JPH01201947A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01201947A JPH01201947A JP63026434A JP2643488A JPH01201947A JP H01201947 A JPH01201947 A JP H01201947A JP 63026434 A JP63026434 A JP 63026434A JP 2643488 A JP2643488 A JP 2643488A JP H01201947 A JPH01201947 A JP H01201947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- substrate
- wire
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W72/884—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装
置の改良に関するものである。
置の改良に関するものである。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第３図、４図
に示す様に金属性のリードフレーム１のアイランドｌａ
に半導体素子２を半田、Ａｇペースト等のろう材３にて
ダイボンディングし、その後半導体素子の電極２ａと外
部リード端子４との間をＡｌ線あるいはＡｕ線等のボン
ディングワイヤー５にてワイヤーボンディングし、しか
る後、エポキシ、シリコン等の樹脂６にて封止されてい
た。
に示す様に金属性のリードフレーム１のアイランドｌａ
に半導体素子２を半田、Ａｇペースト等のろう材３にて
ダイボンディングし、その後半導体素子の電極２ａと外
部リード端子４との間をＡｌ線あるいはＡｕ線等のボン
ディングワイヤー５にてワイヤーボンディングし、しか
る後、エポキシ、シリコン等の樹脂６にて封止されてい
た。
上述した、従来の樹脂封止型半導体装置の構造において
、リードフレーム１のアイランド部１ａは、金属である
為、樹脂封止との線膨張係数が異なる為、半導体導体装
置に急激な熱ストレス（倒えば半田浸漬）を加えた場合
、樹脂との界面にすき間が生じてしまい、外部からの水
分浸入があった場合、容易に半導体素子の電極２ａが腐
食してしまうという欠点があった。
、リードフレーム１のアイランド部１ａは、金属である
為、樹脂封止との線膨張係数が異なる為、半導体導体装
置に急激な熱ストレス（倒えば半田浸漬）を加えた場合
、樹脂との界面にすき間が生じてしまい、外部からの水
分浸入があった場合、容易に半導体素子の電極２ａが腐
食してしまうという欠点があった。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上述のアイランド部
２ａが急激な熱ストレスを受けた時、封止樹脂との密着
がそこなわれずすき間が開かない様する為、アイランド
部２ａを封止樹脂と同一材料の基板８にし、かつ基板自
身がアイランドとなる様にしたものである。
２ａが急激な熱ストレスを受けた時、封止樹脂との密着
がそこなわれずすき間が開かない様する為、アイランド
部２ａを封止樹脂と同一材料の基板８にし、かつ基板自
身がアイランドとなる様にしたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図は、その一実施例であって、金属性のア
イランドのないリードフレーム７の外部リード線４の樹
脂封止内光端部４ａは、封止樹脂と同一材料の基板８に
より、接着固定されており、この基板８に半導体素子２
がろう材３にてダイボンディングされる。その後、半導
体素子の電極２ａと外部リード端子先端部４ａとの間を
、ボンティングワイヤー５にてワイヤーボンディンダし
、しかる後封止樹脂６にて封止する構造となっている。
イランドのないリードフレーム７の外部リード線４の樹
脂封止内光端部４ａは、封止樹脂と同一材料の基板８に
より、接着固定されており、この基板８に半導体素子２
がろう材３にてダイボンディングされる。その後、半導
体素子の電極２ａと外部リード端子先端部４ａとの間を
、ボンティングワイヤー５にてワイヤーボンディンダし
、しかる後封止樹脂６にて封止する構造となっている。
本発明は、以上のように、基板８を従来のアイランド１
ａの代わりに用い、基板８が封止樹脂と同一材料である
ことから線膨張係数も同一である為、急激な熱ストレス
による、すき間の発生を防止できる、外部からの水分の
浸入を防ぐ効果があ
ａの代わりに用い、基板８が封止樹脂と同一材料である
ことから線膨張係数も同一である為、急激な熱ストレス
による、すき間の発生を防止できる、外部からの水分の
浸入を防ぐ効果があ
第１図は本発明の一実施例を示すワイヤーボンディング
後の斜視図、第２図は、本考案の樹脂封止後の断面図、
第３図は従来のワイヤーボンディング後の斜視図、第４
図は従来構造の断面図である。 １・ 従来のリードフレーム、１ａ・・・・アイランド
、２・ 半導体素子、２ａ・・・・・・半導体素子電極
、３・・・ろう材、４ ・外部リード端子、４ａ外部リ
ード端子の封止樹脂内先端部、５・・・・・ボンディン
グワイヤー、６・・・・・・封止樹脂、７・・・・・・
本発明で用いたリードフレーム、訃・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音
後の斜視図、第２図は、本考案の樹脂封止後の断面図、
第３図は従来のワイヤーボンディング後の斜視図、第４
図は従来構造の断面図である。 １・ 従来のリードフレーム、１ａ・・・・アイランド
、２・ 半導体素子、２ａ・・・・・・半導体素子電極
、３・・・ろう材、４ ・外部リード端子、４ａ外部リ
ード端子の封止樹脂内先端部、５・・・・・ボンディン
グワイヤー、６・・・・・・封止樹脂、７・・・・・・
本発明で用いたリードフレーム、訃・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において外部リード線の封止樹
脂内先端部が封止樹脂と同一材料の基板にて固定され、
かつ基板上に半導体素子がダイボンディングされている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026434A JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026434A JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201947A true JPH01201947A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12193404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026434A Pending JPH01201947A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201947A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508232A (en) * | 1994-02-07 | 1996-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026434A patent/JPH01201947A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508232A (en) * | 1994-02-07 | 1996-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
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