JPH0140490B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0140490B2 JPH0140490B2 JP55013254A JP1325480A JPH0140490B2 JP H0140490 B2 JPH0140490 B2 JP H0140490B2 JP 55013254 A JP55013254 A JP 55013254A JP 1325480 A JP1325480 A JP 1325480A JP H0140490 B2 JPH0140490 B2 JP H0140490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- light
- projection lens
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製作において、フオトマス
クをウエハーに投影レンズを用いて焼付ける投影
焼付け装置に関する。
クをウエハーに投影レンズを用いて焼付ける投影
焼付け装置に関する。
集積回路製造工程中のフオトマスクをウエハー
に焼付ける方法としては、マスクとウエハーを重
ね合せて焼付ける方法、マスクとウエハーの間に
焼付け用投影レンズを配置してこれにより投影露
光を行なう方法、又ミラー光学系を用いて、円弧
スリツト状の画面領域上をマスクとウエハーを同
時スキヤンすることにより露光する方法等が知ら
れているが、特に最近は微細なパターンを焼付け
ることの必要性が高まり、その為に高解像力を有
するレンズによる投影露光方式が注目されてい
る。ところが、そのような高い解像力を有するレ
ンズで、４インチや５インチのウエハーの全面を
一度に焼付けることができるようなものは、設計
上、又レンズ製造上から言つて実現困難である。
従つてこの方式で大口径のウエハーを焼付ける場
合は、例えば第１図に示すようにウエハーＷ内の
露光領域EAをいくつかの矩形領域RAに分割し、
各矩形領域を順次露光することにより、ウエハー
全面の露光を完了する方法が提案されている。
に焼付ける方法としては、マスクとウエハーを重
ね合せて焼付ける方法、マスクとウエハーの間に
焼付け用投影レンズを配置してこれにより投影露
光を行なう方法、又ミラー光学系を用いて、円弧
スリツト状の画面領域上をマスクとウエハーを同
時スキヤンすることにより露光する方法等が知ら
れているが、特に最近は微細なパターンを焼付け
ることの必要性が高まり、その為に高解像力を有
するレンズによる投影露光方式が注目されてい
る。ところが、そのような高い解像力を有するレ
ンズで、４インチや５インチのウエハーの全面を
一度に焼付けることができるようなものは、設計
上、又レンズ製造上から言つて実現困難である。
従つてこの方式で大口径のウエハーを焼付ける場
合は、例えば第１図に示すようにウエハーＷ内の
露光領域EAをいくつかの矩形領域RAに分割し、
各矩形領域を順次露光することにより、ウエハー
全面の露光を完了する方法が提案されている。
ところで、集積回路製作工程においてこのよう
にしてフオトマスクをウエハーに焼付けるに際し
て、前工程においてすでにウエハー上に形成され
ているパターンと次に焼付けるべきフオトマスク
とを同時に観察して互いに決まつた位置関係にな
るまでフオトマスクあるいはウエハーの位置を調
整すること、即ちアライメントが必要になる。そ
の時、ウエハーは投影レンズを介して観察される
ことになり、その為の照明光はウエハー上に塗布
されたレジストが感光しない波長の光でなければ
ならない。又アライメントを自動的に行なう機構
を付加する場合にもレーザー等の異なつた波長の
光を投影レンズを介して結像する必要性が生ず
る。ところがこのように集積回路製造用に使用さ
れる焼付け用投影レンズは微細なパターンを焼付
ける為に高度に収差補正がなされていることが要
求され、その為、いくつもの波長光に対して収差
を良好に補正することは、現状の光学材料を用い
ては困難である。
にしてフオトマスクをウエハーに焼付けるに際し
て、前工程においてすでにウエハー上に形成され
ているパターンと次に焼付けるべきフオトマスク
とを同時に観察して互いに決まつた位置関係にな
るまでフオトマスクあるいはウエハーの位置を調
整すること、即ちアライメントが必要になる。そ
の時、ウエハーは投影レンズを介して観察される
ことになり、その為の照明光はウエハー上に塗布
されたレジストが感光しない波長の光でなければ
ならない。又アライメントを自動的に行なう機構
を付加する場合にもレーザー等の異なつた波長の
光を投影レンズを介して結像する必要性が生ず
る。ところがこのように集積回路製造用に使用さ
れる焼付け用投影レンズは微細なパターンを焼付
ける為に高度に収差補正がなされていることが要
求され、その為、いくつもの波長光に対して収差
を良好に補正することは、現状の光学材料を用い
ては困難である。
この為、本件出願人は特開昭46−93709に焼付
け時とアライメント時とでは異なる結像光学系を
マスク、ウエハーに挿入する投影焼付け法を提案
した。
け時とアライメント時とでは異なる結像光学系を
マスク、ウエハーに挿入する投影焼付け法を提案
した。
しかしながらこの方法は結像光学系を交換する
ため光軸合せの点で問題が有つた。
ため光軸合せの点で問題が有つた。
本発明は上述の問題を鑑みてなされたものであ
り従つて本発明の目的はアライメント時と焼付け
時で異なる結像光学系を使用する改良された投影
焼付け装置を提供することである。
り従つて本発明の目的はアライメント時と焼付け
時で異なる結像光学系を使用する改良された投影
焼付け装置を提供することである。
このため、本発明の装置は焼付け用光学系とア
ライメント用光学系を固定の関係にし、マスクの
アライメントマーク部分をアライメント用光学系
で、回路パターン部分を焼付け光学系によつて行
なつている。
ライメント用光学系を固定の関係にし、マスクの
アライメントマーク部分をアライメント用光学系
で、回路パターン部分を焼付け光学系によつて行
なつている。
以下本発明の実施例を図面を使用して説明す
る。尚、以下の実施例は焼付け光学系とアライメ
ント光学系がまつたく別体でなく、一部共用した
例である。
る。尚、以下の実施例は焼付け光学系とアライメ
ント光学系がまつたく別体でなく、一部共用した
例である。
又、以下の実施例の焼付け装置では、前述した
ように一度に焼付ける領域は例えば第１図に示す
ような１ケ１ケの矩形である。一般にレンズの有
効画面領域は第２図に示すように円形であるが、
焼付けにはＡで示す領域のみが作用される。すな
わちマスクのこの領域に対応する領域には回路パ
ターンが形成され、ウエハーのこの領域に対応す
る部分はマスクの回路パターンが形成される。
ように一度に焼付ける領域は例えば第１図に示す
ような１ケ１ケの矩形である。一般にレンズの有
効画面領域は第２図に示すように円形であるが、
焼付けにはＡで示す領域のみが作用される。すな
わちマスクのこの領域に対応する領域には回路パ
ターンが形成され、ウエハーのこの領域に対応す
る部分はマスクの回路パターンが形成される。
以下第３図を使用して本発明の第一実施例を説
明する。
明する。
１は超高圧水銀灯の如き感光性焼付け用光源で
ある。この光源１は焼付けの際マスクを照明す
る。２はコンデンサーレンズである。３，３′は
マスクのアライメントマーク部を照明し、観察す
る非感光性照明源、観察系を含む観察光学系であ
る。４はマスクである。このマスクは第４図に示
す如く領域Ａに回路パターン領域B1，B2にアラ
イメントマークＭが形成されている。領域Ａはコ
ンデンサーレンズ２からの感光光によつて照明さ
れ、アライメントマーク部分は照明光学系３によ
つて非感光光によつてアライメント時に照明され
る。５は共通結像レンズ６と共にアライメントマ
ーク投影光学系を形成するレンズ素子若しくは補
正光学素子である。この素子はマスク４の回路パ
ターン領域Ａの投影光路外に配置される必要があ
る。従つてマスク、ウエハーの直前でマークＭ部
分に対向して設けられることが望ましい。６は投
影レンズである。このレンズは感光光に対して十
分に収差補正がなされている。例えば超高圧水銀
灯の輝線スペクトルである波長436nｍ又は405n
ｍあるいはその両方の波長の光に対して収差が良
好に補正されている。従つて、マスクの回路パタ
ーンはウエハー７上にほぼ無収差の状態で結像さ
れる。一方この投影レンズ６だけでマークＭをウ
エハー７上に投影した場合、非感光性の光の波長
に対応してピントずれや倍率ずれを生じる。従つ
て光学素子５はこの倍率ずれ、ピントずれを補正
する。この補正光学素子５は単レンズ、貼合せレ
ンズ、場合によつては単なる平行平面板等で構成
されている。そして、この補正光学素子５及び投
影レンズ６は不図示の鏡筒によつて一体の関係を
有している。８はウエハー７の載置台であり、
ｘ、ｙ、θ方向に調整可能である。
ある。この光源１は焼付けの際マスクを照明す
る。２はコンデンサーレンズである。３，３′は
マスクのアライメントマーク部を照明し、観察す
る非感光性照明源、観察系を含む観察光学系であ
る。４はマスクである。このマスクは第４図に示
す如く領域Ａに回路パターン領域B1，B2にアラ
イメントマークＭが形成されている。領域Ａはコ
ンデンサーレンズ２からの感光光によつて照明さ
れ、アライメントマーク部分は照明光学系３によ
つて非感光光によつてアライメント時に照明され
る。５は共通結像レンズ６と共にアライメントマ
ーク投影光学系を形成するレンズ素子若しくは補
正光学素子である。この素子はマスク４の回路パ
ターン領域Ａの投影光路外に配置される必要があ
る。従つてマスク、ウエハーの直前でマークＭ部
分に対向して設けられることが望ましい。６は投
影レンズである。このレンズは感光光に対して十
分に収差補正がなされている。例えば超高圧水銀
灯の輝線スペクトルである波長436nｍ又は405n
ｍあるいはその両方の波長の光に対して収差が良
好に補正されている。従つて、マスクの回路パタ
ーンはウエハー７上にほぼ無収差の状態で結像さ
れる。一方この投影レンズ６だけでマークＭをウ
エハー７上に投影した場合、非感光性の光の波長
に対応してピントずれや倍率ずれを生じる。従つ
て光学素子５はこの倍率ずれ、ピントずれを補正
する。この補正光学素子５は単レンズ、貼合せレ
ンズ、場合によつては単なる平行平面板等で構成
されている。そして、この補正光学素子５及び投
影レンズ６は不図示の鏡筒によつて一体の関係を
有している。８はウエハー７の載置台であり、
ｘ、ｙ、θ方向に調整可能である。
本実施例は上述の如く構成されているため、ま
ず非感光光によつてマークＭ部分を照明する。
尚、投影レンズ６、補正レンズ５はマスクに対し
て固定である。この照明によつてマークＭはアラ
イメント光学系５，６によつてウエハー７上に投
影される。ウエハー７上のアライメントマークと
このマークＭの像を観察系３を通してウエハー載
置台８ｘ、ｙ、θ移動させアライメントを行な
う。アライメント終了後、光源１を点灯して焼付
け光学系６によつて回路パターンを投影焼付けを
行なう。
ず非感光光によつてマークＭ部分を照明する。
尚、投影レンズ６、補正レンズ５はマスクに対し
て固定である。この照明によつてマークＭはアラ
イメント光学系５，６によつてウエハー７上に投
影される。ウエハー７上のアライメントマークと
このマークＭの像を観察系３を通してウエハー載
置台８ｘ、ｙ、θ移動させアライメントを行な
う。アライメント終了後、光源１を点灯して焼付
け光学系６によつて回路パターンを投影焼付けを
行なう。
尚、本実施例ではアライメントマークＭを第４
図に示す如くB1、B2の位置だけに設けたかB3、
B4の位置に設けても良い。
図に示す如くB1、B2の位置だけに設けたかB3、
B4の位置に設けても良い。
第一実施例では補正光学系をアライメント光学
系幅に設けたが補正光学系をアライメント光学
系、焼付け光学系の両方に設けてもよい。この実
施例を第５図を使用して説明する。
系幅に設けたが補正光学系をアライメント光学
系、焼付け光学系の両方に設けてもよい。この実
施例を第５図を使用して説明する。
９，１０は共に補正光学系を形成する平行平面
板であり、焼付け光は平行平面板１０を透過し、
アライメントマークを結像する光は平行平面板９
を透過する。平行平面板９，１０はその厚さが異
なつており、焼付けに使用される光と、アライメ
ントに使用される光の波長が異なることによる投
影レンズの両者の光に対するピント位置の違いを
補正するようにその厚さが決められる。又、アラ
イメントパターンの結像位置は、投影レンズの色
収差又は光学系の組立て誤差によつて結像面内で
所定の位置よりずれることが有り得る。このパタ
ーン位置の横ずれは、平行平面板９の傾き調整に
より修正することができる。その方法を第６図に
基づいて説明する。平行平面板９は一般にその面
法線が光軸と平行になるように配置されるが、こ
の面法線を光軸に対して傾かせることによつてマ
スク上に結像されるアライメントパターンの像を
結像面内で横方向に移動させることができる。面
法線の傾きが十分小さい時は、パターン像の移動
量Ｙ（mm）は面法線の傾き角θ（ラジアン）、平行
平面板の厚さｄ（mm）、平行平面板の屈折率Ｎとに
より次式で表わされる。
板であり、焼付け光は平行平面板１０を透過し、
アライメントマークを結像する光は平行平面板９
を透過する。平行平面板９，１０はその厚さが異
なつており、焼付けに使用される光と、アライメ
ントに使用される光の波長が異なることによる投
影レンズの両者の光に対するピント位置の違いを
補正するようにその厚さが決められる。又、アラ
イメントパターンの結像位置は、投影レンズの色
収差又は光学系の組立て誤差によつて結像面内で
所定の位置よりずれることが有り得る。このパタ
ーン位置の横ずれは、平行平面板９の傾き調整に
より修正することができる。その方法を第６図に
基づいて説明する。平行平面板９は一般にその面
法線が光軸と平行になるように配置されるが、こ
の面法線を光軸に対して傾かせることによつてマ
スク上に結像されるアライメントパターンの像を
結像面内で横方向に移動させることができる。面
法線の傾きが十分小さい時は、パターン像の移動
量Ｙ（mm）は面法線の傾き角θ（ラジアン）、平行
平面板の厚さｄ（mm）、平行平面板の屈折率Ｎとに
より次式で表わされる。
Ｙ＝Ｎ−１／Ｎｄ・θ
第７図に更に他の実施例を示す。ここに１１，
１１′はアライメントパターン検出用光学系。１
２，１２′はアライメントパターン検出の為の照
明光学系。
１１′はアライメントパターン検出用光学系。１
２，１２′はアライメントパターン検出の為の照
明光学系。
１３，１３′は１２，１２′よりの照明光をウエ
ハー７上に導く為にマスク４と投影レンズ６の間
の光路中に配置されたビームスプリツター１４，
１４′は収差補正用光学エレメント。その他は先
の実施例と同じに構成される。先の実施例におい
てはアライメントパターン検出の為の照明はマス
クの上面よりマスクを透過して行なわれたがこの
時照明光の一部はマスク面により反射され、直接
検出系内に戻りこの光の為にウエハーパターンの
検出能力が低下する。本実施例においてはこの点
を解決する為に、マスク４と投影レンズ６の間の
光路内にビームスプリツター１３を配置し、これ
を介して照明光学系１２によりウエハー面を照明
している。この場合はマスク面からの反射光は検
出光学系１１に導かれることは無く、ウエハーパ
ターンの検出能力の低下は生じない。
ハー７上に導く為にマスク４と投影レンズ６の間
の光路中に配置されたビームスプリツター１４，
１４′は収差補正用光学エレメント。その他は先
の実施例と同じに構成される。先の実施例におい
てはアライメントパターン検出の為の照明はマス
クの上面よりマスクを透過して行なわれたがこの
時照明光の一部はマスク面により反射され、直接
検出系内に戻りこの光の為にウエハーパターンの
検出能力が低下する。本実施例においてはこの点
を解決する為に、マスク４と投影レンズ６の間の
光路内にビームスプリツター１３を配置し、これ
を介して照明光学系１２によりウエハー面を照明
している。この場合はマスク面からの反射光は検
出光学系１１に導かれることは無く、ウエハーパ
ターンの検出能力の低下は生じない。
第８図に更に他の実施例を示す。ここに１５，
１５′はアライメント用照明光学系。１６，１
６′アライメント用パターン検出用光学系。その
他は第７図における。実施例と同じに構成され
る。この実施例においてはアライメントパターン
の照明はマスクの上面よりマスクを透過して行な
われ、アライメントパターンの検出はビームスプ
リツター１３を介して、検出光学系１６により行
なわれる。この実施例の場合も第７図における実
施例と同様に、マスク面からの反射光が検出光学
系１６に導かれることは無いのでウエハーパター
ンの検出能力の低下は生じない。
１５′はアライメント用照明光学系。１６，１
６′アライメント用パターン検出用光学系。その
他は第７図における。実施例と同じに構成され
る。この実施例においてはアライメントパターン
の照明はマスクの上面よりマスクを透過して行な
われ、アライメントパターンの検出はビームスプ
リツター１３を介して、検出光学系１６により行
なわれる。この実施例の場合も第７図における実
施例と同様に、マスク面からの反射光が検出光学
系１６に導かれることは無いのでウエハーパター
ンの検出能力の低下は生じない。
第９図に更に他の実施例を示す。この実施例は
アライメントマークを結像する光束上には収差補
正光学系が配置されない事、及び焼付けに使用さ
れる光束上に収差補正用光学系１７が配置される
事の２点において、第３図に示す実施例と異なつ
ており他の構成は第３図に示す実施例と同じであ
る。この実施例においては投影レンズ６はアライ
メントマークを結像する光の波長に対して収差が
良好に補正されているものを用いる。従つて投影
レンズ６は焼付けに使用される光の波長に対して
は収差補正が不十分である為、収差補正用光学系
１７を焼付け光束上に配置し、収差補正を行な
う。収差補正用光学系１７は実際には、単レンズ
又は貼合せレンズ、場合によつては単なる平行平
面板等の通常の光学硝子により構成される。この
ように構成することにより、前記の実施例と同様
に、焼付け光束及びアライメントマーク結像光束
の両方について良好な収差補正を行なうことが出
来、本発明の目的を達成することができる。
アライメントマークを結像する光束上には収差補
正光学系が配置されない事、及び焼付けに使用さ
れる光束上に収差補正用光学系１７が配置される
事の２点において、第３図に示す実施例と異なつ
ており他の構成は第３図に示す実施例と同じであ
る。この実施例においては投影レンズ６はアライ
メントマークを結像する光の波長に対して収差が
良好に補正されているものを用いる。従つて投影
レンズ６は焼付けに使用される光の波長に対して
は収差補正が不十分である為、収差補正用光学系
１７を焼付け光束上に配置し、収差補正を行な
う。収差補正用光学系１７は実際には、単レンズ
又は貼合せレンズ、場合によつては単なる平行平
面板等の通常の光学硝子により構成される。この
ように構成することにより、前記の実施例と同様
に、焼付け光束及びアライメントマーク結像光束
の両方について良好な収差補正を行なうことが出
来、本発明の目的を達成することができる。
尚、これまでに述べた実施例において、収差補
正光学系は、マスクと焼付け用投影レンズ間の光
路中に配置したが、ウエハーと投影レンズ間の光
路中に収差補正光学系を配置しても全く、同様な
効果を得ることができる。又これまでの発明の説
明においては分割露光方式の投影焼付け装置に対
し本発明を適用することを主眼にして述べたが、
一括露光方式の投影焼付け装置に対して本発明を
そのまま適用することも可能であることは明瞭で
ある。
正光学系は、マスクと焼付け用投影レンズ間の光
路中に配置したが、ウエハーと投影レンズ間の光
路中に収差補正光学系を配置しても全く、同様な
効果を得ることができる。又これまでの発明の説
明においては分割露光方式の投影焼付け装置に対
し本発明を適用することを主眼にして述べたが、
一括露光方式の投影焼付け装置に対して本発明を
そのまま適用することも可能であることは明瞭で
ある。
このように本発明はマスクパターン焼付け装置
において露光には使用されない投影レンズの有効
画面領域を有効に利用し、焼付けに使用される光
とは異なつた波長の光に対し、収差補正を行なう
手段を提供し、迅速な露光処理を可能にし、か
つ、高度なアライメント精度を維持することが可
能なマスクパターン投影焼付け装置を実現させた
ものである。
において露光には使用されない投影レンズの有効
画面領域を有効に利用し、焼付けに使用される光
とは異なつた波長の光に対し、収差補正を行なう
手段を提供し、迅速な露光処理を可能にし、か
つ、高度なアライメント精度を維持することが可
能なマスクパターン投影焼付け装置を実現させた
ものである。
第１図は分割露光方式で使用するウエハーを説
明する図、第２図はレンズの視野を示す図、第３
図は本発明の第一実施例の光学配置図、第４図は
第３図のマスクを説明する図、第５図及び第６図
は第二実施例を説明する図、第７図は第三実施例
の光学配置図、第８図は第四実施例の光学配置
図、第９図は第五実施例の光学配置図である。 図中、１……感光性光源、２……コンデンサー
レンズ、３……照明観察光学系、４……マスク、
５，６……アライメント光学系、６……焼付け光
学系、７……ウエハー、８……ウエハー載置台で
ある。
明する図、第２図はレンズの視野を示す図、第３
図は本発明の第一実施例の光学配置図、第４図は
第３図のマスクを説明する図、第５図及び第６図
は第二実施例を説明する図、第７図は第三実施例
の光学配置図、第８図は第四実施例の光学配置
図、第９図は第五実施例の光学配置図である。 図中、１……感光性光源、２……コンデンサー
レンズ、３……照明観察光学系、４……マスク、
５，６……アライメント光学系、６……焼付け光
学系、７……ウエハー、８……ウエハー載置台で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスクとウエハのアライメントマークを観察
して前記マスクとウエハの位置合わせを行ない、
前記マスクを感光光で照明して前記マスクの回路
パターンを投影レンズにより前記ウエハ上に投影
し、前記回路パターンを前記ウエハに焼付ける投
影焼付け装置において、前記アライメントマーク
を前記感光光と異なる波長の光で照明する照明手
段と、前記回路パターンの前記投影レンズによる
投影光路外であつて且つ前記マスクと投影レンズ
の間若しくは前記ウエハと投影レンズの間に設け
た透光性の補正光学系とを有し、該補正光学系に
より前記照明手段で照明したアライメントマーク
を前記投影レンズで投影する時に生じる色収差を
補正し、前記マスクとウエハのアライメントマー
クを前記異なる波長の光で観察することを特徴と
する投影焼付け装置。 ２ マスクとウエハのアライメントマークを観察
して前記マスクとウエハの位置合わせを行ない、
前記マスクを感光光で照明して前記マスクの回路
パターンを前記ウエハ上に投影し、前記マスクの
回路パターンをウエハ上に焼付ける投影焼付け装
置において、前記アライメントマークを前記感光
光とは異なる波長の光で照明する照明手段と、該
照明手段で照明したアライメントマークを投影す
る為に前記マスクとウエハの間に設けた投影レン
ズと、前記アライメントマークの前記投影レンズ
による投影光路外であつて且つ前記マスクと投影
レンズの間若しくは前記ウエハと投影レンズの間
に設けた透光性の補正光学系とを有し、該補正光
学系により前記マスクの回路パターンを前記投影
レンズで投影する時に生じる色収差を補正して前
記回路パターンを前記ウエハ上に結像させると共
に、前記マスクとウエハのアライメントマークを
前記異なる波長の光で観察することを特徴とする
投影焼付け装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325480A JPS56110234A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Projection printing device |
| DE19813104007 DE3104007A1 (de) | 1980-02-06 | 1981-02-05 | Projektions-druckgeraet |
| US06/458,949 US4492459A (en) | 1980-02-06 | 1983-01-18 | Projection printing apparatus for printing a photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325480A JPS56110234A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Projection printing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56110234A JPS56110234A (en) | 1981-09-01 |
| JPH0140490B2 true JPH0140490B2 (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=11828071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325480A Granted JPS56110234A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Projection printing device |
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