JPH01101002A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01101002A JPH01101002A JP62259021A JP25902187A JPH01101002A JP H01101002 A JPH01101002 A JP H01101002A JP 62259021 A JP62259021 A JP 62259021A JP 25902187 A JP25902187 A JP 25902187A JP H01101002 A JPH01101002 A JP H01101002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- electrodes
- pairs
- capacitor
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にレーダ装置で使用され
る過入力電力保護用ダイオードリミッタの構造に関する
。
る過入力電力保護用ダイオードリミッタの構造に関する
。
一般に、過入力保護用リミッタ回路は、低入力電力レベ
ルでは入力を損失なく、伝播させ過入力電力時にはでき
るだけ伝播させないようにして、低雑音増幅器への過入
力を抑える必要がある。このため、従来ＰＩＮ構造のダ
イオードを用いダイオードに流れる電流により、ダイオ
ードの直列抵抗が変化することを利用して、リミッタ回
路を構成していた。
ルでは入力を損失なく、伝播させ過入力電力時にはでき
るだけ伝播させないようにして、低雑音増幅器への過入
力を抑える必要がある。このため、従来ＰＩＮ構造のダ
イオードを用いダイオードに流れる電流により、ダイオ
ードの直列抵抗が変化することを利用して、リミッタ回
路を構成していた。
第４図（ａ）、（ｂ）は従来のリミッタ回路の一例の回
路図および・その等価回路図を示す。すなわち、線路２
５の中央にダイオードｌが接続され、線路２５の両端に
、信号源抵抗２１をもつ信号源２０と、負荷抵抗２２と
が接続されている。
路図および・その等価回路図を示す。すなわち、線路２
５の中央にダイオードｌが接続され、線路２５の両端に
、信号源抵抗２１をもつ信号源２０と、負荷抵抗２２と
が接続されている。
前述したように過入力保護用リミッタ回路では、この回
路の後段に低雑音増幅器又はミキサ等の回路が接続され
るため、リミッタ回路に損失があると、これが入力回路
損となり低雑音増幅器の受信感度を悪くする。
路の後段に低雑音増幅器又はミキサ等の回路が接続され
るため、リミッタ回路に損失があると、これが入力回路
損となり低雑音増幅器の受信感度を悪くする。
今、信号周波数を１０ＧＨｚとした場合、入力信号が微
弱でダイオードには電流が流れず、高抵抗を呈する場合
、仮にケース容量が０．２ＰＦとすると、第４図の場合
負荷に供給される電力は０．４ｄＢの透過損を生じる。
弱でダイオードには電流が流れず、高抵抗を呈する場合
、仮にケース容量が０．２ＰＦとすると、第４図の場合
負荷に供給される電力は０．４ｄＢの透過損を生じる。
一方、過入力時には、ダイオード１は低抵抗を呈し、第
４図の場合に入力電力は反射されて負荷には伝播されな
いはずである。しかしこの等価回路として第４図（ｂ）
を考えた場合、内部のインダクタンスＬｓが０．２ｎＨ
程度であっても、１０Ｇｈｚでは１２．６Ωになる。そ
のため信号は、信号源側に反射して戻らず、負荷側に通
過されてくる。この場合、ダイオードの抵抗がＯΩでも
、入力信号が負荷側に約７ｄＢ減衰して現われる。この
ようにダイトート素子の抵抗値が十分高抵抗、あるいは
低抵抗になっていても外部回路の影響で十分な特性が得
られない欠点があった。すなわち、従来の構成では、ダ
イオード近傍のワイヤインダクタンスやケース容量など
の寄生素子により、マイクロ波帯ではダイオード自身の
もつ低損失、高アイソレーションが損われてしまう問題
があった。
４図の場合に入力電力は反射されて負荷には伝播されな
いはずである。しかしこの等価回路として第４図（ｂ）
を考えた場合、内部のインダクタンスＬｓが０．２ｎＨ
程度であっても、１０Ｇｈｚでは１２．６Ωになる。そ
のため信号は、信号源側に反射して戻らず、負荷側に通
過されてくる。この場合、ダイオードの抵抗がＯΩでも
、入力信号が負荷側に約７ｄＢ減衰して現われる。この
ようにダイトート素子の抵抗値が十分高抵抗、あるいは
低抵抗になっていても外部回路の影響で十分な特性が得
られない欠点があった。すなわち、従来の構成では、ダ
イオード近傍のワイヤインダクタンスやケース容量など
の寄生素子により、マイクロ波帯ではダイオード自身の
もつ低損失、高アイソレーションが損われてしまう問題
があった。
本発明の目的は、このような問題を解決し、素子近傍に
配した直・並列共振回路で寄生素子の付加がインピーダ
ンスをキャンセルし、素子特性を改善した半導体装置を
提供することにある。
配した直・並列共振回路で寄生素子の付加がインピーダ
ンスをキャンセルし、素子特性を改善した半導体装置を
提供することにある。
本発明の構成は、金属ベースと、この金属ベースを一電
極としてこの金属ベース上に載置されたダイオード素子
と、このダイオード素子の周囲で前記金属ベース上に配
設された二対の絶縁体と、これら絶縁体上にそれぞれ配
置された電極と、これら電極と前記ダイオードとを接続
する金属細線とを含む半導体装置において、前記絶縁体
上の電極に対向して二対の外部リードが接続され、この
二対のうち一対の電極が前記ダイオードと金属細線で接
続され、この一対の電極の一方に前記金属細線のインダ
クタンスと使用周波数で共振する容量をもつキャパシタ
が載置されて接続され、このキャパシタの対向電極が前
記外部リード対と直交するもう一方の電極対に接続され
たことを特徴とする。
極としてこの金属ベース上に載置されたダイオード素子
と、このダイオード素子の周囲で前記金属ベース上に配
設された二対の絶縁体と、これら絶縁体上にそれぞれ配
置された電極と、これら電極と前記ダイオードとを接続
する金属細線とを含む半導体装置において、前記絶縁体
上の電極に対向して二対の外部リードが接続され、この
二対のうち一対の電極が前記ダイオードと金属細線で接
続され、この一対の電極の一方に前記金属細線のインダ
クタンスと使用周波数で共振する容量をもつキャパシタ
が載置されて接続され、このキャパシタの対向電極が前
記外部リード対と直交するもう一方の電極対に接続され
たことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、’（ｂ）は本発明の一実施例の一部破断
平面図および内部断面図、第２図は第１図の等価回路図
である。本実施例は、ヒートシンク６と取付ネジ７を設
けた金属ベース５上に、表面に電極８を形成した絶縁体
４を端部の４個所と中央部に設けている。中央の絶縁体
４上にはダイオード素子１が設けられ、このダイオード
素子１の一方の電極が金属ベース５と接合されている。
平面図および内部断面図、第２図は第１図の等価回路図
である。本実施例は、ヒートシンク６と取付ネジ７を設
けた金属ベース５上に、表面に電極８を形成した絶縁体
４を端部の４個所と中央部に設けている。中央の絶縁体
４上にはダイオード素子１が設けられ、このダイオード
素子１の一方の電極が金属ベース５と接合されている。
図の上側の電極８上にはコンデンサ（素子）２が載置さ
れて外部リード１１と接続され、下側電極８には外部リ
ード１４が接続され、これら上下の電極８とダイオード
１とが金属細線３で接続されている。また、左右の電極
８とはダイオード１２゜１３とそれぞれ接続され、これ
ら電極８とコンデンサ２の上側電極とが金属細線３で接
続されている。
れて外部リード１１と接続され、下側電極８には外部リ
ード１４が接続され、これら上下の電極８とダイオード
１とが金属細線３で接続されている。また、左右の電極
８とはダイオード１２゜１３とそれぞれ接続され、これ
ら電極８とコンデンサ２の上側電極とが金属細線３で接
続されている。
第３図は本実施例の半導体装置１０の使用回路の一例の
回路図およびその等価回路図を示している。
回路図およびその等価回路図を示している。
第３図を参照しながら動作を説明する。まず、入力電力
が十分大きくなりＰＩＮダイオード１に電流が流れると
、ダイオードの抵抗は低下してショートとみなせる。こ
の時外部ダイオード１１と接続された金属細線８のイン
ダクタンスＬ１のインピーダイスが大きいとショートに
ならない。信号周波数に対しＬｌと直列共振を生ずるよ
うな容量Ｃ１のコンデンサ２を、このＬｌと直列に挿入
すると、入力ボートからダイオードをみ゛たインピーダ
ンスはショートとなるので全反射される。
が十分大きくなりＰＩＮダイオード１に電流が流れると
、ダイオードの抵抗は低下してショートとみなせる。こ
の時外部ダイオード１１と接続された金属細線８のイン
ダクタンスＬ１のインピーダイスが大きいとショートに
ならない。信号周波数に対しＬｌと直列共振を生ずるよ
うな容量Ｃ１のコンデンサ２を、このＬｌと直列に挿入
すると、入力ボートからダイオードをみ゛たインピーダ
ンスはショートとなるので全反射される。
一方、入力電力が十分小さい時には、ＰＩＮダイオード
１は高抵抗となっており、信号は線路１２から１３へ伝
達される。しかし、ダイオードの接合容量あるいは容器
の電極間容量があるために、この容量により入力ボート
からみたインピーダンスが十分高インピーダンスになら
ない。このため信号の一部が線路１３へ伝達されずにダ
イオード素子１の側へ流れ込む。これを防止するため、
第３図のインダクタンス上３．キヤパシタンスＣ２の回
路でダイオード近傍の容量と並列共振を生ずるようにす
ることにより、高インピーダンスを実現し低損失を実現
できる。
１は高抵抗となっており、信号は線路１２から１３へ伝
達される。しかし、ダイオードの接合容量あるいは容器
の電極間容量があるために、この容量により入力ボート
からみたインピーダンスが十分高インピーダンスになら
ない。このため信号の一部が線路１３へ伝達されずにダ
イオード素子１の側へ流れ込む。これを防止するため、
第３図のインダクタンス上３．キヤパシタンスＣ２の回
路でダイオード近傍の容量と並列共振を生ずるようにす
ることにより、高インピーダンスを実現し低損失を実現
できる。
今、インダクタンスＬ１を０．２ｎＨとすると、１０Ｇ
Ｈｚの信号周波数の場合、Ｃ１は１．２７ＰＦになる。
Ｈｚの信号周波数の場合、Ｃ１は１．２７ＰＦになる。
Ｌ３と０２の回路で調整することになるが、第４の外部
導出リード１４がダイオード１から直接接続されている
ため、ダイオードの近傍に入る容量値すべてと共振をと
ることができる利点がある。
導出リード１４がダイオード１から直接接続されている
ため、ダイオードの近傍に入る容量値すべてと共振をと
ることができる利点がある。
なお、本実施例ではＰＩＮダイオードについて述べたが
、本発明はスイッチングダイオードについても応用が可
能であり、またそのダイオードの極性については逆極性
でも使用可能であることはいうまでもない。
、本発明はスイッチングダイオードについても応用が可
能であり、またそのダイオードの極性については逆極性
でも使用可能であることはいうまでもない。
以上説明したように本発明は、従来使用されていたＰＩ
Ｎダイオードだけでは得られなかった特性が得られるよ
うになる。即ち、１０ Ｇ Ｈｚにおいてダイオード単
独ではアイソし−ションが７ｄＢ程度しか得られなかっ
たものが、２０ｄＢへと改善でき、さらに損失は０．８
ｄＢから０．４ｄＢへと改善することができた。
Ｎダイオードだけでは得られなかった特性が得られるよ
うになる。即ち、１０ Ｇ Ｈｚにおいてダイオード単
独ではアイソし−ションが７ｄＢ程度しか得られなかっ
たものが、２０ｄＢへと改善でき、さらに損失は０．８
ｄＢから０．４ｄＢへと改善することができた。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の一部破断平
面図および内部詳細図、第２図は第１図の等価回路図、
第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の使用例の回路図および
等価回路図、第４図（ａ）。 （ｂ）は従来のリミッタ回路の一例の回路図および等価
回路図である。 １・・・ダイオード（素子）、２・・・コンデンサ（素
子）、３・・・金属細線、４・・・絶縁体、５・・・金
属ベース、６・・・ヒートシンク、７・・・取付ネジ、
８・・・電極、１０・・・半導体装置、１１〜１４・・
・外部リード。
面図および内部詳細図、第２図は第１図の等価回路図、
第３図（ａ）、（ｂ）は第１図の使用例の回路図および
等価回路図、第４図（ａ）。 （ｂ）は従来のリミッタ回路の一例の回路図および等価
回路図である。 １・・・ダイオード（素子）、２・・・コンデンサ（素
子）、３・・・金属細線、４・・・絶縁体、５・・・金
属ベース、６・・・ヒートシンク、７・・・取付ネジ、
８・・・電極、１０・・・半導体装置、１１〜１４・・
・外部リード。
Claims (1)
- 金属ベースと、この金属ベースを一電極としてこの金
属ベース上に載置されたダイオード素子と、このダイオ
ード素子の周囲で前記金属ベース上に配設された二対の
絶縁体と、これら絶縁体上にそれぞれ配置された電極と
、これら電極と前記ダイオードとを接続する金属細線と
を含む半導体装置において、前記絶縁体上の電極に対向
して二対の外部リードが接続され、この二対のうち一対
の電極が前記ダイオードと金属細線で接続され、この一
対の電極の一方に前記金属細線のインダクタンスと使用
周波数で共振する容量をもつキャパシタが載置されて接
続され、このキャパシタの対向電極が前記外部リード対
と直交するもう一方の電極対に接続されたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259021A JPH01101002A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259021A JPH01101002A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101002A true JPH01101002A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17328249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259021A Pending JPH01101002A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101002A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008022255A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Japan Radio Co Ltd | リミッタ回路 |
| JP2011160262A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | リミッタ回路 |
| CN110476353A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-11-19 | 三菱电机株式会社 | 二极管线性化电路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6027450A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 鋼板の連続鋳造法 |
| JPS6139701A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
| JPS6245838B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1987-09-29 | Dainippon Printing Co Ltd |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62259021A patent/JPH01101002A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245838B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1987-09-29 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| JPS6027450A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 鋼板の連続鋳造法 |
| JPS6139701A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Nec Corp | 混成集積回路装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008022255A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Japan Radio Co Ltd | リミッタ回路 |
| JP2011160262A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | リミッタ回路 |
| CN110476353A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-11-19 | 三菱电机株式会社 | 二极管线性化电路 |
| CN110476353B (zh) * | 2017-03-28 | 2024-02-20 | 三菱电机株式会社 | 二极管线性化电路 |
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