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JPH0130794B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0130794B2
JPH0130794B2 JP5135384A JP5135384A JPH0130794B2 JP H0130794 B2 JPH0130794 B2 JP H0130794B2 JP 5135384 A JP5135384 A JP 5135384A JP 5135384 A JP5135384 A JP 5135384A JP H0130794 B2 JPH0130794 B2 JP H0130794B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coo
parts
organic
copper
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP5135384A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60195077A (ja
Inventor
Yoshito Akai
Noryuki Onaga
Yasunori Zairi
Masatoshi Wada
Yukikazu Moritsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Original Assignee
Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okuno Chemical Industries Co Ltd filed Critical Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority to JP59051353A priority Critical patent/JPS60195077A/ja
Priority to US06/803,290 priority patent/US4622069A/en
Priority to PCT/JP1985/000128 priority patent/WO1987002029A1/ja
Publication of JPS60195077A publication Critical patent/JPS60195077A/ja
Publication of JPH0130794B2 publication Critical patent/JPH0130794B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1865—Heat
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C18/1875—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1879—Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】
技術分野 本発明は、無電解めつき用触媒組成物に関し、
更に詳しくは無電解めつき処理によりセラミツク
ス基材上に銅又はニツケルからなる金属被膜を形
成させるに先立ち、基材上に触媒金属を析出させ
る為の組成物に関する。 従来技術 セラミツクス表面に金属導体被膜を形成する技
術は、主に電子部品の製造に際し広く採用されて
いる。この様な技術の一つとして無電解めつき法
がある。セラミツクスは、無電解めつき浴に対す
る感応性を有していないので、無電解めつきによ
り金属被膜を形成させるに先立ち、その表面にパ
ラジウム、銀等の触媒金属を予め付与しておく必
要がある。触媒金属の付与方法としては、(イ)触媒
金属を酸性水溶液に溶解させて得た溶液にセラミ
ツクス基材を浸漬する方法、(ロ)有機溶剤に触媒金
属化合物を溶解又は分散させた浴液に基材を浸漬
するか或いは刷毛塗り、スプレー塗り等の方法に
より基材上に該液を塗布した後、基材を加熱する
方法、(ハ)有機ビヒクル等に触媒金属化合物を溶解
又は分散させた組成物を基材上に印刷した後、加
熱する方法等が知られている。しかしながら、公
知の触媒金属付与方法には、以下の如き欠点の少
なくとも１つが存在しており、その改善が要望さ
れている。 (a) 高価な触媒金属化合物の含有量を高くしなけ
ればならないので、高価となる。 (b) 触媒金属化合物を含む組成物の貯蔵安定性が
低い。 (c) 触媒金属付与後に形成される無電解めつき金
属のセラミツクス基材に対する析出性及び密着
性が十分満足すべきものであるとは言い難い。 (d) 対象となるセラミツクス材料に大巾な制限が
ある。 (e) スクリーン印刷、部分的浸漬等によりセラミ
ツクス基板に触媒金属を付与した場合に、金属
めつき層の寸法精度が低下する。 発明の構成 本発明者は、無電解金属めつき法における触媒
金属付与方法について種々実験及び研究を重ねた
結果、特定のパラジウム及び／又は銀の化合物と
特定の有機金属化合物とを併用する組成物を使用
する場合には、前記従来技術における問題点が実
質的に解消若しくは大巾に軽減されることを見出
した。即ち、本発明は、先ず下記の構成を有する
発明（以下本願第一発明という）に係る。 (i)(a) 一般式 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）
2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕2及び （CoH2o+1COO）2Pd（C5H5N）2 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機パラジウム化合物、並びに (b) 一般式 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）2NH〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）3N〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（C6H5）2NH〕及
び （CoH2o+1COO）Ag（C5H5N） 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機銀化合物からなる群から選
ばれた少なくとも１種１重量部、 (ii) 一般式 （CoH2o+1COO）2M、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（C6H5）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M（C5H5N）2、 （CoH2o+1COO）3Al、 （Co″H2o″+1Ｏ）3Al及び C6H9O3Al（OCo″H2o″+1）2 〔但しｎは、０又は１〜18の整数、n′は、１
〜18の整数、n″は、２〜４の整数を夫々示
す。又、Ｍは、銅、ニツケル、鉄、アルミニ
ウム、亜鉛及び錫を示す。〕 で示される有機金属化合物からなる群から選
ばれた少なくとも１種0.1〜200重量部、及び (iii) 有機溶媒10〜1000重量部 を含むセラミツクスの無電解めつき用触媒組成
物。 更に、本発明者の研究によれば、本願第一発
明の組成物に高分子化合物及び／又は無機粉末
を配合する場合には、セラミツクス基材と金属
めつき皮膜との密着性がより一層改善されるこ
とが見出された。即ち、本発明は、下記の構成
を有する発明（以下本願第二発明という）にも
係る。 (i)(a) 一般式 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）
2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕2及び （CoH2o+1COO）2Pd（C5H5N）2 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を意味す
る〕 で示される有機パラジウム化合物、並びに (b) 一般式 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）2NH〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）3N〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（C6H5）2NH〕及
び （CoH2o+1COO）Ag（C5H5N） 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機銀化合物 からなる群から選ばれた少なくとも１種１
重量部、 (ii) 一般式 （CoH2o+1COO）2M、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（C6H5）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M（C5H5N）2、 （CoH2o+1COO）3Al、 （Co″H2o″+1Ｏ）3Al及び C6H9O3Al（OCo″H2o″+1）2 〔但しｎは、０又は１〜18の整数、n′は、１
〜18の整数、n″は、２〜４の整数を夫々示
す。又、Ｍは、銅、ニツケル、鉄、アルミニ
ウム、亜鉛及び錫を示す。〕 で示される有機金属化合物からなる群から選
ばれた少なくとも１種0.1〜200重量部、 (iii) 有機溶媒10〜1000重量部、及び (iv) 高分子化合物及び無機粉末の少なくとも１
種１〜500重量部 を含むセラミツクスの無電解めつき用触媒組成
物。 以下、本発明を構成する各成分等につき詳細に
説明する。 (1) 本発明で使用される有機パラジウム化合物及
び有機銀化合物は、脂肪族モノカルボン酸のパ
ラジウム又は銀化合物に脂肪族又は芳香族の２
級又は３級アミン化合物を配位させた化合物で
ある。パラジウム又は銀と化合物を形成する脂
肪族カルボン酸としては、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、
カプリル酸等の炭素数１〜７の脂肪族モノカル
ボン酸が、化合物の有機溶剤への溶解性乃至分
散性及び組成物の長期安定性の観点から特に好
適である。炭素数８以上の脂肪族モノカルボン
酸、オキシカボン酸、ジカルボン酸等のパラジ
ウム化合物及び銀化合物は、有機溶剤への溶解
乃至分散性が低く、組成物中での安定性も劣る
ので、不適当である。又、上記の如き脂肪族モ
ノカルボン酸のパラジウム化合物又は銀化合物
に配位させるべき２級又は３級アミン化合物と
しては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ト
リエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピ
ルアミン、トリブチルアミン、ピリジン、フエ
ニルエチルアミン、フエニルジプロピルアミ
ン、ジフエニルアミン等が挙げられる。１級ア
ミン化合物を配位させた脂肪族モノカルボン酸
のパラジウム又は銀化合物は、溶解性乃至分散
性並びに安定性が低く、炭素数２未満の低級ア
ミンを配位させたパラジウム又は銀の化合物
は、その合成が容易ではなく、又炭素数の大き
い高級アミンは溶解性乃至分散性が低いので、
夫々不適当である。 有機パラジウム化合物及び有機銀化合物の一
般式及び具体例を示せば、以下の通りである。 (a) 一般式で示される有機パラジウム化合物； （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕2及び （CoH2o+1COO）2Pd（C5H5N）2 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕。 有機パラジウム化合物としては、 （CH3COO）2Pd〔（C2H5）2NH〕2、 （CH3COO）2Pd〔（C3H7）2NH〕2、 （CH3COO）2Pd〔（C4H9）3N〕2、 （CH3COO）2Pd〔（C6H5）NH（C2H5）〕2、 （C2H5COO）2Pd〔（C2H5）3N〕2、 （C4H9COO）2Pd（C5H5N）2、 （C5H11COO）2Pd〔（C4H9）2NH〕2、 （C7H15COO）2Pd〔（C2H5）3N〕2 等が好ましい化合物として具体的に例示され
る。 (b) 一般式で示される有機銀化合物； （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）2NH〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）3N〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（C6H5）2NH〕及び （CoH2o+1COO）Ag（C5H5N） 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕。 有機銀化合物としては、 （CH3COO）Ag〔（C2H5）2NH〕、 （CH3COO）Ag〔（C4H9）2NH〕、 （CH3COO）Ag（C5H5N）、 （CH3COO）Ag〔（C2H5）3N〕、 （C2H5COO）Ag〔（C3H7）2NH〕、 （C3H7COO）Ag〔（C4H9）3N〕、 （C6H13COO）Ag〔（C6H5）NH（C3H7）〕、 （C7H15COO）Ag〔（C6H5）2NH〕等が好
ましい化合物として具体的に例示される。 (2) 本発明において上記有機パラジウム化合物及
び／又は有機銀化合物と併用される銅、ニツケ
ル、鉄、アルミニウム、亜鉛及び錫の有機金属
化合物としては、脂肪族モノカルボン酸の金属
塩及び該金属塩に２級又は３級アミン化合物を
配位させた化合物並びにアルミニウムのアルコ
ラート及びキレート化合物が好適である。銅等
の金属と塩を形成すべき脂肪族モノカルボン酸
としては、一般式CoH2o+1COOH（ｎ＝０〜18）
で示されるものがあり、塩としてはギ酸ニツケ
ル、ギ酸銅、酢酸ニツケル、酢酸銅、酢酸亜
鉛、酢酸鉄、酢酸錫、酢酸アルミニウム、プロ
ピオン酸銅、プロピオン酸ニツケル、プロピオ
ン酸鉄、プロピオン酸アルミニウム、プロピオ
ン酸亜鉛、プロピオン酸錫、酪酸銅、酪酸ニツ
ケル、酪酸鉄、酪酸アルミニウム、酪酸亜鉛、
酪酸錫、吉草酸銅、吉草酸ニツケル、吉草酸
鉄、吉草酸アルミニウム、吉草酸亜鉛、吉草酸
錫、カプロン酸銅、カプロン酸ニツケル、カプ
ロン酸鉄、カプロン酸アルミニウム、カプロン
酸亜鉛、カプロン酸錫、カプリル酸銅、カプリ
ル酸ニツケル、カプリル酸鉄、カプリル酸アル
ミニウム、カプリル酸亜鉛、カプリル酸錫、パ
ルミチン酸銅、パルミチン酸ニツケル、パルミ
チン酸鉄、パルミチン酸アルミニウム、パルミ
チン酸亜鉛、パルミチン酸錫、ステアリン酸
銅、ステアリン酸ニツケル、ステアリン酸鉄、
ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸亜
鉛、ステアリン酸錫等が例示される。又、これ
等の脂肪族モノカルボン酸の金属塩に配位さる
べき２級又は３級アミン化合物としては、ジメ
チルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミ
ン、ジノルマルプロピルアミン、ジイソプロピ
ルアミン、トリプロピルアミン、ジブチルアミ
ン、トリブチルアミン、ピリジン、フエニルエ
チルアミン、フエニルジプロピルアミン、ジフ
エニルアミン等が例示される。 銅等の金属の有機化合物を一般式で示せば、
以下の通りである： （CoH2o+1COO）2M、（CoH2o+1COO）2M
〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1COO）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）NH
（C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（C6H5）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M（C5H5N）2、（Co″H2o″+1
Ｏ）Al3、 C6H9O3Al（OCo″H2o″+1）2、（CoH2o+1
COO）3Al 〔但しｎは、０又は１〜18の整数、n′は、１〜
18の整数、n″は、２〜４の整数を夫々示す。
又、Ｍは、銅、ニツケル、鉄、アルミニウム、
亜鉛及び錫を意味する。〕 上記一般式で示される有機金属化合物の具体
例としては、以下の如きものが挙げられる： （HCOO）2Cu〔（C2H5）2NH〕2、 （C6H13COO）2Cu〔（C6H5）2NH〕2、 （CH3COO）2Ni〔（C3H7）3N〕2、 （C5H11COO）2Ni〔（C5H11）2NH〕2、 （C2H5COO）2Fe〔（C2H5）3N〕2、 （C12H25COO）2Fe〔（C4H9）2NH〕2、 （C15H31COO）2Al〔（C3H7）2NH〕2、 （C18H37COO）2Al〔（C2H5）NH（C6H5）〕、 （C3H7COO）2Zn〔（C4H9）3N〕2、 （C10H21COO）2Zn〔（C7H15）2NH〕2、 （C4H9COO）2Sn〔（C5H11）3N〕2、 （C9H19COO）2Sn〔（C4H9）NH（C6H5）〕2、 （C3H7COO）2Sn（C5H5N）2、アルミニウム
イソプロピレート、アルミニウムブチレート、
モノブトキシアルミニウムジイソプロピレー
ト、エチルアセトアセテートアルミニウムジイ
ソプロピレート等。 これ等金属の有機化合物は、前記有機銀化合
物及び／又は有機パラジウム化合物１重量部に
対し、0.1〜200重量部程度の割合で使用され
る。0.1重量部未満では、２種の有機化合物の
併用による効果が十分に発現されないのに対
し、200重量部を上回る場合には、経済的に不
利となるのみならず、無電解めつき被膜のセラ
ミツクス基材に対する密着力を低下させる。 (3) 本発明で使用する有機溶媒は、前記有機銀及
びパラジウム化合物並びに銅等の有機化合物を
良好に溶解若しくは分散させ得る限り、特に限
定されず、印刷インキ、塗料、各種ペースト等
において通常使用されている各種のものが使用
される。好ましい有機溶媒としては、シクロヘ
キサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭
化水素類：１，１，１−トリクロロエタン、四
塩化炭素、エプクロルヒドリン、モノクロルベ
ンゼン等の含塩素溶媒：メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノー
ル、ｎ−ヘキサノール、エチレングリコール、
ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコ
ール類：ポリエチレングリコール等の高分子ア
ルコール類：アセトニトリル等のニトリル類：
トリエチルアミン、イソプロピルアミン、アニ
リン、モノエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアミン類：アセトン、メチルエチル
ケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、イクロヘ
キサノン等のケトン類：イソプロピルエーテ
ル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブ
チルカルビトール、ジオキサン等のエーテル
類：酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチ
ル、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテ
ート等のエステル類：パインオイル、ターピネ
オール、バルサムオイル等の天然物等が例示さ
れる。 これ等の溶剤の使用量は、特に限定されない
が、前記有機銀化合物及び／又は有機パラジウ
ム化合物１重量部に対し、10〜1000重量部とす
ることが好ましい。 (4) 本願第二発明の組成物には、更に高分子化合
物及び／又は無機粉末を加える。 高分子化合物は、スクリーン印刷等によりセ
ラミツクス基材上に特定のパターンで触媒金属
を付与する為には必須の成分である。高分子化
合物としては、メチルメタクリレート、ブチル
メタクリレート等のアクリレート類：エチルセ
ルロース、ブチルセルロース、ニトロセルロー
ス、酢酸セルロース等のセルロース類：ポリブ
タジエン、ポリスチロール、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂等
の熱可塑性樹脂等が例示される。 組成物中に無機粉末を加える場合には、組成
物を塗布したセラミツクス基材を焼成すること
により、基材上に無機粉末が融着して基材表面
に凹凸部分が無数に形成され、次いで、この凹
凸部分に形成された触媒金属を介して無電解め
つき層が形成されるので、物理的なアンカー効
果によつてめつき金属の基材に対する密着力が
より一層改善される。無機粉末としては、例え
ば、SiO2、PbO、B2O8、Al2O3、CaO、BaO、
MgO、BeO、TiO2、ZrO2、SnO2、Na2O、
Li2O等の金属酸化物：PbF2、SnF2、CaF2等の
金属弗化物：その他タルク、コーデイライト、
カオリン、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸カルシウム、炭化ケイ素、炭化
ホウ素、窒化ホウ素、窒化チタン、チタン酸バ
リウム、チタン酸鉛等が例示される。これ等
は、単独又は２種以上の混合物として使用さ
れ、又例えばガラスエナメル組成物の形態で使
用しても良い。無機粉末の粒度は、１〜10μｍ
程度とすることが好ましい。 高分子化合物及び／又は無機粉末の使用量
は、前記有機銀化合物及び／又は有機パラジウ
ム化合物１重量部に対し、１〜500重量部とす
ることが好ましい。 本発明触媒組成物は、(i)有機パラジウム化合
物及び／又は有機銀化合物、(ii)銅等の有機化合
物、及び(iii)有機溶媒（本願第一発明の場合）
を、或いは更に(iv)高分子化合物及び／又は無機
化合物を加えて（本願第二発明の場合）、撹拌
混合し、有機溶媒中に他の成分を均一に溶解乃
至分散させることにより容易に得られる。 セラミツクスの無電解めつき処理に際して
は、浸漬法、刷毛塗り法、デイスペンサーによ
る滴下法、スクリーン印刷法、スプレー法、転
写法等の任意の方法により、セラミツクス基材
に本発明触媒組成物を塗布する。次いで、該セ
ラミツクス基材を130〜1600℃程度の温度で空
気中で５〜60分間程度乾燥若しくは焼成するこ
とにより、有機パラジウム化合物及び／又は有
機銀化合物並びに銅等の有機化合物が分解し、
パラジウム及び／又は銀並びに銅等が微粒状の
単体又は酸化物としてセラミツクス基材の表面
に点在することとなる。この際、有機溶剤及び
高分子化合物（本願第二発明の場合）は蒸発又
は熱分解して大気中に飛散し、無機粉末（本願
第二発明の場合）は、セラミツクス基材表面に
残存する。尚、無機粉末を使用する場合には、
無機粉末の軟化点（一般に500℃以上）の上下
約30℃の範囲内で行ない、無機粉末をセラミツ
クス基材に十分に融着させることが好ましい。
次いで、加熱されたセラミツクス基材が約50℃
以下となつた後、これを無電解めつき液に浸漬
することにより、めつき金属を析出させる。セ
ラミツクス基材の成分、加熱温度、触媒金属付
着量、めつき条件等の種々の要因により、無電
解めつきの析出が不十分である場合には、約50
℃以下となつたセラミツクス基材を塩酸、硫
酸、弗化水素酸等の鉱酸の希釈液に浸漬し、水
洗した後、無電解めつき液に浸漬することによ
り、金属の析出を改善し得る。無電解めつき液
としては、公知の銅めつき液及びニツケルめつ
き液が使用される。具体的には、銅めつき液と
しては、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボ
ラン、ホウ水素化ナトリウム等の公知の還元剤
を使用する無電解銅めつき液があり、例えば、
商品名“TMP化学銅＃500”、“OPC−700”、
“OPCカツパー”、“カツパーLP”、“カツパー
FL”の下に市販されている液（いずれも奥野
製薬工業(株)製）等が好適である。又、ニツケル
めつき液としては、次亜リン酸ナトリウム、ジ
メチルアミンボラン等の公知の還元剤を使用す
る無電解ニツケルめつき液があり、例えば、商
標名“トツプコロンＮ−47”、“トツプコロン
TR”、“トツプニコロンEL−70X”、“TMP化
学ニツケル”、“ナイクラツド740”、“ナイクラ
ツト741”の下に市販されている液（いずれも
奥野製薬工業(株)製）等が例示される。 尚、上記の如くして銅又はニツケルめつき皮
膜を形成されたセラミツクス基材を、必要なら
ば、更に電解めつき及び／又は無電解めつき処
理し、銅、ニツケル、錫、ハンダ、銀、金等の
めつき皮膜を複層状に形成させてもよい。 本発明触媒組成物により処理した後、無電解
めつきに供されるセラミツクス基材としては、
特に制限はなく、酸化物、窒化物、炭化物、硼
化物の単独及び混合物の焼結体が挙げられ、具
体的には、アルミナ、ムライト、ジルコニア、
ベリリア、フオルステライト、ステアタイト、
フエライト等の酸化物系セラミツクス：チタン
酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン
酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛等のチタン酸化合
物系セラミツクス：窒化硼素、窒化硅素、窒化
チタン等の窒化物系セラミツクス：炭化硅素等
の炭化物系セラミツクス：硼化チタン等の硼化
物系セラミツクス等が例示される。 本発明組成物を使用してセラミツクス基材に
触媒金属を付与し、次いで所望のめつき皮膜を
形成させる方法は、コンデンサーの電極、圧電
セラミツクスの電極及びセラミツクスセンサー
の電極の形成、セラミツクス抵抗体及びセラミ
ツクス発熱体の製造、セラミツクス及びホーロ
ー基板上への導体回路形成などに極めて有用で
ある。 発明の効果 (1) 本発明触媒組成物は、貯蔵安定性に極めて優
れている。即ち、該組成物は、３ケ月の保存後
にも、その成分の分離や、沈降は実質上認めら
れず、又セラミツクス基材に付与した場合に
も、めつき金属の析出性、密着性等の低下は全
く認められない。 (2) 本発明組成物においては、浸透性に優れた有
機溶剤中に他の成分が極めて良好に溶解乃至分
散しているので、セラミツクス基材表面の平滑
な部分のみならず微細な凹凸や隙間にも有機溶
剤とともに触媒金属化合物も均一に浸透する。
従つて、無電解めつきに際し、この様な凹凸及
び隙間にまでも金属が均一に析出するので、ア
ンカー効果によるセラミツクス−金属被膜間の
密着力が強固となり、又一個の製品の異なる部
位におけるめつき金属の析出不均一や量産され
る複数個の製品間におけるめつき金属の析出の
バラツキも大巾に解消される。 (3) 本発明触媒組成物は、貯蔵安定性が優れてい
るにもかかわらず、セラミツクス基材に塗布後
加熱する場合には、130〜1600℃という広範囲
の温度域で容易に分解して、金属パラジウム又
は銀となり、優れた触媒効果を発揮する。 (4) 有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合
物と併用される銅等の有機金属化合物は、セラ
ミツクス基材上で加熱されて銅等の金属又は金
属酸化物の微粒子となる。この金属粒子又は無
電解めつき液中の還元剤の作用により金属酸化
物から生成する金属粒子は、それ自体は実質的
に触媒活性を有していないが、パラジウム及
び／又は銀との共存下にこれ等触媒金属の触媒
活性を大巾に向上させるという特異な効果を奏
する。この様な特異な効果が奏される理由は、
未だ十分に解明されるにはいたつていないが、
以下の様なものであろうと推考されている。即
ち、有機パラジウム化合物又は有機銀化合物を
加熱すると、分解により金属微粒子と少量の金
属酸化物微粒子とが生成し、後者が前者の触媒
作用を阻害する。この触媒金属の酸化物は、酸
又は無電解めつき液中に存在する還元剤と接触
しても、容易に金属とはなり難い。しかるに、
有機パラジウム化合物及び／又は有機銀化合物
と銅等の有機金属化合物とを併用する場合に
は、パラジウム及び／又は銀の酸化物の生成が
大巾に抑制され、パラジウム及び／又は銀の金
属微粒子の触媒作用に対する阻害現象は大巾に
低下する。 (5) パラジウム及び／又は銀の触媒活性が著るし
く向上するので、高価な触媒金属化合物の使用
量を最大50％程度まで減少させることができ
る。従つて、セラミツクス製品の製造コストが
低下する。 (6) チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛等の鉛合
有セラミツクスやビスマス含有セラミツクスの
如き従来無電解めつきの析出が困難であつたセ
ラミツクスに対しても、無電解めつきを極めて
容易に析出させることが可能である。 (7) 従来セラミツクス製品をめつき処理する場合
には、セラミツクス原料配合物を混合・粉砕
し、成形及び仮焼成し、次いで本焼成した後、
触媒金属化合物を含む組成物をコーテイング
し、200〜800℃程度で焼成し、無電解めつきを
行なつている。この際、触媒組成物コーテイン
グ後の焼成温度を800℃程度までとしているの
は、触媒金属の酸化を抑制し、もつて酸化物形
成による無電解めつき時の触媒効果の低下を防
止する為である。これに対し、有機パラジウム
化合物及び／又は有機銀化合物と銅等の有機金
属化合物とを併用する本発明触媒組成物を使用
する場合には、銅等の併用金属の存在が触媒金
属の酸化を良好に抑制するので、組成物コーテ
イング後の焼成を1600℃程度までの高温で行な
つても差支えない。従つて、セラミツクスを成
形及び仮焼成した後、直ちに触媒組成物をコー
テイングし、800〜1600℃程度で焼成し、無電
解めつきを行なうことが可能となるので、触媒
組成物のコーテイングに先立つ成形体の本焼成
工程を省略することが可能となる。 (8) 本発明触媒組成物で使用する銅、ニツケル、
鉄、アルミニウム、亜鉛及び錫の少なくとも１
種の存在も、めつき皮膜金属とセラミツクス基
材との密着力を大きく向上させる。これは、銅
等の金属がめつき皮膜金属とセラミツクス基材
との間に介在して化学的結合（金属結合）を形
成させることにより、前述のアンカー効果によ
る密着力を補強する為と推考される。 (9) セラミツクス材料上に特定パターンの無電解
めつき部を形成させる場合、セラミツクス材料
上のめつきを形成すべき個所にのみ予め触媒組
成物をスクリーン印刷する。この際、触媒組成
物の印刷精度がそのままパターンめつきの精度
となることが多い。従つて、触媒組成物が微細
なパターン部以外に拡がるのを防止する為に、
高粘度の有機ビヒクルやガラスエナメル等の配
合量を増加させて組成物のチキソトロピー性を
向上させることが行なわれている。この場合、
印刷精度はたしかに向上するものの、組成物の
粘度上昇が著るしいので、印刷作業性の低下は
避け難い。しかるに、本発明組成物は、銅等の
有機金属化合物を併有するので、組成物の粘度
上昇が少ないにもかかわらず、チキソトロピー
性が著るしく向上し、印刷精度と印刷作業性と
を兼ね備えたものとなる。 実施例 以下実施例を示し、本発明の特徴とするところ
を更に一層明らかにする。尚、以下において、
“部”及び“％”とあるのは夫々“重量部”及び
“重量％”を示すものとする。 実施例 １ アセトン44.8部及び酢酸ブチル50部からなる混
合溶媒に（CH3COO）3Pd〔（C2H5）2NH〕20.25部及
び酢酸ニツケル５部を溶解乃至分散させて本発明
触媒組成物を得た。次いで、該組成物に96％アル
ミナセラミツクス片（３×３×0.5mm3）100個を
20℃で５分間浸漬した後、150℃で10分間加熱し
た。冷却後のアルミナセラミツクス片を無電解ニ
ツケルめつき液(A)内で90℃で10分間めつき処理し
た。 第１表に無電解ニツケルめつき液(A)及び以下の
各実施例及び比較例で使用するめつき液の組成を
示し、第２表に各実施例及び比較例による触媒組
成物の貯蔵安定性並びに得られる無電解めつきの
特性を示す。 実施例 ２ トルエン96.6部に（C2H5COO）Ag（C5H5N）
0.4部及び（CH3COO）2Cu〔（C3H7）2NH〕23部を分
散乃至溶解させた本発明触媒組成物に窒化ケイ素
焼結体（20mm×20mm×10mm）を25℃で３分間浸漬
した後、200℃で15分間加熱した。焼結体を冷却
した後、無電解銅めつき液(B)中で55℃で20分間め
つき処理した。 実施例 ３ エチルセルロース15部及びブチルカルビトール
アセテート79.9部からなるビヒクルに
（C4H9COO）2Pd〔（C2H5）3N〕21部及びステアリン
酸錫４部を溶解乃至分散させて本発明触媒組成物
を得た。300メツシユスクリーンを使用して96％
アルミナセラミツクス板（50mm×50mm×0.65mm）
の片面に該組成物により巾150μｍ、長さ40mmの
線を３本スクリーン印刷し、150℃で10分間乾燥
した後、500℃で10分間焼成した。アルミナセラ
ミツクス板を冷却した後、無電解ニツケルめつき
液(A)中で77℃で10分間めつき処理した。 実施例 ４ メチルメタクリレート10部、エチルセロソルブ
39部及びアセト酢酸エチル40部からなるビヒクル
に（CH3COO）2Pd〔（C6H5）NH（C2H5）〕20.5部、
（CH3COO）2Ag〔（C6H5）2NH〕0.5部、プロピオ
ン酸銅５部及び酢酸鉄５部を溶解乃至分散させ
た。得られた組成物を200メツシユスクリーンに
より98％アルミナセラミツクス板（50mm×50mm×
0.65mm）の片面全面にスクリーン印刷し、170℃
で10分間乾燥した後、450℃で13分間焼成した。
セラミツク板を冷却した後、無電解銅めつき液(C)
に浸漬し、37℃で20分間めつき処理した。 実施例 ５ ポリエチレングリコール95部に
（C5H11COO）2Pd〔（C3H7）2NH〕22部、ステアリン
酸亜鉛１部及び（C3H7COO）2Fe〔（C2H5）3N〕２
部を溶解乃至分散して本発明触媒組成物を得た。
次いで、フエライト焼結板（10mm×10mm×５mm）
の中央部に設けられた凹部（縦４mm×横４mm×深
さ２mm）にデイスペンサーにより上記組成物２mg
を滴下した後、該焼結板を400℃で８分間焼成し
た。焼結板を冷却した後、無電解ニツケルめつき
液(D)中で85℃で14分間めつき処理した。 実施例 ６ バルサムオイル89部に（C2H5COO）2Pd
〔（C4H9）2NH〕210部及びアルミニウムイソプロピ
レート１部を溶解乃至分散して得た組成物を転写
方式によりチタン酸バリウム焼結円板（直径15mm
×厚さ0.1mm）の両面に直径10mmに印刷した後、
590℃で18分間焼成した。冷却後、該焼結円板を
無電解めつき液(A)に90℃で５分間浸漬してめつき
を行なつた。 実施例 ７ ブチルセルロース11部、メチルエチルケトン22
部及びパインオイル26部からなる混合溶媒に
（CH3COO）2Pd〔（C2H5）3N〕25部、
（C5H11COO）2Cu〔（C4H9）3N〕212部及びガラスエ
ナメル（SiO250％、B2O315％、PbO15％、
Na2O5％、Li2O3％、ZrO24％、Al2O33％、CaF4
％及びTiO21％）20部を溶解乃至分散させて触媒
組成物とした。チタン酸ジルコン酸鉛焼結板（20
mm×10mm×0.3mm）の両面に25メツシユスクリー
ンにより該組成物を18mm×８mmにスクリーン印刷
し、150℃で５分間乾燥した後、620℃で20分間焼
成した。冷却後の焼結板を５容量％塩酸に20℃で
20秒間浸漬し、水洗した後、無電解ニツケルめつ
き液(E)に90℃で６分間浸漬して、めつきを行なつ
た。 実施例 ８ ABS樹脂８部、アセトン18部、イソプロピル
アルコール23部及びトルエン20部からなるビヒク
ルに（C3H7COO）Ag〔（C3H7）2NH〕７部、
（C2H5COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕22部、ギ酸銅２部、
カプロン酸ニツケル５部、ステアリン酸アルミニ
ウム７部及びガラスエナメル（SiO258％、
PbF214％、B2O313％、Na2O4％、Li2O3％、
BeO2％、Al2O35％、SnO23％及びTiO23％）８
部を溶解又は分散させた。得られた触媒組成物を
ソーダライムガラス板（50mm×50mm×５mm）の全
面にスプレーして厚さ約10μｍに塗布した後、
100℃で10分間乾燥し、次いで560℃で12分間焼成
した。該ガラス板を冷却した後、無電解めつき液
(F)に25℃で60分間浸漬して銅めつきした後、水洗
し、無電解めつき液(G)中で55℃で10分間錫めつき
した。 実施例 ９ ニトロセルロース５部、モノエタノールアミン
27部及びモノクロルベンゼン29部からなるピヒク
ルに（C7H15COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕210部、
（C6H13COO）Ag〔（C6H5）2NH〕10部、パルミチ
ン酸亜鉛４部、（C7H15COO）Sn〔（PC6H5）NH
（C3H7）〕28部及びステアリン酸銅７部を溶解乃至
分散させて本発明触媒組成物を得た。96％アルミ
ナセラミツクスの仮焼成板（100mm×100mm×１
mm）の片面に270メツシユスクリーンにより上記
触媒組成物を巾３mmの直角に屈曲する線状パター
ン（全長170mm）にスクリーン印刷し、150℃で20
分間乾燥した後、1500℃で50分間焼成した。焼成
体を冷却後、20容量％塩酸に30℃で60秒間浸漬
し、水洗し、次いで無電解ニツケルめつき液(H)に
65℃で20分間浸漬した。該焼成体を水洗し、次い
で５容量％硫酸液に20℃で30秒間浸漬した後、電
気銅めつき液(I)に浸漬し、20℃、1.5A／ｄm2で
30分間電気めつきした。 比較例 １−Ａ 塩化パラジウム0.2部、アセトン50部及び酢酸
ブチル50部からなる触媒組成物を使用する以外
は、実施例１と同様の処理を行なつた。 比較例 １−Ｂ （CH3COO）2Pd〔（C2H5）2NH〕20.25部、アセト
ン50部及び酢酸ブチル50部からなる触媒組成物を
使用する以外は、実施例１と同様の処理を行なつ
た。 比較例 ２−Ａ トルエン100部及び酢酸銀0.4部からなる触媒組
成物を使用する以外は、実施例２と同様の処理を
行なつた。 比較例 ２−Ｂ トルエン100部及び（C2H5COO）Ag（C5H5N）
0.4部からなる触媒組成物を使用する以外は、実
施例２と同様の処理を行なつた。 比較例 ３−Ａ エチルセルロース15部及びブチルカルビトール
アセテート85部からなるビヒクルにパラジウム粉
末0.5部を分散させた触媒組成物を使用する以外
は、実施例３と同様の処理を行なつた。 比較例 ３−Ｂ （C4H9COO）2Pd〔（C2H5）3N〕21部、エチルセ
ルロース15部及びブチルカルビトールアセテート
80部からなる触媒組成物を使用する以外は、実施
例３と同様の処理を行なつた。 比較例 ４−Ａ 塩化パラジウム0.5部、塩化銀0.5部、メチルメ
タクリレート10部、エチルセロソルブ40部及びア
セト酢酸エチル40部からなる触媒組成物を使用す
る以外は、実施例４と同様の処理を行なつた。 比較例 ４−Ｂ （CH3COO）2Pd〔（C6H5）NH（C2H5）〕20.5部、
（CH3COO）Ag〔（C6H5）2NH〕0.5部、メチルメ
タクリレート10部、エチルセロソルブ40部及びア
セト酢酸エチル40部からなる触媒組成物を使用す
る以外は、実施例４と同様の処理を行なつた。 比較例 ５−Ａ 酢酸パラジウム２部、ステアリン酸亜鉛１部、
（C3H7COO）2Fe〔（C2H5）3N〕22部及びポリエチレ
ングリコール95部からなる触媒組成物を使用する
以外は、実施例５と同様の処理を行なつた。 比較例 ５−Ｂ （C5H11COO）2Pd〔（C3H7）NH〕22部及びポリ
エチレングリコール95部からなる触媒組成物を使
用する以外は、実施例５と同様の処理を行なつ
た。 比較例 ６−Ａ パラジウム粉末７部をバルサムオイル93部に分
散した触媒組成物を使用する以外は、実施例６と
同様の処理を行なつた。 比較例 ６−Ｂ バルサムオイル90部と（C2H5COO）2Pd
〔（C4H9）2NH〕210部とからなる触媒組成物を使用
する以外は、実施例６と同様の処理を行なつた。 比較例 ７−Ａ （CH3COO）2Pd〔（C2H5）3N〕25部、ガラスエナ
メル20部、ブチルセルロース11部、メチルエチル
ケトン22部及びパインオイル26部からなる触媒組
成物を使用する以外は、実施例７と同様にして処
理を行なつた。 実施例 ７−Ｂ 実施例７の触媒組成物中の（CH3COO）2Pd
〔（C2H5）3N〕25部に代えて塩化パラジウム５部を
使用する触媒組成物を用いて、実施例７と同様の
処理を行なつた。 比較例 ８−Ａ 硝酸銀７部、酢酸パラジウム２部、ガラスエナ
メル８部、ABS樹脂８部、アセトン20部、イソ
プロピルアルコール25部及びトルエン30部からな
る触媒組成物を使用する以外は、実施例８と同様
の処理を行なつた。 比較例 ８−Ｂ 実施例８の触媒組成物からギ酸銅、カプロン酸
ニツケル５部及びステアリン酸アルミニウム７部
を除いた触媒組成物を使用して、実施例８と同様
の処理を行なつた。 比較例 ９−Ａ 実施例９の触媒組成物からパルミチン酸亜鉛４
部、（C7H15COO）2Sn（C6H5NHC3H7）28部及びス
テアリン酸銅７部を除いた触媒組成物を使用し
て、実施例９と同様の処理を行なつた。 比較例 ９−Ｂ （C7H15COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕210部、
（C6H13COO）Ag〔（C6H5）2NH〕10部、パルミチ
ン酸亜鉛８部、（C7H15COO）2Sn
（C6H5NHC3H7）215部、ステアリン酸銅20部、ニ
トロセルロース５部、モノエタノールアミン20部
及びモノクロルベンゼン17部からなる触媒組成物
を使用する以外は、実施例９と同様の処理を行な
つた。
【表】
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ (i)(a) 一般式 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕2及び （CoH2o+1COO）2Pd（C5H5N）2 〔但し、ｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機パラジウム化合物、並びに (b) 一般式 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）2NH〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）3N〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（C6H5）2NH〕及び （CoH2o+1COO）Ag（C5H5N） 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機銀化合物 からなる群から選ばれた少なくとも１種１重
    量部、 (ii) 一般式 （CoH2o+1COO）2M、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（C6H5）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M（C5H5N）2、 （CoH2o+1COO）2Al、 （Co″H2o″+1Ｏ）3Al及び C6H9O3Al（CCo″H2o″+1）2 〔但し、ｎは０又は１〜18の整数、n′は１〜18
    の整数、n″は、２〜４の整数を夫々示す。又、
    Ｍは、銅、ニツケル、鉄、アルミニウム、亜鉛
    及び錫を示す。〕 で示される有機金属化合物からなる群から選ば
    れた少なくとも１種0.1〜200重量部、及び (iii) 有機溶媒10〜1000重量部を含むことを特徴と
    するセラミツクスの無電解めつき用触媒組成
    物。 ２ (i)(a) 一般式 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2Pd〔（C6H5）2NH〕2及び （CoH2o+1COO）2Pd（C5H5N）2 〔但し、ｎ及びn′は１〜７の整数を意味す
    る〕 で示される有機パラジウム化合物、並びに (b) 一般式 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）2NH〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）3N〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕、 （CoH2o+1COO）Ag〔（C6H5）2NH〕及び （CoH2o+1COO）Ag（C5H5N） 〔但しｎ及びn′は、１〜７の整数を示す〕 で示される有機銀化合物からなる群から選ば
    れた少なくとも１種１重量部、 (ii) 一般式 （CoH2o+1COO）2M、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）3N〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（Co′H2o′+1）NH
    （C6H5）〕2、 （CoH2o+1COO）2M〔（C6H5）2NH〕2、 （CoH2o+1COO）2M（C5H5N）2、 （CoH2o+1COO）3Al、 （Co″H2o″+1Ｏ）3Al及び C6H9O3Al（CCo″H2o+1）2 〔但しｎは、０又は１〜18の整数、n′は、１〜
    18の整数、n″は、２〜４の整数を夫々示す。
    又、Ｍは、銅、ニツケル、鉄、アルミニウム、
    亜鉛及び錫を示す。〕 で示される有機金属化合物からなる群から選ば
    れた少なくとも１種0.1〜200重量部、 (iii) 有機溶媒10〜1000重量部、及び (iv) 高分子化合物及び無機粉末の少なくとも１種
    〜500重量部 を含むことを特徴とするセラミツクスの無電解め
    つき用触媒組成物。
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