JPH01233816A - 表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、通信機器等のフィルタ、遅延線路として採用
される表面波デバイスに関し、特にリップルを低減して
周波数特性を向上できるようにした表面波デバイスの製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

一般に、テレビジョン受像機のＶＩＦフィルタとして採
用される表面波デバイスの一例として、第４図に示す構
造のものがある。この表面波デバイスｌは、ガラス基板
２の表面に、Ａｌｔ極膜からなるインターディジタル型
の入力トランスデユーサ３を形成し、該入カドランスデ
ューサ３と所定の間隔をあけて出カドランスデューサ４
を形成するとともに、上記入，出カドランスデューサ３
゜４にそれぞれ取出し電極５．６を接続形成して構成さ
れている。

このような表面波デバイス１を製造する場合、従来、上
記ガラス基板２の上面全面に蒸着により、１１膜を形成
し、該Ａａ膜の上面の上記入，出力トランスデエーサ３
．４及び取出し電極５．６部分に対応するレジスト膜を
形成した後エツチング処理を施し、このレジスト膜を剥
離除去した後、これの上面全面にスパッタリングにより
ＺｎＯ薄膜を形成する方法が採用されている。

ところで、上記表面波デバイス１においては、入カドラ
ンスデューサ３で励振される表面波は出力側へ伝播し、
この大部分の表面波は出カドランスデューサ４で取り出
せるが、残りの表面波はガラス基板２の両端面２ａや入
，出カドランスデューサ３．４の重み付は電極３　ａ　
＋　　４　ａの側端面等で不要波として反射してくる。

この不要波は、通過帯域内にリップルを生じさせる原因
となり、例えばテレビジョン受像機の画質を低下させる
という問題がある。

そこで、従来から上記リップルの発生を防止するために
、ガラス基板２の上面にシリコンゴムあるいはエポキシ
系接着剤等からなる吸収剤を塗布したり、上記入，出カ
ドランスデューサ３，４にスプリット型電極を採用した
りして表面波の反射を抑制するようにしている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記従来の吸収剤やスプリット型電極を
採用しただけでは、リンプルの抑制効果は不十分である
という問題点がある。

本発明の目的は、上記リップルの発生をより確実に抑制
できる表面波デバイスの製造方法を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで、本件発明者らは上記リップルが生じる原因につ
いて種々検討したところ、上記表面波の反射は、基板の
端面や入，出カドランスデューサ及び取出し電極の側端
面等による反射だけでなく、従来着目されていなかった
電極を覆うための、例えばＺｎＯからなる薄膜の表面に
おいても表面波が反射していることを見出した。即ち、
上記表面波デバイスにおいては、ガラス基板の表面に、
Ａ１１を極膜の表面を覆うようにＺｎＯを成膜する構造
を採用しているが、このＺｎＯ薄膜の表面には、上記Ａ
１電極の厚み分だけその表面がわずかであるが隆起して
凹凸が生じることとなり、その結果表面波がＺｎＯ膜内
を伝搬する際に上記凹凸部分で反射されるものと考えら
れる。このことから、上記Ｚｎ○膜表面を平坦状にして
やればリップルの発生を低減できることに想到し、本発
明を成したものである。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明は、基板の表面に入，出カドランスデュー
サ電極膜を形成した後、これの表面にスパッタリングに
より薄膜を形成し、しかる後接薄膜表面を鏡面研摩など
により滑らかにすることを特徴とした表面波デバイスの
製造方法である。

ここで、薄膜の形成においては、スパッタリングの不均
一性等によっても凹凸が生じることが考えられるが、本
発明方法では、このような電極膜の厚みに起因する以外
の原因により生じた凹凸についても、これを研磨等によ
って除去するものである。

〔作用〕

本発明に係る表面波デバイスの製造方法によれば、基板
上に電極膜を覆うように薄膜を形成した後、該表面を鏡
面状の滑らかにしたので、電極膜の厚みに起因する凹凸
及びその他の何らかの原因による凹凸が除去され、膜表
面を平坦状にすることができ、それだけ表面波の反射を
回避できる。

その結果リフプルの発生を低減でき、周波数特性を向上
できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例による表面波デバイスの製造
方法を説明するためのものであり、図中、第４図と同一
符号は同−又は相当部分を示す。

以下、本実施例のスプリント型表面波デバイスｌの製造
方法を順次説明する。

■　まず、ガラス基板２の上面全面に蒸着によりＡ！膜
を形成し、これの上面にレジスト膜７を形成した後エツ
チングすることにより入，出カドランスデューサ３．４
及び引き出し電極５，６を形成する。

■　次に、上記ガラス基板２の上面に、各電極３〜６を
覆うようにスパッタリングによりＺｎＯ膜９を形成する
（第１図（ｂ））、この場合、上記Ｚｎｏ膜９の表面に
は、上記各電極３〜６の厚みによる隆起部１０が形成さ
れることとなる。

■　そして、上記ＺｎＯ膜９の表面を、例えばポリッシ
ングマシンにより研磨液を供給しながら鏡面研磨する。

これにより上記隆起部ｌＯが削り取られ、表面が滑らか
な表面波デバイス１が製造されることとなる（第１図ｆ
ｃｌ）。

このように本実施例の表面波デバイス１の製造方法によ
れば、ガラス基板２の入，出カドランスデューサ３．４
及び取出し電極５．６の上面にＺｎＯ膜９を形成した後
、該ＺｎＯ膜９膜面表面面研磨して滑らかな平坦状にし
たので、ＺｎＯ膜９内を伝播する表面波の、膜表面から
の反射を回避でき、その結果リップルの発生を低減でき
、また隣接トラップも向上できる。

なお、上記実施例では、ガラス基板、Ａ１電極。

ＺｎＯ膜から構成された表面波デバイスを例にとって説
明したが、本発明は勿論これ以外の材質のものからなる
表面波デバイスにも採用できる。また、上述の凹凸は、
必ずしも電極に起因するものに限定されるものではなく
、例えばスパッタリングの不均一性に起因する凹凸も含
まれ、このような場合にもリップル抑制効果が得られる
。

次に、本発明方法による効果を確認するために行った実
験について説明する。

実験１ この実験は、上記実施例方法により製造された表面波デ
バイスをテストピースとして１５個採用し、それぞれの
テストピースの鏡面研磨前、及び鏡面研磨後のリップル
値を測定した。なお、このリップル値は周波数４３〜４
５ＭＨｚでのピーク値を測定した。

第２図はその結果を示す特性図であり、図中、おいて、
鏡面研磨して表面を滑らかにすると、リップルが大幅に
小さくなることがわかる。例えば、研磨前（○印）では
、０．４ｄＢ以上のものが多く存在しているのに対し、
研磨後（・印）においては、はとんどが０．３ｄＢ以下
におさまり、リップル低減効果が得られていることがわ
かる。

実験２・ この実験は、上記実施例による表面波デバイスの鏡面研
磨前、及び鏡面研磨後のおけるｉｐの隣接トラップ減衰
量の変化を測定した。

第３図はその結果を示す特性図であり、曲４１Ａは鏡面
研磨後１曲線Ｂは鏡面研磨前を示す。

同図からも明らかなように、鏡面研磨前Ｂの減衰量は約
５０ｄＢとあまり落ちていないのに対して、鏡面研磨後
人は７０ｄＢまで落ちており、この結果からも隣接トラ
ップの減衰量の向上が得られていることがわかる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に係る表面波デバイスの製造方法に
よれば、基板上に電極膜を覆うように薄膜を形成した後
、これの表面の凹凸をなくして滑らかにしたので、リッ
プルを低減でき、周波数特性を向上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）ないし第１図［０）は本発明の一実施例に
よる表面波デバイスの製造方法を説明するための工程図
、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の効果を確認する
ために行った実験結果を示す特性図、第４図は一般的な
表面波デバイスを示す平面図である。 図において、１は表面波デバイス、２はガラス基板（基
板）、３．４は入力、出力トランスデエーサ電掻、９は
ＺｎＯ薄膜（薄膜）である。 特許出願人　　株式会社　村田製作所 代理人　　　　弁理士　下　市　　努

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基板の表面に入，出力トランスデューサ電極膜
   を形成した後、該基板の表面にトランスデューサ電極膜
   を覆うようにスパッタリングにより薄膜を形成するよう
   にした表面波デバイスの製造方法において、上記薄膜を
   形成した後、該薄膜表面を滑らかにしたことを特徴とす
   る表重波デバイスの製造方法。