JPH02127408A - Etherimide compositions and uses - Google Patents
Etherimide compositions and usesInfo
- Publication number
- JPH02127408A JPH02127408A JP27926488A JP27926488A JPH02127408A JP H02127408 A JPH02127408 A JP H02127408A JP 27926488 A JP27926488 A JP 27926488A JP 27926488 A JP27926488 A JP 27926488A JP H02127408 A JPH02127408 A JP H02127408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- tables
- formulas
- fluorine
- following
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、耐熱性可どう性にすぐれ、吸水率。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention has excellent heat resistance, flexibility, and water absorption.
透湿率の小さいエーテル不飽和イミド系化合物を含む組
成物、この組成物から成る半導体装置用封止剤、及び、
その組成物からなる積層板用材料に関する。A composition containing an ether unsaturated imide compound with low moisture permeability, an encapsulant for a semiconductor device comprising this composition, and
The present invention relates to a laminate material comprising the composition.
従来、樹脂封止型半導体装置の封止用樹脂組成物は、ノ
ボラック型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ系材
料が主流となっている。しかし、半導体装置の高集積度
化、及び、樹脂封止型半導体装置の用途拡大に伴い、封
止用樹脂組成物には、更に、耐熱性、可どう性、耐湿性
、接着性にすぐれ、しかも、低誘電率化、低応力化の可
能な樹脂組成物の開発が強く望まれている。Conventionally, epoxy-based materials using a novolac type phenol resin as a curing agent have been the mainstream for resin compositions for encapsulating resin-encapsulated semiconductor devices. However, with the increase in the degree of integration of semiconductor devices and the expansion of applications for resin-encapsulated semiconductor devices, resin compositions for encapsulation are required to have excellent heat resistance, flexibility, moisture resistance, and adhesive properties. Furthermore, there is a strong desire to develop a resin composition that can have a lower dielectric constant and lower stress.
しかし、フェノールノボラック樹脂硬化エポキシ系組成
物は、耐熱性、特に、ガラス転移点の向上に限界がある
ことや、吸水率、透湿率が比較的大きく、硬化物バルク
からの水のパッケージ内への侵入を防ぐには本質的な問
題があった。この対処策としては、シロキサン系やフル
オロ系の表面処理剤などを添加して改質する試みがなさ
れてきたが、この場合には、成形時に金型汚れや成形品
の外観に改善すべき問題がある。However, phenol novolac resin-cured epoxy compositions have a limited ability to improve heat resistance, especially the glass transition point, and have relatively high water absorption and moisture permeability, and water from the bulk of the cured product does not enter the package. There was an essential problem in preventing the intrusion of As a countermeasure to this problem, attempts have been made to modify the property by adding siloxane-based or fluoro-based surface treatment agents, but in this case, there are problems such as mold stains during molding and problems that need to be improved in the appearance of the molded product. There is.
本発明の目的は、耐熱性、可どう性にすぐれ、吸水率、
透湿率の小さい、低誘電率の可能な組成物、この組成物
から成る半導体装置用封止剤、及びこの組成物から成る
積層板用材料を提供することにある。The purpose of the present invention is to have excellent heat resistance, flexibility, water absorption rate,
An object of the present invention is to provide a composition having a low moisture permeability and a low dielectric constant, a sealant for a semiconductor device made of this composition, and a material for a laminate made of this composition.
上記目的は、以下の事項を採用することで、達成される
。その要旨は、
(1)−船人〔I〕
〔式中、R1” RaはH9低級アルキル基、フルオロ
アルキル基、ハロゲン原子のいずれかである。また、R
5及びReはCHs y CF s 、 Hを性不飽和
二重結合の二価の有機基である。〕で表わされるエーテ
ル不飽和ビスイミド系化合物と、
一般式(II)
X−0−Z−N=Y [I[]C−
0−
S −
5O2−
の中のいずれ
かである。The above objective will be achieved by adopting the following items. The gist is as follows: (1) - Shipman [I] [In the formula, R1'' Ra is either a H9 lower alkyl group, a fluoroalkyl group, or a halogen atom.
5 and Re are CHs y CF s , H, a divalent organic group with an unsaturated double bond. ] and an ether unsaturated bisimide compound represented by the general formula (II) X-0-Z-N=Y [I[]C-
0-S-5O2-.
のいずれかである。Either.
また、 Xは \ R′ CzF I5+ Cs F 7の中のいずれかであり、 互いに 同じであっても異なっていてもよい。Also, X is \ R' CzF I5+ Cs F 7, each other They may be the same or different.
及び 1〜40である。as well as 1 to 40.
のいずれかである。Either.
また、 いずれかである。Also, Either.
〕 で表わされる含弗素アミノ 誘導体とを、 含むことを特徴とする組成物。] fluorine-containing amino represented by With derivatives, A composition comprising:
一般式
次式
〔■〕
〔式中、R’ 、R’ 、R”は前記と同じである。〕
で表わされる含弗素フェニルマレイミドであることを特
徴する(1)に記載の組成物6(3)−船人(n)が、
次式(III)〔mは、前記と同じである。〕で表わさ
れる含弗素フェニルマレイミドであることを特徴とする
(1)に記載の組成物。General formula [■] [In the formula, R', R', and R'' are the same as above.]
Composition 6(3)-Funejin (n) according to (1) is characterized in that it is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by
The following formula (III) [m is the same as above. The composition according to (1), which is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by the following formula.
(4)−船人〔■〕が次式(V)
〔式中、R’ 、R’ 、R″′及びDは前記と同じで
ある。また、Rδ及びReはH,CHa。(4) - Sailor [■] is represented by the following formula (V) [wherein R', R', R''' and D are the same as above. Also, Rδ and Re are H and CHa.
CF sの中のいずれかであり、互いに同じであっても
異なっていてもよい。〕で表わされる含弗素不飽和イミ
ド系化合物であることを特徴とする(1)に記載の組成
物。CFs, and may be the same or different from each other. The composition according to (1), which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the following formula.
(5)−船人(II)が、次式(VI)CVI) 〔式中、D、Re、Re、及びmは前記と同じである。(5) - Sailor (II) is given the following formula (VI) CVI) [In the formula, D, Re, Re, and m are the same as above.
〕で表わされる含弗素不飽和イミド系化合物であること
を特徴とする(1)に記載の組成物。The composition according to (1), which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the following formula.
である。It is.
本発明の組成物から得られる硬化成形物は、耐熱性、可
どう性にすぐれた。吸水率、透湿率が小さくなるのは、
次のように理由によるものと考えられる。すなわち、本
発明に於いて、−船人(1)で表わされるエーテル不飽
和ビスイミド系化合物は、耐熱性、可どう性付与効果を
発揮するのに有効であり、−船人(n)で表わされる含
弗素アミノ誘導体は、耐熱性と耐湿性(低吸水率化、低
透湿率化)付与効果を発揮することにより、両者の相乗
効果で前述の本発明の効果を得るに至ったものと推察さ
れる。The cured molded product obtained from the composition of the present invention has excellent heat resistance and flexibility. The water absorption rate and moisture permeability decrease because
This is thought to be due to the following reasons. That is, in the present invention, the ether unsaturated bisimide compound represented by -Funenin (1) is effective in exerting the effect of imparting heat resistance and ductility; The fluorine-containing amino derivative shown in FIG. It is inferred.
更に云えば、本発明の組成物に於いて、−船人CI)で
表わされる化合物に対して、−船人CII)で表わされ
る化合物の組合割合を相対的に増すことにより、硬化物
の耐湿性の一層の向」二が達成され、低誘電率化の効果
が得られる。このような相乗効果のために、従来極めて
困難とされてきた、耐熱性、可どう性、耐湿性、低誘電
率化のバランスを図り易い組成物となっていることが特
徴である。Furthermore, in the composition of the present invention, by relatively increasing the combination ratio of the compound represented by -Funenin CI) to the compound represented by -Funenin CI), the moisture resistance of the cured product can be improved. Further improvements in properties are achieved, and the effect of lowering the dielectric constant can be obtained. Because of such a synergistic effect, the composition is characterized in that it is easy to balance heat resistance, flexibility, moisture resistance, and low dielectric constant, which have been considered extremely difficult in the past.
このため1本発明の組成物を用いた各種用途材料は、適
用製品の高性能化、高信頼度化に大きな寄与をする。For this reason, various materials using the composition of the present invention greatly contribute to improving the performance and reliability of the products to which they are applied.
例えば、コンピュータ用の多層配線板用材料に用いるこ
とにより、本発明の特徴がいかんなく発揮される。特に
、低誘電率化の付与によるコンピュータの計算速度の向
上に大きな寄与がある。また、メモリLSIなどの眉間
絶縁膜、被覆材、封止材などに適用することにより、耐
湿信頼性、耐冷熱サイクル性の大巾な向上を可能とする
。また、磁気ディスク材料として適用することにより、
摺動部(ヘッド浮上対象部)の特性向上に極めて有効と
なる。その他、車輌用絶縁ワニス、液晶配向膜、シール
材、構造用接着材、塗料、その他広い用途において1本
発明の効果が発揮できる。For example, the features of the present invention can be fully exhibited by using it as a material for multilayer wiring boards for computers. In particular, providing a low dielectric constant greatly contributes to improving computer calculation speed. Furthermore, by applying the present invention to glabellar insulating films, covering materials, sealing materials, etc. of memory LSIs, etc., it is possible to greatly improve moisture resistance reliability and cold/heat cycle resistance. In addition, by applying it as a magnetic disk material,
This is extremely effective in improving the characteristics of the sliding part (the part to which the head flies). In addition, the effects of the present invention can be exhibited in a wide range of other applications such as insulating varnish for vehicles, liquid crystal alignment films, sealing materials, structural adhesives, paints, and others.
本発明に於いて、前記−船人(1)
〔式中、R1−R4はH2低級アルキル基、フルオロア
ルキル基、ハロゲン原子のいずれかである。In the present invention, the above-mentioned shipman (1) [wherein R1-R4 are H2 lower alkyl groups, fluoroalkyl groups, or halogen atoms].
のいずれかである。Either.
また。Also.
Dはエチレン性不飽和
二重結合を持つ二価の有機基である。〕で表わされるエ
ーテル不飽和ビスイミド系化合物とは、例えば以下のよ
うなものがある。すなわち、2,2−ビス(4−(4−
マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−
ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノキシ)
フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−クロロ−4−
(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
゜2−ビス〔3−ブロモ−4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−エチル
−4−(マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、
2.2−ビス〔3−プロピル−4−(4−マレイミドフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−イ
ソプロピル−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕フロパン、2.2−ビス〔3−ブチル−4−(4−
マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2゜2−
ビス(3−see−ブチル−4−(4−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2.2=ビスC3−メト
キシ−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、1,1−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル〕エタン、1.1−ビス〔3−メチル−4
−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕エタン、1
,1−ビス〔3−クロロ−4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス〔3−ブロモ−
4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕エタン、
ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニルコメ
タン、ビス〔3−メチル−4−(4−マレイミドフェノ
キシ)フェニルコメタン、ビス〔3−クロロ−4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3
−ブロモ−4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル
コメタン、1,1,1,3,3.3−へキサフルオロ−
2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕プロパン、1,1,1,3,3゜3−へキサクロ
ロ−2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)
フェニル〕プロパン、3゜3−ビス(4−(4−マレイ
ミドフェノキシ)フェニル〕ペンタン、1,1−ビス(
4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン
、1゜1,1,3,3,3−へキサフルオロ−2,2−
ビス[3,5−ジブロモ−4(4−マレイミドフェノキ
シ)フェニル]プロパン、1.i、1,3゜3.3−へ
キサフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル−4(4−マ
レイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス(4−(3−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、2,2−ビス[4−(3−マレイミドフェノキシ
)フェニル〕へキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔
4−(3−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、2,2−ビス(4−(3−エンドメチレンフタ
ルイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス(4−(3−イタコンイミドフェノキシ)フーニル〕
プロパン、2.2−ビス(4−(4−シトラコンイミド
フェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス(4−
(4−シトラコンイミドフェノキシ)フェニル〕へキサ
フルオロプロパンなどがある。D is a divalent organic group having an ethylenically unsaturated double bond. ] Examples of the ether unsaturated bisimide compound represented by the formula include the following. That is, 2,2-bis(4-(4-
maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2,2-
Bis[3-methyl-4-(4-maleimidophenoxy)
phenyl]propane, 2,2-bis[3-chloro-4-
(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2
゜2-bis[3-bromo-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[3-ethyl-4-(maleimidophenoxy)phenyl]propane,
2.2-bis[3-propyl-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[3-isopropyl-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]furopane, 2.2-bis[ 3-Butyl-4-(4-
maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2゜2-
Bis(3-see-butyl-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl)propane, 2.2=bisC3-methoxy-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 1,1-bis[4-( 4-maleimidophenoxy)phenyl]ethane, 1,1-bis[3-methyl-4
-(4-maleimidophenoxy)phenyl]ethane, 1
, 1-bis[3-chloro-4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]ethane, 1,1-bis[3-bromo-
4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]ethane,
Bis[4-(4-maleimidophenoxy)phenylcomethane, bis[3-methyl-4-(4-maleimidophenoxy)phenylcomethane, bis[3-chloro-4-(4
-maleimidophenoxy)phenylcomethane, bis[3
-Bromo-4-(4-maleimidophenoxy)phenylcomethane, 1,1,1,3,3.3-hexafluoro-
2,2-bis(4-(4-maleimidophenoxy)phenyl)propane, 1,1,1,3,3゜3-hexachloro-2,2-bis(4-(4-maleimidophenoxy)
Phenyl]propane, 3゜3-bis(4-(4-maleimidophenoxy)phenyl)pentane, 1,1-bis(
4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 1゜1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-
Bis[3,5-dibromo-4(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 1. i, 1,3゜3.3-hexafluoro-2,2-bis[3-methyl-4(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis(4-(3-maleimidophenoxy)phenyl) Propane, 2,2-bis[4-(3-maleimidophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis[
4-(3-citraconimidophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis(4-(3-endomethylenephthalimidophenoxy)phenyl)propane, 2,2-bis(4-(3-itaconimidophenoxy)funyl)
Propane, 2,2-bis(4-(4-citraconimidophenoxy)phenyl)propane, 2,2-bis(4-
Examples include (4-citraconimidophenoxy)phenyl]hexafluoropropane.
また、本発明に於いて、前記−船人(n)で表わされる
含弗素アミノ誘導体とは、
例えば。Further, in the present invention, the fluorine-containing amino derivative represented by the above-mentioned -Funenin (n) is, for example.
以下 に示すものがある。below There are some things shown below.
霞 霞 ム。haze haze Mu.
C−〇
=
!
本発明の含弗素不飽和イミド系化合物は、例え
ば、
一般式
%式%
一般式
〔■〕
式中、RIO,R11は水素、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子、パーフルオロアルキル基である。また、R8及
びR9は水素、低級アルキル基、パーフルオロアルキル
基である。〕で表わされるヒドロキシル基を持つ不飽和
イミド系化合物と、次式〔式中5mは1〜4oである。C-〇=! The fluorine-containing unsaturated imide compound of the present invention has, for example, the following formula: % Formula % General formula [■] In the formula, RIO and R11 are hydrogen, a lower alkyl group, a halogen atom, or a perfluoroalkyl group. Further, R8 and R9 are hydrogen, a lower alkyl group, or a perfluoroalkyl group. ] and an unsaturated imide compound having a hydroxyl group represented by the following formula [wherein 5m is 1 to 4o].
〕で表わされるペルフルオロアルキルエーテル系化合物
との反応により得ることができる。また、別の製造方法
としては、アミノフェノール系化合物と、上述のペルフ
ルオロアルキルエーテル系化合物を、先ず、反応させて
、含弗素アミノ系化合物とした後、エチレン性二重結合
を持つジカルボン酸無水物を反応させ、含弗素不飽和イ
ミド系化合物を得る方法もある。] It can be obtained by reaction with a perfluoroalkyl ether compound represented by the following. In addition, as another production method, an aminophenol compound and the above-mentioned perfluoroalkyl ether compound are first reacted to form a fluorine-containing amino compound, and then a dicarboxylic acid anhydride having an ethylenic double bond is produced. There is also a method in which a fluorine-containing unsaturated imide compound is obtained by reacting.
〔式中、nは1〜40である。〕で表わされるペルフル
オロアルキルエーテル系化合物には、例えば、
などがある。これらは、いずれも、室温で液状である。[In the formula, n is 1 to 40. Examples of perfluoroalkyl ether compounds represented by the formula include the following. All of these are liquid at room temperature.
前記を具体的な製造合成過程で示すと1次の通りである
。The above-mentioned process is shown in a concrete manufacturing and synthesis process as follows.
CFs CFs
F −f−c F CF2−0−+−CF −COFま
た、
前記−船人
および/または一般式
〔■〕
で表わされるヒドロキシル基を持つ不飽和イミド系化合
物と、
式
R’ R’
〔式中、R’ 、R’ 、R”は前記と同じである。〕
で表わされる弗素系化合物とを、塩基性触媒の存在下に
、加熱反応させて得られる。この反応の詳細な説明は、
日本化学会誌、1978年、253ページに記されてい
る方法などを参考にすればよい。CFs CFs F -f-c F CF2-0-+-CF -COF Also, an unsaturated imide compound having a hydroxyl group represented by the above-mentioned shipman and/or the general formula [■], and the formula R'R' [In the formula, R', R', and R'' are the same as above.]
It is obtained by subjecting a fluorine compound represented by the following formula to a heating reaction in the presence of a basic catalyst. A detailed explanation of this reaction can be found at
The method described in Journal of the Chemical Society of Japan, 1978, p. 253 may be referred to.
式
%式%
〔式中、RはF、又はCFaであり、R’ 、R’及び
R′はF、CF3.CzFa、C3F7 (7)中ノイ
ずれかであり、同じであっても異なっていてもよい。〕
で表わされる弗素系化合物としては、たとえば、ヘキサ
フルオロピレンおよび/またはヘキサフルオロピレンオ
リゴマがあり、具体的には、CFa
FzCFa
/
(CFa)2C=C
\
CF2CF2CF3
F 3
CFII CF2CF3
などがあり、ICT Mond Divisionなど
より市販されている。これらの化合物の中でも、本発明
の効果を発揮する上で、
CFa
\
/
F 3
あるいは、D−2,T−1が好ましい。Formula % Formula % [In the formula, R is F or CFa, and R', R' and R' are F, CF3. CzFa, C3F7 (7), and may be either the same or different. ]
Examples of the fluorine-based compound represented by include hexafluoropyrene and/or hexafluoropyrene oligomer, specifically, CFa FzCFa / (CFa)2C=C \ CF2CF2CF3 F 3 CFII CF2CF3, etc., and ICT Mond. It is commercially available from companies such as Division. Among these compounds, CFa\/F3 or D-2 and T-1 are preferred in order to exhibit the effects of the present invention.
本発明の組成物には、従来公知の不飽和N−置換イミド
系化合物を併用できる。特に、式(IX)〔式中、DI
、D2はエチレン性不飽和二重結合をもつジカルボン酸
残基である。また、Zoはアルキレン基、アリレン基、
または、それらの置換された二価の有機基を示す。〕で
表わされるN。The composition of the present invention can be used in combination with conventionally known unsaturated N-substituted imide compounds. In particular, the formula (IX) [wherein DI
, D2 is a dicarboxylic acid residue having an ethylenically unsaturated double bond. In addition, Zo is an alkylene group, an arylene group,
or indicates those substituted divalent organic groups. ].
N′−置換ビス不飽和イミド系化合物が有用であり、こ
のようなものとしては、例えば、N、N’−エチレンビ
スマレイミド、N、N’ −ヘキサメチレンビスマレイ
ミド、N、N’ −ドデカメチレンビスマレイミド、N
、N’ −m−フェニレンビスマレイミド、N、N’
−p−フェニレンビスマレイミド、N、N’ −p−フ
ェニレンビスシトラコンイミド、N、N’ −p−フェ
ニレンビスイタコンイミド、N、N’ −p−フェニレ
ンビスピロシコンイミド、N、N’ −p−フェニレン
−エンドメチレンテトラヒドロフタルイミド、N、N’
−4,4’ −ジフェニルメタンビスマレイミド、N、
N’−4,4’ −ジシクロヘキシルメタンビスマレイ
ミド、N、N’ −m−キシレンビスマレイミド、N、
N’ −ジフェニルシクロヘキサンビスマレイミド、4
,4′−ビスマレイミドシンナムアニリド、6.6′−
ビスマレイミド−2゜2′−ビピリジン、あるいは、
/=\
\=/
\2/
\工/
\工/
/=\
N工/
\工/
ゝもゴ′
\工/
/=\
\=/
\=/
\=/
ゝもゴ′
ゝ−−′
/=\
〜工/
−ノ
などがある。N'-substituted bis-unsaturated imide compounds are useful, such as N,N'-ethylene bismaleimide, N,N'-hexamethylene bismaleimide, N,N'-dodecamethylene. Bismaleimide, N
, N'-m-phenylene bismaleimide, N, N'
-p-phenylenebismaleimide, N,N' -p-phenylenebiscitraconimide, N,N' -p-phenylenebisitaconimide, N,N' -p-phenylenebispirociconimide, N,N' -p -phenylene-endomethylenetetrahydrophthalimide, N, N'
-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N,
N'-4,4'-dicyclohexylmethane bismaleimide, N, N'-m-xylene bismaleimide, N,
N'-diphenylcyclohexane bismaleimide, 4
, 4'-bismaleimide cinnamanilide, 6.6'-
Bismaleimide-2゜2'-bipyridine, or /=\ \=/ \2/ \Tech/ \Tech/ /=\N Tech/ \Tech/ ゝMogo' \Tech/ /=\ \=/ \ =/ \=/ ゝもGo′ ゝ−−′ /=\ 〜工/ −ノ etc.
また、 などがある。Also, and so on.
また、 難燃性付与の目的の場合には、 次の含燐 不飽和イミ ド系化合物の添加が有効である。Also, For the purpose of imparting flame retardancy, The following phosphorus-containing unsaturated imi Addition of compound based on hydrogen is effective.
H′″−=’H
Δh・しヨへ
また、本発明の組成物には、従来公知の含弗素系化合物
を併用することもできる。このようなものとしては、例
えば
(m:
1〜40)
○H
18し
しr(し148)2
aC
Fa
などがある。H'''-='H Δh・shiyohe In addition, conventionally known fluorine-containing compounds can be used in combination with the composition of the present invention. Examples of such compounds include (m: 1-40 ) ○H 18shishir(shi148)2 aC Fa etc.
また、 次の一般式 〔式中、 及びX2 は、 一〇− C− 中のいずれかである。Also, The following general formula [During the ceremony, and X2 teeth, 10- C- It's either inside.
また、
は直接結合、
フルオロアルキル基、アルキレンの中のいずれかである
。)、−0−−C−、−8−−3OZ −の中のいずれ
かである。〕で表わされるフタロニトリル系化合物の添
加も有効である。具体的には一般式〔〕が11次
式表わされるフタロニトリル系化合物であり、例えば、
以下の
Ha
Fa
Ha
Hs
CHs
CHs
CHs
などを併用することも、本発明の効果を妨げるものでは
ない。Also, is a direct bond, a fluoroalkyl group, or an alkylene group. ), -0--C-, -8--3OZ-. ] It is also effective to add a phthalonitrile compound represented by: Specifically, it is a phthalonitrile compound whose general formula [ ] is represented by an 11th formula, for example,
The combined use of the following Ha Fa Ha Hs CHs CHs CHs does not impede the effects of the present invention.
本発明に於いて、多官能エポキシ化合物を併用してもよ
い。例えば、ビスフェノールAのジグリシジルエーテル
、ブタジエンジエボキサイド、3゜4−エポキシシクロ
ヘキシルメチル−(3,4−エポキシ)シクロヘキサン
カルボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、
4,4′−ジ(1,2−エポキシエチル)ジビフェニル
エーテル、4.4’ −(17,2−エポキシエチル)
ビフェニル、2,2−ビス(3,4−エポキシシクロヘ
キシル)プロパン、レゾルシンのジグリシジルエーテル
、フロログルシンのジグリシジルエーテル、メチルフロ
ログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−(2,3−
エポキシシクロペンチル)エーテル、2− (3,4−
エポキシ)シクロヘキサン−5,5−スピロ(3,4−
エポキシ)シクロヘキサン−m−ジオキサン、ビス−(
3,4−エポキシ−6−メチルシクロヘキシル)アジペ
ート、N、N’−m−フェニレンビス(4,5−エポキ
シ−1,2−シクロヘキサン)ジカルボキシイミドなど
の三官能のエポキシ化合物、パラアミノフェノールのト
リグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジルエーテル
、1,3.5−)−リ(1゜2−エポキシエチル)ベン
ゼン、2.2’ 、4゜4′−テトラグリシドキシベン
ゾフェノン、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン
、フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシ
ジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテルト
リメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ある
いは、次式
%式%
低級アルキル基、
フルオロす
る。In the present invention, a polyfunctional epoxy compound may be used in combination. For example, diglycidyl ether of bisphenol A, butadiene dieboxide, 3°4-epoxycyclohexylmethyl-(3,4-epoxy)cyclohexane carboxylate, vinylcyclohexane dioxide,
4,4'-di(1,2-epoxyethyl) dibiphenyl ether, 4,4'-(17,2-epoxyethyl)
biphenyl, 2,2-bis(3,4-epoxycyclohexyl)propane, diglycidyl ether of resorcinol, diglycidyl ether of phloroglucin, diglycidyl ether of methylphloroglucin, bis-(2,3-
epoxycyclopentyl)ether, 2-(3,4-
epoxy)cyclohexane-5,5-spiro(3,4-
epoxy) cyclohexane-m-dioxane, bis-(
Trifunctional epoxy compounds such as 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl)adipate, N,N'-m-phenylenebis(4,5-epoxy-1,2-cyclohexane)dicarboximide, triaminophenol Glycidyl ether, polyallyl glycidyl ether, 1,3.5-)-ly(1゜2-epoxyethyl)benzene, 2.2', 4゜4'-tetraglycidoxybenzophenone, tetraglycidoxytetraphenylethane , polyglycidyl ether of phenol formaldehyde novolak, triglycidyl ether of glycerin, triglycidyl ether of trimethylolpropane, or the following formula % formula % lower alkyl group, fluoro.
で表わされる三官能以上のエポキシ化合物などがある。There are trifunctional or higher functional epoxy compounds represented by:
また、次に示すエポキシ化合物は、溶融状態で液晶配向
性をもつ。硬化物の耐熱性付与2機械強度、接着性向上
、電気特性の改良などに効果が大きい。Furthermore, the following epoxy compounds have liquid crystal orientation in a molten state. It is highly effective in imparting heat resistance to cured products, improving mechanical strength, adhesion, and electrical properties.
このような化合物には、例えば、 などがある。Such compounds include, for example: and so on.
また、−分子中に少なくとも一つの末端ビニル基、また
は、末端アリル基と、少なくとも一つの末端エポキシ基
(エチレンオキサイド基)をもつエポキシ化合物も有用
−である。例えば、−船人(式中、R14はHまたはC
Ha)の構造をもつ単量体であり、グリシジルアクリレ
ト、グリシジルメタアクリレート、β−メチルグリシジ
ルアクリレート、及び、β−メチルグリシジルメタアク
リレートなどが代表例としである。また、−船人(式中
、Rla、 R18はHまたはCH3)の構造の単量体
であり、(メチル)グリシジル(メタ)アクリルエーテ
ルなどが代表例としである。また、−船人
(式中、
す
RL7.RlaはHまたはCHa
を表わし。Also useful are epoxy compounds having at least one terminal vinyl group or terminal allyl group and at least one terminal epoxy group (ethylene oxide group) in the molecule. For example, - Shipman (in the formula, R14 is H or C
Typical examples include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, β-methylglycidyl acrylate, and β-methylglycidyl methacrylate. Furthermore, it is a monomer having the structure -Funenin (in the formula, Rla, R18 is H or CH3), and (methyl)glycidyl (meth)acrylic ether is a typical example. Also, -Sailor (in the formula, SuRL7.Rla represents H or CHa.
Rx2は−G−〇−CH2−
■
○
または、
表わす)の炭素原子数6〜12のエチレン性不飽f1エ
ポキシモノマ、また、オレフィン性不飽和のモノエポキ
サイドなどがある。また、−船人(式中、RleがHl
または、炭素数1〜4ケの低級アルキル基、あるいは、
CHzC,+2 であり、Xが1〜9の整数であり、y
が0〜10の整数である)の化合物、例えば、アリルグ
リシジルエーテル、(2−アリルオキシ)エチレングリ
シジルエーテル、4−ブテニルグリシジルエーテルなど
がある。Rx2 may be an ethylenically unsaturated f1 epoxy monomer having 6 to 12 carbon atoms such as -G-〇-CH2- ■ ○ or represented by the following formula, or an olefinically unsaturated monoepoxide. Also, -Sailor (in the formula, Rle is Hl
Or, a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or
CHzC,+2, X is an integer from 1 to 9, and y
is an integer of 0 to 10), such as allyl glycidyl ether, (2-allyloxy)ethylene glycidyl ether, and 4-butenyl glycidyl ether.
また、
あるいは、
一般式
(式中、Rzo ” R26の−っは水素原子、メチル
またはアリル基を示し、他のRは水素原子を示す)で示
されるものがある。Alternatively, there are compounds represented by the general formula (in the formula, - in Rzo'' R26 represents a hydrogen atom, methyl or allyl group, and the other R's represent a hydrogen atom).
また、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド。Also, vinylcyclohexene monooxide.
フルフリルアルコールのグリシジルエーテルあるいは Ch−CH=CHz などがある。これらは少なくとも一種が用いられる。Glycidyl ether of furfuryl alcohol or Ch-CH=CHz and so on. At least one of these is used.
本発明において、−船人CI)で表わされるエーテルイ
ミド系化合物と、−分子中に少なくとも一つの含弗素基
を持つアミノ誘導体との配合割合については、前者10
0重量部に対して、後者を10〜1000重量部の範囲
が一般的である。後者の割合が少なくなると耐熱性は高
くなる反面、誘電率が大きくなり、また、その割合を多
くするにつれてその逆の傾向を示す。In the present invention, the blending ratio of the etherimide compound represented by -Funenin CI) and the amino derivative having at least one fluorine-containing group in the molecule is 10% for the former.
The latter is generally in the range of 10 to 1000 parts by weight relative to 0 parts by weight. As the ratio of the latter decreases, the heat resistance increases, but the dielectric constant increases, and as the ratio increases, the opposite trend occurs.
また、本発明の樹脂組成物の硬化方法は、特に限定する
ものではないが、100〜250℃、1〜30分間加熱
することにより容易に硬化することができる。それによ
り得られる硬化物は1例えば、ガラス転移点180℃以
上をもち、180℃に於ける曲げ強度が150kg/a
d以上、200℃三十日放置後の強度保持率が80%以
上の硬化物を得ることもできる。また、曲げ強度の弾性
率は、1.30 X 103kg/m+++” 以下テ
、金属インサート(70φ×厚さ4I111の0字ワッ
シャ)をモールドした場合の耐クラツク性も、40’C
/二時間〜常温/二時間〜140℃二時間のヒートサイ
クル下でも20〜以上経過後もクラックの発生がない。Further, the method for curing the resin composition of the present invention is not particularly limited, but it can be easily cured by heating at 100 to 250°C for 1 to 30 minutes. The cured product obtained thereby has a glass transition point of 180°C or higher, and a bending strength of 150 kg/a at 180°C.
It is also possible to obtain a cured product having a strength retention rate of 80% or more after being left at 200° C. for 30 days. In addition, the elastic modulus of bending strength is 1.30 x 103 kg/m+++" or less, and the crack resistance when molded with a metal insert (70 φ x 4I111 thickness 0-shaped washer) is 40'C.
Even under a heat cycle of 2 hours to room temperature/2 hours to 140°C for 2 hours, no cracks were generated even after 20 hours or more.
また、本発明の樹脂組成物には、目的、用途に応じて、
ビニル、アリルおよびアクリル型であり/
うる少なくとも一種の重合可能なCHz=C基\
を含有する単量体を加えることにより変性できる。In addition, depending on the purpose and use, the resin composition of the present invention may include:
It can be modified by adding monomers of the vinyl, allyl and acrylic type and containing at least one polymerizable CHz=C group.
ここで、単量体は、例えば、スチレン、ビニルトルエン
、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン。Here, the monomer is, for example, styrene, vinyltoluene, α-methylstyrene, or divinylbenzene.
ジアリルフタレート、ジアリルフタレートプレポリマ、
クロルスチレン、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、
ジブロムスチレン、ジアリルベンゼンホスホネート、ジ
アリルアリールホスフィル酸エステル、アクリル酸、メ
タアクリル酸エステル。diallyl phthalate, diallyl phthalate prepolymer,
Chlorstyrene, dichlorostyrene, bromstyrene,
Dibromustyrene, diallylbenzene phosphonate, diallylaryl phosphylate, acrylic acid, methacrylic acid ester.
トリアリルシアヌレート、トリアリルシアヌレートプレ
ポリマ、トリブロモフェノールアリルエーテル、または
、従来公知のN、N’ −1換ビスマレイミド系化合物
などがあり、これらの一種または二種を併用して使用で
きる。Examples include triallyl cyanurate, triallyl cyanurate prepolymer, tribromophenol allyl ether, or conventionally known N,N'-1-substituted bismaleimide compounds, and one or two of these can be used in combination. .
本発明の樹脂組成物には、短時間の加熱によってその硬
化を完了させる目的で、重合開始剤を添加することが望
ましい。そのような重合開始剤は、ベンゾイルパーオキ
シド、p−クロロ−ベンゾイルパーオキシド、2・4−
ジクロロベンゾイルパーオキシド、オプリリルパーオキ
シド、ラウロイルパーオキシド、アセチルパーオキシド
、メチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノン
パーオキシド、ビス(1−ヒドロキシシクロヘキシルパ
ーオキシド)、ヒドロキシへブチルパーオキシド、t−
ブチルハイドロパーオキシド、p−メンタンハイドロパ
ーオキシド、t−ブチルパーベンゾエート、t−ブチル
パーアセテート、t−ブチルパーオクトエート、t−ブ
チルパーオキシイソブチレート、ジ−t−ブチルシバ−
フタレートなどの有機過酸化物が有用であり、その一種
または複数種を用いることができる。It is desirable to add a polymerization initiator to the resin composition of the present invention in order to complete its curing by heating for a short time. Such polymerization initiators include benzoyl peroxide, p-chloro-benzoyl peroxide, 2,4-
Dichlorobenzoyl peroxide, oprylyl peroxide, lauroyl peroxide, acetyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, bis(1-hydroxycyclohexyl peroxide), hydroxyhebutyl peroxide, t-
Butyl hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, t-butyl perbenzoate, t-butyl peracetate, t-butyl peroctoate, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylshiba-
Organic peroxides such as phthalates are useful, and one or more of them can be used.
また、トリエチルアミン、テトラメチルブタンジアミン
、テトラメチルペンタンジアミン、テトラメチルヘキサ
ンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン
などの三級アミン、ジメチルアミノエタノール、ジメチ
ルアミノペンタノールなどのオキシアルキルアミンやト
リス(ジメチルアミノメチル)フェノール、N−メチル
モルホリンなどのアミン類、また、セチルトリメチルア
ンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウム
クロライド、ドテシルトリメチルアンモニウムアイオダ
イド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、ベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドテシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムアセテートなど第四
級アンモニウム塩、さらに、2−メチルイミダゾール、
2−エチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール
、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチル−4−エ
チルイミダゾール、1−ブチルイミダゾール、1−プロ
ピル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メ
チルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミ
ダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾ
ール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、
1−アジン−2−メチルイミダゾール、1−アジン−2
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、トリエチ
ルアミンテトラフェニルボレート、N−メチルモルホリ
ンテトラフェニルボレート、ピリジンテトラフェニルボ
レート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフ
ェニルボレート、2−エチル−1,4−ジメチルイミダ
ゾールテトラフェニルボレートなどのカリボール塩が有
用である。これら触媒の少なくとも一種を前述の配合組
成物に対し0.01〜10重量%の範囲で使用するのが
良い。また、これらの触媒と、前述の過酸化物触媒を併
用して用いることも出来る。In addition, tertiary amines such as triethylamine, tetramethylbutanediamine, tetramethylpentanediamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, oxyalkylamines such as dimethylaminoethanol, dimethylaminopentanol, and tris(dimethylaminomethyl) Phenol, amines such as N-methylmorpholine, cetyltrimethylammonium bromide, cetyltrimethylammonium chloride, dotesyltrimethylammonium iodide, trimethyldodecylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride,
benzyldimethylpalmitylammonium chloride,
Quaternary ammonium salts such as allyldotesyltrimethylammonium bromide, benzyldimethylstearylammonium bromide, stearyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium acetate, furthermore, 2-methylimidazole,
2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecyl imidazole, 2-methyl-4-ethylimidazole, 1-butylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1 -cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole,
1-Azine-2-methylimidazole, 1-Azine-2
- Imidazoles such as undecyl imidazole, triphenylphosphine tetraphenylborate, triethylamine tetraphenylborate, N-methylmorpholine tetraphenylborate, pyridine tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, 2-ethyl- Kalibol salts such as 1,4-dimethylimidazole tetraphenylborate are useful. It is preferable to use at least one of these catalysts in an amount of 0.01 to 10% by weight based on the above-mentioned blended composition. Moreover, these catalysts and the above-mentioned peroxide catalyst can also be used in combination.
本発明では、上述の重合触媒に、例えばメルカプタン類
、サルファイド類、β−ジケトン類、金属キレート類、
金属石酸など公知の促進剤を併用することも可能である
。また、樹脂組成物の室温における貯蔵安定性を良好に
するために、例えば、p−ベンゾキノン、ナフトキノン
、フエナントラキノンなどのキノン類、ハイドロキノン
、p−t−ブチルカテコール、2・5−ジ−t−ブチル
ハイドロキノンなどのフェノール類や、ニトロ化合物、
金属塩類など公知の重合防止剤を、用途に応じて使用す
ることができる。In the present invention, the above-mentioned polymerization catalyst may include, for example, mercaptans, sulfides, β-diketones, metal chelates,
It is also possible to use a known accelerator such as metallparic acid. In addition, in order to improve the storage stability of the resin composition at room temperature, for example, quinones such as p-benzoquinone, naphthoquinone, and phenanthraquinone, hydroquinone, pt-butylcatechol, 2,5-di- Phenols such as t-butylhydroquinone, nitro compounds,
Known polymerization inhibitors such as metal salts can be used depending on the purpose.
さらに、本発明の樹脂組成物には、その用途に応じて、
種々の素材を配合することができる。Furthermore, the resin composition of the present invention may include, depending on its use,
Various materials can be blended.
すなわち、例えば、成形材料としての用途には、ジルコ
ン、シルカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、チタニア
、亜鉛華、炭酸カルシウム、マグネサイト、クレー、カ
オリン、タルク、珪砂、ガラス、溶融石英ガラス、アス
ベスト、マイカ、各種ウィスカー、カーボンブラック、
黒鉛、二硫化モリブデンなどの無機質充填剤、高級脂肪
酸やワックスなどの離型剤、エポキシシラン、ビニルシ
ラン、ボランやアルコキシチタネート系化合物などのカ
ップリング剤などの少なくとも一種を配合することがで
きる。また必要に応じて、含ハロゲン化合物、酸化アン
チモンや燐化合物などの難燃性付与剤などを用いること
ができる。For example, zircon, silica, alumina, aluminum hydroxide, titania, zinc white, calcium carbonate, magnesite, clay, kaolin, talc, silica sand, glass, fused silica glass, asbestos, and mica are suitable for use as molding materials. , various whiskers, carbon black,
At least one of inorganic fillers such as graphite and molybdenum disulfide, mold release agents such as higher fatty acids and wax, and coupling agents such as epoxy silane, vinyl silane, borane and alkoxy titanate compounds can be blended. Further, flame retardant imparting agents such as halogen-containing compounds, antimony oxide, and phosphorus compounds can be used as necessary.
また、ワニスなどのように、溶液として使用することも
できる。その際に用いられる溶剤は、N−メチル−2−
ピロリドン、N、・N−ジメチルアセトアミド、N−N
−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、ジ
メチルスルホオキシド、N−N−ジエチルアセトアミド
、N−N−ジメチルメトキシアセトアミド、ヘキサメチ
ルフオスホルアミド、ピリジン、ジメチルスルホン、テ
トラメチルスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン
等があり、また、フェノール系溶剤群は、フェノール、
クレゾール、キシレノールなどがある。It can also be used as a solution, such as a varnish. The solvent used at that time is N-methyl-2-
Pyrrolidone, N, ・N-dimethylacetamide, N-N
-Dimethylformamide, N-methylformamide, dimethylsulfoxide, N-N-diethylacetamide, N-N-dimethylmethoxyacetamide, hexamethylphosphoramide, pyridine, dimethylsulfone, tetramethylsulfone, dimethyltetramethylenesulfone, etc. , and the phenolic solvent group includes phenol,
Examples include cresol and xylenol.
以上のものについては、単独または二種以上の混合で使
用することができる。The above can be used alone or in combination of two or more.
ところで、本発明の組成物は、半導体装置の多層配線構
造に於ける眉間絶縁膜、δ線遮蔽膜などの素子被覆膜、
コンピュータ用多層配線板の積層材、LSI封止材、接
着剤、液晶配向膜、及び、表示装置のシール材、各種用
途の塗料、磁気記録ディスクの摺動材(表面被覆材)な
ど広い適用分野がある。By the way, the composition of the present invention can be used for element coating films such as glabella insulating films and delta-ray shielding films in multilayer wiring structures of semiconductor devices;
Wide range of applications including laminated materials for multilayer wiring boards for computers, LSI sealing materials, adhesives, liquid crystal alignment films, sealing materials for display devices, paints for various uses, sliding materials (surface coating materials) for magnetic recording disks, etc. There is.
例えば、半導体装置へ適用する場合には、本発明の一船
人CI)及び−船人(II)で表わされる化合物を含む
溶液として半導体素子などの表面に適用されることが望
ましく、溶媒は1例えば、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、2
−プロパツールなどのアルコール類のほか、メチルエチ
ルケトン。For example, when applied to a semiconductor device, it is preferable that the solution containing the compounds represented by Ichiman CI) and -Senman (II) of the present invention is applied to the surface of a semiconductor element, etc., and the solvent is For example, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, methanol, ethanol,
-In addition to alcohols such as propatool, methyl ethyl ketone.
アセトンなどのケトン類、エチルセロソルブをはじめと
するセロソルブアセテート類、塩化炭化水素、あるいは
、ジメチルアセトアミド、ジメチルポル4アミド、N−
メチル−2−ピロリドンなどの極性溶剤が挙げられる。Ketones such as acetone, cellosolve acetates such as ethyl cellosolve, chlorinated hydrocarbons, dimethylacetamide, dimethylpol-4amide, N-
Examples include polar solvents such as methyl-2-pyrrolidone.
それらの化合物の溶液は、半導体素子やリード線などの
表面に塗布される。塗布方法は、溶液中への素子、およ
び、リード線の浸漬、素子、および、リード線上への溶
液の滴下、あるいは、スプレー、スピンナ塗布などの方
法がある。Solutions of these compounds are applied to the surfaces of semiconductor elements, lead wires, and the like. Coating methods include dipping the element and lead wires into the solution, dropping the solution onto the element and lead wires, spraying, and spinner coating.
このような方法により、化合物溶液を塗布された半導体
素子やリード線は1次に、少なくとも100℃以上、特
に好ましくは120〜250℃で加熱焼付は処理される
。この処理によって、化合物はより高分子量化、架橋さ
れて保護被覆層を形成する。被覆層の厚さについては、
特に制限を設けるものではない。その目的と用途に応じ
て、適宜、効果のすぐれたものが用いられる。By such a method, the semiconductor elements and lead wires coated with the compound solution are first subjected to heat baking at a temperature of at least 100°C or higher, particularly preferably 120 to 250°C. Through this treatment, the compound has a higher molecular weight and is crosslinked to form a protective coating layer. Regarding the thickness of the coating layer,
There are no particular restrictions. Depending on the purpose and use, those with excellent effects are used as appropriate.
例えば、多層配線型LSIの層間絶縁膜は、500人〜
数μmの膜厚が、また、δ線遮蔽膜は10〜200μm
の膜厚が、目的を達成する上で有効である。(第1図、
第2図および第3図)〔実施例〕
〈実施例1〜20>
第1表、第2表に示した二十種類の配合組成物を作製し
た。For example, the interlayer insulating film of a multilayer wiring type LSI requires 500 or more people.
The film thickness is several μm, and the δ-ray shielding film is 10 to 200 μm.
A film thickness of (Figure 1,
2 and 3) [Example] <Examples 1 to 20> Twenty types of blended compositions shown in Tables 1 and 2 were prepared.
各配合組成物は、50〜70℃、十分量混練したのち、
冷却して目的の耐熱性樹脂組成物を得た。After kneading a sufficient amount of each blended composition at 50 to 70°C,
It was cooled to obtain the desired heat-resistant resin composition.
各組成物を、170℃、70kg/aJ、5分間の条件
でトランスファ成形して、各種特性測定用試片を作製し
た。第1表、第2表に、ガラス転移点、180℃に於け
る曲げ強さ9曲げ弾性率、200℃、三十日放置後の加
熱劣化特性、材料の貯蔵安定性を示した。Each composition was transfer molded under the conditions of 170° C., 70 kg/aJ, and 5 minutes to prepare specimens for measuring various characteristics. Tables 1 and 2 show the glass transition point, bending strength at 180°C, bending modulus, heat deterioration characteristics after being left at 200°C for 30 days, and storage stability of the material.
いずれの硬化物も、ガラス転移点180℃以上。All cured products have a glass transition point of 180°C or higher.
180℃の曲げ強さ、450kg/cd以上、200℃
、三十日放置後の強度保持率80%以上2曲げ弾性率1
、30 X 10’kg/ m”以上の耐熱性、可撓
性にすぐれた特性をもっている。Bending strength at 180℃, 450kg/cd or more, 200℃
, Strength retention after 30 days of storage: 80% or more 2 Flexural modulus: 1
, 30 x 10'kg/m" or more, and has excellent flexibility and heat resistance.
本発明の必須成分である含弗素アミノ誘導体として、次
のもの(A)〜(F)を用いて、以下検討した。The following studies were conducted using the following fluorine-containing amino derivatives (A) to (F), which are essential components of the present invention.
含弗素アミノ誘導体(A)
含弗素アミノ誘導体(C)
含弗素アミノ誘導体(E)
含弗素アミノ誘導体(F)
〈実施例21〜28〉
前述の含弗素アミノ誘導体(A)〜(E)の五種類を採
り上げた。これらに更に、ビスフェノールA型エポキシ
DER332(ダウ・ケミカル社製)、オルトジアリル
ビスフェノールF、2,2−ビス(4−(4−マレイミ
ドフェノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン(略
して、DAPP −FMI)、 トリアリルイソシア
ヌレート(TAIC)を、それぞれ別個に第3表に示し
た所定量(重量部)を配合して、人種類の配合物を作っ
た。Fluorine-containing amino derivative (A) Fluorine-containing amino derivative (C) Fluorine-containing amino derivative (E) Fluorine-containing amino derivative (F) <Examples 21 to 28> Five of the above-mentioned fluorine-containing amino derivatives (A) to (E) Selected types. In addition to these, bisphenol A type epoxy DER332 (manufactured by Dow Chemical Company), orthodiallyl bisphenol F, 2,2-bis(4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]hexafluoropropane (abbreviated as DAPP-FMI) , triallyl isocyanurate (TAIC) were separately blended in the predetermined amounts (parts by weight) shown in Table 3 to make human-type formulations.
これらの配合物には、それぞれ硬化促進剤として、ジシ
アンジアミド、ベンゾグアナミン、及び、ジクミルパー
オキサイド(DCPO)を、また、カップリング剤とし
てエポキシシランKBM403(信越化学社製)を所定
量添加した。To these formulations were added dicyandiamide, benzoguanamine, and dicumyl peroxide (DCPO) as curing accelerators, and predetermined amounts of epoxysilane KBM403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent.
次いで、これらの配合組成物は、N−メチル−2−ピロ
リドン(NMP)とメチルエチルケトン(MEK)の等
景況合液に溶解して、45〜48重量%の固形分を含む
ワニスとした。These formulations were then dissolved in an isostatic mixture of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and methyl ethyl ketone (MEK) to form a varnish containing 45-48% solids by weight.
このワニス溶液を用いて、ガラス布(日東紡社製WE−
116P、BY−54)に、樹脂含浸塗布し、160℃
、15分間乾燥させ、樹脂含有量45〜48重量%の塗
工布を作成した。Using this varnish solution, apply a glass cloth (WE-made by Nittobo Co., Ltd.)
116P, BY-54), coated with resin and heated at 160°C.
, and dried for 15 minutes to prepare a coated cloth having a resin content of 45 to 48% by weight.
次いで、この塗工布へ枚を用い、その上・下に35μm
厚のTAI処理銅箔(古河電ニーCFC社製)を重ね、
170〜185℃、40kg−f/−の条件下で80分
積層接着し、厚さ約1.6mmの両面銅張り積層板を作
成した。Next, apply a sheet to this coated cloth, and apply a layer of 35 μm above and below it.
Layer thick TAI-treated copper foil (manufactured by Furukawa Denki CFC),
Lamination and adhesion were carried out for 80 minutes under conditions of 170 to 185°C and 40 kg-f/- to produce a double-sided copper-clad laminate having a thickness of about 1.6 mm.
上記の銅張り積層板を、更に、200℃、四時間後硬化
を行なった。得られた銅張り積層板へ種類の諸特性を第
3表に示した。The above copper-clad laminate was further post-cured at 200° C. for 4 hours. Table 3 shows the various characteristics of the copper-clad laminates obtained.
なお、各特性の測定方法は次の通りである。The method for measuring each characteristic is as follows.
(a) 銅箔引き剥し強度
銅張り積層板より25mX100mmの大きさに試験片
を切り取った後、中央部に巾10aiに銅箔を残し、他
の銅箔はエツチング除去した。次に、中央部の銅箔を垂
直方向に5 m / winの速度で引き剥し、その強
度を測定した。(a) Copper foil peel strength After cutting a test piece into a size of 25 m x 100 mm from a copper-clad laminate, a copper foil with a width of 10 ai was left in the center, and the other copper foils were removed by etching. Next, the central copper foil was peeled off in the vertical direction at a speed of 5 m/win, and its strength was measured.
(b) 半田耐熱性
銅張り積層板より25+s+角に切り取ったものを試験
片とした。この試験片を300℃に加熱した半田浴に浮
かべ、ふくれなどの異常の発生する時間を測定した。(b) A test piece was cut into a 25+s+ corner from a solder heat-resistant copper-clad laminate. This test piece was floated in a solder bath heated to 300°C, and the time required for abnormalities such as blistering to occur was measured.
(c) 消炎性
tJL−94垂直法に従って測定した。上記の銅張り積
層板から巾12mm、長さ125mに切り取り、銅箔を
エツチングしたものを試験片とした。(c) Anti-inflammatory tMeasured according to the JL-94 vertical method. A test piece was cut from the above copper-clad laminate to a width of 12 mm and a length of 125 m, and a copper foil was etched thereon.
試験片は各々+側ずつ測定し、平均消炎時間で表した。The positive side of each test piece was measured and expressed as the average flame-out time.
なお、平均消炎時間5秒以内、最長清炎時間10秒以内
がUL−94,V−0、平均消炎時間25秒以内、最長
消炎時間30秒以内がUL−94、V−1である。In addition, an average flame-out time of 5 seconds or less and a maximum flame-out time of 10 seconds or less is UL-94, V-0, and an average flame-out time of 25 seconds or less and a maximum flame-out time of 30 seconds or less is UL-94, V-1.
〈実施例29〜39.比較例〉
多官能エポキシ化合物として、オルトクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂EOCN−1028(日本化薬社製
、エポキシ当量211.軟化点66.4℃)、100重
量部に対して、含弗素アミノ誘導体(A)及び(B)の
所定量、また、ノボラック型フェノール樹脂HP−60
7N (日立化成社製、軟化点78〜82℃)、p−ヒ
ドロキシ重合体Mレジン(丸善石油社製、数平均分子量
4800)+ N、N’ −ビスマレイミドジフェニル
メタン(DOMビスマレイミド)を採り上げ。<Examples 29-39. Comparative Example> As a polyfunctional epoxy compound, a fluorine-containing amino derivative (A ) and (B), as well as novolak type phenolic resin HP-60.
7N (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., softening point 78 to 82°C), p-hydroxy polymer M resin (manufactured by Maruzen Oil Co., Ltd., number average molecular weight 4800) + N,N'-bismaleimide diphenylmethane (DOM bismaleimide).
第4表に示した所定量を配合した。The prescribed amounts shown in Table 4 were blended.
これらの配合物に、硬化促進剤として、トリフェニルホ
スフィン2.0 重量部、カップリング剤として、エポ
キシシランKBM303 (信越化学社製)2.0重量
部と、アシレート型チタネート系化合物0.8 重量部
、離型剤としてステアリン酸カルシウム1.0重量部と
へキストワックスE(ヘキストジャバン社製)1.0重
量部、難燃剤として付加型イミドコート赤燐5重量部、
充填材として平均粒径1μmの球状アルミナ50重量パ
ーセント(配合組成物全体に対して)と、10〜44μ
m平均粒径の溶融石英ガラス粉30重量パーセント(配
合組成物全体に対して)、着色剤としてカーボンブラッ
ク(キャボット社製)2.0重量部を、それぞれ別個に
添加して、m=種類の配合組成物を作成した。To these compounds, 2.0 parts by weight of triphenylphosphine as a curing accelerator, 2.0 parts by weight of epoxysilane KBM303 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent, and 0.8 parts by weight of an acylate titanate compound. 1.0 parts by weight of calcium stearate and 1.0 parts by weight of Hoechst Wax E (manufactured by Hoechst Javan) as a mold release agent, 5 parts by weight of addition type imide coated red phosphorus as a flame retardant,
As a filler, 50% by weight of spherical alumina with an average particle size of 1 μm (based on the entire blended composition) and 10 to 44 μm
30 weight percent of fused silica glass powder with m average particle size (based on the entire blended composition) and 2.0 parts by weight of carbon black (manufactured by Cabot) as a coloring agent were added separately to obtain m = type of fused silica powder. A blended composition was created.
次いで、これら配合物は、75〜85℃に加熱された8
インチ径の二本ロールで釣人分間加熱混練した後、冷却
し、粗粉砕して、半導体封止用成形材料組成物を得た。These formulations were then heated to 75-85°C.
After heating and kneading for a minute using two inch diameter rolls, the mixture was cooled and coarsely ground to obtain a molding material composition for semiconductor encapsulation.
これら組成物を用いて、IMビットD −RAMLSI
、五十個を、トランスファ成形機を用いて、180”C
,70kg−f/al、二分間の条件で封止成形を行な
い、樹脂封止型半導体装置を得た。Using these compositions, IM bit D-RAM LSI
, 50 pieces were molded at 180"C using a transfer molding machine.
, 70 kg-f/al for 2 minutes to obtain a resin-sealed semiconductor device.
得られた樹脂封止型半導体装置は、121℃。The temperature of the obtained resin-sealed semiconductor device was 121°C.
2気圧の過飽和水蒸気釜(プレツヤ・フッカ釜)に、所
定時間投入した後、取り出し、半導体装置が電気的に正
常に動作するか否かをチエツクし、不良動作(断線不良
)を示すものは、破壊検査により、素子上の配線が腐食
により断線故障したものであることを確認した。不良の
発生状況を第4表に示した。After placing the semiconductor device in a 2-atm supersaturated steam oven (preheat hookah oven) for a predetermined period of time, take it out and check whether the semiconductor device operates normally electrically.If it shows malfunction (broken wire), Destructive testing confirmed that the wiring on the device had broken due to corrosion. Table 4 shows the occurrence of defects.
第1図は本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第2
図、第3図は本発明の半導体装置の素子の部分断面図で
ある。図中、1はリード線、2は半導体素子、3は保護
被覆樹脂、4は配線、5はポリイミド系樹脂、6はモー
ルド樹脂、7は熱酸化膜である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG.
3 are partial cross-sectional views of the elements of the semiconductor device of the present invention. In the figure, 1 is a lead wire, 2 is a semiconductor element, 3 is a protective coating resin, 4 is a wiring, 5 is a polyimide resin, 6 is a molding resin, and 7 is a thermal oxide film.
本発明のエーテルイミド系組成物は、耐熱性。 The etherimide composition of the present invention is heat resistant.
可どう性、耐湿性、低誘電率化の付与に効果が大きい。It is highly effective in imparting flexibility, moisture resistance, and low dielectric constant.
第1図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
2図、第3図は、本発明の半導体装置の素子の部分断面
図である。
1・・・リード線、2・・・半導体素子、3・・・保護
被覆樹脂、3−I・・・第−層保護被覆樹脂、3−■・
・・第二層保護被覆樹脂、4−1・・・第−層配線、4
−11・・第二層配線、5・・・ポリイミド系樹脂、6
・・・モールド樹脂、7・・・熱酸化膜。
第
図FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are partial cross-sectional views of elements of the semiconductor device according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Lead wire, 2...Semiconductor element, 3...Protective coating resin, 3-I...-th layer protective coating resin, 3-■.
...Second layer protective coating resin, 4-1...Third layer wiring, 4
-11...Second layer wiring, 5...Polyimide resin, 6
...Mold resin, 7...Thermal oxidation film. Diagram
Claims (8)
ロアルキル基,ハロゲン原子のいずれかである。また、
R_5及びR_6はCH_3,CF_3,H,▲数式、
化学式、表等があります▼のいずれかである。また、D
_1,D_2はエチレン性不飽和二重結合を持つ二価の
有機基である。〕で表わされるエーテル不飽和ビスイミ
ド系化合物と、 一般式〔II〕 X−O−Z−N=Y〔II〕 〔式中、Zは▲数式、化学式、表等があります▼(R_
7は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の中のいずれ かである。)のいずれかである。また、Xは▲数式、化
学式、表等があります▼ (R′,R″,R′″はF,CF_3, C_2F_5,C_3F_7の中のいずれかであり、互
いに同じであつても異なつていてもよい。)、及び▲数
式、化学式、表等があります▼ (mは1 〜40である。)のいずれかである。また、Yは▲数式
、化学式、表等があります▼(Dはエチレン性不飽和二
重結合を持つ二価の有機基である。)、及び▲数式、化
学式、表等があります▼のいずれかである。〕で表わさ
れる含弗素アミノ誘導体とを、含むことを特徴とするエ
ーテルイミド系組成物。1. General formula [I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [I] [In the formula, R_1 to R_4 are H, a lower alkyl group, a fluoroalkyl group, or a halogen atom. Also,
R_5 and R_6 are CH_3, CF_3, H, ▲ formula,
There are chemical formulas, tables, etc. ▼. Also, D
_1 and D_2 are divalent organic groups having an ethylenically unsaturated double bond. ] An ether unsaturated bisimide compound represented by the general formula [II]
7 is one of the following: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼. ). Also, X has ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (R', R'', R''' are any of F, CF_3, C_2F_5, C_3F_7, and they can be the same or different. ), and ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (m is 1 to 40). In addition, Y is either ▲ has a mathematical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (D is a divalent organic group with an ethylenically unsaturated double bond), or ▲ has a mathematical formula, chemical formula, table, etc. ▼ It is. An etherimide composition comprising a fluorine-containing amino derivative represented by the following.
表わされる含弗素フェニルマレイミドであることを特徴
とする特許請求項第1項記載のエーテルイミド系組成物
。2. The general formula [II] becomes the following formula [III] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [III] [In the formula, R', R'', and R''' are the same as above. The etherimide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by the following formula.
ニルマレイミドであることを特徴とする特許請求項第1
項記載のエーテルイミド系組成物。3. The general formula [II] becomes the following formula [IV] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [IV] [m is the same as above. ] Patent claim 1 characterized in that it is a fluorine-containing phenylmaleimide represented by
The etherimide composition described in .
。また、R■及びR■はH,CH_3,CF_3の中の
いずれかであり、互いに同じであつても異なつていても
よい。〕で表わされる含弗素不飽和イミド系化合物であ
ることを特徴とする特許請求項第1項記載のエーテルイ
ミド系組成物。4. The general formula [II] is the following formula [V] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [V] [In the formula, R', R'', R''' and D are the same as above. Furthermore, R■ and R■ are any one of H, CH_3, and CF_3, and may be the same or different. The etherimide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the following.
。〕で表わされる含弗素不飽和イミド系化合物であるこ
とを特徴とする特許請求項第1項記載のエーテルイミド
系組成物。5. The general formula [II] becomes the following formula [VI] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ [VI] [In the formula, D, R■, R_9, and m are the same as above. The etherimide composition according to claim 1, which is a fluorine-containing unsaturated imide compound represented by the following.
用成形材料。6. A molding material for semiconductor encapsulation comprising the composition according to claim 1.
たは封止成形したことを特徴とする半導体装置。7. A semiconductor device characterized by being coated and/or encapsulated with the composition according to claim 1.
層板用材料。8. A material for a laminate comprising the composition according to claim 1 as a constituent component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27926488A JPH0813863B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Ether-imide composition and use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27926488A JPH0813863B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Ether-imide composition and use |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02127408A true JPH02127408A (en) | 1990-05-16 |
| JPH0813863B2 JPH0813863B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=17608742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27926488A Expired - Lifetime JPH0813863B2 (en) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | Ether-imide composition and use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0813863B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130795A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | Multilayer wiring substrate and manufacture thereof |
| US5138001A (en) * | 1989-08-29 | 1992-08-11 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Vinylphenyl compound, process for the production thereof, polymerizable composition containing same, and crosslinked polymer formed therefrom |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP27926488A patent/JPH0813863B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138001A (en) * | 1989-08-29 | 1992-08-11 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Vinylphenyl compound, process for the production thereof, polymerizable composition containing same, and crosslinked polymer formed therefrom |
| JPH04130795A (en) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Hitachi Ltd | Multilayer wiring substrate and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0813863B2 (en) | 1996-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200404088A (en) | Resin composition with excellent dielectric characteristics, process for producing resin composition, varnish prepared from the same, process for producing the same, prepreg made with these, and metal-clad laminate | |
| KR20090030207A (en) | Flame Retardant Polyimide Silicone Resin Composition | |
| JPH02132114A (en) | Phenolic resin with unsaturated imide group, its composition, and its uses | |
| JPH02127408A (en) | Etherimide compositions and uses | |
| JP2695880B2 (en) | Fluorinated phenoxy resin, composition and use | |
| JP2659769B2 (en) | Curable resin composition, electric device and component using the composition | |
| JPH01290642A (en) | Derivatives of aromatic tetrahydroxy compounds, their compositions and uses | |
| JP2585310B2 (en) | Laminated board | |
| JPH0224324A (en) | Composition and polymer obtained from same | |
| EP0295381B1 (en) | Polymer having dihydrotriazine rings, process for producing the same, and applications thereof | |
| JPH0224309A (en) | Composition | |
| JPH01125381A (en) | Addition-reactive imide compound, resin composition thereof, and manufacturing method thereof | |
| JPH01141942A (en) | Epoxy resin composition and laminate material comprising this epoxy resin composition | |
| JPH0234624A (en) | epoxy resin composition | |
| US4900807A (en) | Polymer from nitrile terminated compounds having Schiff bonds and process for preparing the same | |
| JPS62132916A (en) | thermosetting resin composition | |
| JPH02157264A (en) | Naphthol derivatives with unsaturated imide groups, their compositions and uses | |
| JPH0251522A (en) | Epoxy resin composition and use thereof | |
| JP2664213B2 (en) | Fluorinated phenolic resin, composition thereof, and use thereof | |
| JPH024813A (en) | polymerizable composition | |
| JPH0251520A (en) | epoxy resin composition | |
| JPH0245519A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JPH01287111A (en) | Composition comprising fluorine-containing unsaturated imide compound | |
| JPH0224317A (en) | Epoxy resin composition and its use | |
| JPH0749401B2 (en) | Cinnamanilide compounds, production method and applications |