JPH01201070A - 誘電性セラミック組成物 - Google Patents
誘電性セラミック組成物Info
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- JPH01201070A JPH01201070A JP63023885A JP2388588A JPH01201070A JP H01201070 A JPH01201070 A JP H01201070A JP 63023885 A JP63023885 A JP 63023885A JP 2388588 A JP2388588 A JP 2388588A JP H01201070 A JPH01201070 A JP H01201070A
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- Japan
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- oxide
- component
- mol
- ceramic composition
- dielectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電性セラ
ミック組成物に関するものであシ、芒らに詳しくは、コ
ンデンサー用途として適した強訪電性組成物に関するも
のである。
ミック組成物に関するものであシ、芒らに詳しくは、コ
ンデンサー用途として適した強訪電性組成物に関するも
のである。
(従来の技り
従来、チタン酸バリウムを主成分とする強訪電性セラミ
ック組成物は、焼結温度が、1300C以上と極めて高
いため、積層コンデンサー用途として用いる場合、内部
電極材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点貴金属
1例えば、白金、パラジウム、金等が用いられてきた。
ック組成物は、焼結温度が、1300C以上と極めて高
いため、積層コンデンサー用途として用いる場合、内部
電極材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点貴金属
1例えば、白金、パラジウム、金等が用いられてきた。
これらの貴金属は高価なものであるため、積層コンデン
サーのコストも高いものとなる。ま友、高温で焼結する
九め、焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も問題
となってくる。すなわち、積層コンデンサーヲ矢造する
場合、コストの面から、内部電極材料として、安価な銀
を主成分とすることが好ましく、まt、炉の設計が容易
であるためにも、低温で焼結可能な強誘電性セラミック
組成物が強く望まれていた。
サーのコストも高いものとなる。ま友、高温で焼結する
九め、焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も問題
となってくる。すなわち、積層コンデンサーヲ矢造する
場合、コストの面から、内部電極材料として、安価な銀
を主成分とすることが好ましく、まt、炉の設計が容易
であるためにも、低温で焼結可能な強誘電性セラミック
組成物が強く望まれていた。
チタン酸バリウムの焼結温度を低下させるための焼結助
剤として、酸fヒ銅[Trans、Br1t、Cera
m。
剤として、酸fヒ銅[Trans、Br1t、Cera
m。
SOC,,74,165(1975)]、7ツ比リチウ
ム[J、Am、Ceram、Soc、、66、11,8
01(1983)。
ム[J、Am、Ceram、Soc、、66、11,8
01(1983)。
特開昭57−160963]等が報告されて込るが、こ
れらの焼結助剤を用いて誘電体磁器を作成した場合、グ
レインサイズが大きく、不均一でちゃ、場合によっては
数10μmに達する異常粒成長も起こり得る。この欠点
金改善する方法として。
れらの焼結助剤を用いて誘電体磁器を作成した場合、グ
レインサイズが大きく、不均一でちゃ、場合によっては
数10μmに達する異常粒成長も起こり得る。この欠点
金改善する方法として。
特開昭61−25156.1には、酸化銅と酸化亜鉛お
よび/または酸化カドミウムi 0.2〜5.5mol
%添加することで、120DC以下の焼結温度で、はぼ
理論密度の焼結体が得られ、なおかつ。
よび/または酸化カドミウムi 0.2〜5.5mol
%添加することで、120DC以下の焼結温度で、はぼ
理論密度の焼結体が得られ、なおかつ。
その微構造を制御できる可能性が開示されている。
しかし、この方法で得られる誘電体磁器は 1200C
以下で焼結でき、グレインも微小均一で、電気特性(例
えば、誘電率、絶縁抵抗、誘電損失)も比較的良好であ
るが、信頼性に若干の問題が残されていた。
以下で焼結でき、グレインも微小均一で、電気特性(例
えば、誘電率、絶縁抵抗、誘電損失)も比較的良好であ
るが、信頼性に若干の問題が残されていた。
この問題に対し、チタン酸バリウムに希土類酸化物を添
加すると、信頼性が向上することが知られている。J、
Am、Ceram、Soc、、 4 b 、 5 、1
97(1963)には、チタン酸バリウムに0.5mo
l%の酸化ランタンを添加し、1575〜1500’C
で焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが
報告されてhる。この方法では、焼結温度が高いため、
グレインサイズが不均一になシ易く。
加すると、信頼性が向上することが知られている。J、
Am、Ceram、Soc、、 4 b 、 5 、1
97(1963)には、チタン酸バリウムに0.5mo
l%の酸化ランタンを添加し、1575〜1500’C
で焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが
報告されてhる。この方法では、焼結温度が高いため、
グレインサイズが不均一になシ易く。
実用上電気特性も不安定である。
(発明が解決しようとする課題)
したがって、従来技術では1200C以下のは匿で炭帖
でき、グレインが均一であり、′電気特性が良好で同時
に信頼性を満足する訝奄体磁器組成物に見い出されてい
ない。
でき、グレインが均一であり、′電気特性が良好で同時
に信頼性を満足する訝奄体磁器組成物に見い出されてい
ない。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、鋭意検討tiねfc結果、チタン酸バリ
ウムに酸化銅、酸化亜鉛、希土類酸化物。
ウムに酸化銅、酸化亜鉛、希土類酸化物。
さらに、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケルの中から
選ばれた1種以上を特定量添加した際に。
選ばれた1種以上を特定量添加した際に。
1200tl?以下の焼結温度で、微構造が均一で。
理論密度の95%以上に緻密化した焼結体が得られ、同
時に信頼性が飛躍的に向上することを見い出し1本発明
に到達した。
時に信頼性が飛躍的に向上することを見い出し1本発明
に到達した。
すなわち1本発明は、第一成分として85.6〜99.
49 mol%のチタン酸バリウム、第二成分として0
.2〜5.5mol%の酸化亜鉛、第三成分として0.
01〜0.7mol%の酸化鉄、酸化コバルト。
49 mol%のチタン酸バリウム、第二成分として0
.2〜5.5mol%の酸化亜鉛、第三成分として0.
01〜0.7mol%の酸化鉄、酸化コバルト。
酸化ニッケルの中から選ばれた1株以上、第四成分とし
て0.1〜1.2m0L%の希土類酸化物、第五成分と
して0.2〜7 mol%の酸化銅からなる誘電性セラ
ミック組成物に関するものである。
て0.1〜1.2m0L%の希土類酸化物、第五成分と
して0.2〜7 mol%の酸化銅からなる誘電性セラ
ミック組成物に関するものである。
チタン酸バリウムに特定量の酸化亜鉛、希土類酸化物、
酸化銅さらに酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケルの中
から選ばれた1種以上を添加し焼成した誘電性セラミッ
ク組成物は、希土類酸化物無添加の場合に比べ、誘電率
が高く、グレインサイズが均一であり、極めて信頼性が
高い。
酸化銅さらに酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケルの中
から選ばれた1種以上を添加し焼成した誘電性セラミッ
ク組成物は、希土類酸化物無添加の場合に比べ、誘電率
が高く、グレインサイズが均一であり、極めて信頼性が
高い。
さらに、チタン酸塩、ジルコン酸塩、スズ酸塩から選ば
れ友1株以上の特定量を第六成分として組み合わせるこ
とによ)、上記特性を損ねることなく、室温付近の誘電
率を12000以上にまで高めることが可能でおる。
れ友1株以上の特定量を第六成分として組み合わせるこ
とによ)、上記特性を損ねることなく、室温付近の誘電
率を12000以上にまで高めることが可能でおる。
本発明で使用するチタン酸バリウムは、固相法。
液相法(例えば、しゆう酸塩法、アルコキシド法)等い
ずれの方法で裂造避れ友ものでもよい。平均粒径が1μ
m以下と小さく1粒度分布の均一なものを用いた場合、
−濁均一な微構造を持ち、電気特性の良好な信頼性の高
い磁器が得られる。
ずれの方法で裂造避れ友ものでもよい。平均粒径が1μ
m以下と小さく1粒度分布の均一なものを用いた場合、
−濁均一な微構造を持ち、電気特性の良好な信頼性の高
い磁器が得られる。
本発明では、添加物として酸化亜鉛、希土類酸化物、酸
化銅、さらに、酸化鉄、酸化コバルト。
化銅、さらに、酸化鉄、酸化コバルト。
酸化ニッケルをそのまま用いることができるが。
水酸化物、炭酸塩などの無機酸塩や、しゆう酸塩。
アルコキシドなどの有機塩等、焼結@度以下で分解して
酸化物となるものならば、いずれも使用できる。酸化銅
としては一価、二価、および一価。
酸化物となるものならば、いずれも使用できる。酸化銅
としては一価、二価、および一価。
二価の共存しているもの、いずれのものも使用できる。
酸化マンガンとしては、二価、三価、四価。
化価およびそれらが共存しているもの、いずれのものも
使用できる。希土類酸1ヒ物としては、酸化ネオジウム
、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム。
使用できる。希土類酸1ヒ物としては、酸化ネオジウム
、酸化サマリウム、酸化ガドリニウム。
酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム#lt(ヒエルビ
ラム、酸fヒツリウム等いずれのものも使用できる。
ラム、酸fヒツリウム等いずれのものも使用できる。
また、本発明で第六成分として添加する酸化物は、スズ
酸塩、チタン酸塩、ジルコン酸塩の通常の複合酸化物の
形のものが好適に用いられる。
酸塩、チタン酸塩、ジルコン酸塩の通常の複合酸化物の
形のものが好適に用いられる。
本発明の磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合は、
85.6〜99.49 mo1%の範囲である。その割
合が99.49 mo1%よシ多いと、1200C以下
の温度で焼結が困難となj) 、 85.6 molチ
より少ないと、焼結時に著しい素地の変形が生じる。
85.6〜99.49 mo1%の範囲である。その割
合が99.49 mo1%よシ多いと、1200C以下
の温度で焼結が困難となj) 、 85.6 molチ
より少ないと、焼結時に著しい素地の変形が生じる。
焼結性がよく、かつ、素地の変形がほとんど生じない好
ましい範囲は92.8〜98.45 molチである。
ましい範囲は92.8〜98.45 molチである。
酸化亜鉛の割合は、 Zn0O形として0.2〜5.5
m06俤の範囲である。5.5mol俤を超えると、1
200C以下での焼結が困難であ)、グレインの不均一
性、絶縁抵抗の低下を招く。0.2molチ未満では。
m06俤の範囲である。5.5mol俤を超えると、1
200C以下での焼結が困難であ)、グレインの不均一
性、絶縁抵抗の低下を招く。0.2molチ未満では。
添加効果がほとんど認められず、また、誘電損失も増大
する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗上寿える最も好
ましい範囲は、0.6〜3mol%の範囲である。
する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗上寿える最も好
ましい範囲は、0.6〜3mol%の範囲である。
酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケルの割合は。
それぞれFe 205. Co 504. Ni 20
3 (7)形とシテ0.01〜0.7 mol’Aの範
囲である。o、7 moL’4よシ多い場合は 120
0’C以下での焼結が困難であり、積層コンデンサーを
製造する場合、内部電極と訪電体層間でのデラミネーシ
ョンが著しい。また、 0.01 rnol%以下の場
合では、添加効果がほとんど認められず、信頼性が低い
。デラミネーションが起こらず、信頼性も光分良好とな
る最も好ましい範囲は、0.05〜0.5mol%の範
囲である。
3 (7)形とシテ0.01〜0.7 mol’Aの範
囲である。o、7 moL’4よシ多い場合は 120
0’C以下での焼結が困難であり、積層コンデンサーを
製造する場合、内部電極と訪電体層間でのデラミネーシ
ョンが著しい。また、 0.01 rnol%以下の場
合では、添加効果がほとんど認められず、信頼性が低い
。デラミネーションが起こらず、信頼性も光分良好とな
る最も好ましい範囲は、0.05〜0.5mol%の範
囲である。
布上ari(ヒ物の割合は、 Me 203 (Me
= La。
= La。
Nd、 Sm、 Gd、Dy、 Ho、Er、Tm等)
の形として0.1〜1.2mol%の範囲である。添加
量の増加にしたがい信頼性は向上するが 1.2mol
%を超えると、微構造が不均一になシ易く、異常粒成長
も認められる。
の形として0.1〜1.2mol%の範囲である。添加
量の増加にしたがい信頼性は向上するが 1.2mol
%を超えると、微構造が不均一になシ易く、異常粒成長
も認められる。
さらに増加すると、1’2000以下での焼結が困難に
なる。0.1molチ未満では、添加効果がほとんど認
められず、信頼性も低い。焼結性も損なわず高い信頼性
が得られる最も好ましい範囲は0.5〜Q、7m+)t
%である。
なる。0.1molチ未満では、添加効果がほとんど認
められず、信頼性も低い。焼結性も損なわず高い信頼性
が得られる最も好ましい範囲は0.5〜Q、7m+)t
%である。
酸化銅の割合は、 CuOとして0.2〜Vmolチの
範囲である。7mol%より多い場合は、デラミネーシ
ョンが著しく、誘電損失の値も大さくなる。
範囲である。7mol%より多い場合は、デラミネーシ
ョンが著しく、誘電損失の値も大さくなる。
また、焼結時のグレインサイズが不均一で大きくなシ、
信頼性も極めて悪化する。0.2molチより少ない場
合は、低温焼結が困難となる。デラミネーションが起こ
らず、充分高い信頼性を与える最も好ましい範囲は0.
6〜5mo1%である。
信頼性も極めて悪化する。0.2molチより少ない場
合は、低温焼結が困難となる。デラミネーションが起こ
らず、充分高い信頼性を与える最も好ましい範囲は0.
6〜5mo1%である。
さらに、好適な実施態様において、スズ酸塩。
チタン酸塩、ジルコン酸塩の中から選ばれ7t1m以上
の複合酸化物を第一成分、第二成分、第三成分、第四成
分の和100モルに対して2〜20mol添加すること
によシ、室温付近の誘電率を12000以上に増大する
ことが可能である。その量が2 mol未満では、添加
効果はあま#)顕著ではなく、室温付近の誘電率も低b
0ま之、20モルを超えると、1200C以下での焼結
が困難となる。スズ酸バリウムま几はスズ酸カルシウム
またはこれらの混合物を用い几場合、誘電率の大きなも
のが得られ易くなる。
の複合酸化物を第一成分、第二成分、第三成分、第四成
分の和100モルに対して2〜20mol添加すること
によシ、室温付近の誘電率を12000以上に増大する
ことが可能である。その量が2 mol未満では、添加
効果はあま#)顕著ではなく、室温付近の誘電率も低b
0ま之、20モルを超えると、1200C以下での焼結
が困難となる。スズ酸バリウムま几はスズ酸カルシウム
またはこれらの混合物を用い几場合、誘電率の大きなも
のが得られ易くなる。
(実施例〕
以下1本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
チタン酸バリウム、酸化亜鉛、#ll銅鋼および酸化鉄
、酸化コバルト、酸化ニッケルと酸1ヒネオジウム、U
(ヒサマリウム、[愛比ジスプロシウム。
、酸化コバルト、酸化ニッケルと酸1ヒネオジウム、U
(ヒサマリウム、[愛比ジスプロシウム。
酸化ホロミウム、酸fヒエルビラム、酸化ツリウムをそ
れぞれ表1に示す割合で秤量し、純水を加え。
れぞれ表1に示す割合で秤量し、純水を加え。
湿式ボールミルにより混合した。混合物金元分乾燥、徂
砕し九麦、アクリル樹脂をバインダーにトリクロロエタ
ン?溶媒として、ボールメディアにジルコニアを使用し
、ペーストを調製した。得られ九ペーストから、ドクタ
ーブレード法で厚み28μmのグリーンシートを作成し
、スクリーン印刷法によう有効層5層の積層コンデンサ
ーを試作し友。内部電極としてAg/Pd = 70
/30の材料を使用し之。このチップを脱バインダーし
之後 1100C,5時間焼結し比。得られ友積層コン
デンサーは、誘電体層厚みが18μm、有効内部重他面
積が0.009c11である。次に、外部電極として銀
電醜を屍き付は電気特性を測定し友。
砕し九麦、アクリル樹脂をバインダーにトリクロロエタ
ン?溶媒として、ボールメディアにジルコニアを使用し
、ペーストを調製した。得られ九ペーストから、ドクタ
ーブレード法で厚み28μmのグリーンシートを作成し
、スクリーン印刷法によう有効層5層の積層コンデンサ
ーを試作し友。内部電極としてAg/Pd = 70
/30の材料を使用し之。このチップを脱バインダーし
之後 1100C,5時間焼結し比。得られ友積層コン
デンサーは、誘電体層厚みが18μm、有効内部重他面
積が0.009c11である。次に、外部電極として銀
電醜を屍き付は電気特性を測定し友。
訪心率と誘電損失は、LCRメーターを用いて。
1KHz、IV、20Cの条件下で測定し友。絶縁抵抗
は高絶縁抵抗計を使用し、50■電圧印加1分間値で示
した。ま友、グレインサイズは積層コンデンサーの断面
を研磨し、1:1塩酸でエツチング処理後、走査形電子
顕微鏡写真を撮影し。
は高絶縁抵抗計を使用し、50■電圧印加1分間値で示
した。ま友、グレインサイズは積層コンデンサーの断面
を研磨し、1:1塩酸でエツチング処理後、走査形電子
顕微鏡写真を撮影し。
ラインインターセプト法により求め友。信頼性の評価と
して高温負荷試験を行い、寿命は125C。
して高温負荷試験を行い、寿命は125C。
200VDC負荷条件下、故障率63%に到達する時間
で表わした。測定結果を表2に示し九。
で表わした。測定結果を表2に示し九。
表2において、試料番号9,10.11はそれぞれ第三
成分、第四成分、あるいは両者を添加していない比較例
である。この場合、コンデンサーの電気特性の低下は認
められないものの、高温負荷寿命は106.121.2
5時間と短い。
成分、第四成分、あるいは両者を添加していない比較例
である。この場合、コンデンサーの電気特性の低下は認
められないものの、高温負荷寿命は106.121.2
5時間と短い。
これに対し、第三成分として、酸化鉄、M(ヒコバルト
、酸化ニッケルを、第四成分として、ば比ネオジウム、
酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム。酸化ホロミウム
、酸化エルビウム、酸化ツリウムのいずれかを添加し友
場合、容量、誘電損失。
、酸化ニッケルを、第四成分として、ば比ネオジウム、
酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム。酸化ホロミウム
、酸化エルビウム、酸化ツリウムのいずれかを添加し友
場合、容量、誘電損失。
絶縁抵抗等の電気物性の低下を招くことなく、高温負荷
特性を著しく向上することがわかる。
特性を著しく向上することがわかる。
表 1 (単位 モル%)表
2 実施例2 キュリー点をシフトでせる友めの添加物として。
2 実施例2 キュリー点をシフトでせる友めの添加物として。
スズ酸バリウム、スズ酸カルシウムを、第一成分。
第二成分、第三成分、第四成分、第五成分の和100
molに対して表5に示す割合になるように秤量し、第
六成分として添加した。実施例1と同様の方法で積層コ
ンデンサーを試作し、電気物性を測定した。結果を表4
に示す。
molに対して表5に示す割合になるように秤量し、第
六成分として添加した。実施例1と同様の方法で積層コ
ンデンサーを試作し、電気物性を測定した。結果を表4
に示す。
表3において、試料番号2,6は第三成分添加量が本発
明と異なる比較例であり1表4から分るように、焼結体
密度が低く、電気特性を測定することができない。試料
番号1,3,4.5は本発明のものであり、スズ酸バリ
ウム、スズ酸カルシウムの重加によ5,20Cでの容i
t増大することが可能である。添加するシフターとして
は、その他に、スズ酸ストロンチウム、スズ酸鉛、チタ
ン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸
カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛
などを使用しても、同様な効果が得られる。素体のグレ
インサイズは4μm程度の均一な微構造であり、誘電損
失、絶縁抵抗などの電気特性の悪化も認められない。高
温負荷条件下での寿命も長く、信頼性の高い積層コンデ
ンサーが得られることがわかる。
明と異なる比較例であり1表4から分るように、焼結体
密度が低く、電気特性を測定することができない。試料
番号1,3,4.5は本発明のものであり、スズ酸バリ
ウム、スズ酸カルシウムの重加によ5,20Cでの容i
t増大することが可能である。添加するシフターとして
は、その他に、スズ酸ストロンチウム、スズ酸鉛、チタ
ン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸
カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛
などを使用しても、同様な効果が得られる。素体のグレ
インサイズは4μm程度の均一な微構造であり、誘電損
失、絶縁抵抗などの電気特性の悪化も認められない。高
温負荷条件下での寿命も長く、信頼性の高い積層コンデ
ンサーが得られることがわかる。
表 4
以上の実施例において、チタン酸バリウムはBaとTi
のモル比がほぼ1のものを用いたが、O,OSmolS
m上の比率がずれていても良好な特性を得ることができ
る。
のモル比がほぼ1のものを用いたが、O,OSmolS
m上の比率がずれていても良好な特性を得ることができ
る。
(発明の効果)
以上述べたことから1本発明の強誘電性セラミック組成
物は、12001;以下の温度で焼結可能であり、グレ
インサイズが均一で、防電損失、絶縁抵゛抗などの電気
物性も良好であシ、極めて高い信頼性を有するものであ
る。さらに、これらの特性を損ねることなく、室温付近
での誘iic率金12000以上に高めることができ、
積層セラミックコンデンサー用誘電性組成物として極め
て有用であシ、その産業的価値は大きいものである。
物は、12001;以下の温度で焼結可能であり、グレ
インサイズが均一で、防電損失、絶縁抵゛抗などの電気
物性も良好であシ、極めて高い信頼性を有するものであ
る。さらに、これらの特性を損ねることなく、室温付近
での誘iic率金12000以上に高めることができ、
積層セラミックコンデンサー用誘電性組成物として極め
て有用であシ、その産業的価値は大きいものである。
ほか1名
Claims (6)
- (1)第一成分として85.6〜99.49mol%の
チタン酸バリウム、第二成分として0.2〜5.5mo
l%の酸化亜鉛、第三成分として0.01〜0.7mo
l%の酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケルの中から選
ばれた1種以上、第四取分として0.1〜1.2mol
%の希土類酸化物、第五成分として0.2〜7mol%
の酸化銅からなる誘電性セラミック組成物。 - (2)第一成分が92.8〜98.45mol%、第二
成分が0.6〜3mol%、第三成分が0.05〜0.
5mol%、第四成分が0.3〜0.7mol%、第五
成分が0.6〜3mol%である請求項1記載の誘電性
セラミック組成物。 - (3)第三成分が酸化コバルトである請求項1または請
求項2記載の誘電性セラミック組成物。 - (4)第四成分が酸化サマリウム、酸化ジスプロシウム
、酸化ホロミウム、酸化エルビウムの中から選ばれた1
種以上である請求項1または請求項2記載の誘電性セラ
ミック組成物。 - (5)請求項1記載の誘電性セラミック組成物100m
olに対し、第六成分として、スズ酸塩、チタン酸塩、
ジルコン酸塩の中から選ばれた1種以上を2〜20mo
l含有する誘電性セラミック組成物。 - (6)第六成分がスズ酸バリウムおよび/またはスズ酸
カルシウムである請求項5記載の誘電性セラミック組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023885A JP2583091B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 誘電性セラミック組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023885A JP2583091B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 誘電性セラミック組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201070A true JPH01201070A (ja) | 1989-08-14 |
| JP2583091B2 JP2583091B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=12122902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023885A Expired - Fee Related JP2583091B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 誘電性セラミック組成物 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383928U (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-26 | ||
| WO2014097678A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023885A patent/JP2583091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383928U (ja) * | 1989-12-14 | 1991-08-26 | ||
| WO2014097678A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US9928960B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-03-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583091B2 (ja) | 1997-02-19 |
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