３３６Ｂ（３ｍ　ｍ
ｏｌ　）　、　４−　（５−デシル−２−ピリミジル）
フェノール４７０ｍｇ（Ｉ，５ｍｌｌ１ｏｌ　）を加え
、５０℃で１時間、更に水素化ナトリウム４０ｍｇを加
えて２時間加熱還流した。以下実施例２と同様な後処理
を行ない、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒
：塩化メチレン）で分Ｉ！ｉＩ！精製して、標記化合物
４９０ｍｇを得た。収率６６％、［ａｌ”＋６．１’　
　（ｃ２、ＣＨ２Ｃ１２）＋１及Ａ旦ユ ４−（４−デシルオキシフェニル）フェニル３−トリフ
ルオロメチルヘプタノエート（例示化合物（３１）　）
の製造。

実施例４と同様の工程により、３−トリフルオロメチル
へブタン酸と４′−デシルオキシ−４−ヒドロキシビフ
ェニルから標記化合物を合成し２−　［４−（３−トリ
フルオロメチルへブチルオキシ）フェニル］−５−デシ
ルピリミジン（例示化合物（２５））の製造。

実施例２と同様の工程により、３−トリフルオロメチル
へブチルトシレートと４−（５−デシル−２−ピリミジ
ル）フェノールから標記化合物を合成した。［ａｌ　”
−３，０（ｃ　１、ＣＨ２ＣＩ□）。

実施例７ ４−（３−）−リフルオロメチルへブチルオキシ）フェ
ニル４−［４−ドデシルオキシフェニル］ベンゾエート
（例示化合物（Ｉ８））の製造。

実施例２と同様の工程により４−（３−トリフルオロメ
チルへブチルオキシ）フェノールと４−［４−ドデシル
オキシフェニル］安息香酸から標記化合物を合成した。

以上のようにして得られた実施例１〜７に挙げた液晶性
化合物の比旋光度と相転移温度を表１に示す。

なお表中、Ｃｒｙｓｔ、は結晶状態、Ｉｓｏは等方性液
体、ｃｈはコレステリック相、ＳＡはスメクチックＡ相
、５ｃｔはカイラルスメクチックＣ相、そしてＳｌ、Ｓ
４は未同定のスメクチック相を表す。

実３１　（＋１１旦 ４−デシルオキシビフェニル−４′−カルボン酸４　−
（４−１−リフルオロメチルオクチルオキシ）フェニル
エステル（例示化合物（Ｉ９）　）の製造。

下記工程に従い４−デシルオキシビフェニル−４′−カ
ルボン酸４“−（４−トリフルオロメチルオクチルオキ
シ）フェニルエステルを製造した。

工程１）４−トリフルオロメチルオクタン酸の製造。

３−トリフルオロメチルへブタン酸２０ｇ（Ｉ０ｍｍｏ
ｌ）を塩化チオニル６ｍ１（約８０ｍ　ｍｏｌ　）中で
２時間加熱還流により反応させた後に蒸留し、塩化３−
トリフルオロヘプタン酸１８ｇを得た（ｂ、ｐ、７２．
　２〜７５．０℃／２５ｍｍＨｇ）。これをジエチルエ
ーテル１０ｍ１に溶解させ、あらかじめ水冷しておいた
ジアゾメタンのエーテル溶液に滴下して加え、−晩室温
で攪拌した。溶媒を留去したあとジオキサン１５ｍ１に
懸濁させ、酸化銀１．１ｇ、チオ硫酸ナトリウム（５水
塩）２．７ｇを水４０ｍ１に溶解させたａ　７０℃の水
溶液に滴下して加え９０分間攪拌した。反応終了後、水
酸化カリウム水溶液を加え濾過し、母液に５Ｎ硝酸を加
えコンゴーレッド酸性にした後にジエチルエーテルによ
り抽出した。得られたエーテル層は無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去し蒸留した。目的物の４−トリフ
ルオロメチルオクタン酸＋１０．４２ｇ得られた（ｂ、
ｐ、１３　。

〜　１３５℃／　２　６　ＩＩｌｍＨｇ）　　。

工程２）４−１−リフルオロメチルオクタツールの製造
。

窒素置換したフラスコに水素化リチウムアルミニウム７
２Ｂ（Ｉ、９ｍ　ｍｏｌ　）乾燥ジエチルエーテル２ｍ
ｌを入れて氷冷し、そこへ４−トリフルオロメチルオク
タン酸０．　４ｇ　（Ｉ，９１１１ｍｏｌ　）を乾燥ジ
エチルエーテル１ｍｌに溶解した溶液を滴下して加えた
。水浴中で４時間攪拌し、反応させた後、飽和硫酸ナト
リウム水溶液を加え、デカンテーションによりエーテル
層を得た。この溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を
留去し、蒸留により精製した。４−トリフルオロメチル
オクタツールの収量は０．２７ｇ、収率７１％であった
（ｂ。

ｐ、ａｏ　〜８５℃／　１９　ｍｍＨｇ）。

工程３）ｐ−ベンジルオキシ−（４−トリフルオロメチ
ルオクチルオキシ）フェニルの製造。

４−トリフルオロメチルオクタツール０．２７ｇ　　（
Ｉ，４ｍ　ｍｏｌ　）をとリジン５ｍｌの溶ン夜とじ氷
冷しながら攪拌し、塩化Ｐ−トルエンスルホン酸０．２
７ｇ　（Ｉ，４ｍｍｏｌ　）を加え、１５〜２０℃で３
時間反応させた。反応終了後、２Ｎ塩酸を加え、酸性と
し、ジエチルエーテルを用いて抽出した。得られたエー
テル相は無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、
Ｐ−）−ルエンスルホン酸４−トリフルオロメチルオク
チルエステルを得た。次に、ｐ−トルエンスルホン酸４
−トリフルオロメチルオクチルエステル０．４０ｇ　（
Ｉ，１ｍ　ｍｏｌ　）をエタノール１ｍｌに溶解させ、
水酸化ナトリウム４８ｍｇ（Ｉ，１ｍｍｏｌ　）とｐ−
ヒドロキシフェニルベンジルエーテル０．２３ｇ　（Ｉ
、ＩＩｌｌｍｏｌ　）をエタノール１ｍｌにあらかじめ
溶解させたおいた溶液に滴下して加えた。８５〜９０℃
に加熱し、５時間反応させた後放冷し、２Ｎ塩酸２０ｍ
１の中に注入し、ジエチルエーテルを用いて抽出した。

得られたエーテル層は無水硫酸ナトリウムで乾燥後シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製した（穆勤相：
ベンゼン）。０．３０ｇ（収率６９％）でｐ−ベンジル
オキシ（４−トリフルオロメチルオクチルオキシ）フェ
ニルが得られた。

工程４）（４−トリフルオロメチルオクチルオキシ）フ
ェノールの製造。

ｐ−ベンジルオキシ（４−トリフルオロメチルオクチル
オキシ）フェニル０．２９ｇ　（０，７８ｍｍｏｌ）、
５％パラジウム−活性炭３５Ｂｇ、ｚタノール３ｍｌを
フラスコに入れ接触水素添加装置を用いて反応させ０．
２２ｇの（４−トリフルオロメチルオクチルオキシ）フ
ェノールを得た（収率９７％）。

工程５）４−デシルオキシビフェニル−４′−カルボン
酸−４″−（４−トリフルオロメチルオクチルオキシ）
フェニルエステルの製造。

４−デシルオキシビフェニル−４１−カルボン酸０．２
７ｇに塩化チオニル２ＩＩｌｌを加え加熱還流を２時間
行い、酸塩化物とした。一方、ｐ−（４−トリフルオロ
メチルへブチルオキシ）フェノール０．２２ｇとトリエ
チレンジアミン０．１７ｇをベンゼン２ｍｌに溶解させ
ておき、そこへ、酸塩化物をベンゼン３ｍｌの溶液とし
たものを滴下して加えた。５０℃で２時間攪拌した後、
６０％水素化ナトリウム４４ｍｇを加え９０℃で２時間
反応させた。反応終了後、この溶液を氷水にあけ、塩酸
を加え酸性とし、ジエチルエーテルで抽出した。

得られたエーテル層は飽和食塩水で洗浄後無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、溶媒を留去した。この組成物はシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ベンゼン／ヘ
キサン＝１７１）で精製し、サラに石油エーテルで再結
晶を行い、０．３４ｇの４−デシルオキシビフェニル−
４１−カルボン酸４″−（４−トリフルオロメチルオク
チルオキシ）フェニルエステルを得た（収率７１％）。

１１里ユ ４−（３−トリフルオロメチルへブタン酸）−４′−オ
クチルオキシカルボニルオキシビフェニルエステル（例
示化合物（２０））の製造。

下記工程に従い、４−（３−トリフルオロメチルへブタ
ン酸）−４′−オクチルオキシカルボニルオキシビフェ
ニルエステルを製造した。

３−トリフルオロメチルへブタン酸０．２ｇ（Ｉｍｇ＋
ｏｌ）と塩化チオニル２ｍｌを加熱還流することにより
反応させ酸塩化物とし、過剰の塩化チオニルを留去した
後、ベンゼン２０１１に溶解させた。一方でトリエチレ
ンジアミン０．２２ｇ（２ｍ　ｍｏｌ　）と４−才クチ
ルオキシカルボニルオキシ−４′−ビフェノール０．３
４ｇ　（Ｉｍｍｏｌ　）をベンゼン１ｍｌの溶液とし、
これに先に調製した酸塩化物のベンゼン溶液を滴下して
加え、５０℃で２時間反応させた。さらに反応溶液に６
０％水素化ナトリウム６０ｍｇ（Ｉ，５ａ＋　ｍｏｌ　
）を加え、９０℃で３０分、次に室温で一晩反応させた
。反応終了後、反応溶液を水にあけ、塩酸で酸性した後
、ジエチルエーテルを用いて抽水し、エーテル層を無水
硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製した（移動相：酢酸
エチル／ヘキサン＝２／９）。目的物の４−（３−トリ
フルオロメチルへブタン酸）４′−オクチルオキシカル
ボニルオキシビフェニルエステルが０．２５ｇ得られた
。

（収率４８％）［α］”＋４．５、［α］２７＋Ｄ４！
り １１．９　（ｃｌ、０９、クロロホルム）。

寒８ｉｉ　ｆｆ１ｌ辷旦 ４−（３−トリフルオロメチルへブタン酸）−４−＜　
４　／／−プロピルシクロヘキシルカルボニルオキシ）
ビフェニルエステル（例示化合物（２１））の製造。

下記工程に従い、４−（３−トリフルオロメチルへブタ
ン酸）−４′−（４”−プロピルシクロヘキシルカルボ
ニルオキシ）ビフェニルエステルを製造した。

工程１）４−　（３−）リフルオロメチルヘキシルカル
ボニルオキシ）４′−ビフェノールの製造。

３−トリフルオロメチルへブタン酸２．１０ｇ（Ｉ０，
６ｍ　ｍｏｌ　）に塩化チオール３ｍｌを加え攪拌しな
がら加熱還流を１時間行った後に過剰の塩化チオニルを
留去し、トルエン５＋＋１に溶解させた。別の容器にビ
フェノール４．６ｇ　（２５ｍ　ｍｏｌ　）とピリジン
４０　ｍｌ、ベンゼン１０ｍ１を入れ攪拌している所へ
前出の塩化３−トリフルオロメチルへブタン酸のトルエ
ン溶液を滴下して加えた。５０℃で２時間、更に９０℃
で２時間反応させた後に１００ｍ１の氷水にこの反応溶
液をあけ、ジエチルエーテルを用いて抽出した。得られ
たエーテル層は５％食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。次に溶媒を留去し再結晶によりＩＦｔ製
し、２．９ｇの４−（３−トリフルオロメチルヘキシル
カルボニルオキシ）−４′−ビフェノールを得た（収率
４０％）。

工程２）４−（３−トリフルオロメチルへブタン酸）−
４’−（４”−プロピルシクロヘキシルカルボニルオキ
シ）ビフェニルエステルの製造。

４−（３−トリフルオロメチルヘキシルカルボニルオキ
シビフェノール０．１４ｇ　（０，３８ｍｍｏｌ　）に
、あらかじめ乾燥ベンゼン２ｍｌにトリエチレンジアミ
ン８５ｍｇ（０，７８ａ＋　ｒｎｏｌ　）　ニ溶解させ
ておいた溶液を加え攪拌し、さらに塩化４−ｎ−プロピ
ルシクロへキシルカルボン酸７０ＩＩ１ｇ（０，３８ｍ
ｍｏｌ　）を乾燥ベンゼン０．５ｍｌに溶解させた溶液
を滴下して加え、５０℃で２時間反応させた０次に、水
素化ナトリウム（６０％）を３０ｍｇ（０，７６ＩＩ１
ｍｏｌ　）加え、加熱還流を２時間行った。反応後、放
冷し酸性になるまでＩＮ塩酸を加え、ジエチルエーテル
で抽出した。得られたエーテル層は５％食塩水で洗浄し
、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製した（移動層、ベン
ゼン）。目的物である４−（３−トリフルオロメチルへ
ブタン酸）−４’−（４″　−プロピルシクロヘキシル
カルボニルオキシ）ビフェニルエステルの収量はｏ、１
８ｇ、収率は９０％であった。

上記実施例８〜１０で得られた液晶性化合物のそれぞれ
の相転移温度を表２にまとめて示す。

衷」１例」−± ４−才クチル−４”−［４′−（３”−トリフルオロメ
チルへブチルオキシ）ベンジルオキシ］ビフェニル（例
示化合物（４１）　）の製造。

下記工程に従い、４−オクチル−４′［４“（３”’−
）リフルオロメチルへブチルオキシ）ベンジルオキシ］
ビフェニルを製造した。

工程１）（＋）−ｐ−トルエンスルホン酸３−トリフル
オロメチルへブチルエステルの製造。

ナス型フラスコに（−）−３−トリフルオロメチル−１
−ヘプタツール３．３ｇとピリジン５゜７ｇを入れ攪拌
しているところへ、塩化ｐ−トルエンスルホン１ｌｉ３
．４ｇを加え１５〜２０℃で４時間反応させた。その反
応溶液は水に注入し、塩酸を加えジエチルエーテルで抽
出し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去し、５
３ｇの（＋）−ｐ−トルエンスルホン酸３−トリフルオ
ロメチルへブチルエステルを得た。

工程２）　　（＋）　−ｐ−（３−トリフルオロメチル
へブチルオキシ）ベンジルアルコールの製造。

ナス型フラスコに１０ｍ１のエタノールに溶解させたｐ
−ヒドロキシベンジルアルコール２．４ｇ、　　（＋）
　−ｐ−トルエンスルホン酸３−トリフルオロメチルへ
ブチルエステル５．３ｇを入れ、そこへ水酸化ナトリウ
ム０．８ｇをエタノール１０ｍ１に溶かした溶液を滴下
して加え、６時間加熱還流した後、放冷し、水に注入し
、塩酸を加えて酸性にし、有機層をジエチルエーテルを
用いて抽出した。得られたエーテル溶液は硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーでＰｒ１ｇした。（＋）−ｐ−（３−ト
リフルオロメチルへブチルオキシ）ベンジルアルコール
が４．４ｇ得られ、［α］２８＋ρ １．０、［α］”＋２．４　（ｃ５．Ｏ，クロロホＪｆ ルム）を示した。

工程３）４−　［４”　（４オクチルフェニル）ベンジ
ルオキシ］−１−（３−トリフルオロヘプチルオキシ）
フェニルの製造。

（＋）　−ｐ　−（３−トリフルオロメチルへブチルオ
キシ）ベンジルアルコール０．５８ｇを塩化チオニル（
Ｉ，５ａ＋１）中で５時間加熱還流させた後に過剰の塩
化チオニルを留去し塩化物を得た。

ｐ−オクチルビフェノール０．６２ｇをＴＨＦ７ｍｌに
溶解させ、水素化ナトリウムを作用させ、あらかじめナ
トリウム塩としておいた溶液中に塩化物をジメチルスル
ホキシド２ｍｌに溶解させたものを滴下して加え、４時
間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を水に注入し、
塩酸で酸性にし、ジエチルエーテルを用いて抽出した。

エーテル溶液は硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、０．５ｇの目的物を得た。［α］　３４＋　３．　
　ｓ３ｔ （ｃｏ、５、ＣＨＣｌ３　）。

実施例１２ ５−ドデシル−２−（４′−［４“−＜　３　／／／ト
リフルオロメチルへブチルオキシ）ベンジルオキシ］フ
ェニル〕ピリミジン（例示化合物（４３））の製造。

下記工程に従い、５−ドデシル−２−（４′［４／／　
−＜　３　／／／　　ｈリフルオロメチルへブチルオキ
シ）ベンジルオキシ］フェニル］ピリミジンを製造した
。

実施例１１の工程１）、２）の方法で得られた（＋）　
−ｐ　−（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ）ベ
ンジルアルコールｏ、５８ｇを塩化チオニル（Ｉ，５ｍ
１）中で５時間加熱還流させた後に過剰の塩化チオニル
を留去し塩化物を得た。５−ドデシル−２−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）ピリミジン０．６８３をＴＨＦ７ｍｌ
に溶解させ、水素化ナトリウムを作用させ、あらかじめ
ナトリウム塩としておいた溶液中にジメチルスルホキシ
ド２ｍｌに溶解させた塩化物を滴下して加え、４時間加
熱還流させた０反応終了後、反応溶液を水に注入し、塩
酸で酸性としジエチルエーテルを用いて抽出した。エー
テル溶液は硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した後
、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し０
．１７ｇの目的物を得た。　　（ａｌ　２９＋４．　７
　（ｃ　１、ＣＨＣｌ３）。

４３！： 及ｉユエユ ｐ−（３−１−リフルオロメチルへブチルオキシ）安息
香酸−ｐ′−オクチルビフェニルエステルの製造（例示
化合物（７０））。

工程１）ｐ−トルエンスルホン酸３−トリフルオロメチ
ルヘプチル■の製造。

光学活性３−トリフルオロメチル−１−ヘプタツール■
１．３ｇととリジン２．３ｇをナスフラスコに入れて水
冷し、塩化ｐ−トルエンスルホン酸１．４ｇを加え、２
０℃で４時間攪拌した。反応終了後、希塩酸を加え、ジ
エチルエーテルで２回抽出を行った。水で洗浄し、中性
に戻した後、硫酸マグネシウムにより乾燥し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒　ヘ
キサン：ジエチルエーテル＝２：１）。

ｐ−トルエンスルホン酸３−トリフルオロメチルへブチ
ル■は２．１ｇ得られた（収率８８％）。

工程２）ｐ−（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ
）安息香酸■の製造。

工程１で得られたｐ−トルエンスルホン酸３−トリフル
オロメチルへブチル■を０．８８ｇ、ｐ−ヒドロキシ安
息香酸エチルを０．４ｇ、ジメチルホルムアミドを１ｍ
ｌ、ナスフラスコに入れ、水素化ナトリウム５０ｍｇを
加え、８時間加熱還流させた後、室温で１５時間放置し
た。反応終了後、ジメチルホルムアミドを減圧留去し、
希塩酸を加え、塩化メチレンで抽出した。有機層は水洗
し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し薄層クロ
マトグラフィー（展開溶媒　塩化メチレン／ヘキサン＝
１／ｌ）で精製した。０．７ｇのｐ−（３−トリフルオ
ロメチルへブチルオキシ）安息香酸エチル■が得られた
（収率８１％）。

ナスフラスコに水酸化ナトリウム（Ｉ，２７ｇ。

水１ｍｌを入れ、メタノールを３ｍｌ加えた後に、ｐ−
（３−）リフルオロメチルへブチルオキシ）安息香酸エ
チル■０．７ｇを加え、５０℃で４時間反応させた。水
を加えメタノールを減圧留去し、６Ｎ塩酸を加え、析出
した結晶を濾取した。デシケータ−で乾燥した結果、ｐ
−（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ）安息香酸
■はｏ、５５ｇであった（収率９０％）。

ＩＲデータ（ｃｍ斜） ３４２０．２９４０，１６６０，１４２０゜１２４０、
１１６０、　　８４０、　　７６　ｏ。

６４０　。

工程３）Ｐ−（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ
）安息香酸−ｐ　−オクチルビフェニル■の製造 ｐ−（３−ｔ−リフルオロメチルへブチルオキシ）安息
香酸０．２ｇと、塩化チオニル２ｉＩｌｌを２時間加熱
還流させた後、過剰の塩化チオニルを減圧留去し、トリ
エチレンジアミンｏ、１６ｇ、ｐ−才クチルビフェノー
ル０．２４ｇ、乾燥ベンゼン１ｍｌを加え５０℃で１時
間反応させた。次に水素化ナトリウム１９＋Ｉ１ｇを加
え、加熱還流により２時間反応させ希塩酸を加えベンゼ
ンで抽出した。

有機層を水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥し、薄層クロマ
トグラフィーを用いて精製した（展開溶媒　ベンゼン）
、さらにエタノールで再結晶を行い、０．２５ｇのｐ−
（３−トリフルオロメチルへブチルオキシ）安息香酸−
ｐ　−オクチルビフェニルエステルを得た（収率６６％
）。

施例１４〜１７ 実施例１３と同様の工程でｐ−オクチルビフェノールの
代わりに他のｐ−置換フェノールを用いて反応させた結
果、表３のようなエステル化合物が得られた。

表４に、実施例１３〜１７において製造した液晶性化合
物■〜■の相転穆温度を示す。

夫ｍｏａｔ互 光学活性ｐ−（３−トリフルオロメチルノニルオキシ）
安息香酸−ｐ　−デシルオキシビフェニルエステル（例
示化合物（９３））の製造。

（−）　−ｐ　−（３−トリフルオロメチルノニルオキ
シ）安息香酸１４６ｍｇ（０，４４ｍＭ）に塩化チオニ
ル２．３ｍｌを加え２時間加熱還流した。

過剰の塩化チオニルを減圧留去して、乾燥ベンゼンを１
ｍｌ加えて減圧留去する操作を２回繰り返した。トリエ
チレンジアミン９９ＩＩ１ｇ（０，８８ｍＭ）に乾燥ベ
ンゼンｌｌｌ１ｌを加えて水酸化カリウムで乾燥したも
のと４−デシルオキシ−４′−ビフェノール１８１ｍｇ
（０，５５ｍＭ）を加え、５０℃で１時間反応させた。

６０％水酸化ナトリウム２２ｍｇ（０，５５ｍＭ）を乾
燥ベンゼンで洗浄して流動パラフィンを除去して乾燥ベ
ンゼン０．５ｍｌ溶液としたものを加え、２時間加熱還
流した。ＩＮ塩酸をｐｌ（２になるまで加え、水を１０
ｍ１加えて、ベンゼンで抽出した。有機層を硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、ＴＬＣで精製した（展開溶媒　ベンゼン
：ヘキサン＝２：１）。さらにヘキサンで洗浄した結果
、６４ｍｇの光学活性ｐ−（３−トリフルオロメチルノ
ニルオキシ）安息香酸−ｐ′−デシルオキシビフェニル
エステルが得られた（収率２３％）。

く液晶組成物Ａ〉 相転移温度（Ｉ） 実」［信」−旦 実施例３で製造した液晶性化合物を配合成分とする液晶
組成物Ａを調製した。また比較例として実施例３の液晶
性化合物を含有しない液晶性組成物Ｍも調製した。液晶
組成物Ａ、Ｍの相転移温度、及び自発分極は、後記表５
、表６にそれぞれボす。

く液晶組成物Ｍ〉 ２枚の０１７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上に５ｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。

ガラス板上にシランカップリング剤［信越化学（株）製
ＫＢＭ−６０２］　０．２％イソプロピルアルコール溶
液を回転数２００Ｏｒ、ｐ、ｍ、のスピードで１５秒間
塗布し、表面処理を施した。この後１２０℃にて２０分
間加熱乾燥処理を施した。

さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付ぎのガラス板上に
ポリイミド樹脂前駆体［東しく株）ｓｐ−５１０］２％
ジメチルアセトアミド溶？Ｅｉを、回転数２０００　ｒ
、ｐ、ｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、
６０分間、３００℃で加熱縮合焼成処理を施した。この
時の塗膜の膜厚は、約７００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で
洗浄し、平均粒径２μｍのアルミナビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ（株））］を用いてガラス板をはり合わせ、６０
分間１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセル
のセル厚をベレック位相板によって測定したところ、約
２μｍであった。

ここで先に調製した強誘電性液晶組成物Ａ、Ｍを各々等
吉相下、均一混合液体状態で、作製したセル内に真空注
入した。等吉相から０．５℃／ｈで徐冷することにより
、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を使って、ピーク・トウ・ピーク
電圧３０Ｖの電圧印加により直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（
以後光学応答速度という）を測定した。その結果を後記
表７に示す。

層側２０．２１ 実施例１９で用いた液晶組成物Ａ中の実施例３で製造し
た化合物にかえ、実施例４．６で製造した液晶性化合物
を、その重量割合がそれぞれ１゜％になるように混合し
、液晶組成物Ｂ、Ｃを調製した。液晶組成物Ｂ、Ｃ１そ
れぞれの相転穆温度、自発分極、光学応答速度を測定し
組成物Ｍとの比較を行った。その結果も併せて後記表２
〜４に示す。

く液晶組成物Ｂ〉 表５ 実施例１９〜２１における液晶組成物の相転穆温度く液
晶組成物Ｃ〉 表６ 実施例１９〜２１における液晶組成物の自発分極（単位
：　ｎＣ７ｃｍ２） （単位ｍ５ｅｃ） 実施例２２ 透明電極としてＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０
ｘｉｄｅ）膜を形成したガラス基板上にポリイミド樹脂
前駆体［東しく株）製５Ｐ−５１０］を用いスピンナー
塗布により成膜した後、３００℃で６０分間焼成してポ
リイミド膜とした。次にこの被膜をラビングにより配向
処理を行ない、ラビング処理軸が直交するようにしてセ
ルを作製した（セル間隔８μｍ）。上記セルにネマチッ
ク液晶組成物［リクソンＧＲ−６３：チッソ（株）製ビ
フェニル液晶混合物］を注入し、”ＴＮ（ツィステッド
ネマチック）型セルとし、これを偏光顕微鏡で観察した
ところ、リバースドメイン（しま模様）が生じているこ
とがわかった。

前記リクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対して、本発
明の実施例２の液晶性化合物（Ｉ重量部）を加えた液晶
混合物を用い、上記と同様にしてＴＮセルとし観察した
ところ、リバースドメインはみられず均一性のよいネマ
チック相となっていた。このことから、本発明の液晶性
化合物はすパース・ドメインの防止に有効であることが
わかった。

実施例２３ 実施例１１で製造した液晶性化合物を配合成分とする液
晶組成物りを調製した。また比較例として実施例１１の
液晶性化合物を含有しない液晶組成物Ｍも調製した（実
施例１９記載の液晶組成物Ｍと同じ）。下に液晶組成物
りの相転Ｂ温度及び自発分極を示す。

く液晶組成物Ｄ〉 自廃分極（ｎＣ／ｃｍ’） 次に実施例１９と同様にしてセルを作成し、光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

応答速度（ｍ／ｓｅｅ、） 相転移温度（Ｉ） １１　　　　　　ｔｕ　　　　　　　ｂｕ　　　　　　
／Ｕ　　　　１−１１０　胃ｔ　％ 実施例２２のリクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対し
て、加えている実施例２の液晶性化合物を実施例１１の
液晶性化合物（Ｉ重量部）にかえた他は、上記と同様に
してＴＮセルとし観察したところ、リバースドメインは
みられず均一性のよいネマチック相となっていた。この
ことから、本発明の液晶性化合物はリバース・ドメイン
の防止に有効であることがわかった。

及庭■ユｊ 実施例１９と同様にしてセル厚２μｍのセルを作成した
。該セル内に、実施例１４で製造した液晶性化合物■（
これは例示化合物の（７２）に対応）と、下記構造式で
示される強誘電性液晶素子物を下記の重量部で混合し、
等吉相下、均一混合液体状態で真空注入した。

（実施例１４．　　■） 等労相から５℃／ｈで２５℃まで徐冷することにより、
強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を使ワて、ピーク・トウ・ピーク
電圧２０Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的
な応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して、光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

３５℃　１１００／Ｊ　ｓｅｃ　、　４５℃　７３０　
μｓｅｃ　。

５５℃　５７０μｓｅｃ　。

比較例１ 実施例２５で使用した液晶化合物■を強誘電性液晶素子
物に含有させなかった他は、実施例２５と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例２５と同様の方法で
光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

３５℃　１５００μｓｅｃ　、　４５℃　１０００μｓ
ｅｃ　。

５０℃　１１００　μｓｅｃ　。

実施例２６ 実施例２２のリクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対し
て、加えている実施例２の液晶性化合物を実施例１４の
液晶性化合物（Ｉ重量部）にかえた他は、上記と同様に
してＴＮセルとし観察したところ、リバースドメインは
みられず均一性のよいネマチック相となっていた。

１１皿ユニ 例示化合物例（２７）記載の液晶性化合物を配合成分と
する液晶組成物Ｅを調製した。

以下に、液晶組成物Ｅの相転移温度及び自発分極を示す
。

く液晶組成物Ｅ〉 相転移温度（℃） 自発分極（ｎＣ／Ｃｍ’ 次に実施例１９と同様のセルを用い実施例１９と同様に
して応答速度を測定した。以下に結果を示す。

応答速度（μｓｅｃ、） 以上の結果より光学活性基にトリフルオロメチル基を用
いることにより、光学応答速度の速い液晶組成物が得ら
れた。

発明の効果 本発明により、電界応答性に良好な液晶性化合物が得ら
れた。また該液晶性化合物を含有した液晶組成物ならび
に液晶素子は応答速度を改善させるだけでなくリバース
ドメイン防止にも有効であることが確認できた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ）で表わされる光学活性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ） （ただし、上記式（ I ）中、Ｒ＿１は炭素数が１〜１
   ８であるアルキル基、Ｒ＿２は炭素数が１〜１２である
   アルキル基、Ｘは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼あ
   るいは▲数式、化学式、表等があります▼から選ば れ、Ｙは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 −ＣＨ＿２Ｏ−あるいは−ＯＣＨ＿２−、Ｚは−ＯＣＨ
   ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、あるいは
   ▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれ、▲数式、化学式、表等があります▼及び▲
   数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼あ
   るいは▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかか
   ら選ばれ、Ｃ＾＊は不斉炭素原子である。なお、ｋ、ｍ
   、ｎはそれぞれ独立に０、１、２の中から選ばれ、且つ
   ｋ＋ｍ＋ｎが２または３となる数である。ｐは１または
   ２である。） ２、下記一般式（ I −ａ）で表わされる請求項１の光
   学活性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I −ａ） （ただし、式中、Ｒ＿１＿ａは炭素数４〜１６のアルキ
   ル基であり、Ｒ＿２＿ａは炭素数１〜１２のアルキル基
   を表わす。ｋ、ｍ、ｎは０、１、２の中から選ばれ、且
   つその和が２または３となる数である。 Ｘ＿ａは単結合、Ｙ＿ａは単結合、▲数式、化学式、表
   等があります▼のいずれかであり、Ｚ＿ａは−ＯＣＨ＿
   ２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼の中から選ばれる。▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ はそれぞれ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼のいずれか一方であり、Ｃ
   ＾＊は不斉炭素原子を示す。） ３、下記一般式（ I −ｂ）で表わされる請求項１の光
   学活性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I −ｂ） （ただし、式中、Ｒ＿１＿ｂは炭素数が１〜１８である
   アルキル基、Ｒ＿２＿ｂは炭素数が１〜１２であるアル
   キル基、Ｘ＿ｂは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｚ＿ｂは−ＯＣＨ
   ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼はそれぞれ独立に ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   の中から選ばれ、ｋ、ｍは０、１、２、ｎは１、２のい
   ずれかで、且つｋ＋ｍ＋ｎが２または３となる数である
   。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す。） ４、下記一般式（ I −ｃ）で表わされる請求項１の光
   学活性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I −ｃ） （ただし、上記式中、Ｒ＿１＿ｃは炭素数が１〜１８で
   あるアルキル基、Ｒ＿２＿ｃは炭素数が１〜１２である
   アルキル基、Ｘ＿ｃは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼あるいは▲数式、化学式、表等があります▼から選ば
   れ、Ｙ＿ｃは−ＣＨ＿２Ｏ−あるいは−ＯＣＨ＿２−、
   Ｚ＿ｃは−ＯＣＨ＿２−、あるいは▲数式、化学式、表
   等があります▼のどちらかである。▲数式、化学式、表
   等があります▼及び▲数式、化学式、表等があります▼
   は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼あるいは▲数式、化学式、表等があ
   ります▼のいずれかから選ばれ、Ｃ＾＊は不斉炭素原子
   である。なお、ｋ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に０、１、２
   の中から選ばれ、且つｋ＋ｍ＋ｎが２または３となる数
   である。） ５、前記光学活性化合物が液晶相を生じる化合物である
   請求項１の光学活性化合物。 ６、前記液晶相がスメクチック相である請求項５の光学
   活性化合物。 ７、前記スメクチック相がスメクチックＡ相である請求
   項６の光学活性化合物。 ８、前記スメクチック相がカイラルスメクチックＣ相で
   ある請求項６の光学活性化合物。９、前記液晶相がカイ
   ラルスメクチックＣ相及びコレステリック相である請求
   項５の光学活性化合物。 １０、前記化合物が液晶相を生じない化合物である請求
   項１の光学活性化合物。 １１、請求項１〜１０のいずれかに記載の光学活性化合
   物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組
   成物。 １２、前記光学活性化合物のうち少なくとも１種と、液
   晶相を有する液晶化合物の少なくとも１種とを含有する
   請求項１１の液晶組成物。 １３、前記液晶化合物がカイラルスメクチックＣ液晶で
   ある請求項１２の液晶組成物。 １４、前記液晶化合物がノンカイラルスメクチックＣ液
   晶である請求項１２の液晶組成物。 １５、前記液晶化合物がフェニルピリミジン核を有する
   液晶化合物である請求項１２の液晶組成物。 １６、前記液晶化合物がフェニルベンゾエート核を有す
   る液晶化合物である請求項１１の液晶組成物。 １７、請求項１１〜１６のいずれかに記載の液晶組成物
   を用いた液晶素子。