JPH01224201A - 塩素の製造方法 - Google Patents
塩素の製造方法Info
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- JPH01224201A JPH01224201A JP63045785A JP4578588A JPH01224201A JP H01224201 A JPH01224201 A JP H01224201A JP 63045785 A JP63045785 A JP 63045785A JP 4578588 A JP4578588 A JP 4578588A JP H01224201 A JPH01224201 A JP H01224201A
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- B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
- B01J8/24—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique
- B01J8/34—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles according to "fluidised-bed" technique with stationary packing material in the fluidised bed, e.g. bricks, wire rings, baffles
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00008—Controlling the process
- B01J2208/00017—Controlling the temperature
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- B01J2208/00008—Controlling the process
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- B01J2208/00106—Controlling the temperature by indirect heat exchange
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、流動床反応装置による塩素の製造方法、より
詳細には、流動層反応器内に多孔板を設けて塩化水素ガ
スを含酸素ガスで酸化し、塩素を製造する方法に関する
ものである。
詳細には、流動層反応器内に多孔板を設けて塩化水素ガ
スを含酸素ガスで酸化し、塩素を製造する方法に関する
ものである。
(従来の技術〕
塩化水素を酸化して塩素を製造する反応は古(からDe
acon反応として知られ、この反応・のため数多(の
触媒が提案されている。(英国特許第584790号、
英国特許676667号、英国特許846832号)本
発明者らも酸化クロムを主成分とする触媒の、新規な調
整法を考案し先に出願した。(特開昭61−13690
2 、特開昭61−275104 、特開昭62−11
3701、特願昭61−112592 、特願昭61−
148055 )〔発明が解決しようとする課題〕 さらに我々はこの触媒を用い、流動床反応で塩化水素を
酸化して塩素を製造する方法も考案し先に出願した。(
特願昭62−157812)しかしながらこのような流
動床反応装置を用いて反応を行う場合、気泡となる反応
ガスが反応装置の中で合体して大きな気泡を形成するた
め、触媒とガスとの接触効率は低下し、その結果塩化水
素からの塩素の転化率は低下し、その分設備効率が低下
し経済上の損失が大きい。
acon反応として知られ、この反応・のため数多(の
触媒が提案されている。(英国特許第584790号、
英国特許676667号、英国特許846832号)本
発明者らも酸化クロムを主成分とする触媒の、新規な調
整法を考案し先に出願した。(特開昭61−13690
2 、特開昭61−275104 、特開昭62−11
3701、特願昭61−112592 、特願昭61−
148055 )〔発明が解決しようとする課題〕 さらに我々はこの触媒を用い、流動床反応で塩化水素を
酸化して塩素を製造する方法も考案し先に出願した。(
特願昭62−157812)しかしながらこのような流
動床反応装置を用いて反応を行う場合、気泡となる反応
ガスが反応装置の中で合体して大きな気泡を形成するた
め、触媒とガスとの接触効率は低下し、その結果塩化水
素からの塩素の転化率は低下し、その分設備効率が低下
し経済上の損失が大きい。
本発明の目的は、流動床反応装置を用いて塩化水素を酸
化して塩素を製造する際に、気泡の合体による触媒とガ
スとの触媒効率の低下を防ぐことのできる、反応装置の
新規な構造を提供することである。
化して塩素を製造する際に、気泡の合体による触媒とガ
スとの触媒効率の低下を防ぐことのできる、反応装置の
新規な構造を提供することである。
一般に流動床反応装置は、底部にガス散気板を有し、そ
の上部に触媒を置き、原料ガスを散気板より上方に向け
て供給する。この結果、触媒層は流動層となり、ガスは
気泡となって触媒と接触して反応する。しかしながら、
気泡は流動層内を上昇するに従ってお互いに合体して大
きな気泡を形成するので、触媒層上部での接触効率は低
下する。
の上部に触媒を置き、原料ガスを散気板より上方に向け
て供給する。この結果、触媒層は流動層となり、ガスは
気泡となって触媒と接触して反応する。しかしながら、
気泡は流動層内を上昇するに従ってお互いに合体して大
きな気泡を形成するので、触媒層上部での接触効率は低
下する。
活性の非常に高い触媒であるならば、ガスと触媒が混合
するだけで反応が完結し、ガスと触媒の接触効率が反応
の収率に影響することはないが、反応速度の遅い反応の
場合には、接触効率の低下は収率の低下を招く。
するだけで反応が完結し、ガスと触媒の接触効率が反応
の収率に影響することはないが、反応速度の遅い反応の
場合には、接触効率の低下は収率の低下を招く。
本発明で使用する塩化水素を酸化して、塩素を製造する
触媒は高活性を有しているものの、比較的嵩密度が大き
い為に、気泡が大きくなりやすい性質を持つことから、
気泡の合体による触媒とガスとの接触効率の低下の影響
は大きい。
触媒は高活性を有しているものの、比較的嵩密度が大き
い為に、気泡が大きくなりやすい性質を持つことから、
気泡の合体による触媒とガスとの接触効率の低下の影響
は大きい。
そこで、この反応装置の問題点を解決するために、本発
明者らは鋭意検討し、反応装置のガス散気板上部の触媒
が流動して、反応が行われる部分に多孔板を装着すると
、気泡の成長を抑制し塩化水素からの塩素の転化率が向
上するとを見出し、本発明を完成するに至った。
明者らは鋭意検討し、反応装置のガス散気板上部の触媒
が流動して、反応が行われる部分に多孔板を装着すると
、気泡の成長を抑制し塩化水素からの塩素の転化率が向
上するとを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、酸化クロムを主成分とする触媒の存在
下に、塩化水素と酸素を反応させて塩素を製造する方法
において、ガス散気板上部の触媒が流動して反応が行わ
れる部分に、開孔比が10〜60%である多孔板を10
0cm以下の間隔で、水平方向に多数備えた構造を有す
る流動床反応装置を用いる塩素の製造方法である。
下に、塩化水素と酸素を反応させて塩素を製造する方法
において、ガス散気板上部の触媒が流動して反応が行わ
れる部分に、開孔比が10〜60%である多孔板を10
0cm以下の間隔で、水平方向に多数備えた構造を有す
る流動床反応装置を用いる塩素の製造方法である。
以下、本発明の方法を詳しく説明する。
本発明の方法において用いる酸化クロム触媒は、主成分
がクロミア(CrzOs)であり、沈澱法または浸漬法
で調整することができる。
がクロミア(CrzOs)であり、沈澱法または浸漬法
で調整することができる。
沈澱法による場合は、三価クロム塩と塩基性化合物とに
より沈澱させて合成した水酸化クロムを、800°Cに
満たない温度で焼成した後の酸化クロムを粉砕粒化し、
通常、バインダーとして酸化珪素を加えてスラリー状に
して、スプレードライヤー等で造粒、乾燥して調製した
もの、又は三価クロム塩に塩基性化合物を加えて、沈澱
生成した水酸化クロムスラリーに酸化珪素を加えた後、
造粒、乾燥、焼成したもの等がある。
より沈澱させて合成した水酸化クロムを、800°Cに
満たない温度で焼成した後の酸化クロムを粉砕粒化し、
通常、バインダーとして酸化珪素を加えてスラリー状に
して、スプレードライヤー等で造粒、乾燥して調製した
もの、又は三価クロム塩に塩基性化合物を加えて、沈澱
生成した水酸化クロムスラリーに酸化珪素を加えた後、
造粒、乾燥、焼成したもの等がある。
例えば、三価クロム塩として硝酸クロムまたは塩化クロ
ムを用い、その沈澱触媒を得るための中和剤としてはア
ンモニアを用い、得られた水酸化クロムを、800°C
に満たない温度で焼成し、かくして得られた水酸化クロ
ムを主成分とし、酸化硅素をバインダーとして用いて成
形する。
ムを用い、その沈澱触媒を得るための中和剤としてはア
ンモニアを用い、得られた水酸化クロムを、800°C
に満たない温度で焼成し、かくして得られた水酸化クロ
ムを主成分とし、酸化硅素をバインダーとして用いて成
形する。
また、浸漬法による場合は、例えば、好ましくは細孔容
積が0.3〜1.5cc/gである酸化硅素を担体とし
て、水溶性クロム塩、または無水クロム酸(Crよ0.
)の水溶液に浸漬する方法により担持させ、これを乾燥
した後、300〜400°Cで1〜2時間焼成する操作
を数回繰り返し、約75重量%程度のクルミア担持量と
した後、更に400〜600″Cで数時間焼成して調整
する。
積が0.3〜1.5cc/gである酸化硅素を担体とし
て、水溶性クロム塩、または無水クロム酸(Crよ0.
)の水溶液に浸漬する方法により担持させ、これを乾燥
した後、300〜400°Cで1〜2時間焼成する操作
を数回繰り返し、約75重量%程度のクルミア担持量と
した後、更に400〜600″Cで数時間焼成して調整
する。
このようにして調整した触媒を用い、以下の条件で流動
床により塩化水素と酸素を反応させる。
床により塩化水素と酸素を反応させる。
■前記触媒の平均粒径が40〜100μで、最大粒径が
200μを越えず、40μ以下の粒径を持つものが10
重量%以上を含む触媒を、反応器中の静止時の触媒層高
をO,Is以上として使用し、■原料として供給するガ
スの酸素/塩化水素のモル比率を0.25以上として、 ■塩化水素として、使用する触媒IKg当り毎時200
〜180ON!で供給し、 ■これら原料ガスの反応器内を通過する空塔速度を0.
1 =1.Om/seeに保ち、■反応温度を350〜
450°Cで、圧力を常圧以上とする。
200μを越えず、40μ以下の粒径を持つものが10
重量%以上を含む触媒を、反応器中の静止時の触媒層高
をO,Is以上として使用し、■原料として供給するガ
スの酸素/塩化水素のモル比率を0.25以上として、 ■塩化水素として、使用する触媒IKg当り毎時200
〜180ON!で供給し、 ■これら原料ガスの反応器内を通過する空塔速度を0.
1 =1.Om/seeに保ち、■反応温度を350〜
450°Cで、圧力を常圧以上とする。
ここで用いる流動床反応装置は、接ガス部において鉄の
含有率が1重量%以下である材料を使用して製作し、同
じ材料よりなる多孔板を塩化水素、及び酸素を反応床に
送入する散気板の上方に、水平方向に1000−以下の
間隔で装着している構造を有する。
含有率が1重量%以下である材料を使用して製作し、同
じ材料よりなる多孔板を塩化水素、及び酸素を反応床に
送入する散気板の上方に、水平方向に1000−以下の
間隔で装着している構造を有する。
散気板は塩化水素、酸素の混合ガスを微細に分散させる
ものであればよい。
ものであればよい。
本発明の多孔板は、面積20c+d以下の孔を多数同一
ピンチで開けた構造で、その数とピンチは開孔比で決ま
る。開孔比は(1)式で定義される。
ピンチで開けた構造で、その数とピンチは開孔比で決ま
る。開孔比は(1)式で定義される。
開孔比(χ)・(孔の総断面積) X100/(反応装
置の断面積)(1) 本発明では通常、開孔比は10〜60%で実施する。
置の断面積)(1) 本発明では通常、開孔比は10〜60%で実施する。
開孔比は大きくなるほど多孔板のない状態に近づくが、
開孔比60%以上では転化率を上げる効果がほとんどな
い。また開花比10%以下では運転中に大部分の触媒が
最上部の多孔板の上にあがってしまい、多孔板の有る位
置の触媒量が大幅に少なくなり転化率は低下する。
開孔比60%以上では転化率を上げる効果がほとんどな
い。また開花比10%以下では運転中に大部分の触媒が
最上部の多孔板の上にあがってしまい、多孔板の有る位
置の触媒量が大幅に少なくなり転化率は低下する。
多孔板で開ける孔の1個の面積は20cd以下が望まし
く、孔の面積が大きいと、気泡の合体を防止する効果が
落ちる。しかし、円形の孔の直径、孔の形状が円形以外
のときは、孔と同じ面積を持つ円と仮定して算出した円
直径が、多孔板の厚みに比較して同程度かそれ以下の場
合には、触媒の動きを大きく阻害するので、開孔比が小
さい場合と同様に触媒の偏在が起こり好ましくない。
く、孔の面積が大きいと、気泡の合体を防止する効果が
落ちる。しかし、円形の孔の直径、孔の形状が円形以外
のときは、孔と同じ面積を持つ円と仮定して算出した円
直径が、多孔板の厚みに比較して同程度かそれ以下の場
合には、触媒の動きを大きく阻害するので、開孔比が小
さい場合と同様に触媒の偏在が起こり好ましくない。
孔の形状は製作の容易さや、多孔板の強度から円形が望
ましいが、他の形状でも特に問題ない。
ましいが、他の形状でも特に問題ない。
また開孔比が本発明の範囲であるならば、部分的に20
cd以上であってもその孔数が少ない場合には同様の効
果がある。
cd以上であってもその孔数が少ない場合には同様の効
果がある。
多孔板の厚みは、所定の開孔比をもち、通常の運転に耐
える強度があればよい。
える強度があればよい。
多孔板と散気板との間隔、多孔板と多孔板との間隔は狭
いほど有効で、その間隔は4cmから1mが望ましい、
4c+s以下は実施上工業的に反応装置を製作すること
は困難である。間隔が1mではまだ転化率を上げる効果
をわずかに有しているが、これ以上では多孔板の無い反
応装置と差がなくなる。
いほど有効で、その間隔は4cmから1mが望ましい、
4c+s以下は実施上工業的に反応装置を製作すること
は困難である。間隔が1mではまだ転化率を上げる効果
をわずかに有しているが、これ以上では多孔板の無い反
応装置と差がなくなる。
多孔板の数は、反応装置内で触媒が流動している区域に
、上記の間隔で配置するよう適宜きめればよい。
、上記の間隔で配置するよう適宜きめればよい。
(作用)
酸化クロムを主成分とする触媒の存在下に、塩化水素と
酸素を反応させて塩素を製造する場合において、本発明
の方法により、塩化水素からの塩素の転化率を向上させ
ることが可能となった。これにより高い設備効率で塩素
を生産することができ、この触媒をさらに工業的価値の
あるものにすることができた。
酸素を反応させて塩素を製造する場合において、本発明
の方法により、塩化水素からの塩素の転化率を向上させ
ることが可能となった。これにより高い設備効率で塩素
を生産することができ、この触媒をさらに工業的価値の
あるものにすることができた。
(実施例)
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
実施例−1
硝酸クロム16.9にgを脱イオン水7502に溶解さ
せ、よく撹拌しながら25%のアンモニア水31.3K
gを6時間を要して滴下注入した。
せ、よく撹拌しながら25%のアンモニア水31.3K
gを6時間を要して滴下注入した。
生じた沈澱スラリーに脱イオン水を加え1500 ff
iに希釈し、−晩放置後デカンチージョンを繰返し沈澱
を洗浄した。焼成後の全重量の25%にあたるコロイダ
ルシリカを加えた。この混合スラリーをスプレードライ
ヤーで乾燥して得られた粒状粉末を、空気雰囲気中60
0’Cで3時間焼成した。
iに希釈し、−晩放置後デカンチージョンを繰返し沈澱
を洗浄した。焼成後の全重量の25%にあたるコロイダ
ルシリカを加えた。この混合スラリーをスプレードライ
ヤーで乾燥して得られた粒状粉末を、空気雰囲気中60
0’Cで3時間焼成した。
その後、JIS標準篩を用いて微粒子状触媒を篩い、平
均粒径(中位径)50〜60μ、最大粒径120μ、4
0μ以下の粒径微粒子含有量12重量%以上の触媒を得
た。
均粒径(中位径)50〜60μ、最大粒径120μ、4
0μ以下の粒径微粒子含有量12重量%以上の触媒を得
た。
流動層部の内径54.5園鴎、高さ1000閣−1純ニ
ツケル(JIS規格NNCP)製反応器内に、多孔板の
厚み11で、4.5−一径の孔を9m閣三角ピンチで配
列したもので、開孔比22%である多孔板を40曹間隔
に12枚設置した。
ツケル(JIS規格NNCP)製反応器内に、多孔板の
厚み11で、4.5−一径の孔を9m閣三角ピンチで配
列したもので、開孔比22%である多孔板を40曹間隔
に12枚設置した。
該反応器に前記触媒884.4g(停止時層高32c■
)を充填し、外部を砂動浴により370°Cに加熱した
。
)を充填し、外部を砂動浴により370°Cに加熱した
。
塩化水素ガス7.381!/曽inおよび酸素ガス3.
69 NN /@inを、流動床底部の磁製ポーラスフ
ィルター(散気板)を経て、反応床に導入し0.1〜0
.3atgの圧力下に流動させながら反応させた。
69 NN /@inを、流動床底部の磁製ポーラスフ
ィルター(散気板)を経て、反応床に導入し0.1〜0
.3atgの圧力下に流動させながら反応させた。
触媒層の温度ば発熱により390℃となった。
反応器流出ガスをヨウ化カリ水溶液の吸収瓶と苛性ソー
ダ水溶液の吸収瓶につないだトラップで捕集し、チオ硫
酸ソーダおよび塩酸で滴定し、未反応塩化水素と生成し
た塩素を定量した。塩化水素の転化率は54%であった
。
ダ水溶液の吸収瓶につないだトラップで捕集し、チオ硫
酸ソーダおよび塩酸で滴定し、未反応塩化水素と生成し
た塩素を定量した。塩化水素の転化率は54%であった
。
実施例−2
多孔板を8cm間隔に6枚とした以外は、実施例−1と
同様に実験を行い、塩化水素の転化率は53%であった
。
同様に実験を行い、塩化水素の転化率は53%であった
。
実施例−3
多孔板板を16cm6cm間隔とした以外は、実施例−
1と同様に実験を行い、塩化水素の転化率は47%であ
った。
1と同様に実験を行い、塩化水素の転化率は47%であ
った。
実施例−4
実施例−1において流動層部を内径1O81、高さ10
0〇−転純ニノケル(JIS規格NNCP)製反応器内
に、多孔板の厚み2s+mで、4.5−II径の孔を9
鴫鴎三角ピツチで配列したもので、開孔比22%の多孔
板を8cm間隔に6枚設置した。該反応床に触媒351
6g(静止層高32c+i)充填し、塩化水素ガス17
.58 N1 /+in、酸素ガス8.79N l /
winを流動床底部の磁製のポーラスフィルター(散気
板)を経て、流動床に導入して410°Cで、その他は
実施例−1と同様にして流動化させながら反応させた。
0〇−転純ニノケル(JIS規格NNCP)製反応器内
に、多孔板の厚み2s+mで、4.5−II径の孔を9
鴫鴎三角ピツチで配列したもので、開孔比22%の多孔
板を8cm間隔に6枚設置した。該反応床に触媒351
6g(静止層高32c+i)充填し、塩化水素ガス17
.58 N1 /+in、酸素ガス8.79N l /
winを流動床底部の磁製のポーラスフィルター(散気
板)を経て、流動床に導入して410°Cで、その他は
実施例−1と同様にして流動化させながら反応させた。
実施例−1と同様にして転化率を求め、塩化水素の転化
率は64%であった。
率は64%であった。
実施例−5
多孔板は9.3++w径の孔を23mm三角ピッチで配
列したもので、開孔比は30%を、8CO1間隔に6枚
とした以外は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水
素の転化率は64%であった。
列したもので、開孔比は30%を、8CO1間隔に6枚
とした以外は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水
素の転化率は64%であった。
実施例−6
多孔板は4.81径の孔を1mm三角ピンチで配列した
もので、開孔比は42%を8cm間隔に6枚とした以外
は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水素の転化率
は63%であった。
もので、開孔比は42%を8cm間隔に6枚とした以外
は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水素の転化率
は63%であった。
実施例−7
多孔板は9.3m−径の孔を17−三角ピンチで配列し
たもので、開孔比は60%を、8cm間Mに6枚とした
以外は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水素の転
化率は56%であった。
たもので、開孔比は60%を、8cm間Mに6枚とした
以外は、実施例−4と同様に実験を行い、塩化水素の転
化率は56%であった。
実施例−8
20重量%の無水クロム酸を溶解させた水溶液を粒径8
0〜25メツシユの微細なシリカゲル(細孔容積0.7
5cc/g)に浸浸させ、120°Cで乾燥後、350
〜400°Cで2時間空気中で焼成した。
0〜25メツシユの微細なシリカゲル(細孔容積0.7
5cc/g)に浸浸させ、120°Cで乾燥後、350
〜400°Cで2時間空気中で焼成した。
この操作を3回繰り返し、最終的に500°Cで、3時
間焼成し触媒を調整した。触媒の分析値はクロミア68
重量%、シリカ32重量%であった。
間焼成し触媒を調整した。触媒の分析値はクロミア68
重量%、シリカ32重量%であった。
その後、JIS標準篩を用いて、微粒子状触媒を篩い、
平均粒径(中位径)50〜60μの触媒を得た。
平均粒径(中位径)50〜60μの触媒を得た。
流動層部の内径200sn 、高さ400抛−1純ニツ
ケル(JIS規格NNCP)製反応器内に多孔板は厚み
2s+s+で、4.5蒙■径の孔を11■−三角ピッチ
で配列したもので、開孔比30%の多孔板を16c+a
間隔に18枚設置した。
ケル(JIS規格NNCP)製反応器内に多孔板は厚み
2s+s+で、4.5蒙■径の孔を11■−三角ピッチ
で配列したもので、開孔比30%の多孔板を16c+a
間隔に18枚設置した。
該流動床に前記触媒67.2kg(静止層高165cm
)を充填し、外部を熱風により370°Cに加熱した。
)を充填し、外部を熱風により370°Cに加熱した。
塩化水素ガス280 N i!/min、酸素ガス20
ONt!/++inおよび窒素ガス75N l /wi
nを流動床底部の散気板(5m−直径の孔5個を有す)
を経て、該反応器に導入し3atgの圧力下に流動させ
ながら反応させた。触媒層の温度は高さ方向に分布を示
すが、発熱により最高温度415°Cとなった。実施例
−1と同様にして転化率を求め、塩化水素の転化率は8
3%であった。
ONt!/++inおよび窒素ガス75N l /wi
nを流動床底部の散気板(5m−直径の孔5個を有す)
を経て、該反応器に導入し3atgの圧力下に流動させ
ながら反応させた。触媒層の温度は高さ方向に分布を示
すが、発熱により最高温度415°Cとなった。実施例
−1と同様にして転化率を求め、塩化水素の転化率は8
3%であった。
実施例−9
多孔板を1m間隔に4枚とした以外は、実施例−8と同
様に実験を行い塩化水素の転化率は78%であった。
様に実験を行い塩化水素の転化率は78%であった。
実施例=lO
多孔板は501III径の孔を86−三角ピンチで3個
配列したもので、開孔比は19%で、16cm6cm間
隔枚とした以外は、実施例−8と同様に実験を行い、塩
化水素の転化率は79%であった。
配列したもので、開孔比は19%で、16cm6cm間
隔枚とした以外は、実施例−8と同様に実験を行い、塩
化水素の転化率は79%であった。
比較例−1
実施例−1と同様の操作にて得た触媒を用い、流動層部
の内径54.5+v+、高さ1001000I+、多孔
板のない純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に
実施例−1と同量の触媒を充填し、実施例−1と同様の
反応、操作を行った。塩化水素の転化率は43%であっ
た。
の内径54.5+v+、高さ1001000I+、多孔
板のない純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に
実施例−1と同量の触媒を充填し、実施例−1と同様の
反応、操作を行った。塩化水素の転化率は43%であっ
た。
比較例2
実施例−1と同様の操作で触媒を得た。実施例−2にお
いて流動層内径10811m、高さ1000mmの多孔
板のない純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に
実施例−1と同量にして得た触媒を同量充填し、同様な
反応、操作を行い、実施例−1と同様にして転化率を求
め、塩素の転化率は53%であった。
いて流動層内径10811m、高さ1000mmの多孔
板のない純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に
実施例−1と同量にして得た触媒を同量充填し、同様な
反応、操作を行い、実施例−1と同様にして転化率を求
め、塩素の転化率は53%であった。
比較例3
実施例−8と同様の操作で触媒を得た。流動層部の内径
200mn+ 、高さ4000m+++の多孔板のない
純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に実施例−
8と同量の触媒を充填し、実施例−8同様に反応を行っ
た。
200mn+ 、高さ4000m+++の多孔板のない
純ニッケル(JIS規格規格NNC型反応器に実施例−
8と同量の触媒を充填し、実施例−8同様に反応を行っ
た。
触媒層の温度は高さ方向に分布を示すが、発熱により最
高温度415°Cとなった。実施例−1と同様にして転
化率を求め、塩化水素の転化率は74%であった。
高温度415°Cとなった。実施例−1と同様にして転
化率を求め、塩化水素の転化率は74%であった。
(発明の効果)
実施例、比較例で、原料ガスの酸素/塩化水素のモル比
、使用する触媒1kg当たり毎時の塩化水素の供給量を
同一基準に整理した転化率を表−■に示す。
、使用する触媒1kg当たり毎時の塩化水素の供給量を
同一基準に整理した転化率を表−■に示す。
■酸素/塩化水素モル比0.5、塩化水素の触媒負荷量
50ONl、 での多孔板を有する実施例1.2.3と、多孔板を有し
ない比較例1、 ■酸素/塩化水素モル比0.5、塩化水素の触媒負荷量
3001’l!、 での多孔板を有する実施例4.5.6.7と、多孔板を
有しない比較例2、 ■酸素/塩化水素モル比0.7、塩化水素の触媒層rt
It2soNf、 での多孔板を有する実施例8.9.10と、多孔板を有
しない比較例3、 上記3パートでの転化率をそれぞれ比較してみると、す
べてのパートで、多孔板を有する反応器での実施例の転
化率が良いことがわかる。
50ONl、 での多孔板を有する実施例1.2.3と、多孔板を有し
ない比較例1、 ■酸素/塩化水素モル比0.5、塩化水素の触媒負荷量
3001’l!、 での多孔板を有する実施例4.5.6.7と、多孔板を
有しない比較例2、 ■酸素/塩化水素モル比0.7、塩化水素の触媒層rt
It2soNf、 での多孔板を有する実施例8.9.10と、多孔板を有
しない比較例3、 上記3パートでの転化率をそれぞれ比較してみると、す
べてのパートで、多孔板を有する反応器での実施例の転
化率が良いことがわかる。
このように本発明は工業的に実施する場合、極めて有用
なものである。
なものである。
(以下余白)
Claims (3)
- (1)酸化クロムを主成分とする触媒の存在下に、塩化
水素と酸素を反応させて塩素を製造する方法において、
ガス散気板上部の触媒が、流動して反応が行われる部分
に、開孔比が10〜60%である多孔板を100cm以
下の間隔で、水平方向に多数備えた構造を有する流動床
反応装置を用いる塩素の製造方法。 - (2)酸化クロムを主成分とする触媒が、三価のクロム
の塩を、塩基性化合物により沈澱させて得られた、水酸
化クロムを焼成して調整した触媒である請求項(1)の
塩素の製造方法。 - (3)酸化クロムを主成分とする触媒が、酸化硅素担体
上にクロミア(Cr_2O_3)として、20〜80重
量%の酸化クロムを、浸漬により担持して調整した触媒
である請求項(1)の塩素の製造方法。
Priority Applications (16)
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|---|---|---|---|
| JP63045785A JP2595018B2 (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 塩素の製造方法 |
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| YU00423/89A YU42389A (en) | 1988-03-01 | 1989-02-27 | Process for producing chlorine |
| CA000592353A CA1328556C (en) | 1988-03-01 | 1989-02-28 | Production process of chlorine |
| RO138475A RO103831B1 (ro) | 1988-03-01 | 1989-02-28 | Reactor cu pat fluidizat |
| KR1019890002439A KR910003969B1 (ko) | 1988-03-01 | 1989-02-28 | 염소의 제조방법 |
| DD89326086A DD279006A5 (de) | 1988-03-01 | 1989-02-28 | Verfahren zur herstellung von chlor |
| EP89302043A EP0331465B1 (en) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Production process of chlorine |
| BR898900945A BR8900945A (pt) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Processo para a producao de cloro |
| DE8989302043T DE68904329T2 (de) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Chlorerzeugungsverfahren. |
| CS129489A CS274744B2 (en) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Method of chloride production by means of gaseous hydrogen of chloride reaction with oxygen catalyst presence |
| IL89440A IL89440A0 (en) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Process for production of chlorine |
| HU891004A HU206066B (en) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Process for producing chlorine |
| CN89101851A CN1014597B (zh) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | 一种生产氯气的方法 |
| AU30915/89A AU607055B2 (en) | 1988-03-01 | 1989-03-01 | Production process of chlorine |
| US07/595,651 US5112593A (en) | 1988-03-01 | 1990-10-09 | Production process of chlorine |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP2595018B2 JP2595018B2 (ja) | 1997-03-26 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| EP (1) | EP0331465B1 (ja) |
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| CN (1) | CN1014597B (ja) |
| AU (1) | AU607055B2 (ja) |
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| CA (1) | CA1328556C (ja) |
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| DD (1) | DD279006A5 (ja) |
| DE (1) | DE68904329T2 (ja) |
| HU (1) | HU206066B (ja) |
| IL (1) | IL89440A0 (ja) |
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| YU (1) | YU42389A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007530403A (ja) * | 2004-03-25 | 2007-11-01 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 発熱化学平衡反応を行うための流動床法及びこれに用いられる反応器 |
| JP2010503607A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-02-04 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 流動床反応器中で塩素を製造する方法 |
| JP2010503530A (ja) * | 2006-09-19 | 2010-02-04 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | ガス相反応を行うための流動床反応器 |
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| US6316653B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-11-13 | The Trustees Of Princeton University | Mn4O4-cubane type catalysts |
| DE10336522A1 (de) * | 2003-08-08 | 2005-02-24 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Chlor |
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| ES2347606T3 (es) | 2006-09-19 | 2010-11-02 | Basf Se | Procedimiento para la abtencion de animas aromaticas en un reactor de lecho fluidizado. |
| CN101293637B (zh) * | 2008-06-27 | 2010-06-02 | 清华大学 | 一种氯化氢催化氧化生产氯气的装置及方法 |
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| US2893851A (en) * | 1955-12-29 | 1959-07-07 | American Oil Co | Powdered catalyst contacting unit |
| CA1260229A (en) * | 1986-06-30 | 1989-09-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Production process of chlorine |
| JPS63230504A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 塩素の製造方法 |
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-
1988
- 1988-03-01 JP JP63045785A patent/JP2595018B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-27 YU YU00423/89A patent/YU42389A/xx unknown
- 1989-02-27 IN IN161/CAL/89A patent/IN172164B/en unknown
- 1989-02-28 DD DD89326086A patent/DD279006A5/de not_active IP Right Cessation
- 1989-02-28 CA CA000592353A patent/CA1328556C/en not_active Expired - Fee Related
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- 1989-03-01 HU HU891004A patent/HU206066B/hu not_active IP Right Cessation
- 1989-03-01 DE DE8989302043T patent/DE68904329T2/de not_active Expired - Fee Related
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- 1989-03-01 CS CS129489A patent/CS274744B2/cs unknown
- 1989-03-01 BR BR898900945A patent/BR8900945A/pt not_active IP Right Cessation
- 1989-03-01 AU AU30915/89A patent/AU607055B2/en not_active Ceased
-
1990
- 1990-10-09 US US07/595,651 patent/US5112593A/en not_active Expired - Lifetime
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